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JPH0554264B2 - - Google Patents
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JPH0554264B2 - - Google Patents

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JPH0554264B2
JPH0554264B2 JP57047383A JP4738382A JPH0554264B2 JP H0554264 B2 JPH0554264 B2 JP H0554264B2 JP 57047383 A JP57047383 A JP 57047383A JP 4738382 A JP4738382 A JP 4738382A JP H0554264 B2 JPH0554264 B2 JP H0554264B2
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JP
Japan
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gate
resin
mold
lead
lead frame
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Takashi Nakagawa
Kazuo Shimizu
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はレジンパツケージ型半導体装置の製造
方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of manufacturing a resin package type semiconductor device.

[従来技術] レジンパツケージ型半導体装置は、第1図aに
示すようにリードフレーム1の中央のタブ2上に
チツプ3を固定した後、タブ2の周辺に内端を臨
ます多数のリード4の内端とチツプ3の電極とを
ワイヤ5で接続し、その後、同図bに示すように
所望部を周知の金型を用いたトランスフアモール
ド法によりレジンモールドしてレジンパツケージ
6で被い、不要なリードフレーム部分を切断除去
することによつて製造している。
[Prior Art] As shown in FIG. 1A, a resin package type semiconductor device is manufactured by fixing a chip 3 on a central tab 2 of a lead frame 1, and then attaching a large number of leads 4 whose inner ends face around the tab 2. The inner end of the chip 3 is connected to the electrode of the chip 3 with a wire 5, and then, as shown in FIG. , by cutting and removing unnecessary lead frame parts.

ところで、外部端子(リード)数の増大化、小
型化のために、リードを平面XY方向の4方向に
突出させたレジンパツケージ型半導体装置が例え
ば特開昭55−21128号公報によつて知られている。
By the way, in order to increase the number of external terminals (leads) and reduce the size, a resin package type semiconductor device in which leads are made to protrude in four directions in the plane X and Y directions is known, for example, from Japanese Patent Laid-Open No. 55-21128. ing.

[発明が解決しようとする課題] この種の半導体装置においては、第2図に示す
ように、レジンを第2図に示すように、レジンを
注入するゲート7(注入レジンの硬化状態によつ
て示す。)はリードフレーム1の一隅部に設けら
れることになる。また、リード4及びダム8を支
持する支持板9もリードフレーム1の4隅に位置
することから、ゲート7はこの一つの支持板9に
重なつてしまう。このため、第3図で示すよう
に、ゲート7の途中にまで支持板9が延在し、レ
ジンモールド後のゲートブレイク時にゲート7内
で硬化したレジン部分とレジンパツケージ6との
境界部分で確実に破断が行なわれなくなり、第4
図a〜cで示すようなゲート残りと称する不良が
生じてしまう。
[Problems to be Solved by the Invention] In this type of semiconductor device, as shown in FIG. ) will be provided at one corner of the lead frame 1. Further, since the support plates 9 that support the leads 4 and the dams 8 are also located at the four corners of the lead frame 1, the gate 7 overlaps with this one support plate 9. For this reason, as shown in FIG. 3, the support plate 9 extends to the middle of the gate 7, and when the gate breaks after resin molding, the support plate 9 is secured at the boundary between the resin part hardened in the gate 7 and the resin package 6. The rupture is no longer performed in the fourth
A defect called gate residue as shown in FIGS. a to c occurs.

なお、先の特開昭55−21128号公報に開示の発
明によれば、第4図bに示すようなレジンの破断
(ゲートブイレク)を意識的に行なうものである
が、ゲート残りはまぬがれない。
According to the invention disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-21128, the resin is intentionally broken (gate break) as shown in FIG. 4b, but the remaining gate remains unavoidable.

一般的に、モールド型においては、ゲート7の
先端部分のレジン硬化部分が最も薄くなるように
設計され、ゲートブイレク時にこの薄い境界部分
で応力集中によつて破断が生じるようになつてい
る。しかし、支持板9の端面は打ち抜きによつて
形成されるため、粗面となつていたりしてレジン
との密着性が高かつたりすることから、ゲートブ
レイクは支持板9の内側(第4図a参照)、支持
板9の端部(第4図b参照)、境界にクラツク1
0が入るがブレイクは同図aと同様に支持板9の
内側(第4図c参照)で行なわれることもある。
このようにゲート残りがあると、搬送中の振動等
によつてゲート残り部分が脱落し、搬送テーブル
とレジンパツケージ6やリードフレーム1との間
に挾まつたりしてレジンパツケージ6に傷を付け
たリードフレームが変形したりする。このためリ
ード切断成形機における製品詰り等の故障の原因
となる。
Generally, a mold is designed so that the hardened resin part at the tip of the gate 7 is the thinnest, and when the gate breaks, rupture occurs at this thin boundary part due to stress concentration. However, since the end face of the support plate 9 is formed by punching, it has a rough surface and has high adhesion with the resin, so the gate break occurs on the inside of the support plate 9 (see Fig. 4). a), the edge of the support plate 9 (see Fig. 4b), and a crack 1 at the boundary.
0 is entered, but the break may also be performed inside the support plate 9 (see FIG. 4c), as in FIG. 4a.
If there is any remaining gate in this way, the remaining gate portion may fall off due to vibrations during transportation, and may get caught between the transportation table and the resin package cage 6 or lead frame 1, causing damage to the resin package cage 6. The lead frame may become deformed. This causes failures such as product clogging in the lead cutting and forming machine.

そこで、従来はゲート残りや脱落レジン片を除
去する作業も必要となり、レジンモード作業性が
低下する。
Therefore, in the past, it was also necessary to remove the remaining gates and the fallen resin pieces, which degraded the workability in the resin mode.

したがつて、本発明の目的はゲートブイレク時
にゲートレジン部分がレジンパツケージの縁で確
実に破断するようにして、半導体装置の生産性、
歩留の向上を図ることにある。
Therefore, an object of the present invention is to improve the productivity of semiconductor devices by ensuring that the gate resin portion is broken at the edge of the resin package at the time of gate failure.
The purpose is to improve yield.

[課題を解決するための手段] 本発明によれば、半導体チツプが取付けられる
べきタブルと、該タブに近接して半導体チツプの
電極と電気的接続をなす端部を有し、四方向に放
射状に延びる複数のリード群と、該リード群を支
持するダムと、前記ダムの一部に連結している幅
広く形成された枠部とを有するリードフレームを
準備する段階、 該リードフレームのタブに半導体チツプを取付
け、その半導体ペレツトの電極とそのリード端と
をワイヤで電気的接続する段階、 該半導体チツプ、ワイヤおよびワイヤが接続さ
れたリード端を、上下一対の金型を使用しその金
型に設けられたゲートランナおよびゲートを通し
てレジン注入することにより、矩形のレジンパツ
ケージ本体で封止込む段階を具備する半導体装置
の製造方法であつて、 使用される前記金型の一方の型には、ゲートラ
ンナとそのゲートランナよりも径が小さく、傾斜
して先細径をなす扇状のゲートとが金型の他方の
型の平坦面に沿つて位置して連続的に設けられ、
準備される前記リードフレームは、前記幅広枠部
がモールド形成される矩形レジンパツケージ本体
の角部のところであつて前記一方の型のゲートラ
ンナおよびゲートに対応位置され、かつその幅広
枠部には前記一方の型のゲート幅よりも広く、切
欠きの端部が前記ゲートランナ内に位置する扇状
の切欠部を有し、 前記矩形のレジンパツケージ本体で封止込む段
階では、該リードフレームを該金型に配設せし
め、該金型のゲートランナおよびゲートを通して
モールド部にレジン注入する段階から成り、 しかる後、レジン封止されたリードフレームを
前記金型から取りはずし、前記レジンパツケージ
本体の角部のゲートの先細径に対応位置したレジ
ン部分をブレイクすることを特徴とするものであ
る。
[Means for Solving the Problems] According to the present invention, the semiconductor chip has a table to which a semiconductor chip is attached, an end portion that is close to the tab and makes electrical connection with an electrode of the semiconductor chip, and has a radial shape in four directions. preparing a lead frame having a plurality of lead groups extending across the lead frame, a dam supporting the lead groups, and a wide frame portion connected to a portion of the dam; A step of mounting the chip and electrically connecting the electrode of the semiconductor pellet and the lead end with a wire, the semiconductor chip, the wire, and the lead end to which the wire is connected are placed in the mold using a pair of upper and lower molds. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the step of encapsulating a rectangular resin package body by injecting resin through a gate runner and a gate provided, the method comprising the step of: sealing the package body with a rectangular resin package body, the method comprising: A runner and a fan-shaped gate having a diameter smaller than that of the gate runner and having an inclined and tapered diameter are continuously provided along the flat surface of the other mold of the mold,
The prepared lead frame has the wide frame portion located at a corner of the rectangular resin package body on which the mold is formed, corresponding to the gate runner and gate of the one type, and the wide frame portion has the above-mentioned wide frame portion. It has a fan-shaped notch that is wider than the gate width of one type, and the end of the notch is located within the gate runner, and in the step of sealing with the rectangular resin package body, the lead frame is and injecting resin into the mold part through the gate runner and gate of the mold, and then removing the resin-sealed lead frame from the mold and inserting the resin into the corner of the resin package body. This method is characterized by breaking a resin portion corresponding to the tapered diameter of the gate.

かかる構成によれば、ゲート部のレジンはレジ
ンパツケージ本体の角部縁に位置することにな
り、レジンブレイク時にその角部の薄いゲート部
レジンに応力が集中し、容易にその部分でのゲー
トブレイクが確実になされる。すなわち、ゲート
部レジンの厚みおよび幅方向の最も細くなつてい
るのはパツケージ本体の角であり、一方、切欠き
の端部はゲートランナー内に位置したものであ
り、機械的に最も弱くなるゲート部は、パツケー
ジ本体の角部縁であり、その部分から確実にゲー
トブレイクすることになる。
According to this configuration, the resin of the gate part is located at the edge of the corner of the resin package body, and when the resin breaks, stress concentrates on the thin gate resin at the corner, making it easy to break the gate at that part. will be ensured. In other words, the thinnest part of the gate resin in the thickness and width direction is at the corner of the package body, while the end of the notch is located within the gate runner, and is the thinnest part of the gate part in the width direction. The part is the corner edge of the package body, and the gate break will surely occur from that part.

[実施例] 第5図は本発明の一実施例によるレジンモール
ド型半導体装置の製造方法、特にレジンモールド
状態を示す平面図である。この実施例のリードフ
レーム1では、互いに離間して位置する一対の第
1枠部11a,11bと、互いに離間して位置
し、それら第1枠部11a,11bに連接する一
対の第2枠部11c,11dとを有する。そし
て、これら第1枠部11a,11bと第2枠部1
1a,11bとによつて区画された部分内におい
ては、臨四角形枠状に延在するダム8によつてリ
ード4が支持されている。また、矩形枠状ダム8
の四隅は支持板9によつてリードフレーム1の枠
11に支持されている。
[Embodiment] FIG. 5 is a plan view showing a method of manufacturing a resin molded semiconductor device according to an embodiment of the present invention, particularly showing the state of the resin mold. In the lead frame 1 of this embodiment, a pair of first frame parts 11a, 11b are located apart from each other, and a pair of second frame parts are located apart from each other and are connected to the first frame parts 11a, 11b. 11c and 11d. Then, these first frame parts 11a, 11b and the second frame part 1
In the portion defined by 1a and 11b, the lead 4 is supported by a dam 8 extending in the shape of a rectangular frame. In addition, a rectangular frame dam 8
The four corners of the lead frame 1 are supported by support plates 9 to the frame 11 of the lead frame 1 .

レジンモールドに使用されている金型(図では
注入レジンの硬化状態によつて示す。)において、
金型のゲートランナ12は一隅の支持板9に沿つ
て位置するよう設けられる。この支持板9はレジ
ンの流出が円滑に行なわれるように一枚板となつ
ている。また、第6図および第7図に示すように
ゲートランナ12から続く先細となる金型のゲー
ト7に対応する部分には幅広の支持板9aの一部
が位置がしないように、ゲートランナ12の先端
部に対応する部分から支持板9は切り欠けられ二
股に分岐している。すなわち、第6図に示すよう
に幅広枠部を成す支持板9に扇状の切欠部がゲー
トランナ対応位置におよぶように設けられてい
る。そして、このゲート7に連接してレジン封止
外形構造を形作る金型のキヤビテイが存在する。
上記分岐片13はそれぞれゲート7の両側に沿つ
離れて延在して、それぞれダム8の位置端に接続
している。したがつて、ゲート7に対応するダム
部分は相互に直接接触することなく、一方の分岐
片13、支持板9、他方の分岐片13を経由して
それぞれ連結する構造となつている。一方、使用
される金型の形態は、第7図に示すモールド形態
から理解できるように、金型のゲートランナより
も径が小さく、傾斜して先細径をなすゲートとが
その金型の下側に位置して連続的に設けられてい
る。
In the mold used for the resin mold (indicated by the hardening state of the injected resin in the figure),
A gate runner 12 of the mold is provided along the support plate 9 at one corner. This support plate 9 is a single plate so that the resin can flow out smoothly. Further, as shown in FIGS. 6 and 7, the gate runner 12 is arranged so that a part of the wide support plate 9a is not located in the part corresponding to the gate 7 of the mold which is tapered from the gate runner 12. The support plate 9 is cut out and bifurcated from a portion corresponding to the tip of the support plate 9 . That is, as shown in FIG. 6, a fan-shaped notch is provided in the support plate 9 forming a wide frame portion so as to extend to a position corresponding to the gate runner. There is a mold cavity that is connected to this gate 7 and forms a resin-sealed external structure.
The branch pieces 13 extend apart from each other along both sides of the gate 7 and are connected to the respective ends of the dam 8. Therefore, the dam portions corresponding to the gates 7 are connected via one branch piece 13, the support plate 9, and the other branch piece 13, without directly contacting each other. On the other hand, as can be understood from the mold configuration shown in Figure 7, the shape of the mold used is smaller in diameter than the gate runner of the mold, and the gate, which has an inclined and tapered diameter, is located under the mold. It is located continuously on the side.

このため、第7図で示したように、支持板9に
はゲート幅よりも広く、切欠きの端部がゲートラ
ンナ内に位置する扇状の切欠部を有して成り、す
なわち、支持板9の縁はゲート7から外れ、幅広
でかつ厚いゲートランナ内に位置するようにな
り、レジンモールド後のゲートブレイク時には第
8図で示すように、レジンパツケージ6との境界
であるゲート7の先端が最も応力集中が大きいこ
とから、この境界で破断し、従来のように支持板
9とレジンと密着状況に関与されなくなり、ゲー
トブレイク不良は発生じなくなる。
For this reason, as shown in FIG. 7, the support plate 9 has a fan-shaped notch that is wider than the gate width and the end of the notch is located inside the gate runner. The edge of the gate 7 separates from the gate 7 and is located inside the wide and thick gate runner, and when the gate breaks after resin molding, the tip of the gate 7, which is the boundary with the resin package 6, is removed as shown in Figure 8. Since the stress concentration is the largest, it breaks at this boundary and is no longer involved in the adhesion between the support plate 9 and the resin as in the past, and gate break failures no longer occur.

なお、本発明のリードフレーム1はレジンモー
ルド後の強度を低下させないために、レジン強度
の強いゲートランナ12に支持板9の分岐片13
を部分的に重なるようにしてある。
In addition, in the lead frame 1 of the present invention, in order not to reduce the strength after resin molding, the branch piece 13 of the support plate 9 is attached to the gate runner 12, which has strong resin strength.
are arranged so that they partially overlap.

このような実施例によれば、レジンモールド後
のランナブレイク作業が確実となり、モールド型
等の清浄化も容易となることから、モールド作業
が1.4倍程度向上する。また、ランナブレイク時
にリードフレームの変形が起きないため、リード
切断成形工程での自動機の製品詰りがなくなり、
不良発生を防止できるようになる。
According to such an embodiment, the runner breaking operation after resin molding becomes reliable, and cleaning of the mold etc. becomes easy, so that the molding operation is improved by about 1.4 times. In addition, since the lead frame does not deform when the runner breaks, there is no chance of product clogging in the automatic machine during the lead cutting and forming process.
It becomes possible to prevent the occurrence of defects.

[発明の効果] 以上のように、本発明によれば、リードフレー
ムはレジンモールド後のゲートブレイク時にゲー
トレジン部分がレジンパツケージの縁で確実に破
断するようなパターンになつていることから、ゲ
ートブレイク不良は発生しなくなる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the lead frame has a pattern that ensures that the gate resin portion breaks at the edge of the resin package during gate break after resin molding. Break failures no longer occur.

この結果、ゲート残りの除去作業、ゲート残り
片の脱落による脱落レジン片の除去作業が不要と
なり、レジンモールドの作業性が向上し、かつ脱
落レジン片による不良発生が防止できることによ
る歩留の向上を図ることができる。
As a result, it is no longer necessary to remove the remaining gate parts and the resin pieces that have fallen off due to the falling off of the remaining gate pieces, improving workability of the resin mold, and improving yield by preventing defects caused by falling resin pieces. can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図a,bは半導体装置の製造方法を示す断
面図、第2図は従来の半導体の製造方法を示す平
面図、第3図は同じく一部の断面図、第4図a〜
cは同じくゲートブレイク時の不良ブレイク状態
を示す断面図、第5図は本発明の一実施例による
半導体装置の製造方法を示す断面図、第6図は本
発明の部分拡大平面図、第7図は第6図の−
線に沿う断面図、第8図は同じくゲートブレイク
後の状態を示す一部の断面図である。 1……リードフレーム、11a,11b……第
1枠部、11c,11d……第2枠部、2……タ
ブ、4……リード、6……レジンパツケージ、7
……ゲート、8……ダム、9,9a……支持板、
10……クラツク、12……ゲートランナ、13
……分岐片。
1A and 1B are cross-sectional views showing a method for manufacturing a semiconductor device, FIG. 2 is a plan view showing a conventional method for manufacturing semiconductors, FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the same, and FIGS.
Similarly, FIG. 5 is a sectional view showing a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a partially enlarged plan view of the present invention, and FIG. The diagram is in Figure 6-
FIG. 8 is a sectional view taken along the line, and is a partial sectional view showing the state after the gate break. 1...Lead frame, 11a, 11b...First frame portion, 11c, 11d...Second frame portion, 2...Tab, 4...Lead, 6...Resin package cage, 7
...Gate, 8...Dam, 9,9a...Support plate,
10... crack, 12... gate runner, 13
...Branch piece.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 半導体チツプが取付けられるべきタブと、該
タブに近接して半導体チツプの電極と電気的接続
をなす端部を有し、四方向に放射状に延びる複数
のリード群と、該リード群を支持するダムと、前
記ダムの一部に連結している幅広く形成された枠
部とを有するリードフレームを準備する段階、 該リードフレームのタブに半導体チツプを取付
け、その半導体ペレツトの電極とそのリード端と
をワイヤで電気的接続する段階、 該半導体チツプ、ワイヤおよびワイヤが接続さ
れたリード端を、上下一対の金型を使用しその金
型に設けられたゲートランナおよびゲートを通し
てレジン注入することにより、矩形のレジンパツ
ケージ本体で封止込む段階を具備する半導体装置
の製造方法であつて、 使用される前記金型の一方の型には、ゲートラ
ンナとそのゲートランナよりも径が小さく、傾斜
して先細径をなす扇状のゲートとが金型の他方の
型の平坦面に沿つて位置して連続的に設けられ、
準備される前記リードフレームは、前記幅広枠部
がモールド形成される矩形レジンパツケージ本体
の角部のところであつて前記一方の型のゲートラ
ンナおよびゲートに対応位置され、かつその幅広
枠部には前記一方の型のゲート幅よりも広く、切
欠きの端部が前記ゲートランナ内に位置する扇状
の切欠部を有し、 前記矩形のレジンパツケージ本体で封止込む段
階では、該リードフレームを該金型に配設せし
め、該金型のゲートランナおよびゲートを通して
モールド部にレジン注入する段階から成り、 しかる後、レジン封止されたリードフレームを
前記金型から取りはずし、前記レジンパツケージ
本体の角部のゲートの先細径に対応位置したレジ
ン部分をブレイクすることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
[Scope of Claims] 1. A tab to which a semiconductor chip is to be attached, and a plurality of lead groups extending radially in four directions, each having an end close to the tab and electrically connected to an electrode of the semiconductor chip; preparing a lead frame having a dam for supporting the lead group and a wide frame portion connected to a part of the dam; mounting a semiconductor chip on a tab of the lead frame; A step of electrically connecting the electrode and its lead end with a wire, the semiconductor chip, the wire, and the lead end to which the wire is connected are passed through a gate runner and a gate provided in the mold using a pair of upper and lower molds. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the step of sealing with a rectangular resin package body by injecting resin, wherein one of the molds used includes a gate runner and a gate runner having a diameter larger than that of the gate runner. A fan-shaped gate having a small diameter and an inclined tapered diameter is continuously provided along the flat surface of the other mold,
The prepared lead frame has the wide frame portion located at a corner of the rectangular resin package body on which the mold is formed, corresponding to the gate runner and gate of the one type, and the wide frame portion has the above-mentioned wide frame portion. It has a fan-shaped notch that is wider than the gate width of one type, and the end of the notch is located within the gate runner, and in the step of sealing with the rectangular resin package body, the lead frame is and injecting resin into the mold part through the gate runner and gate of the mold, and then removing the resin-sealed lead frame from the mold and inserting the resin into the corner of the resin package body. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized by breaking a resin portion corresponding to the tapered diameter of a gate.
JP57047383A 1982-03-26 1982-03-26 Manufacture of semiconductor device and lead frame used therefor Granted JPS58165358A (en)

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