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JPH0570849B2 - - Google Patents
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JPH0570849B2 - - Google Patents

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JPH0570849B2
JPH0570849B2 JP59237814A JP23781484A JPH0570849B2 JP H0570849 B2 JPH0570849 B2 JP H0570849B2 JP 59237814 A JP59237814 A JP 59237814A JP 23781484 A JP23781484 A JP 23781484A JP H0570849 B2 JPH0570849 B2 JP H0570849B2
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resistor
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voltage
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Hiromitsu Nakano
Mitsuru Yamane
Isao Yoshida
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は例えば音響機器の駆動用として用いら
れる小形直流モータの速度制御装置、特に乾電池
1本でも駆動および制御可能なブリツジ検出形の
直流モータの速度制御装置などにおいて、基準電
圧の発生源として有効な電源電圧が1Vでも動作
する基準電圧回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a speed control device for a small DC motor used, for example, to drive audio equipment, and particularly to a speed control device for a bridge detection type DC motor that can be driven and controlled with a single dry battery. This relates to a reference voltage circuit that operates even when the power supply voltage is 1V, which is effective as a reference voltage generation source in a control device or the like.

従来の技術 従来の基準電圧回路としては、例えば「ボルテ
ージレギユレータハンドブツク」昭和54年5月10
日誠文堂新光社発行、第1頁、第6〜7頁に示さ
れているようなバンドギヤツプ基準電圧回路があ
る。
Conventional technology As a conventional reference voltage circuit, for example, "Voltage Regulator Handbook" May 10, 1972
There is a bandgap reference voltage circuit as shown in Nisseibundo Shinkosha, p. 1, pp. 6-7.

以下図面を参照しながら、従来の基準電圧回路
について説明する。第4図は従来の基準電圧回路
の結線図である。第4図において、トランジスタ
1のベースは同コレクタに接続されると共に抵抗
2および定電流源3を介して一方の給電端子4に
接続されている。前記トランジスタ1のエミツタ
は他方の給電端子5に接続され、前記定電流源3
と前記抵抗2の接続点は出力端子6に接続されて
いる。トランジスタ7のベース前記トランジスタ
1のベース・コレクタ接続点に接続され、同エミ
ツタは抵抗8を介して前記給電端子5に接続さ
れ、同コレクタは抵抗9を介して前記出力端子6
に接続されると共にトランジスタ10のベースに
接続されている。前記トランジスタ10のエミツ
タは前記給電端子5に接続され、同コレクタは前
記出力端子6に接続されている。
A conventional reference voltage circuit will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 is a wiring diagram of a conventional reference voltage circuit. In FIG. 4, the base of a transistor 1 is connected to its collector, and is also connected to one power supply terminal 4 via a resistor 2 and a constant current source 3. The emitter of the transistor 1 is connected to the other power supply terminal 5, and the constant current source 3
The connection point between the resistor 2 and the resistor 2 is connected to the output terminal 6. The base of the transistor 7 is connected to the base-collector connection point of the transistor 1, the emitter is connected to the power supply terminal 5 via a resistor 8, and the collector is connected to the output terminal 6 via a resistor 9.
and to the base of transistor 10. The emitter of the transistor 10 is connected to the power supply terminal 5, and the collector thereof is connected to the output terminal 6.

以上のように構成された基準電圧回路につい
て、以下その動作について説明する。トランジス
タ7はトランジスタ1に比べ小さい電流密度で動
作しており、前記2つのトランジスタが持つベー
ス・エミツタ間電圧差ΔVBEの正の温度係数をト
ランジスタ10の持つベース・エミツタ間電圧
VBE10の負の温度係数に加えることにより、出力
電圧に所定の温度係数を得ることができる。
The operation of the reference voltage circuit configured as above will be explained below. Transistor 7 operates at a lower current density than transistor 1, and the positive temperature coefficient of the base-emitter voltage difference ΔV BE of the two transistors is equal to the base-emitter voltage of transistor 10.
By adding to the negative temperature coefficient of V BE10 , a predetermined temperature coefficient can be obtained for the output voltage.

ここで、出力電圧Vrefは次式のように表わされ
る。
Here, the output voltage V ref is expressed as the following equation.

Vref=VBE10+ΔVBE/R8・R9+IB10・R9 ……(1) ここで、R8およびR9はそれぞれ抵抗8および
抵抗9の抵抗値であり、IB10はトランジスタ10
のベース電流であるが、この電流による抵抗9で
の電圧降下分は小さく無視すると、 Vref=VBE10+R9/R8・kT/qlnJ1/J7……(2) で表わされる。ここで、qは電子電荷、kはボル
ツマン定数、Tは絶対温度、J1およびJ7はそれぞ
れトランジスタ1および7のエミツタ電流密度で
ある。
V ref = V BE10 + ΔV BE /R 8 · R 9 + I B10 · R 9 ...(1) Here, R 8 and R 9 are the resistance values of resistor 8 and resistor 9, respectively, and I B10 is the resistance value of transistor 10.
However, if the voltage drop at the resistor 9 due to this current is ignored as it is small, it can be expressed as V ref =V BE10 +R 9 /R 8 ·kT / qlnJ 1 /J 7 (2). where q is the electronic charge, k is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature, and J 1 and J 7 are the emitter current densities of transistors 1 and 7, respectively.

また、前記出力電圧Vrefの周囲温度Tの変化に
基ずく変動は第(2)式より ΔVref/ΔT=ΔVBE10/ΔT+R9/R8・k/qlnJ
1/J7……(3) で表わされる。
Also, the fluctuation of the output voltage V ref based on the change in the ambient temperature T is calculated from equation (2) as follows: ΔV ref /ΔT=ΔV BE10 /ΔT+R 9 /R 8・k/qlnJ
1 /J 7 ...(3)

いま、VBE10=0.71V、R9=5KΩ、R8=500Ω、
J1/J7=10、T=298〓(25℃)とすると、Vref
=1.30Vであり、また、ΔVBE10/ΔT=−2V/℃とす ると、第(3)式よりΔVref/ΔT0である。
Now, V BE10 = 0.71V, R 9 = 5KΩ, R 8 = 500Ω,
If J 1 /J 7 = 10, T = 298〓 (25℃), V ref
= 1.30V, and assuming that ΔV BE10 /ΔT = -2V/°C, ΔV ref /ΔT0 is obtained from equation (3).

すなわち、第4図に示した従来の基準電圧回路
では約1.3Vの温度補償付基準電圧が得られるこ
とになる。
That is, in the conventional reference voltage circuit shown in FIG. 4, a temperature compensated reference voltage of about 1.3V is obtained.

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、電源とし
て乾電池1本すなわち電源電圧1.5V(減電圧約
1V)で駆動しようとした場合、減電圧状態では
動作不可能であつた。また、温度補償された出力
電圧は前記のように約1.3Vに固定されてしまい、
出力電圧値と温度係数を独立して設定することが
困難なので、設計の自由度が小さく不都合であつ
た。
Problems to be Solved by the Invention However, in the above configuration, a single dry cell battery is used as a power source, that is, a power supply voltage of 1.5V (approximately
1V), it was impossible to operate in a reduced voltage state. Also, the temperature compensated output voltage is fixed at approximately 1.3V as mentioned above,
Since it is difficult to independently set the output voltage value and temperature coefficient, the degree of freedom in design is low and this is inconvenient.

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであ
り、乾電池1本というきわめて低電圧でも安定に
動作することができ、しかも、電源電圧に対する
変動がきわめて小さく、さらには、出力電圧値と
温度係数をある程度の自由度をもつて独立に設定
することのできる基準電圧回路を提供するもので
ある。
The present invention was made in view of the above problems, and can operate stably even at the extremely low voltage of a single dry battery, has extremely small fluctuations with respect to the power supply voltage, and has a stable output voltage value and temperature coefficient. The present invention provides a reference voltage circuit that can independently set the voltage with a certain degree of freedom.

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の基準電圧
回路は、ベースとコレクタが互いに接続されると
共に第1の給電手段を介して一方の給電線路に接
続され、エミツタが他方の給電線路に接続された
第1のトランジスタと、ベースが前記第1のトラ
ンジスタのベースに接続され、コレクタが第2の
給電手段を介して前記一方の給電線路に接続さ
れ、エミツタが第1の抵抗を介して前記他方の給
電線路に接続され、電気第1のトランジスタより
小なるエミツタ電流密度で駆動される第2のトラ
ンジスタと、コレクタが接地されると共にエミツ
タが前記第2のトランジスタのコレクタと前記第
2の給電手段との接続点に共接続され、ベースが
前記他方の給電線路に接続された第3のトランジ
スタと、一方の端子が前記第2のトランジスタの
エミツタと前記第1の抵抗との接続点に共接続さ
れる第2の抵抗の他方の端子を、一方の端子が前
記第2のトランジスタのベースに接続される第3
の抵抗の他方の端子に接続することにより、前記
第2のトランジスタのベース・エミツタ間電圧を
前記第2および第3の抵抗で分圧する手段とを備
え、前記第1の抵抗の両端に発生する前記第1お
よび第2のトランジスタのベース・エミツタ間電
圧差と、前記第2の抵抗の両端に発生する前記第
2のトランジスタのベース・エミツタ間電圧の分
圧電圧との加算電圧を、前記第2および第3の抵
抗の分圧点と前記他方の給電線路間に出力すると
いう構成を備えたものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the reference voltage circuit of the present invention has a base and a collector connected to each other and to one power supply line via a first power supply means, and an emitter is connected to the other power supply line, the base is connected to the base of the first transistor, the collector is connected to the one power supply line via a second power supply means, and the emitter is connected to the first power supply line. a second transistor connected to the other power supply line through one resistor and driven with a smaller emitter current density than the first electric transistor; a third transistor whose collector is connected to the connection point between the second power supply means and whose base is connected to the other power supply line; The other terminal of the second resistor, which is co-connected to the connection point with the resistor, is connected to the third resistor, one terminal of which is connected to the base of the second transistor.
means for dividing the base-emitter voltage of the second transistor by the second and third resistors by connecting the resistor to the other terminal of the resistor; The added voltage of the base-emitter voltage difference of the first and second transistors and the divided voltage of the base-emitter voltage of the second transistor generated across the second resistor is The output is provided between the voltage dividing point of the second and third resistors and the other feed line.

作 用 本発明は上記した構成により、前記第1および
第2のトランジスタのベース・エミツタ間電圧差
に前記第2のトランジスタのベース・エミツタ間
電圧の分圧電圧を加えることにより、例えば150
mV程度を出力電圧とすることができると共に、
前記2つのトランジスタが持つベース・エミツタ
間電圧差の正の温度係数を前記第2のトランジス
タ2のベース・エミツタ間電圧の分圧電圧の負の
温度係数に加えることにより、前記出力電圧に所
定の温度係数を得ることができるので、電源電圧
が1Vでも動作可能な基準電圧回路が実現できる。
また、前記第2のトランジスタのコレクタ電位は
第3のトランジスタのエミツタ・ベース間電圧で
クランプされているので電源電圧の変動にかかわ
らず前記第2のトランジスタのコレクタ電位の変
化が少なく、前記第2のトランジスタがアーリ効
果の影響を受けにくく出力電圧は良好な電源電圧
特性となる。さらに、前記第1および第2のトラ
ンジスタにそれぞれ電流を供給するための第1お
よび第2の給電手段に、異なる電流密度で動作す
る第4および第5のトランジスタのベース・エミ
ツタ間電圧差とその電圧が印加される第4の抵抗
とにより決定される基準電流に対応した電流が流
れるようにしているので、前記出力電圧値と温度
係数をある程度の自由度をもつて独立に設定でき
る。
Effects According to the above-described configuration, the present invention adds a divided voltage of the base-emitter voltage of the second transistor to the base-emitter voltage difference of the first and second transistors.
The output voltage can be approximately mV, and
By adding the positive temperature coefficient of the base-emitter voltage difference of the two transistors to the negative temperature coefficient of the divided voltage of the base-emitter voltage of the second transistor 2, the output voltage is set to a predetermined value. Since the temperature coefficient can be obtained, a reference voltage circuit that can operate even with a power supply voltage of 1V can be realized.
Further, since the collector potential of the second transistor is clamped by the emitter-base voltage of the third transistor, there is little change in the collector potential of the second transistor regardless of fluctuations in the power supply voltage. The transistor is less susceptible to the Early effect, and the output voltage has good power supply voltage characteristics. Furthermore, the base-emitter voltage difference of the fourth and fifth transistors operating at different current densities and their Since the current corresponding to the reference current determined by the fourth resistor to which the voltage is applied flows, the output voltage value and the temperature coefficient can be independently set with a certain degree of freedom.

実施例 以下本発明の一実施例の基準電圧回路につい
て、図面を参照しながら説明する。
Embodiment A reference voltage circuit according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例における基準電圧回
路の結線図を示すものである。第1図において、
トランジスタ11のベースは同コレクタに接続さ
れると共にトランジスタ12のコレクタに接続さ
れている。前記トランジスタ12のエミツタは抵
抗13を介して一方の給電線路15に接続されて
いる。また、前記トランジスタ11のエミツタは
他方の給電線路16に接続されている。ここで、
14は前記トランジスタ11に電流を供給するた
めの給電手段を構成している。トランジスタ17
のベースは前記トランジスタ11のベース・コレ
クタ接続点に接続され、同エミツタは抵抗21を
介して前記給電線路16に接続され、同コレクタ
はトランジスタ18のコレクタに接続されると共
にトランジスタ24のエミツタに接続されてい
る。前記トランジスタ18のベースは前記トラン
ジスタ12のベースに接続され、同エミツタは抵
抗19を介して前記給電線路15に接続されてい
る。ここで、20は前記トランジスタ17に電流
を供給するための給電手段を構成している。ま
た、前記トランジスタ24のベースは前記給電線
路16に接続され、同コレクタは接地されてい
る。前記トランジスタ17のベース・エミツタ間
には抵抗23と抵抗22の直列回路が接続され、
前記抵抗23と抵抗22の分圧点には出力線路2
5が接続されている。
FIG. 1 shows a wiring diagram of a reference voltage circuit in one embodiment of the present invention. In Figure 1,
The base of transistor 11 is connected to the collector thereof, and also to the collector of transistor 12. The emitter of the transistor 12 is connected to one feed line 15 via a resistor 13. Further, the emitter of the transistor 11 is connected to the other power supply line 16. here,
Reference numeral 14 constitutes a power supply means for supplying current to the transistor 11. transistor 17
Its base is connected to the base-collector connection point of the transistor 11, its emitter is connected to the feed line 16 via a resistor 21, its collector is connected to the collector of the transistor 18, and the emitter of the transistor 24. has been done. The base of the transistor 18 is connected to the base of the transistor 12, and the emitter of the transistor 18 is connected to the power supply line 15 via a resistor 19. Here, 20 constitutes a power supply means for supplying current to the transistor 17. Further, the base of the transistor 24 is connected to the power supply line 16, and the collector thereof is grounded. A series circuit of a resistor 23 and a resistor 22 is connected between the base and emitter of the transistor 17,
An output line 2 is connected to the voltage dividing point between the resistor 23 and the resistor 22.
5 is connected.

また、エミツタが接地されたトランジスタ26
のベースはトランジスタ37のコレクタに接続さ
れると共にトランジスタ29およびトランジスタ
35のそれぞれのベースに接続されている。前記
トランジスタ26のコレクタは抵抗27を介して
前記トランジスタ29のベースに接続されると共
にコレクタが接地されたトランジスタ28のベー
スに接続されている。前記トランジスタ28のエ
ミツタは前記トランジスタ29のベースに接続さ
れている。前記トランジスタ29はトランジスタ
31とエミツタおよびコレクタがそれぞれ共通接
続され、そのエミツタ共通接続点は抵抗30を介
して接地され、またコレクタ共通接続点はトラン
ジスタ39のコレクタ・ベース接続点に接続され
ている。前記トランジスタ39のコレクタ・ベー
ス接続点は前記トランジスタ12,18および3
7のそれぞれのベースに接続され、前記トランジ
スタ37のエミツタは抵抗38を、また前記トラ
ンジスタ39のエミツタは抵抗40を介してそれ
ぞれ前記給電線路15に接続されることにより、
前記トランジスタ12,18,37および39は
前記トランジスタ39を流れる電流を基準とした
カレントミラー回路を構成している。前記トラン
ジスタ31のベースは抵抗32を介して前記給電
線路15に接続されると共に、エミツタが接地さ
れたトランジスタ33のコレクタに接続されてい
る。前記トランジスタ33のベースは抵抗34を
介して接地されると共に、エミツタが前記給電線
路15に接続されたトランジスタ41のコレクタ
に接続されている。前記トランジスタ41のベー
スはエミツタが前記給電線路15に接続されたト
ランジスタ42のベース・コレクタ接続点に接続
されている。前記トランジスタ35のコレクタは
前記トランジスタ42のベース・コレクタ接続点
に接続され、同エミツタは抵抗36を介して接地
されている。
In addition, a transistor 26 whose emitter is grounded
The base of is connected to the collector of transistor 37 and to the bases of transistors 29 and 35, respectively. The collector of the transistor 26 is connected to the base of the transistor 29 via a resistor 27, and is also connected to the base of a transistor 28 whose collector is grounded. The emitter of the transistor 28 is connected to the base of the transistor 29. The emitter and collector of the transistor 29 are commonly connected to the transistor 31, the emitter common connection point is grounded via a resistor 30, and the collector common connection point is connected to the collector-base connection point of the transistor 39. The collector-base connection point of the transistor 39 is connected to the transistors 12, 18 and 3.
7, the emitter of the transistor 37 is connected to the power supply line 15 through the resistor 38, and the emitter of the transistor 39 is connected to the power supply line 15 through the resistor 40.
The transistors 12, 18, 37 and 39 constitute a current mirror circuit based on the current flowing through the transistor 39. The base of the transistor 31 is connected to the power supply line 15 via a resistor 32, and the emitter is connected to the collector of a transistor 33 whose emitter is grounded. The base of the transistor 33 is grounded via a resistor 34, and the emitter is connected to the collector of a transistor 41 connected to the power supply line 15. The base of the transistor 41 is connected to the base-collector connection point of a transistor 42 whose emitter is connected to the feed line 15. The collector of the transistor 35 is connected to the base-collector connection point of the transistor 42, and its emitter is grounded via a resistor 36.

以上のように構成された本実施例の基準電圧回
路について以下その動作を説明する。
The operation of the reference voltage circuit of this embodiment configured as described above will be described below.

まず、トランジスタ12および18はトランジ
スタ39とカレントミラー回路を構成しているの
で、前記トランジスタ39に流れる電流に対応し
た電流が、前記トランジスタ12および18に流
れる。トランジスタ17のエミツタ面積はトラン
ジスタ11のそれに比べて大きく、前記トランジ
スタ17のエミツタ電流密度が前記トランジスタ
11のそれに比べて小さいとすると、前記トラン
ジスタ11および17のベース・エミツタ間電圧
差ΔVBEが抵抗21の端子電圧としてかかる。ま
た、前記トランジスタ17のベース・エミツタ間
には抵抗23と抵抗22からなる分圧回路が接続
されている。したがつて、出力電圧VREFは次式の
ように表わされる。
First, since transistors 12 and 18 constitute a current mirror circuit with transistor 39, a current corresponding to the current flowing through transistor 39 flows through transistors 12 and 18. Assuming that the emitter area of the transistor 17 is larger than that of the transistor 11 and the emitter current density of the transistor 17 is smaller than that of the transistor 11, the base-emitter voltage difference ΔV BE of the transistors 11 and 17 is larger than that of the resistor 21. It is applied as the terminal voltage of . Further, a voltage dividing circuit consisting of a resistor 23 and a resistor 22 is connected between the base and emitter of the transistor 17. Therefore, the output voltage V REF is expressed as follows.

VREF=R22/R22+R23・VBE17+ΔVBE……(4) ここで、R22およびR23はそれぞれ前記抵抗2
2および抵抗23の抵抗値、VBE17は前記トラン
ジスタ17のベース・エミツタ間電圧である。ま
た、qを電子電荷、kをボルツマン定数、Tを絶
対温度、J11およびJ17をそれぞれ前記トランジス
タ11および17のエミツタ電流密度とすると、
第(4)式は次式に書き変えられる。
V REF = R 22 / R 22 + R 23 · V BE17 + ΔV BE ... (4) Here, R 22 and R 23 are the resistance 2, respectively.
2 and the resistance value of the resistor 23, V BE17 is the base-emitter voltage of the transistor 17. Further, if q is the electronic charge, k is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature, and J 11 and J 17 are the emitter current densities of the transistors 11 and 17, respectively, then
Equation (4) can be rewritten as the following equation.

VREF=R22/R22+R23・VBE17+kT/qlnJ11/J17……
(5) いま、VBE17=0.68V、R22=2KΩ、R23
13KΩ、J11/J17=10、T=293〓(20℃)とする
と、第(5)式より VREF=2/2+13×0.68+1380×10-23
×293/1602×10-19×ln10=0.149(V) となる。
V REF =R 22 /R 22 +R 23・V BE17 +kT/qlnJ 11 /J 17 ……
(5) Now, V BE17 = 0.68V, R 22 = 2KΩ, R 23 =
Assuming 13KΩ, J 11 /J 17 = 10, T = 293〓 (20℃), from equation (5), V REF = 2/2 + 13 x 0.68 + 1380 x 10 -23
×293/1602×10 -19 ×ln10=0.149(V).

さて、ここでトランジスタ24の働きについて
説明する。前記トランジスタ24のエミツタはト
ランジスタ17のコレクタに、同ベースは給電線
路16に接続されているので、前記トランジスタ
17のコレクタ電位を前記トランジスタ24のエ
ミツタ・ベース間電圧でクランプしている。した
がつて、給電線路15の電源電圧Vccが上昇して
も、前記トランジスタ17のコレクタ電位はほと
んど変化しない。一般にトランジスタは通常、活
性領域においてベース電流一定の条件下であつて
もコレクタ・エミツタ間に印加される電圧が増大
すると、若干コレクタ電流が増大するいわゆるア
ーリ効果が存在し、この種の基準電圧回路におい
て電源電圧特性の悪化の原因となつている。しか
し、本実施例においては前記トランジスタ24の
働きによつて前記トランジスタ17のコレクタ電
圧が、トランジスタ11のダイオード接続された
順方向電圧とほぼ同じ電圧に固定されるため、前
記トランジスタ11および17は電源電圧、ある
いは周囲温度にかかわらずバランスのとれた動作
状態で動作すると共に、前記トランジスタ17は
アーリ効果の影響を受けにくいため、本実施例の
基準電圧回路は良好な電源電圧特性を示す。
Now, the function of the transistor 24 will be explained here. The emitter of the transistor 24 is connected to the collector of the transistor 17, and the base thereof is connected to the power supply line 16, so that the collector potential of the transistor 17 is clamped to the emitter-base voltage of the transistor 24. Therefore, even if the power supply voltage Vcc of the feed line 15 increases, the collector potential of the transistor 17 hardly changes. In general, even under conditions where the base current is constant in the active region of a transistor, when the voltage applied between the collector and emitter increases, the collector current increases slightly, which is the so-called Early effect, and this type of reference voltage circuit This is the cause of deterioration of power supply voltage characteristics. However, in this embodiment, the collector voltage of the transistor 17 is fixed to approximately the same voltage as the diode-connected forward voltage of the transistor 11 due to the action of the transistor 24, so the transistors 11 and 17 are connected to the power source. The reference voltage circuit of this embodiment exhibits good power supply voltage characteristics because it operates in a balanced operating state regardless of the voltage or ambient temperature, and the transistor 17 is not easily affected by the Early effect.

さて、本実施例について実測データを上げなが
らさらに詳しく説明する。いま、トランジスタ1
2および18を流れる電流を100μA、抵抗13お
よび19の抵抗値を500Ωとすると前記抵抗13
および19での電圧降下は0.05Vであり、前記ト
ランジスタ12および18の飽和電圧を約0.2V、
トランジスタ11およびトランジスタ17のコレ
クタ電圧を約0.65Vとすると電源電圧が約0.9V以
上であれば安定化された出力電圧が得られる。第
2図は実測特性図であり、電源電圧Vcc1Vでは
出力電圧VREFは十分安定化されており、また電源
電圧Vccに対する変動もほとんど見られなく良好
な実測結果が得られた。
Now, this example will be explained in more detail using actually measured data. Now transistor 1
Assuming that the current flowing through resistors 13 and 18 is 100 μA, and the resistance value of resistors 13 and 19 is 500Ω, the resistor 13
and 19 is 0.05V, reducing the saturation voltage of transistors 12 and 18 to about 0.2V
If the collector voltage of transistor 11 and transistor 17 is about 0.65V, a stabilized output voltage can be obtained if the power supply voltage is about 0.9V or more. FIG. 2 is an actual measurement characteristic diagram, showing that the output voltage V REF was sufficiently stabilized at a power supply voltage Vcc of 1V, and almost no fluctuation was observed with respect to the power supply voltage Vcc, and good actual measurement results were obtained.

また、出力電圧VREFの周囲温度Tの変化に基ず
く変動は第(5)式より次式で表わされる。
Further, the fluctuation of the output voltage V REF based on the change in the ambient temperature T is expressed by the following equation from equation (5).

ΔVREF/ΔT=R22/R22+R23・ΔVBE17/ΔT+k/q
lnJ11/J17 ……(6) したがつて、第(6)式の右辺第2項の正の温度係
数を右辺第1項の負の温度係数で相殺すれば温度
補償された出力電圧VREFが得られる。また、右辺
第1項の分圧比R22/R22+R23あるいは右辺第2項の 電流密度の比を調整することにより所定の温度係
数を持たせることもできる。
ΔV REF /ΔT=R 22 /R 22 +R 23・ΔV BE17 /ΔT+k/q
lnJ 11 /J 17 ...(6) Therefore, if the positive temperature coefficient of the second term on the right side of equation (6) is offset by the negative temperature coefficient of the first term on the right side, the temperature compensated output voltage V REF is obtained. Furthermore, a predetermined temperature coefficient can be provided by adjusting the partial pressure ratio R 22 /R 22 +R 23 in the first term on the right side or the current density ratio in the second term on the right side.

さらに、本実施例においては前記トランジスタ
11および17に電流を供給するためのトランジ
スタ12および18を流れる定電流の温度係数を
出力電圧VREFの値に制約を受けずに設定できるた
め、出力電圧VREFとその温度係数ΔVREF/ΔTをある 程度の自由度をもつて独立に設定することができ
る。
Furthermore, in this embodiment, the temperature coefficient of the constant current flowing through the transistors 12 and 18 for supplying current to the transistors 11 and 17 can be set without being restricted by the value of the output voltage V REF . REF and its temperature coefficient ΔV REF /ΔT can be set independently with a certain degree of freedom.

次に前記トランジスタ12および18に流れる
電流の基準となる基準電流発生手段について説明
する。トランジスタ29はトランジスタ26に比
べ小さいエミツタ電流密度で動作しており、前記
トランジスタ26および29のベース・エミツタ
間電圧差が抵抗30の端子電圧として印加され
る。したがつて、前記トランジスタ26および2
9のエミツタ電流密度をそれぞれJ26およびJ29
前記抵抗30の抵抗値をR30、そこを流れる電流
をI30とすると、次式が成り立つ。
Next, reference current generating means, which serves as a reference for the current flowing through the transistors 12 and 18, will be explained. Transistor 29 operates with a smaller emitter current density than transistor 26, and the base-emitter voltage difference of transistors 26 and 29 is applied as the terminal voltage of resistor 30. Therefore, said transistors 26 and 2
9 emitter current densities as J 26 and J 29 , respectively.
Assuming that the resistance value of the resistor 30 is R 30 and the current flowing therein is I 30 , the following equation holds true.

I30=1/R30・kT/qlnJ26/J29 ……(7) 上記第(7)式で決定される電流がトランジスタ3
9に流れ、前記トランジスタ12および18に流
れる電流の基準電流となる。前記基準電流の温度
係数は第(7)式より ΔI30/ΔT=1/R30・k/q・lnJ26
J29(1−1/R30・ΔR30/ΔT・T)……(8) で表わされる。したがつて、前記抵抗30の値あ
るいは前記トランジスタ26および29のエミツ
タ面積などを調整することにより、基準電流の温
度係数を任意に設定することができる。すなわ
ち、前記トランジスタ12および18に流れる定
電流に任意の温度係数を持たすことができ、それ
により出力電圧VREFの温度係数を調整することが
できる。
I 30 = 1/R 30・kT/qlnJ 26 /J 29 ...(7) The current determined by the above equation (7) is
9 and serves as a reference current for the currents flowing through the transistors 12 and 18. From equation (7), the temperature coefficient of the reference current is ΔI 30 /ΔT=1/R 30・k/q・lnJ 26 /
J29 (1-1/ R30ΔR30 /ΔT・T)...(8) It is expressed as follows. Therefore, by adjusting the value of the resistor 30 or the emitter area of the transistors 26 and 29, the temperature coefficient of the reference current can be arbitrarily set. That is, the constant currents flowing through the transistors 12 and 18 can have an arbitrary temperature coefficient, thereby making it possible to adjust the temperature coefficient of the output voltage V REF .

第3図は第1図に示した本発明の実施例におけ
る基準電圧回路をブリツジ検出形の直流モータの
速度制御装置の基準電圧発生源に適用したもので
あるが、以下同図面を参照しながら説明する。第
3図において第1図に示した本発明の実施例の構
成要素と同様なものは同図番を付して表わしてあ
る。同図において、43が本発明の実施例におけ
る基準電圧回路である。50は被制御直流モータ
であり、この直流モータ50の等価内部抵抗と抵
抗51、抵抗52および抵抗53とでそれぞれを
各辺とするブリツジ回路59を構成している。基
準電圧回路の出力線路25にはボルテージフオロ
ワ56が接続され、前記ボルテージフオロワ56
の出力端子は抵抗54と抵抗55の直列回路を介
して給電線路16および前記ブリツジ回路59の
一方の検出端子aに接続されている。前記抵抗5
4と抵抗55の接続点cは差動増幅器57の一方
の入力端子に接続され、前記ブリツジ回路59の
他方の検出端子bは前記差動増幅器57の他方の
入力端子に接続されている。前記差動増幅器57
の出力端子は、電源と前記ブリツジ回路59の給
電端子d間にエミツタ・コレクタ径路が接続され
た給電制御トランジスタ58のベースに接続され
ている。
FIG. 3 shows the reference voltage circuit in the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 applied to the reference voltage generation source of a speed control device for a bridge detection type DC motor. explain. In FIG. 3, components similar to those of the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 are designated by the same figure numbers. In the figure, 43 is a reference voltage circuit in the embodiment of the present invention. 50 is a controlled DC motor, and the equivalent internal resistance of this DC motor 50, a resistor 51, a resistor 52, and a resistor 53 constitute a bridge circuit 59 having each side as each side. A voltage follower 56 is connected to the output line 25 of the reference voltage circuit.
The output terminal of is connected to the power supply line 16 and one detection terminal a of the bridge circuit 59 through a series circuit of a resistor 54 and a resistor 55. The resistor 5
4 and the resistor 55 is connected to one input terminal of a differential amplifier 57, and the other detection terminal b of the bridge circuit 59 is connected to the other input terminal of the differential amplifier 57. The differential amplifier 57
The output terminal of is connected to the base of a power supply control transistor 58 whose emitter-collector path is connected between the power supply and the power supply terminal d of the bridge circuit 59.

以上のように構成された本発明の実施例につい
て、以下その動作について説明する。
The operation of the embodiment of the present invention configured as described above will be described below.

いま、直流モータ50の等価内部抵抗をRaと
し、抵抗51、抵抗52および抵抗53の抵抗値
をそれぞれR51,R52およびR53とするとブリツジ
の平衡条件 R51・R52=Ra・R53 ……(9) が成り立つているときは、ブリツジ回路59の検
出端子a,b間の電圧は回転速度のみに依存し、
負荷トルクすなわち電機子電流Iaには関係しな
い。したがつて、この電圧と基準電圧とを差動増
幅器57にて比較し、その差電圧を増幅して電源
と前記ブリツジ回路59の間に挿入した給電制御
トランジスタ58を制御して、直流モータ50の
回転速度が上昇したときは前記ブリツジ回路59
に供給する電流Iを減少させ、また、回転速度が
下降したときに電流Iを増加させるようにすれば
回転速度は一定に保たれる。
Now, if the equivalent internal resistance of the DC motor 50 is Ra, and the resistance values of the resistor 51, 52, and 53 are R51 , R52 , and R53 , respectively, then the bridge equilibrium condition is R51R52 =Ra・R53 ...When (9) holds true, the voltage between the detection terminals a and b of the bridge circuit 59 depends only on the rotation speed,
It is not related to load torque, that is, armature current Ia. Therefore, this voltage and the reference voltage are compared in a differential amplifier 57, and the difference voltage is amplified and the power supply control transistor 58 inserted between the power supply and the bridge circuit 59 is controlled to control the DC motor 50. When the rotational speed of the bridge circuit 59 increases, the bridge circuit 59
The rotational speed can be kept constant by decreasing the current I supplied to the motor and increasing the current I when the rotational speed decreases.

さて、前記直流モータ50の等価内部抵抗と抵
抗51の温度係数が等しく、また、抵抗52と抵
抗53の温度係数が等しく、前記ブリツジの平衡
条件すなわち第(9)式が周囲温度にかかわらず維持
されているものとする。また、給電線路16を流
れて前記ブリツジ回路59の一方の検出端子aに
流れ込む電流Irは電機子電流Iaに比べ十分小さく
無視できるものとすると、回転速度Nは次式で表
わされる。
Now, since the equivalent internal resistance of the DC motor 50 and the temperature coefficient of the resistor 51 are equal, and the temperature coefficients of the resistors 52 and 53 are equal, the equilibrium condition of the bridge, that is, equation (9), is maintained regardless of the ambient temperature. It is assumed that Further, assuming that the current Ir flowing through the feed line 16 and flowing into one detection terminal a of the bridge circuit 59 is sufficiently small compared to the armature current Ia and can be ignored, the rotational speed N is expressed by the following equation.

N=VREF/Ka・R52+R53/R53・R55/R54+R55……
(10) ここで、R54およびR55は抵抗54および抵抗
55の抵抗値であり、同一温度係数を有する抵抗
素子で構成されているものとする。また、Kaは
前記直流モータ50の発電定数であり、その温度
係数は界磁に希土類マグネツトを使用した場合は
約−0.04%/℃、バリユームフエライト系マグネ
ツトを使用した場合は約−0.18%/℃であるの
で、周囲温度にかかわらず回転速度を一定に制御
しようとすれば、基準電圧VREFの温度係数を上記
直流モータの発電定数Kaの温度係数にあうよう
に設定する必要がある。
N=V REF /Ka・R 52 +R 53 /R 53・R 55 /R 54 +R 55 ...
(10) Here, R 54 and R 55 are the resistance values of the resistor 54 and the resistor 55, and it is assumed that they are composed of resistance elements having the same temperature coefficient. Further, Ka is the power generation constant of the DC motor 50, and its temperature coefficient is approximately -0.04%/°C when a rare earth magnet is used for the field, and approximately -0.18%/°C when a barium ferrite magnet is used. ℃, so if the rotation speed is to be controlled to be constant regardless of the ambient temperature, it is necessary to set the temperature coefficient of the reference voltage V REF to match the temperature coefficient of the power generation constant Ka of the DC motor.

第3図に示した直流モータの速度制御装置は、
速度の基準となる基準電圧の発生源として本発明
の実施例における基準電圧回路を適用することに
より、電源電圧が1Vでも動作可能であり、また、
電源電圧の変動に対する回転速度の変動が小さ
く、しかも、前記基準電圧の電圧値およびその温
度係数をそれぞれ独立に設定できるため界磁マグ
ネツトの種類の異なる各種直流モータに対応でき
る。
The speed control device for the DC motor shown in Figure 3 is
By applying the reference voltage circuit in the embodiment of the present invention as a generation source of the reference voltage that serves as the speed reference, it is possible to operate even when the power supply voltage is 1V, and
The variation in rotational speed with respect to variation in power supply voltage is small, and since the voltage value of the reference voltage and its temperature coefficient can be set independently, it can be applied to various DC motors with different types of field magnets.

発明の効果 以上のように本発明はベースとコレクタが接続
された第1のトランジスタと、前記第1のトラン
ジスタより小なるエミツタ電流で動作する第2の
トランジスタと、前記第1および第2のトランジ
スタにそれぞれ電流を供給するための第1および
第2の給電手段と、前記第2のトランジスタのコ
レクタ電位をクランプするための第3のトランジ
スタと、前記第1および第2のトランジスタのベ
ース・エミツタ間電圧差と、前記第2のトランジ
スタのベース・エミツタ間電圧の分圧電圧との加
算電圧を出力電圧とするように構成しているの
で、電源電圧が1Vという低電圧であつても安定
に動作し、電源電圧の変動に対する出力電圧の変
動がきわめて小さい基準電圧回路を実現できる。
Effects of the Invention As described above, the present invention includes a first transistor whose base and collector are connected, a second transistor that operates with a smaller emitter current than the first transistor, and the first and second transistors. a third transistor for clamping the collector potential of the second transistor, and between the base and emitter of the first and second transistors; Since the output voltage is configured to be the sum of the voltage difference and the divided voltage of the base-emitter voltage of the second transistor, it operates stably even when the power supply voltage is as low as 1V. Therefore, it is possible to realize a reference voltage circuit in which the output voltage varies extremely little with respect to variations in the power supply voltage.

さらに、第4のトランジスタと、前記第4のト
ランジスタと異なるエミツタ電流密度で動作する
第5のトランジスタと、前記第4および第5のト
ランジスタのベース・エミツタ間電圧差が印加さ
れる抵抗とを備え、前記抵抗を流れる基準電流に
対応した電流を前記第1および第2の給電手段か
ら供給するという構成にすることにより、出力電
圧値と温度係数をある程度の自由度をもつて独立
に設定できるという効果が得られる。また、本発
明の実施例における基準電圧回路をブリツジ検出
形の直流モータの速度制御装置の基準電圧源に適
用することにより、電源電圧が1Vでも動作可能
となり省電力や乾電池の長寿命化などに役立つば
かりでなく、電源電圧の変動に対しても、また、
周囲温度の変動に対しても回転速度の変動に小さ
い装置を実現できるという優れた効果が得られ
る。
The device further includes a fourth transistor, a fifth transistor that operates at an emitter current density different from that of the fourth transistor, and a resistor to which a base-emitter voltage difference of the fourth and fifth transistors is applied. By configuring the first and second power supply means to supply a current corresponding to the reference current flowing through the resistor, the output voltage value and temperature coefficient can be independently set with a certain degree of freedom. Effects can be obtained. Furthermore, by applying the reference voltage circuit in the embodiment of the present invention to the reference voltage source of a speed control device for a bridge detection type DC motor, it can operate even with a power supply voltage of 1V, resulting in power savings and a longer battery life. Not only useful, but also against fluctuations in power supply voltage.
An excellent effect can be obtained in that it is possible to realize a device that is less sensitive to changes in rotational speed than changes in ambient temperature.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例における基準電圧回
路の結線図、第2図は第1図に示した本発明の一
実施例の実測特性図、第3図は本発明の実施例に
おける基準電圧回路をブリツジ検出形の直流モー
タの速度制御装置の基準電圧発生源に適用した場
合の回路結線図、第4図は従来の基準電圧回路の
結線図である。 11……第1のトランジスタ、14……第1の
給電手段、17……第2のトランジスタ、20…
…第2の給電手段、21……第1の抵抗、22…
…第2の抵抗、23……第3の抵抗、24……第
3のトランジスタ、26……第4のトランジス
タ、29……第5のトランジスタ、30……第4
の抵抗、50……直流モータ、59……ブリツジ
回路。
Fig. 1 is a connection diagram of a reference voltage circuit in an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an actual measurement characteristic diagram of the embodiment of the present invention shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a reference voltage circuit diagram in an embodiment of the present invention. A circuit connection diagram when the voltage circuit is applied to a reference voltage generation source of a bridge detection type DC motor speed control device. FIG. 4 is a connection diagram of a conventional reference voltage circuit. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... First transistor, 14... First power feeding means, 17... Second transistor, 20...
...Second power supply means, 21...First resistor, 22...
...Second resistor, 23...Third resistor, 24...Third transistor, 26...Fourth transistor, 29...Fifth transistor, 30...Fourth transistor
resistance, 50...DC motor, 59...bridge circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ベースとコレクタガ互いに接続されると共に
第1の給電手段を介して一方の給電線路に接続さ
れ、エミツタが他方の給電線路に接続された第1
のトランジスタと、 ベースが前記第1のトランジスタのベースに接
続され、コレクタが第2の給電手段を介して前記
一方の給電線路に接続され、エミツタが第1の抵
抗を介して前記他方の給電線路に接続され、前記
第1のトランジスタより小なるエミツタ電流密度
で駆動される第2のトランジスタと、 コレクタが接地されると共にエミツタが前記第
2のトランジスタのコレクタと前記第2の給電手
段との接続点に共接続され、ベースが前記他方の
給電線路に接続された第3のトランジスタと、 一方の端子が前記第2のトランジスタのエミツ
タと前記第1の抵抗との接続点に共接続される第
2の抵抗の他方の端子を、一方の端子が前記第2
のトランジスタのベースに接続される第3の抵抗
の他方の端子に接続することにより、前記第2の
トランジスタのベース・エミツタ間電圧を前記第
2および第3の抵抗で分圧する手段とを備え、 前記第1の抵抗の両端に発生する前記第1およ
び第2のトランジスタのベース・エミツタ間電圧
差と、前記第2の抵抗の両端に発生する前記第2
のトランジスタのベース・エミツタ間電圧の分圧
電圧との加算電圧を、前記第2および第3の抵抗
の分圧点と前記他方の給電線路間に出力する基準
電圧回路。 2 ベースとコレクタが互いに接続されると共に
第1の給電手段を介して一方の給電線路に接続さ
れ、エミツタが他方の給電線路に接続された第1
のトランジスタと、 ベースが前記第1のトランジスタのベースに接
続され、コレクタが第2の給電手段を介して前記
一方の給電線路に接続され、エミツタが第1の抵
抗を介して前記他方の給電線路に接続され、前記
第1のトランジスタより小なるエミツタ電流密度
で駆動される第2のトランジスタと、 コレクタが接地されると共にエミツタが前記第
2のトランジスタのコレクタと前記第2の給電手
段との接続点に共接続され、ベースが前記他方の
給電線路に接続された第3のトランジスタと、 一方の端子が前記第2のトランジスタのエミツ
タと前記第1の抵抗との接続点に共接続される第
2の抵抗の他方の端子を、一方の端子が前記第2
のトランジスタのベースに接続される第3の抵抗
の他方の端子に接続することにより、前記第2の
トランジスタのベース・エミツタ間電圧を前記第
2および第3の抵抗で分圧する手段と、 ベースが抵抗を介してコレクタと互いに接続さ
れ、エミツタが接地される第4のトランジスタ
と、 この第4のトランジスタと異なるエミツタ電流
密度で駆動されるように、ベースが前記第4のト
ランジスタのベースに接続され、コレクタが前記
第1および第2の給電手段に接続される第5のト
ランジスタと、 一方の端子が前記第5のトランジスタのエミツ
タと接続され、他方の端子が接地されて前記第4
および第5のトランジスタのベース・エミツタ間
電圧差が印加される第4の抵抗とを備え、 前記第4の抵抗を流れる基準電流に対応した電
流が第1および第2の給電手段から供給されるこ
とにより、前記第1の抵抗の両端に発生する前記
第1および第2のトランジスタのベース・エミツ
タ間電圧差と、前記第2の抵抗の両端に発生する
前記第2のトランジスタのベース・エミツタ間電
圧の分圧電圧との加算電圧を、前記第2および第
3の抵抗の分圧点と前記他方の給電線路間に出力
する基準電圧回路。 3 直流モータを一辺として構成したブリツジ回
路の検出端より得た前記直流モータの回転速度に
比例した電圧を基準電圧と比較し、かつ、その差
電圧を増幅して前記ブリツジ回路の給電端に帰還
することにより前記直流モータの速度を制御する
ようにした装置における前記基準電圧の発生源で
あつて、 ベースとコレクタが互いに接続されると共に第
1の給電手段を介して一方の給電線路に接続さ
れ、エミツタが他方の給電線路に接続された第1
のトランジスタと、 ベースが前記第1のトランジスタのベースに接
続され、コレクタが第2の給電手段を介して前記
一方の給電線路に接続され、エミツタが第1の抵
抗を介して前記他方の給電線路に接続され、電気
第1のトランジスタより小なるエミツタ電流密度
で駆動される第2のトランジスタと、 コレクタが接地されると共にエミツタが前記第
2のトランジスタのコレクタと前記第2の給電手
段との接続点に共接続され、ベースが前記他方の
給電線路に接続された第3のトランジスタと、 一方の端子が前記第2のトランジスタのエミツ
タと前記第1の抵抗との接続点に共接続される第
2の抵抗の他方の端子を、一方の端子が前記第2
のトランジスタのベースに接続される第3の抵抗
の他方の端子に接続することにより、前記第2の
トランジスタのベース・エミツタ間電圧を前記第
2および第3の抵抗で分圧する手段とを備え、 前記第1の抵抗の両端に発生する前記第1およ
び第2のトランジスタのベース・エミツタ間電圧
差と、前記第2の抵抗の両端に発生する前記第2
のトランジスタのベース・エミツタ間電圧の分圧
電圧との加算電圧を、前記第2および第3の抵抗
の分圧点と前記他方の給電線路間に出力する基準
電圧回路。
[Claims] 1. A first base and a collector connected to each other and to one power supply line via a first power supply means, and an emitter connected to the other power supply line.
a transistor whose base is connected to the base of the first transistor, whose collector is connected to the one feed line via a second feed means, and whose emitter is connected to the other feed line via a first resistor. a second transistor connected to the transistor and driven with an emitter current density smaller than that of the first transistor; and a collector is grounded and the emitter is connected to the collector of the second transistor and the second power supply means. a third transistor whose base is connected to the other feed line; and a third transistor whose one terminal is co-connected to the connection point between the emitter of the second transistor and the first resistor. One terminal connects the other terminal of the second resistor to the second resistor.
means for dividing the base-emitter voltage of the second transistor by the second and third resistors by connecting the second resistor to the other terminal of the third resistor connected to the base of the transistor; the base-emitter voltage difference of the first and second transistors occurring across the first resistor; and the second voltage difference occurring across the second resistor.
A reference voltage circuit that outputs a voltage added to a divided voltage of the base-emitter voltage of the transistor between the voltage dividing point of the second and third resistors and the other power supply line. 2 The base and collector are connected to each other and to one feed line via the first feed means, and the emitter is connected to the other feed line.
a transistor whose base is connected to the base of the first transistor, whose collector is connected to the one feed line via a second feed means, and whose emitter is connected to the other feed line via a first resistor. a second transistor connected to the transistor and driven with an emitter current density smaller than that of the first transistor; and a collector is grounded and the emitter is connected to the collector of the second transistor and the second power supply means. a third transistor whose base is connected to the other feed line; and a third transistor whose one terminal is co-connected to the connection point between the emitter of the second transistor and the first resistor. One terminal connects the other terminal of the second resistor to the second resistor.
means for dividing the base-emitter voltage of the second transistor by the second and third resistors by connecting to the other terminal of a third resistor connected to the base of the transistor; a fourth transistor whose collector is connected to each other through a resistor and whose emitter is grounded; and whose base is connected to the base of the fourth transistor so as to be driven with an emitter current density different from that of the fourth transistor. , a fifth transistor whose collector is connected to the first and second power supply means; one terminal is connected to the emitter of the fifth transistor, the other terminal is grounded, and the fourth
and a fourth resistor to which a voltage difference between the base and emitter of the fifth transistor is applied, and a current corresponding to the reference current flowing through the fourth resistor is supplied from the first and second power supply means. By this, the base-emitter voltage difference of the first and second transistors occurring across the first resistor and the base-emitter voltage difference of the second transistor occurring across the second resistor. A reference voltage circuit that outputs a voltage added to a divided voltage between a voltage dividing point of the second and third resistors and the other power supply line. 3 Compare a voltage proportional to the rotational speed of the DC motor obtained from the detection end of the bridge circuit configured with the DC motor as one side with a reference voltage, and amplify the difference voltage and feed it back to the power supply end of the bridge circuit. The source of the reference voltage in the device for controlling the speed of the DC motor by , the first one whose emitter is connected to the other feed line
a transistor whose base is connected to the base of the first transistor, whose collector is connected to the one feed line via a second feed means, and whose emitter is connected to the other feed line via a first resistor. a second transistor connected to the electric transistor and driven with an emitter current density smaller than that of the first electric transistor; and a collector is grounded and the emitter connects the collector of the second transistor to the second power supply means a third transistor whose base is connected to the other feed line; and a third transistor whose one terminal is co-connected to the connection point between the emitter of the second transistor and the first resistor. One terminal connects the other terminal of the second resistor to the second resistor.
means for dividing the base-emitter voltage of the second transistor by the second and third resistors by connecting the second resistor to the other terminal of the third resistor connected to the base of the transistor; the base-emitter voltage difference of the first and second transistors occurring across the first resistor; and the second voltage difference occurring across the second resistor.
A reference voltage circuit that outputs a voltage added to a divided voltage of the base-emitter voltage of the transistor between the voltage dividing point of the second and third resistors and the other power supply line.
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