JPH0552011B2 - - Google Patents
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- JPH0552011B2 JPH0552011B2 JP59015111A JP1511184A JPH0552011B2 JP H0552011 B2 JPH0552011 B2 JP H0552011B2 JP 59015111 A JP59015111 A JP 59015111A JP 1511184 A JP1511184 A JP 1511184A JP H0552011 B2 JPH0552011 B2 JP H0552011B2
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- end shield
- ceramic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/04—Cathodes
- H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/15—Cathodes heated directly by an electric current
- H01J1/18—Supports; Vibration-damping arrangements
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子管陰極構体に係わり、特にらせん
状に巻設させた熱電子放出用フイラメントの両端
部を支持するエンドシールドの構成に関するもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an electron tube cathode assembly, and more particularly to the structure of an end shield that supports both ends of a helically wound thermionic emission filament.
〔発明の背景〕
第1図は従来から用いられている電子管陰極構
体として、例えばマグネトロンの陰極構体の一例
を示す断面図である。同図において、熱電子を放
出するらせん状のフイラメント1はマグネトロン
の管軸と同心に配置され、熱電子の管軸方向への
逸脱を防止する上エンドシールド2と下エンドシ
ールド3との間に支持固定されている。そして、
この上エンドシールド2および下エンドシールド
3はエンドシールド2,3をそれぞれ支持しかつ
フイラメント1に所定の電流を通電するセンター
サポート4およびサイドサポート5に支持固定さ
れている。この場合、上エンドシールド2は管軸
上にあるセンターサポート4の上端に固定され、
下エンドシールド3は円形孔3aの中心をセンタ
ーサポート4が通るようにサイドサポート5の上
端に固定されている。通常、マグネトロンの動作
中においては、フイラメント1の中央部分で約
1800℃、エンドシールド2,3との接合部分で約
1200℃程度の高温度となるため、エンドシールド
2,3およびセンターサポート4、サイドサポー
ト5にはそれぞれモリブデンやタングステンなど
の高融点金属が用いられ、また、各接合部分の機
械的、電気的接続に用いられるろう材としては、
古くは白金が用いられていたが、極めて高価であ
ることから、最近ではルテニウムとモリブデンと
の共晶合金が用いられるようになつてきた。ま
た、このセンターサポート4およびサイドサポー
ト5の他端側は電力供給端子6がステムセラミツ
ク7とともに銀ろう付され、さらにこのステムセ
ラミツク7にはシール部品8が銀ろう付して固定
されている。また、センターサポート4とサイド
サポート5との間には、外部からの振動、衝撃に
よるフイラメント1およびエンドシールド2,3
の変位を防止させる絶縁スペーサ9が嵌挿され、
管軸方向への位置ずれを防止させる金属リング1
0をサイドサポート5にろう付け固定させてマグ
ネトロン陰極構体が構成あれている。[Background of the Invention] FIG. 1 is a sectional view showing an example of a cathode assembly of a magnetron, for example, as a conventionally used electron tube cathode assembly. In the figure, a helical filament 1 that emits thermionic electrons is placed concentrically with the tube axis of the magnetron, and is placed between an upper end shield 2 and a lower end shield 3 that prevent thermionic electrons from deviating toward the tube axis. Support is fixed. and,
The upper end shield 2 and the lower end shield 3 are supported and fixed to a center support 4 and a side support 5, which respectively support the end shields 2 and 3 and supply a predetermined current to the filament 1. In this case, the upper end shield 2 is fixed to the upper end of the center support 4 on the tube axis,
The lower end shield 3 is fixed to the upper end of the side support 5 so that the center support 4 passes through the center of the circular hole 3a. Normally, during magnetron operation, approximately
1800℃, approximately at the joint with end shields 2 and 3
Because the temperature is as high as 1200°C, high melting point metals such as molybdenum and tungsten are used for the end shields 2 and 3, center support 4, and side support 5, respectively, and for the mechanical and electrical connections of each joint. The brazing material used is
In the past, platinum was used, but because it is extremely expensive, eutectic alloys of ruthenium and molybdenum have recently come to be used. A power supply terminal 6 is silver soldered to the other ends of the center support 4 and side supports 5 together with a stem ceramic 7, and a sealing part 8 is fixed to the stem ceramic 7 by silver soldering. In addition, between the center support 4 and the side supports 5, the filament 1 and the end shields 2 and 3 are exposed to vibrations and shocks from the outside.
An insulating spacer 9 is inserted to prevent displacement of the
Metal ring 1 that prevents displacement in the tube axis direction
0 is brazed and fixed to the side support 5 to form a magnetron cathode structure.
しかしながら、前述した構成によるマグネトロ
ン陰極構体は、センターサポート4およびサイド
サポート5の下端部側をステムセラミツク7に支
持固定させ、その先端部側は上、下エンドシール
ド2,3対向間にらせん状のフイラメント1を挾
持させて支持固定する構成を有しており、そして
このフイラメント1は例えばトリウムタングステ
ン線をらせん状に成形加工しその表面を炭化させ
て熱電子の放射効率を高める処理を施して形成さ
れているので、センターサポート4とサイドサポ
ート5との間の間隔は絶縁スペーサ9により一定
に維持されるが、管軸に対する周方向の回転運動
となる外部からの振動あるいは衝撃によつてフイ
ラメント1が破断してしまうという問題があつ
た。 However, in the magnetron cathode structure having the above-mentioned configuration, the lower end sides of the center support 4 and the side supports 5 are supported and fixed to the stem ceramic 7, and the tip end side is a helical filament between the upper and lower end shields 2 and 3 facing each other. The filament 1 is formed by, for example, forming a thorium tungsten wire into a spiral shape and carbonizing its surface to increase the efficiency of emitting thermoelectrons. Therefore, the distance between the center support 4 and the side supports 5 is maintained constant by the insulating spacer 9, but the filament 1 may break due to external vibration or impact that causes rotational movement in the circumferential direction relative to the tube axis. I had a problem with it.
このような問題を改善したものとしては、第2
図に示すようなマグネトロン陰極構体が提案され
ている。すなわち同図において、下エンドシール
ド3の円形孔3aには中央をセンターサポート4
が貫通するようにアルミナなどからなるセラミツ
クスペーサ11を挿入し、管軸方向への位置ずれ
を防止させる金属製Eリング12を、センターサ
ポート4に溝4aを設け、この溝4aに嵌入し、
セラミツクスペーサ11を保持固定させ、前述し
た外部からの周方向の回転運動による振動あるい
は衝撃によつてもろいフイラメント1の破断を防
止させている。 As a solution to this problem, the second
A magnetron cathode structure as shown in the figure has been proposed. That is, in the same figure, the circular hole 3a of the lower end shield 3 has a center support 4 at the center.
A ceramic spacer 11 made of alumina or the like is inserted so as to pass through the center support 4. A groove 4a is provided in the center support 4, and a metal E-ring 12 for preventing displacement in the tube axis direction is inserted into the groove 4a.
The ceramic spacer 11 is held and fixed to prevent the fragile filament 1 from breaking due to vibration or impact caused by the circumferential rotational movement from the outside.
しかしながら前述した構成によるマグネトロン
陰極構体は、組立部品点数が多く、また機械的、
電気的接続個所が多いことから、組立工数が大き
くなり、生産性を低下させ、製造コストが高価と
なるなどの欠点があつた。また、センターサポー
ト4にセラミツクスペーサ11を保持するEリン
グ係止用溝4aを形成するため、センターサポー
ト4が折れ易くなり、耐振動強度が低下するとい
う欠点があつた。 However, the magnetron cathode structure with the above-mentioned configuration has a large number of assembly parts, and also has mechanical and
Since there are many electrical connection points, the number of assembly steps increases, productivity decreases, and manufacturing costs increase. Furthermore, since the E-ring locking groove 4a for holding the ceramic spacer 11 is formed in the center support 4, the center support 4 tends to break easily, resulting in a reduction in vibration resistance.
したがつて、本発明は、前述した従来の欠点を
解消するためになされたものであり、その目的と
するところは、組立部品のコスト、組立工数を低
減させ、耐振動強度を向上させた電子管陰極構体
を提供することにある。
Therefore, the present invention has been made to eliminate the above-mentioned conventional drawbacks, and its purpose is to provide an electron tube that reduces the cost of assembly parts and the number of assembly steps, and improves vibration resistance. The object of the present invention is to provide a cathode structure.
このような目的を達成するために本発明は、ら
せん状フイラメントの一端側を支持する下エンド
シールドをセラミツク材により構成し、このセラ
ミツク製下エンドシールドの表面にメタライズ層
を形成してこのメタライズ層にフイラメントおよ
びサイドサポートを接合固定するものである。
In order to achieve such an object, the present invention comprises a lower end shield that supports one end side of a helical filament made of a ceramic material, and a metallized layer is formed on the surface of this ceramic lower end shield. The filament and side support are bonded and fixed to the.
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail using the drawings.
第3図および第4図は本発明による電子管陰極
構体をマグネトロン陰極構体に適用した一実施例
を示す断面図であり、前述の図と同一部分は同一
符号を付しその説明は省略する。両図において、
3′は例えばアルミナ等からなるセラミツク製の
下エンドシールドであり、この下エンドシールド
3′の上エンドシールド2との対向面およびらせ
ん状フイラメント1の内側外接面にはモリブデン
からなるメタライズ層13が被着形成されてい
る。また、このセラミツク製下エンドシールド
3′の円形孔3aには、センターサポート4がそ
の外径が接触する程度の嵌合度合で挿通されてい
る。また、このセラミツク製下エンドシールド
3′の周端側には円形孔3bが形成され、この円
形孔3bにサイドサポート5の先端部が挿通され
ている。そして、このメタライズ層13上にはル
テニウム、モリブデンおよびニツケル材からなる
三元合金(Ru−Mo−Ni)ろう材14が塗布、
焼成して固着され、フイラメント1およびサイド
サポート5はそれぞれメタライズ層13へ固定配
置されている。 FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views showing an embodiment in which the electron tube cathode assembly according to the present invention is applied to a magnetron cathode assembly, and the same parts as those in the previous figures are given the same reference numerals and the explanation thereof will be omitted. In both figures,
3' is a ceramic lower end shield made of, for example, alumina, and a metallized layer 13 made of molybdenum is provided on the surface of this lower end shield 3' facing the upper end shield 2 and on the inner circumferential surface of the helical filament 1. It is formed by adhesion. Further, the center support 4 is inserted into the circular hole 3a of the ceramic lower end shield 3' to such a degree that the outer diameters of the center support 4 are in contact with each other. Further, a circular hole 3b is formed on the peripheral end side of the ceramic lower end shield 3', and the tip of the side support 5 is inserted into this circular hole 3b. Then, a ternary alloy (Ru-Mo-Ni) brazing material 14 made of ruthenium, molybdenum, and nickel is applied on this metallized layer 13.
The filament 1 and the side support 5 are fixedly fixed to the metallized layer 13 by firing.
このような構成によれば、セラミツク製下エン
ドシールド3′と前述したスペーサ9,11(第
1図、第2図参照)とが一体化された構成となる
ので、前述の如き固定用の金属リング10、Eリ
ング12が不要となり、部品点数を低減させると
ともに、構成が簡素化されるので、組立コストが
低減できる。また、下エンドシールド3′をアル
ミナ等のセラミツク成形体で構成することによ
り、フイラメント1、センターサポート4および
サイドサポート5が寸法的に極めて良好な嵌合状
態で組立てができるので、組立精度が高くなり、
安定かつ均一な電気的特性が得られるとともに、
高能率、高歩留りの生産が可能となる。また、こ
れに伴なつて耐振性、耐衝撃性を向上させること
ができる。 According to such a structure, the ceramic lower end shield 3' and the spacers 9, 11 described above (see FIGS. 1 and 2) are integrated, so that the fixing metal as described above is used. Since the ring 10 and the E-ring 12 are not required, the number of parts is reduced and the configuration is simplified, so assembly costs can be reduced. Furthermore, by constructing the lower end shield 3' from a ceramic molded body such as alumina, the filament 1, center support 4, and side supports 5 can be assembled with extremely good dimensional fit, resulting in high assembly accuracy. ,
In addition to obtaining stable and uniform electrical characteristics,
High efficiency and high yield production is possible. Further, along with this, vibration resistance and impact resistance can be improved.
第5図は本発明に係わるマグネトロン陰極構体
の他の実施例を示す要部断面構成図であり、第3
図、第4図と同一部分は同一符号を付しその説明
は省略する。同図において、第4図と異なる点
は、セラミツク製下エンドシールド3′のセンタ
ーサポート4挿入用円形孔3aの上エンドシール
ド2側にはリング状の凹部3cが形成されてい
る。 FIG. 5 is a cross-sectional configuration diagram of main parts showing another embodiment of the magnetron cathode structure according to the present invention, and FIG.
The same parts as those in FIG. This figure differs from FIG. 4 in that a ring-shaped recess 3c is formed on the upper end shield 2 side of the circular hole 3a for inserting the center support 4 in the ceramic lower end shield 3'.
このような構成においても前述と全く同様の効
果が得られるとともに、リング状凹部3cを設け
たことにより、フイラメント1からの蒸発物(金
属微粉末)の堆積による絶縁性の低下を防止する
ことができる。 Even in such a configuration, the same effect as described above can be obtained, and by providing the ring-shaped recess 3c, it is possible to prevent a decrease in insulation properties due to deposition of evaporated matter (fine metal powder) from the filament 1. can.
第6図は本発明に係わるマグネトロン陰極構体
のさらに他の実施例を示す要部断面図であり、前
述の図と同一部分は同一符号を付し、その説明は
省略する。同図において、第4図と異なる点は、
セラミツク製下エンドシールド3′の上エンドシ
ールド2と対向する平面部のみにメタライズ層1
3が形成されている。 FIG. 6 is a sectional view of a main part showing still another embodiment of the magnetron cathode assembly according to the present invention, and the same parts as those in the previous figure are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. In this figure, the difference from Figure 4 is as follows.
A metallized layer 1 is formed only on the flat surface of the ceramic lower end shield 3' that faces the upper end shield 2.
3 is formed.
このような構成においても前述と全く同様の効
果が得られるとともに、セラミツク製下エンドシ
ールド3′の凸部3dがフイラメント1の位置出
しに寄与でき、しかもメタライズ層13の端部の
電界集中に対して有効な絶縁効果が得られる。 In such a configuration, the same effect as described above can be obtained, and the convex portion 3d of the ceramic lower end shield 3' can contribute to positioning the filament 1, and moreover, it can prevent electric field concentration at the end of the metallized layer 13. Effective insulation effect can be obtained.
第7図は本発明に係わるマグネトロン陰極構体
を構成する下エンドシールドの他の実施例を示す
断面図である。同図において、セラミツク製下エ
ンドシールド3′は、その全体を浸漬法によりメ
タライズ層13を形成した後、その上下方向両端
面のみを研磨もしくは研削して絶縁部分を形成し
たものである。このような構成による下エンドシ
ールド3′を用いても前述と全く同様の効果が得
られる。 FIG. 7 is a sectional view showing another embodiment of the lower end shield constituting the magnetron cathode assembly according to the present invention. In the figure, the ceramic lower end shield 3' is constructed by forming a metallized layer 13 on the whole by dipping, and then polishing or grinding only the upper and lower end surfaces to form insulating parts. Even if the lower end shield 3' having such a configuration is used, the same effect as described above can be obtained.
また、第8図および第9図に示すようにセラミ
ツク製下エンドシールド3′を断面が凹形状とな
るように構成しても前述と全く同様の効果が得ら
れることは言うまでない。 It goes without saying that even if the ceramic lower end shield 3' is configured to have a concave cross section as shown in FIGS. 8 and 9, the same effect as described above can be obtained.
さらに、第6図、第7図、第8図および第9図
に示した実施例において、セラミツク製下エンド
シールド3′のセンターサポート4挿入用円形孔
3aの上エンドシールド2側に、第5図および第
9図で示したようなリング状凹部3cを形成する
ことにより、フイラメント1からの蒸発物の堆積
による絶縁性の低下を防止できることは勿論であ
る。 Furthermore, in the embodiments shown in FIGS. 6, 7, 8, and 9, a fifth hole is provided on the upper end shield 2 side of the circular hole 3a for inserting the center support 4 of the ceramic lower end shield 3'. Of course, by forming the ring-shaped recess 3c as shown in FIG.
以上説明したように本発明によれば、組立部品
のコストおよび組立工数を低減できるとともに、
耐振動性、耐衝撃性の高い電子管陰極構体が得ら
れるという極めて優れた効果を有する。
As explained above, according to the present invention, it is possible to reduce the cost of assembly parts and the number of assembly steps, and
This has the extremely excellent effect of providing an electron tube cathode structure with high vibration resistance and impact resistance.
第1図は従来のマグネトロン陰極構体の一例を
示す断面図、第2図は近年提案されているマグネ
トロン陰極構体の一例を示す断面図、第3図は本
発明による電子管陰極構体の一実施例を示すマグ
ネトロン陰極構体の断面図、第4図は第3図の要
部拡大断面図、第5図ないし第9図は本発明によ
る電子管陰極構体の他の実施例を示すマグネトロ
ン陰極構体の要部拡大断面図である。
1……フイラメント、2……上エンドシール
ド、3′……セラミツク下エンドシールド、3a,
3b……円形孔、3c……凹部、4……センター
サポート、5……サイドサポート、6……電力供
給端子、7……ステムセラミツク、8……シール
部品、13……メタライズ層、14……三元合金
ろう材。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a conventional magnetron cathode structure, FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a magnetron cathode structure proposed in recent years, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of an electron tube cathode structure according to the present invention. FIG. 4 is an enlarged sectional view of the main part of FIG. 3, and FIGS. 5 to 9 are enlarged main parts of the magnetron cathode structure showing other embodiments of the electron tube cathode structure according to the present invention. FIG. 1...Filament, 2...Upper end shield, 3'...Ceramic lower end shield, 3a,
3b... Circular hole, 3c... Recess, 4... Center support, 5... Side support, 6... Power supply terminal, 7... Stem ceramic, 8... Seal component, 13... Metallized layer, 14... Ternary alloy filler metal.
Claims (1)
ラメントの上、下端を支持する上、下エンドシー
ルドと、前記上、下エンドシールドをそれぞれ支
持しかつ前記フイラメントに所定の電流を通電す
るための管軸に沿つて配置されるセンターサポー
ト、前記管軸から偏位した位置に前記管軸に平行
に配置されるサイドサポートとを少なくとも備え
た電子管陰極構体において、前記下エンドシール
ドをセラミツクにより形成するとともに該下エン
ドシールドの表面の中央部にフイラメント外径と
ほぼ同じ直径でフイラメントが嵌入される凹部を
設けるとともに、この凹部を含めた前記下エンド
シールドの表面にメタライズ層を設け、前記凹部
に前記フイラメントを嵌入して、該メタライズ層
に前記フイラメントと前記サイドサポートとを各
接合部においてろう付けして機械的に固定すると
同時に電気的に接続することを特徴とした電子管
陰極構体。1 A filament that emits thermoelectrons, upper and lower end shields that support the upper and lower ends of the filament, and a tube shaft that supports the upper and lower end shields and supplies a predetermined current to the filament. In an electron tube cathode structure including at least a center support disposed along the tube axis, and a side support disposed parallel to the tube axis at a position offset from the tube axis, the lower end shield is formed of ceramic, and the lower end A recess into which the filament is inserted is provided in the center of the surface of the shield with a diameter approximately equal to the outer diameter of the filament, a metallized layer is provided on the surface of the lower end shield including this recess, and the filament is inserted into the recess. An electron tube cathode structure characterized in that the filament and the side support are brazed to the metallized layer at each joint to mechanically fix them and at the same time electrically connect them.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015111A JPS60163330A (en) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | Electron tube cathode structure |
| KR1019840007615A KR890002358B1 (en) | 1984-02-01 | 1984-12-03 | Electron tube cathode sphere |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015111A JPS60163330A (en) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | Electron tube cathode structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163330A JPS60163330A (en) | 1985-08-26 |
| JPH0552011B2 true JPH0552011B2 (en) | 1993-08-04 |
Family
ID=11879717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59015111A Granted JPS60163330A (en) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | Electron tube cathode structure |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163330A (en) |
| KR (1) | KR890002358B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0734107U (en) * | 1993-12-07 | 1995-06-23 | 株式会社河合楽器製作所 | Soundproof panel support structure |
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| JP3215502B2 (en) * | 1992-05-19 | 2001-10-09 | 株式会社小松製作所 | Work machine operation range limiting device |
| JP2009118830A (en) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Iseki & Co Ltd | Ambulatory seedling transplanter |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5258481A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Ion generator |
| JPS6055941B2 (en) * | 1976-01-28 | 1985-12-07 | 株式会社日立製作所 | magnetron cathode structure |
-
1984
- 1984-02-01 JP JP59015111A patent/JPS60163330A/en active Granted
- 1984-12-03 KR KR1019840007615A patent/KR890002358B1/en not_active Expired
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| JPH0734107U (en) * | 1993-12-07 | 1995-06-23 | 株式会社河合楽器製作所 | Soundproof panel support structure |
Also Published As
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|---|---|
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| KR850006245A (en) | 1985-10-02 |
| KR890002358B1 (en) | 1989-07-01 |
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