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JPH0567650B2 - - Google Patents
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JPH0567650B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0567650B2
JPH0567650B2 JP62261843A JP26184387A JPH0567650B2 JP H0567650 B2 JPH0567650 B2 JP H0567650B2 JP 62261843 A JP62261843 A JP 62261843A JP 26184387 A JP26184387 A JP 26184387A JP H0567650 B2 JPH0567650 B2 JP H0567650B2
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JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin
semiconductor device
formula
epoxy
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP62261843A
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JPH01105562A (ja
Inventor
Naoki Mogi
Shinichi Kuroki
Koichi Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication date
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  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 本発明は耐熱衝撃性に優れた樹脂封止型半導体
装置に関すものであり、更に詳しくは急激な温度
変化を受けても耐クラツク性に非常に優れたエポ
キシ樹脂組成物によつて封止された半導体装置に
関するものである。 〔従来技術〕 最近の電気製品における軽薄短小化傾向から半
導体装置の実装密度を向上させるために半導体セ
ツトメーカーでは従来のスルーホール実装から表
面実装への移行が進んでいる。 表面実装での自動化ラインではリードの半田付
け時に半導体装置は急激な温度変化を受け、この
ために樹脂成形部にクラツクが生じたり、リード
樹脂間の界面が劣化し、この結果として耐湿性が
低下するなどの問題が生じてしまう。 これらの問題を解決するために半田浸漬時の熱
衝撃を緩和する目的で熱可塑性オリゴマーの添加
(特開昭62−115849号公報)や、各種シリコーン
化合物の添加(特開昭62−115850号公報)、62−
116654号公報、62−128162号公報)、更にはシリ
コーン変性(特開昭62−136860号公報)などの手
法で対処しているが、いずれも半田浸漬後成形部
にクラツクが生じてしまい信頼性の優れた樹脂封
止型半導体装置が得られるまでには至らなかつ
た。 特にこれらの添加剤の添加については成形時の
作業性が悪化する問題が生じてしまい、樹脂自体
の構造を変えて特性を改善する方法が考えられて
きた。 これらの樹脂自体の構造を変える方法も、反応
工程の複雑化等といろいろの欠点があり、未だ満
足するものが得られていない。 ところで、硬化剤としてジシクロペンタジエ
ン・フエノリツクポリマーを用いる方法としては
特開昭62−96521号公報、62−104830号公報が、
発表されているが、これらはいずれも用途目的を
異にし製造方法も異なる。特に特開昭62−96521
号公報については積層板や、多層プリント板の製
造に関するものであり、最終組成物が、ワニス状
である。また特開昭62−104830号公報の方法につ
いてはイミダゾール系の硬化促進剤を使用してお
り、耐湿性が、大幅に低下する。更に最終組成物
に充填材が配合されておらず半導体封止用樹脂組
成物としての強度や熱膨張係数の特性を満足する
ことが出来ない。 〔発明の目的〕 本発明は従来の樹脂組成物の使用によつて得る
ことの出来なかつた耐熱衝撃性に優れ、信頼性に
優れた樹脂封止半導体装置を得んとして研究した
結果、エポキシ樹脂とジシクロペンタジエン・フ
エノリツクポリマーを硬化剤として用い、更にト
リフエニルホスフイン、又は1,8−ジアザビシ
クロ(5,4,0)ウンデセンを単独もしくは混
合したものを必須成分とするエポキシ樹脂組成物
を使用することにより耐熱衝撃性に優れ、信頼性
に優れる樹脂封止型半導体装置が得られることを
見いだし本願発明を完成したものである。 〔発明の構成〕 本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤として下記の
一般式(1)で示されるジシクロペンタジエン・フエ
ノリツクポリマーをエポキシ樹脂に対して当量比
(エポキシ基数/水酸基数)が、0.5〜1.5となる
ような量及び硬化促進剤としてトリフエニルホス
フイン、又は1,8−ジアザビシクロ(5,4,
0)ウンデセンを単独もしくは1種以上混合した
ものを必須成分とするエポキシ樹脂組成物により
封止したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
に関するものである。 一般式(1)
〔発明の効果〕
このように本発明による樹脂封止型半導体装置
は急激な温度変化を受けた後の耐湿性及び耐クラ
ツク性に優れるものである。従つて最近の表面実
装における要求特性、特に耐熱衝撃性に非常に優
れ信頼性の高いものであることから本発明の産業
的意味役割は非常に大きい。 〔実施例〕 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び他の原
料を第1表に従つて配合し、ヘンシエルミキサー
で混合し、ユニーダーで混練した後、冷却粉砕
し、実施例1〜4及び比較例1〜7のエポキシ樹
脂組成物を得た。 第1表の配合によつて得られたエポキシ樹脂組
成物を用いてアルミ模擬素子を組み込んだモニタ
ーICを成形温度175℃、注入時間15秒環硬化時間
90秒でトランスフアー成形し、175℃、8時間ポ
ストキユアーし、樹脂封止型半導体装置を得た。 得られた樹脂封止型半導体装置について成形物
の表面硬度、耐湿性及び耐クラツク性の評価を行
つた結果を第2表で示す。 第2表に示すように、実施例は比較例に比べ各
信頼性に優れ、特に半田浸漬後の耐湿性と耐ブラ
ツク性が優れていることがわかる。
【表】
【表】
【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 エポキシ樹脂、硬化剤として下記の一般式(1)
    で示されるジシクロペンタジエン・フエノリツク
    ポリマーをエポキシ樹脂に対して当量比(エポキ
    シ基数/水酸基数)が 0.5〜1.5となるような
    量、及び硬化促進剤としてトリフエニルホスフイ
    ン又は1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウ
    ンデセンを単独もしくは混合したものを必須成分
    とするエポキシ樹脂組成物により封止したことを
    特徴とする樹脂封止型半導体装置。 【化】 (式中のRは水素原子、アルキル基、塩素、臭
    素等のハロゲンなどを表わす。またnは0〜15の
    整数を表わす。)
JP26184387A 1987-10-19 1987-10-19 樹脂封止型半導体装置 Granted JPH01105562A (ja)

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JPH01105562A (ja) 1989-04-24

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