JPH0556616B2 - - Google Patents
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- JPH0556616B2 JPH0556616B2 JP58214870A JP21487083A JPH0556616B2 JP H0556616 B2 JPH0556616 B2 JP H0556616B2 JP 58214870 A JP58214870 A JP 58214870A JP 21487083 A JP21487083 A JP 21487083A JP H0556616 B2 JPH0556616 B2 JP H0556616B2
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- H01J37/02—Details
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- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体製造プロセスに用いられるイオ
ン打込装置に係り、特に真空排気系としてのクラ
イオポンプに対する安全性の向上することのでき
るクライオポンプ再生装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an ion implantation device used in a semiconductor manufacturing process, and in particular to a cryopump regeneration device that can improve the safety of a cryopump as a vacuum evacuation system. Regarding.
一般に、半導体の製造プロセスにおいては、シ
リコンウエハの表面の清浄度が極端に要求され
る。このシリコンウエハにボロン等の拡散層を作
るにボロン等のイオンをイオン源より発生したイ
オンビームを質量分離用電磁石によつて分離し、
分離用スリツトを通して回転円盤の円周上に並べ
て分離したイオンを打込む方法がとられている。
このイオン打込装置においても、打込中にウエハ
表面に有機物が付着しないように、真空排気系に
は油を使用しない、いわゆる第１図に示す如きオ
イルフリーのクライオポンプが最近よく用いられ
ている。すなわち、イオン化したイオンビームと
して出力するイオン源１から出力されるイオンビ
ーム５は質量分離器３によつて目的とする質量の
イオンのみが分離される。このイオン源１にはイ
オン源用ガスボンベ１２が接続されている。ま
た、イオン源１により出るイオンビーム５を通す
管路１３には、質量分離器３のイオン源１側にイ
オン源排気用油拡散ポンプ２が設けられており、
このイオン源排気用油拡散ポンプ２には油回転ポ
ンプ１１が接続されている。また、管路１３の質
量分離器３のイオン打込室７側にビームライン排
気用クライオポンプ４が設けられている。また、
管路１３の先端にはイオン打込室７が設けられて
おり、このイオン打込室７内には、回転円板８が
取りつけられている。この回転円板８の円周には
シリコンウエハが複数個取りつけられている。こ
の回転円板８は回転用モータ９によつて回転可能
に構成されている。また、イオン打込室７には、
打込室排気用クライオポンプ６が設けられてい
る。
Generally, in semiconductor manufacturing processes, extremely clean surfaces of silicon wafers are required. To create a diffusion layer of boron or other ions on this silicon wafer, an ion beam of boron or other ions generated from an ion source is separated by a mass separation electromagnet.
A method is used in which separated ions are implanted in rows on the circumference of a rotating disk through separation slits.
In this ion implantation equipment as well, so-called oil-free cryopumps, as shown in Figure 1, are often used in recent years to prevent organic substances from adhering to the wafer surface during implantation. There is. That is, the ion beam 5 output from the ion source 1 as an ionized ion beam is separated by the mass separator 3 into only ions having a target mass. An ion source gas cylinder 12 is connected to this ion source 1 . In addition, in the conduit 13 through which the ion beam 5 emitted from the ion source 1 passes, an oil diffusion pump 2 for exhausting the ion source is provided on the ion source 1 side of the mass separator 3.
An oil rotary pump 11 is connected to this oil diffusion pump 2 for exhausting the ion source. Further, a cryopump 4 for beam line exhaust is provided on the ion implantation chamber 7 side of the mass separator 3 in the conduit 13 . Also,
An ion implantation chamber 7 is provided at the tip of the conduit 13, and a rotating disk 8 is mounted within the ion implantation chamber 7. A plurality of silicon wafers are attached to the circumference of this rotating disk 8. This rotary disk 8 is configured to be rotatable by a rotation motor 9. In addition, in the ion implantation chamber 7,
A cryopump 6 for exhausting the driving chamber is provided.
このような第１図に示される如きイオン打込装
置は、イオン源用ガスをイオン化して加速し、特
定のイオン種のみに質量分離して回転円板８の周
囲に装着されたシリコンウエハ１０にイオンビー
ム５を打込むものである。そしてイオン源用ガス
と使用されるものは、ホスフイン（PH3）やアル
シン（AsH3）のように微量でも人体に有害で、
しかも空気中の酸素と結合して爆発する性質を有
する危険なものである。しかも、近年のイオン打
込装置ではイオン量を増加させて、打込ドーズ量
を増大する傾向にあり、ガスの流量が多く、長時
間連続して流す場合が多くなつてきた。 Such an ion implantation apparatus as shown in FIG. 1 ionizes and accelerates the ion source gas, and separates the mass of only specific ion species into a silicon wafer 10 mounted around a rotating disk 8. An ion beam 5 is implanted into the ion beam. The ion source gases used include phosphine (PH 3 ) and arsine (AsH 3 ), which are harmful to the human body even in minute amounts.
Moreover, it is dangerous because it has the property of exploding when combined with oxygen in the air. Moreover, in recent years, ion implantation apparatuses have tended to increase the amount of ions and the implantation dose, and the flow rate of gas is increasing, and it is becoming more common for the gas to flow continuously for a long time.
ところで、イオン源用ガスボンベ１２により供
給されるイオン源用ガスは、イオン源１において
全てがイオン化される訳ではなく、イオン化され
ないガスが生じる。このイオン化されないガス
は、イオン源排気用油拡散ポンプ２と油回転ポン
プ１１とによつて連続的にイオン打込装置外に排
気され、図示されていない排気ガス処理装置に導
かれる。このような排気系によつても排気されな
かつた一部のイオン源用ガスはビームライン排気
用のクライオポンプ４内にトラツプされる。通常
のイオン打込中では、ビームライン系の真空度
は、イオン源排気系の真空度により１桁程良いの
で、有毒ガスをトラツプして排気する量は少ない
が、長期間使用したり、イオン源排気系に使用し
ているオイルが活性ガスにより劣化して、排気能
力が低下した場合には、ビームライン系のクライ
オポンプ内にガスが多量に凝縮される。 By the way, not all of the ion source gas supplied by the ion source gas cylinder 12 is ionized in the ion source 1, and some gas is not ionized. This non-ionized gas is continuously exhausted out of the ion implantation apparatus by the ion source exhaust oil diffusion pump 2 and the oil rotary pump 11, and is led to an exhaust gas processing apparatus (not shown). A part of the ion source gas that is not exhausted by such an exhaust system is trapped in the cryopump 4 for beam line exhaust. During normal ion implantation, the degree of vacuum in the beam line system is about an order of magnitude better depending on the degree of vacuum in the ion source exhaust system, so the amount of toxic gas trapped and exhausted is small, but if the beam line is used for a long period of time, If the oil used in the source exhaust system is degraded by active gas and the exhaust capacity is reduced, a large amount of gas will condense inside the cryopump of the beamline system.
ビームライン排気用クライオポンプ４の詳細が
第２図に示されている。このビームライン排気用
クライオポンプ４には、排気用バルブ１４が設け
られており、このビームライン排気用クライオポ
ンプ４内にはクライオ面１５が設けられている。
このクライオ面１５にはヘリウム液化器１７が接
続されており、このヘリウム液化器１７には、ヘ
リウム循環用ポンプ及び電源１８が接続されてい
る。また、ビームライン排気用クライオポンプ４
の下部に安全弁１６が設けられている。さらに、
このビームライン排気用クライオポンプ４には、
荒引用バルブ１９を介して油回転ポンプ２０が接
続されている。図中５はイオンビーム、１３はビ
ームラインの真空の管路である。 Details of the beam line evacuation cryopump 4 are shown in FIG. 2. This beam line exhaust cryopump 4 is provided with an exhaust valve 14, and a cryo surface 15 is provided within this beam line exhaust cryopump 4.
A helium liquefier 17 is connected to this cryoplane 15, and a helium circulation pump and a power source 18 are connected to this helium liquefier 17. In addition, cryopump 4 for beam line exhaust
A safety valve 16 is provided at the bottom of the. moreover,
This beamline exhaust cryopump 4 includes:
An oil rotary pump 20 is connected via a rough draft valve 19 . In the figure, numeral 5 represents an ion beam, and numeral 13 represents a vacuum conduit of the beam line.
このように構成されているものであるから、イ
オン打込中の残留ガスは排気用バルブ１４を通し
てクライオ面１５に到達した凝固される。このク
ライオ面１５はヘリウム液化器１７によつて極低
温に保たれている。また、荒引用バルブ１９は通
常は閉じられている。このビームライン排気用ク
ライオポンプ４を停止する場合、排気用バルブ１
４を閉じてヘリウム循環ポンプ１８の電源を切る
とクライオ面１５の表面温度が極低温から室温ま
で上昇し、凝固してトラツプされていた物質が気
化しクライオ内に充満する。その圧力は凝固した
物質の量に比例し、多量のガスを凝固していた場
合は大気圧以上にも達し、クライオポンプが有害
ガスの高圧ボンベの様になることがある。 With this structure, residual gas during ion implantation reaches the cryosurface 15 through the exhaust valve 14 and is solidified. This cryo surface 15 is kept at an extremely low temperature by a helium liquefier 17. In addition, the rough intake valve 19 is normally closed. When stopping this beam line exhaust cryopump 4, exhaust valve 1
4 and the power to the helium circulation pump 18 is turned off, the surface temperature of the cryo surface 15 rises from an extremely low temperature to room temperature, and the solidified and trapped substances vaporize and fill the cryo chamber. The pressure is proportional to the amount of solidified material, and if a large amount of gas is solidified, it can reach atmospheric pressure or higher, causing the cryopump to become like a high-pressure cylinder of harmful gas.
通常のクライオポンプには安全弁１６が備えら
れていて、クライオポンプ４内の圧力が１気圧以
上に達すると安全弁が開いて、外部にガスを放出
する機能を持つている。水や空気の排気に使用す
る場合には問題がないが、有害ガスの排気に使用
する場合には、クライオポンプ４内に充満してい
るガスを排気せずにバルブを開いたり、解体しよ
うとして吸引する危険がある。また、安全弁１６
より噴射したガス空気中の酸素と反応して爆発す
る場合もある。 A normal cryopump is equipped with a safety valve 16, and when the pressure inside the cryopump 4 reaches 1 atmosphere or more, the safety valve opens and has the function of releasing gas to the outside. There is no problem when using it to exhaust water or air, but when using it to exhaust harmful gases, try opening the valve or disassembling the cryopump 4 without exhausting the gas filled inside the cryopump 4. Risk of inhalation. In addition, safety valve 16
The injected gas may react with oxygen in the air and explode.
また、最近には、酸素イオンを大量に打込ん
で、シリコンウエハ内部にSiO2絶縁膜を形成す
る利用法が開発されつつある。この場合、酸素ガ
スを長時間流すが、その打込のあと、ホスフイン
（PH3）や、アルシン（AsH3）を用いると、クラ
イオポンプ４内に両方のガスが凝縮される。した
がつてクライオポンプを停止した時、気化したガ
スが混合して爆発する危険もある。 Recently, a method has been developed in which a large amount of oxygen ions are implanted to form an SiO 2 insulating film inside a silicon wafer. In this case, oxygen gas is flowed for a long time, but if phosphine (PH 3 ) or arsine (AsH 3 ) is used after the injection, both gases are condensed in the cryopump 4. Therefore, when the cryopump is stopped, there is a risk that the vaporized gases will mix and explode.
本発明の目的は、クライオポンプを停止した場
合にも爆発等の危険性を生じることがないイオン
打込装置用クライオポンプ再生装置を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a cryopump regeneration device for an ion implantation device that does not pose a risk of explosion or the like even when the cryopump is stopped.
本発明は、クライオポンプを停止した場合クラ
イオポンプ内の凝固した物質が気化して内部の圧
力が一定の上限と下限の間にある時間だけ荒引用
のバルブを開いて油回転ポンプによつて排気を繰
返し、常にクライオポンプ内の圧力が一定の圧力
以上に達しないようにすることにより爆発等の危
険を生じないようにしようというものである。
According to the present invention, when the cryopump is stopped, the solidified substance inside the cryopump is vaporized and the internal pressure is between a certain upper limit and a lower limit by opening the rough pump valve and exhausting the air using the oil rotary pump. This is repeated to ensure that the pressure inside the cryopump never exceeds a certain level, thereby preventing dangers such as explosions.
以下、本発明の実施例について説明する。 Examples of the present invention will be described below.
第３図には、本発明の一実施例が示されてい
る。 FIG. 3 shows an embodiment of the invention.
図中、第２図と同一の符号の付されているもの
は同一の部品・同一の機能を有するものである。
本実施例が第２図図示従来例と異る点はビームラ
イン排気用クライオポンプ４にピラニー型真空ゲ
ージ２２を設け、ピラニー型真空ゲージ２２と荒
引用バルブ１９を制御するクライオ再生用制御装
置２３を設けた点である。第３図中、２１は第２
図において図示しなかつたが、第２図図示従来例
においても設けられている排気ガス処理装置であ
る。また、第３図中２４は信号線である。クライ
オ再生制御装置２３は常時モニターしており、ク
ライオポンプ４が停止した場合は自動的に再生モ
ードに入るように構成されている。 In the figure, the same reference numerals as in FIG. 2 indicate the same parts and the same functions.
This embodiment is different from the conventional example shown in FIG. 2, in that a Pirani-type vacuum gauge 22 is provided in the cryopump 4 for beam line exhaust, and a cryo regeneration control device 23 that controls the Pirani-type vacuum gauge 22 and the rough intake valve 19 is provided. The point is that In Figure 3, 21 is the second
Although not shown in the figure, this is an exhaust gas treatment device that is also provided in the conventional example shown in FIG. Further, 24 in FIG. 3 is a signal line. The cryo regeneration control device 23 constantly monitors the cryopump 4 and is configured to automatically enter the regeneration mode when the cryopump 4 stops.
次に、本実施例の動作について説明する。ま
ず、イオン源１から出射されるイオンによつてイ
オン打込が終了し、真空排気用バルブ１４を閉め
てヘリウム液化器１７を停止して、クライオ面１
５の温度が上昇する。このクライオ面１５の温度
上昇に伴ないクライオポンプ４内のガス圧が上昇
する。この上昇するガス圧の値を真空計（ピラニ
ー型真空ゲージ）２２によつて検出する。この真
空計２２の表示圧力はクライオ再生用制御装置２
３に取り込まれ、予め設定された上限真空度P1
と下限真空度P2の値と比較される。この真空計
２２によつて検出されるクライオポンプ４内の圧
力値が上限真空度P1に達すると、クライオポン
プ４内に荒引排気するため、荒引用バルブ１９を
開く信号がクライオ再生制御装置２３から荒引用
バルブ１９に出力される。この荒引用バルブ１９
が開かれると、油回転ポンプ２０によつてクライ
オポンプ４内が真空排気され、予め定められてい
る下限真空度P2の値にクライオポンプ４内の真
空圧力値が達すると荒引用バルブ１９を閉じる信
号がクライオ再生用制御装置２３から荒引用バル
ブ１９に送られる。このクライオ再生用制御装置
２３からの信号によつて荒引用バルブ１９が閉じ
てクライオポンプ４内には再び気化による圧力上
昇が始まる。この荒引用バルブ１９が閉じてから
開くまでの間の時間T1カウントされる。 Next, the operation of this embodiment will be explained. First, ion implantation is completed by ions emitted from the ion source 1, the vacuum exhaust valve 14 is closed, the helium liquefier 17 is stopped, and the cryosurface is
5 temperature rises. As the temperature of the cryo surface 15 increases, the gas pressure inside the cryopump 4 increases. The value of this rising gas pressure is detected by a vacuum gauge (Pirani type vacuum gauge) 22. The pressure displayed on the vacuum gauge 22 is the cryo regeneration control device 2.
3 and the preset upper limit vacuum degree P 1
is compared with the value of the lower limit vacuum degree P2 . When the pressure value inside the cryopump 4 detected by the vacuum gauge 22 reaches the upper limit vacuum degree P 1 , a signal to open the rough pumping valve 19 is sent to the cryo regeneration control device in order to roughly pump out the inside of the cryopump 4. 23 and is output to the rough intake valve 19. This rough intake valve 19
When the cryopump 4 is opened, the inside of the cryopump 4 is evacuated by the oil rotary pump 20, and when the vacuum pressure value inside the cryopump 4 reaches the predetermined lower limit vacuum degree P2 , the rough evacuating valve 19 is opened. A closing signal is sent from the cryo regeneration control device 23 to the rough intake valve 19. In response to this signal from the cryo regeneration control device 23, the rough intake valve 19 is closed, and the pressure within the cryopump 4 begins to rise again due to vaporization. A time T 1 is counted from when this rough ration valve 19 closes until it opens.
このように、上記動作がくり返えされる。この
動作のくり返しが行われている間にクライオ面１
５からの気化速度が当初から徐々に下つてくるた
め荒引用バルブ１９が一度開いて下限真空度P2
に達して閉じた時点から再び開くまでの時間T1
は第４図に示す如く徐々に長くなつていく。そこ
で、荒引用バルブ１９が閉じて開くまでのいわゆ
る閉じている時間T1が第４図に示す如く予め設
定しておいた時間T2達するとクライオ再生操作
を終了し、クライオ再生制御装置２３からヘリウ
ム循環用ポンプ１８の電源を投入する信号が出力
される。これによつてヘリウム循環用ポンプ１８
が作動し、クライオ面１５が冷却されて真空排気
される。このクライオ面１５の冷却真空排気が終
了すると自動的に再生モードに入る。 In this way, the above operation is repeated. While this operation is repeated, the cryoplane 1
Since the vaporization rate from 5 gradually decreases from the beginning, the rough quoting valve 19 opens once and the lower limit vacuum degree P 2 is reached.
The time from when it reaches and closes to when it reopens T 1
gradually becomes longer as shown in FIG. Therefore, when the so-called closing time T 1 from when the rough quoting valve 19 closes until it opens reaches a preset time T 2 as shown in FIG. A signal to turn on the power to the helium circulation pump 18 is output. As a result, the helium circulation pump 18
is activated, the cryo surface 15 is cooled and evacuated. When the cooling vacuum evacuation of the cryosurface 15 is completed, the regeneration mode is automatically entered.
この一連の動作フローチヤートが第５図に示さ
れている。すなわち、ステツプ100において、ク
ライオポンプが停止すると、ステツプ101におい
てクライオポンプ４内の圧力Ｐが上限真空度P1
より大きいか否かを判定する。このステツプ101
において、ＰかP1よりも大きいと判定すると、
ステツプ102において、荒引用バルブ１９を開い
てクライオポンプ４内を排気する。次に、ステツ
プ103において、クライオポンプ４内の圧力Ｐが、
下限真空度P2よりも小さくなつたかを判定し、
ＰがP2よりも小さくなつたと判定するとステツ
プ104において荒引用バルブ１９を閉じる。次に
ステツプ105においてタイマをスタートさせ、ス
テツプ106において、クライオポンプ４内の圧力
Ｐが上限真空度P1より大きくなつたか否かを判
定する。このステツプ106において、ＰがP1より
大きくなつたと判定すると、ステツプ107におい
て、タイマを停止し、タイマ値T1を検出する。
このステツプ107において検出したタイマ値T1が
あらかじめ設定した値T2よりも大きくなつたか
否かをステツプ108において判定する。このステ
ツプ108においてT1がT2よりも大きいと判定する
とステツプ109においてクライオ再生を終了する。
また、ステツプ108においてT1がT2よりも大きく
ないと判定するとステツプ110においてタイマ値
T1をクリアし、ステツプ102に戻る。 A flowchart of this series of operations is shown in FIG. That is, when the cryopump stops in step 100, the pressure P inside the cryopump 4 reaches the upper limit vacuum degree P1 in step 101.
Determine whether the value is greater than or not. This step 101
If it is determined that P is larger than P 1 , then
In step 102, the rough pump valve 19 is opened to exhaust the inside of the cryopump 4. Next, in step 103, the pressure P inside the cryopump 4 is
Determine whether the degree of vacuum has become smaller than the lower limit vacuum P 2 ,
If it is determined that P has become smaller than P2 , the rough intake valve 19 is closed in step 104. Next, in step 105, a timer is started, and in step 106, it is determined whether the pressure P inside the cryopump 4 has become larger than the upper limit vacuum level P1 . If it is determined in step 106 that P has become larger than P1 , the timer is stopped in step 107 and the timer value T1 is detected.
It is determined in step 108 whether or not the timer value T 1 detected in step 107 has become larger than a preset value T 2 . If it is determined in step 108 that T 1 is greater than T 2 , cryo regeneration is terminated in step 109 .
Further, if it is determined in step 108 that T 1 is not greater than T 2 , the timer value is determined in step 110.
Clear T 1 and return to step 102.
したがつて、本実施例によれば、クライオポン
プ停止後自動的に再生モードに入るため、ポンプ
内のガス圧が高くならない。 Therefore, according to this embodiment, the regeneration mode is automatically entered after the cryopump is stopped, so that the gas pressure inside the pump does not increase.
また、本実施例によれば、クライオ面の温度上
昇に伴なつて気化したガスが順次排気されるので
凝縮ガスの混合によるクライオポンプ内の化学反
応を起す危険がない。 Furthermore, according to this embodiment, the vaporized gas is sequentially exhausted as the temperature of the cryo surface increases, so there is no risk of chemical reactions occurring within the cryopump due to mixing of condensed gases.
さらに本実施例によれば、クライオポンプが危
険なく自動的に再生され、再び使用可能状態に戻
すことができる。 Furthermore, according to this embodiment, the cryopump can be automatically regenerated without any danger and can be returned to a usable state again.
またさらに本実施例によれば、反応性ガスが気
化しても、ただちに排気されるので、クライオポ
ンプ内部の劣化を少なくすることができる。 Furthermore, according to this embodiment, even if the reactive gas vaporizes, it is immediately exhausted, so that deterioration inside the cryopump can be reduced.
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、クライ
オポンプを停止した場合にも爆発等の危険性を生
じることがない。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, even when the cryopump is stopped, there is no risk of explosion or the like.
第１図はイオン打込装置の全体模式図、第２図
は従来のクライオポンプの構成図、第３図は本発
明の実施例を示す図、第４図は本実施例によるク
ライオポンプ内の圧力変化を示す図、第５図は動
作フローチヤートである。
１……イオン源、４……ビームライン排気用ク
ライオポンプ、５……イオンビーム、７……イオ
ン打込室、８……回転円板、１０……シリコンウ
エハ、１３……管路、１５……クライオ面、１８
……ヘリウム循環用ポンプ、１９……荒引用バル
ブ、２２……真空ゲージ、２３……クライオ再生
用制御装置。
FIG. 1 is a schematic diagram of the entire ion implantation device, FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional cryopump, FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram of the inside of a cryopump according to this embodiment. FIG. 5, which shows pressure changes, is an operation flowchart. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Ion source, 4...Beam line exhaust cryopump, 5...Ion beam, 7...Ion implantation chamber, 8...Rotating disk, 10...Silicon wafer, 13...Pipe line, 15 ... Cryo surface, 18
... Helium circulation pump, 19 ... Rough ration valve, 22 ... Vacuum gauge, 23 ... Cryo regeneration control device.
Claims (1)
の管路内を介してシリコンウエハに打ち込み半導
体素子を製造するイオン打込装置の前記管路に取
りつけられ、油回転ポンプによつてクライオポン
プ内を真空排気する荒引用バルブとヘリウム液化
器によつて極低温に保たれるクライオ面を備える
クライオポンプにおいて、上記クライオポンプ内
の圧力を検出する真空ゲージと、上記クライオ面
をヘリウム液化器によつて冷却するのを停止した
ときに作動し、前記真空ゲージの検出値が上限値
を超えたときに上記荒引用バルブを開き、前記真
空ゲージの検出値が下限値を下まわつたときに上
記荒引用バルブを閉じる指令を出力する制御手段
を設けたことを特徴とするイオン打込装置のクラ
イオポンプ再生装置。1. A cryopump is attached to the conduit of an ion implantation device that implants an ion beam emitted from an ion source into a silicon wafer through a vacuum conduit to manufacture semiconductor devices, and the inside of the cryopump is evacuated by an oil rotary pump. A cryopump is equipped with a cryo surface that is kept at an extremely low temperature by a rough evacuating valve and a helium liquefier, and a vacuum gauge that detects the pressure inside the cryopump, and a cryo surface that is cooled by a helium liquefier. When the detected value of the vacuum gauge exceeds the upper limit value, the roughing valve is opened, and when the detected value of the vacuum gauge falls below the lower limit value, the roughing valve is activated. A cryopump regeneration device for an ion implantation device, characterized in that the cryopump regeneration device is provided with a control means for outputting a command to close the ion implantation device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214870A JPS60107247A (en) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | Cryopump recovery apparatus for ion implantation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214870A JPS60107247A (en) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | Cryopump recovery apparatus for ion implantation apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107247A JPS60107247A (en) | 1985-06-12 |
| JPH0556616B2 true JPH0556616B2 (en) | 1993-08-20 |
Family
ID=16662925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58214870A Granted JPS60107247A (en) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | Cryopump recovery apparatus for ion implantation apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107247A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4854614B2 (en) * | 2007-07-09 | 2012-01-18 | アルバック・クライオ株式会社 | Ion implantation method |
-
1983
- 1983-11-15 JP JP58214870A patent/JPS60107247A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60107247A (en) | 1985-06-12 |
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