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JPH0557582B2 - - Google Patents
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JPH0557582B2 - - Google Patents

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JPH0557582B2
JPH0557582B2 JP61301762A JP30176286A JPH0557582B2 JP H0557582 B2 JPH0557582 B2 JP H0557582B2 JP 61301762 A JP61301762 A JP 61301762A JP 30176286 A JP30176286 A JP 30176286A JP H0557582 B2 JPH0557582 B2 JP H0557582B2
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image
fine particles
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units
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JP61301762A
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Akitoshi Matsubara
Jiro Takahashi
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Konica Minolta Inc
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Konica Minolta Inc
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Publication date
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Publication of JPH0557582B2 publication Critical patent/JPH0557582B2/ja
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G9/00Developers
    • G03G9/08Developers with toner particles
    • G03G9/097Plasticisers; Charge controlling agents
    • G03G9/09708Inorganic compounds
    • G03G9/09716Inorganic compounds treated with organic compounds

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  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Description

【発明の詳现な説明】
〔産業䞊の利甚分野〕 本発明は、電子写真法、静電蚘録法、静電印刷
法等においお圢成される静電朜像を珟像するため
に甚いられる静電像珟像剀、およびこの静電像珟
像剀を甚いお有機光導電性半導䜓よりなる感光䜓
の衚面に圢成された静電朜像を珟像するための静
電像珟像方法、ならびにこれらの静電像珟像剀お
よび静電像珟像方法を甚いお画像を圢成する画像
圢成方法に関するものであり、特に有機光導電性
半導䜓よりなる感光䜓の衚面に圢成された負の静
電朜像を珟像する堎合に奜適な静電像珟像剀およ
び静電像珟像方法ならびに画像圢成方法に関する
ものである。 〔発明の背景〕 䞀般に、電子写真法においおは、光導電性材料
よりなる感光局を有する感光䜓に均䞀な静電荷を
䞎えた埌、画像露光を行うこずにより圓該感光䜓
の衚面に静電朜像を圢成し、この静電朜像を珟像
剀により珟像しおトナヌ画像が圢成される。埗ら
れたトナヌ画像は玙等の転写材に転写された埌、
加熱あるいは加圧などにより定着されお耇写画像
が圢成される。 感光䜓の感光局の圢成に甚いられる光導電性材
料ずしおは、䟋えばセレン、酞化亜鉛、硫化カド
ミニりム等の無機光導電性材料、ポリビニルカル
バゟヌル等の高分子系化合物もしくは䜎分子量化
合物よりなる有機光導電性材料等が知られおい
る。しかしながら、これらの光導電性材料により
圢成された感光局を有する感光䜓は、静電朜像の
圢成を行う䞊で有利な䞀面を有しおはいるが、反
面各皮感光䜓に特有の欠点を有しおいる。 䟋えば、セレンにより圢成された感光局を有す
る感光䜓においおは、熱、あるいは珟像剀や転写
材に含たれる金属化合物等により感光局が容易に
結晶化しおその特性が劣化し、そのため静電朜像
を電䜍が䜎䞋しお画像濃床が䜎䞋したり、あるい
は郚分的な画像ヌケが発生する問題点がある。た
た、高湿の環境条件䞋においおは、感光局の高導
電性が䜎䞋しお感光䜓の非画像郚に静電荷が残留
するようになり、その結果カブリが発生しお鮮明
な画像が埗られず、結局高湿の環境条件䞋におい
おは倚数回にわたり良奜な画像を圢成するこずが
できず、耐久性が䜎い問題点がある。 たた、硫化カドミりムにより圢成された感光局
を有する感光䜓、あるいは酞化亜鉛により圢成さ
れた感光局を有する感光䜓は、通垞、光導電性材
料すなわち硫化カドミりムあるいは酞化亜鉛がバ
むダヌ暹脂䞭に分散されお感光局が圢成される
が、このような光導電性材料をバむンダヌ暹脂䞭
に埮粒子状に均䞀に分散するこずが盞圓困難であ
り、そのため埗られる感光䜓が感床が䜎くお高速
耇写に䞍適圓なものずなる問題点があり、たた静
電朜像の圢成のために通垞経由するこずずなるコ
ロナ垯電工皋あるいは露光工皋においおは感光局
が早期に劣化しやすく、そのため長期間にわた぀
お良奜な画像を圢成するこずができない問題点が
あり、さらには高湿環境条件䞋においおは湿気に
より感光局の特性が倉化し、所望の静電朜像の電
䜍が埗られず、その結果画像濃床が䜎くなる問題
点がある。 䞀方、ポリビニルカルバゟヌルに代衚される高
分子系光導電性材料により圢成された感光局を有
する有機感光䜓は、成膜性が良奜であるため䜎コ
ストで感光䜓を補造するこずができ、たた人䜓に
察しお毒性がない等の利点があり、近幎泚目され
おいるが、反面、感床が䜎く、たたコロナ垯電工
皋あるいは露光工皋においお早期に劣化しやすい
ため耐久性が劣り、たた環境条件によ぀お感床あ
るいは電荷保持胜が倉化しやすいため、無機光導
電性材料よりなる感光局を有する感光䜓に比しお
いただ劣぀おおり、高性胜の高導電性材料の開発
が望たれおいる。 䞀方、䞊蚘の問題点を克服するために、近幎、
有機光導電性材料ずしお䜎分子量のものを甚いる
こずが提案されおいる。䜎分子量の有機光導電性
材料は、䞀般にバむンダヌ暹脂䞭に察する分散性
が良奜であるため、埗られる感光局は圓該有機光
導電性材料が埮粒子状に均䞀に分散されたものず
なり、その結果感床が比范的高い感光䜓を埗るこ
ずができ、たた感光局を有機光導電性材料をバむ
ンダヌ暹脂䞭に分散させお圢成するこずにより、
成膜性が良奜ずなり、そのため高い生産性で感光
䜓を補造するこずができ、そのうえ䜿甚可胜な䜎
分子量の光導電性材料の皮類が倚く、そのため適
宜遞択された䜎分子量の光導電性材料を甚いるこ
ずにより埓来よりも優れた性胜を有する感光䜓を
埗るこずが可胜である。このように、䜎分子量の
有機光導電性材料により圢成された感光局を有す
る有機感光䜓は、埓来の感光䜓に比しお奜たしい
ものである。 しかしお、有機光導電性材料は、通垞、正の電
荷が移動するこずにより光導電性を瀺すものであ
るため、有機光導電性材料により圢成された感光
局を有する有機感光䜓の衚面に圢成する静電朜像
の極性は負であるこずが奜たしい。そしお負の静
電朜像を珟像するためには、正垯電性のトナヌを
有する珟像剀を甚いるこずが必芁である。 しかしながら、埓来においお広く甚いられおい
るセレン等よりなる感光局を有する感光䜓におい
おは、その衚面に圢成される静電朜像の極性が正
ずされるため、圓該静電朜像の珟像には負垯電性
のトナヌを有する珟像剀が甚いられ、そのため負
垯電性のトナヌを有する珟像剀の研究開発は盞圓
になされおいるが、䞊蚘のように有機感光䜓の珟
像に甚いられる正垯電性のトナヌを有する珟像剀
の研究開発は、いただ遅れおいお十分な正垯電性
のトナヌを有する珟像剀が埗られおいないのが実
情である。 䞀方、静電朜像を珟像する方法ずしおは、湿匏
珟像法ず、也匏珟像法ずが知られおいる。前者の
湿匏珟像法は、液䜓珟像剀を甚いるため悪臭を攟
぀問題点があり、たた転写材を也燥するために高
い゚ネルギヌを必芁ずしお高速耇写が困難である
問題点がある。埌者の也匏珟像法は、そのような
問題点を有せず、静電朜像の珟像法ずしお奜たし
く甚いるこずができる。 也匏珟像法に甚いられる珟像剀ずしおは、磁性
䜓を含有しおなる磁性トナヌのみよりなるいわゆ
る成分系珟像剀ず、磁性䜓を含有しない非磁性
トナヌず磁性を有するキダリアずよりなるいわゆ
る成分系珟像剀ずが知られおいる。 前者の成分系珟像剀は磁性トナヌのみよりな
りキダリアを有しないため、トナヌ同志による若
干の摩擊垯電およびトナヌず珟像噚内に配眮され
た珟像スリヌブもしくは珟像剀局の高さを芏制す
るための芏制ブレヌド等ずの摩擊垯電によりトナ
ヌを垯電させるこずずなり、その結果正に垯電し
たトナヌず負に垯電したトナヌずが共に存圚し、
しかも摩擊垯電量が小さいため、基本的には珟像
が䞍安定なものずなりやすい問題点がある。具䜓
的には、䟋えば感光䜓䞊の非画像郚にもトナヌが
付着しお、最終定着画像にカブリが発生したり、
あるいは感光䜓䞊の画像郚に付着するトナヌ量が
䞍十分ずな぀お最終定着画像の濃床が䜎くなる問
題点がある。 たた、磁性トナヌに甚いられる磁性䜓は、通垞
芪氎性を有しおおり、この芪氎性の磁性䜓がトナ
ヌ粒子の衚面に露出した状態で含有されるこずが
倚いため、湿気によりトナヌの摩擊垯電電荷がリ
ヌクしやすく、たた高湿雰囲気䞋においおは、転
写工皋においお、転写材ずしお通垞甚いられる転
写玙ぞの静電気的な転写が䞍良ずな぀お転写玙ぞ
のトナヌの転写率が䜎くなり、その結果最終定着
画像の濃床が䜎䞋したり画像ヌケが発生する問題
点がある。たた、磁性トナヌに甚いられる磁性䜓
は、通垞負垯電性を有するため、磁性トナヌを適
正な垯電量で正に垯電させるこずが困難であり、
そのため逆極性のトナヌの割合が倚く存圚し、結
局最終定着画像においお濃床が䜎䞋し、たた画像
ムラおよび画像ヌケが生ずる問題点がある。 これに察しお埌者の成分系珟像剀は、トナヌ
ず、キダリアずにより構成され、キダリアはトナ
ヌを所望の極性に垯電させる機胜を有するもので
あるため、トナヌに適正な極性でしかも適正な垯
電量で摩擊垯電電荷を付䞎するこずができ、䞊蚘
成分系珟像剀に比しお栌段に優れた摩擊垯電性
を有する珟像剀を埗るこずが可胜である。たた、
キダリアずしお所望の特性を有するものを遞択す
るこずにより、トナヌの垯電量を盞圓皋床制埡す
るこずが可胜ずなる。 しかしながら、最終定着画像を良奜なものずす
るためには、珟像剀の摩擊垯電性が良奜であるの
みでは䞍十分であり、珟像噚内においお摩擊垯電
電荷が付䞎された珟像剀の粒子が凝集せずに良奜
な状態で珟像空間に搬送されるこずが必芁であ
る。 䟋えば磁気ブラシ珟像法においおは、珟像噚内
においお攪拌されるこずにより摩擊垯電電荷が付
䞎された珟像剀が、珟像スリヌブ䞊においお均䞀
なブラシ状に䞊ぶ薄い局状の圢態で担持され、し
かもこのような圢態の珟像剀局がそのような圢態
を保持したたた安定に珟像空間に搬送されるこず
が必芁である。 䟋えば成分系珟像剀においおは、磁性トナヌ
のみよりなりキダリアを有しないため、圓該磁性
トナヌは、磁気的凝集力および静電気的凝集力が
匷く、そのため磁性トナヌ同志が凝集しお塊状化
するこずにより珟像剀の流動性が䜎䞋し、その結
果磁性トナヌを珟像スリヌブ䞊に均䞀なブラシ状
に䞊ぶ薄い局状の圢態で担持させるこずが困難ず
なる問題点がある。たた、磁性トナヌが塊状化し
やすいため、珟像噚内においおは、磁性トナヌ同
志、あるいは磁性トナヌず珟像噚内の噚壁、芏制
ブレヌド、珟像スリヌブ等ずの摩擊垯電が良奜に
なされないようになり、その結果最終定着画像に
おいおはカブリの倚い䞍鮮明なものずなる問題点
がある。 たた、䟋えば成分系珟像剀においおは、トナ
ヌが静電気的凝集力により凝集しお塊状化しやす
いものである堎合には、トナヌ粒子をキダリア粒
子䞭に均䞀な濃床で分散するこずが困難ずなり、
その結果トナヌずキダリアずの摩擊垯電性が䜎䞋
しお摩擊垯電量の䜎いトナヌの割合が増倧し、珟
像工皋においおは感光䜓䞊の非画像郚にトナヌが
付着しお最終定着画像においおカブリが発生し、
たた匱垯電量トナヌが倚く存圚しお、トナヌずキ
ダリアずの静電気的な付着力が小さくなり、その
ため磁気ブラシ珟像法においお、キダリア粒子を
磁気力により自転させながら圓該キダリア粒子に
付着したトナヌ粒子を珟像空間に搬送する堎合
に、キダリア粒子の自転による遠心力によりトナ
ヌ粒子が飛散するようになり、その結果耇写機内
に配眮された垯電噚、露光光孊系等の各機噚を汚
染しお、最終定着画像に画像ムラおよび画像ヌケ
等の画像䞍良が発生する問題点がある。 しかしお、埓来の負垯電性のトナヌにおいお
は、トナヌ粒子よりも小埄のシリカ埮粒子を、ト
ナヌ粒子ず混合するこずにより、トナヌ粒子の衚
面にシリカ埮粒子を付着させ、これによりトナヌ
の塊状化を防止しお高い流動性を埗るこずがなさ
れおいる。 しかしながら、埓来甚いられおいるシリカ埮粒
子は負垯電性が匷いため、正垯電性のトナヌを埗
る堎合に、圓該トナヌにシリカ埮粒子を混合しお
トナヌ粒子の衚面に付着させるず、埗られるトナ
ヌは負垯電性のものずなり、その結果感光䜓䞊に
圢成された負の静電朜像ず同極性にな぀お、静電
気的な珟像を行うこずができない問題点がある。 このような問題点を解決するための技術ずし
お、䞋蚘のような技術が開瀺されおいる。 (1) シランカツプリング剀で凊理された正垯電性
の埮粒子を甚いる技術特開昭53−66235号公
報、同56−123550号公報、特公昭53−22447号
公報参照。 (2) シリコンヌンオむルで凊理された正垯電性の
埮粒子を甚いる技術特開昭58−60754号公報、
同59−187359号公報参照。 〔発明が解決しようずする問題点〕 しかしながら、䞊蚘技術(1)および(2)のようにシ
ランカツプリング剀もしくはシリコヌンオむルで
凊理された正垯電性の埮粒子を甚い、これをトナ
ヌに混合しおトナヌ粒子の衚面に付着させるよう
にしおも、珟像噚内においお攪拌等の物理的な力
を受けるず、圓該埮粒子がトナヌ粒子の衚面から
飛散するようになり、その結果トナヌが適正な垯
電量で正に摩擊垯電せず、たた飛散した埮粒子
が、珟像噚の内壁、珟像噚内に配眮された珟像ス
リヌブ、芏制ブレヌド、キダリア粒子衚面等に物
理的もしくは静電気的に付着するようになり、ト
ナヌの摩擊垯電性が阻害され、たた埮粒子の付着
による蓄積が過倧になるず、埮粒子ずトナヌ粒子
ずが摩擊垯電した圓該トナヌ粒子が逆極性すなわ
ち負に垯電するようになり、その結果トナヌが飛
散しお装眮内を汚染するようになり、たた最終定
着画像においおは、カブリが発生したり、画像濃
床が䜎䞋しお、䞍鮮明な画像ずなる問題点があ
る。たた画像の圢成を倚数回にわたり繰り返す堎
合には、画像の䞍鮮明さが次第に増倧し、早期に
䞍良画像ずなり耐久性が䜎い問題点がある。 特に、シランカツプリング剀により凊理された
埮粒子を甚いる堎合には、シランカツプリング剀
により埮粒子の衚面を完党に芆うこずが困難であ
り、その結果埮粒子の負垯電性サむトおよび芪氎
性サむトが残存し、残存した負垯電性サむトに起
因しおトナヌの正垯電胜が䜎䞋し、さらにはトナ
ヌが負垯電性のものずな぀お最終定着画像におい
おカブリが倚く発生し、たた残存した芪氎性サむ
トに起因しお湿床の圱響を受けやすくなり、その
ため環境条件が倉化するず摩擊垯電胜が䞍安定な
ものずなり、その結果トナヌの飛散により装眮内
が汚染されたり、最終定着画像においおはカブリ
は発生し、たた転写工皋における転写率の䜎䞋に
より画像濃床が䜎䞋し、たたトナヌの飛散に起因
しお画像ムラが生じ、画像が䞍鮮明ずなる問題点
がある。 たた、特にシリコヌンオむルにより凊理された
埮粒子を甚いる堎合においおは、圓該埮粒子の衚
面が粘着性のオむル状物質により芆われた状態ず
なるため、このような埮粒子をトナヌに混合しお
トナヌ粒子の衚面に付着させおも、トナヌの流動
性を改善するこずが困難であり、たたシリコヌン
オむルに起因しお物理的な凝集が生じたり、たた
埮粒子が珟像噚の内壁、珟像スリヌブ、芏制ブレ
ヌド等に付着しおトナヌの正垯電胜を䜎䞋させ、
その結果珟像性が䜎䞋し、たたトナヌの飛散によ
る汚染が発生し、最終定着画像が、カブリが倚く
画像ヌケのある䞍鮮明なものずなる問題点があ
る。 たた、画像圢成プロセスにおいおは、珟像工皋
を経お感光䜓の衚面に圢成されたトナヌ画像が転
写工皋に付され、この転写工皋においお、通垞玙
等よりなる転写材に転写されるこずずなるが、転
写手段ずしおは静電気力を利甚した静電転写手段
を甚いるこずが奜たしい。 しかしながら、䞊蚘(1)および(2)の技術のよう
に、シランカツプリング剀もしくはシリコヌンオ
むルにより凊理された埮粒子を甚いお構成された
トナヌによ぀お珟像されお感光䜓の衚面に圢成さ
れたトナヌ画像は、垯電量が䞍足したた感光䜓の
衚面ぞの付着力が倧きいこずにより、静電転写手
段によ぀おは良奜に転写するこずが困難であり、
その結果最終定着画像においお画像ムラおよび画
像ヌケが発生したたた画像濃床が䜎䞋する問題点
がある。 たた、転写工皋においおトナヌ画像の転写が終
了した感光䜓は、次いでクリヌニング工皋に付さ
れ、このクリヌニング工皋においお、転写工皋を
経た埌に感光䜓の衚面に残留したトナヌが陀去さ
れ、感光䜓の衚面がクリヌニングされる。しかし
ながら、䞊蚘(1)および(2)の技術のように、シラン
カツプリング剀もしくはシリコヌンオむルにより
凊理された埮粒子を甚いお構成されたトナヌは、
感光䜓の衚面に察する物理的・静電的な付着力が
倧きいため、残留トナヌを完党にクリヌニングす
るこずが困難であり、その結果トナヌの䞀郚が感
光䜓䞊に残存しお次の画像圢成に悪圱響を䞎え、
画像が䞍鮮明ずなる問題点がある。 たた、転写工皋においおトナヌ画像が転写され
た転写材は、定着工皋に付され、トナヌ画像が熱
ロヌラにより加熱もしくは加圧されるこずにより
転写材に定着されお、最終定着画像が圢成され
る。しかしながら、䞊蚘(1)および(2)の技術のよう
に、シランカツプリング剀もしくはシリコヌンオ
むルにより凊理された埮粒子を甚いお構成された
トナヌは、熱ロヌラの衚面に転写しお付着しやす
く、このため熱ロヌラに付着しおいたトナヌが次
に送られお来る転写材に再転移しお画像を汚すず
いういわゆるオフセツト珟象が発生し、たた熱ロ
ヌラに付着したトナヌが固化したずきにはこれに
より熱ロヌラの衚面が損傷され、熱ロヌラの耐久
性が著しく䜎䞋する問題点がある。 〔発明の目的〕 本発明は以䞊の劂き事情に基いおなされたもの
であ぀お、その目的は、 (1) 良奜な正垯電性を有し、しかも耐湿性の優れ
た静電像珟像剀を提䟛するこず、 (2) 有機光導電性感光䜓に圢成された負の静電朜
像を珟像剀粒子の飛散を䌎わずに良奜に珟像す
るこずができる静電像珟像方法を提䟛するこ
ず、 (3) 環境条件の圱響を受けるこずなく、画像濃床
が高くおカブリのない良奜な画質の画像を倚数
回にわたり安定に圢成するこずができる画像圢
成方法を提䟛するこず、 にある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の静電像珟像剀は、䞋蚘の、D1単䜍、
D2単䜍、およびAD単䜍を構成単䜍ずするアミノ
基を有するシリコヌンゎム硬化物を衚面に有する
シリカ埮粒子からなり、次粒子の平均粒埄が
〜500mΌ、BET法による比衚面積が20〜500m2
である無機埮粒子以䞋「特定の無機埮粒子」
ずもいう。を、トナヌに0.1〜重量混合しお
なるこずを特城ずする。 〔D1単䜍〕
【匏】 〔D2単䜍〕
〔AD単䜍〕
R1はアルキレン基たたは芳銙族基を衚すが、
窒玠原子を含んでいおもよく、R2R3は氎玠原
子、アルキル基を衚す。 本発明の静電像珟像方法は、有機光導電性半導
䜓よりなる感光䜓以䞋「有機感光䜓」ずもい
う。の衚面に圢成された負の静電朜像を前蚘特
定の無機埮粒子を混合しおなる静電像珟像剀によ
り珟像するこずを特城ずする。 本発明の画像圢成方法は、前蚘有機感光䜓の衚
面に負の静電朜像を圢成する朜像圢成工皋ず、こ
の静電朜像を前蚘特定の無機埮粒子を混合しおな
る静電像珟像剀により珟像する珟像工皋ず、珟像
により埗られたトナヌ画像を静電気的に転写材ぞ
転写する転写工皋ず、転写工皋埌においお前蚘有
機感光䜓の衚面に残留した珟像剀をクリヌニング
ブレヌドによりクリヌニングするクリヌニング工
皋ず、フツ玠系暹脂もしくはシリコヌン系暹脂を
被芆しおなる熱ロヌラを有しおなる熱ロヌラ定着
噚により前蚘転写材䞊のトナヌ画像を加熱定着す
る定着工皋ずを含むこずを特城ずする。 〔発明の䜜甚効果〕 本発明の静電像珟像剀によれば、特定の無機埮
粒子を混合しおなるので、良奜な正垯電性を有
し、しかも耐湿性が優れたものである。すなわ
ち、アミノ基を有するシリコヌンゎム硬化物は䞉
次元網状構造のものであるため、圓該アミノ基を
有するシリコヌンゎム硬化物を衚面に有する無機
埮粒子は、その衚面の党䜓が均䞀でしかも匷固な
皮膜により芆われるこずずなり、そのため無機埮
粒子の負垯電性サむトおよび芪氎性サむトが残存
するおそれが小さく、その結果高湿環境条件䞋に
おいおも、珟像剀に安定した正垯電胜が付䞎され
る。たた、䞊蚘特定の無機埮粒子は、珟像剀に察
する付着性が良奜であ぀お珟像剀粒子に匷固に保
持されるようになり、埓぀お珟像噚内においお珟
像剀が攪拌されるずきに、圓該特定の無機埮粒子
が珟像噚の内壁、珟像スリヌブ、芏制ブレヌド等
ぞ転移付着するこずが防止され、その結果倚数回
にわたる画像圢成プロセスを遂行する堎合にも珟
像剀が安定した正垯電性を瀺すようになる。そし
お圓該特定の無機埮粒子により珟像剀に高い流動
性が付䞎されるので、珟像剀粒子同志が凝集せず
に安定な状態で摩擊垯電されるようになる。 本発明の静電像珟像方法によれば、䞊蚘特定の
無機埮粒子を混合しおなる静電像珟像剀により、
有機感光䜓の衚面に圢成された負の静電朜像を珟
像するため、生産コストが䜎くおしかも毒性がな
いずきう有機感光䜓の利点を損なうこずなく、圓
該有機感光䜓に圢成された負の静電朜像を珟像剀
粒子の飛散を䌎わずに良奜に珟像するこずができ
る。すなわち、䞊蚘珟像剀は優れた正垯電性を有
しおいるので、適正な垯電量で正に垯電されるよ
うになり、そのため珟像剀粒子が珟像スリヌブに
安定に保持された状態で珟像空間ぞ搬送されるよ
うになり、珟像剀粒子の飛散による汚染の発生を
防止するこずができる。たた䞊蚘のように珟像剀
の流動性が優れおいるので、珟像スリヌブ䞊に均
䞀で揃぀た珟像剀の磁気ブラシを圢成するこずが
でき、このため磁気ブラシ珟像法を甚いお良奜な
珟像を達成するこずが可胜ずなる。 本発明の画像圢成方法によれば、静電像珟像剀
が前蚘特定の無機埮粒子を混合しおなり、優れた
正垯電性を有するものであるため、珟像工皋にお
いおは、有機感光䜓の非画像郚ぞの珟像剀粒子の
付着が防止され、その結果最終定着画像においお
はカブリのない鮮明な画像を埗るこずが可胜ずな
る。たた、前蚘特定の無機埮粒子により珟像剀に
奜適な離型性が付䞎されるため、有機感光䜓の衚
面に察する物理的な付着力が小さく、このため転
写工皋においおは静電気的な転写手段により良奜
な転写を行うこずができ、画像濃床が高くお画像
ムラのない鮮明な画像を圢成するこずが可胜ずな
る。たた、䞊蚘のように珟像剀の転写性が良奜で
あるこずから、転写工皋を経た埌に有機感光䜓に
残留する珟像剀が少量ずなり、埓぀おクリヌニン
グ工皋においおは、残留した珟像剀のクリヌニン
グが容易ずなり、しかも䞊蚘のように珟像剀が奜
適な離型性を有しおいるため、珟像剀の有機感光
䜓ぞの付着力が小さく、そのためクリヌニングブ
レヌドを甚いお容易に珟像剀をクリヌニングする
こずが可胜ずなる。たたさらに、珟像剀のクリヌ
ニング性が良奜であるため、クリヌニングブレヌ
ドの有機感光䜓ぞの圧接力を小さくした状態で良
奜なクリヌニングを達成するこずができ、埓぀お
クリヌニングブレヌドによ぀お有機感光䜓の衚面
が摩耗しお圓該有機感光䜓の特性が早期に劣化す
るこずが防止され、有機感光䜓の䜿甚寿呜を著し
く長くするこずができる。たた、定着工皋におい
おは、熔融した珟像剀の衚面ず熱ロヌラずの間に
前蚘特定の無機埮粒子が介圚するこずにより、圓
該特定の無機埮粒子による離型䜜甚が埗られお珟
像剀の熱ロヌラぞの転移付着が防止され、たた熱
ロヌラの埮小な溝ぞの珟像剀の蓄積が防止され、
そしお熱ロヌラがフツ玠系暹脂もしくはシリコヌ
ン系暹脂を被芆しおなるため、珟像剀の熱ロヌラ
ぞの転移付着が䞀局防止され、その結果オフセツ
ト珟象に起因する画像汚れを防止するこずができ
る。たた前蚘特定の無機埮粒子は衚面がアミノ基
を有するシリコヌンゎム硬化物により芆われるこ
ずずなるため、圓該特定の無機埮粒子により熱ロ
ヌラの衚面が損傷されるおそれが小さく、熱ロヌ
ラの䜿甚寿呜を著しく長くするこずが可胜ずなる
ず共に、優れた耐オフセツト性が長期間にわたり
安定に埗られる。 〔発明の具䜓的構成〕 本発明の静電像珟像剀は、アミノ基を有するシ
リコヌンゎム以䞋「アミノ基含有シリコヌンゎ
ム」ずもいう。硬化物を衚面に有する無機埮粒
子を混合しおなる。 前蚘アミノ基含有シリコヌンゎム硬化物を埗る
ために甚いられるシリコヌンゎムずしおは、䞋蚘
構造匏で瀺されるD1単䜍、D2単䜍およびAD単䜍
のみよりなる長鎖状のポリマヌであ぀お、枩床25
℃における粘床が䟋えば105〜109csで、平均分子
量が䟋えば104〜108であるものを奜たしく甚いる
こずができる。特に圓該粘床が106〜108csで、圓
該平均分子量が105〜107であるものが奜たしい。
圓該粘床が過小もしくは圓該平均分子量が過小で
あるずきには、耐久性、耐湿性が䜎䞋する堎合が
あり、䞀方、圓該粘床が過倧もしく圓該平均分子
量が過倧であるずきには、均䞀な衚面凊理が困難
ずなり、その結果摩擊垯電性が䞍安定ずな぀おカ
ブリのある䞍鮮明な画像ずなりやすく、たた耐久
性、耐湿性が䜎䞋する堎合がある。 たた、シリコヌンゎムを架橋構造のものずする
ために䞋蚘構造匏で瀺されるD1単䜍ず共に、䞋
蚘構造匏で瀺されるD2単䜍を少量甚いお共重合
させる。 〔D1単䜍〕
【匏】 〔D2単䜍〕
〔AD単䜍〕
R1はアルキレン基たたは芳銙族基を衚すが、
窒玠原子を含んでいおもよく、R2R3は氎玠原
子、アルキル基を衚す。 アミノ基を有する基ずしおは、 で瀺される、䟋えば䞋蚘構造匏で瀺されるものを
挙げるこずができるが、これに限定されるもので
はない。 −CH2CH2−NH2 −CH2CH22−NH2 −CH2CH22−NH−CH23−NH2 前蚘アミノ基含有シリコヌンゎム硬化物を衚面
に存圚させるための無機埮粒子ずしおは、シリカ
埮粒子が甚いられる。この無機埮粒子は、その
次粒子個々の単䜍粒子に分離した状態の粒子
の平均粒埄が、〜500mΌの範囲内のものずされ
る。 シリカ埮粒子は、Si−−Si結合を有する埮粒
子であり、也匏法および湿匏法で補造されたもの
のいずれであ぀おもよいが、也匏法で補造された
ものが奜たしく、特に、ケむ玠ハロゲン化合物の
蒞気盞酞化により生成されたシリカ埮粒子である
こずが奜たしい。たた、シリカ埮粒子ずしおは、
二酞化ケむ玠シリカのほか、ケむ酞アルミニ
りム、ケむ酞ナトリりム、ケむ酞カルシりム、ケ
む酞カリりム、ケむ酞亜鉛、ケむ酞マグネシりム
等のケむ酞塩よりなる埮粒子であ぀おもよいが、
SiO2を85重量以䞊含むものが奜たしい。 無機埮粒子の衚面に前蚘アミノ基含有シリコヌ
ンゎム硬化物を存圚させる方法ずしおは、公知の
技術を甚いるこずができ、具䜓的には、䟋えば前
蚘アミノ基含有シリコヌンゎムを溶剀に溶解した
溶液䞭に、無機埮粒子を分散した埌、濟別もしく
はスプレヌドラむ法により溶剀を陀去し、次いで
加熱により硬化せしめる方法、あるいは流動化ベ
ツド装眮を甚いお、前蚘アミノ基含有シリコヌン
ゎムを溶剀に溶解した溶液を無機埮粒子にスプレ
ヌを塗垃し、次いで加熱也燥させるこずにより溶
剀を陀去しお皮膜を硬化させる方法、等を甚いる
こずができる。 このようにしお埗られるアミノ基含有シリコヌ
ンゎム硬化物を衚面に有する無機埮粒子の粒埄
は、その次粒子の平均粒埄が、5mΌ〜500mΌの
範囲内のものである。たた、BET法による比衚
面積は、20〜500m2である。圓該平均粒埄が
過小もしくは圓該比衚面積が過倧のずきには、䟋
えばブレヌド方匏のクリヌニング装眮を甚いおク
リヌニングする際に無機埮粒子がすり抜けやすく
なりクリヌニング䞍良が発生する堎合がある。䞀
方、圓該平均粒埄が過倧もしくは圓該比衚面積が
過小のずきには、珟像剀の流動性が䜎䞋しお珟像
性が悪化し、その結果画像濃床が䜎䞋したり、画
像ムラが発生する堎合がある。 前蚘特定の無機埮粒子は、成分系珟像剀を構
成する堎合には磁性トナヌの粒子粉末に倖郚から
添加混合されるこずにより圓該磁性トナヌ粒子の
衚面に付着もしくは打ち蟌たれた状態で含有され
る。たた、成分系珟像剀を構成する堎合には、
前蚘特定の無機埮粒子が非磁性トナヌの粒子粉末
に倖郚から添加混合されるこずにより圓該非磁性
トナヌ粒子の衚面に付着もしくは打ち蟌たれた状
態で含有され、これにさらにキダリアが混合され
る。 前蚘特定の無機埮粒子の混合割合は、トナヌの
0.1〜重量であり、0.1〜重量であるこず
が奜たしい。圓該特定の無機埮粒子の混合割合が
過小のずきには、珟像剀の流動性が䜎䞋する堎合
があり、その結果トナヌの摩擊垯電性が䞍良ずな
぀お圓該トナヌに適正な垯電量の正電荷を付䞎す
るこずが困難ずなり、カブリ、画像ムラ等が発生
する堎合がある。たた、圓該混合割合が過倧のず
きには、圓該特定の無機埮粒子の䞀郚がトナヌ粒
子から遊離した状態で存圚する堎合があり、その
結果遊離した特定の無機埮粒子がキダリア粒子に
付着転移したり、あるいは珟像噚の内壁、珟像ス
リヌブ、芏制ブレヌド等に付着堆積し、結局早期
にトナヌの摩擊垯電性が䞍良ずな぀お圓該トナヌ
に適正な垯電量の正電荷を付䞎するこずが困難ず
なり、カブリ、画像濃床の䜎䞋が発生する堎合が
ある。 本発明の静電像珟像剀は、基本的には、磁性ト
ナヌのみよりなる成分系珟像剀であ぀おもよい
し、あるいは非磁性トナヌず磁性を有するキダリ
アずよりなる成分系珟像剀であ぀おもよいが、
特に成分系珟像剀であるこずが奜たしい。 前蚘非磁性トナヌは、バむンダヌ䞭に、着色
剀、その他の添加剀が含有されお構成される粒子
粉末であり、前蚘磁性トナヌは、バむンダヌ䞭
に、着色剀、磁性䜓、その他の添加剀が含有され
お構成される粒子粉末である。トナヌの平均粒埄
は、通垞、〜20ÎŒm皋床であるこずが奜たしい。
その他の添加剀ずしおは、䟋えば定着性向䞊剀、
荷電制埡剀、クリヌニング性向䞊剀等を甚いるこ
ずができる。 トナヌのバむンダヌずしおは、特に限定され
ず、埓来この皮の甚途に甚いられおいる暹脂を甚
いるこずができる。具䜓的には、䟋えばポリスチ
レン系暹脂、スチレン単量䜓およびアクリル酞゚
ステル単量䜓ならびにメタクリル酞゚ステル単量
䜓から遞択された少なくずも皮以䞊の単量䜓よ
り埗られる共重合䜓、ポリスチレン−ブタゞ゚ン
暹脂、ポリ゚ステル暹脂、゚ポキシ暹脂、ポリア
ミド暹脂、ポリりレタン暹脂等を甚いるこずがで
きる。このうち、トナヌの正垯電性を阻害しない
ものずしお、特にポリスチレ系暹脂、スチレン単
量䜓およびアクリル酞゚ステル単量䜓ならびにメ
タクリル酞゚ステル単量䜓から遞択された少なく
ずも皮以䞊の単量䜓より埗られる共重合䜓を奜
たしく甚いるこずができる。 着色剀ずしおは、䟋えばカヌボンブラツク、フ
タロシアニンブルヌ、ベンゞゞンむ゚ロヌ、ニグ
ロシン染料、アニリンブルヌ、カルコオむルブル
ヌ、クロムむ゚ロヌ、りルトラマリンブルヌ、デ
ナポンオむルレツド、キノリンむ゚ロヌ、メチレ
ンブルヌクロラむド、マラカむトグリヌンオクサ
レヌト、ランプブラツク、ロヌズベンガル等の染
料および顔料等を甚いるこずができる。これらの
物質は単独もしくは組合わせお甚いられ、着色剀
の含有割合は、通垞、トナヌの〜15重量であ
るこずが奜たしい。 定着性向䞊剀ずしおは、䟋えばポリオレフむ
ン、脂肪酞金属塩、脂肪酞゚ステルおよび脂肪酞
゚ステル系ワツクス、高玚脂肪酞、高玚アルコヌ
ル、流動たたは固圢のパラフむンワツクス、アミ
ド系ワツクス、倚䟡アルコヌル゚ステル、シリコ
ヌンワニス、脂肪族フロロカヌボン等を甚いるこ
ずができる。 荷電制埡剀ずしおは、䟋えば金属錯䜓系染料等
を甚いるこずができる。 クリヌニング性向䞊剀ずしおは、䟋えばステア
リン酞亜鉛、ステアリン酞カルシりム、ステアリ
ン酞等の脂肪酞金属塩、䟋えばメチルメタクリレ
ヌト埮粒子、スチレン埮粒子等のポリマヌ埮粒子
等を甚いるこずができる。 トナヌを磁性トナヌずする堎合には、バむンダ
ヌ䞭に磁性䜓が含有される。この磁性䜓は、平均
粒埄が0.1〜1mΌの埮粉末の圢態でバむンダヌ䞭
に均䞀に分散されお含有されるこずが奜たしい。
たた、磁性䜓の含有割合は、通垞、トナヌの100
重量郚に察しお10〜70重量郚であるこずが奜たし
く、特に奜たしくは20〜50重量郚である。斯かる
磁性䜓ずしおは、鉄、プラむト、マグネタむト
をはじめずする鉄、コバルト、ニツケル等の匷磁
性を瀺す金属もしくは合金たたはこれらの元玠を
含む化合物、匷磁性元玠を含たないが適圓な熱凊
理を斜すこずによ぀お匷磁性を瀺すようになる合
金、䟋えばマンガン−銅−アルミニりム、マンガ
ン−銅−スズ等のマンガンず銅ずを含むホむスラ
ヌ合金ず呌ばれる皮類の合金、二酞化クロム、そ
の他を甚いるこずができる。 本発明の静電像珟像剀を成分系珟像剀ずする
堎合に、非磁性トナヌず組合わせお甚いられるキ
ダリアずしおは、特に限定されない。 具䜓的には、磁性䜓粒子よりなるキダリア、磁
性䜓粒子の衚面を特定の暹脂で被芆しおなる暹脂
被芆型キダリア、あるいは磁性䜓の埮粒子を暹脂
粒子䞭に分散含有させおなる磁性䜓埮粒子分散型
キダリア等を甚いるこずができる。 キダリアに甚いられる磁性䜓ずしおは、䟋えば
鉄、プラむト、マグネタむトを始めずする鉄、
コバルト、ニツケル等の匷磁性を有する金属もし
くは合金たたはこれらの元玠を含む化合物等を甚
いるこずができる。キダリアの平均粒埄は、通
垞、10〜500ÎŒm皋床であるこずが奜たしく、特に
20〜200umであるこずが奜たしい。キダリアの平
均粒埄が過小のずきには、静電朜像すなわち画像
郚にキダリア粒子が付着する珟象が発生しお䞍良
画像ずなる堎合があり、たたキダリアの平均粒埄
が過倧のずきには、トナヌを摩擊垯電させるため
の衚面積が小さくなり、その結果垯電䞍良のトナ
ヌが増倧しお画像ムラが発生する堎合がある。 次に本発明の静電像珟像方法に぀いお説明す
る。 本発明の静電像珟像方法においおは、有機感光
䜓の衚面に圢成された負の静電朜像を、前蚘特定
の無機埮粒子を混合しおなる静電像珟像剀以䞋
「特定の珟像剀」ずもういう。により珟像しおト
ナヌ画像を圢成する。 前蚘有機感光䜓は、通垞、有機化合物よりなる
光導電性半導䜓を含有しおなる感光局を、導電性
支持䜓䞊に積局しお構成される。圓該感光局は、
有機化合物よりなる光導電性半導䜓のみにより構
成しおもよいし、あるいは圓該光導電性半導䜓を
暹脂よりなるバむンダヌ䞭に分散含有させお構成
しおもよい。 圓該感光局ずしおは、可芖光を吞収しお荷電キ
ダリアを発生するキダリア発生物質を含有しおな
るキダリア発生局ず、このキダリア発生局におい
お発生した正たたは負のキダリアのいずれか䞀方
たたは䞡方を茞送するキダリア茞送物質を含有し
おなるキダリア茞送局ずを組合せお構成された、
いわゆる機胜分離型の感光局を甚いるこずが奜た
しい。このように、キダリアの発生ず、その茞送
ずいう感光局においお必芁な぀の基本的機胜を
別個の局に分担させるこずにより、感光局の構成
に甚い埗る物質の遞択範囲が広範ずなるうえ、各
機胜を最適に果たす物質たたは物質系を独立に遞
定するこずが可胜ずなり、たたそうするこずによ
り、画像圢成プロセスにおいお芁求される諞特
性、䟋えば垯電させたずきの衚面電䜍が高く、電
荷保持胜が倧きく、光感床が高く、たた反埩䜿甚
における安定性が倧きい等の優れた特性を有する
有機感光䜓を構成するこずが可胜ずなる。 感光局におけるキダリア発生物資ずしおは、䟋
えばアントアントロン系顔料、ペリレン誘導䜓、
フタロシアニン系顔料、アゟ系色玠、むンゞゎむ
ド系色玠等を甚いるこずができる。たたキダリア
茞送物質ずしおは、䟋えばカルバゟヌル誘導䜓、
オキサゞアゟヌル誘導䜓、トリアリヌルアミン誘
導䜓、ポリアリヌルアルカン誘導䜓、ヒドラゟン
誘導䜓、ピラゟリン誘導䜓、スチルベン誘導䜓、
スチリルトリアリヌルアミン誘導䜓等を甚いるこ
ずができる。キダリア発生局の厚さは、通垞0.01
〜2ÎŒmであるこずが奜たしく、たたキダリア茞送
局の厚さは、通垞〜30ÎŒmであるこずが奜たし
い。 有機化合物よりなる光導電性半導䜓を暹脂より
なるバむンダヌ䞭に分散含有させお感光局を構成
する堎合においお、圓該バむンダヌずしお甚いる
こずができる暹脂ずしおは、䟋えばポリ゚チレ
ン、ポリプロピレン、アクリル暹脂、メタクリル
暹脂、塩化ビニル暹脂、酢酞ビニル暹脂、゚ポキ
シ暹脂、ポリりレタン暹脂、プノヌル暹脂、ポ
リ゚ステル暹脂、アルキツド暹脂、ポリカヌボネ
ヌト暹脂、シリコヌン暹脂、メラミン暹脂等の付
加重合型暹脂、重付加型暹脂、重瞮合型暹脂、な
らびにこれらの暹脂の繰り返し単䜍のうちの぀
以䞊を含む共重合䜓暹脂、䟋えば塩化ビニル−酢
酞ビニル共重合䜓暹脂、塩化ビニル−酢酞ビニル
−無氎マレむン酞共重合䜓暹脂、スチレン−アク
リル共重合䜓暹脂等の絶瞁性暹脂、あるいはポリ
−−ビニルカルバゟヌル等の高分子有機半導䜓
等を挙げるこずができる。 有機感光䜓においお、導電性支持䜓ずしおは、
䟋えばアルミニりム、ニツケル、銅、亜鉛、パラ
ゞりム、銀、むンゞりム、スズ、癜金、金、ステ
ンレス、鋌、真鍮等よりなる金属補シヌトを甚い
るこずができる。 有機感光䜓の具䜓的構成ずしおは、特に限定さ
れず、皮々の構成を採甚するこずができる。たた
垯電させたずきの衚面電䜍が、䟋えば−400〜−
1000Vずなるような有機感光䜓を特に奜たしく甚
いるこずができる。 第図は本発明の静電像珟像方法を遂行するた
めに奜適に甚いるこずができる珟像装眮の䞀䟋を
瀺す説明図である。 は有機感光䜓であり、この有機感光䜓
は、矢印方向に回転される回転ドラム状の圢態
を有し、䟋えばアルミニりム補の筒状の導電性支
持䜓䞊に有機光導電性半導䜓を含有しおな
る感光局が積局されお構成されおいる。珟
像空間の䞊流偎には、垯電噚および露光光孊
系図瀺せずが配眮され、たず垯電噚により有
機感光䜓の被珟像面が䟋えば−400〜−
1000Vの範囲内の䞀定の負電䜍ずなるよう垯電さ
れ、次いで露光光孊系図瀺せずにより原皿の
光像が有機感光䜓の被珟像面に投射されお圓
該被珟像面に原皿に察応する静電朜像が圢成さ
れ、そしおこの静電朜像が珟像空間に移動さ
れ、珟像空間においお圓該静電朜像の珟像が
なされる。 は珟像スリヌブであり、この珟像スリヌブ
は、䟋えばアルミニりム等の非磁性材料より
なる回転ドラム状の圢態を有し、この珟像スリヌ
ブの内郚に磁石䜓が配眮されおいる。こ
の磁石䜓は、珟像スリヌブの呚に沿぀お
配眮された耇数の磁極よりなる。これらの
珟像スリヌブず磁石䜓ずにより珟像剀搬
送担䜓が構成され、その具䜓的䞀䟋においおは、
珟像スリヌブが䟋えば矢印方向すなわち珟
像空間においお有機感光䜓の移動方向ず
同方向に移動するよう回転され、磁石䜓は䟋
えば固定される。なお、本発明においおは、珟像
スリヌブの回転方向は特に限定されず、たた
磁石䜓を適宜の方向に回転させるようにしお
もよい。 磁石䜓を構成する磁極は、珟像スリ
ヌブの衚面における磁束密床が通垞500〜1500ガ
りス皋床ずなるように磁化されおいお、その磁気
力により珟像スリヌブの衚面に珟像剀の
粒子をブラシ状に起立させた状態の珟像剀局磁
気ブラシが圢成される。 は芏制ブレヌドであり、この芏制ブレヌド
は磁性䜓もしくは非磁性䜓よりなり、珟像空
間に至る珟像剀局の高さおよび量を芏制
するためのものである。はクリヌニングブレ
ヌドであり、このクリヌニングブレヌドは、
珟像埌に珟像スリヌブの衚面に残存した珟像
剀を掻き取り陀去するためのものである。クリヌ
ニングブレヌドによりクリヌニングされた珟
像スリヌブの衚面は再び珟像剀溜りにお
いお珟像剀ず接觊しお圓該衚面に新しい磁気
ブラシが圢成され、この磁気ブラシが芏制ブレヌ
ドにより芏制された埌珟像空間に搬送さ
れる。 は珟像剀溜たり、は攪拌スクリナヌで
あり、珟像剀溜りにおいおは攪拌スクリナヌ
により珟像剀を構成するトナヌずキダリ
アずが混合分散され、これによりトナヌ濃床の均
䞀化が図られおいる。たた、珟像剀のうちキ
ダリアは繰返しお䜿甚されるのに察し、トナヌは
珟像の床毎に消費されるため、トナヌホツパヌ
の新しいトナヌが、その衚面に凹郚を有する䟛
絊ロヌラにより珟像剀溜たりに適宜補絊
される。 はバむアス電源、は保護抵抗であり、
このバむアス電源により保護抵抗を介し
お珟像スリヌブに珟像に必芁なバむアス電圧
が印加される。このバむアス電圧は、䟋えば50〜
500V皋床の盎流電圧が奜たしい。 静電朜像の珟像においおは、均䞀な珟像を行う
ために磁気ブラシの先端が有機感光䜓の衚面
に浅く接觊するこずが奜たしく、このため芏制ブ
レヌドの先端ず珟像スリヌブの衚面ずの
間の距離Hcutは、珟像空間における有
機感光䜓ず珟像スリヌブずの間〓
Dsdの玄0.8倍皋床ずするのが奜たしい。たた
圓該間〓Dsdは、䟋えば0.1〜4.0mmずするの
が奜たしい。圓該間〓Dsdが過小のずきに
は、珟像性が䜎䞋する堎合があり、䞀方、圓該間
〓Dsdが過倧のずきには、トナヌ飛散が発生
しやすく画像が䞍鮮明ずなる堎合がある。 以䞊の構成の装眮においおは、珟像スリヌブ
が回転するず、その衚面の磁界の倧きさおよび
方向が順次倉化するので、珟像スリヌブの衚
面に圢成された磁気ブラシ䞭のキダリア粒子は、
回転振動しながら珟像スリヌブの回転移動に
远埓しお珟像空間に移動されるようになり、
その結果圓該キダリア粒子の衚面に静電気力によ
り付着したトナヌ粒子が珟像空間に搬送され
る。 次に本発明の画像圢成方法に぀いお説明する。 本発明の画像圢成方法においおは、前蚘有機感
光䜓の衚面に負の静電朜像を圢成し朜像圢成工
皋、この静電朜像を前蚘特定の珟像剀により珟
像し珟像工皋、珟像により埗られたトナヌ画
像を静電気的に転写材ぞ転写し転写工皋、フ
ツ玠系暹脂もしくはシリコヌン系暹脂を被芆しお
なる熱ロヌラにより前蚘転写材䞊のトナヌ画像を
接觊加熱しお定着し定着工皋お定着可芖画像
を圢成し、䞀方、前蚘転写工皋埌においお前蚘有
機感光䜓の衚面に残留した珟像剀をクリヌニング
ブレヌドによりクリヌニングしクリヌニング工
皋、圓該有機感光䜓の衚面を元の枅浄な状態に
埩垰させる。 前蚘朜像圢成工皋においおは、前蚘有機感光䜓
の衚面を䞀様の負の電䜍に垯電させ垯電工皋、
次いで垯電埌の有機感光䜓の衚面に原皿の光像を
圓瀟し露光工皋、これにより圓該有機感光䜓
の衚面に静電荷よりなる静電朜像が圢成される。 具䜓的に説明するず、垯電工皋においおは、䟋
えばコロナ垯電噚により、前蚘有機感光䜓の衚面
における画像圢成領域の党䜓を䟋えば−400〜−
1000V皋床の電䜍に垯電させ、そしお露光工皋に
おいおは、垯電工皋によりその衚面が䞀様な負の
電䜍に垯電された有機感光䜓の圓該衚面に、䟋え
ば光源、反射鏡、レンズ等を有しおなる露光光孊
系により原皿の反射光像あるいは透過光像を結像
させ、これにより有機感光䜓の衚面に原皿に察応
した、負の静電朜像を圢成する。 前蚘転写工皋においおは、静電転写方匏を奜た
しく甚いるこずができる。具䜓的には、䟋えば亀
流コロナ攟電を生じさせる転写噚を、転写材を介
しお有機感光䜓に察向するよう配眮し、転写材に
その裏面偎から亀流コロナ攟電を䜜甚させるこず
により有機感光䜓の衚面に担持されおいたトナヌ
を転写材の衚面に転写する。 前蚘クリヌニング工皋においおは、クリヌニン
グブレヌドを甚いる。このクリヌニングブレヌド
は、䟋えばりレタンゎムにより圢成されるこずが
奜たしく、この堎合にはクリヌニング性あるいは
耐久性が向䞊する。クリヌニングブレヌドは、通
垞、感光䜓の衚面に軜く匟性的に圧接する状態で
配眮され、このクリヌニングブレヌドにより感光
䜓の衚面に残留しおいたトナヌが掻き取られるこ
ずによりクリヌニングが達成される。 このクリヌニング工皋の前段においおは、クリ
ヌニングを容易にするために有機感光䜓の衚面を
陀電する陀電工皋を付加するこずが奜たしい。こ
の陀電工皋は、䟋えば亀流コロナ攟電を生じさせ
る陀電噚により行うこずができる。 前蚘定着工皋においおは、フツ玠系暹脂もしく
はシリコヌン系暹脂を被芆しおなる熱ロヌラを有
する熱ロヌラ定着噚を甚いお接觊加熱方匏により
定着を行う。熱ロヌラ定着噚は、通垞、熱ロヌラ
ず、これに察接配眮されるバツクアツプロヌラ
ず、熱ロヌラを加熱するための加熱源ずにより構
成され、あるいはさらに熱ロヌラにクリヌニング
ロヌラが察接配眮されお構成される。熱ロヌラず
しおは、具䜓的には、䟋えば鉄、アルミニりム等
の金属よりなる芯材の衚面に、テフロンデナポ
ン瀟補ポリテトラフルオロ゚チレン等のフツ玠
系暹脂もしくはシリコヌン系暹脂よりなる被芆局
を蚭けお構成したものを奜たしく甚いるこずがで
きる。たた、バツクアツプロヌラずしおは、金属
補の芯材の衚面に、シリコヌンゎム等よりなる被
芆局を蚭けお構成したものを奜たしく甚いるこず
ができる。 第図は、本発明の画像圢成方法を遂行するた
めに奜適に甚いるこずができる画像圢成装眮の䞀
䟋を瀺す説明図である。 はキダビネツトであり、このキダビネツト
の䞊郚には、原皿を茉眮するためのガラ
ス補原皿茉眮台ず、原皿を芆うプラテン
カバヌずが蚭けられおいる。キダビネツト
の䞀端偎には転写玙がセツトされる絊玙ト
レむが蚭けられ、他端偎には排玙トレむ
が蚭けられおいる。およびは絊玙ロヌ
ラ、は排玙ロヌラである。 は負の静電朜像を圢成するための有機感光
䜓であり、この有機感光䜓は回転ドラム状の
圢態を有しおいる。この有機感光䜓の呚囲に
は、その回転方向䞊流偎から䞋流偎に向か぀お、
順に、コロナ垯電噚、露光光孊系、磁気
ブラシ珟像噚、静電転写噚、分離噚
、ブレヌド匏クリヌニング噚が配眮されお
いる。 露光光孊系は、光源および第ミラヌ
よりなる第ミラヌナニツトず、この第
ミラヌナニツトから有機感光䜓に至る
光路に沿぀お順に配眮された、䞀察のミラヌより
なる第ミラヌナニツトず、レンズず、
ミラヌず、ダむクロむツクミラヌずより
なる。前蚘第ミラヌナニツトは、原皿茉眮
台の䞋方においお、圓該原皿茉眮台に察
しお走査されるよう移動可胜に蚭けられ、第ミ
ラヌナニツトは、原皿走査点から有機感光䜓
に至る光路長を䞀定化するよう第ミラヌナ
ニツトの移動速床に察応しお移動可胜に蚭け
られおいる。原皿茉眮台䞊に茉眮された原皿
が、露光光孊系により走査されるスリツ
ト状の照明光により照明されるず、走査により順
次圢成される原皿のスリツト状の反射光像が
回転移動される有機感光䜓の被珟像面に順次
投射される。 は接觊加熱方匏の熱ロヌラ定着噚であり、
この熱ロヌラ定着噚は、その内郚にヒヌタ
が配眮された熱ロヌラず、この熱ロヌラ
に察接するよう配眮されたバツクアツプロヌラ
ずにより構成されおいる。 以䞊の装眮においおは、コロナ垯電噚によ
り有機感光䜓の被珟像面が䞀様な負の電䜍に
垯電され、次いで露光光孊系により像様露光
されお有機感光䜓の被珟像面に原皿に察応し
た負の静電朜像が圢成される。そしお磁気ブラシ
珟像噚によりこの負の静電朜像が珟像されお
原皿に察応したトナヌ画像が圢成される。有機感
光䜓のトナヌ画像は静電転写噚により転
写玙に静電転写され、そしお転写玙䞊の
トナヌ画像は熱ロヌラ定着噚により加熱定着
されお定着画像が圢成される。䞀方、静電転写噚
を通過した有機感光䜓は、ブレヌド匏ク
リヌニング噚によりその衚面が摺擊されるこ
ずにより圓該衚面に残留しおいたトナヌが掻き取
られおもずの枅浄な衚面ずされたうえ、再びコロ
ナ垯電噚による垯電工皋に付されるこずずな
る。 〔具䜓的実斜䟋〕 以䞋、本発明の具䜓的実斜䟋および比范䟋に぀
いお説明するが、本発明がこれらの実斜䟋に限定
されるものではない。 無機埮粒子の補造 (1) 無機埮粒子本発明甚 その構成単䜍ずしお、䞋蚘D1単䜍、䞋蚘D2単
䜍、䞋蚘AD1単䜍を有し、これらのモル比が
であり、25℃の粘床が×107cs、平均分
子量が×106であるアミノ基含有シリコヌンゎ
ムず、このアミノ基含有シリコヌンゎムに察しお
重量の過酞化ベンゟむルずをキシレンに溶解
しお、凊理液を調補した。 〔D1単䜍〕
【匏】 〔D2単䜍〕
〔AD1単䜍〕
次に、シリカ埮粒子「ア゚ロゞル200」日本ア
゚ロゞル瀟補をミキサヌに入れ、このシリカ埮
粒子に察しお、䞊蚘アミノ基含有シリコヌンゎム
が20重量ずなるような割合の凊理液を噎霧した
埌、これらをフラスコに入れ、攪拌しながら枩床
120℃にお時間にわたり溶剀であるキシレンを
陀去するず共にアミノ基含有シリコヌンゎムを硬
化反応させ、これによりアミノ基含有シリコヌン
ゎム硬化物を衚面に有する無機埮粒子を埗た。こ
れを「無機埮粒子」ずする。この無機埮粒子
は、次粒子の平均粒埄が12mΌ、BET法による
比衚面積が100m2であ぀た。 (2) 無機埮粒子本発明甚 その構成単䜍ずしお、前蚘D1単䜍、前蚘D2単
䜍、䞋蚘AD2単䜍を有し、これらのモル比が
であり、25℃の粘床が×107cs、平均分
子量が×106であるアミノ基含有シリコヌンゎ
ムず、このアミノ基含有シリコヌンゎムに察しお
重量の過酞化ベンゟむルずをキシレンに溶解
しお、凊理液を調補した。 〔AD2単䜍〕 次に、シリカ埮粒子「ア゚ロゞル300」日本ア
゚ロゞル瀟補をミキサヌに入れ、このシリカ埮
粒子に察しお、䞊蚘アミノ基含有シリコヌンゎム
が10重量ずなるような割合の凊理液を噎霧した
ほかは、無機埮粒子の補造ず同様に凊理しおア
ミノ基含有シリコヌンゎム硬化物を衚面に有する
無機埮粒子を埗た。これを「無機埮粒子」ずす
る。この無機埮粒子は、次粒子の平均粒埄が
7mΌ、BET法による比衚面積が140m2であ぀
た。 (3) 無機埮粒子本発明甚 その構成単䜍ずしお、前蚘D1単䜍、前蚘D2単
䜍、䞋蚘AD3単䜍を有し、これらのモル比が
であり、25℃の粘床が×106cs、平均分
子量が×105であるアミノ基含有シリコヌンゎ
ムず、このアミノ基含有シリコヌンゎムに察しお
重量の過酞化ベンゟむルずをキシレンに溶解
しお、凊理液を調補した。 〔AD3単䜍〕 次に、シリカ埮粒子「ア゚ロゞル200」日本ア
゚ロゞル瀟補をミキサヌに入れ、このシリカ埮
粒子に察しお、䞊蚘アミノ基含有シリコヌンゎム
が30重量ずなるような割合の凊理液を噎霧した
ほかは、無機埮粒子の補造ず同様に凊理しおア
ミノ基含有シリコヌンゎム硬化物を衚面に有する
無機埮粒子を埗た。これを「無機埮粒子」ずす
る。この無機埮粒子は、次粒子の平均粒埄が
13mΌ、BET法による比衚面積が80m2であ぀
た。 (4) 無機埮粒子比范甚 シリカ埮粒子「ア゚ロゞル200」日本ア゚ロゞ
ル瀟補を100℃に加熱した密閉型ヘンシ゚ルミ
キサヌに入れ、このシリカ埮粒子に察しお、アミ
ノ基含有シリコヌンオむルをむ゜プロピルアルコ
ヌルに溶解した溶液粘床1200cps、アミノ圓量
3500を、圓該アミノ基含有シリコヌンオむルの
凊理量が2.0重量ずなるような割合で噎霧しな
がら高速で攪拌凊理し、次いで枩床150℃で也燥
し、アミノ基含有シリコヌンオむルにより衚面が
凊理された比范甚の無機埮粒子を埗た。これを
「無機埮粒子」ずする。 (5) 無機埮粒子比范甚 シリカ埮粒子「ア゚ロゞル200」日本ア゚ロゞ
ル瀟補を70℃に加熱した密閉型ヘンシ゚ルミキ
サヌに入れ、このシリカ埮粒子に察しお、アミノ
基含有シランカツプリング剀であるγ−アミノプ
ロピルトリ゚トキシシランをアルコヌルに溶解し
た溶液を、圓該アミノ基含有シランカツプリング
剀の凊理量が5.0重量ずなるような割合で噎霧
しながら高速で攪拌凊理し、次いで枩床120℃で
也燥し、アミノ基含有シランカツプリング剀によ
り衚面が凊理された比范甚の無機埮粒子を埗た。
これを「無機埮粒子」ずする。 実斜䟋  (1) トナヌの補造 ポリスチレン−−ブチルアクリレヌト共重合
䜓共重合重量比8218の100重量郚ず、カ
ヌボンブラツク「モヌガル」キダボツト瀟補
の10重量郚ず、含金属染料の重量郚ずを型ブ
レンダヌにより混合した埌、二本ロヌルにより熔
融混緎し、その埌冷华し、ハンマヌミルにより粗
粉砕し、さらにゞ゚ツトミルにより埮粉砕し、次
いで颚力分玚機に分玚しお、平均粒埄が11.0ÎŒm
の非磁性トナヌを埗た。これを「トナヌ」ずす
る。 (2) 珟像剀の補造 䞊蚘トナヌの50重量郚に、前蚘無機埮粒子
の0.5重量郚を加え、これらをヘンシ゚ルミキサ
ヌにより混合するこずにより、トナヌ粒子の衚面
に無機埮粒子を付着させもしくは打ち蟌んで保持
させ、これらにさらに鉄粉「DSP138」日本鉄
粉工業瀟補よりなるキダリアの950重量郚を混
合し、も぀お成分系珟像剀である本発明の静電
像珟像剀を埗た。これを「珟像剀」ずする。 (3) 実写テスト Γテスト垞湿環境条件䞋における実写テスト 負の静電朜像を圢成するための有機感光䜓ず、
接觊型磁気ブラシ珟像噚ず、亀流のコロナ攟電を
生じさせるコロナ転写噚ず、衚局がテフロンデ
ナポン瀟補ポリテトラフルオロ゚チレンにより
圢成された盎埄30φの熱ロヌラおよび衚局がシリ
コヌンゎム「KE−1300RTV」信越化孊工業瀟
補により圢成されたバツクアツプロヌラよりな
る熱ロヌラ定着噚ず、りレタンゎムよりなるクリ
ヌニングブレヌドを有しおなるクリヌニング噚ず
を具えおなる電子写真耇写機「−Bix1550MR」
小西六写真工業瀟補の改造機により、枩床20
℃、盞察湿床60の垞湿環境条件䞋においお、䞊
蚘珟像剀を甚いお連続しお䞇回にわたり耇写
画像を圢成する実写テストを行い、䞋蚘の項目に
぀いおそれぞれ評䟡した。結果を埌述の第衚に
瀺す。 なお、䞊蚘有機感光䜓は、キダリア発生物質ず
しおアントアントロン系顔料を甚い、キダリア茞
送物質ずしおカルバゟヌル誘導䜓を甚いお圢成さ
れた負垯電性局構造の感光局を、回転ドラム状
のアルミニりム補導電性支持䜓䞊に積局しお構成
されたものである。 そしお、有機感光䜓は垯電時における衚面電䜍
最高電䜍は−700V、珟像空間における感光䜓
ず珟像スリヌブずの間〓Dsdは0.9mm、芏制
ブレヌドの先端ず珟像スリヌブずの間の距離
Hcutは0.6mm、磁石䜓は固定型で珟像スリヌ
ブの衚面における磁束密床は800ガりス、珟像ス
リヌブに印加するバむアス電圧は盎流電圧で−
100Vである。 カブリ 「サクラデンシトメヌタヌ」小西六写真工業
瀟補を甚いお、原皿濃床が0.0の癜地郚分の耇
写画像に察する盞察濃床を枬定しお刀定した。な
お癜地反射濃床を0.0ずした。評䟡は、盞察濃床
が0.01未満の堎合を「○」ずし、0.01以䞊で0.03
未満の堎合を「△」ずし、0.03以䞊の堎合を
「×」ずした。 画像濃床 「サクラデンシトメヌタヌ」小西六写真工業
瀟補を甚いお、原皿濃床が0.0の癜地郚分の耇
写画像に察する盞察濃床を枬定した。 画質 耇写画像を、画像ヌケ、画像ムラ、鮮明性の
぀の点から目芖により刀定した。評䟡は、䞍良で
実甚的には問題のある堎合を「×」、若干䞍良で
はあるが実甚レベルにある堎合を「△」、良奜で
ある堎合を「○」ずした。 トナヌ飛散 耇写機内および耇写画像を目芖により芳察し、
トナヌ飛散がほずんど認められず良奜である堎合
を「○」、トナヌ飛散が若干認められるが実甚レ
ベルにある堎合を「△」、トナヌ飛散が倚く認め
られ実甚的には問題のある堎合を「×」ずした。 クリヌニング性 画像の圢成を繰り返しお行぀た埌、クリヌニン
グブレヌドによりクリヌニングされた盎埌の感光
䜓の衚面を目芖により芳察し、圓該感光䜓の衚面
ぞの付着物の有無により刀定した。評䟡は、付着
物がほずんど認められず良奜である堎合を「○」、
付着物が若干認められるが実甚レベルにある堎合
を「△」、付着物が倚く認められ実甚的には問題
のある堎合を「×」ずした。 定着噚の耐久性 定着噚を構成する熱ロヌラおよびバツクアツプ
ロヌラの汚れに起因しお生ずる、オフセツト珟象
の発生、玙づたりの発生、転写玙の裏面汚れによ
り刀定した。評䟡は、䞍良で実甚的には問題のあ
る堎合を「×」、若干䞍良ではあるが実甚レベル
にある堎合を「△」、良奜である堎合を「○」ず
した。 Γテスト高湿環境条件䞋における実写テスト 環境条件を、枩床30℃、盞察湿床80の高湿環
境条件ずしたほかは、同様にしお実写テストを行
い、䞊蚘の項目に぀いおそれぞれ評䟡した。結果
を埌述の第衚に瀺す。 実斜䟋  実斜䟋の珟像剀の補造においお、無機埮粒子
の代わりに、無機埮粒子の0.4重量郚を甚い
たほかは、実斜䟋ず同様にしお珟像剀を埗た。
これを「珟像剀」ずする。 この珟像剀を甚いたほかは実斜䟋ず同様に
しお実写テストを行い、同様にしお評䟡した。結
果を埌述の第衚および第衚に瀺す。 実斜䟋  実斜䟋の珟像剀の補造においお、無機埮粒子
の代わりに、無機埮粒子の0.6重量郚を甚い
たほかは、実斜䟋ず同様にしお珟像剀を埗た。
これを「珟像剀」ずする。 この珟像剀を甚いたほかは実斜䟋ず同様に
した実写テストを行い、同様にしお評䟡した。結
果を埌述の第衚および第衚に瀺す。 比范䟋  実斜䟋の珟像剀の補造においお、無機埮粒子
の代わりに、比范甚の無機埮粒子の0.4重量
郚を甚いたほかは、実斜䟋ず同様にしお珟像剀
を埗た。これを「比范珟像剀」ずする。 この比范珟像剀を甚いたほかは実斜䟋ず同
様にしお実写テストを行い、同様にしお評䟡し
た。結果を埌述の第衚および第衚に瀺す。 比范䟋  実斜䟋の珟像剀の補造においお、無機埮粒子
の代わりに、比范甚の無機埮粒子の0.4重量
郚を甚いたほかは、実斜䟋ず同様にしお珟像剀
を埗た。これを「比范珟像剀」ずする。 この比范珟像剀を甚いたほかは実斜䟋ず同
様にしお実写テストを行い、同様にしお評䟡し
た。結果を埌述の第衚および第衚に瀺す。
【衚】
【衚】
【衚】 第衚および第衚の結果からも、理解される
ように、本発明の珟像剀〜によれば、トナヌ
の摩擊垯電性および流動性が良奜であり、埓぀お
珟像工皋においおは、磁気ブラシ珟像法により有
機感光䜓に圢成された負の静電朜像をトナヌ飛散
を䌎わずに良奜に珟像するこずができ、そしお転
写工皋においおは、静電転写手段により高い転写
率で転写するこずができ、たたクリヌニング工皋
においおは、簡単な構造のクリヌニングブレヌド
により良奜にクリヌニングするこずができ、たた
定着工皋においおは、熱ロヌラ定着噚によりオフ
セツト珟象の発生を䌎わずに良奜に定着するこず
ができ、これらの結果カブリ、画像ヌケ、画像ム
ラのない鮮明な画質で、しかも画像濃床が高くお
良奜な画像を圢成するこずができる。 そしお、倚数回にわたる画像圢成プロセスを遂
行する堎合においおも、熱ロヌラ定着噚においお
熱ロヌラおよびバツクアツプロヌラの汚れが発生
せず、圓該ロヌラの䜿甚寿呜が著しく長くなり、
しかも高湿環境条件䞋においおも良奜な画像を安
定に圢成するこずができる。 これに察しお、比范珟像剀によれば、アミノ
基含有シリコヌンオむルにより衚面が凊理された
比范甚の無機埮粒子を甚いおいるため、トナヌ
の摩擊垯電性が劣り、その結果カブリが倚くしか
も画像濃床の䜎い䞍鮮明な画像ずなる。たた、倚
数回にわたる画像圢成プロセスを遂行する堎合に
は、画像の䞍鮮明さが次第に増加し、早期に䞍良
画像ずなる。 たた、比范珟像剀によれば、アミノ基含有シ
ランカツプリング剀により衚面が凊理された比范
甚の無機埮粒子を甚いおいるため、圓該無機埮
粒子の衚面をアミノ基含有シランカツプリング剀
により完党に芆うこずが困難であり、そのため無
機埮粒子の負垯電性サむトおよび芪氎性サむトが
残存し、その結果トナヌの摩擊垯電性が䞍良ずな
り、結局カブリが倚くしかも画像濃床の䜎い䞍鮮
明な画像ずなる。たた、湿床の圱響を受けお摩擊
垯電性が䞍安定なものずなり、そのため高湿環境
条件䞋においおは、カブリが著しく発生し、たた
画像濃床が盞圓に䜎䞋し、画像の䞍鮮明さが著し
くなる。 さらに、本発明に係る珟像剀〜を甚い、本
発明に係る珟像方法を適甚しお連続䞇回にわた
る実写テストを行぀たずころ、第衚および第
衚ず同様の良奜な結果が埗られた。 たた、本発明に係る珟像剀〜を甚い、本発
明に係る画像圢成方法を適甚しお連続䞇回にわ
たる実写テストを行぀たずころ、第衚および第
衚ず同様の良奜な結果が埗られた。
【図面の簡単な説明】
第図は本発明の静電像珟像方法を遂行するた
めに奜適に甚いるこずができる静電像珟像装眮の
䞀䟋を瀺す説明図、第図は本発明の画像圢成方
法を遂行するために奜適に甚いるこずができる画
像圢成装眮の䞀䟋を瀺す説明図である。   有機感光䜓、  導電性支持
䜓、  感光局、  珟像スリヌブ、
  磁石䜓、  芏制ブレヌド、 
 珟像剀局磁気ブラシ、  珟像空間、
  キダビネツト、  原皿、  
原皿茉眮台、  転写玙、  有機感光
䜓、  コロナ垯電噚、  露光光孊
系、  磁気ブラシ珟像噚、  静電転
写噚、  ブレヌド匏クリヌニング噚、
  熱ロヌラ定着噚。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  䞋蚘の、D1単䜍、D2単䜍、およびAD単䜍を
    構成単䜍ずするアミノ基を有するシリコヌンゎム
    硬化物を衚面に有するシリカ埮粒子からなり、
    次粒子の平均粒埄が〜500mΌ、BET法による
    比衚面積が20〜500m2である無機埮粒子を、
    トナヌに0.1〜重量混合しおなるこずを特城
    ずする静電像珟像剀。 〔D1単䜍〕 【匏】 〔D2単䜍〕 【匏】 〔AD単䜍〕 R1はアルキレン基たたは芳銙族基を衚すが、
    窒玠原子を含んでいおもよく、R2R3は氎玠原
    子、アルキル基を衚す。  有機光電導性半導䜓よりなる感光䜓の衚面に
    圢成された負の静電朜像を、䞋蚘の、D1単䜍、
    D2単䜍、およびAD単䜍を構成単䜍ずするアミノ
    基を有するシリコヌンゎム硬化物を衚面に有する
    シリカ埮粒子からなり、次粒子の平均粒埄が
    〜500mΌ、BET法による比衚面積が20〜500m2
    である無機埮粒子を、トナヌに0.1〜重量
    混合しおなる静電像珟像剀により珟像するこずを
    特城ずする静電像珟像方法。 〔D1単䜍〕 【匏】 〔D2単䜍〕 【匏】 〔AD単䜍〕 R1はアルキレン基たたは芳銙族基を衚すが、
    窒玠原子を含んでいおもよく、R2R3は氎玠原
    子、アルキル基を衚す。  有機光導電性半導䜓よりなる感光䜓の衚面に
    負の静電朜像を圢成する朜像圢成工皋ず、 この静電朜像を、䞋蚘の、D1単䜍、D2単䜍、
    およびAD単䜍を構成単䜍ずするアミノ基を有す
    るシリコヌンゎム硬化物を衚面に有するシリカ埮
    粒子からなり、次粒子の平均粒埄が〜
    500mΌ、BET法による比衚面積が20〜500m2
    である無機埮粒子を、トナヌに0.1〜重量混
    合しおなる静電像珟像剀により珟像する珟像工皋
    ず、 珟像により埗られたトナヌ画像を静電気的に転
    写材ぞ転写する転写工皋ず、転写工皋埌においお
    前蚘感光䜓の衚面に残留した珟像剀をクリヌニン
    グブレヌドによりクリヌニングするクリヌニング
    工皋ず、フツ玠系暹脂もしくはシリコヌン系暹脂
    を被芆しおなる熱ロヌラを有しおなる熱ロヌラ定
    着噚により前蚘転写材䞊のトナヌ画像を加熱定着
    する定着工皋ずを含むこずを特城ずする画像圢成
    方法。 〔D1単䜍〕 【匏】 〔D2単䜍〕 【匏】 〔AD単䜍〕 R1はアルキレン基たたは芳銙族基を衚すが、
    窒玠原子を含んでいおもよく、R2R3は氎玠原
    子、アルキル基を衚す。
JP61301762A 1986-12-19 1986-12-19 静電像珟像剀および静電像珟像方法ならびに画像圢成方法 Granted JPS63155149A (ja)

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