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JPH0552952B2 - - Google Patents
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JPH0552952B2 - - Google Patents

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JPH0552952B2
JPH0552952B2 JP25896684A JP25896684A JPH0552952B2 JP H0552952 B2 JPH0552952 B2 JP H0552952B2 JP 25896684 A JP25896684 A JP 25896684A JP 25896684 A JP25896684 A JP 25896684A JP H0552952 B2 JPH0552952 B2 JP H0552952B2
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mosfet
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Yasuhiro Shin
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、液晶(LCD)のコモン電極、セレ
クト電極に駆動電位を与える液晶駆動装置に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a liquid crystal driving device that applies a driving potential to a common electrode and a select electrode of a liquid crystal (LCD).

(従来の技術) 従来、このような分野の技術としては、例えば
第2図に記載されたものがあつた。
(Prior Art) Conventionally, as a technology in this field, there is one shown in FIG. 2, for example.

第2図は従来の液晶駆動装置の構成図である。
第2図において図示はしないが、出力端子OUT
は液晶表示装置のコモン電極またはセレクト電極
に接続されている。このような電極は、例えば液
晶パネルがドツト表示方式のマトリクスパネルで
ある場合には、横方向に複数本帯状に配列された
コモン電極と、この電極の反対側でかつ該電極と
直交する縦方向に複数本帯状に配列されたセレク
ト電極とで構成され、選択的に両電極に印加され
る電圧により所定箇所のLCD(液体結晶)を変化
させ、表示を行うようになつている。
FIG. 2 is a block diagram of a conventional liquid crystal driving device.
Although not shown in Figure 2, the output terminal OUT
is connected to the common electrode or select electrode of the liquid crystal display device. For example, when the liquid crystal panel is a matrix panel with a dot display method, such electrodes include a common electrode arranged in a plurality of strips in the horizontal direction, and a common electrode arranged in a vertical direction on the opposite side of this electrode and orthogonal to the common electrode. It consists of a plurality of select electrodes arranged in a strip shape, and a voltage selectively applied to both electrodes changes the LCD (liquid crystal) at a predetermined location to display a display.

駆動回路を構成するデコーダ1は上位の図示し
ない制御部からの駆動入力信号IN1,IN2を入
力するための入力端子に接続され、また電源とし
て高電源電位VDDと低電源電位VSSが与えられ
ている。バイナリの入力信号IN1,IN2はデコ
ーダ1において4つの信号D1〜D2に変換され
てレベルシフト回路2に出力されるが、この信号
(第1の論理レベル信号)のレベルは高電源電位
VDDと低電源電位VSS間のレベルに設定されて
いる。レベルシフト回路2には上記の電位VDD、
VSSが与えられると共に、第3のバイアス電位
V3が与えられる。そして、レベルシフト回路2
はデコーダ1からの第1の論理レベル信号D1〜
D4を4つの信号S1,S2,S3,S4に変換
するが、この信号(第2の論理レベル信号)のレ
ベルは上記の高電源電位VDDとバイアス電位V
3の間のレベルに設定されている。
A decoder 1 constituting the drive circuit is connected to input terminals for inputting drive input signals IN1 and IN2 from a higher-level control unit (not shown), and is supplied with a high power supply potential VDD and a low power supply potential VSS as power supplies. . The binary input signals IN1 and IN2 are converted into four signals D1 to D2 in the decoder 1 and output to the level shift circuit 2, but the level of this signal (first logic level signal) is at the high power supply potential.
It is set to a level between VDD and low power supply potential VSS. The level shift circuit 2 has the above potential VDD,
VSS is applied, and at the same time, the third bias potential V3 is applied. And level shift circuit 2
is the first logic level signal D1~ from decoder 1
D4 is converted into four signals S1, S2, S3, and S4, and the level of this signal (second logic level signal) is equal to the above-mentioned high power supply potential VDD and bias potential V
It is set at a level between 3 and 3.

第2の論理レベル信号S1はPチヤネル型
MOSFET(以下P FETという)11のゲート
に、第2の論理レベル信号S2はP FET12
のゲートに、第2の論理レベル信号S3はP
FET13のゲートに、第2の論理レベル信号
4はNチヤネル型MOSFET(以下、N FETと
いう)14のゲートにそれぞれ与えられる。また
論理レベル信号S2はインバータ3で反転され、
P FET12と並列接続されたN FET15の
ゲートに与えられ、論理レベル信号S3はインバ
ータ4で反転され、P FET13と並列接続さ
れたN FET16のゲートに与えられる。さら
に、P FET11のソースは高電源電位VDDに
接続され、P FET12及びN FET15のソ
ースは第1のバイアス電位V1に共通接続され、
P FET13およびN FET16のソースは第
2のバイアス電位V2に共通接続され、N
FET14のソースは第3のバイアス電位V3に
接続されている。そして、P FET11,12,
13およびN FET14,15,16のドレイ
ンは出力端子OUTに共通接続されている。
The second logic level signal S1 is of P channel type.
The second logic level signal S2 is applied to the gate of MOSFET (hereinafter referred to as P FET) 11.
A second logic level signal S3 is applied to the gate of P
The second logic level signal 4 is applied to the gate of the FET 13, and the second logic level signal 4 is applied to the gate of an N-channel MOSFET (hereinafter referred to as N FET) 14. Further, the logic level signal S2 is inverted by the inverter 3,
The logic level signal S3 is applied to the gate of N FET 15 connected in parallel with P FET 12, and is inverted by an inverter 4 and applied to the gate of N FET 16 connected in parallel with P FET 13. Furthermore, the source of P FET11 is connected to a high power supply potential VDD, the sources of P FET12 and N FET15 are commonly connected to a first bias potential V1,
The sources of P FET13 and N FET16 are commonly connected to the second bias potential V2, and N
The source of the FET 14 is connected to the third bias potential V3. And P FET11, 12,
13 and the drains of N FETs 14, 15, and 16 are commonly connected to the output terminal OUT.

次に上記構成の装置の動作を、第3図の信号波
形図を用いて説明する。いま、一方の駆動入力信
号IN1がローレベル(以下“L”という)で、
他方の駆動入力信号IN2がハイレベル(以下
“H”という)であつたとすると、デコーダ1か
ら出力される第1の論理レベル信号D1〜D4は
下記に示すようになる。
Next, the operation of the apparatus having the above configuration will be explained using the signal waveform diagram shown in FIG. Now, one drive input signal IN1 is at low level (hereinafter referred to as "L").
Assuming that the other drive input signal IN2 is at a high level (hereinafter referred to as "H"), the first logic level signals D1 to D4 output from the decoder 1 are as shown below.

IN1 IN2 D1 D2 D3 D4 L H L H H H 従つてP FET11のみがオン(ソース・ドレ
イン間が導通)し、他のP FET12,13と
N FET15,16は全てオフ(ソース・ドレ
イン間が遮断)されたままになつている。その結
果、第3図に示すように出力端子OUTにはP
FET11を介して高電源電位VDDの駆動信号が
出力される。
IN1 IN2 D1 D2 D3 D4 L H L H H H Therefore, only P FET11 is turned on (conduction between the source and drain), and the other P FET12, 13 and N FET15, 16 are all off (the source and drain are cut off). ) remains as it was. As a result, as shown in Figure 3, the output terminal OUT has a P
A drive signal of high power supply potential VDD is outputted via FET11.

次に、駆動入力信号IN1,IN2が共に“H”
であるときには、第1の論理レベル信号D1〜D
4は下記に示すようになる。
Next, drive input signals IN1 and IN2 are both “H”
, the first logic level signals D1 to D
4 is as shown below.

IN1 IN2 D1 D2 D3 D4 H H H H H L 従つてN FET14のみがオンになり、出力端
子OUTには第3のバイアス電位V3が出力され
る。
IN1 IN2 D1 D2 D3 D4 H H H H H L Therefore, only the N FET 14 is turned on, and the third bias potential V3 is output to the output terminal OUT.

次に駆動入力信号IN1,IN2が共に“L”で
あるときには、第1論理レベル信号D1〜D4は
下記に示すようになる。
Next, when the drive input signals IN1 and IN2 are both "L", the first logic level signals D1 to D4 become as shown below.

IN1 IN2 D1 D2 D3 D4 L L H L H H 従つてN FET15及びP FET12のみがオ
ンになり、第3図に示す出力端子OUTには第1
のバイアス電位V1が出力される。
IN1 IN2 D1 D2 D3 D4 L L H L H H Therefore, only N FET15 and P FET12 are turned on, and the output terminal OUT shown in FIG.
A bias potential V1 is output.

最後に、一方の駆動入力信号IN1が“H”で、
他方の駆動入力信号IN2が“L”であるときに
は、第1の論理レベル信号D1〜D4は下記に示
すようになる。
Finally, one drive input signal IN1 is “H”,
When the other drive input signal IN2 is "L", the first logic level signals D1 to D4 are as shown below.

IN1 IN2 D1 D2 D3 D4 H L H H L H 従つてP FET13およびN FET16のみが
オンになり、出力端子OUTには第2のバイアス
電位V2が出力される。
IN1 IN2 D1 D2 D3 D4 H L H H L H Therefore, only P FET13 and N FET16 are turned on, and the second bias potential V2 is outputted to the output terminal OUT.

上記構成の装置において、例えば液晶パネルを
駆動させるためには、コモン電極とセレクト電極
の間に|V1−V2|電位を与えて液晶を非アク
テイブ状態とし、|VDD−V3|の大きさは液晶
がアクテイブ状態化するためのしきい値(Vlcd)
以上でなければならない。(Vlcd>|VDD−V
3|)。
In the device with the above configuration, for example, in order to drive the liquid crystal panel, |V1-V2| is applied between the common electrode and the select electrode to put the liquid crystal in an inactive state, and the magnitude of |VDD-V3| Threshold for activation (Vlcd)
Must be above. (Vlcd>|VDD−V
3 |).

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら上記構成の装置では、一般に液晶
の上記しきい値はVth=2.5〜20Vであるため、
VDD〜VSS間に5Vの電位差を設定し、かつ
VDD〜V1間、V1〜V2間及びV2〜V3間
にそれぞれ約1.33〜6.66Vの電位差を設定して
VDD〜V3間電位を4〜20Vとした場合には、
液晶パネルの電極間にしきい値Vth以上のバイア
スを与えて適切に駆動させることができるが、
VDD〜V3間の電位を例えば2.5Vに設定した場
合には、FETのソース・ドレイン間の電位降下
のために液晶パネルの電極間にしきい値Vlcd以
上のバイアスを与えることができなくなる。これ
は、VDD〜V3間の電位を2.5Vに設定すると、
N FET,P FETともにゲート・ソース間の
電位差が小さくなりすぎてソース・ドレイン間電
流が低下するためであり、負荷となる液晶を十分
に駆動することができないという問題点があつ
た。
(Problem to be Solved by the Invention) However, in the device with the above configuration, the threshold value of the liquid crystal is generally Vth = 2.5 to 20V, so
Set a potential difference of 5V between VDD and VSS, and
Set a potential difference of approximately 1.33 to 6.66V between VDD and V1, between V1 and V2, and between V2 and V3, respectively.
When the potential between VDD and V3 is set to 4 to 20V,
Although it is possible to apply a bias greater than the threshold Vth between the electrodes of the liquid crystal panel to drive it appropriately,
If the potential between VDD and V3 is set to 2.5V, for example, it becomes impossible to apply a bias higher than the threshold value Vlcd between the electrodes of the liquid crystal panel due to the potential drop between the source and drain of the FET. This means that if the potential between VDD and V3 is set to 2.5V,
This is because the potential difference between the gate and the source of both the N FET and the P FET becomes too small, resulting in a drop in the current between the source and drain, which causes the problem that the liquid crystal serving as the load cannot be sufficiently driven.

本発明は前記従来技術が持つていた問題点とし
て高電源電位VDDと第3のバイアス電位V3の
間の電位を2.5〜4.0V程度に設定すると、FETの
ゲート・ソース間電位が低くなり過ぎてソース・
ドレイン間電流が低下してしまうという点につい
て解決し、VDD〜V3間電位差を例えば4.0V以
下に設定した場合にも十分に液晶を駆動すること
ができる液晶駆動装置を提供するものである。
The present invention solves the problem that the conventional technology has, but if the potential between the high power supply potential VDD and the third bias potential V3 is set to about 2.5 to 4.0V, the gate-source potential of the FET becomes too low. sauce·
It is an object of the present invention to provide a liquid crystal driving device that solves the problem that the drain current decreases and can sufficiently drive the liquid crystal even when the potential difference between VDD and V3 is set to, for example, 4.0 V or less.

(問題点を解決するための手段) 第1の発明は、前記問題点を解決するために、
第1電源電位(例えば、高電源電位VDD)と、
前記第1電源電位から所定方向へ第1の電位差を
有する第2電源電位(例えば、低電源電位VSS)
とが供給され、前記第1電源電位から前記所定方
向へ第2の電位差を有する駆動電位(例えば、バ
イアス電位V3)又は前記第1電源電位による駆
動信号を出力端子より出力する液晶駆動装置にお
いて、次のような手段を講じている。
(Means for solving the problem) In order to solve the problem, the first invention provides the following:
a first power supply potential (for example, a high power supply potential VDD);
a second power supply potential having a first potential difference in a predetermined direction from the first power supply potential (for example, a low power supply potential VSS);
in a liquid crystal driving device that outputs from an output terminal a drive potential (for example, bias potential V3) having a second potential difference from the first power supply potential in the predetermined direction or a drive signal based on the first power supply potential; The following measures have been taken:

即ち、この第1の発明では、入力信号(例え
ば、IN1,IN2)に応答し、実質的に前記第1
又は第2電源電位による第1制御信号(例えば、
論理レベル信号D1)及び第2制御信号(例え
ば、論理レベル信号D4)を出力するデコーダ手
段と、前記第2制御信号に応答し、実質的に前記
第1電源電位又は前記駆動電位による第3制御信
号(例えば、論理レベル信号30)を出力する
変換手段と、前記第1電源電位と前記出力端子と
の間に接続された第1のMOSFETであつて、そ
のゲート電極に前記第1制御信号が与えられる第
1のMOSFET(例えば、FET21)と、前記駆
動電位と前記出力端子との間に接続された第2の
MOSFETであつて、そのゲート電極に前記第2
制御信号が与えられる第2のMOSFET(例えば、
FET27)と、前記第2のMOSFETと並列に、
前記駆動電位と前記出力端子との間に接続した第
3のMOSFETであつて、そのゲート電極に前記
第3制御信号が与えられる第3のMOSFET(例
えば、FET24)とを、有している。
That is, in this first invention, in response to input signals (for example, IN1, IN2), substantially the first
Or the first control signal by the second power supply potential (for example,
decoder means for outputting a logic level signal D1) and a second control signal (e.g. logic level signal D4); and a third control responsive to the second control signal and substantially based on the first power supply potential or the drive potential. a conversion means for outputting a signal (for example, a logic level signal 30); and a first MOSFET connected between the first power supply potential and the output terminal, the first MOSFET having a gate electrode to which the first control signal is applied. A first MOSFET (for example, FET21) provided and a second MOSFET connected between the drive potential and the output terminal.
MOSFET, the gate electrode of which is connected to the second
A second MOSFET to which a control signal is applied (e.g.
FET27) in parallel with the second MOSFET,
The device includes a third MOSFET (for example, FET 24) connected between the drive potential and the output terminal, and to whose gate electrode the third control signal is applied.

そして、前記第2の電位差が前記第1の電位差
よりも十分に大きい時、前記駆動電位による前記
駆動信号が主として前記第3のMOSFETを介し
て前記出力端子に与えられ、前記第2の電位差が
前記第1の電位差より十分に小さい時、前記駆動
電位による前記駆動信号は主として前記第2の
MOSFETを介して前記出力端子に与えられる構
成になつている。
When the second potential difference is sufficiently larger than the first potential difference, the drive signal based on the drive potential is mainly applied to the output terminal via the third MOSFET, and the second potential difference is When the potential difference is sufficiently smaller than the first potential difference, the drive signal due to the drive potential is mainly caused by the second potential difference.
The configuration is such that it is applied to the output terminal via a MOSFET.

第2の発明では、第1電源電位(例えば、高電
源電位はVDD)と、前記第1電源電位から所定
方向へ第1の電位差を有する第2電源電位(例え
ば、低電源電位VSS)とが供給され、前記第1
電源電位から前記所定方向へ第2の電位差を有す
る第1の駆動電位(例えば、バイアス電位V1)
又は前記第1電源電位から前記所定方向へ前記第
2の電位差よりも大きい第3の電位差を有する第
2の駆動電位(例えば、バイアス電位V3)によ
る駆動信号を出力端子より出力する液晶駆動装置
において、次のような手段を講じている。
In the second invention, a first power supply potential (for example, a high power supply potential is VDD) and a second power supply potential (for example, a low power supply potential VSS) having a first potential difference in a predetermined direction from the first power supply potential are arranged. supplied, said first
a first drive potential (for example, bias potential V1) having a second potential difference in the predetermined direction from the power supply potential;
Or in a liquid crystal drive device that outputs a drive signal from an output terminal using a second drive potential (for example, bias potential V3) having a third potential difference larger than the second potential difference from the first power supply potential in the predetermined direction. , has taken the following measures:

即ち、この第2の発明では、入力信号(例え
ば、IN1,IN2)に応答し、実質的に前記第1
又は第2電源電位による第1制御信号(例えば、
論理レベル信号D2)及び第2制御信号(例えば
論理レベル信号D4)を出力するデコーダ手段
と、前記第2制御信号に応答し、実質的に前記第
1電源電位又は前記第2の駆動電位による第3制
御信号(例えば、論理レベル信号30)を与え
る変換手段と、前記第1の駆動電位と前記出力端
子との間に接続された第1のMOSFETであつ
て、そのゲート電極に前記第1制御信号が与えら
れる第1のMOSFET(例えば、FET25)と、
前記第2の駆動電位と前記出力端子との間に接続
された第2のMOSFETであつて、そのゲート電
極に前記第2制御信号が与えられる第2の
MOSFET(例えば、FET27)と、前記第2の
MOSFETと並列に、前記第2の駆動電位と前記
出力端子との間に接続した第3のMOSFETであ
つて、そのゲート電極に前記第3制御信号が与え
られる第3のMOSFET(例えば、FET24)と
を、有している。
That is, in this second invention, in response to input signals (for example, IN1, IN2), substantially the first
Or the first control signal by the second power supply potential (for example,
decoder means for outputting a logic level signal D2) and a second control signal (e.g. logic level signal D4); a first MOSFET connected between the first drive potential and the output terminal, the first MOSFET having the first control signal on its gate electrode; a first MOSFET (e.g., FET25) to which the signal is applied;
a second MOSFET connected between the second drive potential and the output terminal, the second MOSFET having a gate electrode supplied with the second control signal;
MOSFET (for example, FET27) and the second
A third MOSFET (for example, FET24) connected in parallel with the MOSFET between the second drive potential and the output terminal, the third control signal being applied to the gate electrode of the third MOSFET. It has.

そして、前記第3の電位差が前記第1の電位差
よりも十分に大きい時、前記第2の駆動電位によ
る前記駆動信号は主として前記第3のMOSFET
を介して前記出力端子に与えられ、前記第3の電
位差が前記第1の電位差より十分に小さい時、前
記第2の駆動電位による前記駆動信号は主として
前記第2のMOSFETを介して前記出力端子に与
えられる構成になつている。
When the third potential difference is sufficiently larger than the first potential difference, the drive signal based on the second drive potential is mainly applied to the third MOSFET.
When the third potential difference is sufficiently smaller than the first potential difference, the drive signal based on the second drive potential is mainly applied to the output terminal via the second MOSFET. It is structured as follows.

(作用) 第1の発明によれば、以上のように液晶駆動装
置を構成したので、デコーダ手段は、入力信号を
デコードして第1及び第2制御信号を出力する。
この第1制御信号によつて第1のMOSFETがオ
ン、オフし、第2制御信号によつて第2の
MOSFETがオン、オフする。第2制御信号は、
変換手段によつて第3制御信号に変換され、その
第3制御信号によつて第3のMOSFETがオン、
オフする。
(Operation) According to the first invention, since the liquid crystal driving device is configured as described above, the decoder means decodes the input signal and outputs the first and second control signals.
This first control signal turns the first MOSFET on and off, and the second control signal turns the second MOSFET on and off.
MOSFET turns on and off. The second control signal is
It is converted into a third control signal by the conversion means, and the third MOSFET is turned on by the third control signal.
Turn off.

そして、第2の電位差が第1の電位差よりも十
分に大きい時は、駆動電位が主として第3の
MOSFETを介して出力端子へ送られ、その出力
端子から駆動信号が出力されて液晶駆動装置へ供
給される。又、第2の電位差が第1の電位差より
十分に小さい時には、駆動電位が主として第2の
MOSFETを介して駆動信号の形で出力端子へ送
られる。
When the second potential difference is sufficiently larger than the first potential difference, the drive potential is mainly driven by the third potential difference.
The signal is sent to the output terminal via the MOSFET, and a drive signal is output from the output terminal and supplied to the liquid crystal driver. Further, when the second potential difference is sufficiently smaller than the first potential difference, the driving potential is mainly the second potential difference.
It is sent to the output terminal in the form of a drive signal via the MOSFET.

第2の発明によれば、デコーダ手段は、入力信
号をデコードして第1及び第2制御信号を出力す
る。この第1制御信号によつて第1のMOSFET
がオン、オフし、第2制御信号によつて第2の
MOSFETがオン、オフする。第2制御信号は、
変換手段によつて第3制御信号に変換され、その
第3制御信号によつて第3のMOSFETがオン、
オフする。
According to the second invention, the decoder means decodes the input signal and outputs the first and second control signals. This first control signal causes the first MOSFET to
is turned on and off, and the second
MOSFET turns on and off. The second control signal is
It is converted into a third control signal by the conversion means, and the third MOSFET is turned on by the third control signal.
Turn off.

そして、第3の電位差が第1の電位差よりも十
分に大きい時には、第2の駆動電位が主として第
3のMOSFETを介して駆動信号の形で出力端子
へ送られる。又、第3の電位差が第1の電位差よ
り十分に小さい時には、第2の駆動電位が主とし
て第2のMOSFETを介して駆動信号の形で出力
端子へ送られる。従つて、前記問題点を除去でき
るのである。
When the third potential difference is sufficiently larger than the first potential difference, the second drive potential is sent to the output terminal mainly via the third MOSFET in the form of a drive signal. Furthermore, when the third potential difference is sufficiently smaller than the first potential difference, the second drive potential is sent to the output terminal mainly via the second MOSFET in the form of a drive signal. Therefore, the above-mentioned problems can be eliminated.

(実施例) 第1図は本発明の実施例を示す液晶駆動装置の
構成図である。なお、第2図中の要素と同一の要
素には同一の符号が付されている。
(Embodiment) FIG. 1 is a block diagram of a liquid crystal driving device showing an embodiment of the present invention. Note that the same elements as those in FIG. 2 are given the same reference numerals.

そしてこの液晶駆動装置が第2図のものと異な
る点は、次のような点である。すなわち変換手段
であるレベルシフト回路20はデコーダ1からの
第1の論理レベル信号D2〜D4を入力し、
VDD〜V3間電位の第2の論理レベル信号S1
0,20,30を出力するように構成されて
いる。高電源電位VDDと出力端子OUTの間には
P FET21が接続され、第1のバイアス電位
V1と出力端子OUTの間にはN FET22及び
P FET25が並列接続され、第2のバイアス
電位V2と出力端子OUTの間にはN FET23
およびP FET26が並列接続され、さらに第
3のバイアス電位V3と出力端子OUTの間には
N FET24およびP FET27が並列接続さ
れている。ここで、P FET21のゲートには
第1の論理レベル信号D1が、N FET22,
N FET23およびN FET24のそれぞれの
ゲートには第2の論理レベル信号S10,2
0,30が、P FET25,P FET26,
P FET27のそれぞれのゲートには第1の論
理レベル信号D2,D3,D4が与えられる。
This liquid crystal driving device differs from the one shown in FIG. 2 in the following points. That is, the level shift circuit 20, which is a conversion means, inputs the first logic level signals D2 to D4 from the decoder 1, and
Second logic level signal S1 at potential between VDD and V3
It is configured to output 0, 20, 30. A P FET21 is connected between the high power supply potential VDD and the output terminal OUT, an N FET22 and a P FET25 are connected in parallel between the first bias potential V1 and the output terminal OUT, and the second bias potential V2 and the output N FET23 between terminals OUT
and P FET26 are connected in parallel, and further, N FET24 and P FET27 are connected in parallel between the third bias potential V3 and the output terminal OUT. Here, the first logic level signal D1 is applied to the gate of P FET21, and the first logic level signal D1 is applied to the gate of P FET21.
A second logic level signal S10, 2 is applied to each gate of N FET23 and N FET24.
0,30 are P FET25, P FET26,
First logic level signals D2, D3, and D4 are applied to each gate of the P FET 27.

第1図の装置についての動作を、前述の第3図
を参照して説明する。
The operation of the apparatus shown in FIG. 1 will be explained with reference to FIG. 3 mentioned above.

まず、一方の駆動入力信号IN1が“L”であ
り、他方の駆動入力信号IN2が“H”であると
きは、論理レベル信号D1〜D4,S10,2
0,30は下記に示すようになる。
First, when one drive input signal IN1 is "L" and the other drive input signal IN2 is "H", logic level signals D1 to D4, S10, 2
0 and 30 are as shown below.

D1 D2 D3 D4 L H H H D10 20 30 H L3 L3 ここにおいて、“H”は高電源電位VDDのレベ
ル、“L”は低電源電位VSSのレベルであり、
VDD−VSS=5Vとする。また、“L3”は第3
のバイアス電位V3のレベルである。これらの論
理ゲート信号はそれぞれ対応するFETゲートに
入力されるため、P FET21のみがオンにな
り、他はオフのままになつている。従つて第3図
に示すように、高電源電位VDDはP FET21
を介して駆動信号の形で出力端子OUTへ出力さ
れる。
D1 D2 D3 D4 L H H H D10 20 30 H L3 L3 Here, "H" is the level of the high power supply potential VDD, "L" is the level of the low power supply potential VSS,
Set VDD−VSS=5V. Also, "L3" is the third
This is the level of the bias potential V3. Since these logic gate signals are input to the respective FET gates, only P FET 21 is turned on, and the others remain off. Therefore, as shown in FIG. 3, the high power supply potential VDD is
is output to the output terminal OUT in the form of a drive signal.

ここで注目すべき点は、P FET21のゲー
トに入力される第1の論理レベル信号D1が
“L”=VSSになつているため、p FET21の
ソース・ゲート間電位差が常にVDD−VSS=5V
に固定されていることである。従つて、第2図に
示す従来装置においてレベルシフト回路2を経て
20Vが入力される場合に比べれば、ソース・ドレ
イン間電流は低下するが、FETの特性から考え
てゲート・ソース間電位が4V以上あれば液晶を
駆動するのに十分な電流を供給できるので、特性
上の問題は生じない。
What should be noted here is that the first logic level signal D1 input to the gate of P FET 21 is "L" = VSS, so the potential difference between the source and gate of P FET 21 is always VDD - VSS = 5V.
This is fixed. Therefore, in the conventional device shown in FIG.
Compared to the case where 20V is input, the source-drain current will be lower, but considering the characteristics of the FET, if the gate-source potential is 4V or more, sufficient current can be supplied to drive the liquid crystal. No problems arise in terms of characteristics.

逆に第2図の従来装置では、レベルシフト回路
2から出力されるVDD〜V3間の電位の信号S
1によりP FET11をオン、オフさせている
ため、VDD〜V3間電位差が4V以下のときには
十分なソース・ドレイン電流が得られず、液晶を
適切に駆動することができない。これに対して第
1図の本発明装置では、P FET21のゲー
ト・ソース間電位がVDD−VSS=5Vに固定され
ているため、たとえVDD〜V3間電位を2.5Vま
で下げても、ソース・ドレイン間電流が低下せ
ず、従つて液晶を適切に駆動することができる。
Conversely, in the conventional device shown in FIG. 2, the signal S at a potential between VDD and V3 output from the level shift circuit 2
1 turns the P FET 11 on and off, so when the potential difference between VDD and V3 is 4V or less, sufficient source-drain current cannot be obtained and the liquid crystal cannot be properly driven. On the other hand, in the device of the present invention shown in FIG. 1, the potential between the gate and source of P FET 21 is fixed at VDD-VSS = 5V, so even if the potential between VDD and V3 is lowered to 2.5V, the potential between the source and source is fixed. The drain-to-drain current does not decrease, so the liquid crystal can be appropriately driven.

次に、駆動入力信号IN1,IN2が共に“H”
であるときは、論理レベル信号D1〜D4,S1
0,20,30は下記に示すようになる。
Next, drive input signals IN1 and IN2 are both “H”
, the logic level signals D1 to D4, S1
0, 20, 30 are as shown below.

D1 D2 D3 D4 H H H L D10 20 30 H L3 H 従つてN FET24とP FET27のみがオン
になるため、第3図に示すように出力端子OUT
には第3のバイアス電位V3が現れる。
D1 D2 D3 D4 H H H L D10 20 30 H L3 H Therefore, only N FET24 and P FET27 are turned on, so the output terminal OUT is turned on as shown in Figure 3.
A third bias potential V3 appears at.

ここで注目すべき点はP FET27のゲート
に与えられる信号が第1の論理レベル信号D4=
“L”=VSSだということである。このため、
VDD−VSS=5Vとすると、VDD〜V3間電位
差4.3〜20Vのときにはゲート・ソース間電位が
−0.7〜15Vとなるため、P FET27がオフに
なつて液晶駆動に寄与しないが、VDD〜V3間
電位差が2.5〜4.3Vのときにはゲート・ソース間
電位が−2.5〜0.7Vとなるため、P FET27が
オンになつて液晶駆動に寄与するということであ
る。なお、VDD〜V3間電位差が2.5〜4.3Vのと
きはN FET24のゲート・ソース間電位も2.5
〜4.3Vとなつているので、P FET27と同様
にオンしている。N FET24およびP FET
27のいずれのゲート・ソース間電位差も4V未
満であるときは、FETの特性から単体としては
十分なソース・ドレイン電流が得られないが、N
FET24およびP FET27は互いに並列接
続されているので適切な液晶駆動が可能になる。
これはVDD〜V3間の電位差の減少に比例して
N FET24のソース・ドレイン間電流が減る
ものの、P FET27のソース・ドレイン間電
流が逆に増加して互いに相殺し合うからである。
What should be noted here is that the signal given to the gate of P FET 27 is the first logic level signal D4=
This means that "L" = VSS. For this reason,
When VDD-VSS = 5V, when the potential difference between VDD and V3 is 4.3 to 20V, the gate-source potential becomes -0.7 to 15V, so P FET27 is turned off and does not contribute to liquid crystal drive, but between VDD and V3 When the potential difference is 2.5 to 4.3V, the gate-source potential is -2.5 to 0.7V, so the P FET 27 is turned on and contributes to driving the liquid crystal. Note that when the potential difference between VDD and V3 is 2.5 to 4.3V, the potential between the gate and source of N FET24 is also 2.5V.
Since it is ~4.3V, it is on like P FET27. N FET24 and P FET
When the potential difference between the gate and source of any of 27 is less than 4V, sufficient source-drain current cannot be obtained as a single unit due to the characteristics of the FET, but the N
Since the FET 24 and the P FET 27 are connected in parallel with each other, appropriate liquid crystal driving is possible.
This is because although the source-drain current of the N FET 24 decreases in proportion to the decrease in the potential difference between VDD and V3, the source-drain current of the P FET 27 increases and cancels each other out.

次に、駆動入力信号IN1,IN2が共に“L”
であるときは、論理レベル信号D1〜D4,10
〜S30は下記に示すようになつている。
Next, drive input signals IN1 and IN2 are both “L”
, the logic level signals D1 to D4, 10
~S30 is as shown below.

D1 D2 D3 D4 H L H H D10 20 30 L3 L3 L3 従つてN FET22とP FET25のみがオン
になり、第3図のように出力端子OUTには第1
のバイアス電位V1が出力される。
D1 D2 D3 D4 H L H H D10 20 30 L3 L3 L3 Therefore, only N FET22 and P FET25 are turned on, and as shown in Figure 3, the first
A bias potential V1 is output.

ここで、VDD〜V3間電位差が12.9〜20Vの場
合には、一般にVDD〜V1間電位差は VDD−V1≒(VDD−V3)/3=4.3〜
6.7V となる。このため、P FET25のゲート・ソ
ース間電位は−0.7〜+1.7となるのでオフにな
り、この電位範囲はP FET25は液晶駆動に
寄与しなくなる。しかしながらN FET22の
ゲート・ソース間電位は−8.6〜−13.3Vとなるの
で、液晶駆動のために十分なソース・ドレイン間
電流が得られる。
Here, when the potential difference between VDD and V3 is 12.9 to 20V, the potential difference between VDD and V1 is generally VDD-V1≒(VDD-V3)/3=4.3 to
It becomes 6.7V. Therefore, the gate-source potential of the P FET 25 ranges from -0.7 to +1.7, which turns it off, and within this potential range, the P FET 25 does not contribute to driving the liquid crystal. However, since the gate-source potential of the N FET 22 is -8.6 to -13.3V, a source-drain current sufficient for driving the liquid crystal can be obtained.

VDD〜V3間電位差が0.6〜12.9Vの場合には、
VDD〜V1間電位差は2.0〜4.3VとなるためN
FET22とp FET25が共に液晶駆動に寄与
する。
When the potential difference between VDD and V3 is 0.6 to 12.9V,
The potential difference between VDD and V1 is 2.0 to 4.3V, so N
Both FET22 and pFET25 contribute to driving the liquid crystal.

これに対してVDD〜V3間電位差が2.5V〜6V
の場合には、VDD〜V1間電位は VDD−V1≒(VDD−V3)/3=0.83〜
2.0V となるため、N FET22のゲート・ソース間
電位が−1.67〜−4Vになつて十分なソース・ド
レイン電流が得られなくなる。しかしこの場合に
は、P FET25のゲート・ソース間電位は−
4.17〜3Vになるため、互いに相殺し合つて液晶
駆動するのに十分なソース・ドレイン電流を取り
出すことができる。
On the other hand, the potential difference between VDD and V3 is 2.5V to 6V
In this case, the potential between VDD and V1 is VDD-V1≒(VDD-V3)/3=0.83~
2.0V, the gate-source potential of the N FET 22 becomes -1.67 to -4V, making it impossible to obtain a sufficient source-drain current. However, in this case, the gate-source potential of P FET25 is -
Since the voltage is 4.17 to 3V, they cancel each other out and can extract enough source-drain current to drive the liquid crystal.

最後に、一方の駆動入力信号IN1が“H”で、
他方の駆動入力信号IN2が“L”であるときは、
論理レベル信号は下記に示すようになる。
Finally, one drive input signal IN1 is “H”,
When the other drive input signal IN2 is “L”,
The logic level signals are as shown below.

D1 D2 D3 D4 H H L H D10 20 30 H H L3 従つてN FET23とP FET26がオンにな
り、第3図に示すように出力端子OUTには第2
のバイアス電位V2が現れる。
D1 D2 D3 D4 H H L H D10 20 30 H H L3 Therefore, N FET23 and P FET26 are turned on, and as shown in FIG.
A bias potential V2 appears.

ここで、VDD〜V3間電位差が6.45〜20Vの場
合には、VDD〜V2間電位差は VDD−V2=2・(VDD−V3)/3=4.3〜
13.3V となるため、P FET26はオフになつて液晶
駆動に寄与しない。しかしN FET23のゲー
ト・ソース間電位が4.3〜13.3Vとなるため、N
FET23のソース・ドレイン間電流によつて十
分に液晶を駆動できる。
Here, when the potential difference between VDD and V3 is 6.45 to 20V, the potential difference between VDD and V2 is VDD-V2=2・(VDD-V3)/3=4.3 to
Since the voltage becomes 13.3V, P FET26 is turned off and does not contribute to driving the liquid crystal. However, since the gate-source potential of N FET23 is 4.3 to 13.3V, N
The liquid crystal can be sufficiently driven by the source-drain current of the FET 23.

VDD〜V3間電位差が2.5〜6.45Vの場合には、
VDD〜V2間電位差は VDD−V2=2・(VDD−V3)/3=1.67〜
4.3V となり、N FET23のゲート・ソース間電位
も1.67〜4.3Vとなる。従つて、VDD〜V3間電
位差が6.45V近くまであるときはN FET23で
十分なソース・ドレイン電流が得られるが、
VDD〜V3間電位差が減少するにつれてソー
ス・ドレイン電流が少なくなり、遂には液晶駆動
に寄与しなくなる。しかしこれとは逆にP
FET26のゲート・ソース間電位は−3.33〜−
0.7VへとVDD〜V3間電位差の減少につれて変
化し、ソース・ドレイン電流が増加するため、N
FET23とP FET26のソース・ドレイン
間電流が相殺し合つて適切な液晶駆動が可能にな
る。
When the potential difference between VDD and V3 is 2.5 to 6.45V,
The potential difference between VDD and V2 is VDD-V2=2・(VDD-V3)/3=1.67~
It becomes 4.3V, and the potential between the gate and source of N FET23 also becomes 1.67 to 4.3V. Therefore, when the potential difference between VDD and V3 is close to 6.45V, sufficient source-drain current can be obtained with N FET23, but
As the potential difference between VDD and V3 decreases, the source-drain current decreases and eventually stops contributing to liquid crystal drive. However, on the contrary, P
The gate-source potential of FET26 is -3.33 to -
It changes to 0.7V as the potential difference between VDD and V3 decreases, and the source-drain current increases, so N
The source-drain currents of FET 23 and P FET 26 cancel each other out, making it possible to drive the liquid crystal appropriately.

なお、上記実施例では、N FET22に並列
に別のN FETを接続して第2の論理レベル信
号S10を反転させた信号をゲートに入力し、
CMOSアナログスイツチを構成してもよい。さ
らに、N FET23に並列にP FETを接続し
てインバートれた信号をゲートに入力し、
CMOSアナログスイツチを構成してもよい。
In the above embodiment, another N FET is connected in parallel to the N FET 22, and a signal obtained by inverting the second logic level signal S10 is input to the gate.
A CMOS analog switch may also be configured. Furthermore, connect a P FET in parallel to N FET23 and input the inverted signal to the gate,
A CMOS analog switch may also be configured.

また上記実施例では、VDD〜VSS間電位差を
5Vとしているが、これに限定されるものでなく、
さらにFETのチヤンネルを逆にして各論理レベ
ル信号を反転させてもよい。
In addition, in the above embodiment, the potential difference between VDD and VSS is
Although it is set to 5V, it is not limited to this.
Furthermore, the channels of the FETs may be reversed to invert each logic level signal.

(発明の効果) 以上詳細に説明したように、第1の発明によれ
ば、第1電源電位及び駆動電位と出力端子との間
に第1及び第2のMOSFETを接続し、その第2
のMOSFETと並列に第3のMOSFETを接続し、
第2の電位差が第1の電位差よりも十分に大きい
時には、駆動電位による駆動信号を主として第3
のMOSFETを介して出力端子へ与え、第2の電
位差が第1の電位差よりも十分に小さい時には、
駆動電位による駆動信号を主として第2の
MOSFETを介して出力端子へ与えるようにした
ので、第2の電位差が小さくなつても、十分なソ
ース・ドレイン間電流を取り出すことができる。
従つて、例えば第2の電位差を2.5〜20Vとした
場合でも、十分に液晶を駆動することのできる液
晶駆動装置が得られる。
(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the first invention, the first and second MOSFETs are connected between the first power supply potential and the drive potential and the output terminal, and the second
Connect a third MOSFET in parallel with the MOSFET of
When the second potential difference is sufficiently larger than the first potential difference, the drive signal based on the drive potential is mainly used as the third potential difference.
is applied to the output terminal through the MOSFET, and when the second potential difference is sufficiently smaller than the first potential difference,
The drive signal based on the drive potential is mainly used as the second
Since it is applied to the output terminal via the MOSFET, a sufficient source-drain current can be extracted even if the second potential difference becomes small.
Therefore, a liquid crystal driving device can be obtained that can sufficiently drive the liquid crystal even when the second potential difference is, for example, 2.5 to 20V.

又、第2の発明によれば、第1及び第2の駆動
電位と出力端子との間に第1及び第2の
MOSFETを接続し、その第2のMOSFETと並
列に第3のMOSFETを接続し、第3の電位差が
第1の電位差よりも十分に大きい時には、第2の
駆動電位による駆動信号を主として第3の
MOSFETを介して出力端子へ与え、第3の電位
差が第1の電位差より十分に小さい時には、第2
の駆動電位による駆動信号を主として第2の
MOSFETを介して出力端子へ与えるようにした
ので、第3の電位差が小さくなつても、第1の発
明と同様に、十分なソース・ドレイン間電流を取
り出すことができる。
Further, according to the second invention, the first and second voltages are connected between the first and second drive potentials and the output terminal.
When a MOSFET is connected and a third MOSFET is connected in parallel with the second MOSFET, and the third potential difference is sufficiently larger than the first potential difference, the drive signal from the second drive potential is mainly used to drive the third MOSFET.
is applied to the output terminal via the MOSFET, and when the third potential difference is sufficiently smaller than the first potential difference, the second
The drive signal based on the drive potential of
Since it is applied to the output terminal via the MOSFET, even if the third potential difference becomes small, a sufficient source-drain current can be extracted as in the first invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例を示す液晶駆動装置の
構成図、第2図は従来の液晶駆動装置の構成図、
第3図は第1図および第2図に示す液晶駆動装置
を動作させたときの信号波形図である。 1……デコーダ、2,20……レベルシフト回
路、D1〜D4……第1の論理レベル信号(制御
信号)、S1,S2,S3,4,S10,2
0,30……第2の論理レベル信号(制御信
号)、VDD……高電源電位(第1電源電位)、
VSS……低電源電位(第2電源電位)、V1〜V
3……第1〜第3のバイアス電位(駆動電位)、
IN1,IN2……駆動入力信号、OUT……出力端
子。
FIG. 1 is a block diagram of a liquid crystal drive device showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of a conventional liquid crystal drive device,
FIG. 3 is a signal waveform diagram when the liquid crystal driving device shown in FIGS. 1 and 2 is operated. 1... Decoder, 2, 20... Level shift circuit, D1-D4... First logic level signal (control signal), S1, S2, S3, 4, S10, 2
0, 30...Second logic level signal (control signal), VDD...High power supply potential (first power supply potential),
VSS...Low power supply potential (second power supply potential), V1 to V
3...first to third bias potentials (drive potentials),
IN1, IN2...drive input signal, OUT...output terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 第1電源電位と、前記第1電源電位から所定
方向へ第1の電位差を有する第2電源電位とが供
給され、前記第1電源電位から前記所定方向へ第
2の電位差を有する駆動電位又は前記第1電源電
位による駆動信号を出力端子より出力する液晶駆
動装置において、 入力信号に応答し、実質的に前記第1又は第2
電源電位による第1及び第2制御信号を出力する
デコーダ手段と、 前記第2制御信号に応答し、実質的に前記第1
電源電位又は前記駆動電位による第3制御信号を
出力する変換手段と、 前記第1電源電位と前記出力端子との間に接続
された第1のMOSFETであつて、そのゲート電
極に前記第1制御信号が与えられる第1の
MOSFETと、 前記駆動電位と前記出力端子との間に接続され
た第2のMOSFETであつて、そのゲート電極に
前記第2制御信号が与えられる第2のMOSFET
と、 前記第2のMOSFETと並列に、前記駆動電位
と前記出力端子との間に接続した第3の
MOSFETであつて、そのゲート電極に前記第3
制御信号が与えられる第3のMOSFETとを有
し、 前記第2の電位差が前記第1の電位差よりも十
分に大きい時、前記駆動電位による前記駆動信号
は主として前記第3のMOSFETを介して前記出
力端子に与えられ、 前記第2の電位差が前記第1の電位差より十分
に小さい時、前記駆動電位による前記駆動信号は
主として前記第2のMOSFETを介して前記出力
端子に与えられることを特徴とする液晶駆動装
置。 2 前記第2の電位差と前記第1の電位差とに十
分な差がない時、前記第2と第3のMOSFETが
協同して、前記駆動電位による前記駆動信号を前
記出力端子に与えることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の液晶駆動装置。 3 前記第1及び第2のMOSFETは、第1チヤ
ネル型であり、前記第3のMOSFETは、第2チ
ヤネル型であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項又は第2項記載の液晶駆動装置。 4 第1電源電位と、前記第1電源電位から所定
方向へ第1の電位差を有する第2電源電位とが供
給され、前記第1電源電位から前記所定方向へ第
2の電位差を有する第1の駆動電位又は前記第1
電源電位から前記所定方向へ前記第2の電位差よ
りも大きい第3の電位差を有する第2の駆動電位
による駆動信号を出力端子より出力する液晶駆動
装置において、 入力信号に応答し、実質的に前記第1又は第2
電源電位による第1及び第2制御信号を出力する
デコーダ手段と、 前記第2制御信号に応答し、実質的に前記第1
電源電位又は前記第2の駆動電位による第3制御
信号を与える変換手段と、 前記第1の駆動電位と前記出力端子との間に接
続された第1のMOSFETであつて、そのゲート
電極に前記第1制御信号が与えられる第1の
MOSFETと、 前記第2の駆動電位と前記出力端子との間に接
続された第2のMOSFETであつて、そのゲート
電極に前記第2制御信号が与えられる第2の
MOSFETと、 前記第2のMOSFETと並列に、前記第2の駆
動電位と前記出力端子との間に接続した第3の
MOSFETであつて、そのゲート電極に前記第3
制御信号が与えられる第3のMOSFETとを有
し、 前記第3の電位差が前記第1の電位差よりも十
分に大きい時、前記第2の駆動電位による前記駆
動信号は主として前記第3のMOSFETを介して
前記出力端子に与えられ、 前記第3の電位差が前記第1の電位差より十分
に小さい時、前記第2の駆動電位による前記駆動
信号は主として前記第2のMOSFETを介して前
記出力端子に与えられることを特徴とする液晶駆
動装置。 5 前記第3の電位差と前記第1の電位差とに十
分な差がない時、前記第2と第3のMOSFETが
協同して、前記第2の駆動電位による前記駆動信
号を前記出力端子に与えることを特徴とする特許
請求の範囲第4項記載の液晶駆動装置。 6 前記第1及び第2のMOSFETが第1チヤネ
ル型であり、第3のMOSFETが第2チヤネル型
であることを特徴とする特許請求の範囲第4項又
は第5項記載の液晶駆動装置。
[Scope of Claims] 1. A first power supply potential and a second power supply potential having a first potential difference in a predetermined direction from the first power supply potential are supplied, and a second power supply potential is supplied from the first power supply potential in the predetermined direction. In a liquid crystal driving device that outputs a drive signal based on a drive potential having a potential difference or the first power supply potential from an output terminal, the first or second power supply potential substantially responds to an input signal.
decoder means for outputting first and second control signals based on a power supply potential;
a conversion means for outputting a third control signal based on the power supply potential or the driving potential; a first MOSFET connected between the first power supply potential and the output terminal, the first MOSFET having the first control signal on its gate electrode; the first signal is given
a second MOSFET connected between the drive potential and the output terminal, the second MOSFET having its gate electrode supplied with the second control signal;
and a third MOSFET connected between the drive potential and the output terminal in parallel with the second MOSFET.
MOSFET, and the gate electrode is connected to the third
and a third MOSFET to which a control signal is applied, and when the second potential difference is sufficiently larger than the first potential difference, the drive signal by the drive potential is mainly transmitted to the third MOSFET through the third MOSFET. applied to the output terminal, and when the second potential difference is sufficiently smaller than the first potential difference, the drive signal based on the drive potential is mainly applied to the output terminal via the second MOSFET. LCD drive device. 2. When there is not a sufficient difference between the second potential difference and the first potential difference, the second and third MOSFETs cooperate to provide the drive signal based on the drive potential to the output terminal. A liquid crystal driving device according to claim 1. 3. The liquid crystal according to claim 1 or 2, wherein the first and second MOSFETs are of the first channel type, and the third MOSFET is of the second channel type. Drive device. 4 A first power supply potential and a second power supply potential having a first potential difference in a predetermined direction from the first power supply potential are supplied, and a first power supply potential having a second potential difference in the predetermined direction from the first power supply potential are supplied. the driving potential or the first
In a liquid crystal driving device that outputs from an output terminal a drive signal based on a second drive potential having a third potential difference larger than the second potential difference in the predetermined direction from a power supply potential, first or second
decoder means for outputting first and second control signals based on a power supply potential;
a conversion means for providing a third control signal based on the power supply potential or the second drive potential; a first MOSFET connected between the first drive potential and the output terminal; a first control signal to which a first control signal is applied;
a second MOSFET connected between the second drive potential and the output terminal, the second MOSFET having a gate electrode supplied with the second control signal;
MOSFET, and a third MOSFET connected in parallel with the second MOSFET between the second drive potential and the output terminal.
MOSFET, and the gate electrode is connected to the third
and a third MOSFET to which a control signal is applied, and when the third potential difference is sufficiently larger than the first potential difference, the drive signal by the second drive potential mainly controls the third MOSFET. When the third potential difference is sufficiently smaller than the first potential difference, the drive signal based on the second drive potential is mainly applied to the output terminal via the second MOSFET. A liquid crystal driving device characterized in that: 5 When there is not a sufficient difference between the third potential difference and the first potential difference, the second and third MOSFETs cooperate to provide the drive signal based on the second drive potential to the output terminal. A liquid crystal driving device according to claim 4, characterized in that: 6. The liquid crystal driving device according to claim 4 or 5, wherein the first and second MOSFETs are of a first channel type, and the third MOSFET is of a second channel type.
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