JPH0553404B2 - - Google Patents
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- JPH0553404B2 JPH0553404B2 JP61284049A JP28404986A JPH0553404B2 JP H0553404 B2 JPH0553404 B2 JP H0553404B2 JP 61284049 A JP61284049 A JP 61284049A JP 28404986 A JP28404986 A JP 28404986A JP H0553404 B2 JPH0553404 B2 JP H0553404B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は交流結合回路に係り、特に、半導体集
積回路などに於ける各種回路を交流結合するに好
適な交流結合回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an AC coupling circuit, and particularly to an AC coupling circuit suitable for AC coupling various circuits in semiconductor integrated circuits and the like.
半導体集積回路は、各種の回路から構成されて
おり、これら回路群のうち多くの回路は互いに相
異なる動作電位で作動するようになつている。こ
のため、互いに相異なる動作電位の回路ブロツク
を結合するに際しては、各回路ブロツクをキヤパ
シタを介して接続することが知られている。この
ようなCR形結合回路としては、イー・デー・エ
ヌ,シーモス ゲーツ イン リニア アプリケ
ーシヨンズ(1973年)第43頁〜第48頁(EDN,
CMOS,gates in linear applications,Mar,
5,1973,PP42−48)に記載されているように、
抵抗Rに線形高抵抗を用いたものが知られてい
る。又、抵抗Rに非線形スイツチを用いたものと
して、アイ・イー・イー・イー・ジヤーナル オ
ブ ソリツド ステート サーキツツ,エス・シ
ー13,1978年6月,第294頁〜298頁(IEEE,
Jounal of solid State Circuits SC−13,June,
1978,PP294−298)に記載されているものが知
られている。
A semiconductor integrated circuit is made up of various circuits, and many of these circuits operate at different operating potentials. For this reason, it is known that when circuit blocks having different operating potentials are connected, each circuit block is connected via a capacitor. Such CR type coupling circuits are described in E.D.N., Seamos Gates in Linear Applications (1973), pp. 43-48 (EDN,
CMOS, gates in linear applications, Mar,
5, 1973, PP42-48),
A device in which a linear high resistance is used as the resistor R is known. In addition, as a device using a nonlinear switch for the resistor R, IE Journal of Solid State Circuits, SC 13, June 1978, pp. 294-298 (IEEE,
Journal of solid State Circuits SC−13, June,
1978, PP294-298) is known.
上記従来技術のうち前者のものは、抵抗Rとし
て線形高抵抗を用いることによつて信号に対する
時定数を大きくしているので、低周波域の信号ま
で伝送させることはできるが、抵抗Rを構成する
のに大面積の抵抗用チツプを必要とし、又、バイ
アス電源に対しても時定数が大きくなるので、バ
イアスイ電圧の整定時間が長くなるという不具合
があつた。
The former of the above conventional technologies increases the time constant for signals by using a linear high resistance as the resistor R, so it is possible to transmit signals even in the low frequency range, but the resistor R is This requires a large-area resistor chip, and also requires a large time constant for the bias power supply, resulting in a problem that the settling time of the bias voltage becomes long.
一方、後者の従来技術は抵抗Rに非線形スイツ
チを用いているので、前者のものよりもバイアス
電圧の整定時間を短くすることはできるが、スイ
ツチによりバイアス電圧を印加しなければなら
ず、連続した信号に適応できないという不具合が
あつた。 On the other hand, since the latter conventional technology uses a nonlinear switch for the resistor R, it is possible to shorten the settling time of the bias voltage compared to the former technology, but the bias voltage must be applied by a switch, and the bias voltage has to be applied continuously. There was a problem that it could not adapt to the signal.
本発明は、前記従来の課題に鑑みて為されたも
のであり、その目的は、信号に対する時定数を大
きくし、バアイス電圧に対する時定数を小さくす
ることができる交流結合回路を提供することにあ
る。 The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to provide an AC coupling circuit that can increase the time constant for signals and decrease the time constant for bias voltage. .
前記目的を達成するために、本発明は、第1の
基準電位を有する信号源電圧の前記第1の基準電
位とは異なる第2の基準電位を動作中心とする高
入力インピーダンス増幅器と、前記前記信号源電
圧を前記高入力インピーダンス増幅器の入力側に
導くための結合容量と、前記信号源電圧が大振幅
である場合には低インピーダンスとなり、小振幅
である場合には高インピーダンスとなる非線形イ
ンピーダンス素子と、前記結合容量の前記高入力
インピーダンス増幅器側端子に前記非線形インピ
ーダンス素子を介して前記第2の基準電位に等し
いバイアス電圧を供給するバイアス電源とを有す
ることを特徴とする。
To achieve the above object, the present invention provides a high input impedance amplifier whose operation is centered on a second reference potential different from the first reference potential of a signal source voltage having a first reference potential; a coupling capacitor for guiding the signal source voltage to the input side of the high input impedance amplifier; and a nonlinear impedance element that has a low impedance when the signal source voltage has a large amplitude and a high impedance when the signal source voltage has a small amplitude. and a bias power source that supplies a bias voltage equal to the second reference potential to the high input impedance amplifier side terminal of the coupling capacitor via the nonlinear impedance element.
電源印加時などのようにバイアス電圧が過度的
に変化して非線形インピーダンス素子としての半
導体抵抗素子に非線形領域を越えた電圧が印加さ
れると、半導体抵抗素子が低インピーダンスのイ
ンピーダンス素子として機能し、結合容量が短時
間のうちに充電される。一方、定常動作時に半導
体抵抗素子に非線形領域の電圧(信号源電圧)が
印加されると、半導体抵抗素子が高インピーダン
スのインピーダンス素子として機能し、結合容量
の容量が小さくても信号に対する時定数を大きく
することができる。
When the bias voltage changes transiently, such as when power is applied, and a voltage exceeding the nonlinear region is applied to the semiconductor resistance element as a nonlinear impedance element, the semiconductor resistance element functions as a low impedance impedance element. The coupling capacitance is charged within a short time. On the other hand, when a voltage in a nonlinear region (signal source voltage) is applied to a semiconductor resistance element during steady operation, the semiconductor resistance element functions as a high impedance element, and even if the coupling capacitance is small, the time constant for the signal is Can be made larger.
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on the drawings.
第1図には、本発明の好適な実施例の構成が示
されている。第1図において、インバータアンプ
10の入力端子12と出力端子13には非線形イ
ンピーダンス素子としてのダイオード31,32
が互いに逆方向に並列接続されている。入力端子
12は結合容量としてのキヤパシタ40を介して
端子11に接続されており、端子11には信号源
200としての電圧源201とバイアス電圧源2
02に接続されている。 FIG. 1 shows the configuration of a preferred embodiment of the present invention. In FIG. 1, diodes 31 and 32 as nonlinear impedance elements are connected to the input terminal 12 and output terminal 13 of the inverter amplifier 10.
are connected in parallel in opposite directions. The input terminal 12 is connected to the terminal 11 via a capacitor 40 as a coupling capacity, and the terminal 11 is connected to a voltage source 201 as a signal source 200 and a bias voltage source 2.
Connected to 02.
ダイオード31,32はインバータアンプ10
のフイードバツク回路を形成すると共にキヤパシ
タ40の充放電回路を形成し、かつ第2図に示さ
れるように、電圧−電流特性が非線形な半導体抵
抗素子で構成されている。ダイオード31,32
の両端に非線形領域を越えた電圧が印加されたと
きにはダイオード31,32に順方向電流が流
れ、ダイオード31,32は低インピーダンスの
インピーダンス素子として機能する。一方、定常
動作時にダイオード31,32に非線形領域の電
圧(信号源電圧)が印加されたときには、ダイオ
ード31,32には極めてわずかな電流した流れ
ないため、ダイオード31,32は高インピーダ
ンスのインピーダンス素子として機能することに
なる。 Diodes 31 and 32 are inverter amplifier 10
It forms a feedback circuit for the capacitor 40 as well as a charging/discharging circuit for the capacitor 40, and as shown in FIG. 2, it is composed of a semiconductor resistance element whose voltage-current characteristics are non-linear. Diodes 31, 32
When a voltage exceeding the nonlinear region is applied across the diodes 31 and 32, a forward current flows through the diodes 31 and 32, and the diodes 31 and 32 function as low impedance elements. On the other hand, when a voltage in a nonlinear region (signal source voltage) is applied to the diodes 31 and 32 during steady operation, an extremely small amount of current does not flow through the diodes 31 and 32, so the diodes 31 and 32 act as high impedance impedance elements. It will function as
即ち、ダイオード31,32の整流方程式は次
式によつて表わされる。 That is, the rectification equation for the diodes 31 and 32 is expressed by the following equation.
ID=IS(eq VO/k T−1) …(1)
ここで、ダイオード31,32の微分抵抗をrD
とすると、rD=VT/(ID+IS)、ただしVT=kT/
q,=26mVである。 I D = I S (eq VO/k T-1) ...(1) Here, the differential resistance of diodes 31 and 32 is r D
Then, r D =V T /(I D +I S ), where V T =kT/
q, = 26mV.
ISは10-17〜-18Aのオーダであるから、IDが0付
近では1015Ω程度となり、ダオード31,32は
極めて大きな抵抗値の抵抗素子として機能するこ
とになる。 Since I S is on the order of 10 −17 to −18 A, when I D is around 0, it is about 10 15 Ω, and the diodes 31 and 32 function as resistance elements with extremely large resistance values.
インバータアンプ9は入力インピーダンスの高
い反転形増幅器であり、第3図に示されるよう
に、PチヤネルMOSトランジスタ16とNチヤ
ネルMOSトランジスタ15から構成されている。
そして端子17が電源に接続され、入力端子12
に電源電圧の約1/2のバイアス電圧が印加される
ようになつている。 The inverter amplifier 9 is an inverting amplifier with high input impedance, and is composed of a P-channel MOS transistor 16 and an N-channel MOS transistor 15, as shown in FIG.
Then, terminal 17 is connected to the power supply, and input terminal 12
A bias voltage of approximately 1/2 of the power supply voltage is applied to the
以上の構成において、インバータアンプ10
に、インバータアンプ10の動作電位(第2の基
準電位)とは異なるレベルの信号源電圧(第1の
基準電位)を出力する信号源200がキヤパシタ
40を介して接続された場合、インバータアンプ
10に電源電圧が印加されると、インバータアン
プ10の入出力間にはダイオード31,32の非
線形領域を越える直流電位差が過渡的に生じる。
そして、入力端子12が出力端子13よりも高電
位となつたときにはダイオード32に電流が流
れ、逆のときにはダイオード31に電流が流れ、
キヤパシタ40が充電される。この結果、キヤパ
シタ40の入力端子12側はインバータアンプ1
0の入出力の電位差がほぼ0になる電圧、即ちイ
ンバータ10のしきい値電圧まで急速に充電され
る。 In the above configuration, the inverter amplifier 10
When the signal source 200 that outputs a signal source voltage (first reference potential) at a level different from the operating potential (second reference potential) of the inverter amplifier 10 is connected via the capacitor 40, the inverter amplifier 10 When a power supply voltage is applied to the inverter amplifier 10, a DC potential difference that exceeds the nonlinear region of the diodes 31 and 32 transiently occurs between the input and output of the inverter amplifier 10.
When the input terminal 12 has a higher potential than the output terminal 13, a current flows through the diode 32, and when the opposite occurs, a current flows through the diode 31.
Capacitor 40 is charged. As a result, the input terminal 12 side of the capacitor 40 is connected to the inverter amplifier 1.
The inverter 10 is rapidly charged to a voltage at which the input/output potential difference of 0 becomes almost 0, that is, the threshold voltage of the inverter 10.
キヤパシタ40が充電されるとインバータアン
プ10の入出力の電位差がほぼ0Vとなるので、
ダイオード31,32は共に高抵抗の抵抗素子と
して機能することになる。このため、キヤパシタ
40が充電された後の定常状態においては、信号
源200からの交流信号がキヤパシタ40を介し
てインバータアンプ10に入力され、インバータ
アンプ10で所定の増幅度の信号に増幅された後
出力端子13から出力されることになる。 When the capacitor 40 is charged, the potential difference between the input and output of the inverter amplifier 10 becomes approximately 0V, so
Both diodes 31 and 32 function as high-resistance resistance elements. Therefore, in a steady state after the capacitor 40 is charged, an AC signal from the signal source 200 is input to the inverter amplifier 10 via the capacitor 40, and is amplified by the inverter amplifier 10 to a signal with a predetermined amplification degree. It will be output from the rear output terminal 13.
このように、本実施例においては、キヤパシタ
40の容量を小さくしても、交流信号に対して
は、ダイオード31,32が高インピーダンスの
インピーダンス素子として機能し、交流信号に対
する時定数を大きくすることができる。又さらに
バイアス電圧に対してはダイオード31,32が
低インピーダンスのインピーダンス素子として機
能するため、バイアス電圧に対する時定数を小さ
くすることができる。このため、キヤパシタ40
の容量を小さくしても低周波域の信号まで増幅す
ることができると共にバイアス電圧の整定時間を
短くすることができる。さらに、インバータアン
プ10を集積回路に実装する場合でもキヤパシタ
40を小容量のもので構成することができるの
で、小型化を図ることができる。又、インバータ
アンプ10と信号源200とは交流的に結合され
ているので、電源電圧が変動したり、周囲温度が
変動したりしても、直流結合のものよりも動作電
位が変動するのを抑制することができる。 In this way, in this embodiment, even if the capacitance of the capacitor 40 is reduced, the diodes 31 and 32 function as high impedance elements for AC signals, increasing the time constant for AC signals. I can do it. Furthermore, since the diodes 31 and 32 function as low impedance elements with respect to the bias voltage, the time constant with respect to the bias voltage can be reduced. For this reason, the capacitor 40
Even if the capacitance is made small, signals in the low frequency range can be amplified and the settling time of the bias voltage can be shortened. Furthermore, even when the inverter amplifier 10 is mounted on an integrated circuit, the capacitor 40 can be configured with a small capacity, so that size reduction can be achieved. Furthermore, since the inverter amplifier 10 and the signal source 200 are coupled in an alternating current manner, even if the power supply voltage fluctuates or the ambient temperature fluctuates, the operating potential is less likely to fluctuate than with a direct current coupled one. Can be suppressed.
第4図には、インバータアンプ10の動作電位
よりも高電位の動作電位によつて作動する発振器
100に接続する場合の実施例が示されている。 FIG. 4 shows an embodiment in which the inverter amplifier 10 is connected to an oscillator 100 that operates with a higher operating potential than the operating potential of the inverter amplifier 10. In FIG.
発振器100はトランジスタ111,112,
113,114,ダイオード115,116,抵
抗117,118,コンデンサ120,定電流源
131,132,133を有し、エミツタ結合形
マルチバイブレータを構成している。そしてトラ
ンジスタ113,114のエミツタが結合ダイオ
ード45を介してインバータアンプ10に接続さ
れている。そしてインバータアンプ10の出力側
はCMOSゲート20に接続されている。 The oscillator 100 includes transistors 111, 112,
113, 114, diodes 115, 116, resistors 117, 118, capacitor 120, and constant current sources 131, 132, 133, forming an emitter-coupled multivibrator. The emitters of the transistors 113 and 114 are connected to the inverter amplifier 10 via a coupling diode 45. The output side of the inverter amplifier 10 is connected to a CMOS gate 20.
本実施例においては、インバータアンプ10と
発振器100とが結合ダイオード45を介して接
続されているが、結合ダイオード45は逆バイア
スされているため、キヤパシタ40と同様結合容
量として機能し、発振器100からの交流信号が
結合ダイオード45を介してインバータアンプ1
0へ供給されるようになつている。即ち、本実施
例において、発振器100の動作電位がインバー
タアンプ10の動作電位より高い場合は、インバ
ータアンプ10と発振器100とを結合ダイオー
ド45を介して接続し、両者の電位差が大きい場
合でも結合ダイオード45の両端を充電すること
によつて直流レベルをシフトし、発振器100の
出力信号をインバータアンプ10で増幅した後
CMOSゲート20を駆動することとしている。 In this embodiment, the inverter amplifier 10 and the oscillator 100 are connected via the coupling diode 45, but since the coupling diode 45 is reverse biased, it functions as a coupling capacitor like the capacitor 40, and the oscillator 100 The AC signal is passed through the coupling diode 45 to the inverter amplifier 1.
0. That is, in this embodiment, when the operating potential of the oscillator 100 is higher than the operating potential of the inverter amplifier 10, the inverter amplifier 10 and the oscillator 100 are connected via the coupling diode 45, and even when the potential difference between them is large, the coupling diode After shifting the DC level by charging both ends of 45 and amplifying the output signal of the oscillator 100 with the inverter amplifier 10,
It is assumed that the CMOS gate 20 is driven.
本実施例においては、前記実施例と同様、ダイ
オード31,32が結合ダイオード45と時定数
回路を構成し、信号に対する時定数を大きくし、
バイアス電圧に対する時定数を小さくすることが
できる。又本実施例においては、発振器100と
インバータアンプ10とが交流結合されているの
で、発振器100の直流レベルが変動し発振器1
00の出力信号のデユーテイ比が変化しても、イ
ンバータアンプ10の出力信号のデユーテイ比が
変化するのを抑制することができる。 In this embodiment, as in the previous embodiment, the diodes 31 and 32 constitute a time constant circuit together with the coupling diode 45, and the time constant for the signal is increased.
The time constant for bias voltage can be reduced. Further, in this embodiment, since the oscillator 100 and the inverter amplifier 10 are AC-coupled, the DC level of the oscillator 100 fluctuates and the oscillator 1
Even if the duty ratio of the output signal 00 changes, it is possible to suppress the duty ratio of the output signal of the inverter amplifier 10 from changing.
第5図には、本発明の他の実施例の構成が示さ
れている。 FIG. 5 shows the configuration of another embodiment of the present invention.
本実施例はアンプ(増幅器)10Aの入力側と
入力端子12との間にキヤパシタ40を挿入する
と共にアンプ10Aの入力側とアースとの間に互
いに並列接続されたダイオード31,32とバイ
アス電源50を挿入したものである。 In this embodiment, a capacitor 40 is inserted between the input side of an amplifier 10A and the input terminal 12, and diodes 31 and 32 and a bias power supply 50 are connected in parallel between the input side of the amplifier 10A and the ground. is inserted.
アンプ10Aの動作電位はバイアス電源50の
電圧によつて設定されており、アンプ10Aに電
圧が印加されダイオード31,32の両端に非線
形領域の電圧が印加されたときにはダイオード3
1,32が低インピーダンスのインピーダンス素
子として機能し、キヤパシタ40が短時間で充電
されるようになつている。一方キヤパシタ40が
充電された後はダイオード31,32の両端の電
圧がほぼ0Vになるので、ダイオード31,32
が高インピーダンスのインピーダンス素子として
機能し、低周波域の信号成分もアンプ10Aによ
つて増幅される。 The operating potential of the amplifier 10A is set by the voltage of the bias power supply 50, and when a voltage is applied to the amplifier 10A and a voltage in a nonlinear region is applied across the diodes 31 and 32, the diode 3
1 and 32 function as low impedance elements, and the capacitor 40 is charged in a short time. On the other hand, after the capacitor 40 is charged, the voltage across the diodes 31 and 32 becomes approximately 0V, so the diodes 31 and 32
functions as a high impedance element, and signal components in the low frequency range are also amplified by the amplifier 10A.
このように、本実施例においては、バイアス電
圧をアンプ10Aの帰還出力によつて得るのでは
なく、バイアス電源50から得ているのでアンプ
10Aを反転増幅器、非反転増幅器に適用するこ
とができる。 In this way, in this embodiment, the bias voltage is obtained from the bias power supply 50 rather than from the feedback output of the amplifier 10A, so the amplifier 10A can be applied to an inverting amplifier or a non-inverting amplifier.
前記実施例においてアンプ10Aの動作電位を
低電圧のもので構成する場合にはバイアス電源5
0を用いなくてもキヤパシタ40、ダイオード3
1,32を交流結合回路として機能させることが
できる。 In the above embodiment, when the operating potential of the amplifier 10A is configured with a low voltage one, the bias power supply 5 is
Capacitor 40, diode 3 without using 0
1 and 32 can function as an AC coupling circuit.
交流結合回路200の応用としては、第6図に
示されるように、複数のリニヤ回路ブロツク30
1〜306を互いに交流結合させる場合、各回路
ブロツクを交流結合回路201〜205を介して
接続すれば、オーデイオシステムやビデオシステ
ムの集積回路として用いることができる。この場
合、各回路ブロツクの動作電位が異なつたり、機
能が異なつたりする場合でも、各回路ブロツクの
入換えを容易に行うことができ、設計の自由度が
増しICの開発期間を短縮することができる。 As an application of the AC coupling circuit 200, as shown in FIG.
When circuit blocks 1 to 306 are AC-coupled to each other, each circuit block can be used as an integrated circuit for an audio system or a video system by connecting each circuit block through AC coupling circuits 201 to 205. In this case, even if each circuit block has a different operating potential or function, each circuit block can be easily replaced, increasing design freedom and shortening the IC development period. be able to.
又、交流結合回路200の応用としては、第7
図に示されるように、スタツク形の論理回路50
0の入力回路に用いることができる。 In addition, as an application of the AC coupling circuit 200, the seventh
As shown in the figure, a stacked logic circuit 50
It can be used for 0 input circuit.
即ち、論理回路500が4段のスタツクで構成
され入力I1〜I4に対し、出力O=I1・I2+I3+I4の
機能を有している場合、各段の入力回路に交流結
合回路206〜209を挿入すれば、入力I1〜I4
の直流レベルによらずスタツク4段の論理回路と
して機能させることができる。この場合、交流結
合回路206〜209の各直流レベルのシフトは
確実にできるので、スタツク段数を多く、論理回
路500の出力信号の振幅を小さくすることがで
きる。又さらにスタツク1段分の電流を流すだけ
で良いので、電源の利用率を高めることができ、
低消費電力の回路を実現することができる。 That is, when the logic circuit 500 is configured with a four-stage stack and has the function of output O = I 1 - I 2 + I 3 + I 4 for inputs I 1 to I 4 , an AC current is applied to the input circuit of each stage. If the coupling circuits 206 to 209 are inserted, the inputs I 1 to I 4
It can function as a four-stage stacked logic circuit regardless of the DC level. In this case, since the DC levels of the AC coupling circuits 206 to 209 can be reliably shifted, the number of stack stages can be increased and the amplitude of the output signal of the logic circuit 500 can be reduced. Furthermore, since it is only necessary to flow the current for one stage of the stack, the utilization rate of the power supply can be increased.
A circuit with low power consumption can be realized.
なお、前記各実施例において、ダイオード3
1,32としてバイポーラPNダイオードの他に
MOSダイオードやシヨツトキーダイオードを用
いることもできる。又、半導体抵抗素子としての
ダイオードを構成する場合、一対のダイオードを
互いに逆方向に接続するだけでなく、入力信号の
振幅に応じて必要数のダイオードを直列に接続す
るようにすることも可能である。 Note that in each of the above embodiments, the diode 3
In addition to bipolar PN diodes as 1,32
MOS diodes or Schottky diodes can also be used. Furthermore, when configuring diodes as semiconductor resistance elements, it is possible not only to connect a pair of diodes in opposite directions, but also to connect the required number of diodes in series depending on the amplitude of the input signal. be.
以上説明したように、本発明によれば、結合容
量が小さくても、信号に対する時定数を大きく
し、バイアス電圧に対する時定数を小さくするこ
とができるため、集積回路の小型化に寄与するこ
とができる。
As explained above, according to the present invention, even if the coupling capacitance is small, the time constant for signals can be increased and the time constant for bias voltage can be decreased, thereby contributing to the miniaturization of integrated circuits. can.
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2
図は半導体抵抗素子の電圧−電流特性図、第3図
はインバータアンプ10の具体的構成図、第4図
は本発明の他の実施例を示す構成図、第5図は本
発明のさらに他の実施例の構成図、第6図は本発
明の応用例を示す構成図、第7図は本発明の応用
例を示す構成図である。
10……インバータアンプ、10A……アン
プ、31,32……ダイオード、40……キヤパ
シタ、100……発振器、200〜209……交
流結合回路。
FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG.
3 is a specific configuration diagram of the inverter amplifier 10, FIG. 4 is a configuration diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram of another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a block diagram showing an applied example of the present invention, and FIG. 7 is a block diagram showing an applied example of the present invention. 10... Inverter amplifier, 10A... Amplifier, 31, 32... Diode, 40... Capacitor, 100... Oscillator, 200-209... AC coupling circuit.
Claims (1)
1の基準電位とは異なる第2の基準電位を動作中
心とする高入力インピーダンス増幅器と、 前記前記信号源電圧を前記高入力インピーダン
ス増幅器の入力側に導くための結合容量と、 前記信号源電圧が大振幅である場合には低イン
ピーダンスとなり、小振幅である場合には高イン
ピーダンスとなる非線形インピーダンス素子と、 前記結合容量の前記高入力インピーダンス増幅
器側端子に前記非線形インピーダンス素子を介し
て前記第2の基準電位に等しいバイアス電圧を供
給するバイアス電源とを有することを特徴とする
交流結合回路。[Scope of Claims] 1. A high input impedance amplifier whose operation center is a second reference potential different from the first reference potential of a signal source voltage having a first reference potential; a coupling capacitor for leading to the input side of a high input impedance amplifier; a nonlinear impedance element that has a low impedance when the signal source voltage has a large amplitude and a high impedance when the signal source voltage has a small amplitude; and the coupling capacitor. and a bias power source that supplies a bias voltage equal to the second reference potential to the high input impedance amplifier side terminal of the circuit via the nonlinear impedance element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284049A JPS63136804A (en) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | Ac coupling circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284049A JPS63136804A (en) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | Ac coupling circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136804A JPS63136804A (en) | 1988-06-09 |
| JPH0553404B2 true JPH0553404B2 (en) | 1993-08-10 |
Family
ID=17673627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61284049A Granted JPS63136804A (en) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | Ac coupling circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63136804A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0819264B2 (en) * | 1988-06-03 | 1996-02-28 | 日本ゼオン株式会社 | Vulcanizable rubber composition |
| JPH0629755A (en) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | Preamplifier |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61284049A patent/JPS63136804A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63136804A (en) | 1988-06-09 |
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