JPH0564874B2 - - Google Patents
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- JPH0564874B2 JPH0564874B2 JP11275185A JP11275185A JPH0564874B2 JP H0564874 B2 JPH0564874 B2 JP H0564874B2 JP 11275185 A JP11275185 A JP 11275185A JP 11275185 A JP11275185 A JP 11275185A JP H0564874 B2 JPH0564874 B2 JP H0564874B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザ加工装置に関し、特に半導体装
置の製造工程において使用され、半導体集積回路
装置の回路パターンを切断、アニーリング加工す
る際に適用して好適なものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a laser processing device, and is particularly used in the manufacturing process of semiconductor devices, and is applied when cutting and annealing circuit patterns of semiconductor integrated circuit devices. It is suitable.
本発明は、加工用光源としてレーザを有するレ
ーザ加工装置において、レーザを安定に発振させ
得る励起許容時間を制定し、レーザ励起パルスエ
ネルギを当該励起許容時間の間の選択された時点
において発生することにより、加工用レーザ光を
無駄時間なく発生させるようにし得るものであ
る。
The present invention provides, in a laser processing device having a laser as a processing light source, a permissible excitation time that allows the laser to oscillate stably, and laser excitation pulse energy is generated at a selected time point during the permissible excitation time. Accordingly, processing laser light can be generated without wasting time.
半導体集積回路装置は、次第に高集積化されて
来るのに伴つて、ウエハ又はフオトマスク上に生
成されるパターンが微細化して行く傾向にある。
そこで半導体集積回路装置の製造工程においてパ
ターンに微細な欠陥が生じても、これが原因にな
つて製造された集積回路装置全体が不良になり、
その結果歩留まりが悪くなる問題がある。
2. Description of the Related Art As semiconductor integrated circuit devices become increasingly highly integrated, patterns produced on wafers or photomasks tend to become finer.
Therefore, even if a minute defect occurs in a pattern during the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device, this will cause the entire manufactured integrated circuit device to be defective.
As a result, there is a problem of poor yield.
この問題を解決する1つの方法として、例えば
半導体メモリの場合、各チップ上に本来製造すべ
きメモリ回路を構成する主回路部分の外に、予備
回路部分を冗長回路として構成しておき、あるチ
ツプの主回路部分の一部に欠陥が生じた場合には
冗長回路で代用することによつて、このチツプを
合格品として処理できるようにし、かくして合格
品の歩留まりを向上させるような方法が提案され
ている(特開昭58−165338号)。 One way to solve this problem, for example in the case of semiconductor memory, is to configure a spare circuit part as a redundant circuit in addition to the main circuit part that makes up the memory circuit that should be manufactured on each chip. A method has been proposed in which if a defect occurs in a part of the main circuit of a chip, by replacing it with a redundant circuit, the chip can be treated as a passing product, thus improving the yield of passing products. (Japanese Patent Application Laid-open No. 165338/1983).
本出願人は、このような加工装置に関する発明
を先に出願した(特願昭60−44900号)。この先願
にはレーザ光を用いてパターンの加工をする第6
図に示すようなレーザ加工装置が提案されてい
る。第6図において、1は加工用光源を構成する
レーザで、そのレーザ光LA1は全反射ミラー2,
3を通じて開口部材4に照射され、開口部材4の
開口4Aを通つたレーザ光が投影レンズ5によつ
てウエハ6上に結像される。このレーザ光に対し
てウエハ6上に形成された回路パターンが位置合
わせされ(これをアライメントと呼ぶ)、かくし
て回路パターンの加工をするようになされてい
る。 The present applicant previously filed an application for an invention relating to such a processing device (Japanese Patent Application No. 44900/1983). This earlier application includes a sixth method for processing patterns using laser light.
A laser processing device as shown in the figure has been proposed. In FIG. 6, 1 is a laser constituting a processing light source, and the laser beam LA1 is transmitted to a total reflection mirror 2,
The laser beam is irradiated onto the aperture member 4 through the aperture member 3 and passes through the aperture 4A of the aperture member 4, and is imaged onto the wafer 6 by the projection lens 5. The circuit pattern formed on the wafer 6 is aligned with this laser light (this is called alignment), and the circuit pattern is thus processed.
レーザ光は結像位置に対するウエハ6の位置合
わせは、ウエハ6を載置するステージ11を互い
に直交する方向すなわちX方向及びY方向に移動
することによつて実行される。このステージ11
の位置座標は別途例えばレーザ光を使つた光波干
渉計でなる測長手段(図示せず)によつて検出さ
れる。 The alignment of the wafer 6 with respect to the imaging position of the laser beam is performed by moving the stage 11 on which the wafer 6 is placed in directions orthogonal to each other, that is, in the X direction and the Y direction. This stage 11
The position coordinates of are separately detected by a length measuring means (not shown), which is a light wave interferometer using a laser beam, for example.
ウエハ6上には集積回路パターン(これをチツ
プと呼ぶ)が格子状に配列するように形成されて
おり、各チツプ内には予めアライメントマークが
付されている。このアライメントマークは、Xア
ライメント顕微鏡12、Yアライメント顕微鏡1
3、θアライメント顕微鏡14によつて検出され
る。この装置の場合アライメント用光源を構成す
るレーザ15から送出されるレーザ光LA2がハ
ーフミラー16、全反射ミラー17を介してXア
ライメント顕微鏡12に供給され、またハーフミ
ラー16,18を介してYアライメント顕微鏡1
3に供給され、さらにハーフミラー16,18、
全反射ミラー19を通じてθアライメント顕微鏡
14に供給され、上記アライメント・マークを照
射する。各顕微鏡12,13,14内には光電検
出器が設けられ、アライメントマークから到来す
る回折光又は散乱光をこの光電検出器によつて検
出することにより、アライメントマークの位置を
検出し得るようになされている。 Integrated circuit patterns (referred to as chips) are formed on the wafer 6 so as to be arranged in a grid pattern, and alignment marks are placed in each chip in advance. This alignment mark is used for X alignment microscope 12 and Y alignment microscope 1.
3. Detected by the θ alignment microscope 14. In this device, the laser beam LA2 sent out from the laser 15 constituting the alignment light source is supplied to the X alignment microscope 12 via a half mirror 16 and a total reflection mirror 17, and is also supplied to the Y alignment microscope 12 via half mirrors 16 and 18. Microscope 1
3, and further half mirrors 16, 18,
The light is supplied to the θ alignment microscope 14 through a total reflection mirror 19, and illuminates the alignment mark. A photoelectric detector is provided in each of the microscopes 12, 13, and 14, and the position of the alignment mark can be detected by detecting diffracted light or scattered light arriving from the alignment mark. being done.
ところでウエハ6上の各アライメントマークの
位置及び各チツプ内の加工箇所の位置関係は、そ
れぞれ既知であり、かつ投影レンズ5及び各アラ
イメント顕微鏡12,13,14の位置関係も既
知であるから、投影レンズ5によつて結像される
加工用レーザ光の現在位置を基準にして、この結
像位置から各チツプ内に生じた欠陥位置(従つて
加工位置)までの距離(ステージ11の移動量)
を演算によつて求めることができ、かくして加工
用レーザ光を必要十分な精度で加工位置に位置決
めすることができる。 By the way, since the position of each alignment mark on the wafer 6 and the positional relationship of the processed parts in each chip are known, and the positional relationship of the projection lens 5 and each alignment microscope 12, 13, 14 is also known, the projection Based on the current position of the processing laser beam imaged by the lens 5, the distance from this imaging position to the defect position (therefore, the processing position) that has occurred in each chip (the amount of movement of the stage 11)
can be determined by calculation, and thus the processing laser beam can be positioned at the processing position with sufficient accuracy.
なお、ウエハ6内に生じた欠陥位置は、別途検
査装置において検査確認されており、この検査結
果に基づいて加工位置への移動量の演算ないし位
置決めを実行するようになされている。 Note that the position of the defect occurring within the wafer 6 is inspected and confirmed by a separate inspection device, and based on the inspection result, calculation of the amount of movement to the processing position or positioning is executed.
このような構成のレーザ加工装置においては、
従来、ステージ11が所定の加工位置で停止した
後加工用レーザ光をウエハ6上に照射するまでの
待ち時間が比較的長く、これが処理量への増大を
妨げる要因となつた。
In a laser processing device with such a configuration,
Conventionally, the waiting time from when the stage 11 stops at a predetermined processing position until the processing laser beam is irradiated onto the wafer 6 is relatively long, and this has been a factor that hinders an increase in throughput.
加工用光源として用いられるレーザ(例えば
YAGレーザ)は一般に、第7図において曲線K
1で示すように、出力のばらつき(これを出力安
定度と呼ぶ)が固有の周波数f0で最小値になると
同時に、曲線K2で示すように、同じ周波数f0の
近傍で出力が最大になるような特性をもつてい
る。そこで一般に加工用光源として用いるレーザ
1は、発振時の安定度が良くかつ出力が最大とな
るような周波数f0又はその近傍の周波数を励起周
波数として発振動作するように制御される。その
ためレーザ1には、第8図Bに示すように、ステ
ージ11の位置決め動作とは無関係に一定周期T
のレーザ励起パルスEPが与えられる。 Lasers used as processing light sources (e.g.
(YAG laser) generally has a curve K in Fig. 7.
As shown by curve 1, the output variation (this is called output stability) reaches a minimum value at a specific frequency f 0 , and at the same time, as shown by curve K2, the output reaches a maximum near the same frequency f 0 . It has similar characteristics. Therefore, the laser 1 generally used as a processing light source is controlled to oscillate with an excitation frequency of f 0 or a frequency near it, which provides good stability during oscillation and maximum output. Therefore, as shown in FIG. 8B, the laser 1 has a constant period T, regardless of the positioning operation of the stage 11.
A laser excitation pulse EP is given.
一方ステージ11を所定の加工位置に位置決め
する際には、第8図Aに示すような制御パターン
に従つて、時点t1においてステージ11を駆動開
始した後、時点t2に至るまでの間加速することに
よつて所定の移動速度を立上げ、その後一定速度
で加工目標位置にステージ11を移動させて行
く。やがて加工目標位置に近づくと、時点t3にお
いて減速を開始し、時点t4において目標値に到達
した時ステージ11を停止させる。 On the other hand, when positioning the stage 11 at a predetermined processing position, according to the control pattern shown in FIG . By doing so, the predetermined moving speed is increased, and then the stage 11 is moved to the processing target position at a constant speed. When the machining target position is finally approached, deceleration is started at time t3 , and when the target value is reached at time t4 , the stage 11 is stopped.
このようにしてウエハ6の加工箇所をレーザ光
位置に位置決めした状態において、時点t4後に発
生される最初のレーザ励起パルスEPによつてレ
ーザ1からジヤイアントパルスが引出され、これ
が加工用レーザ光として加工箇所に照射されるこ
とにより加工が行われる。 With the processing location of the wafer 6 positioned at the laser beam position in this way, a giant pulse is extracted from the laser 1 by the first laser excitation pulse EP generated after time t4 , and this is used as the processing laser beam. Machining is performed by irradiating the work area with the beam.
このように従来の装置においては、ステージ1
1は加工箇所の位置決めを終了した後の最初のレ
ーザ励起パルスEPによつて加工用レーザ光を得
るようになされているので、ステージ11が目標
加工位置に停止した時点t4の後、最初のレーザ励
起パルスEPが発生するまでの時間ΔTの間は、ウ
エハ6に対する加工動作をしないで待たなければ
ならないことになる。 In this way, in conventional equipment, stage 1
1, the processing laser beam is obtained by the first laser excitation pulse EP after completing the positioning of the processing location, so after the time t 4 when the stage 11 stops at the target processing position, the first During the time ΔT until the laser excitation pulse EP is generated, it is necessary to wait without performing any processing operation on the wafer 6.
この平均待ち時間ΔTwは、
ΔTw=T/2 ……(1)
の値になり、特にレーザ1の励起周波数f0が比較
的低い場合、例えば数十〔pps〕(pulse
persecond)以下のような場合には、実用上この
待ち時間に基づいてレーザ加工装置の処理能力が
制限されるおそれがある。 This average waiting time ΔT w has a value of ΔT w =T/2 (1), and especially when the excitation frequency f 0 of the laser 1 is relatively low, for example, several tens [pps] (pulse
per second) In the following cases, the processing capacity of the laser processing device may be limited in practice based on this waiting time.
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、
ステージ11が加工目標位置に到達した後、レー
ザ励起パルスEPを発生するまでの待ち時間をで
きる限り短縮し得るようにしたレーザ加工装置を
提案しようとするものである。 The present invention has been made in consideration of the above points, and
The present invention attempts to propose a laser processing apparatus that can shorten as much as possible the waiting time until the laser excitation pulse EP is generated after the stage 11 reaches the processing target position.
かかる問題点を解決するため本発明において
は、加工用光源としてのレーザ1と、このレーザ
1が安定に発振動作させ得る周期でレーザ励起パ
ルスエネルギを発生させるような励起パルスを発
生する励起パルス発生手段26と、レーザ1が発
するレーザ光を加工対象6に照射させるべく、加
工対象6とレーザ1との相対位置を変化させて位
置決めする位置決め手段30,31,32と、位
置決め手段30,31,32による位置決めが完
了した後、直ちにレーザ励起パルスエネルギを発
生させるべく、当該位置決めが完了するまでに要
する時間を予測し、この予測結果に応じてレーザ
励起パルスの発生時期をレーザ1の安定発振を損
なわない範囲で偏倚させる偏倚手段26とを設け
る。
In order to solve this problem, the present invention includes a laser 1 as a processing light source, and an excitation pulse generator that generates an excitation pulse that generates laser excitation pulse energy at a period that allows the laser 1 to stably oscillate. means 26; positioning means 30, 31, 32 for positioning by changing the relative position of the workpiece 6 and the laser 1 in order to irradiate the workpiece 6 with the laser light emitted by the laser 1; After the positioning by 32 is completed, in order to generate laser excitation pulse energy immediately, the time required to complete the positioning is predicted, and the generation timing of the laser excitation pulse is determined based on the prediction result to ensure stable oscillation of the laser 1. A biasing means 26 for biasing within a range that does not cause damage is provided.
発生手段26は、加工対象であるウエハ6がレ
ーザ照射位置に位置決めされたとき、加工用レー
ザ光を発生するためのレーザ励起パルスエネルギ
を、励起許容時間の間に選択的に発生させること
ができる。従つて従来の場合のように、レーザ励
起パルスエネルギの固定した発生時点に限つて加
工用レーザ光を発生できるようにした場合と比較
して、無駄時間なく加工用レーザ光を発生させる
ことができ、かくして単位時間当りの処理量を格
段的に改善することができる。
When the wafer 6 to be processed is positioned at the laser irradiation position, the generating means 26 can selectively generate laser excitation pulse energy for generating processing laser light during the excitation allowable time. . Therefore, compared to the conventional case where the processing laser beam can be generated only at the fixed generation point of the laser excitation pulse energy, the processing laser beam can be generated without wasting time. In this way, the throughput per unit time can be significantly improved.
以下図面について本発明の一実施例を詳述す
る。
An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
先ず、本発明は第1図に示す原理に基づいて加
工用レーザ光の発生を、ステージ11の位置決め
完了時のタイミングに合せるように構成する。す
なわちレーザ1に対するレーザ励起パルスEP(第
1図A)は、第8図Bについて上述したように、
所定の基準周期Tで発生することにより、レーザ
1を安定に発振動作させるようになされている
が、これに加えて本発明においては、レーザ励起
パルスのEPのうちの1つ(若しくは複数)のパ
ルスのタイミングを偏倚させたとしても、他のレ
ーザ励起パルスの周期が所定の基準周期Tを維持
する限り、レーザ1を安定に発振動作させること
ができる点に着目して、ステージ11が位置決め
完了した時点と、その後の最初のレーザ励起パル
スEPが発生すべき時点toとの間隔が所定の励起
許容時間に入つているか否かを検出し、励起許容
時間に入つているときには、レーザ励起パルス
EPの発生をステージ11の位置決め完了時点に
合せるようにタイミング制御する。 First, the present invention is constructed so that the generation of a processing laser beam is synchronized with the timing when positioning of the stage 11 is completed based on the principle shown in FIG. That is, the laser excitation pulse EP for the laser 1 (FIG. 1A) is as described above with respect to FIG. 8B.
By generating at a predetermined reference period T, the laser 1 is made to operate stably. In addition, in the present invention, one (or more) of the EP of the laser excitation pulse Even if the timing of the pulse is shifted, as long as the period of the other laser excitation pulses maintains the predetermined reference period T, the laser 1 can be stably oscillated. It is detected whether or not the interval between the time point and the time point to when the first laser excitation pulse EP is to be generated is within a predetermined excitation allowable time, and if the interval is within a predetermined excitation allowable time, the laser excitation pulse is
The timing is controlled so that the generation of EP coincides with the completion of positioning of the stage 11.
レーザ励起パルスEPをタイミング制御する際
の条件には、次の2つがある。 There are the following two conditions when controlling the timing of the laser excitation pulse EP.
第1の場合は、第1図B1に示すように、ステ
ージ11の位置決め完了時点to-1が基準周期Tの
時点toより前に発生した場合で、この場合レーザ
1は基準周期Tに対応する時点toに対して時間
ΔT1だけの励起許容時間をもつ。換言すれば、励
起許容時間ΔT1の間であれば、どのタイミングで
励起パルスEPを単発的に発生しても以後レーザ
1は安定に発振動作できる。従つてステージ11
の位置決め完了時点to-1がこの励起許容時間ΔT1
内に発生するときには、第1図B2に示すよう
に、レーザ励起パルスEPを基準時点toよりΔTx1
だけ前の時点to-1で発生させる。 In the first case, as shown in FIG. 1 B1, the positioning completion time t o-1 of the stage 11 occurs before the time t o of the reference period T. In this case, the laser 1 is emitted at the reference period T. It has an excitation allowable time of time ΔT 1 for the corresponding time t o . In other words, within the allowable excitation time ΔT 1 , the laser 1 can stably oscillate even if the excitation pulse EP is generated singly at any timing. Therefore stage 11
The positioning completion point t o-1 is this excitation allowable time ΔT 1
When the laser excitation pulse EP is generated within ΔT x1 from the reference time to , as shown in FIG.
occurs at the previous time t o-1 .
また第2の場合は、第1図C1に示すように、
ステージ11の位置決め完了時点to+1が基準周期
Tに対応する時点toより後に発生した場合で、こ
の場合にはレーザ1は基準周期Tに対応する時点
toに対してΔT2だけの励起許容時間をもつ。従つ
てステージ11の位置決め完了時点to+1がこの励
起許容時間ΔT2内に発生するときには、第1図C
2に示すように、レーザ励起パルスEPを基準時
点toよりΔTx2だけ遅れた時点to+1においてレー励
起パルスEPを発生させる。 In the second case, as shown in Figure 1 C1,
In the case where the positioning completion time t o+1 of the stage 11 occurs after the time t o corresponding to the reference period T, in this case, the laser 1 is activated at the time corresponding to the reference period T.
It has an excitation allowable time of ΔT 2 for t o . Therefore, when the positioning completion time t o+1 of the stage 11 occurs within this excitation allowable time ΔT 2 , the positioning completion time t o+1 in FIG.
As shown in FIG. 2, the laser excitation pulse EP is generated at a time t o+1 delayed by ΔT x2 from the reference time t o .
このようにすれば、時点to-1においてステージ
11が位置決め完了した場合には、基準周期Tの
場合と比較してΔTx1だけ前の時点でウエハ6に
対する加工を行うことができる。 In this way, when the positioning of the stage 11 is completed at time t o -1 , processing on the wafer 6 can be performed at a time ΔT x1 earlier than in the case of the reference period T.
これに対してステージ11が時点to+1において
位置決め完了状態になつたときには、時点toにお
いてレーザ励起パルスEPを発生させずにΔTx2だ
け遅らせた時点で励起パルスを発生させる。因に
従来の方法によれば位置決め完了後T−Tx2遅れ
た次の基準周期Tのレーザ励起パルスEPによつ
て加工がなされるのに対して、本発明によれば、
位置決め完了と同時にウエハ6に対する加工をす
ることができる。 On the other hand, when the stage 11 reaches the positioning completion state at time to+1 , the laser excitation pulse EP is not generated at time to , but is generated at a time delayed by ΔT x2 . In contrast, according to the conventional method, processing is performed using the laser excitation pulse EP of the next reference period T delayed by T-T x2 after the completion of positioning, whereas according to the present invention,
The wafer 6 can be processed at the same time as the positioning is completed.
第2図に示すレーザ加工装置25は、マイクロ
コピユータ構成の中央処理ユニツト(CPU)2
6を有し、CPU26は加工用光源としてのレー
ザ1のレーザ励起パルスEPのタイミングを上述
の原理に基づいて単発的に制御する。 The laser processing device 25 shown in FIG.
6, and the CPU 26 single-handedly controls the timing of the laser excitation pulse EP of the laser 1 as a processing light source based on the above-mentioned principle.
すなわち、発振回路27の発振パルスをカウン
タ28において計数し、そのカウント内容は時間
データDTとしてCPU26に供給される。時間デ
ータDTの内容は、基準周期T(第1図)ごとに
反復するようになされ、そのカウント内容が基準
周期Tと一致するタイミングで、カウンタ28は
CPU26に対して割込信号IR(第5図C)を供給
する。かくしてCPU26には、基準周期Tのレ
ーザ励起パルスEPのタイミング及び各パルス間
の時間位置を表すデータが供給され、このとき
CPU26は、第3図に示すメインルーチンから
第4図に示すサブルーチンによる処理を割込ませ
て第5図Eに示すレーザ励起パルスEPをレーザ
1に供給する。 That is, the oscillation pulses of the oscillation circuit 27 are counted by the counter 28, and the count contents are supplied to the CPU 26 as time data DT. The contents of the time data DT are repeated every reference period T (Fig. 1), and at the timing when the count contents match the reference period T, the counter 28 is activated.
An interrupt signal IR (FIG. 5C) is supplied to the CPU 26. In this way, the CPU 26 is supplied with data representing the timing of the laser excitation pulse EP of the reference period T and the time position between each pulse.
The CPU 26 interrupts the processing from the main routine shown in FIG. 3 to the subroutine shown in FIG. 4, and supplies the laser excitation pulse EP shown in FIG. 5E to the laser 1.
かかる構成に加えて、座標計測装置29からス
テージ11の現在の位置を表す位置データPDが
CPU26に供給される。CPU26は、ステージ
11を位置決めすべき目標位置と現在のステージ
の位置との関係をCPU26において演算し、ス
テージ11の現在位置に対応する座標値が、目標
位置に対応する目標座標値に到達するまでデイジ
タル−アナログ変換器30を介して駆動制御信号
RVを出力する。この駆動制御信号RVは、ステ
ージ11の駆動源としてのモータ32の駆動回路
31に入力され、モータ32は制御信号RVに応
じて制御される。 In addition to this configuration, position data PD representing the current position of the stage 11 is transmitted from the coordinate measuring device 29.
It is supplied to the CPU 26. The CPU 26 calculates the relationship between the target position at which the stage 11 should be positioned and the current stage position until the coordinate value corresponding to the current position of the stage 11 reaches the target coordinate value corresponding to the target position. Drive control signal via digital-to-analog converter 30
Output RV. This drive control signal RV is input to a drive circuit 31 for a motor 32 as a drive source for the stage 11, and the motor 32 is controlled according to the control signal RV.
一方CPU26は、レーザ1の出力系に設けら
れたQスイツチ35に対して加工出力タイミング
信号PO(第5図D)を送出する。ここでQスイツ
チ35はレーザ1の出力に対するシヤツタ機能を
実現するもので、投影レンズ5からウエハ6に対
して加工用レーザ光を照射する際に、CPU26
から加工出力タイミング信号POを受けたとき、
レーザ1からジヤイアントパルスを加工用レーザ
LA1として引き出すように動作する。 On the other hand, the CPU 26 sends a processing output timing signal PO (FIG. 5D) to the Q switch 35 provided in the output system of the laser 1. Here, the Q switch 35 realizes a shutter function for the output of the laser 1, and when the processing laser beam is irradiated from the projection lens 5 to the wafer 6, the Q switch 35
When receiving the processing output timing signal PO from
Laser for processing giant pulse from laser 1
It operates as if it were drawn out as LA1.
第2図のレーザ加工装置25は第3図及び第4
図の処理手順に従つてレーザ1に対する励起制御
を実行する。 The laser processing device 25 in FIG. 2 is similar to the one shown in FIGS.
Excitation control for the laser 1 is executed according to the processing procedure shown in the figure.
先ずCPU26は、第3図のステツプSP1におい
て、ウエハ6がステージ11上のどこに位置する
かをウエハ6上のアライメントマークから求めた
位置データと、ウエハ6上のチツプの配列データ
及びチツプ内の加工位置に関するデータとに基づ
いて計算を行い、レーザ1が加工位置に照射可能
となるステージ11の目標座標値を求める。続い
てCPU26は、ステツプSP2において、座標計測
装置29からステージ11の現在の座標値を表す
位置データPDを入力し、目標座標値までの距離
を計算する。その計算結果に基づいてCPU26
は、次のステツプSP3に移つて、ステージ11が
目標座標値に到達したか否かを判断する。 First, in step SP1 of FIG. 3, the CPU 26 uses the position data obtained from the alignment mark on the wafer 6 as to where the wafer 6 is located on the stage 11, the arrangement data of the chips on the wafer 6, and the processing inside the chips. Calculations are performed based on the data regarding the position, and target coordinate values of the stage 11 at which the laser 1 can irradiate the processing position are determined. Subsequently, in step SP2, the CPU 26 inputs the position data PD representing the current coordinate values of the stage 11 from the coordinate measuring device 29, and calculates the distance to the target coordinate values. Based on the calculation result, CPU26
Then, the process moves to the next step SP3, and it is determined whether the stage 11 has reached the target coordinate value.
ステツプSP3において否定結果が得られると
CPU26は、次のステツプSP4に移つてモータ3
2に対する駆動信号RVを送出し、上述のステツ
プSP2に戻る。かくしてCPU26は、第5図Bに
示すように、ステージ11を加速した後(加速モ
ード)、一定速度で走行させ(定速モード)、目標
座標値に近づくと減速し(減速モード)、目標値
で停止する速度パターンSPTに従つてモータ3
2を駆動制御し、これによりステージ11の位置
(従つて座標計測装置29の位置データPDの内
容)を、第5図Aに示すように、速度パターン
SPTに応じて加工位置を目標位置に一致させる
ように移動制御する。 If a negative result is obtained in step SP3,
The CPU 26 moves to the next step SP4 and motor 3
The drive signal RV for SP2 is sent out, and the process returns to step SP2 described above. Thus, as shown in FIG. 5B, the CPU 26 accelerates the stage 11 (acceleration mode), causes it to travel at a constant speed (constant speed mode), and decelerates the stage 11 when it approaches the target coordinate value (deceleration mode). Motor 3 according to the speed pattern SPT to stop at
2, thereby controlling the position of the stage 11 (therefore, the contents of the position data PD of the coordinate measuring device 29) in a speed pattern as shown in FIG. 5A.
Movement is controlled to match the machining position to the target position according to SPT.
このようにしてステージ11が目標値に向つて
移動を開始すると同時に、カウンタ28より割込
信号1Rが時間T間隔でCPU26に供給される。
これを受けてCPU26はその都度ステツプSP21
(第4図)の割込ルーチンに入る。ここでCPU2
6は、先ずステツプSP22においてステージ11
が目標座標値にどの程度近付いているかの判断を
する。すなわちステツプSP22においてステージ
11の現在の座標値から目標座標値までの距離
と、速度パターンSPTのモードとを求め、特性
上ステージ11が第1図の許容時間ΔT2で位置決
めを終了できるか否かを予測する。ステツプ
SP22において否定結果が得られると、励起許容
時間ΔT2内で位置決めを終了することができない
のでCPU26はステツプSP23に移つてレーザ1
に対して励起パルスEPを供給した後、ステツプ
SP24において元のメインルーチンに戻る。 At the same time that the stage 11 starts moving toward the target value in this manner, the interrupt signal 1R is supplied from the counter 28 to the CPU 26 at intervals of time T.
In response to this, the CPU 26 executes step SP21 each time.
The interrupt routine shown in FIG. 4 is entered. Here CPU2
6 first performs stage 11 at step SP22.
Determine how close the coordinates are to the target coordinate values. That is, in step SP22, the distance from the current coordinate value to the target coordinate value of the stage 11 and the mode of the speed pattern SPT are determined, and it is determined whether the stage 11 can finish positioning within the allowable time ΔT 2 shown in FIG. 1 due to its characteristics. Predict. step
If a negative result is obtained in SP22, it is not possible to complete positioning within the excitation allowable time ΔT2 , so the CPU 26 moves to step SP23 and laser 1
After supplying excitation pulse EP to
Return to the original main routine at SP24.
これに対してステツプSP22において肯定結果
が得られると、CPU26は直ちにステツプSP24
に移つて元のルーチンに戻り、レーザ1に対する
基準周期Tのレーザ励起パルスEPを発生せずに、
ステージ11が目標座標値に到達するのを待つ状
態になる。 On the other hand, if a positive result is obtained in step SP22, the CPU 26 immediately proceeds to step SP24.
, return to the original routine, and without generating the laser excitation pulse EP with the reference period T for laser 1,
The stage 11 enters a state of waiting for the stage 11 to reach the target coordinate value.
因にこの状態はステージ11が目標座標値に近
づいて来ており、第1図の時点toの許容時間ΔT2
の間のいずれかの時点で、ステージ11が目標座
標値に到達するであろうことを予測し得た状態に
なつたことを意味し、そこでCPU26はステツ
プSP3において肯定結果が生ずるまでステージ1
1の移動制御を続ける。 Incidentally, in this state, the stage 11 is approaching the target coordinate value, and the allowable time ΔT 2 at time t o in FIG.
This means that the stage 11 is predicted to reach the target coordinate value at some point during
Continue the movement control in step 1.
このようにしてCPU26がステージ11の位
置決め動作を実行している間に、カウンタ28か
らCPU26に対して割込信号IR(第5図C)が所
定の周期T間隔でCPU26に供給されることに
より、CPU26が周期Tのレーザ励起パルスEP
を送出し続け(第5図E)、これによりレーザ1
が安定に発振動作を繰り返す状態を維持される。 While the CPU 26 is performing the positioning operation of the stage 11 in this manner, the interrupt signal IR (FIG. 5C) is supplied to the CPU 26 from the counter 28 at a predetermined period T interval. , the CPU 26 receives a laser excitation pulse EP with a period T
continues to send out (Fig. 5E), which causes laser 1
is maintained in a state where the oscillation operation is repeated stably.
やがて第5図の時点t10において、ステージ1
1が目標座標値に到達して(第5図A)ステージ
11が停止すると(第5図B)、CPU26はステ
ツプSP3において肯定結果を得てステツプPS5に
移る。 Eventually, at time t 10 in Figure 5, stage 1
1 reaches the target coordinate value (FIG. 5A) and the stage 11 stops (FIG. 5B), the CPU 26 obtains a positive result in step SP3 and moves to step PS5.
このステツプSP5は、ステージ11の停止時点
が、時点t10の1つ前のレーザ励起パルスEPを基
準にして、第1図の励起許容時間ΔT1の開始時点
を過ぎかつΔT2終了時点を過ぎていないか否か
(この時間をΔTとする)を判断する。 In step SP5, the stage 11 stops after the start of the excitation allowable time ΔT 1 and the end of ΔT 2 in FIG. (this time is set as ΔT).
ここで否定結果が得られると、未だレーザ1が
安定動作し得る許容時間ΔT1又はΔT2入つていな
い(第1図B1)状態にあることを意味してお
り、従つてCPU26は肯定結果が得られるまで
待ち受ける状態になる。やがて励起許容時間ΔT1
に入ると、CPU26はステツプSP5において肯定
結果を得ることによりステツプSP6に移つてレー
ザ1に対してレーザ励起パルスEPを供給すると
共にQスイツチ35に加工出力タイミング信号
PO(第5図D)を供給し、かくしてウエハ6に対
してジヤイアントパルスによるレーザ光を照射さ
せることにより加工を行う。 If a negative result is obtained here, it means that the laser 1 has not yet entered the allowable time ΔT 1 or ΔT 2 for stable operation (Fig. 1 B1), and therefore the CPU 26 receives a positive result. It will be in a waiting state until it is obtained. Eventually, the excitation allowable time ΔT 1
Upon entering, the CPU 26 obtains a positive result in step SP5 and moves to step SP6, where it supplies the laser excitation pulse EP to the laser 1 and sends the processing output timing signal to the Q switch 35.
Processing is performed by supplying PO (FIG. 5D) and irradiating the wafer 6 with laser light using giant pulses.
ここで、ステツプSP5において肯定結果を得る
ことができる状態は、次の2つがある。 Here, there are the following two states in which a positive result can be obtained in step SP5.
第1の場合は、割込ルーチンのステツプSP22
において肯定結果が得られたためにCPU26が
ステージ11の停止を待つている状態にあるとき
で、このときステージ11は許容時間ΔT2におい
て停止する(第1図C1及びC2)。かくして
CPU26は基準時点toでは加工パルスを発生させ
ず、ステージ11の停止時点まで遅らせることに
なる。 In the first case, step SP22 of the interrupt routine
This is when the CPU 26 is in a state of waiting for the stage 11 to stop because a positive result has been obtained in , and at this time the stage 11 stops at the allowable time ΔT 2 (FIG. 1, C1 and C2). Thus
The CPU 26 does not generate a machining pulse at the reference time to , but delays it until the stage 11 stops.
第2の場合は、ステージ11の停止時点が許容
時間ΔT1に入つたときで(第1図B1及びB2)、
このときCPU26は加工パルスを基準時点toより
前の時点で発生させることになる。 The second case is when the stage 11 stops within the allowable time ΔT 1 (B1 and B2 in Figure 1),
At this time, the CPU 26 generates a machining pulse at a time before the reference time t o .
その結果位置決め完了時からレーザ1が励起さ
れるまでの平均待ち時間ΔTwは
ΔTw=T/2−1/2(ΔT1+ΔT2) ……(2)
になり、従来の場合((1)式)より一段と短縮し得
る。 As a result, the average waiting time ΔT w from the completion of positioning until the laser 1 is excited becomes ΔT w = T/2-1/2 (ΔT 1 + ΔT 2 ) ...(2), and in the conventional case ((1 ) can be further shortened.
なお実際上ステツプSP5において許容時間ΔT
が経過し終わつたにもかかわらず肯定結果が得ら
れなかつた場合には、CPU26は上述のステツ
プSP2に戻るような対策が講じられている。 In addition, in practice, the allowable time ΔT at step SP5
If a positive result is not obtained even though the period of time has elapsed, measures are taken such that the CPU 26 returns to the above-mentioned step SP2.
以上の構成によれば、CPU26は、第4図の
許容時間ΔT(=ΔT1+ΔT2)の間にステージ11
が目標位置に到達すれば、その時点で直ちにレー
ザ1を励起して加工用レーザ光を発生させること
ができ、かくするにつき、従来の場合のように基
準周期Tのレーザ励起パルスEPの発生を待たな
いで済む。 According to the above configuration, the CPU 26 operates the stage 11 during the allowable time ΔT (=ΔT 1 +ΔT 2 ) shown in FIG.
When the laser beam reaches the target position, the laser 1 can be immediately excited to generate a processing laser beam at that point. Therefore, unlike the conventional case, the generation of the laser excitation pulse EP with the reference period T is not necessary. No need to wait.
なお、上記の実施例においては、レーザ励起パ
ルスエネルギの発生時期の偏倚を単発的に行つた
が、本発明はこれらに限られることはなく、偏倚
を複数回に分けて行うものも含まれる。例えば、
ステージ11の位置決めが完了する時期と基準周
期Tに基づくレーザ励起パルスエネルギの発生時
期とが大きくずれており、1回の偏倚で両時期を
同期させようとするレーザの発振動作の安定を乱
すような場合に、この偏倚を複数回に分割し、1
回の偏倚量をレーザの安定を乱さない量に抑えれ
ば、両時期を支障なく同期させることができる。 Note that in the above embodiments, the timing of generation of laser excitation pulse energy is shifted once, but the present invention is not limited to this, and also includes a case where the shift is performed in multiple steps. for example,
The timing at which the positioning of the stage 11 is completed and the timing at which the laser excitation pulse energy is generated based on the reference period T are significantly different from each other, and one deviation may disturb the stability of the laser oscillation operation, which attempts to synchronize both timings. In this case, this deviation is divided into multiple times and 1
By suppressing the amount of deviation of the timing to an amount that does not disturb the stability of the laser, the two timings can be synchronized without any problem.
上述のように本発明によれば、加工対象が加工
レーザ光の照射位置に位置決めされると直ちに加
工レーザ光を送出させるようにしたことにより、
従来の場合と比較して格段的に少ない待ち時間で
加工レーザ光を供給することができ、これにより
単位時間当たりの処理量が一段と改善されたレー
ザ加工装置を容易に得ることができる。
As described above, according to the present invention, the processing laser beam is sent out immediately after the processing object is positioned at the irradiation position of the processing laser beam.
Processing laser light can be supplied with a significantly shorter waiting time than in the conventional case, and as a result, a laser processing apparatus with a much improved throughput per unit time can be easily obtained.
第1図は本発明によるレーザ加工装置の動作原
理を示す信号波形図、第2図は本発明によるレー
ザ加工装置の一実施例を示すブロツク図、第3図
及び第4図はそのデータ処理手順を示すフローチ
ヤート、第5図は第2図の各部の信号を示す信号
波形図、第6図はレーザ加工装置のステージ周り
の構成を示す略線的斜視図、第7図はレーザの出
力特性を示す特性曲線図、第8図は従来のレーザ
加工装置の動作の説明に供する信号波形図であ
る。
1……レーザ、6……ウエハ、26……CPU、
30……デイジタル−アナログ変換器、31……
駆動回路、32……モータ。
Fig. 1 is a signal waveform diagram showing the operating principle of the laser processing apparatus according to the present invention, Fig. 2 is a block diagram showing an embodiment of the laser processing apparatus according to the invention, and Figs. 3 and 4 are its data processing procedure. 5 is a signal waveform diagram showing the signals of each part in FIG. 2, FIG. 6 is a schematic perspective view showing the configuration around the stage of the laser processing device, and FIG. 7 is the output characteristics of the laser. FIG. 8 is a signal waveform diagram for explaining the operation of a conventional laser processing apparatus. 1...Laser, 6...Wafer, 26...CPU,
30...Digital-to-analog converter, 31...
Drive circuit, 32...motor.
Claims (1)
ーザ励起パルスエネルギを発生させるような励
起パルスを発生する励起パルス発生手段と、 (c) 前記レーザが発するレーザ光を加工対象に照
射させるべく、加工対象と該レーザとの相対位
置を変化させて位置決めする位置決め手段と、 (d) 該位置決め手段による位置決めが完了した
後、直ちに前記レーザ励起パルスエネルギを発
生させるべく、該位置決めが完了するまでに要
する時間を予測し、該予測時間に応じて前記レ
ーザ励起パルスの発生時間を前記レーザの安定
発振を損なわない範囲で偏倚させる偏倚手段と を有することを特徴とするレーザ加工装置。[Claims] 1. (a) A laser as a processing light source; (b) Excitation pulse generation means for generating an excitation pulse that generates laser excitation pulse energy at a period that allows the laser to operate stably. (c) positioning means that positions the workpiece by changing the relative position of the workpiece and the laser so that the workpiece is irradiated with laser light emitted by the laser; and (d) after the positioning by the positioning means is completed. In order to immediately generate the laser excitation pulse energy, predict the time required to complete the positioning, and vary the generation time of the laser excitation pulse according to the predicted time within a range that does not impair stable oscillation of the laser. A laser processing device characterized by having a biasing means for causing the laser beam to shift.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11275185A JPS61270882A (en) | 1985-05-25 | 1985-05-25 | Laser processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11275185A JPS61270882A (en) | 1985-05-25 | 1985-05-25 | Laser processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270882A JPS61270882A (en) | 1986-12-01 |
| JPH0564874B2 true JPH0564874B2 (en) | 1993-09-16 |
Family
ID=14594639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11275185A Granted JPS61270882A (en) | 1985-05-25 | 1985-05-25 | Laser processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270882A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2280306B1 (en) | 2008-05-15 | 2013-10-23 | Panasonic Corporation | Camera system |
-
1985
- 1985-05-25 JP JP11275185A patent/JPS61270882A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61270882A (en) | 1986-12-01 |
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