JPH055350B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH055350B2 JPH055350B2 JP59251483A JP25148384A JPH055350B2 JP H055350 B2 JPH055350 B2 JP H055350B2 JP 59251483 A JP59251483 A JP 59251483A JP 25148384 A JP25148384 A JP 25148384A JP H055350 B2 JPH055350 B2 JP H055350B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- squaraine
- photoconductive
- methyl
- bis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0609—Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen
- G03G5/0611—Squaric acid
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般に、新規なスクアライン
(squaraine)化合物、およびこれらの化合物を層
構造を有する光応答装置に導入することに関す
る。本発明の一実施態様においては、新規なフル
オロベンジルアミノスクアライン化合物が提供さ
れる。この化合物は積層構造を有する光応答装
置、特にアミン正孔輪送層を含む装置における有
機光導電性材料として有用である。このように本
発明によれば光導電性層として新規なフルオロベ
ンジルアミノスクアライン化合物を含む光応答装
置が提供される。これらの光応答装置の感度はこ
れを変えることができ、あるいは強化することが
でき、これらの装置を可視光に対しておよびレー
ザー印刷に必要な赤外光に対して応答性にするこ
とができる。従つて本発明のフルオロベンジルア
ミノスクアラインを含有する光応答装置はスペク
トルの赤外および/または可視領域において、内
蔵されている電荷キヤリヤ光発生材料の固有の性
質を増強しまたは軽減するように機能することが
でき、それによつてこの装置を可視光および/ま
たは赤外波長の光に応答性にすることができる。
(squaraine)化合物、およびこれらの化合物を層
構造を有する光応答装置に導入することに関す
る。本発明の一実施態様においては、新規なフル
オロベンジルアミノスクアライン化合物が提供さ
れる。この化合物は積層構造を有する光応答装
置、特にアミン正孔輪送層を含む装置における有
機光導電性材料として有用である。このように本
発明によれば光導電性層として新規なフルオロベ
ンジルアミノスクアライン化合物を含む光応答装
置が提供される。これらの光応答装置の感度はこ
れを変えることができ、あるいは強化することが
でき、これらの装置を可視光に対しておよびレー
ザー印刷に必要な赤外光に対して応答性にするこ
とができる。従つて本発明のフルオロベンジルア
ミノスクアラインを含有する光応答装置はスペク
トルの赤外および/または可視領域において、内
蔵されている電荷キヤリヤ光発生材料の固有の性
質を増強しまたは軽減するように機能することが
でき、それによつてこの装置を可視光および/ま
たは赤外波長の光に応答性にすることができる。
例えば融解セレンのような単一材料からなる均
一層あるいは光導電性物質の分散液を含む複合積
層構造を有する装置をはじめとする多数のさまざ
まな電子写真光導電性部材が知られている。複合
電子写真光導電性部材のタイプの一例は例えば米
国特許第3121006号に記載されている。この特許
には、電気的に絶縁性の有機樹脂バインダー中に
分散された光導電性無機化合物の微細粒子が開示
されている。これらの部材は、例えば、紙支持体
に塗布されており均一に分散された酸化亜鉛の粒
子を含むバインダー層を備えている。この特許に
開示されているバインダー材料はポリカーボネー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂など
の材料を含んでおり、これらの材料は光導電性粒
子によつて発生した注入された電荷キヤリヤを有
意な距離だけ輪送することができない。従つて、
その結果、循環操作に必要な電荷の散逸を可能に
するという目的のために、層全体にわたつて光導
電性粒子は実質的に粒子と粒子が接触した状態に
なければならない。このように速やかな放電に十
分な光導電性粒子と粒子の接触を得るためには、
ここに述べた光導電性粒子の均一な分散と共に、
光導電性材料の比較的高い容積濃度すなわち約50
容量%が一般に必要である。このような高い光導
電性負荷のために樹脂バインダーの物理的な連続
性が破壊され、そのためにその機械的特性が大幅
に低下するという結果が起こり得る。
一層あるいは光導電性物質の分散液を含む複合積
層構造を有する装置をはじめとする多数のさまざ
まな電子写真光導電性部材が知られている。複合
電子写真光導電性部材のタイプの一例は例えば米
国特許第3121006号に記載されている。この特許
には、電気的に絶縁性の有機樹脂バインダー中に
分散された光導電性無機化合物の微細粒子が開示
されている。これらの部材は、例えば、紙支持体
に塗布されており均一に分散された酸化亜鉛の粒
子を含むバインダー層を備えている。この特許に
開示されているバインダー材料はポリカーボネー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂など
の材料を含んでおり、これらの材料は光導電性粒
子によつて発生した注入された電荷キヤリヤを有
意な距離だけ輪送することができない。従つて、
その結果、循環操作に必要な電荷の散逸を可能に
するという目的のために、層全体にわたつて光導
電性粒子は実質的に粒子と粒子が接触した状態に
なければならない。このように速やかな放電に十
分な光導電性粒子と粒子の接触を得るためには、
ここに述べた光導電性粒子の均一な分散と共に、
光導電性材料の比較的高い容積濃度すなわち約50
容量%が一般に必要である。このような高い光導
電性負荷のために樹脂バインダーの物理的な連続
性が破壊され、そのためにその機械的特性が大幅
に低下するという結果が起こり得る。
無機または有機材料で構成された光受容材料も
知られており、この材料においては電荷キヤリヤ
発生および電荷キヤリヤ輪送機能は不連続な接触
層によつて達成されている。さらに層構造を有す
る光受容材料が先行技術に開示されており、この
材料は電気的に絶縁性の重合体からなる保護膜層
を含んでいる。しかし電子写真技術は進歩を続け
ており、能力水準を大きくしさらに高品質の画像
を得るために、複写機がさらにきびしい要求を満
たすことが必要とされている。またレーザー印刷
装置用に選択された可視光および/または赤外光
に対して応答性を有する層構造をもつ光応答装置
が望まれている。
知られており、この材料においては電荷キヤリヤ
発生および電荷キヤリヤ輪送機能は不連続な接触
層によつて達成されている。さらに層構造を有す
る光受容材料が先行技術に開示されており、この
材料は電気的に絶縁性の重合体からなる保護膜層
を含んでいる。しかし電子写真技術は進歩を続け
ており、能力水準を大きくしさらに高品質の画像
を得るために、複写機がさらにきびしい要求を満
たすことが必要とされている。またレーザー印刷
装置用に選択された可視光および/または赤外光
に対して応答性を有する層構造をもつ光応答装置
が望まれている。
最近、その他の積層光応答装置が発表されてい
る。これらの装置は分離した発生層および米国特
許第4265990号に記載された輪送層および正孔輪
送層がオーバーコートされ、さらに光発生層がオ
ーバーコートされた正孔注入層を含むオーバーコ
ートされた光応答材料および絶縁性有機樹脂の保
護被膜で構成されている。米国特許第4251612号
を参照されたい。これらの特許に開示されている
光発生層の例としては三方晶系セレンおよびフタ
ロシアニンがあり、また輪送層の例としてはこの
明細書中に記載したある種のジアミンがある。こ
れらの点については米国特許第4265990号および
第4251612号を参照されたい。
る。これらの装置は分離した発生層および米国特
許第4265990号に記載された輪送層および正孔輪
送層がオーバーコートされ、さらに光発生層がオ
ーバーコートされた正孔注入層を含むオーバーコ
ートされた光応答材料および絶縁性有機樹脂の保
護被膜で構成されている。米国特許第4251612号
を参照されたい。これらの特許に開示されている
光発生層の例としては三方晶系セレンおよびフタ
ロシアニンがあり、また輪送層の例としてはこの
明細書中に記載したある種のジアミンがある。こ
れらの点については米国特許第4265990号および
第4251612号を参照されたい。
その他多数の特許に発生物質を含む積層装置を
備えた光応答装置が記載されている。例えば米国
特許第3041167号には導電性支持体、光導電性層
および電気絶縁性のポリマー材料からなるオーバ
ーコート層を有するオーバーコートされた画像要
素が開示されている。この要素は例えばこの要素
を先ず第一の極性を有する静電荷によつて帯電さ
れ、画像露光して静電潜像を形成し、これを次に
現像して可視像を形成するような電子写真複写機
に使用される。次の画像サイクルの前にこの画像
要素を第1の極性とは反対の極性をもつ第2の極
性の静電荷によつて帯電させることができる。こ
の第2の極性の電荷はこの要素全体にわたつて最
終的に第2の極性の電場がつくりだされるように
十分に適用される。同時に、例えば導電性支持体
に電圧をかけることによつて光導電性層に第1の
極性を有する移動電荷を形成させる。現像すると
可視像を形成するような画像ポテンシヤルが光導
電性層およびオーバーコート層全体に存在してい
る。
備えた光応答装置が記載されている。例えば米国
特許第3041167号には導電性支持体、光導電性層
および電気絶縁性のポリマー材料からなるオーバ
ーコート層を有するオーバーコートされた画像要
素が開示されている。この要素は例えばこの要素
を先ず第一の極性を有する静電荷によつて帯電さ
れ、画像露光して静電潜像を形成し、これを次に
現像して可視像を形成するような電子写真複写機
に使用される。次の画像サイクルの前にこの画像
要素を第1の極性とは反対の極性をもつ第2の極
性の静電荷によつて帯電させることができる。こ
の第2の極性の電荷はこの要素全体にわたつて最
終的に第2の極性の電場がつくりだされるように
十分に適用される。同時に、例えば導電性支持体
に電圧をかけることによつて光導電性層に第1の
極性を有する移動電荷を形成させる。現像すると
可視像を形成するような画像ポテンシヤルが光導
電性層およびオーバーコート層全体に存在してい
る。
また、ベルギー特許第763540号には少なくとも
2つの電気的に作用する層を有する電子写真要素
が開示されている。この第1の光導電性層は電荷
キヤリヤを光により発生させ、このキヤリヤを有
機輪送材料を含む連続活性層に注入することがで
きる。この有機輪送材料は使用が意図されている
スペクトル領域に実質的に吸収をもたないが光導
電性層からの光により発生した正孔の注入を行う
ことができ、かつこれらの正孔をこの活性層を通
して輪送せしめることができる。さらに米国特許
第3041116号には支持体上に保持された融解セレ
ンの層の上にオーバーコートされた透明プラスチ
ツク材料を含む光導電性材料が開示されている。
2つの電気的に作用する層を有する電子写真要素
が開示されている。この第1の光導電性層は電荷
キヤリヤを光により発生させ、このキヤリヤを有
機輪送材料を含む連続活性層に注入することがで
きる。この有機輪送材料は使用が意図されている
スペクトル領域に実質的に吸収をもたないが光導
電性層からの光により発生した正孔の注入を行う
ことができ、かつこれらの正孔をこの活性層を通
して輪送せしめることができる。さらに米国特許
第3041116号には支持体上に保持された融解セレ
ンの層の上にオーバーコートされた透明プラスチ
ツク材料を含む光導電性材料が開示されている。
さらに米国第4232102号および第4233383号には
炭酸ナトリウム、亜セレン酸ナトリウムをドーピ
ングした三方晶系セレンおよび炭酸バリウムおよ
び亜セレン酸バリウムまたはこれらの混合物をド
ーピングした三方晶系セレンを含む光応答性画像
要素が開示されている。さらに米国特許第
3824099号にはある種の感光性ヒドロキシスクア
ライン化合物が開示されている。この特許に開示
されたスクアライン化合物は通常の静電写真画像
装置において感光性である。
炭酸ナトリウム、亜セレン酸ナトリウムをドーピ
ングした三方晶系セレンおよび炭酸バリウムおよ
び亜セレン酸バリウムまたはこれらの混合物をド
ーピングした三方晶系セレンを含む光応答性画像
要素が開示されている。さらに米国特許第
3824099号にはある種の感光性ヒドロキシスクア
ライン化合物が開示されている。この特許に開示
されたスクアライン化合物は通常の静電写真画像
装置において感光性である。
また係属中の出願にはヒドロキシスクアライン
のような既知のスクアライン化合物を赤外線感光
性光応答装置の光導電性層として使用することが
開示されている。さらに具体的にはこの係属中の
出願には、支持体と、正孔遮断層と、任意の接着
界面層と、無機光発生層、ヒドロキシスクアライ
ン化合物をはじめとする種々のスクアライン化合
物から選ばれた光導電性化合物であつて光発生層
の固有の性質を増大しまたは低減させることがで
きるような光導電性化合物と、正孔輪送層とを含
む改良された光応答装置が開示されている。
のような既知のスクアライン化合物を赤外線感光
性光応答装置の光導電性層として使用することが
開示されている。さらに具体的にはこの係属中の
出願には、支持体と、正孔遮断層と、任意の接着
界面層と、無機光発生層、ヒドロキシスクアライ
ン化合物をはじめとする種々のスクアライン化合
物から選ばれた光導電性化合物であつて光発生層
の固有の性質を増大しまたは低減させることがで
きるような光導電性化合物と、正孔輪送層とを含
む改良された光応答装置が開示されている。
さらに係属中の出願にはビス−9−(8−ヒド
ロキシジユロリジニル)スクアラインのような新
規なジユロリジニル(julolidingl)スクアライン
化合物を赤外光および/または可視光に対して感
光性の光応答性装置の光導電性物質として使用す
ることが開示されている。この係属中の出願に示
されているように、この改良された光応答装置の
一実施態様は、支持体と、正孔遮断層と、任意の
接着界面層、無機光発生層と、その出願に開示さ
れた新規なジユロリジニルスクアライン化合物か
らなり光発生層の固有の性質を増大しまたは低減
することができる光導電性化合物と、正孔輪送層
とから構成されている。これらの点については
「新規なスクアライン化合物を有する光応答装置」
という名称の係属中の米国特許第493114/83を参
照されたい。
ロキシジユロリジニル)スクアラインのような新
規なジユロリジニル(julolidingl)スクアライン
化合物を赤外光および/または可視光に対して感
光性の光応答性装置の光導電性物質として使用す
ることが開示されている。この係属中の出願に示
されているように、この改良された光応答装置の
一実施態様は、支持体と、正孔遮断層と、任意の
接着界面層、無機光発生層と、その出願に開示さ
れた新規なジユロリジニルスクアライン化合物か
らなり光発生層の固有の性質を増大しまたは低減
することができる光導電性化合物と、正孔輪送層
とから構成されている。これらの点については
「新規なスクアライン化合物を有する光応答装置」
という名称の係属中の米国特許第493114/83を参
照されたい。
スクアライン化合物は既知であるが新規なスク
アライン化合物、特に優れた感光性を有するスク
アライン化合物に対する要望が継続している。さ
らに光導電性層として感光性の高い新規なスクア
ライン化合物を含む光応答装置に対する要望が継
続している。さらに積層光応答画像装置に使用さ
れた場合、許容できる画像を形成することがで
き、かつその装置が装置の環境または周囲の条件
によつて劣化することなく多数の画像サイクルに
おいて繰返して使用することができるような新規
なスクアライン化合物に対する要望が継続してい
る。さらに複数の層の1つとして選択されたスク
アライン化合物がこの装置のユーザーに対して実
質的に無害であるような改良された積層画像要素
に対する要望が継続している。さらに広い範囲の
波長に対して感光性であり、さらに具体的には赤
外光および可視光に対して感光性であり、そのた
めに多数の画像装置および印刷装置に使用するこ
とができるようなオーバーコートされた光応答装
置に対する要望が継続している。
アライン化合物、特に優れた感光性を有するスク
アライン化合物に対する要望が継続している。さ
らに光導電性層として感光性の高い新規なスクア
ライン化合物を含む光応答装置に対する要望が継
続している。さらに積層光応答画像装置に使用さ
れた場合、許容できる画像を形成することがで
き、かつその装置が装置の環境または周囲の条件
によつて劣化することなく多数の画像サイクルに
おいて繰返して使用することができるような新規
なスクアライン化合物に対する要望が継続してい
る。さらに複数の層の1つとして選択されたスク
アライン化合物がこの装置のユーザーに対して実
質的に無害であるような改良された積層画像要素
に対する要望が継続している。さらに広い範囲の
波長に対して感光性であり、さらに具体的には赤
外光および可視光に対して感光性であり、そのた
めに多数の画像装置および印刷装置に使用するこ
とができるようなオーバーコートされた光応答装
置に対する要望が継続している。
従つて本発明の目的は新規なフルオロベンジル
アミノスクアライン化合物を提供することであ
る。
アミノスクアライン化合物を提供することであ
る。
本発明の他の目的は新規なフルオロベンジルア
ミノスクアライン化合物を含有する改良された光
応答性画像要素を提供することである。
ミノスクアライン化合物を含有する改良された光
応答性画像要素を提供することである。
本発明のさらに他の目的はパンクロの、従つて
可視光ならびに赤外光に対して感光性の、改良さ
れた光応答装置を提供することである。
可視光ならびに赤外光に対して感光性の、改良さ
れた光応答装置を提供することである。
本発明のさらに具体的な目的な新規なスクアラ
イン感光性色素を有する光導電性層および正孔輪
送層を含む改良されたオーバーコートされた光応
答装置を提供することである。
イン感光性色素を有する光導電性層および正孔輪
送層を含む改良されたオーバーコートされた光応
答装置を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、正孔輪送層と、そ
の上にコートされた新規なフルオロベンジルアミ
ノスクアライン化合物を含む光導電性層を備えた
改良されたオーバーコートされた光応答装置を提
供することである。
の上にコートされた新規なフルオロベンジルアミ
ノスクアライン化合物を含む光導電性層を備えた
改良されたオーバーコートされた光応答装置を提
供することである。
本発明のさらに他の目的は新規なフルオロベン
ジルアミノスクアライン化合物を含み、正孔輪送
層と光発生層との間に配置された光導電性化合物
を含む光応答装置を提供することである。
ジルアミノスクアライン化合物を含み、正孔輪送
層と光発生層との間に配置された光導電性化合物
を含む光応答装置を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、光発生層と支持体
との間に配置され新規なスクアライン光導電性化
合物を含む改良された積層構造の光応答装置を提
供することである。
との間に配置され新規なスクアライン光導電性化
合物を含む改良された積層構造の光応答装置を提
供することである。
本発明のさらに他の目的は、正孔輪送層と、新
規なフルオロベンジルアミノスクアライン化合物
を含む光導電性層との間に配置された光発生化合
物を含む改良されたオーバーコートされた光応答
装置であつて赤外光および可視光に対して応答性
を有する装置を提供することである。
規なフルオロベンジルアミノスクアライン化合物
を含む光導電性層との間に配置された光発生化合
物を含む改良されたオーバーコートされた光応答
装置であつて赤外光および可視光に対して応答性
を有する装置を提供することである。
本発明の他の目的は正孔輪送層と光発生化合物
を含む層との間に配置された、この明細書中に開
示された新規なスクアライン化合物を含む光導電
性層を備えた改良されたオーバーコートされた光
応答装置であつて赤外光および可視光に対して応
答性を有する装置を提供することである。
を含む層との間に配置された、この明細書中に開
示された新規なスクアライン化合物を含む光導電
性層を備えた改良されたオーバーコートされた光
応答装置であつて赤外光および可視光に対して応
答性を有する装置を提供することである。
本発明のさらに他の目的はこの明細書中に記載
された改良されたオーバーコートされた光応答装
置を用いた画像形成方法および印刷方法を提供す
ることである。
された改良されたオーバーコートされた光応答装
置を用いた画像形成方法および印刷方法を提供す
ることである。
本発明のこれらの目的ならびにその他の目的は
()ビス(2−フルオロ−4−メチルベンジル
アミノフエニル)スクアライン、()ビス(2
−フルオロ−4−メチル−パラークロロベンジル
アミノフエニル)スクアライン、()ビス(2
−フルオロ−4−メチル−パラ−フルオロベンジ
ルアミノフエニル)スクアラインおよび()ビ
ス(2−フルオロ−4−メチル−メタクロロベン
ジルアミノフエニル)スクアラインからなる群か
ら選ばれる新規なフルオロベンジルスクアライン
化合物を提供することによつて達成される。これ
らのスクアライン化合物は次式によつて表され
る。
()ビス(2−フルオロ−4−メチルベンジル
アミノフエニル)スクアライン、()ビス(2
−フルオロ−4−メチル−パラークロロベンジル
アミノフエニル)スクアライン、()ビス(2
−フルオロ−4−メチル−パラ−フルオロベンジ
ルアミノフエニル)スクアラインおよび()ビ
ス(2−フルオロ−4−メチル−メタクロロベン
ジルアミノフエニル)スクアラインからなる群か
ら選ばれる新規なフルオロベンジルスクアライン
化合物を提供することによつて達成される。これ
らのスクアライン化合物は次式によつて表され
る。
ここに開示されている新規なスクアライン化合
物は、一般に適当なフルオロアニリン誘導体、例
えばメタ−フルオロ−N−メチル−N−ベンジル
アニリンとスクアリン酸を、約4対約1、好まし
くは約1.5対2.5のモル比で、脂肪族アルコールお
よび任意の共沸補助溶剤の存在下で化合物させる
ことにより製造される。スクアリン酸0.1モルに
対してアルコール約400mlが使用されるが、スク
アリン酸0.1モルに対してアルコール1000mlまで
を選択することができる。この反応は一般に約75
℃〜約130℃の温度で、好ましくは95℃〜105℃の
温度で撹拌しながら反応が終了するまで行われ
る。次に所望の生成物を既知の方法、例えば過
などにより反応混合物から分離し、この生成物を
NMRおよびマススペクトルなどをはじめとする
分析機器により同定する。さらに得られた生成物
の同定を補助するものとして炭素、水素、フツ
素、窒素および酸素の元素分析が選ばれる。
物は、一般に適当なフルオロアニリン誘導体、例
えばメタ−フルオロ−N−メチル−N−ベンジル
アニリンとスクアリン酸を、約4対約1、好まし
くは約1.5対2.5のモル比で、脂肪族アルコールお
よび任意の共沸補助溶剤の存在下で化合物させる
ことにより製造される。スクアリン酸0.1モルに
対してアルコール約400mlが使用されるが、スク
アリン酸0.1モルに対してアルコール1000mlまで
を選択することができる。この反応は一般に約75
℃〜約130℃の温度で、好ましくは95℃〜105℃の
温度で撹拌しながら反応が終了するまで行われ
る。次に所望の生成物を既知の方法、例えば過
などにより反応混合物から分離し、この生成物を
NMRおよびマススペクトルなどをはじめとする
分析機器により同定する。さらに得られた生成物
の同定を補助するものとして炭素、水素、フツ
素、窒素および酸素の元素分析が選ばれる。
このフルオロアニリン誘導体は多数の方法によ
つて製造することができる。例えばメタフルオロ
アニリンのような既知のフルオロアニリンを、オ
ルトギ酸トリメチルをはじめとするオルトギ酸ト
ルアルキルと約1対約1.5のモル比で反応させ、
N−メチル−メタ−フルオロホルムアニリドのよ
うなN−アルキル−メタ−フルオロホルムアニリ
ドを得る。一般にこの反応は、反応体を混合し約
200℃以上の高温に加熱し、次いで蒸留すること
により達成される。その後、得られたアニリド生
成物を塩酸のような酸で加水分解し、N−アルキ
ル−メタ−フルオロアニリン、具体的には例えば
N−メチル−メタ−フルオロアニリンを生成させ
る。次にベンジルクロライドのようなベンジルハ
ライド誘導体をこの生成したアニリン生成物と約
1対1のモル比で反応させる。この反応はこれら
の反応体を混合し一般に100゜〜110℃の温度に加
熱して反応を進行させることにより行われる。こ
うしてアニリン誘導体、例えばN−アルキル−N
−ベンジル−メタ−フルオロアニリン、好ましく
はN−メチル−N−ベンジル−メタ−フルオロア
ニリンが得られる。次にこれをここに記載したス
クアリン酸と反応させ、式〜で表わされる本
発明の新規なフルオロスクアラインを生成せしめ
る。
つて製造することができる。例えばメタフルオロ
アニリンのような既知のフルオロアニリンを、オ
ルトギ酸トリメチルをはじめとするオルトギ酸ト
ルアルキルと約1対約1.5のモル比で反応させ、
N−メチル−メタ−フルオロホルムアニリドのよ
うなN−アルキル−メタ−フルオロホルムアニリ
ドを得る。一般にこの反応は、反応体を混合し約
200℃以上の高温に加熱し、次いで蒸留すること
により達成される。その後、得られたアニリド生
成物を塩酸のような酸で加水分解し、N−アルキ
ル−メタ−フルオロアニリン、具体的には例えば
N−メチル−メタ−フルオロアニリンを生成させ
る。次にベンジルクロライドのようなベンジルハ
ライド誘導体をこの生成したアニリン生成物と約
1対1のモル比で反応させる。この反応はこれら
の反応体を混合し一般に100゜〜110℃の温度に加
熱して反応を進行させることにより行われる。こ
うしてアニリン誘導体、例えばN−アルキル−N
−ベンジル−メタ−フルオロアニリン、好ましく
はN−メチル−N−ベンジル−メタ−フルオロア
ニリンが得られる。次にこれをここに記載したス
クアリン酸と反応させ、式〜で表わされる本
発明の新規なフルオロスクアラインを生成せしめ
る。
本発明の新規なスクアラインを製造するのに選
ばれるフルオロアニリン誘導体の代表的な例とし
てはメタ−フルオロ−N−メチル−N−ベンジル
アニリン、メタ−フルオロ−N−メチル−N−パ
ラ−フルオロ−ベンジルアニリン、メタ−フルオ
ロ−N−メチル−N−パラ−クロロベンジルアニ
リンおよびメタ−フルオロ−N−メチル−メタ−
クロロベンジルアニリンが挙げられる。反応体の
1つとしてメタ−フルオロ−N−メチル−N−ベ
ンジルアニリンを選んだ場合、式で表わされる
ビス(2−フルオロ−4−メチルベンジルアミノ
フエニル)スクアラインが得られる。同様に反応
体としてメタ−フルオロ−N−メチル−N−パラ
−クロロベンジルアニリン、メタ−フルオロ−N
−メチル−N−パラ−フルオロベンジルアニリン
またはメタ−フルオロ−N−メチル−N−メタ−
クロロベンジルアニリンを選んだ場合、それぞれ
ここに示した式、およびによつて表される
スクアライン化合物が得られる。
ばれるフルオロアニリン誘導体の代表的な例とし
てはメタ−フルオロ−N−メチル−N−ベンジル
アニリン、メタ−フルオロ−N−メチル−N−パ
ラ−フルオロ−ベンジルアニリン、メタ−フルオ
ロ−N−メチル−N−パラ−クロロベンジルアニ
リンおよびメタ−フルオロ−N−メチル−メタ−
クロロベンジルアニリンが挙げられる。反応体の
1つとしてメタ−フルオロ−N−メチル−N−ベ
ンジルアニリンを選んだ場合、式で表わされる
ビス(2−フルオロ−4−メチルベンジルアミノ
フエニル)スクアラインが得られる。同様に反応
体としてメタ−フルオロ−N−メチル−N−パラ
−クロロベンジルアニリン、メタ−フルオロ−N
−メチル−N−パラ−フルオロベンジルアニリン
またはメタ−フルオロ−N−メチル−N−メタ−
クロロベンジルアニリンを選んだ場合、それぞれ
ここに示した式、およびによつて表される
スクアライン化合物が得られる。
本発明のフルオロベンジルスクアラインを製造
するのに選ばれる脂肪族アルコールの代表的な例
としては1−ブタノール、1−ペンタノール、ヘ
キサノールおよびヘプタノールが挙げられる。ま
た共沸溶剤の代表的な例としてはベンゼン、トル
エンおよびキシレンのような芳香族化合物が挙げ
られる。
するのに選ばれる脂肪族アルコールの代表的な例
としては1−ブタノール、1−ペンタノール、ヘ
キサノールおよびヘプタノールが挙げられる。ま
た共沸溶剤の代表的な例としてはベンゼン、トル
エンおよびキシレンのような芳香族化合物が挙げ
られる。
本発明の改良さた積層光応答装置は一実施態様
によれば、支持体と、正孔輪送層と、支持体およ
び正孔輪送層の間に配置された光導電性層として
の本発明の新規なフツ化スクアライン化合物とか
ら構成されている。もう一つの実施態様において
は、本発明の新規なフツ化スクアライン化合物を
含む光導電性層、および支持体と光導電性層の間
に配置された正孔輪送層で構成された積層光応答
装置が提供される。また本発明によれば印刷装置
に有用な改良された応答装置であつて、光発生層
と正孔輪送層の間に配置された光導電性組成物の
層を備えており、あるいは光導電性組成物が光発
生層とこの装置の支持体との間に配置され、光導
電性組成物が本発明の新規なフツ化スクアライン
化合物を含んでいるような改良された光応答装置
が提供される。例えば後者の装置においては光導
電性層はスペクトルの赤外および/または可視光
領域における光発生層の固有の性質を増大し、ま
たは低減するように作用する。
によれば、支持体と、正孔輪送層と、支持体およ
び正孔輪送層の間に配置された光導電性層として
の本発明の新規なフツ化スクアライン化合物とか
ら構成されている。もう一つの実施態様において
は、本発明の新規なフツ化スクアライン化合物を
含む光導電性層、および支持体と光導電性層の間
に配置された正孔輪送層で構成された積層光応答
装置が提供される。また本発明によれば印刷装置
に有用な改良された応答装置であつて、光発生層
と正孔輪送層の間に配置された光導電性組成物の
層を備えており、あるいは光導電性組成物が光発
生層とこの装置の支持体との間に配置され、光導
電性組成物が本発明の新規なフツ化スクアライン
化合物を含んでいるような改良された光応答装置
が提供される。例えば後者の装置においては光導
電性層はスペクトルの赤外および/または可視光
領域における光発生層の固有の性質を増大し、ま
たは低減するように作用する。
1つの具体的な実施態様において、本発明の改
良された光応答装置は1支持体、2正孔遮断層、
3任意の接着界面層、4無機光発生剤層、5ここ
に記載された新規なスクアライン化合物を含む光
導電性組成物層、および6正孔輪送層がここの順
序に積層された構成をとつている。このように本
発明の1つの重要な実施態様における光応答装置
は、導電性支持体、これと接触している正孔遮断
金属酸化物層、接着層、ここの接着層にオーバー
コートされた無機光発生材料、例えばスペクトル
の赤外および/または可視光領域における光発生
層の固有の性質を増大し、または低減することが
できる式〜で表される光導電性フルオロスク
アライン化合物、および最上層としての、樹脂マ
トリクス中に分散されたある種のジアミンを含む
正孔輪送層によつて構成されている。光導電性層
の化合物は正孔輪送層と接触していると光発生層
が発生した正孔を輪送することができる。さらに
光導電性層は光発生層中で発生した正孔を実質的
にトラツプしない。また光導電性スクアライン化
合物層は選択フイルターとして作用し、ある波長
の光を光発生層中に透過させることができる。
良された光応答装置は1支持体、2正孔遮断層、
3任意の接着界面層、4無機光発生剤層、5ここ
に記載された新規なスクアライン化合物を含む光
導電性組成物層、および6正孔輪送層がここの順
序に積層された構成をとつている。このように本
発明の1つの重要な実施態様における光応答装置
は、導電性支持体、これと接触している正孔遮断
金属酸化物層、接着層、ここの接着層にオーバー
コートされた無機光発生材料、例えばスペクトル
の赤外および/または可視光領域における光発生
層の固有の性質を増大し、または低減することが
できる式〜で表される光導電性フルオロスク
アライン化合物、および最上層としての、樹脂マ
トリクス中に分散されたある種のジアミンを含む
正孔輪送層によつて構成されている。光導電性層
の化合物は正孔輪送層と接触していると光発生層
が発生した正孔を輪送することができる。さらに
光導電性層は光発生層中で発生した正孔を実質的
にトラツプしない。また光導電性スクアライン化
合物層は選択フイルターとして作用し、ある波長
の光を光発生層中に透過させることができる。
本発明のもう1つの重要な実施態様は、光導電
性フルオロスクアライン化合物が光発生層と支持
体との間に配置されていることを除き、これまで
に説明したような改良された光応答装置に向けら
れている。従つてこの実施態様において本発明の
光応答装置は1支持体、2正孔遮断層、3任意の
接着界面層、4ここに開示された新規なスクアラ
イン化合物を含む光導電性組成物、5無機光発生
層、および6正孔輪送層がこの順序に積層された
構成をとつている。
性フルオロスクアライン化合物が光発生層と支持
体との間に配置されていることを除き、これまで
に説明したような改良された光応答装置に向けら
れている。従つてこの実施態様において本発明の
光応答装置は1支持体、2正孔遮断層、3任意の
接着界面層、4ここに開示された新規なスクアラ
イン化合物を含む光導電性組成物、5無機光発生
層、および6正孔輪送層がこの順序に積層された
構成をとつている。
本発明の積光応答装置の露光および抹消は前
面、後面あるいはこれらの両者から行うことがで
きる。
面、後面あるいはこれらの両者から行うことがで
きる。
本発明の改良された光応答装置は多数の既知の
方法によつて製造することができる。プロセスの
種々のパラメーターおよび層の塗布順序は所望の
装置に従つて決められる。従つて例えば三層構造
の光応答装置は支持体上に光導電性層を真空昇華
し、次に正孔輪送層を溶液塗布することによつて
付着させることにより製造することができる。も
う1つの別のプロセスによれば積層光応答装置は
正孔遮断層と任意の接着層を含む導電性支持体を
用意し、これに溶媒塗布法、ラミネート法または
その他の方法により、光発生層、スペクトルの赤
外およびまたは可視領域における光発生層の固有
の性質を増大または低減することができるような
本発明の新規なスクアライン化合物を含む光導電
性組成物、および正孔輪送層を使用することによ
り製造することができる。
方法によつて製造することができる。プロセスの
種々のパラメーターおよび層の塗布順序は所望の
装置に従つて決められる。従つて例えば三層構造
の光応答装置は支持体上に光導電性層を真空昇華
し、次に正孔輪送層を溶液塗布することによつて
付着させることにより製造することができる。も
う1つの別のプロセスによれば積層光応答装置は
正孔遮断層と任意の接着層を含む導電性支持体を
用意し、これに溶媒塗布法、ラミネート法または
その他の方法により、光発生層、スペクトルの赤
外およびまたは可視領域における光発生層の固有
の性質を増大または低減することができるような
本発明の新規なスクアライン化合物を含む光導電
性組成物、および正孔輪送層を使用することによ
り製造することができる。
1つの具体的な製造順序によれば、約3ミル
(0.0762mm)の厚みを有する透過率20%のアルミ
ニウムを被覆したマイラー支持体が用意される。
これに1/2ミル(0.0127mm)のバードアプリケー
ターによりほぼ室温でメチレンクロライド/トリ
クロロエタン溶媒中のE.l.デユポンから入手可能
な49000のようなな接着剤が塗布され、次いで100
℃で乾燥される。次にこの接着層に本発明のフツ
化スクアラインを含む光導電性層が適用される。
この適用もバードアプリケーターを用いて行われ
135℃でアニールし次いでアミンの輪送層を塗布
する。このアミン輪送層は既知の溶液塗布法によ
り5ミル(0.127mm)のバードアプリケーターを
用いて塗布され135℃でアニールされる。この溶
液は約20〜約80重量%のアミン輪送子と約80〜約
20重量%のポリカーボネート材料のような樹脂バ
インダー物質を含んでいる。
(0.0762mm)の厚みを有する透過率20%のアルミ
ニウムを被覆したマイラー支持体が用意される。
これに1/2ミル(0.0127mm)のバードアプリケー
ターによりほぼ室温でメチレンクロライド/トリ
クロロエタン溶媒中のE.l.デユポンから入手可能
な49000のようなな接着剤が塗布され、次いで100
℃で乾燥される。次にこの接着層に本発明のフツ
化スクアラインを含む光導電性層が適用される。
この適用もバードアプリケーターを用いて行われ
135℃でアニールし次いでアミンの輪送層を塗布
する。このアミン輪送層は既知の溶液塗布法によ
り5ミル(0.127mm)のバードアプリケーターを
用いて塗布され135℃でアニールされる。この溶
液は約20〜約80重量%のアミン輪送子と約80〜約
20重量%のポリカーボネート材料のような樹脂バ
インダー物質を含んでいる。
本発明の改良された光応答装置は種々の画像装
置、例えば電子写真画像プロセスとして一般的に
知られている装置に組込むことができる。さらに
無機光発生層および本発明の新規スクアラインを
含む光導電性層を備えた本発明の改良された光応
答装置は、可視光および/または赤外光を用いた
画像装置および印刷装置において機能することが
できる。この実施態様では本発明の改良された光
応答装置は負に帯電され約400〜約1000ナノメー
ターの波長の光に順にまたは同時に露光され、こ
うして得られた画像が現像され、紙に転写され
る。上記順序は何回も繰返すことができる。
置、例えば電子写真画像プロセスとして一般的に
知られている装置に組込むことができる。さらに
無機光発生層および本発明の新規スクアラインを
含む光導電性層を備えた本発明の改良された光応
答装置は、可視光および/または赤外光を用いた
画像装置および印刷装置において機能することが
できる。この実施態様では本発明の改良された光
応答装置は負に帯電され約400〜約1000ナノメー
ターの波長の光に順にまたは同時に露光され、こ
うして得られた画像が現像され、紙に転写され
る。上記順序は何回も繰返すことができる。
本発明ならびにその特徴をよりよく理解するた
めに以下に種々の好ましい実施態様を詳細に説明
する。
めに以下に種々の好ましい実施態様を詳細に説明
する。
ここに例示した新規なフルオロベンジルスクア
ライン化合物を含む特定の光応答装置を参照して
好ましい実施態様を以下に説明する。均等な化合
物も本発明の範囲内に含まれるものであることに
留意されたい。
ライン化合物を含む特定の光応答装置を参照して
好ましい実施態様を以下に説明する。均等な化合
物も本発明の範囲内に含まれるものであることに
留意されたい。
第1図には本発明の光応答装置が例示されてお
り、この装置は支持体1と、任意に樹脂バインダ
ー組成物4に分散されている新規なスクアライン
化合物、ビス(2−フルオロ−4−メチルベンジ
ルアミノフエニル)スクアラインを含む光導電性
層3と、不活性バインダー組成物7に分散された
電荷キヤリヤ正孔輪送層5によつて構成されてい
る。
り、この装置は支持体1と、任意に樹脂バインダ
ー組成物4に分散されている新規なスクアライン
化合物、ビス(2−フルオロ−4−メチルベンジ
ルアミノフエニル)スクアラインを含む光導電性
層3と、不活性バインダー組成物7に分散された
電荷キヤリヤ正孔輪送層5によつて構成されてい
る。
第2図には第1図に示されたものと実質的に同
一の装置が示されている。但し第2図では正孔輪
送層が支持体と光導電性層の間に配置されてい
る。この図面に関し、さらに具体的に述べると、
この光応答装置は支持体15と、不活性な樹脂バ
インダー組成物18中に分散された正孔輪送組成
物からなる正孔輪送層17と、任意に樹脂バイン
ダー組成物21に分散された本発明のスクアライ
ン化合物、ビス(2−フルオロ−4−メチルベン
ジルアミノフエニル)スクアラインからなる光導
電性層20によつて構成されている。
一の装置が示されている。但し第2図では正孔輪
送層が支持体と光導電性層の間に配置されてい
る。この図面に関し、さらに具体的に述べると、
この光応答装置は支持体15と、不活性な樹脂バ
インダー組成物18中に分散された正孔輪送組成
物からなる正孔輪送層17と、任意に樹脂バイン
ダー組成物21に分散された本発明のスクアライ
ン化合物、ビス(2−フルオロ−4−メチルベン
ジルアミノフエニル)スクアラインからなる光導
電性層20によつて構成されている。
第3図は本発明の光応答装置を示している。こ
の装置は支持体8と、正孔遮断金属酸化物層9
と、任意の接着層10と、電荷キヤリヤ無機光発
生層11と、スペクトルの赤外および/または可
視光領域における光発生層11の固有の性質を増
大し、または低減するようなビス(2−フルオロ
−4−メチルベンジルアミノフエニル)スクアラ
インを含む有機光導電性組成物層12と、電荷キ
ヤリヤすなわち正孔輪送層14によつて構成され
ている。光発生層11は任意に樹脂バインダー組
成物16に分散された光発生物質によつて一般に
構成されており、同様に有機光導電性層12は任
意に樹脂バインダー19に分散されたフルオロス
クアライン化合物を含んでいる。電荷輪送層14
は、任意に不活性の樹脂バインダー物質23に分
散されたアミン組成物のような電化輪送物質を含
んでいる。
の装置は支持体8と、正孔遮断金属酸化物層9
と、任意の接着層10と、電荷キヤリヤ無機光発
生層11と、スペクトルの赤外および/または可
視光領域における光発生層11の固有の性質を増
大し、または低減するようなビス(2−フルオロ
−4−メチルベンジルアミノフエニル)スクアラ
インを含む有機光導電性組成物層12と、電荷キ
ヤリヤすなわち正孔輪送層14によつて構成され
ている。光発生層11は任意に樹脂バインダー組
成物16に分散された光発生物質によつて一般に
構成されており、同様に有機光導電性層12は任
意に樹脂バインダー19に分散されたフルオロス
クアライン化合物を含んでいる。電荷輪送層14
は、任意に不活性の樹脂バインダー物質23に分
散されたアミン組成物のような電化輪送物質を含
んでいる。
第4図は第3図に示されたものと基本的に同じ
装置を示している。但し第4図の装置においては
光導電性層12は無機光発生層11と支持体8と
の間に配置されている。さらに具体的にいえばこ
の実施態様において光導電性層12は任意の接着
剤層10と無機光発生層11との間に配置されて
いる。
装置を示している。但し第4図の装置においては
光導電性層12は無機光発生層11と支持体8と
の間に配置されている。さらに具体的にいえばこ
の実施態様において光導電性層12は任意の接着
剤層10と無機光発生層11との間に配置されて
いる。
第5図には本発明のさらに別の光応答装置が示
されている。この装置では支持体25は厚みが約
100オングストロームの20%透過性アルミニウム
の層を含む厚みが3ミル(0.0762mm)のマイラー
で構成され、金属酸化物層27は約20オングスト
ロームの厚みの酸化アルミニウムで構成され、ポ
リエステル接着剤層29のポリエステルはE.l.デ
ユポンから49000ポリエステルとして市販されて
おり、この層は厚みが0.5ミクロンであり、無機
光発生層31は約2.0ミクロンの厚みをもち、ポ
リビニルカルバゾールバインダー32(90重量
%)中のNa2SeO3とNe2CO3をドーピングした三
方晶系セレン(10重量%)で構成されており、光
導電性層33は約0.5ミクロンの厚みをもち、樹
脂バインダー34(グツドイヤーケミカルから市
販されているPE−200、ポリエステル)の70重量
%中に分散されたビス(2−フルオロ−4−メチ
ルベンジルアミノフエニル)スクアライン30重量
%から構成されており、かつ正孔輪送層25は約
25ミクロンの厚みをもち、ポリカーボネート樹脂
バインダー36に分散されたN,N′−ジフエニ
ル−N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−〔1,
1′−ビフエニル〕−4,4′−ジアミン50重量%を
含んでいる。
されている。この装置では支持体25は厚みが約
100オングストロームの20%透過性アルミニウム
の層を含む厚みが3ミル(0.0762mm)のマイラー
で構成され、金属酸化物層27は約20オングスト
ロームの厚みの酸化アルミニウムで構成され、ポ
リエステル接着剤層29のポリエステルはE.l.デ
ユポンから49000ポリエステルとして市販されて
おり、この層は厚みが0.5ミクロンであり、無機
光発生層31は約2.0ミクロンの厚みをもち、ポ
リビニルカルバゾールバインダー32(90重量
%)中のNa2SeO3とNe2CO3をドーピングした三
方晶系セレン(10重量%)で構成されており、光
導電性層33は約0.5ミクロンの厚みをもち、樹
脂バインダー34(グツドイヤーケミカルから市
販されているPE−200、ポリエステル)の70重量
%中に分散されたビス(2−フルオロ−4−メチ
ルベンジルアミノフエニル)スクアライン30重量
%から構成されており、かつ正孔輪送層25は約
25ミクロンの厚みをもち、ポリカーボネート樹脂
バインダー36に分散されたN,N′−ジフエニ
ル−N,N′−ビス(3−メチルフエニル)−〔1,
1′−ビフエニル〕−4,4′−ジアミン50重量%を
含んでいる。
第1図〜第5図に関連しこの光導電性層は式
〜によつて特定されたスクアライン化合物を含
むことができる。
〜によつて特定されたスクアライン化合物を含
むことができる。
さらにこれらの図面について説明する。支持体
は市販のポリマーであるマイラーをはじめとす
る、無機または有機ポリマー材料のような絶縁性
材料の層;インジウム錫酸化物のような半導体表
面層を有する有機または無機材料の層またはその
上にアルミニウムが配置されたもの、あるいはア
ルミニウム、クロム、ニツケル、黄銅などの導電
性材料の層で構成することができる。支持体は可
撓性であつても硬質のものであつてもよく、多く
は多数のさまざまな異なる形状、例えばプレー
ト、円筒ドラム、スクロール、エンドレスフレキ
シブルベルトなどの形をとつている。好ましくは
支持体はエンドレスフレキシブルベルトの形成で
ある。ある場合には特に支持体が有機ポリマー材
料、アンチカール層、例えばマクロロンとして市
販されているポリカーボネート材料である場合に
は支持体の裏側にコーテイングをすることが望ま
しい。
は市販のポリマーであるマイラーをはじめとす
る、無機または有機ポリマー材料のような絶縁性
材料の層;インジウム錫酸化物のような半導体表
面層を有する有機または無機材料の層またはその
上にアルミニウムが配置されたもの、あるいはア
ルミニウム、クロム、ニツケル、黄銅などの導電
性材料の層で構成することができる。支持体は可
撓性であつても硬質のものであつてもよく、多く
は多数のさまざまな異なる形状、例えばプレー
ト、円筒ドラム、スクロール、エンドレスフレキ
シブルベルトなどの形をとつている。好ましくは
支持体はエンドレスフレキシブルベルトの形成で
ある。ある場合には特に支持体が有機ポリマー材
料、アンチカール層、例えばマクロロンとして市
販されているポリカーボネート材料である場合に
は支持体の裏側にコーテイングをすることが望ま
しい。
支持体層の厚みは経済的な観点も含めて多くの
フアクターによつて決められる。従つてこの層は
装置に悪影響を及ぼさない限りにおいて例えば
100ミル(2.54mm)を越える十分な厚み、あるい
は最小の厚みとすることができる。好ましい一実
施態様ではこの層の厚みは約3ミル(0.0762mm)
〜約10ミル(0.254mm)である。
フアクターによつて決められる。従つてこの層は
装置に悪影響を及ぼさない限りにおいて例えば
100ミル(2.54mm)を越える十分な厚み、あるい
は最小の厚みとすることができる。好ましい一実
施態様ではこの層の厚みは約3ミル(0.0762mm)
〜約10ミル(0.254mm)である。
正孔遮断属酸化物層は酸化アルミニウムなどを
はじめとする種々の適切な既知物質で構成するこ
とができる。この層の主たる目的は正孔の遮断、
すなわち帯電の際におよび帯電の後に支持体から
正孔が注入するのを阻止することである。典型的
にはこの層の厚みは50オングストロームよりも小
さい。
はじめとする種々の適切な既知物質で構成するこ
とができる。この層の主たる目的は正孔の遮断、
すなわち帯電の際におよび帯電の後に支持体から
正孔が注入するのを阻止することである。典型的
にはこの層の厚みは50オングストロームよりも小
さい。
接着剤層は、一般にポリエステル、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルピロリドンなどをはじめ
とするポリマー材料で構成される。典型的にはこ
の層の厚みは約0.6ミクロンより小さい。
ブチラール、ポリビニルピロリドンなどをはじめ
とするポリマー材料で構成される。典型的にはこ
の層の厚みは約0.6ミクロンより小さい。
無機光発生層は可視光に対して感光性の既知の
光導電性電荷キヤリヤ発生材料で構成することが
できる。例えば非晶質セレン、非晶質セレン合
金、ハロゲンをドーピングした非晶質セレン、ハ
ロゲンをドーピングした非晶質セレン合金、三方
晶系セレン、周期律A族およびA族元素の混
合物、三方晶系セレンを有する亜セレン酸および
炭酸塩(これらのものについては、米国特許第
4232102号、および第4233283号を参照されたい。)
硫化カドミウム、セレン化カドミウム、テルル化
カドミウム、セレン化硫黄カドミウム、テルル化
硫黄カドミウム、テルル化セレンカドミウム、銅
および塩素をドーピングした硫化カドミウム、セ
レン化カドミウムおよびセレン化硫黄カドミウム
などがある。本発明の範囲に含まれるセレンの合
金としてはセレンテルル合金、セレンヒ素合金、
セレンテルルヒ素金および好ましくは塩素のよう
なハロゲン材料を約50〜約200ppmの量で含む合
金が挙げられる。
光導電性電荷キヤリヤ発生材料で構成することが
できる。例えば非晶質セレン、非晶質セレン合
金、ハロゲンをドーピングした非晶質セレン、ハ
ロゲンをドーピングした非晶質セレン合金、三方
晶系セレン、周期律A族およびA族元素の混
合物、三方晶系セレンを有する亜セレン酸および
炭酸塩(これらのものについては、米国特許第
4232102号、および第4233283号を参照されたい。)
硫化カドミウム、セレン化カドミウム、テルル化
カドミウム、セレン化硫黄カドミウム、テルル化
硫黄カドミウム、テルル化セレンカドミウム、銅
および塩素をドーピングした硫化カドミウム、セ
レン化カドミウムおよびセレン化硫黄カドミウム
などがある。本発明の範囲に含まれるセレンの合
金としてはセレンテルル合金、セレンヒ素合金、
セレンテルルヒ素金および好ましくは塩素のよう
なハロゲン材料を約50〜約200ppmの量で含む合
金が挙げられる。
光発生層はまた例えば金属フタロシアニン、金
属を含まないフタロシアニン、バナジルフタロシ
アニンなどをはじめとする有機材料を含むことが
できる。フタロシアニン物質の例は米国特許第
4265990号に記載されているのでこれを参照され
たい。光発生層の好ましい有機物質としてはバナ
ジルフタロシアニンおよびX−金属を含まないフ
タロシアニンが挙げられる。
属を含まないフタロシアニン、バナジルフタロシ
アニンなどをはじめとする有機材料を含むことが
できる。フタロシアニン物質の例は米国特許第
4265990号に記載されているのでこれを参照され
たい。光発生層の好ましい有機物質としてはバナ
ジルフタロシアニンおよびX−金属を含まないフ
タロシアニンが挙げられる。
この層の厚みは一般的に約0.05ミクロン〜約10
ミクロンあるいはこれ以上であり、好ましくは約
0.4ミクロン〜約3ミクロンであるが、この層の
厚みは主として光導電性物質の重量に依存してお
り、その重量は5〜100重量%の範囲で変り得る。
一般にこの層の厚みは、この層に対して画像また
は印刷露光工程において向けられる入射光の約90
%以上を吸収するのに十分な厚みにすることが望
ましい。この層の最大の厚みは機械的な事柄、例
えばフレキシブルな光応答装置が望まれているか
どうかというようなフアクターによつて主として
決定される。
ミクロンあるいはこれ以上であり、好ましくは約
0.4ミクロン〜約3ミクロンであるが、この層の
厚みは主として光導電性物質の重量に依存してお
り、その重量は5〜100重量%の範囲で変り得る。
一般にこの層の厚みは、この層に対して画像また
は印刷露光工程において向けられる入射光の約90
%以上を吸収するのに十分な厚みにすることが望
ましい。この層の最大の厚みは機械的な事柄、例
えばフレキシブルな光応答装置が望まれているか
どうかというようなフアクターによつて主として
決定される。
本発明の光応答装置の極めて重要な層は式、
、およびで示された新規なスクアライン化
合物で構成された光導電性層である。これらの化
合物は一般に電荷キヤリヤ輪送層と電子的に適合
するものであり、光によつて励起された電荷キヤ
リヤを輪送層中に注入せしめることができ、さら
に光導電性層と電荷輪送層との間の界面を越えて
両方向に電荷キヤリヤを移送させることができ
る。
、およびで示された新規なスクアライン化
合物で構成された光導電性層である。これらの化
合物は一般に電荷キヤリヤ輪送層と電子的に適合
するものであり、光によつて励起された電荷キヤ
リヤを輪送層中に注入せしめることができ、さら
に光導電性層と電荷輪送層との間の界面を越えて
両方向に電荷キヤリヤを移送させることができ
る。
一般に光導電性層の厚みはその他の層の厚み、
およびこの層中に含まれている光導電性材料の濃
度などのさまざまなフアクターによつて決められ
る。従つてこの層は光導電性スクアライン化合物
が約5重量%〜約100重量%の量で存在する場合
約0.05ミクロン〜約10ミクロンの範囲であり、好
ましくはこの層の厚みは光導電性スクアライン化
合物がこの層中に約30重量%存在している場合に
約0.25ミクロン〜約1ミクロンの範囲である。こ
の層の最大の厚みは主として機械的な観点、例え
ばフレキシブルな光応答装置が望まれているかど
うかという事柄によつて決められる。
およびこの層中に含まれている光導電性材料の濃
度などのさまざまなフアクターによつて決められ
る。従つてこの層は光導電性スクアライン化合物
が約5重量%〜約100重量%の量で存在する場合
約0.05ミクロン〜約10ミクロンの範囲であり、好
ましくはこの層の厚みは光導電性スクアライン化
合物がこの層中に約30重量%存在している場合に
約0.25ミクロン〜約1ミクロンの範囲である。こ
の層の最大の厚みは主として機械的な観点、例え
ばフレキシブルな光応答装置が望まれているかど
うかという事柄によつて決められる。
無機光発生材料または光導電性材料はそれぞれ
の層の100%を構成することができる。あるいは
これらの材料は種々の適当な無機または樹脂性ポ
リマーバインダー材料中に約5重量%〜約95重量
%の量で好ましくは約25重量%〜約75重量%の量
で分散させることができる。光発生組成物のため
に選択することができるポリマーバインダー樹脂
材料の例としては、例えば米国特許第3121006号
に記載されているようなものが挙げられる。この
特許にはポリエステル、ポリビニルブラチラー
ル、ホルムバール(登録商標)、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリビニルカルバゾール、エポキシ樹
脂、フエノキシ樹脂、特に市販のポリ(ヒドロキ
シエーテル)樹脂などが開示されている。フルオ
ロスクアライン光導電性化合物の樹脂バインダー
は光発生バインダーに関連してここに説明したも
のと同じバインダー材料から選択することができ
るが、光導電性材料の樹脂バインダーは一般にマ
クロロンとして市販されているようなポリカーボ
ネート、グツドイヤーケミカルからPE−200とし
て市販されているようなポリエステル、ポリビニ
ルホルマールおよびポリビニルブチラールから選
択される。
の層の100%を構成することができる。あるいは
これらの材料は種々の適当な無機または樹脂性ポ
リマーバインダー材料中に約5重量%〜約95重量
%の量で好ましくは約25重量%〜約75重量%の量
で分散させることができる。光発生組成物のため
に選択することができるポリマーバインダー樹脂
材料の例としては、例えば米国特許第3121006号
に記載されているようなものが挙げられる。この
特許にはポリエステル、ポリビニルブラチラー
ル、ホルムバール(登録商標)、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリビニルカルバゾール、エポキシ樹
脂、フエノキシ樹脂、特に市販のポリ(ヒドロキ
シエーテル)樹脂などが開示されている。フルオ
ロスクアライン光導電性化合物の樹脂バインダー
は光発生バインダーに関連してここに説明したも
のと同じバインダー材料から選択することができ
るが、光導電性材料の樹脂バインダーは一般にマ
クロロンとして市販されているようなポリカーボ
ネート、グツドイヤーケミカルからPE−200とし
て市販されているようなポリエステル、ポリビニ
ルホルマールおよびポリビニルブチラールから選
択される。
本発明の一実施態様では以下に説明するジアミ
ンのような電荷キヤリヤ輪送材料が光発生層また
は光導電性層の中に例えば約0重量%〜60重量%
の範囲の量で導入される。
ンのような電荷キヤリヤ輪送材料が光発生層また
は光導電性層の中に例えば約0重量%〜60重量%
の範囲の量で導入される。
層14のような電荷キヤリヤ輪送層は正孔を輪
送することができる多数の適切な材料で構成する
ことができる。この層は一般に約5ミクロン〜約
50ミクロン、好ましくは約10ミクロン〜約40ミク
ロンの範囲の厚みをもつている。好ましい実施態
様ににおいてこの輪送層は高度にに絶縁性の透明
な有機樹脂バインダー中に分散された次式で表さ
れる分子を含んでいる。
送することができる多数の適切な材料で構成する
ことができる。この層は一般に約5ミクロン〜約
50ミクロン、好ましくは約10ミクロン〜約40ミク
ロンの範囲の厚みをもつている。好ましい実施態
様ににおいてこの輪送層は高度にに絶縁性の透明
な有機樹脂バインダー中に分散された次式で表さ
れる分子を含んでいる。
上記式中Xはオルト−CH3、メタ−CH3、パラ
−CH3、オルト−Cl、メタ−Cl、パラ−Clからな
る群から選ばれる。高度に絶縁性の樹脂は不適切
な暗減衰を防止するために少なくとも1012オーム
−cmの固有抵抗をもつており、必ずしも正孔の注
入を支持することができるとは限らない材料であ
る。しかし絶縁性の樹脂はそれが約10〜75重量%
の上記式に対応する置換されたN,N,N′,
N′−テトラフエニル−〔1,1−ビフエニル〕−
4,4′−ジアミンを含んでいる場合には電気的に
活性になる。
−CH3、オルト−Cl、メタ−Cl、パラ−Clからな
る群から選ばれる。高度に絶縁性の樹脂は不適切
な暗減衰を防止するために少なくとも1012オーム
−cmの固有抵抗をもつており、必ずしも正孔の注
入を支持することができるとは限らない材料であ
る。しかし絶縁性の樹脂はそれが約10〜75重量%
の上記式に対応する置換されたN,N,N′,
N′−テトラフエニル−〔1,1−ビフエニル〕−
4,4′−ジアミンを含んでいる場合には電気的に
活性になる。
上記式に対応する化合物は例えばN,N′−ジ
フエニル−N,N′−ビス(アルキルフエニル)−
〔1,1−ビフエニル〕4,4′−ジアミンであり、
アルキルは2−メチル、3−メチルおよび4−メ
チルのようなメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ヘキシルなどからなる群から選ばれる。ハロ
置換基をもつている場合、このアミンはN,
N′−ジフエニル−N,N′−ビス(ハロフエニル)
−〔1,1′−ビフエニル〕−4,4′−ジアミンであ
り、ハロは2−クロロ、3−クロロまたは4−ク
ロロである。
フエニル−N,N′−ビス(アルキルフエニル)−
〔1,1−ビフエニル〕4,4′−ジアミンであり、
アルキルは2−メチル、3−メチルおよび4−メ
チルのようなメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ヘキシルなどからなる群から選ばれる。ハロ
置換基をもつている場合、このアミンはN,
N′−ジフエニル−N,N′−ビス(ハロフエニル)
−〔1,1′−ビフエニル〕−4,4′−ジアミンであ
り、ハロは2−クロロ、3−クロロまたは4−ク
ロロである。
電気的に不活性の樹脂に分散させて正孔を輪送
するような層を形成することができる。その他の
電気的に活性な小分子としては、ビス(4−ジエ
チルアミノ−2−メチルフエニル)フエニルメタ
ン;4′,4′−ビス(ジエチルアミノ)−2′,2′−ジ
メチルトリフエニルメタン;ビス−4−(ジエチ
ルアミノフエニル)フエニルメタン;および4,
4′−ビス(ジエチルアミノ)−2,2′−ジメチル
トリフエニルメタンが挙げられる。
するような層を形成することができる。その他の
電気的に活性な小分子としては、ビス(4−ジエ
チルアミノ−2−メチルフエニル)フエニルメタ
ン;4′,4′−ビス(ジエチルアミノ)−2′,2′−ジ
メチルトリフエニルメタン;ビス−4−(ジエチ
ルアミノフエニル)フエニルメタン;および4,
4′−ビス(ジエチルアミノ)−2,2′−ジメチル
トリフエニルメタンが挙げられる。
本発明の目的が達成されるということを条件と
してその他の電荷キヤリヤ輪送分子を本発明の光
導電性装置のために選択することができる。
してその他の電荷キヤリヤ輪送分子を本発明の光
導電性装置のために選択することができる。
輪送層用の高度に絶縁性の透明な樹脂材料すな
わち不活性バインダー樹脂材料の例としては、米
国特許第3121006号に記載されたような材料が挙
げられるので、この特許を参照されたい。有機樹
脂材料の具体的な例としてはポリカーボネート、
アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロ
ースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、
ポリアミド、ポリウレタンおよびエポキシならび
にこれらのブロツクポリマー、ランダムコポリマ
ーあるいは交互コポリマーが挙げられる。好まし
い電気的に不活性なバインダー材料は分子量が約
20000〜約100000のポリカーボネート樹脂であり、
分子量が約50000〜約100000の範囲にあるものが
特に好ましい。一般に樹脂バインダーは上記式に
対応する活性材料約10〜約75重量%、好ましくは
この材料約35%〜約50%を含んでいる。
わち不活性バインダー樹脂材料の例としては、米
国特許第3121006号に記載されたような材料が挙
げられるので、この特許を参照されたい。有機樹
脂材料の具体的な例としてはポリカーボネート、
アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロ
ースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、
ポリアミド、ポリウレタンおよびエポキシならび
にこれらのブロツクポリマー、ランダムコポリマ
ーあるいは交互コポリマーが挙げられる。好まし
い電気的に不活性なバインダー材料は分子量が約
20000〜約100000のポリカーボネート樹脂であり、
分子量が約50000〜約100000の範囲にあるものが
特に好ましい。一般に樹脂バインダーは上記式に
対応する活性材料約10〜約75重量%、好ましくは
この材料約35%〜約50%を含んでいる。
ここに示した光応答装置を用いて画像を形成す
る方法も本発明の範囲に含まれる。これらの画像
形成方法は一般式に画像要素上に静電潜像を形成
し、この潜像を既知の現像剤組成物で現像し、次
にこの像を適当な支持体に転写し、そこにこの像
を永久的に定着する工程を含んでいる。この装置
が印刷モードにおいて使用されるような環境にお
いては、画像形成方法は同様の工程を含んでいる
が、露光工程が広範囲のスペクトルの白色光源で
はなくレーザー装置またはイメージバーによつて
達成される点において異なつている。後者の実施
態様では赤外光に感光性の光応答装置が選ばれ
る。
る方法も本発明の範囲に含まれる。これらの画像
形成方法は一般式に画像要素上に静電潜像を形成
し、この潜像を既知の現像剤組成物で現像し、次
にこの像を適当な支持体に転写し、そこにこの像
を永久的に定着する工程を含んでいる。この装置
が印刷モードにおいて使用されるような環境にお
いては、画像形成方法は同様の工程を含んでいる
が、露光工程が広範囲のスペクトルの白色光源で
はなくレーザー装置またはイメージバーによつて
達成される点において異なつている。後者の実施
態様では赤外光に感光性の光応答装置が選ばれ
る。
次に本発明の特定の好ましい実施態様を参照し
て本発明を詳細に説明する。これらの実施態様は
例示することのみを目的としていることが理解さ
れなければならない。本発明はここに引用された
材料、条件またはプロセスのパラメーターに限定
されるものではない。すべての部および百分率は
他に明記されていない限り重量によるものであ
る。
て本発明を詳細に説明する。これらの実施態様は
例示することのみを目的としていることが理解さ
れなければならない。本発明はここに引用された
材料、条件またはプロセスのパラメーターに限定
されるものではない。すべての部および百分率は
他に明記されていない限り重量によるものであ
る。
実施例
500mlの丸底フラスコにアルドリツチケミカル
製のm−フルオロアニリン124.7g(1.12モル)
とアルドリツチケミカル製のオルトギ酸トリメチ
ル178.6g(1.68モル)を入れた。次に濃硫酸4.6
gを混合しながら加えた。次いでフラスコを真空
ジヤケツト付のビグルー蒸留カラム(直径3/4イ
ンチ(1.9cm)×長さ12インチ(30cm))に取付け、
混合物を約120℃の油浴温度で撹拌しながら加熱
した。約175mlのメタノールが1時間で蒸留され
た。次いで浴温をゆつくり約205℃まで上昇させ
その温度で30分保持した。さらに約25mlの揮発性
物質がこの間に蒸留された。
製のm−フルオロアニリン124.7g(1.12モル)
とアルドリツチケミカル製のオルトギ酸トリメチ
ル178.6g(1.68モル)を入れた。次に濃硫酸4.6
gを混合しながら加えた。次いでフラスコを真空
ジヤケツト付のビグルー蒸留カラム(直径3/4イ
ンチ(1.9cm)×長さ12インチ(30cm))に取付け、
混合物を約120℃の油浴温度で撹拌しながら加熱
した。約175mlのメタノールが1時間で蒸留され
た。次いで浴温をゆつくり約205℃まで上昇させ
その温度で30分保持した。さらに約25mlの揮発性
物質がこの間に蒸留された。
次に反応混合物を室温まで冷却し蒸留装置を真
空ポンプに連結した。分離された透明な黄色の液
状生成物であるN−メチル−m−フルオロホルム
アニリドを単離し、真空蒸留によつて精製する
と、この化合物108.4g(収率約63%)が得られ
た。この生成物は0.19mmHgにおいて約78℃で沸
騰する。
空ポンプに連結した。分離された透明な黄色の液
状生成物であるN−メチル−m−フルオロホルム
アニリドを単離し、真空蒸留によつて精製する
と、この化合物108.4g(収率約63%)が得られ
た。この生成物は0.19mmHgにおいて約78℃で沸
騰する。
実施例
1のフラスコに実施例で調製したN−メチ
ル−m−フルオロホルムアニリド108.4g(0.71
モル)を10%塩酸350mlにより2時間還流温度で
加水分解した。次に混合物を室温まで冷却し、15
%水酸化カリウム溶液を用いて塩基性にした。生
成した有機層を次に分離した。得られた水性層を
先ず炭酸カリウムで飽和し、次にエーテルで抽出
した(2×400ml)。有機分画を合わせ、水で洗
い、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリ
−エバポレーターでエーテルを除去した後、減圧
蒸留を行いN−メチル−m−フルオロアニリン
76.5g(収率87%)を無色液体として単離した。
この生成物は10mmHgで約80℃で沸騰する。
ル−m−フルオロホルムアニリド108.4g(0.71
モル)を10%塩酸350mlにより2時間還流温度で
加水分解した。次に混合物を室温まで冷却し、15
%水酸化カリウム溶液を用いて塩基性にした。生
成した有機層を次に分離した。得られた水性層を
先ず炭酸カリウムで飽和し、次にエーテルで抽出
した(2×400ml)。有機分画を合わせ、水で洗
い、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリ
−エバポレーターでエーテルを除去した後、減圧
蒸留を行いN−メチル−m−フルオロアニリン
76.5g(収率87%)を無色液体として単離した。
この生成物は10mmHgで約80℃で沸騰する。
MS:マススペクトル125(M+)
計算値(C7H8NFとして)
C,67.18,H,6.44,N,11.19,
F,15.18
測定値 C,67.24,H,6.43,N,11.32,
F,14.92
実施例
実施例で調製したN−メチル−m−フルオロ
アニリン、18.3gのベンジルクロライド(0.14モ
ル、アルドリツチケミカル製)、11.9gの無水酢
酸ナトリウムおよび0.12gのヨウ素の混合物を約
110℃の油浴温度で12〜16時間加熱した。次に反
応混合物を室温まで冷却し約100mlの水を入れた
250mlの分液ロートに移した。この生成物の溶液
を水酸化ナトリウム溶液で塩基性にし、次いでエ
ーテルで抽出した(4×80ml)。エーテル抽出物
を合わせて水洗し次いで無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。ロータリーエバポレーターによりエー
テルを除去した後、真空ジヤケツト付のビグルー
蒸留カラムを用いて真空蒸留により生成物を単離
した。生成物N−メチル−N−ベンジル−m−フ
ルオロアニリンは無色の液体として約0.2mmHg
において133〜138℃で単離された。収量21.8g
(約90%)。
アニリン、18.3gのベンジルクロライド(0.14モ
ル、アルドリツチケミカル製)、11.9gの無水酢
酸ナトリウムおよび0.12gのヨウ素の混合物を約
110℃の油浴温度で12〜16時間加熱した。次に反
応混合物を室温まで冷却し約100mlの水を入れた
250mlの分液ロートに移した。この生成物の溶液
を水酸化ナトリウム溶液で塩基性にし、次いでエ
ーテルで抽出した(4×80ml)。エーテル抽出物
を合わせて水洗し次いで無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。ロータリーエバポレーターによりエー
テルを除去した後、真空ジヤケツト付のビグルー
蒸留カラムを用いて真空蒸留により生成物を単離
した。生成物N−メチル−N−ベンジル−m−フ
ルオロアニリンは無色の液体として約0.2mmHg
において133〜138℃で単離された。収量21.8g
(約90%)。
MS:215(M+)
計算値(C14H14NF)として
C,78.11,H,6.56,N,6.51,
F,8.83
測定値 C,78.14,H,6.72,N,6.54,
F,8.76
実施例
実施例で説明した操作に従い、17.5g(0.14
モル)のN−メチル−m−フルオロアニリン、
23.7g(0.14モル)のp−クロロベンジルクロラ
イド(アルドリツチ)、11.9gの無水酢酸ナトリ
ウムおよび0.12gのヨウ素からN−メチル−N−
p−クロロベンジル−m−フルオロアニリンを調
製した。収率25.8g(74%)沸点0.13mmHgにおい
て162〜170℃、 MS:249(M+) 計算値(C14H13NFCl)として C,67.34,H,5.25;N,5.61; F,7.61;Cl,14.20 測定値 C,67.45;H,5.22;N,5.58; F,7.47;Cl,14.31 実施例 26.3g(0.21モル)のN−メチル−m−フルオ
ロアニリン、30.6g(0.21モル)のp−フルオロ
ベンジルクロライド(アルドリツチ)、17.8gの
無水酢酸ナトリウムおよび0.18gのヨウ素から実
施例の操作に従つてN−メチル−N−p−フル
オロベンジル−m−フルオロアニリンを調製し
た。収率35.4g(72%)沸点131〜137℃/0.2mm
Hg。
モル)のN−メチル−m−フルオロアニリン、
23.7g(0.14モル)のp−クロロベンジルクロラ
イド(アルドリツチ)、11.9gの無水酢酸ナトリ
ウムおよび0.12gのヨウ素からN−メチル−N−
p−クロロベンジル−m−フルオロアニリンを調
製した。収率25.8g(74%)沸点0.13mmHgにおい
て162〜170℃、 MS:249(M+) 計算値(C14H13NFCl)として C,67.34,H,5.25;N,5.61; F,7.61;Cl,14.20 測定値 C,67.45;H,5.22;N,5.58; F,7.47;Cl,14.31 実施例 26.3g(0.21モル)のN−メチル−m−フルオ
ロアニリン、30.6g(0.21モル)のp−フルオロ
ベンジルクロライド(アルドリツチ)、17.8gの
無水酢酸ナトリウムおよび0.18gのヨウ素から実
施例の操作に従つてN−メチル−N−p−フル
オロベンジル−m−フルオロアニリンを調製し
た。収率35.4g(72%)沸点131〜137℃/0.2mm
Hg。
MS:233(M+)
計算値(C14H13NF2として)
C,72.09;H,5.62;N,6.00;F,
16.29 測定値 C,72.00;H,5.64;N,5.92; F,16.14 実施例 実施例に記載した操作に従い、17.5g(0.14
モル)のN−メチル−m−フルオロアニリン、23
g(0.14モル)のm−クロロベンジルクロライド
(アルドリツチ)、11.9gの無水酢酸ナトリウムお
よび0.12gのヨウ素からN−メチル−N−m−ク
ロロベンジル−m−フルオロアニリンを調製し
た。収率28.6g(83.7%)沸点172℃/0.07mmHg。
16.29 測定値 C,72.00;H,5.64;N,5.92; F,16.14 実施例 実施例に記載した操作に従い、17.5g(0.14
モル)のN−メチル−m−フルオロアニリン、23
g(0.14モル)のm−クロロベンジルクロライド
(アルドリツチ)、11.9gの無水酢酸ナトリウムお
よび0.12gのヨウ素からN−メチル−N−m−ク
ロロベンジル−m−フルオロアニリンを調製し
た。収率28.6g(83.7%)沸点172℃/0.07mmHg。
MS:249(M+)
計算値(C14H13NFClとして)
C,67.34,H,5.25;N,5.61;
Cl,14.20
測定値 C,67.20,H,5.39,N,5.77,
Cl,14.42
実施例
スクアリン酸1.14g(10ミリモル)と、実施例
の操作に従つて調製したN−メチル−N−ベン
ジル−m−フルオロアニリン4.31g(20ミリモ
ル)を約130℃の油浴温度でトルエン(40ml)と
1−ブタノール(40ml)の混合物中で還流加熱し
た。デイーンシユタルクトラツプにより水を共沸
除去した。8時間後、反応混合物を室温まで冷却
した。生成物、ビス(2−フルオロ−4−メチル
ベンジルアミノフエニル)スクアラインを過し
て集めた。生成物をエーテルで洗洗し、真空乾燥
して緑色色素生成物0.26g(4.7%)を得た。
の操作に従つて調製したN−メチル−N−ベン
ジル−m−フルオロアニリン4.31g(20ミリモ
ル)を約130℃の油浴温度でトルエン(40ml)と
1−ブタノール(40ml)の混合物中で還流加熱し
た。デイーンシユタルクトラツプにより水を共沸
除去した。8時間後、反応混合物を室温まで冷却
した。生成物、ビス(2−フルオロ−4−メチル
ベンジルアミノフエニル)スクアラインを過し
て集めた。生成物をエーテルで洗洗し、真空乾燥
して緑色色素生成物0.26g(4.7%)を得た。
融点 239.5−240.5℃
計算値:(C32H26N2F2O2として)
C,75.58,H,5.15,N,5.51,
F,7.47
測定値 C,75.43,H,5.10,N,5.68,
F,7.38
実施例
1.14g(10ミリモル)のスクアリン酸と4.31g
(20ミリモル)のN−メチル−N−ベンジル−m
−フルオロアニリンを約70mmHgの減圧下、約
105℃の油浴温度で1−ヘプタノール50ml中で反
応させた。デイーンシユタルクトラツプにより水
を共沸留去させ集めた。20時間後、混合物を室温
まで冷却し、過した。色素生成物をメタノール
およびエーテルで洗浄し、真空乾燥すると1.48g
(29.1%)の緑色色素ビス(2−フルオロ−4−
メチルベンジルアミノフエニル)スクアラインが
得られた。この生成物を、実施例の操作に従つ
て同定を行い、実質的に同一の結果を得た。
(20ミリモル)のN−メチル−N−ベンジル−m
−フルオロアニリンを約70mmHgの減圧下、約
105℃の油浴温度で1−ヘプタノール50ml中で反
応させた。デイーンシユタルクトラツプにより水
を共沸留去させ集めた。20時間後、混合物を室温
まで冷却し、過した。色素生成物をメタノール
およびエーテルで洗浄し、真空乾燥すると1.48g
(29.1%)の緑色色素ビス(2−フルオロ−4−
メチルベンジルアミノフエニル)スクアラインが
得られた。この生成物を、実施例の操作に従つ
て同定を行い、実質的に同一の結果を得た。
実施例
N−メチル−N−ベンジル−m−フルオロアニ
リンの代わりに、実施例の操作に従つて調製し
た4.66g(約20ミリモル)のN−メチル−N−p
−フルオロベンジルアニリンを用いた他は実施例
の操作を繰返した。色素、ビス(2−フルオロ
−4−メチル−p−フルオロベンジルアミノフエ
ニル)スクアライン0.05g(収率0.9%)が得ら
れた。
リンの代わりに、実施例の操作に従つて調製し
た4.66g(約20ミリモル)のN−メチル−N−p
−フルオロベンジルアニリンを用いた他は実施例
の操作を繰返した。色素、ビス(2−フルオロ
−4−メチル−p−フルオロベンジルアミノフエ
ニル)スクアライン0.05g(収率0.9%)が得ら
れた。
融点:201.5−202.5℃
計算値:(C32H24N2F4O2として)
C,70.58,H,4.44,N,5.14,
F,13.96
測定値 C,70.60,H,4.50,N,5.03,
F,14.17
実施例
N−メチル−N−ベンジル−m−フルオロアニ
リンの代りに4.66g(20ミリモル)のN−メチル
−N−p−フルオロベンジルアニリンを使用した
他は実施例の操作を繰返した。生成物、ビス
(2−フルオロ−4−メチル−p−フルオロベン
ジルアミノフエニル)スクアライン1.57g(収率
28%)が得られた。この生成物を実施例9の操作
に従つて同定し、実質的に同一の結果を得た。
リンの代りに4.66g(20ミリモル)のN−メチル
−N−p−フルオロベンジルアニリンを使用した
他は実施例の操作を繰返した。生成物、ビス
(2−フルオロ−4−メチル−p−フルオロベン
ジルアミノフエニル)スクアライン1.57g(収率
28%)が得られた。この生成物を実施例9の操作
に従つて同定し、実質的に同一の結果を得た。
実施例 XI
N−メチル−N−ベンジル−m−フルオロアニ
リンの代りに4.98g(20ミリモル)のN−メチル
−N−p−クロロベンジル−m−フルオロアニリ
ンを用いた他は実施例の操作を繰返した。ビス
(2−フルオロ−4−メチル−p−クロロベンジ
ルアミノフエニル)スクアライン1.64g(収率
28.4%)が得られた。
リンの代りに4.98g(20ミリモル)のN−メチル
−N−p−クロロベンジル−m−フルオロアニリ
ンを用いた他は実施例の操作を繰返した。ビス
(2−フルオロ−4−メチル−p−クロロベンジ
ルアミノフエニル)スクアライン1.64g(収率
28.4%)が得られた。
融点:245.5−247.0℃
計算値:(C32H24N2O2F2Cl2として)
C,66.56,H,4.19,N,4.85,
F,6.58,Cl,12.28
測定値 C,66.50,H,4.33,N,4.76,
F,6.54,Cl,12.27
実施例 XII
N−メチル−N−ベンジル−m−フルオロアニ
リンの代りに4.98g(20ミリモル)のN−メチル
−N−m−クロロベンジル−m−フルオロアニリ
ンを用いた他は実施例の操作を繰返した。ビス
(2−フルオロ−4−メチル−−m−クロロベン
ジルアミノフエニル)スクアライン0.67g(収率
11.6%)が得られた。
リンの代りに4.98g(20ミリモル)のN−メチル
−N−m−クロロベンジル−m−フルオロアニリ
ンを用いた他は実施例の操作を繰返した。ビス
(2−フルオロ−4−メチル−−m−クロロベン
ジルアミノフエニル)スクアライン0.67g(収率
11.6%)が得られた。
融点:220.6−221.6℃
計算値:(C32H24N2O2F2Cl2として)
C,66.56,H,4.19,N,4.85,
F,6.58,Cl,12.28
測定値 C,66.67,H,4.30,N,4.86,
F,6.72,Cl,12.28
実施例 XII
光導電性材料として実施例に従つて製造した
スクアラインを電荷輪送層として樹脂バインダー
中に分散されたアミンを含む光応答装置を製造し
た。具体的には厚み150ミクロンの、ボールで砂
目立てしたアルミニウム支持体を用意し、これに
マルチプルクリアランスフイルムアプリケーター
を用いてPCRリサーチケミカルズ(フロリダ)
販売のN−メチル−3−アミノプロピルトリメト
キシランのエタノール溶液(1:2の容積比)の
層を、濡れたときの厚みが0.5ミル(0.0127mm)
で塗布することにより光応答装置を作成した。次
にこの層を室温で5分間乾燥し、さらに強制通風
炉において110℃で10分間キユアリングを行つた。
スクアラインを電荷輪送層として樹脂バインダー
中に分散されたアミンを含む光応答装置を製造し
た。具体的には厚み150ミクロンの、ボールで砂
目立てしたアルミニウム支持体を用意し、これに
マルチプルクリアランスフイルムアプリケーター
を用いてPCRリサーチケミカルズ(フロリダ)
販売のN−メチル−3−アミノプロピルトリメト
キシランのエタノール溶液(1:2の容積比)の
層を、濡れたときの厚みが0.5ミル(0.0127mm)
で塗布することにより光応答装置を作成した。次
にこの層を室温で5分間乾燥し、さらに強制通風
炉において110℃で10分間キユアリングを行つた。
次に30重量%のビス(2−フルオロ−4−メチ
ルベンジルアミノフエニル)スクアラインを含む
光導電層を次のように作成した。
ルベンジルアミノフエニル)スクアラインを含む
光導電層を次のように作成した。
別々の2オンス(60ml)の琥珀色のピンに、
0.33gの上記スクアライン、0.75gのバイテルPE
−200(登録商標)(グツドイヤー製のポリエステ
ル)、85g1/8インチ(3.2mm)のステンレススチ
ール製の散弾および20mlのメチレンクロライドを
加えた。上記混合物をボールミルに24時間かけ
た。得られたスラリーを次にマルチプルクリアラ
ンスフイルムアプリケータを用いて湿潤厚み1ミ
ル(0.0254mm)でアルミニウム支持体に塗布し
た。次にこの層を5分間風乾させた。得られた装
置を次に強制通風炉中135℃で6分間乾燥した。
スクアライン層の乾燥厚みは約1ミクロンであつ
た。上記光導電性層の上に電荷輪送層をオーバー
コートした。この電荷輪送層は次のように作成し
た。
0.33gの上記スクアライン、0.75gのバイテルPE
−200(登録商標)(グツドイヤー製のポリエステ
ル)、85g1/8インチ(3.2mm)のステンレススチ
ール製の散弾および20mlのメチレンクロライドを
加えた。上記混合物をボールミルに24時間かけ
た。得られたスラリーを次にマルチプルクリアラ
ンスフイルムアプリケータを用いて湿潤厚み1ミ
ル(0.0254mm)でアルミニウム支持体に塗布し
た。次にこの層を5分間風乾させた。得られた装
置を次に強制通風炉中135℃で6分間乾燥した。
スクアライン層の乾燥厚みは約1ミクロンであつ
た。上記光導電性層の上に電荷輪送層をオーバー
コートした。この電荷輪送層は次のように作成し
た。
50重量%のマクロロン(登録商標)(ラルベン
サブリツケンバイエルA.G.販売のポリカーボネ
ート樹脂)からなる輪送層を50重量%のN,
N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフ
エニル−4,4′−ジアミンと混合した。この溶液
をメチレンクロライド中9重量%となるように混
合した。これらの成分はすべて琥珀色のビンの中
におかれ溶解された。混合物をマルチプルクリア
ランスフイルムアプリケーター(ウエツトギヤツ
プ厚み15ミル(0.38mm))を用いて上記スクアラ
イン光導電性層の表面に塗布して乾燥厚み30ミク
ロンの層をつくつた。次にこの装置を室温で20分
間風乾しさらに強制通風炉中、135℃で6分間乾
燥した。
サブリツケンバイエルA.G.販売のポリカーボネ
ート樹脂)からなる輪送層を50重量%のN,
N′−ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフ
エニル−4,4′−ジアミンと混合した。この溶液
をメチレンクロライド中9重量%となるように混
合した。これらの成分はすべて琥珀色のビンの中
におかれ溶解された。混合物をマルチプルクリア
ランスフイルムアプリケーター(ウエツトギヤツ
プ厚み15ミル(0.38mm))を用いて上記スクアラ
イン光導電性層の表面に塗布して乾燥厚み30ミク
ロンの層をつくつた。次にこの装置を室温で20分
間風乾しさらに強制通風炉中、135℃で6分間乾
燥した。
次に上記光受容装置を電子写真画像試験装置に
組込み、スチレンn−ブチルメタクリレート樹脂
を含むトナー粒子で現像を行い優れた解像力をも
つ高品質のコピーを得た。
組込み、スチレンn−ブチルメタクリレート樹脂
を含むトナー粒子で現像を行い優れた解像力をも
つ高品質のコピーを得た。
実施例
厚みが3ミル(0.0762mm)のアルミニウム被覆
マイラー支持体を用意し、これにメチレンクロラ
イドおよび1,1,2−トリクロロエタン(4:
1容積比)中0.5重量%のデユポン49000接着剤
(デユポン製ポリエステル)の層を、バードアプ
リケーターを用いて湿潤厚み0.5ミル(0.0127mm)
となるように塗布した。この層を室温で1分間乾
燥し、次いで強制通風炉中100℃で10分間乾燥し
た。得られた層の乾燥厚みは0.5ミクロンであつ
た。
マイラー支持体を用意し、これにメチレンクロラ
イドおよび1,1,2−トリクロロエタン(4:
1容積比)中0.5重量%のデユポン49000接着剤
(デユポン製ポリエステル)の層を、バードアプ
リケーターを用いて湿潤厚み0.5ミル(0.0127mm)
となるように塗布した。この層を室温で1分間乾
燥し、次いで強制通風炉中100℃で10分間乾燥し
た。得られた層の乾燥厚みは0.5ミクロンであつ
た。
10重量%の三方晶系セレン、25重量%のN,
N′−ジフエニル−N,N′−ビス(3−メチルフ
エニル)1,1′−ビフエニル−4,4′−ジアミン
および65重量%のポリビニルカルバゾールを含む
光発生剤層を次のように作成した。
N′−ジフエニル−N,N′−ビス(3−メチルフ
エニル)1,1′−ビフエニル−4,4′−ジアミン
および65重量%のポリビニルカルバゾールを含む
光発生剤層を次のように作成した。
2オンス(60ml)の琥珀色のピンに0.8gのポ
リビニルカルバゾールと14mlの1:1容積比のテ
トラヒドロフラン/トルエンを入れた。次にこの
溶液に3.8gの三方晶系セレンと100gの1/8イン
チ(3.2mm)ステンレススチール散弾を加えた。
次にこの混合物を72〜96時間ボールミルの上に載
せた。次に得られたスラリー5gをテトラヒドロ
フラン対トルエン(容積比1:1)の6.3mlに溶
かした0.18gのポリビニルカルバゾールと0.15g
にN,N′−ジフエニル−N,N′−ビス(3−メ
チルフエニル)1,1′−ビフエニル−4,4′−ジ
アミンの溶液に加えた。このスラリーを次に10分
間シエーカーの上に載せた。得られたスラリーを
次にバードアプリケーターを用いて上記ポリエス
テルの界面に湿潤厚みが0.5ミル(0.00127mm)と
なるように塗布し、得られた層を強制通風炉中
135℃で6分間乾燥し、乾燥厚み2.0ミクロンの層
を得た。30重量%のビス(2−フルオロ−4−メ
チルベンジルアミノフエニル)スクアラインを含
む光導電性層を実施例の操作を繰返すことに
より作成した。この層を乾燥厚み1ミクロンとな
るようにバードアプリケーターを用いて上記光発
生剤層の上に塗布した。
リビニルカルバゾールと14mlの1:1容積比のテ
トラヒドロフラン/トルエンを入れた。次にこの
溶液に3.8gの三方晶系セレンと100gの1/8イン
チ(3.2mm)ステンレススチール散弾を加えた。
次にこの混合物を72〜96時間ボールミルの上に載
せた。次に得られたスラリー5gをテトラヒドロ
フラン対トルエン(容積比1:1)の6.3mlに溶
かした0.18gのポリビニルカルバゾールと0.15g
にN,N′−ジフエニル−N,N′−ビス(3−メ
チルフエニル)1,1′−ビフエニル−4,4′−ジ
アミンの溶液に加えた。このスラリーを次に10分
間シエーカーの上に載せた。得られたスラリーを
次にバードアプリケーターを用いて上記ポリエス
テルの界面に湿潤厚みが0.5ミル(0.00127mm)と
なるように塗布し、得られた層を強制通風炉中
135℃で6分間乾燥し、乾燥厚み2.0ミクロンの層
を得た。30重量%のビス(2−フルオロ−4−メ
チルベンジルアミノフエニル)スクアラインを含
む光導電性層を実施例の操作を繰返すことに
より作成した。この層を乾燥厚み1ミクロンとな
るようにバードアプリケーターを用いて上記光発
生剤層の上に塗布した。
次に上記光導電性層に次のようにして作成した
電荷輪送層をオーバーコートした。
電荷輪送層をオーバーコートした。
50重量%のマクロロン(登録商標)(ラルベン
サブリツケンバイエルA.G販売のポリカーボネー
ト樹脂)からなる輪送層を50重量%のN,N′−
ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニ
ル−4,4′−ジアミンと混合した。この溶液をメ
チレンクロライドに混合し9重量%した。これら
の成分のすべてを琥珀色のピンの中に入れ溶解し
た。次に、得られた混合物を、上記光導電性スク
アライン層の表面に塗布して乾燥厚み30ミクロン
の層を得た。この塗布はマルチプルクリアランス
フイルムアプリケーター(湿潤ギヤツプ厚15ミル
(0.38mm))により行つた。次に得られた装置を室
温で20分間風乾し、次に強制通風炉中135℃で6
分間乾燥した。アルミニウム被覆したマイラー支
持体と、三方晶系セレンの光発生層と、ビス(2
−フルオロ−4−メチルベンジルアミノフエニ
ル)スクアラインの光導電性層と、最上層とし
て、上記アミンの電荷輪送層とを備えた光応答装
置が得られた。
サブリツケンバイエルA.G販売のポリカーボネー
ト樹脂)からなる輪送層を50重量%のN,N′−
ビス(3−メチルフエニル)−1,1′−ビフエニ
ル−4,4′−ジアミンと混合した。この溶液をメ
チレンクロライドに混合し9重量%した。これら
の成分のすべてを琥珀色のピンの中に入れ溶解し
た。次に、得られた混合物を、上記光導電性スク
アライン層の表面に塗布して乾燥厚み30ミクロン
の層を得た。この塗布はマルチプルクリアランス
フイルムアプリケーター(湿潤ギヤツプ厚15ミル
(0.38mm))により行つた。次に得られた装置を室
温で20分間風乾し、次に強制通風炉中135℃で6
分間乾燥した。アルミニウム被覆したマイラー支
持体と、三方晶系セレンの光発生層と、ビス(2
−フルオロ−4−メチルベンジルアミノフエニ
ル)スクアラインの光導電性層と、最上層とし
て、上記アミンの電荷輪送層とを備えた光応答装
置が得られた。
光発生層として75重量%のセレンと25重量%の
テルルを含むセレンテルル合金または99.99重量
%のセレンと0.1重量%のヒ素を含むヒ素セレン
合金を選択した他は実施例および実施例
の操作を繰返すことによりその他の光応答装置も
作成される。
テルルを含むセレンテルル合金または99.99重量
%のセレンと0.1重量%のヒ素を含むヒ素セレン
合金を選択した他は実施例および実施例
の操作を繰返すことによりその他の光応答装置も
作成される。
さらにスクアライン光導電性組成物としてビス
(2−フルオロ−4−メチル−p−クロロベンジ
ルアミノフエニル)スクアライン、ビス(2−フ
ルオロ−4−メチル−p−フルオロベンジルアミ
ノフエニル)スクアラインおよびビス(2−フル
オロ−4−メチル−m−クロロベンジルアミノフ
エニル)スクアラインを選択した他は実施例
およびの操作を繰返すことにより光応答装置
を作成した。
(2−フルオロ−4−メチル−p−クロロベンジ
ルアミノフエニル)スクアライン、ビス(2−フ
ルオロ−4−メチル−p−フルオロベンジルアミ
ノフエニル)スクアラインおよびビス(2−フル
オロ−4−メチル−m−クロロベンジルアミノフ
エニル)スクアラインを選択した他は実施例
およびの操作を繰返すことにより光応答装置
を作成した。
実施例およびにおいて作成した装置
の、スペクトルの可視赤外領域における感光性の
試験を行つた。この試験は、これらの装置をコロ
ナ放電により−800ボルトに負に帯電させ、次い
で各装置を同時に約400〜約1000ナノメーターの
波長領域の単色光に露光させることにより行つ
た。実施例の光応答装置は400〜950ナノメー
ターの波長領域の光に応答し、可視および赤外光
に感光性であることを示した。実施例の装置
は約400〜約950ナノメーターの波長領域の光に優
れた応答性を示し、この装置が可視光および赤外
光に対して感光性であることを示した。
の、スペクトルの可視赤外領域における感光性の
試験を行つた。この試験は、これらの装置をコロ
ナ放電により−800ボルトに負に帯電させ、次い
で各装置を同時に約400〜約1000ナノメーターの
波長領域の単色光に露光させることにより行つ
た。実施例の光応答装置は400〜950ナノメー
ターの波長領域の光に応答し、可視および赤外光
に感光性であることを示した。実施例の装置
は約400〜約950ナノメーターの波長領域の光に優
れた応答性を示し、この装置が可視光および赤外
光に対して感光性であることを示した。
さらに実施例に従つて作成した光応答装置
を電子写真画像試験装置に組込み、スチレンn−
ブチルメタクリレート樹脂を含むトナー粒子で現
像し、優れた解像力をもつ高品質のコピーを得
た。
を電子写真画像試験装置に組込み、スチレンn−
ブチルメタクリレート樹脂を含むトナー粒子で現
像し、優れた解像力をもつ高品質のコピーを得
た。
本発明を特定の好ましい実施態様を参照して説
明したが本発明がこれらに限定されることを意図
したものではなく、むしろ当業者は種々の変形お
よび変更が可能であることを認識するであろう。
このような変形および変更は本発明の精神の範囲
内にあり、また特許請求の範囲の中に含まれるも
のである。
明したが本発明がこれらに限定されることを意図
したものではなく、むしろ当業者は種々の変形お
よび変更が可能であることを認識するであろう。
このような変形および変更は本発明の精神の範囲
内にあり、また特許請求の範囲の中に含まれるも
のである。
第1図〜第5図は本発明の光応答装置の一部概
略断面図である。 1……支持体、3……光導電性層、4……樹脂
バインダー組成物、5……正孔輪送層、7……樹
脂バインダー組成物。
略断面図である。 1……支持体、3……光導電性層、4……樹脂
バインダー組成物、5……正孔輪送層、7……樹
脂バインダー組成物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 支持体と、 ビス(2−フルオロ−4−メチルベンジルアミ
ノフエニル)スクアライン(一般式) 一般式 ビス(2−フルオロ−4−メチル−p−クロロ
ベンジルアミノフエニル)スクアライン(一般式
) 一般式 ビス(2−フルオロ−4−メチル−p−フルオ
ロベンジルアミノフエニル)スクアライン(一般
式) 一般式 および ビス(2−フルオロ−4−メチル−m−クロロ
ベンジルアミノフエニル)スクアライン(一般式
) 一般式 からなる群から選択されるスクアラインを含む光
導電性層と、ジアミン正孔輪送層とを含む光応答
性画像形成部材。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US558248 | 1983-12-05 | ||
| US06/558,248 US4508803A (en) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | Photoconductive devices containing novel benzyl fluorinated squaraine compositions |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142947A JPS60142947A (ja) | 1985-07-29 |
| JPH055350B2 true JPH055350B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=24228775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59251483A Granted JPS60142947A (ja) | 1983-12-05 | 1984-11-28 | 新規なベンジルフツ化スクアライン化合物を含む光導電性装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4508803A (ja) |
| EP (1) | EP0145401B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60142947A (ja) |
| DE (1) | DE3468018D1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4606986A (en) * | 1983-12-05 | 1986-08-19 | Xerox Corporation | Electrophotographic elements containing unsymmetrical squaraines |
| US4700001A (en) * | 1983-12-16 | 1987-10-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Novel squarylium compound and photoreceptor containing same |
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