JPH0564868B2 - - Google Patents
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- JPH0564868B2 JPH0564868B2 JP60053563A JP5356385A JPH0564868B2 JP H0564868 B2 JPH0564868 B2 JP H0564868B2 JP 60053563 A JP60053563 A JP 60053563A JP 5356385 A JP5356385 A JP 5356385A JP H0564868 B2 JPH0564868 B2 JP H0564868B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F77/20—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は非晶質を含む薄膜半導体系太陽電池に
関する。
〔従来の技術〕
従来からアモルフアスシリコンを用いた太陽電
池が使用されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来から使用されているアモルフアスシリコン
を用いた太陽電池では、光照射によつて初期の性
能劣化が大きく、長期間にわたる信頼性が不足す
るという問題がある。
真性層の厚さを薄くすると劣化率が低くなる
が、変換効率も低下してしまうという問題が生ず
る。
この効率の低下を抑えるため、裏面電極に高反
射率のAg、Au、Cuなどからなる電極を用いる方
法もあるが、この方法では電極を形成する金属が
アモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）中へ拡散
し、太陽電池特性が劣化するという問題がある。
本発明は初期性能を従来の太陽電池に近い値を
有した形で、かつ電極を形成する金属の拡散によ
る太陽電池特性の低下を防止し、光劣化を少なく
することを目的としてなされたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、第１に実質的に真性な層（ｉ層）の
厚さを500〜4000Åと従来の太陽電池にくらべて
薄くし、ｉ層の光誘起構造が変化することによる
太陽電池性能の劣化に与える影響を低減せしめ、
第２にｉ層を薄くすることによる活性層の光吸収
量の低下を高反射率を有するAg、Au、Cuなどか
らなる裏面電極の使用で補い、さらに第３に裏面
電極として用いるAg、Au、Cuなどの半導体中へ
の拡散による太陽電池の劣化〜破壊を防止するた
めに、裏面電極と半導体層との間に10〜80Åの厚
さのシリサイド層を設けた構造にすることによ
り、前記目的が達成されることが見出されたこと
によりなされたものであり、光電変換作用を有す
る非晶質を含む薄膜半導体層が基板上に設けられ
た太陽電池において、該半導体層の実質的に真性
な層の厚さが500〜4000Åであり、裏面電極と最
も裏面電極側の半導体層との間に厚さが10〜80Å
であり、Mg、Sr、Ba、Ti、Zr、Hf、Ｖ、Nb、
Ta、Cr、Mo、Ｗ、Mn、Re、Fe、Ru、Os、
Co、Ir、Ni、PbまたはPtの透光性のシリサイド
層を設け、該裏面電極が、波長0.6μｍ以上の光に
対する反射率が80％以上の値を有する金属から形
成されていることを特徴とする非晶質を含む薄膜
半導体系太陽電池に関する。
〔実施例〕
本発明に用いる光電変換作用を有する非晶質を
含む薄膜半導体としては、Si、Ge、Ｃの少なく
なとも１種を含むもの、あるいはSi、Ge、Ｃの
少なくとも１種を含むものにチツ素原子や酸素原
子が構成成分として加えられているものなどがあ
げられ、形成された半導体のダングリングボンド
が水素原子やフツ素原子でターミネートされてい
てもよい。
前記のような半導体の具体例としては、ａ−
Si：Ｈ、ａ−Si：Ｆ：Ｈ、ａ−SiGe：Ｈ、ａ−
SiSn：Ｈ、ａ−SiN：Ｈ、ａ−SiGe：Ｆ：Ｈ、
ａ−SiSn：Ｆ：Ｈ、ａ−Si：Ｎ：Ｆ：Ｈ、ａ−
SiC：Ｈ、ａ−Sic：Ｆ：Ｈ、ａ−SiO：Ｈ、ａ−
SiO：Ｆ：Ｈなどがあげられ、ｐ型、ｎ型、真性
のいずれであつてもよい。また該半導体がヘテロ
接合構造を有するように形成されていてもよく、
ホモ接合構造を有するように形成されていてもよ
い。
前記半導体の厚さとしては、実質的に真性な層
（ｉ層）の厚さが500〜4000Å、好ましくは1000〜
4000Å、さらに好ましくは1500〜3500Åの半導体
であるかぎり、とくに限定はない。
前記ｉ層の厚さが500Å未満になると太陽電池
にしたばあいの光電変換効率が低下し、4000Åを
こえると光劣化が増加し、いずれも好ましくな
い。
なお本明細書にいう実質的に真性な層（ｉ層）
とは光電変換に対して活性な層のことであり、ド
ーパントによりコンペンセートされた層であつて
もよい。
通常、半導体は透明電極を有する透明基板上に
ｐ層、ｉ層、ｎ層の順に、あるいは裏面電極を有
するまたは裏面電極となる基板上にｎ層、ｉ層、
ｐ層の順に形成される。通常ｐ層が光入射層とな
るので、厚すぎると光損失が大きくなるため、そ
の厚さとしては、300Å以下が好ましく、さらに
好ましくは40〜150Åであり、ｎ層は裏面電極側
となるので厚すぎると、長波長の光の裏面電極で
の反射の際の光損失が大きくなるため、その厚さ
としては300Å以下が好ましく、さらに好ましく
は40〜200Å、ことに好ましくは40〜150Åであ
る。
該非晶質を含む半導体には微結晶状のものが含
まれていてもよく、少なくともシリサイド層と接
する半導体層（通常はｎ層）がマイクロクリスタ
リンアモルフアスシリコンからなるばあいには、
後述する裏面電極の半導体層中への拡散が少なく
なり、これによる太陽電池性能の劣化が少なくな
り好ましい。
上記説明では主としてpin型太陽電池について
説明したが、シヨツトキー型であつてもよい。い
ずれのばあいでも光劣化を低減するために、光入
射はｐ側から行なうのがよい。
本発明においては、前記のごとき非晶質を含む
薄膜半導体が、たとえば透明電極を有する透明基
板上に設けられ、最も裏面電極側の半導体層と裏
面電極との間に透光性のシリサイド層が最も裏面
電極側の半導体層と裏面電極に接して設けられ、
非晶質を含む薄膜半導体系太陽電池が製造され
る。
前記透明電極を有する透明基板とは、たとえば
ガラス、セラミツク、エポキシ系樹脂やフツ素系
樹脂などの有機高分子材料のように透光性を有す
る材料から形成された厚さ0.1〜10mm程度の基板
上に、たとえばITO、In2O3、SnO2、ITO／
SnO2、CdxSnOy（ｘは0.5〜２、ｙは２〜４であ
る）、IrzO1-z（Ｚは0.33〜0.5である）、ZnnO1-n（ｍ
は０〜0.5である）などの透明電極を500〜104Å
程度の厚さに形成したものである。
前記裏面電極としては、波長0.6μｍ以上の光に
対する反射率が80％以上の値を有する金属からな
る500〜104Å程度の厚さの電極であればとくに限
定なく使用しうる。前記のごとき金属の具体例と
しては、Ag、Au、Cuなどがあげられるが、これ
らに限定されるものではない。なお、これら金属
製の裏面電極の外表面に耐腐食性のある金属や合
金層、たとえばCr、Ni、Ｔなどからなる層を設
けることにより、裏面電極を保護してもよい。
前記裏面電極が波長0.6μｍ以上の光に対する反
射率が80％以上の値を有する金属から形成される
と、ｉ層を薄くすることによる活性層の光吸収量
の低下を高反射率を有する裏面電極での反射光を
有効利用することで補うことができる。
最も裏面電極側の半導体層と裏面電極との間に
設けられる透光性のシリサイド層とは、裏面電極
を形成する金属が半導体中へ拡散し、半導体層の
劣化〜破壊を防止するために設けられる層であ
り、裏面電極での反射光が利用できるように、波
長0.6μｍ以上の光に対する透光性を有し、透過率
70％以上の特性を有する層であれば、使用しう
る。このようなシリサイド層として、本発明にお
いては、厚さが10〜80Åであり、Mg、Sr、Ba、
Ti、Zr、Hf、Ｖ、Nb、Ta、Cr、Mo、Ｗ、
Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Ir、Ni、Pbまた
はPtの透光性のシリサイド層が用いられている。
つぎに本発明の太陽電池の製法を一実施態様に
もとづき説明する。
まず透明電極を設けた透明基板上に、常法によ
り非晶質のｐ層、ｉ層、ｎ層を形成する。そのの
ちシリサイド形成元素、たとえばCr、Niなどを
用いて通常の電子ビーム蒸着法により、所定の厚
さの層を形成する。もちろんシリサイド形成元素
をスパツター用ターゲツトを用いてスパツター法
により堆積させてもよい。
そののち常法により高反射性金属を所定の厚さ
に蒸着させる。
第１図に示すように、前期透明基板１の透明電
極３側表面２に500〜5000Åの範囲の凹凸があれ
ばこの部分の乱反射により半導体４中への光閉込
効果が増し、Jscが増すのでさらによい。なお第
１図中の５はシリサイド層、６は裏面電極であ
る。
また第２図に示すように、透明基板の透明電極
側表面の凹凸のかわりに透明電極３の半導体側表
面７に500〜5000Åの範囲の凹凸が設けられてい
ても、前記と同様の効果がえられる。
もちろん電極を有する基板上に半導体層を形成
した太陽電池についても同様な凹凸がその電極に
設けられている方が、光閉込効果が増すのでよ
い。
このようにして作製された本発明の太陽電池
は、このままでも加熱による太陽電池性能の低下
が少なく、良好な特性を有するものであるが、さ
らに180℃〜成膜温度（180〜400℃程度）で0.5〜
４時間程度熱処理すると、シリサイド形成元素層
がシリサイド化し、裏面電極とｎ層との接触をよ
くすることができ、その界面の直列抵抗を減少さ
せることができる。
もちろんシリサイド層の形成はシリサイドター
ゲツトを用いて行なつてもよい。
このようにして製造される本発明の非晶質を含
む薄膜半導体系太陽電池は、ｉ層が薄いにもかか
わらず裏面での反射光を有効利用することで高い
変換効率を有し、かつ光劣化が少なく、耐熱性に
優れている。
つぎに本発明の太陽電池を実施例にもとづき説
明する。
実施例 １
厚さ1000ÅのITO／SnO2透明電極を設けた厚
さ１mmの青板ガラス基板上に、基板温度約200℃、
圧力約1Torrにて、SiH4およびB2H6からなる混
合ガス、SiH4およびH2からなる混合ガス、SiH4
およびPH3からなる混合ガスをこの順に用いて、
グロー放電分解法にてそれぞれアモルフアスシリ
コンのｐ層を120Å、ｉ層を3000Å、ｎ層を200Å
の厚さになるように堆積させた。
そののち、クロム層を電子ビーム蒸着法にて
10-6Torrで膜厚が20Åになるようにｎ層上に堆
積させたのち、続いてAgを2000Å堆積させた。
ついで200℃で２時間熱処理して太陽電池を製造
した。
えられた太陽電池の特性、最適負荷状態で200
ｍＷ／cm2×40時間光照射試験後の特性、230℃×
６時間加熱試験後の特性をAM−１ 100ｍＷ／
cm2のソーラーシミユレーターにて測定した。結果
を第１表に示す。
比較例 １
ｉ層の厚さを6000Åにし、シリサイド層を設け
ず裏面電極にアルミニウム2000Åを用いたほかは
実施例１と同様にして太陽電池を作製し、えられ
た太陽電池の特性を測定した。そののち実施例１
と同様の試験後の特性を測定した。結果を第１表
に示す。
[Industrial Application Field] The present invention relates to a thin film semiconductor solar cell containing an amorphous material. [Prior Art] Solar cells using amorphous silicon have been used for a long time. [Problems to be solved by the invention] Conventionally used solar cells using amorphous silicon have the problem of large initial performance deterioration due to light irradiation and lack of long-term reliability. . If the thickness of the intrinsic layer is made thinner, the rate of deterioration will be lowered, but a problem arises in that the conversion efficiency will also be lowered. In order to suppress this decrease in efficiency, there is a method of using an electrode made of highly reflective Ag, Au, Cu, etc. as the back electrode, but in this method, the metal forming the electrode is amorphous silicon (a-Si:H). There is a problem that it diffuses into the interior and deteriorates the solar cell characteristics. The present invention was made with the aim of achieving initial performance close to that of conventional solar cells, preventing deterioration of solar cell characteristics due to diffusion of metal forming electrodes, and reducing photodeterioration. be. [Means for Solving the Problems] The present invention firstly reduces the thickness of the substantially intrinsic layer (i-layer) to 500 to 4000 Å compared to conventional solar cells, and reduces the photo-induced Reduces the impact of structural changes on solar cell performance deterioration,
Second, the decrease in light absorption of the active layer due to the thinning of the i-layer is compensated for by using a back electrode made of Ag, Au, Cu, etc. with high reflectivity, and third, Ag, Au is used as the back electrode. In order to prevent deterioration or destruction of the solar cell due to diffusion of Cu or other substances into the semiconductor, a structure is provided in which a silicide layer with a thickness of 10 to 80 Å is provided between the back electrode and the semiconductor layer. This was done based on the discovery that the object could be achieved, and in a solar cell in which a thin film semiconductor layer containing an amorphous substance having a photoelectric conversion effect is provided on a substrate, substantially The thickness of the intrinsic layer is 500 to 4000 Å, and the thickness is 10 to 80 Å between the back electrode and the semiconductor layer closest to the back electrode.
and Mg, Sr, Ba, Ti, Zr, Hf, V, Nb,
Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Ru, Os,
A light-transmitting silicide layer of Co, Ir, Ni, Pb, or Pt is provided, and the back electrode is formed from a metal having a reflectance of 80% or more for light with a wavelength of 0.6 μm or more. The present invention relates to a thin film semiconductor solar cell containing an amorphous material. [Example] The thin film semiconductor containing an amorphous substance having a photoelectric conversion function used in the present invention includes at least one of Si, Ge, and C, or one containing at least one of Si, Ge, and C. Examples include those in which nitrogen atoms or oxygen atoms are added as constituent components, and the formed semiconductor dangling bonds may be terminated with hydrogen atoms or fluorine atoms. Specific examples of the semiconductors mentioned above include a-
Si:H, a-Si:F:H, a-SiGe:H, a-
SiSn:H, a-SiN:H, a-SiGe:F:H,
a-SiSn:F:H, a-Si:N:F:H, a-
SiC:H, a-Sic:F:H, a-SiO:H, a-
Examples include SiO:F:H, and may be p-type, n-type, or intrinsic. Further, the semiconductor may be formed to have a heterojunction structure,
It may be formed to have a homozygous structure. As for the thickness of the semiconductor, the thickness of the substantially intrinsic layer (i layer) is 500 to 4000 Å, preferably 1000 to 4000 Å.
There is no particular limitation as long as the semiconductor has a thickness of 4000 Å, more preferably 1500 to 3500 Å. When the thickness of the i-layer is less than 500 Å, the photoelectric conversion efficiency when used as a solar cell decreases, and when it exceeds 4000 Å, photodeterioration increases, both of which are undesirable. Note that the substantially intrinsic layer (i-layer) referred to in this specification
refers to a layer active for photoelectric conversion, and may be a layer compensated by a dopant. Usually, semiconductors are formed in the order of p layer, i layer, and n layer on a transparent substrate having a transparent electrode, or in the order of p layer, i layer, and n layer on a substrate having or serving as a back electrode.
The p layer is formed in this order. Normally, the p layer becomes the light incident layer, so if it is too thick, the optical loss will increase, so the thickness is preferably 300 Å or less, more preferably 40 to 150 Å, and the n layer is on the back electrode side. If it is too thick, the optical loss when long-wavelength light is reflected by the back electrode increases, so the thickness is preferably 300 Å or less, more preferably 40 to 200 Å, and particularly preferably 40 to 150 Å. . The amorphous-containing semiconductor may include a microcrystalline one, and if at least the semiconductor layer (usually the n-layer) in contact with the silicide layer is made of microcrystalline amorphous silicon,
This is preferable because diffusion of the back electrode into the semiconductor layer, which will be described later, is reduced, and deterioration of solar cell performance due to this is reduced. In the above explanation, a pin type solar cell was mainly explained, but a Schottky type solar cell may also be used. In any case, in order to reduce optical deterioration, it is preferable that light be incident from the p side. In the present invention, a thin film semiconductor containing an amorphous material as described above is provided on a transparent substrate having a transparent electrode, and a transparent silicide layer is provided between the semiconductor layer closest to the back electrode and the back electrode. Provided in contact with the semiconductor layer closest to the back electrode and the back electrode,
A thin film semiconductor solar cell containing an amorphous material is manufactured. The transparent substrate having the transparent electrode is a substrate having a thickness of about 0.1 to 10 mm and made of a light-transmitting material such as glass, ceramic, or an organic polymer material such as an epoxy resin or a fluorine resin. For example, ITO, In 2 O 3 , SnO 2 , ITO/
SnO 2 , Cd x SnO y (x is 0.5-2, y is 2-4), Ir z O 1-z (Z is 0.33-0.5), Zn n O 1-n (m
is 0 to 0.5) with a transparent electrode of 500 to 104 Å.
It is formed to a certain thickness. As the back electrode, any electrode may be used without particular limitation as long as it is made of metal and has a reflectance of 80% or more for light with a wavelength of 0.6 μm or more and has a thickness of about 500 to 10 4 Å. Specific examples of the metals mentioned above include Ag, Au, Cu, etc., but are not limited to these. Note that the back electrodes may be protected by providing a corrosion-resistant metal or alloy layer, such as a layer made of Cr, Ni, T, etc., on the outer surface of these metal back electrodes. When the back electrode is formed of a metal having a reflectance of 80% or more for light with a wavelength of 0.6 μm or more, the reduction in the amount of light absorption of the active layer due to thinning of the i-layer can be avoided by using the back surface with high reflectance. This can be compensated for by effectively utilizing the light reflected by the electrodes. The light-transmitting silicide layer provided between the semiconductor layer closest to the back electrode and the back electrode is provided to prevent the metal forming the back electrode from diffusing into the semiconductor and deteriorating or destroying the semiconductor layer. It is a layer that is transparent to light with a wavelength of 0.6 μm or more, so that the reflected light from the back electrode can be used, and the transmittance is low.
Any layer having a property of 70% or more can be used. In the present invention, such a silicide layer has a thickness of 10 to 80 Å and contains Mg, Sr, Ba,
Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W,
A transparent silicide layer of Mn, Re, Fe, Ru, Os, Co, Ir, Ni, Pb or Pt is used. Next, a method for manufacturing a solar cell according to the present invention will be explained based on one embodiment. First, amorphous p-layer, i-layer, and n-layer are formed by a conventional method on a transparent substrate provided with a transparent electrode. Thereafter, a layer with a predetermined thickness is formed using a silicide-forming element such as Cr or Ni by ordinary electron beam evaporation. Of course, the silicide-forming element may be deposited by sputtering using a sputtering target. Thereafter, a highly reflective metal is deposited to a predetermined thickness using a conventional method. As shown in FIG. 1, if the surface 2 of the transparent substrate 1 on the transparent electrode 3 side has irregularities in the range of 500 to 5000 Å, the diffused reflection of this area will increase the light confinement effect in the semiconductor 4 and increase Jsc. So even better. Note that 5 in FIG. 1 is a silicide layer, and 6 is a back electrode. Further, as shown in FIG. 2, the same effect as described above can be obtained even if unevenness in the range of 500 to 5000 Å is provided on the semiconductor side surface 7 of the transparent electrode 3 instead of the unevenness on the transparent electrode side surface of the transparent substrate. available. Of course, in the case of a solar cell in which a semiconductor layer is formed on a substrate having electrodes, it is better if the electrodes are provided with similar irregularities because the light confinement effect increases. The solar cell of the present invention produced in this way has good characteristics with little deterioration in solar cell performance due to heating even as it is, but it is furthermore suitable for film formation temperatures of 180°C to 180°C to 400°C. 0.5~
When the heat treatment is performed for about 4 hours, the silicide-forming element layer becomes silicide, and the contact between the back electrode and the n-layer can be improved, and the series resistance at the interface can be reduced. Of course, the silicide layer may be formed using a silicide target. The amorphous-containing thin film semiconductor solar cell of the present invention manufactured in this manner has high conversion efficiency by effectively utilizing reflected light on the back surface despite the thin i-layer, and has a high light conversion efficiency. Has little deterioration and excellent heat resistance. Next, the solar cell of the present invention will be explained based on Examples. Example 1 A 1 mm thick blue plate glass substrate with a 1000 Å thick ITO/SnO 2 transparent electrode was placed at a substrate temperature of approximately 200°C.
At a pressure of about 1 Torr, a mixture of SiH 4 and B 2 H 6 , a mixture of SiH 4 and H 2 , SiH 4
Using a mixed gas consisting of and PH 3 in this order,
Using the glow discharge decomposition method, the p-layer of amorphous silicon is 120 Å, the i-layer is 3000 Å, and the n-layer is 200 Å.
It was deposited to a thickness of . After that, a chromium layer is applied using electron beam evaporation method.
After depositing on the n-layer at 10 -6 Torr to a film thickness of 20 Å, Ag was subsequently deposited to a thickness of 2000 Å.
Then, heat treatment was performed at 200°C for 2 hours to produce a solar cell. The characteristics of the solar cell obtained are 200% under optimum load conditions.
mW/cm 2 ×Characteristics after 40 hours light irradiation test, 230℃×
AM-1 100mW/characteristics after 6 hours heating test
Measured using a cm 2 solar simulator. The results are shown in Table 1. Comparative Example 1 A solar cell was produced in the same manner as in Example 1, except that the i-layer thickness was 6000 Å, no silicide layer was provided, and aluminum 2000 Å was used for the back electrode, and the characteristics of the obtained solar cell were measured. . Then Example 1
The characteristics after the same test were measured. The results are shown in Table 1.
本発明の太陽電池は、
(l) ｉ層を500〜4000Åと薄くすることにより光
劣化を大幅に減少させることができる
(2) 高反射率の金属からなる裏面電極を用いてい
るので、ｉ層を薄くすることによる活性層の光
吸収量の低下を裏面反射光を有効利用すること
で充分補うことができる
(3) 半導体層と裏面電極との間に厚さが10〜80Å
であり、Mg、Sr、Ba、Ti、Zr、Hf、Ｖ、
Nb、Ta、Cr、Mo、Ｗ、Mn、Re、Fe、Ru、
Os、Co、Ir、Ni、PbまたはPtの透光性のシリ
サイド層を設け、裏面電極の高反射性をそこな
うことなく、裏面電極を形成する金属の半導体
中への拡散を防止することができるので耐熱性
に優れている
(4) 前記シリサイド層は極めて簡単に形成でき、
品質のバラツキも少ないため容易に製造できる
などの特長を有するものである。
In the solar cell of the present invention, (l) photodeterioration can be significantly reduced by making the i-layer as thin as 500 to 4000 Å; (2) the back electrode made of a highly reflective metal is used; The decrease in light absorption of the active layer caused by thinning the layer can be sufficiently compensated for by effectively utilizing the light reflected from the back surface. (3) The thickness between the semiconductor layer and the back electrode is 10 to 80 Å.
and Mg, Sr, Ba, Ti, Zr, Hf, V,
Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Ru,
By providing a transparent silicide layer of Os, Co, Ir, Ni, Pb, or Pt, it is possible to prevent the metal forming the back electrode from diffusing into the semiconductor without damaging the high reflectivity of the back electrode. (4) The silicide layer can be formed extremely easily.
It has the advantage of being easy to manufacture because there is little variation in quality.
第１図は透明基板として透明電極泡に凹凸を有
するものを用いたばあいにえられる本発明の太陽
電池の一実施態様に関する説明図、第２図は第１
図に示す透明基板の透明電極側のかわりに透明電
極の半導体側に凹凸を有するものを用いたばあい
にえられる本発明の太陽電池の一実施態様に関す
る説明図である。
（図面の主要符号）、１：透明基板、３：透明
電極、４：半導体、５：シリサイド層、６：裏面
電極。
FIG. 1 is an explanatory diagram of an embodiment of the solar cell of the present invention obtained when a transparent electrode foam having irregularities is used as a transparent substrate, and FIG.
FIG. 2 is an explanatory diagram of an embodiment of the solar cell of the present invention obtained by using a transparent electrode having irregularities on the semiconductor side instead of the transparent electrode side of the transparent substrate shown in the figure. (Main symbols in the drawings), 1: transparent substrate, 3: transparent electrode, 4: semiconductor, 5: silicide layer, 6: back electrode.
Claims (1)
体層が基板上に設けられた太陽電池において、該
半導体層の実質的に真性な層の厚さが500〜4000
Åであり、裏面電極と最も裏面電極側の半導体層
との間に、厚さが10〜80Åであり、Mg、Sr、
Ba、Ti、Zr、Hf、Ｖ、Nb、Ta、Cr、Mo、Ｗ、
Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Ir、Ni、Pbまた
はPtの透光性のシリサイド層を設け、該裏面電
極が波長0.6μｍ以上の光に対する反射率が80％以
上の値を有する金属から形成されていることを特
徴とする非晶質を含む薄膜半導体系太陽電池。 ２ 前記半導体層がヘテロ接合構造を有する特許
請求の範囲第１項記載の太陽電池。 ３ 少なくともシリサイド層と接する前記半導体
層がマイクロクリスタリンアモルフアスシリコン
からなる特許請求の範囲第１項記載の太陽電池。 ４ 前記裏面電極がAg、Au、Cuからなる特許請
求の範囲第１項記載の太陽電池。[Scope of Claims] 1. A solar cell in which a thin film semiconductor layer containing an amorphous substance having a photoelectric conversion function is provided on a substrate, wherein the thickness of the substantially intrinsic layer of the semiconductor layer is 500 to 4000.
The thickness is 10 to 80 Å between the back electrode and the semiconductor layer closest to the back electrode, and Mg, Sr,
Ba, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W,
A transparent silicide layer of Mn, Re, Fe, Ru, Os, Co, Ir, Ni, Pb, or Pt is provided, and the back electrode has a reflectance of 80% or more for light with a wavelength of 0.6 μm or more. A thin film semiconductor solar cell containing amorphous material, characterized in that it is formed from a metal. 2. The solar cell according to claim 1, wherein the semiconductor layer has a heterojunction structure. 3. The solar cell according to claim 1, wherein the semiconductor layer in contact with at least the silicide layer is made of microcrystalline amorphous silicon. 4. The solar cell according to claim 1, wherein the back electrode is made of Ag, Au, or Cu.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP60053563A JPS61212070A (en) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | Thin film semiconductor solar cell containing amorphous material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053563A JPS61212070A (en) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | Thin film semiconductor solar cell containing amorphous material |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPS61212070A JPS61212070A (en) | 1986-09-20 |
| JPH0564868B2 true JPH0564868B2 (en) | 1993-09-16 |
Family
ID=12946284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60053563A Granted JPS61212070A (en) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | Thin film semiconductor solar cell containing amorphous material |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS61212070A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1985
- 1985-03-18 JP JP60053563A patent/JPS61212070A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261302A (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | Thin-film crystalline Si solar cell |
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| JPS61212070A (en) | 1986-09-20 |
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