JPH0570927B2 - - Google Patents
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- JPH0570927B2 JPH0570927B2 JP59033611A JP3361184A JPH0570927B2 JP H0570927 B2 JPH0570927 B2 JP H0570927B2 JP 59033611 A JP59033611 A JP 59033611A JP 3361184 A JP3361184 A JP 3361184A JP H0570927 B2 JPH0570927 B2 JP H0570927B2
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- JP
- Japan
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- mask
- wafer
- irradiation
- holder
- chamber
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、回路が高度に集積された半導体デバ
イスを製造するためのリングラフイ工程、特に転
写工程において使用されるX線転写装置に関す
る。
イスを製造するためのリングラフイ工程、特に転
写工程において使用されるX線転写装置に関す
る。
回路の集積度合が高まるに従つて回路パターン
を構成する線の幅はミクロンそしてサブミクロン
のオーダーが要求される様になつて来ており、こ
れを達成するため回路パターンを転写するための
照射エネルギーも紫外線、遠紫外そして軟X線と
波長が増々短いものが使用されている。
を構成する線の幅はミクロンそしてサブミクロン
のオーダーが要求される様になつて来ており、こ
れを達成するため回路パターンを転写するための
照射エネルギーも紫外線、遠紫外そして軟X線と
波長が増々短いものが使用されている。
軟X線を使用したリソグラフイ装置は既に10年
以上に渡つて実用化の努力がなされているが、今
日になつても未だ実用的な半導体デバイス生産用
のX線転写装置は完成していない。この原因は実
用化の要件である焼付分解能、アライメント精
度、スループツト、装置の信頼性、操作性、装置
価格等のバランス又は適正化が不十分なためであ
ると考えられる。
以上に渡つて実用化の努力がなされているが、今
日になつても未だ実用的な半導体デバイス生産用
のX線転写装置は完成していない。この原因は実
用化の要件である焼付分解能、アライメント精
度、スループツト、装置の信頼性、操作性、装置
価格等のバランス又は適正化が不十分なためであ
ると考えられる。
しかしながらX線転写装置を実現するため要件
をより詳細に検討すると、問題の1つは軟X線の
取扱いが可視光あるいは紫外光に比べて遥かに困
難な点にある。周知の通り軟X線は真空容器中で
発生させなければならないから、極近接もしくは
密着状態に置かれたマスクとウエハ上へ軟X線を
照射するために真空容器にベリリユウム箔の窓を
通して軟X線を導出させる。ベリリユウムは軟X
線を吸収する比率が極めて小さいため選ばれたも
のではあるが、容器内の高真空とマスク及びウエ
ハの置かれた大気圧との気圧差に耐えられる様に
50ミクロン程度の厚さが要求される。ベリリウム
箔はこの程度の厚さになると軟X線の吸収率が50
%にもなつてしまい不利である。
をより詳細に検討すると、問題の1つは軟X線の
取扱いが可視光あるいは紫外光に比べて遥かに困
難な点にある。周知の通り軟X線は真空容器中で
発生させなければならないから、極近接もしくは
密着状態に置かれたマスクとウエハ上へ軟X線を
照射するために真空容器にベリリユウム箔の窓を
通して軟X線を導出させる。ベリリユウムは軟X
線を吸収する比率が極めて小さいため選ばれたも
のではあるが、容器内の高真空とマスク及びウエ
ハの置かれた大気圧との気圧差に耐えられる様に
50ミクロン程度の厚さが要求される。ベリリウム
箔はこの程度の厚さになると軟X線の吸収率が50
%にもなつてしまい不利である。
更にこれに加えて以下の様な難点が本件の発明
者達によつて注目された。第24図は加速した電
子線をターゲツトに照射して発生させた軟X線の
強度(縦軸)とエネルギとの関係を示したもので
ある。なめらかな右下がりの曲線は連続線で、途
中突出したピークが特性線である。特性線はター
ゲツトの材質に関係する。
者達によつて注目された。第24図は加速した電
子線をターゲツトに照射して発生させた軟X線の
強度(縦軸)とエネルギとの関係を示したもので
ある。なめらかな右下がりの曲線は連続線で、途
中突出したピークが特性線である。特性線はター
ゲツトの材質に関係する。
ここで約4KeVより小さい方の側が感材の照射
に利用されるが、破線より左側の領域はベリリユ
ウムで吸収されてしまうため、実際に照射に利用
されるエネルギは約4KeVの位置と破線で挾まれ
た領域に過ぎない。
に利用されるが、破線より左側の領域はベリリユ
ウムで吸収されてしまうため、実際に照射に利用
されるエネルギは約4KeVの位置と破線で挾まれ
た領域に過ぎない。
即ち、軟X線を真空部分から取出す際に大きな
エネルギー損失を伴うわけである。
エネルギー損失を伴うわけである。
また別の問題の1つは発散性の軟X線でマスク
を照射することから生じる。マスクとウエハが極
近接状態で維持され、これに発散性の軟X線が当
たる場合、もし仮りにウエハが傾いたとすると、
マスクとウエハが近づいた部位と遠ざかつた部位
ではマスク像の寸法が変化する。従つて、マスク
とウエハの平行度を厳密に維持する必要はある
が、機械的に実現するのは著しく困難である。ま
た、発散束で照射した場合、中心部と周辺部でマ
スク像の寸法が異なる特性があるから、転写の度
にマスクとウエハの整合のみならず、マスクの中
心とX線源の軸とを性格に合わせる必要がある。
を照射することから生じる。マスクとウエハが極
近接状態で維持され、これに発散性の軟X線が当
たる場合、もし仮りにウエハが傾いたとすると、
マスクとウエハが近づいた部位と遠ざかつた部位
ではマスク像の寸法が変化する。従つて、マスク
とウエハの平行度を厳密に維持する必要はある
が、機械的に実現するのは著しく困難である。ま
た、発散束で照射した場合、中心部と周辺部でマ
スク像の寸法が異なる特性があるから、転写の度
にマスクとウエハの整合のみならず、マスクの中
心とX線源の軸とを性格に合わせる必要がある。
更に他の問題の1つはパターンの転写を終了し
たウエハにエツチング等の化学処理を施した時に
ウエハに伸縮が起きることである。特に、最近ウ
エハ径の拡大化が著しく、6インチあるいは8イ
ンチの直径のウエハに転写が行われることが要望
されており、ウエハの伸縮を無視することはでき
ない。このためパターン像に及ぼすウエハの伸縮
の影響をできる限り少なくする必要がある。
たウエハにエツチング等の化学処理を施した時に
ウエハに伸縮が起きることである。特に、最近ウ
エハ径の拡大化が著しく、6インチあるいは8イ
ンチの直径のウエハに転写が行われることが要望
されており、ウエハの伸縮を無視することはでき
ない。このためパターン像に及ぼすウエハの伸縮
の影響をできる限り少なくする必要がある。
それ故本発明の主要な目的は、X線源からのエ
ネルギをマスクの照射に効果的に利用することが
できるX線転写装置を提供することにある。
ネルギをマスクの照射に効果的に利用することが
できるX線転写装置を提供することにある。
一方、真空中に物質を放置した場合、その物質
の表面層に吸蔵されていたガスが放出されるため
真空度を著しく損ない、あるいはX線発生源のタ
ーゲツト部で発生したガスが他の部所に悪影響を
与える恐れがあるが、本発明はこの種の難点を除
去することをも更なる目的としている。
の表面層に吸蔵されていたガスが放出されるため
真空度を著しく損ない、あるいはX線発生源のタ
ーゲツト部で発生したガスが他の部所に悪影響を
与える恐れがあるが、本発明はこの種の難点を除
去することをも更なる目的としている。
次に添付の図面を参照して本発明の好ましい実
施例を説明する。第1図は本発明に従つて構成さ
れたX線転写装置を全体的に示した図である。こ
のX線転写装置は、メインチヤンバ1と、メイン
チヤンバ1の両側にそれぞれ配置されたウエハロ
ードカセツト収容チヤンバ2およびウエハアンロ
ードカセツト収納チヤンバ3と、同じくメインチ
ヤンバ1の片側にウエハアンロードカセツト収納
チヤンバ3と並んで配置されたマスクカセツト収
納チヤンバ4と、照射チヤンバ5a,5bと、サ
ブチヤンバ6とから構成されている。
施例を説明する。第1図は本発明に従つて構成さ
れたX線転写装置を全体的に示した図である。こ
のX線転写装置は、メインチヤンバ1と、メイン
チヤンバ1の両側にそれぞれ配置されたウエハロ
ードカセツト収容チヤンバ2およびウエハアンロ
ードカセツト収納チヤンバ3と、同じくメインチ
ヤンバ1の片側にウエハアンロードカセツト収納
チヤンバ3と並んで配置されたマスクカセツト収
納チヤンバ4と、照射チヤンバ5a,5bと、サ
ブチヤンバ6とから構成されている。
メインチヤンバ1は、両側にロード用収納チヤ
ンバ2およびアンロード用収納チヤンバ3がそれ
ぞれ連結されている第1のメインチヤンバ部分7
と、マスク用収納チヤンバ4が片側に連結されて
いる第2のメインチヤンバ部分8とから構成され
ている。第1のメインチヤンバ部分7とロード用
収納チヤンバ2およびアンロード用収納チヤンバ
3の各々との連結部、並びに第2のチヤンバ部分
8とマスク用収納チヤンバ4との連結部はそれぞ
れが独立して真空状態を維持できるように構成さ
れている。
ンバ2およびアンロード用収納チヤンバ3がそれ
ぞれ連結されている第1のメインチヤンバ部分7
と、マスク用収納チヤンバ4が片側に連結されて
いる第2のメインチヤンバ部分8とから構成され
ている。第1のメインチヤンバ部分7とロード用
収納チヤンバ2およびアンロード用収納チヤンバ
3の各々との連結部、並びに第2のチヤンバ部分
8とマスク用収納チヤンバ4との連結部はそれぞ
れが独立して真空状態を維持できるように構成さ
れている。
照射チヤンバ5a,5bとメインチヤンバ1お
よびサブチヤンバ6の各々との連結部もそれぞれ
真空状態を維持できるように構成されており、又
両者の間には都合に応じて各チヤンバをお互いに
隔離するための仕切弁9が配置されている。例え
ば照射チヤンバ5a,5b内のX線管球を取り替
え又は修理等の必要が生じた場合には、仕切弁9
を閉じてから作業をおこなうことにより他のチヤ
ンバ1,6内の真空状態を維持することができ
る。これにより作業後X線転写装置の作動を再び
開始する前に照射チヤンバ5a,5bだけを排気
すれば良く、必要な排気時間を極めて短縮するこ
とができる。なお各チヤンバ1,2,3,4,5
a,5b,6の好適面には排気用真空ポンプ(図
示せず)と各チヤンバを接続するための管10が
取り付けられている。
よびサブチヤンバ6の各々との連結部もそれぞれ
真空状態を維持できるように構成されており、又
両者の間には都合に応じて各チヤンバをお互いに
隔離するための仕切弁9が配置されている。例え
ば照射チヤンバ5a,5b内のX線管球を取り替
え又は修理等の必要が生じた場合には、仕切弁9
を閉じてから作業をおこなうことにより他のチヤ
ンバ1,6内の真空状態を維持することができ
る。これにより作業後X線転写装置の作動を再び
開始する前に照射チヤンバ5a,5bだけを排気
すれば良く、必要な排気時間を極めて短縮するこ
とができる。なお各チヤンバ1,2,3,4,5
a,5b,6の好適面には排気用真空ポンプ(図
示せず)と各チヤンバを接続するための管10が
取り付けられている。
ここで前述したチヤンバ内に収容されている装
置並びにチヤンバ内で行なわれる作業を主要なも
のについて第2図、第3図および第4図を参照し
て概略的に説明する。第4図に示されているよう
にウエハロードカセツト収納チヤンバ2には、X
線転写装置によつて回路パターンを転写するため
に予め面上にフオトレジストを塗布された複数枚
のウエハ12を収納したカセツト13を載置させ
るための装置が設けられている。この装置はカセ
ツト13を上下方向へ昇降させることができ、複
数枚のウエハを第1のメインチヤンバ部分7内へ
順次搬入するのに寄与する。
置並びにチヤンバ内で行なわれる作業を主要なも
のについて第2図、第3図および第4図を参照し
て概略的に説明する。第4図に示されているよう
にウエハロードカセツト収納チヤンバ2には、X
線転写装置によつて回路パターンを転写するため
に予め面上にフオトレジストを塗布された複数枚
のウエハ12を収納したカセツト13を載置させ
るための装置が設けられている。この装置はカセ
ツト13を上下方向へ昇降させることができ、複
数枚のウエハを第1のメインチヤンバ部分7内へ
順次搬入するのに寄与する。
第1のメインチヤンバ部分7内には、チヤンバ
2内のカセツト13からウエハを一枚ずつチヤン
バ7内へ搬入するための搬入装置がチヤンバ2に
近接して配置されている。更にメインチヤンバ部
分7の長さ方向中央付近にはウエハの平行平面出
し装置が配置されており、ここで照射台上に支持
されたウエハホルダの基準面に対してウエハの表
面が平行になるようにウエハの位置を調整し固定
する。又ウエハアンロードカセツト収納チヤンバ
3に近接した第1のメインチヤンバ部分7内の位
置には、ウエハの全面に回路パターンを転写する
工程を終了したウエハを、チヤンバ3内へ搬出す
るための搬出装置が設けられている。
2内のカセツト13からウエハを一枚ずつチヤン
バ7内へ搬入するための搬入装置がチヤンバ2に
近接して配置されている。更にメインチヤンバ部
分7の長さ方向中央付近にはウエハの平行平面出
し装置が配置されており、ここで照射台上に支持
されたウエハホルダの基準面に対してウエハの表
面が平行になるようにウエハの位置を調整し固定
する。又ウエハアンロードカセツト収納チヤンバ
3に近接した第1のメインチヤンバ部分7内の位
置には、ウエハの全面に回路パターンを転写する
工程を終了したウエハを、チヤンバ3内へ搬出す
るための搬出装置が設けられている。
ここでチヤンバ3にはチヤンバ2と同じく、ウ
エハを収納するカセツト14を載置させるための
装置が配置されている。この装置はカセツト14
を上下方向へ昇降させることができ、照射作業を
終えたウエハを一枚ずつカセツトに収容するのに
寄与する。
エハを収納するカセツト14を載置させるための
装置が配置されている。この装置はカセツト14
を上下方向へ昇降させることができ、照射作業を
終えたウエハを一枚ずつカセツトに収容するのに
寄与する。
次に第3図を参照してマスク収納チヤンバ2お
よび第2のメインチヤンバ部分8に関連した主要
な装置、作業について説明する。マスク収納チヤ
ンバ4はその内部にマスクカセツト15を有し、
一方このマスクカセツト15内には複数のマスク
16が保持されている。更に転写工程に従つて複
数のマスクのうちの任意のマスク16をマスク取
り出し位置へ割り出すためにマスクカセツト15
を回転させる装置も設けられている。
よび第2のメインチヤンバ部分8に関連した主要
な装置、作業について説明する。マスク収納チヤ
ンバ4はその内部にマスクカセツト15を有し、
一方このマスクカセツト15内には複数のマスク
16が保持されている。更に転写工程に従つて複
数のマスクのうちの任意のマスク16をマスク取
り出し位置へ割り出すためにマスクカセツト15
を回転させる装置も設けられている。
第2のメインチヤンバ部分8内にはマスクチヤ
ンバ4に近接した位置に、マスクをカセツトから
取り出すあるいはマスクをカセツトへ戻すときに
使用されるマスク移動装置が配置されている。そ
して第2のチヤンバ部分8の内部上方にはマスク
ホルダーを保持するための上下動可能なマスクハ
ンドラがある。第2のチヤンバ部分8の長さ方向
中央付近上部にはマスクとウエハの粗い位置合わ
せを行なうためのプリアライメント用光学顕微鏡
17が取り付けられている。一方第2のチヤンバ
部分8の上部にはプリアライメント用光学顕微鏡
17と近接した位置に、マスクとウエハの精密な
位置合わせを行なうためのフアインアライメント
用電子顕微鏡18が取り付けられている。更に第
2のチヤンバ部分8の内側にはチヤンバ部分8の
長さ方向に亘つて移動できる粗微動装置が配置さ
れ、プリアライメントおよびフアインアライメン
トの際にはこの粗微動装置を使用してマスクおよ
びウエハの位置を移動させる。
ンバ4に近接した位置に、マスクをカセツトから
取り出すあるいはマスクをカセツトへ戻すときに
使用されるマスク移動装置が配置されている。そ
して第2のチヤンバ部分8の内部上方にはマスク
ホルダーを保持するための上下動可能なマスクハ
ンドラがある。第2のチヤンバ部分8の長さ方向
中央付近上部にはマスクとウエハの粗い位置合わ
せを行なうためのプリアライメント用光学顕微鏡
17が取り付けられている。一方第2のチヤンバ
部分8の上部にはプリアライメント用光学顕微鏡
17と近接した位置に、マスクとウエハの精密な
位置合わせを行なうためのフアインアライメント
用電子顕微鏡18が取り付けられている。更に第
2のチヤンバ部分8の内側にはチヤンバ部分8の
長さ方向に亘つて移動できる粗微動装置が配置さ
れ、プリアライメントおよびフアインアライメン
トの際にはこの粗微動装置を使用してマスクおよ
びウエハの位置を移動させる。
サブチヤンバ6に関連した主要な装置および作
業については、マスクをカセツトから取り出すあ
るいはマスクをカセツトへ戻すときに使用される
マスク移動装置を有していない点を除き、第2の
メインチヤンバ部分8に関連して上述した説明と
同様である。
業については、マスクをカセツトから取り出すあ
るいはマスクをカセツトへ戻すときに使用される
マスク移動装置を有していない点を除き、第2の
メインチヤンバ部分8に関連して上述した説明と
同様である。
第2図に示されているとおり照射チヤンバ5
a,5bは内部にX線管球を有しており、マスク
およびウエハは台にのせられてこのチヤンバを通
過するとき移動しながら照射される。このときマ
スクのパターンはウエハに転写される。
a,5bは内部にX線管球を有しており、マスク
およびウエハは台にのせられてこのチヤンバを通
過するとき移動しながら照射される。このときマ
スクのパターンはウエハに転写される。
ここでウエハを4つの照射区域に分割した場合
を例にとつて、X線転写装置の全体的な作動を概
略的に説明する。
を例にとつて、X線転写装置の全体的な作動を概
略的に説明する。
第5図にはマスク16の平面図が示されている
が、このマスク16はX線透過性の基板に回路パ
ターン20および一組のアライメントマーク21
をX線非透過性物質によつて形成したものであ
る。第6図に示されたウエハは直交する破線2
2,23によつて照射区域を4つに分割されてい
る。照射は4つに分割されたウエハの照射区域の
うちの一つとマスク16とを重ね合わせた状態で
行なわれ、従つてウエハの全面を照射するために
照射工程を4回実施しなければならない。なおウ
エハ側にもアライメントマークを予め形成してお
いても良く、アライメントマーク24,25,2
6は各照射区域に一組ずつ形成されている。
が、このマスク16はX線透過性の基板に回路パ
ターン20および一組のアライメントマーク21
をX線非透過性物質によつて形成したものであ
る。第6図に示されたウエハは直交する破線2
2,23によつて照射区域を4つに分割されてい
る。照射は4つに分割されたウエハの照射区域の
うちの一つとマスク16とを重ね合わせた状態で
行なわれ、従つてウエハの全面を照射するために
照射工程を4回実施しなければならない。なおウ
エハ側にもアライメントマークを予め形成してお
いても良く、アライメントマーク24,25,2
6は各照射区域に一組ずつ形成されている。
このようなアライメントマーク24,25,2
6を形成されたウエハ12はウエハロードカセツ
ト13に複数枚重ねて収容されている。ウエハ1
2は搬入装置によつてチヤンバ7内へ一枚ずつ引
き取られた後、ウエハのオリフラ部27が所定の
方向を向くように位置調整される。次にウエハを
照射台上に支持されたウエハホルダ内へ移し替
え、平行平面出し装置によつてウエハホルダの基
準面に対してウエハの表面が平行で所定の高さに
なるようにウエハ12の位置を調整する。その結
果ウエハホルダに載せられるマスクホルダによつ
て保持されたマスク16とウエハ12とは対向す
る面が平行で所定の間隔になる。
6を形成されたウエハ12はウエハロードカセツ
ト13に複数枚重ねて収容されている。ウエハ1
2は搬入装置によつてチヤンバ7内へ一枚ずつ引
き取られた後、ウエハのオリフラ部27が所定の
方向を向くように位置調整される。次にウエハを
照射台上に支持されたウエハホルダ内へ移し替
え、平行平面出し装置によつてウエハホルダの基
準面に対してウエハの表面が平行で所定の高さに
なるようにウエハ12の位置を調整する。その結
果ウエハホルダに載せられるマスクホルダによつ
て保持されたマスク16とウエハ12とは対向す
る面が平行で所定の間隔になる。
ここでウエハを載せた照射台を第2のチヤンバ
部分8の中央部プリアライメント位置へ移動させ
る。
部分8の中央部プリアライメント位置へ移動させ
る。
一方、マスクカセツト15から取り出され、マ
スクハンドラによつて挾持されたマスクホルダー
に固着されたマスク16は、粗微動装置によつて
マスクハンドラからマスクホルダとともに受け取
られる。粗微動装置はマスクホルダをプリアライ
メント位置に待期している照射台上のウエハホル
ダ上へ持つていき両者を重ね合わせる。ここでマ
スク16とウエハ12の第1の照射域との粗い位
置合わせを行ない、続いて一層精密な位置合わせ
を行なうために隣接したフアインアライメント位
置へ照射台を移動させる。
スクハンドラによつて挾持されたマスクホルダー
に固着されたマスク16は、粗微動装置によつて
マスクハンドラからマスクホルダとともに受け取
られる。粗微動装置はマスクホルダをプリアライ
メント位置に待期している照射台上のウエハホル
ダ上へ持つていき両者を重ね合わせる。ここでマ
スク16とウエハ12の第1の照射域との粗い位
置合わせを行ない、続いて一層精密な位置合わせ
を行なうために隣接したフアインアライメント位
置へ照射台を移動させる。
このようにして精密に位置合わせされたマスク
16とウエハ12は照射台に乗せられて照射チヤ
ンバ5a内へ移送され、X線によつて走査照射さ
れる。なおこのときウエハ12は第1の照射域以
外が照射されることのないように、第2、第3お
よび第4の照射域は遮へいされている。
16とウエハ12は照射台に乗せられて照射チヤ
ンバ5a内へ移送され、X線によつて走査照射さ
れる。なおこのときウエハ12は第1の照射域以
外が照射されることのないように、第2、第3お
よび第4の照射域は遮へいされている。
照射台が照射チヤンバ5aを通過してサブチヤ
ンバ6へ移送されたところで、ウエハの照射域を
切り換える。照射域の切り換え操作によつてマス
クとウエハの第2の照射域とを重ね合わせたら、
照射台をプリアライメント位置およびフアインア
ライメント位置へ順次移動させる。これによつて
マスクとウエアの第2照射域との粗い位置合わせ
および精密な位置合わせがおこなわれる。
ンバ6へ移送されたところで、ウエハの照射域を
切り換える。照射域の切り換え操作によつてマス
クとウエハの第2の照射域とを重ね合わせたら、
照射台をプリアライメント位置およびフアインア
ライメント位置へ順次移動させる。これによつて
マスクとウエアの第2照射域との粗い位置合わせ
および精密な位置合わせがおこなわれる。
次に前述したのと同様にマスクとウエハは照射
台にのせられて照射チヤンバ5b内へ移送され、
X線によつて走査照射される。このとき第1、第
3および第4の照射域は遮へいされており、第2
の照射域以外が照射されることはない。
台にのせられて照射チヤンバ5b内へ移送され、
X線によつて走査照射される。このとき第1、第
3および第4の照射域は遮へいされており、第2
の照射域以外が照射されることはない。
照射台が照射チヤンバ5bを通過して第2のメ
インチヤンバ部分8へ移送されたところで、ウエ
ハの照射域を再び切り換える。このようにして前
述の操作を繰り返し、ウエハの第3および第4の
照射域も照射し終わり、ウエハ全面の照射が完了
したら、第2のメインチヤンバ部分8から第1の
チヤンバ部分7へ照射台を移動させる。そしてウ
エハの全面に回路パターンを転写されたウエハ1
2は、搬出装置によつてチヤンバ3内のウエハア
ンロードカセツト14に一枚ずつ収容される。な
おマスク16の交換の必要があればマスク移動装
置によつてマスクをカセツト15へ戻し、別のマ
スクをカセツトから取り出すことができる。
インチヤンバ部分8へ移送されたところで、ウエ
ハの照射域を再び切り換える。このようにして前
述の操作を繰り返し、ウエハの第3および第4の
照射域も照射し終わり、ウエハ全面の照射が完了
したら、第2のメインチヤンバ部分8から第1の
チヤンバ部分7へ照射台を移動させる。そしてウ
エハの全面に回路パターンを転写されたウエハ1
2は、搬出装置によつてチヤンバ3内のウエハア
ンロードカセツト14に一枚ずつ収容される。な
おマスク16の交換の必要があればマスク移動装
置によつてマスクをカセツト15へ戻し、別のマ
スクをカセツトから取り出すことができる。
以上一枚のウエハの照射処理について説明した
が、本発明のX線転写装置においては、複数の照
射台を使用して複数枚のウエハ12を平行して照
射処理することができる。
が、本発明のX線転写装置においては、複数の照
射台を使用して複数枚のウエハ12を平行して照
射処理することができる。
続いて前述したX線転写装置の全体的な作動を
一層明確に理解するため、重要な項目について以
下に詳細に説明する。
一層明確に理解するため、重要な項目について以
下に詳細に説明する。
(1) ウエハのロード、平行平面出しおよびアンロ
ード 第4図に示されているように第1のメインチ
ヤンバ部分7の両側部に、ウエハローダカセツ
ト収納チヤンバ2およびウエハアンロードカセ
ツト収納チヤンバ3がそれぞれ連結されてい
る。ロード用チヤンバ2の内部には、予めX線
に反応するレジストを塗布した複数枚のウエハ
12を収容したウエハカセツト13を載置する
ための台30が設けられており、この台30は
昇降装置31によつて支持されている。台上は
支持されたカセツト13は、ウエハを第1のメ
インチヤンバ部分7内へ一枚搬入したらその都
度順次垂直方向下方へ昇降装置31によつて降
下される。
ード 第4図に示されているように第1のメインチ
ヤンバ部分7の両側部に、ウエハローダカセツ
ト収納チヤンバ2およびウエハアンロードカセ
ツト収納チヤンバ3がそれぞれ連結されてい
る。ロード用チヤンバ2の内部には、予めX線
に反応するレジストを塗布した複数枚のウエハ
12を収容したウエハカセツト13を載置する
ための台30が設けられており、この台30は
昇降装置31によつて支持されている。台上は
支持されたカセツト13は、ウエハを第1のメ
インチヤンバ部分7内へ一枚搬入したらその都
度順次垂直方向下方へ昇降装置31によつて降
下される。
カセツト13から第1のメインチヤンバ部分
7内へのウエハの搬入は第7図に示されたウエ
ア搬入装置32によつて行なわれる。搬入装置
32は、ウエハ12を上面に載せてカセツト1
3から引き出す台33およびこの台33をガイ
ド34に沿つて水平方向へ摺動させるための摺
動部35を有している。台33上に載置された
ウエハ12は、摺動部35を移動させることに
よつてウエハ押上げ装置36の上方まで移され
る。押上げ装置36は、回転可能なウエハ支承
面37およびこの面から一段下がつた位置に取
り付けられたオリフラ検出器38を有してい
る。ここで押上げ装置36を駆動させてウエハ
支承面37を上昇させ、この支承面37によつ
て台33からウエハ12を受けとる。このとき
ウエハ12の位置は、オリフラ検出器38を使
用しオリフラ27を所定の方向に向けるように
支承面37を回転させて位置決めされる。
7内へのウエハの搬入は第7図に示されたウエ
ア搬入装置32によつて行なわれる。搬入装置
32は、ウエハ12を上面に載せてカセツト1
3から引き出す台33およびこの台33をガイ
ド34に沿つて水平方向へ摺動させるための摺
動部35を有している。台33上に載置された
ウエハ12は、摺動部35を移動させることに
よつてウエハ押上げ装置36の上方まで移され
る。押上げ装置36は、回転可能なウエハ支承
面37およびこの面から一段下がつた位置に取
り付けられたオリフラ検出器38を有してい
る。ここで押上げ装置36を駆動させてウエハ
支承面37を上昇させ、この支承面37によつ
て台33からウエハ12を受けとる。このとき
ウエハ12の位置は、オリフラ検出器38を使
用しオリフラ27を所定の方向に向けるように
支承面37を回転させて位置決めされる。
押し上げ装置36を駆動させて、上昇した位
置に面37によつて支承されたウエハ12は、
第8図に示されたウエハハンド40によつて周
囲を挾持される。このハンド40は、ガイド4
1に沿つて摺動する摺動部42に連結されてお
り、又同じく上下動可能な上下シリンダー43
にも連結されている。
置に面37によつて支承されたウエハ12は、
第8図に示されたウエハハンド40によつて周
囲を挾持される。このハンド40は、ガイド4
1に沿つて摺動する摺動部42に連結されてお
り、又同じく上下動可能な上下シリンダー43
にも連結されている。
ハンド40はウエハ支承面37上方の位置ま
で摺動部42をガイド41に沿つて摺動させる
ことにより移動し、この位置で上下シリンダー
43を作動させることにより降下させられる。
そしてハンド40はウエハ12を支承面37か
ら受けとつた後再びシリンダー43を作動させ
て上昇し、同じく摺動部42をガイド41に沿
つて移動させることにより、ウエハの平行平面
出し位置44(第4図)まで動かされる。
で摺動部42をガイド41に沿つて摺動させる
ことにより移動し、この位置で上下シリンダー
43を作動させることにより降下させられる。
そしてハンド40はウエハ12を支承面37か
ら受けとつた後再びシリンダー43を作動させ
て上昇し、同じく摺動部42をガイド41に沿
つて移動させることにより、ウエハの平行平面
出し位置44(第4図)まで動かされる。
この平行平面出し位置44には、レール4
5,45に沿つて移動する照射台46が待期し
ている。第9図に示されている様にこの照射台
46にはその上面にウエハホルダー47が取り
付けられており、一方ホルダー47の内部には
その底面から上方に向かい順次、照射域移動台
48、球面座49、ウエハチヤツク50が配置
されている。
5,45に沿つて移動する照射台46が待期し
ている。第9図に示されている様にこの照射台
46にはその上面にウエハホルダー47が取り
付けられており、一方ホルダー47の内部には
その底面から上方に向かい順次、照射域移動台
48、球面座49、ウエハチヤツク50が配置
されている。
照射台46およびホルダー47の底部にはピ
エゾ素子51を挿通させるための開口52,5
3がそれぞれ形成されている。この開口52,
53は好ましくは3個形成される。ピエゾ素子
51は上下動可能な素子支持台54の上面に好
ましくは3本前述の開口に対向して垂直に取り
つけられている。
エゾ素子51を挿通させるための開口52,5
3がそれぞれ形成されている。この開口52,
53は好ましくは3個形成される。ピエゾ素子
51は上下動可能な素子支持台54の上面に好
ましくは3本前述の開口に対向して垂直に取り
つけられている。
一方チヤツク50の底部には棒状突起55が
保持されており、開口52,53を通してホル
ダー47内へ挿通された素子51の上端と当接
するようになつている。又球面座49はチヤツ
ク50に固定されており、その周囲には球面座
49の位置を固定するためのピエゾ素子56が
当接している。
保持されており、開口52,53を通してホル
ダー47内へ挿通された素子51の上端と当接
するようになつている。又球面座49はチヤツ
ク50に固定されており、その周囲には球面座
49の位置を固定するためのピエゾ素子56が
当接している。
平行平面出し位置44にはメインチヤンバー
部分7の上面に設置された昇降装置57によつ
て上下動するキヤリブレーター58が配置され
ている。このキヤリブレーター58は底板59
を有し、底板59にはギヤツプセンサー60挿
通用開口61およびチヤツク賦勢段62挿通用
開口63が形成されている。
部分7の上面に設置された昇降装置57によつ
て上下動するキヤリブレーター58が配置され
ている。このキヤリブレーター58は底板59
を有し、底板59にはギヤツプセンサー60挿
通用開口61およびチヤツク賦勢段62挿通用
開口63が形成されている。
ここで前述したように平行平面出し位置44
までハンド40によつて運ばれたウエハ12
は、同じく位置44に待期しているウエハホル
ダー47とキヤリブレーター58との間に位置
することになる。次に上下シリンダー43を作
動させてウエハハンド40をチヤツク50へ向
けて降下させ、ウエハがチヤツク50の上面付
近に達したらハンド40を作動させてウエハを
解放し、チヤツク50の面上に載せる。ウエハ
12は静電方式によつてチヤツク50に固着さ
れる。
までハンド40によつて運ばれたウエハ12
は、同じく位置44に待期しているウエハホル
ダー47とキヤリブレーター58との間に位置
することになる。次に上下シリンダー43を作
動させてウエハハンド40をチヤツク50へ向
けて降下させ、ウエハがチヤツク50の上面付
近に達したらハンド40を作動させてウエハを
解放し、チヤツク50の面上に載せる。ウエハ
12は静電方式によつてチヤツク50に固着さ
れる。
ハンド40はウエハ12をチヤツク50へ受
け渡した後上下シリンダー43の作動により上
昇し、摺動部42をガイド41に沿つて移動さ
せることによりチヤンバ2の方向へ移される。
け渡した後上下シリンダー43の作動により上
昇し、摺動部42をガイド41に沿つて移動さ
せることによりチヤンバ2の方向へ移される。
このようにしてチヤツク50の上に固着され
たウエハ12の平行平面出しの機構について説
明する。まず昇降装置57を作動させてキヤリ
ブレーター58をその底板59の下面がホルダ
ー47の上端基準面65と当接するまで降下さ
せる。
たウエハ12の平行平面出しの機構について説
明する。まず昇降装置57を作動させてキヤリ
ブレーター58をその底板59の下面がホルダ
ー47の上端基準面65と当接するまで降下さ
せる。
次に素子支持台54を駆動してピエゾ素子5
1を開口52,53を通して上昇させ、棒状突
起55の下端面を突きあげる。このときギヤツ
プセンサー60を用いて、ウエハ12の上面と
ホルダー47の上端基準面65との間隔を測定
する。測定の結果に応じて素子51の上下微調
整をおこない、ウエハの平行平面出し作業が終
わつたら、素子56を作動させて球面座49の
周囲に突き当て球面座49、従つてチヤツク5
0の位置を固定する。
1を開口52,53を通して上昇させ、棒状突
起55の下端面を突きあげる。このときギヤツ
プセンサー60を用いて、ウエハ12の上面と
ホルダー47の上端基準面65との間隔を測定
する。測定の結果に応じて素子51の上下微調
整をおこない、ウエハの平行平面出し作業が終
わつたら、素子56を作動させて球面座49の
周囲に突き当て球面座49、従つてチヤツク5
0の位置を固定する。
続いて昇降装置57を作動させてキヤリブレ
ーター58を上昇位置に、また素子支持台54
を作動させてピエゾ素子を降下位置まで移動さ
せる。しかる後ホルダー47をのせた照射台4
6は、駆動装置(図示せず)を作動させること
によりレール45,45に沿つて平行平面出し
位置44からプリアライメント位置へ移動す
る。
ーター58を上昇位置に、また素子支持台54
を作動させてピエゾ素子を降下位置まで移動さ
せる。しかる後ホルダー47をのせた照射台4
6は、駆動装置(図示せず)を作動させること
によりレール45,45に沿つて平行平面出し
位置44からプリアライメント位置へ移動す
る。
次に照射を終了したウエハのアンロードにつ
いて説明する。ウエハアンロードカセツト収納
チヤンバ3にはウエハロードカセツト収納チヤ
ンバ2と同じくウエハを収納するカセツト14
を載置するための台30が設けられており、こ
の台30は昇降装置31によつて支持されてい
る。台30上に支持されたカセツト14は、第
1のメインチヤンバ部分7からウエハを収納し
た後垂直上方へ昇降装置31によつて順次上昇
される。
いて説明する。ウエハアンロードカセツト収納
チヤンバ3にはウエハロードカセツト収納チヤ
ンバ2と同じくウエハを収納するカセツト14
を載置するための台30が設けられており、こ
の台30は昇降装置31によつて支持されてい
る。台30上に支持されたカセツト14は、第
1のメインチヤンバ部分7からウエハを収納し
た後垂直上方へ昇降装置31によつて順次上昇
される。
第1のメインチヤンバ部分7からカセツト1
4へのウエハの収容は、第8図に示されたのと
同じ構成を有するウエハハンドおよび第10図
に示されたウエハ搬出装置66を使用すること
によつておこなわれる。装置66は、台67お
よび摺動部68を有している。
4へのウエハの収容は、第8図に示されたのと
同じ構成を有するウエハハンドおよび第10図
に示されたウエハ搬出装置66を使用すること
によつておこなわれる。装置66は、台67お
よび摺動部68を有している。
第11図に示されているように照射を終了し
た照射台46上からマスクホルダー70をホル
ダーハンド71によつて取り除いた後、照射台
46はレール45,45に沿つてウエハハンド
に向かつて進み停止する。ここでハンドによつ
てウエハチヤツク50上に載置されたウエハ1
2の周囲を挾持し、ウエハ搬出装置66の台6
7上へ移し代える。台67上にウエハをのせた
状態で摺動部68はガイド69に沿つてチヤン
バ3内のカセツト14に向かつて進む。以上の
手順を繰り返すことにより照射を終えたウエハ
は順次アンロードカセツト収納チヤンバ3内の
カセツト14に収容される。
た照射台46上からマスクホルダー70をホル
ダーハンド71によつて取り除いた後、照射台
46はレール45,45に沿つてウエハハンド
に向かつて進み停止する。ここでハンドによつ
てウエハチヤツク50上に載置されたウエハ1
2の周囲を挾持し、ウエハ搬出装置66の台6
7上へ移し代える。台67上にウエハをのせた
状態で摺動部68はガイド69に沿つてチヤン
バ3内のカセツト14に向かつて進む。以上の
手順を繰り返すことにより照射を終えたウエハ
は順次アンロードカセツト収納チヤンバ3内の
カセツト14に収容される。
(2) マスクのロードおよびアンロード
次にマスクのロード、アンロードを第3図お
よび第11図を参照して説明する。
よび第11図を参照して説明する。
マスクカセツト収納チヤンバ4内へ収納され
たマスクカセツト15a,15bを、カセツト
ふたあけ装置72を作動させてカセツト15の
下ぶた15bを降下させる。
たマスクカセツト15a,15bを、カセツト
ふたあけ装置72を作動させてカセツト15の
下ぶた15bを降下させる。
カセツト15は上ぶた15aと下ぶた15b
を組み合わせた構成を有し、その内部に複数の
マスク16を上ぶた15a側に磁力で保持して
いる。
を組み合わせた構成を有し、その内部に複数の
マスク16を上ぶた15a側に磁力で保持して
いる。
マスクの上ぶた15aは回転装置74を駆動
することにより回転可能であり、前述した複数
のマスク16のうち所望のものを取り出し位
置、収納位置へ割り出すことができる。
することにより回転可能であり、前述した複数
のマスク16のうち所望のものを取り出し位
置、収納位置へ割り出すことができる。
チヤンバ4の排気は、チヤンバ4ふた75を
あけてカセツト15をチヤンバ4内へ収納しふ
た75を閉じた後排気装置(図示せず)を作動
させることによつて行なわれる。チヤンバ4内
の真空度が所定の値に達したら、閉じていたス
ライド弁76をあけてマスク移動部材を第2の
メインチヤンバー部分8側よりチヤンバ4内へ
挿通させる。マスク移動部材の先端には、カセ
ツトの上ぶた15a側に磁力で保持されたマス
ク16を引き出すつめが形成されている。前記
つめを選択された任意のマスク16に当接させ
たら上ぶた15aを上ぶた昇降機74bを作動
させて上昇させマスク16を上ぶた15aから
取り外し、第2のメインチヤンバ部分8内に向
かつてマスク移動部材を引込め、マスク16を
チヤンバ4内からメインチヤンバ部分8内のマ
スクステージ77へ移動させる。
あけてカセツト15をチヤンバ4内へ収納しふ
た75を閉じた後排気装置(図示せず)を作動
させることによつて行なわれる。チヤンバ4内
の真空度が所定の値に達したら、閉じていたス
ライド弁76をあけてマスク移動部材を第2の
メインチヤンバー部分8側よりチヤンバ4内へ
挿通させる。マスク移動部材の先端には、カセ
ツトの上ぶた15a側に磁力で保持されたマス
ク16を引き出すつめが形成されている。前記
つめを選択された任意のマスク16に当接させ
たら上ぶた15aを上ぶた昇降機74bを作動
させて上昇させマスク16を上ぶた15aから
取り外し、第2のメインチヤンバ部分8内に向
かつてマスク移動部材を引込め、マスク16を
チヤンバ4内からメインチヤンバ部分8内のマ
スクステージ77へ移動させる。
マスクステージ77には、マスク16を保持
するためのマスクハンドラ78およびマスクの
位置を検知するためのマスク位置センサ79、
更にはマスクハンドラ78によつて保持された
マスクをその状態で垂直上方へ押し上げるため
のマスク押し上げ装置80が設けられている。
するためのマスクハンドラ78およびマスクの
位置を検知するためのマスク位置センサ79、
更にはマスクハンドラ78によつて保持された
マスクをその状態で垂直上方へ押し上げるため
のマスク押し上げ装置80が設けられている。
マスクハンドラ78は移動部材上に載せられ
てステージ77に位置したマスクを保持し、又
一方センサ79によりマスクの位置を検知した
結果に応じてマスクの位置ぎめをおこなうべく
回転することができる。
てステージ77に位置したマスクを保持し、又
一方センサ79によりマスクの位置を検知した
結果に応じてマスクの位置ぎめをおこなうべく
回転することができる。
このようにしてマスクの正確な位置決めが終
了したらマスクハンドラ78によつてマスク1
6を保持し、押し上げ装置80を作動させて、
マスクハンドラ78を垂直上方へ移動させる。
了したらマスクハンドラ78によつてマスク1
6を保持し、押し上げ装置80を作動させて、
マスクハンドラ78を垂直上方へ移動させる。
ここでセンサ79は水平方向に移動でき、マ
スクの位置を検知する際にはハンドラ78によ
つて保持されたマスクの上方に位置し、マスク
の正確な位置ぎめが終了した後には再びもとの
位置へ引込み、マスクハンドラ78の垂直方向
への移動にあたつて障害とはならない。
スクの位置を検知する際にはハンドラ78によ
つて保持されたマスクの上方に位置し、マスク
の正確な位置ぎめが終了した後には再びもとの
位置へ引込み、マスクハンドラ78の垂直方向
への移動にあたつて障害とはならない。
マスクステージ77の垂直上方にはマスクホ
ルダーハンド71が配置されている。このマス
クホルダーハンド71は、マスクホルダ70を
両側からはさみつけるための当接部材81,8
1と、マスクホルダ70を当接部材81,81
の間にはさみつけた状態で上下に移動させるた
めの軸部材82,82とから構成されている。
この軸部材82,82はメインチヤンバー部分
8の上部に設置された昇降装置83によつて上
下動させられる。又当接部材81,81は軸部
材82,82に対して回動自在に連結されてお
り、照射を終了して送られてくるマスクホルダ
ー70を受けとる際に回動して、いつたんホル
ダー70を一方の当接部材81に対して当接す
る位置まで通過させる。しかる後、前述のとお
り回動してマスクホルダ70の移動径路から離
れていた当接部材81を、再び回動させてホル
ダ70を2つの当接部材81,81によつて挾
持する。
ルダーハンド71が配置されている。このマス
クホルダーハンド71は、マスクホルダ70を
両側からはさみつけるための当接部材81,8
1と、マスクホルダ70を当接部材81,81
の間にはさみつけた状態で上下に移動させるた
めの軸部材82,82とから構成されている。
この軸部材82,82はメインチヤンバー部分
8の上部に設置された昇降装置83によつて上
下動させられる。又当接部材81,81は軸部
材82,82に対して回動自在に連結されてお
り、照射を終了して送られてくるマスクホルダ
ー70を受けとる際に回動して、いつたんホル
ダー70を一方の当接部材81に対して当接す
る位置まで通過させる。しかる後、前述のとお
り回動してマスクホルダ70の移動径路から離
れていた当接部材81を、再び回動させてホル
ダ70を2つの当接部材81,81によつて挾
持する。
このようにしてハンド71によつて挾持され
るマスクホルダ70には、マスクハンドラ78
によつて保持された状態で垂直上方へ移動して
くるマスクを部分的に収容するための開口部8
4と、マスクを磁力で保持するために底部に埋
設された磁性体とを有している。従つてハンド
ラ78によつて保持された状態でマスク押し上
げ装置80によつて垂直上方へ移動してきたマ
スクは、マスクホルダ70によつて保持され、
一方ハンドラ78はマスクを解放して後マスク
押し上げ装置80の作動により垂直下方へ降下
する。
るマスクホルダ70には、マスクハンドラ78
によつて保持された状態で垂直上方へ移動して
くるマスクを部分的に収容するための開口部8
4と、マスクを磁力で保持するために底部に埋
設された磁性体とを有している。従つてハンド
ラ78によつて保持された状態でマスク押し上
げ装置80によつて垂直上方へ移動してきたマ
スクは、マスクホルダ70によつて保持され、
一方ハンドラ78はマスクを解放して後マスク
押し上げ装置80の作動により垂直下方へ降下
する。
次に前述したのとは反対にマスクホルダ70
によつて保持されているマスク16をマスクカ
セツト15内へ収納する手順について説明す
る。
によつて保持されているマスク16をマスクカ
セツト15内へ収納する手順について説明す
る。
まず押上げ装置80を作動させてマスクハン
ドラ78をマスクホルダ70の下側に保持され
ているマスク16の近傍まで移動させる。そし
てハンドラ78を作動させマスクの周囲を挾持
させる。ここでホルダ70の底部に設けられた
磁性体を消磁する。このようにしてホルダ70
からマスクを引きはなしてから押上げ装置80
を駆動させて、ハンドラ78によつて挾持した
状態でマスクを垂直下方に移動させる。
ドラ78をマスクホルダ70の下側に保持され
ているマスク16の近傍まで移動させる。そし
てハンドラ78を作動させマスクの周囲を挾持
させる。ここでホルダ70の底部に設けられた
磁性体を消磁する。このようにしてホルダ70
からマスクを引きはなしてから押上げ装置80
を駆動させて、ハンドラ78によつて挾持した
状態でマスクを垂直下方に移動させる。
次にマスク移動部材の先端に形成されたつめ
によつて、ハンドラ78により挾持されマスク
ステージ77に位置しているマスクを受けと
る。このときつめがマスクを受けとつたらハン
ドラ78を作動させてマスクからはなれるよう
にする。この後マスク移動部材をチヤンバ4内
へ挿通するように移動し、カセツト15の上ぶ
た15aと下ぶた15bの間に先端を位置させ
る。ここでカセツトの上ぶた15aに設けられ
た磁性体を使つてマスク移動部材の先端に位置
したマスク16を上ぶた15aの下面に吸着、
保持する。
によつて、ハンドラ78により挾持されマスク
ステージ77に位置しているマスクを受けと
る。このときつめがマスクを受けとつたらハン
ドラ78を作動させてマスクからはなれるよう
にする。この後マスク移動部材をチヤンバ4内
へ挿通するように移動し、カセツト15の上ぶ
た15aと下ぶた15bの間に先端を位置させ
る。ここでカセツトの上ぶた15aに設けられ
た磁性体を使つてマスク移動部材の先端に位置
したマスク16を上ぶた15aの下面に吸着、
保持する。
(3) 照射台および移動台
第12図を使つて移動台および照射台を説明
する。図中、85は移動台で、縦移動レール8
6,86上を不図示の駆動装置により自由に移
動する。縦移動レール86,86は移動台85
がフアインアライメント位置Aとマスク着脱位
置Cを移動できる長さになつている。移動台8
5上には横移動レール45,45が固設され、
横移動レール45,45上を照射台46が自由
に移動する。横移動レール45,45の一端
は、照射台46がフアインアライメント位置A
に在る時、中継レール87,87に接続され、
他端は、照射台46が横移動レール上を移動し
た時、ウエハロード位置Dおよびウエハアンロ
ード位置Eを占める様に決められている。即
ち、移動台85がプリアライメント位置Bに在
り、その位置から照射台46が横移動レール4
5,45上を移動するとウエハロード位置Dに
達することができる。又移動台85がマスク着
脱位置Cにあり、その位置から照射台46がレ
ール45,45を移動するとウエハアンロード
位置Eに達する。照射台46上にマグネツトチ
ヤツクで保持される部材47はウエルホルダ
で、正方形の窪みが設けられており、照射域移
動台48が窪み中を移動し得る。ウエハホルダ
47と照射域移動台48の相対移動ついては後
述する。台48上にはウエハチヤツク50が設
けられていて、ウエハをチヤツキングする。
する。図中、85は移動台で、縦移動レール8
6,86上を不図示の駆動装置により自由に移
動する。縦移動レール86,86は移動台85
がフアインアライメント位置Aとマスク着脱位
置Cを移動できる長さになつている。移動台8
5上には横移動レール45,45が固設され、
横移動レール45,45上を照射台46が自由
に移動する。横移動レール45,45の一端
は、照射台46がフアインアライメント位置A
に在る時、中継レール87,87に接続され、
他端は、照射台46が横移動レール上を移動し
た時、ウエハロード位置Dおよびウエハアンロ
ード位置Eを占める様に決められている。即
ち、移動台85がプリアライメント位置Bに在
り、その位置から照射台46が横移動レール4
5,45上を移動するとウエハロード位置Dに
達することができる。又移動台85がマスク着
脱位置Cにあり、その位置から照射台46がレ
ール45,45を移動するとウエハアンロード
位置Eに達する。照射台46上にマグネツトチ
ヤツクで保持される部材47はウエルホルダ
で、正方形の窪みが設けられており、照射域移
動台48が窪み中を移動し得る。ウエハホルダ
47と照射域移動台48の相対移動ついては後
述する。台48上にはウエハチヤツク50が設
けられていて、ウエハをチヤツキングする。
第6図A移動台85と照射台46の上方には
第13図に示す横方向に移動可能な粗微動装置
88が配置される。この粗微動装置88はマス
クとウエハをアライメントするために使用する
もので、横移動レール86,86と平行に設け
られた別の横移動レール89,89に案内され
て移動する。
第13図に示す横方向に移動可能な粗微動装置
88が配置される。この粗微動装置88はマス
クとウエハをアライメントするために使用する
もので、横移動レール86,86と平行に設け
られた別の横移動レール89,89に案内され
て移動する。
第14図は粗微動装置88の詳細を描いてい
る。90は粗微動枠で、横移動レール89,8
9が貫通する梁から4ケ所で釣り下げられ、両
者の間には衝突エネルギー吸収用圧縮バネが挿
入されていて枠を下方で固定している。そして
枠の内部にマスクホルダ70とウエハホルダ4
7が不図示の移動台押上げ機構(詳細は後述)
で押上げられて進入する。粗微動枠90の外側
には積層されたピエゾ素子で支えられた粗動機
構91a,91b等が設けられており、粗動機
構91a…のプツシユロツド92aは枠90の
内部へ突出している。粗動機構91aは第15
図に示されているように粗動モータ93aの回
転力が例えばラツク・ピニオンの組合せにより
プツシユロツド92aの直線移動に変換される
構造となつている。プツシユロツド92aの軸
承は、V字カツトのなされたブロツク94aと
プツシユロツド92aを上側から押圧する片持
ち状の板バネ95aから形成されている。板バ
ネ95aは更にピエゾ素子棒96aで加圧され
る構成となつており、ピエゾ素子棒96aに通
電されると、プツシユロツド92aは板バネ9
5aを介して押圧され、ブロツク94aにクラ
ンプされる。97,97は積層されたピエゾ素
子で、粗動機構91aを微小量前後させる機能
を持ち、一端は粗動機構91aに固定され、他
端は粗微動枠90の外部に固定される。又以上
と同様の粗動機構91b…が積層されたピエゾ
素子で粗微動枠90の外部に固定される。
る。90は粗微動枠で、横移動レール89,8
9が貫通する梁から4ケ所で釣り下げられ、両
者の間には衝突エネルギー吸収用圧縮バネが挿
入されていて枠を下方で固定している。そして
枠の内部にマスクホルダ70とウエハホルダ4
7が不図示の移動台押上げ機構(詳細は後述)
で押上げられて進入する。粗微動枠90の外側
には積層されたピエゾ素子で支えられた粗動機
構91a,91b等が設けられており、粗動機
構91a…のプツシユロツド92aは枠90の
内部へ突出している。粗動機構91aは第15
図に示されているように粗動モータ93aの回
転力が例えばラツク・ピニオンの組合せにより
プツシユロツド92aの直線移動に変換される
構造となつている。プツシユロツド92aの軸
承は、V字カツトのなされたブロツク94aと
プツシユロツド92aを上側から押圧する片持
ち状の板バネ95aから形成されている。板バ
ネ95aは更にピエゾ素子棒96aで加圧され
る構成となつており、ピエゾ素子棒96aに通
電されると、プツシユロツド92aは板バネ9
5aを介して押圧され、ブロツク94aにクラ
ンプされる。97,97は積層されたピエゾ素
子で、粗動機構91aを微小量前後させる機能
を持ち、一端は粗動機構91aに固定され、他
端は粗微動枠90の外部に固定される。又以上
と同様の粗動機構91b…が積層されたピエゾ
素子で粗微動枠90の外部に固定される。
次に第16図を使つて粗微動調整について説
明する。図中、92a〜92eは粗微動枠90
の上段から突出したプツシユロツドでマスクホ
ルダ70に当接し、92f〜92jは下段から
突出したプツシユロツドでウエハホルダ47に
当接する。即ちプツシユロツド92aと92b
はマスクホルダ70の一辺に当接し、その対辺
にはプツシユロツド92dが当接してマスクホ
ルダ70を挾持し、左右の辺には各々92cと
92eが当接して挾持する。ウエハホルダ47
も同様にプツシユロツド92fとプツシユロツ
ド92hと92iが対向し、又プツシユロツド
92gとプツシユロツド92jが対向して挾持
する。例えばマスクホルダ70のX、Y、θの
調整をする場合、X方向の調整ではプツシユロ
ツド92cと92eを若干緩めてプツシユロツ
ド92aと92bの組及びプツシユロツド92
dを相互に押出し、引き込むことで実現する。
その際、初期状態では粗動モータ93aを駆動
してプツシユロツド92aを前後させて粗い調
整を行つた後、ピエゾ素子棒96aを駆動して
プツシユロツド92aをクランプする。次いで
積層されたピエゾ素子97へ通電すると粗動機
構91a全体が微細に前後してマスクホルダ7
0の位置を精密に位置決めすることができる。
またY方向の調整ではプツシユロツド92eと
プツシユロツド92cを相互に押し引きして位
置決めすることができる。
明する。図中、92a〜92eは粗微動枠90
の上段から突出したプツシユロツドでマスクホ
ルダ70に当接し、92f〜92jは下段から
突出したプツシユロツドでウエハホルダ47に
当接する。即ちプツシユロツド92aと92b
はマスクホルダ70の一辺に当接し、その対辺
にはプツシユロツド92dが当接してマスクホ
ルダ70を挾持し、左右の辺には各々92cと
92eが当接して挾持する。ウエハホルダ47
も同様にプツシユロツド92fとプツシユロツ
ド92hと92iが対向し、又プツシユロツド
92gとプツシユロツド92jが対向して挾持
する。例えばマスクホルダ70のX、Y、θの
調整をする場合、X方向の調整ではプツシユロ
ツド92cと92eを若干緩めてプツシユロツ
ド92aと92bの組及びプツシユロツド92
dを相互に押出し、引き込むことで実現する。
その際、初期状態では粗動モータ93aを駆動
してプツシユロツド92aを前後させて粗い調
整を行つた後、ピエゾ素子棒96aを駆動して
プツシユロツド92aをクランプする。次いで
積層されたピエゾ素子97へ通電すると粗動機
構91a全体が微細に前後してマスクホルダ7
0の位置を精密に位置決めすることができる。
またY方向の調整ではプツシユロツド92eと
プツシユロツド92cを相互に押し引きして位
置決めすることができる。
一方、θ方向の調整の際はプツシユロツド9
2cと92eを若干緩め、プツシユロツド92
aとプツシユロツド92bの突出量を変えれば
プツシユロツド92dの先端を中心にマスクホ
ルダ70は回転することになる。ウエハホルダ
47についても上述と同様の操作で位置調整が
可能である。
2cと92eを若干緩め、プツシユロツド92
aとプツシユロツド92bの突出量を変えれば
プツシユロツド92dの先端を中心にマスクホ
ルダ70は回転することになる。ウエハホルダ
47についても上述と同様の操作で位置調整が
可能である。
(4) プリアライメントおよびフアインアライメン
ト 第12図へ戻つてプリアライメント及びフア
インアライメントの説明を行う。まず、マスク
着脱位置Cで、マスクを装着されたマスクホル
ダ70を粗微動装置88に取付ける工程が行わ
れる。そのためマスクホルダーハンド71を一
旦下降させた後、粗微動装置88をマスク着脱
位置Cまで移動させて、粗微動装置88をマス
クホルダ70の上方に整合させる。次いでマス
クホルダーハンド71を上昇させてマスクホル
ダ70を粗微動装置88の粗微動枠90にはめ
込み、各プツシユロツド92a〜92eを突出
させてマスクホルダ70を挾持する。
ト 第12図へ戻つてプリアライメント及びフア
インアライメントの説明を行う。まず、マスク
着脱位置Cで、マスクを装着されたマスクホル
ダ70を粗微動装置88に取付ける工程が行わ
れる。そのためマスクホルダーハンド71を一
旦下降させた後、粗微動装置88をマスク着脱
位置Cまで移動させて、粗微動装置88をマス
クホルダ70の上方に整合させる。次いでマス
クホルダーハンド71を上昇させてマスクホル
ダ70を粗微動装置88の粗微動枠90にはめ
込み、各プツシユロツド92a〜92eを突出
させてマスクホルダ70を挾持する。
一方、ウエハロード位置Dでウエハチヤツク
50にウエハが装着され、また前述の平行平面
出し工程が終了すると、照射台46は横移動レ
ール45,45上を移動してプリアライメント
位置Bに位置する。この時、粗微動装置88は
縦移動レール89,89(第13図)に沿つて
移動し、プリアライメント位置Bで停止し、ウ
エハホルダ47と整合される。
50にウエハが装着され、また前述の平行平面
出し工程が終了すると、照射台46は横移動レ
ール45,45上を移動してプリアライメント
位置Bに位置する。この時、粗微動装置88は
縦移動レール89,89(第13図)に沿つて
移動し、プリアライメント位置Bで停止し、ウ
エハホルダ47と整合される。
第3図に示された照射台押上げ機構98で、
移動台85の中央に開けられた図示されない開
口を通して3本の爪をもつ押上げ棒で照射台4
6を押上げ、照射台46の基準面46a,46
bを粗微動装置の枠90の基準下面に押付けて
高さを定めるとともにイコライジングを行う。
移動台85の中央に開けられた図示されない開
口を通して3本の爪をもつ押上げ棒で照射台4
6を押上げ、照射台46の基準面46a,46
bを粗微動装置の枠90の基準下面に押付けて
高さを定めるとともにイコライジングを行う。
第17図はマスクホルダ70とウエハホルダ
47を図示されない静電チヤツクで結合した様
子を描いており、前述した通りウエハ表面の平
行平面出し及びウエハホルダ47の上端面65
(基準面)からの間隔決定が成されているから、
マスクホルダ70の下端面(基準面)と正確に
当接させればマスク16の下面とウエハ12の
表面は数ミクロン程度の間隔を置いて極近接設
定される。ここで照射台46とウエハホルダ4
7間のマグネツトチヤツク99は解除され、第
16図を使つて前述した操作に従つてマスクと
ウエハのアライメントが行われる。
47を図示されない静電チヤツクで結合した様
子を描いており、前述した通りウエハ表面の平
行平面出し及びウエハホルダ47の上端面65
(基準面)からの間隔決定が成されているから、
マスクホルダ70の下端面(基準面)と正確に
当接させればマスク16の下面とウエハ12の
表面は数ミクロン程度の間隔を置いて極近接設
定される。ここで照射台46とウエハホルダ4
7間のマグネツトチヤツク99は解除され、第
16図を使つて前述した操作に従つてマスクと
ウエハのアライメントが行われる。
ウエハ上のアライメントマークは、ウエハを
有効に利用するためにスクライブ線上に配置さ
れるが、一方、マスクとウエハの最終アライメ
ントは0.1ミクロンあるいはそれ以上の精度が
要求されるため、本例では走査型電子顕微鏡を
使用して実現される。従つて、アライメントを
行う際に電子線でウエハ上のアライメントマー
クを走査することになるが、もし電子線がスク
ライブ線幅より大きく振れると実素子の形成さ
れる領域を照射する不都合がある。従つて、ア
ライメントマークを占有の区域に配置する場
合、あるいは機械的初期設定精度に比べて実素
子間隔が大きく取れる場合を除けば、マスクと
ウエハのアライメント度合を10ミクロンオーダ
ーの誤差に追い込んでおくのが望ましい。
有効に利用するためにスクライブ線上に配置さ
れるが、一方、マスクとウエハの最終アライメ
ントは0.1ミクロンあるいはそれ以上の精度が
要求されるため、本例では走査型電子顕微鏡を
使用して実現される。従つて、アライメントを
行う際に電子線でウエハ上のアライメントマー
クを走査することになるが、もし電子線がスク
ライブ線幅より大きく振れると実素子の形成さ
れる領域を照射する不都合がある。従つて、ア
ライメントマークを占有の区域に配置する場
合、あるいは機械的初期設定精度に比べて実素
子間隔が大きく取れる場合を除けば、マスクと
ウエハのアライメント度合を10ミクロンオーダ
ーの誤差に追い込んでおくのが望ましい。
第18図および第19図はプリアライメント
用の光学顕微鏡17の構成を概略的に示した図
である。この光学顕微鏡17は、マスク16の
アライメントマーク21,21を検知する2本
の顕微鏡と、ウエハ12上のアライメントマー
ク26,26を検知する2本の顕微鏡とから構
成されている(第18図では各々1つのみ図
示)。4本の顕微鏡はそれぞれ対物レンズ系1
00、結像レンズ系102、TV撮像装置10
3を有している。前述したようにマスクホルダ
70とウエハホルダ47は粗微動装置88によ
つてそれぞれ独立に位置調整がおこなわれ、マ
スク16のアライメントマーク21,21とウ
エハ12のアライメントマークは目盛板101
の基準マークに合わされる。マスクとウエハの
プリアライメントが終了するとマスクホルダ7
0とウエハホルダ47は静電チヤツクによつて
一且結合され、粗微動装置88のプツシユロー
ド92a〜92jはマスクホルダ70とウエハ
ホルダ47から離れてこれらを解放する。続い
て照射台押上げ機構98の押上げ棒は下降し、
照射台46を移動台85上に接地させる。
用の光学顕微鏡17の構成を概略的に示した図
である。この光学顕微鏡17は、マスク16の
アライメントマーク21,21を検知する2本
の顕微鏡と、ウエハ12上のアライメントマー
ク26,26を検知する2本の顕微鏡とから構
成されている(第18図では各々1つのみ図
示)。4本の顕微鏡はそれぞれ対物レンズ系1
00、結像レンズ系102、TV撮像装置10
3を有している。前述したようにマスクホルダ
70とウエハホルダ47は粗微動装置88によ
つてそれぞれ独立に位置調整がおこなわれ、マ
スク16のアライメントマーク21,21とウ
エハ12のアライメントマークは目盛板101
の基準マークに合わされる。マスクとウエハの
プリアライメントが終了するとマスクホルダ7
0とウエハホルダ47は静電チヤツクによつて
一且結合され、粗微動装置88のプツシユロー
ド92a〜92jはマスクホルダ70とウエハ
ホルダ47から離れてこれらを解放する。続い
て照射台押上げ機構98の押上げ棒は下降し、
照射台46を移動台85上に接地させる。
ここで移動台85が照射台46をチヤツクす
ると、移動台85はフアインアライメント位置
Aまで移動する。その際、粗微動装置88もフ
アインアライメント位置Aに移動しており、フ
アインアライメント位置Aの照射台押上げ機構
104が作動して照射台46を押上げる。押上
げ機構104は例えばカムにより上下する構造
を採用するのが好ましく、そうすれば最も上昇
した位置で加速度が零になるからマスクホルダ
70とウエハホルダ47が急激に衝突すること
は避けられる。
ると、移動台85はフアインアライメント位置
Aまで移動する。その際、粗微動装置88もフ
アインアライメント位置Aに移動しており、フ
アインアライメント位置Aの照射台押上げ機構
104が作動して照射台46を押上げる。押上
げ機構104は例えばカムにより上下する構造
を採用するのが好ましく、そうすれば最も上昇
した位置で加速度が零になるからマスクホルダ
70とウエハホルダ47が急激に衝突すること
は避けられる。
粗微動装置88のプツシユロツド92a〜9
2jが再びマスクホルダ70とウエハホルダ4
7を把持し、マスクホルダ70とウエハホルダ
47間及びウエハホルダ47と照射台46間の
固着用磁力が消去されると、フアインアライメ
ント用電子顕微鏡18によるアライメントマー
クの検知が行われる。
2jが再びマスクホルダ70とウエハホルダ4
7を把持し、マスクホルダ70とウエハホルダ
47間及びウエハホルダ47と照射台46間の
固着用磁力が消去されると、フアインアライメ
ント用電子顕微鏡18によるアライメントマー
クの検知が行われる。
第20図にフアインアライメント用電子顕微
鏡18の概略図を示す。フアインアライメント
用電子顕微鏡18は独立に作動する4本の走査
型電子顕微鏡を有し、このうち2本はマスク1
6のアライメントマーク21,21を検知し、
他の2本はマスクホルダ70の窓105を通し
てウエハ12のアライメントマーク26,26
を検知する(第20図には各々1本のみ図示)。
なおこの窓105は照射チヤンバ5a,5bで
ウエハを照射するときには閉じられるようにな
つている。
鏡18の概略図を示す。フアインアライメント
用電子顕微鏡18は独立に作動する4本の走査
型電子顕微鏡を有し、このうち2本はマスク1
6のアライメントマーク21,21を検知し、
他の2本はマスクホルダ70の窓105を通し
てウエハ12のアライメントマーク26,26
を検知する(第20図には各々1本のみ図示)。
なおこの窓105は照射チヤンバ5a,5bで
ウエハを照射するときには閉じられるようにな
つている。
106は電子銃で電子ビームを発生する。1
07はコンデンサーレンズ、108は対物レン
ズ、109は2次元方向に電子ビームを振る静
電偏向機である。二次元走査電子ビームは基準
プレート110のスリツトを通してマスク16
およびウエハ12上のアライメントマークへ向
けられる。マスク、ウエハからの反射電子は反
射電子検出器111によつて検出され、この検
出信号に基いてマスク、ウエハのアライメント
マークが基準プレート110のスリツト中央に
位置するように移動される。
07はコンデンサーレンズ、108は対物レン
ズ、109は2次元方向に電子ビームを振る静
電偏向機である。二次元走査電子ビームは基準
プレート110のスリツトを通してマスク16
およびウエハ12上のアライメントマークへ向
けられる。マスク、ウエハからの反射電子は反
射電子検出器111によつて検出され、この検
出信号に基いてマスク、ウエハのアライメント
マークが基準プレート110のスリツト中央に
位置するように移動される。
この際も、粗微動装置88のプツシユロツド
92a〜92jがマスクホルダ70及びウエハ
ホルダ47の位置を規制し、各アライメントマ
ークが夫々対応する電子顕微鏡の軸に一致させ
られ、フアインアライメントが終了する。
92a〜92jがマスクホルダ70及びウエハ
ホルダ47の位置を規制し、各アライメントマ
ークが夫々対応する電子顕微鏡の軸に一致させ
られ、フアインアライメントが終了する。
マスクとウエハのフアインアライメントが終
了するとマスクホルダ70とウエハホルダ47
はマグネツトチヤツクによつて結合される。粗
微動装置88のプツシユロツド92a〜92j
はマスクホルダ70とウエハホルダ47から離
れてこれらを解放する。ウエハホルダ47と照
射台46のチヤツキングもおわつたら照射台押
上げ機構104の押上げ棒は下降し、照射台4
6を移動台85上に接地させ両者をチヤツクす
る。
了するとマスクホルダ70とウエハホルダ47
はマグネツトチヤツクによつて結合される。粗
微動装置88のプツシユロツド92a〜92j
はマスクホルダ70とウエハホルダ47から離
れてこれらを解放する。ウエハホルダ47と照
射台46のチヤツキングもおわつたら照射台押
上げ機構104の押上げ棒は下降し、照射台4
6を移動台85上に接地させ両者をチヤツクす
る。
(5) 照射
次に第1図と第2図を使つて照射部を説明す
る。照射部は他から独立した真空チヤンバ中に
設置されており、メインチヤンバ1、サブチヤ
ンバ6とは気密仕切弁9,9とベローズ様の自
在継手112,112を介して結合されてい
る。仕切弁9は通常開放されているが、例えば
照射部内を修理する必要がある場合、メインチ
ヤンバ1等の他のチヤンバの真空を維持するた
めに閉鎖される。
る。照射部は他から独立した真空チヤンバ中に
設置されており、メインチヤンバ1、サブチヤ
ンバ6とは気密仕切弁9,9とベローズ様の自
在継手112,112を介して結合されてい
る。仕切弁9は通常開放されているが、例えば
照射部内を修理する必要がある場合、メインチ
ヤンバ1等の他のチヤンバの真空を維持するた
めに閉鎖される。
X線照射系はX線管113とソーラースリツ
ト114a,114bから成り、X線管113
は第2図の画面に垂直に延びたターゲツト11
5とその両側斜め上方に配された長い電子銃1
16,116そして偏向板117から成る。偏
向板117は電子銃116,116で発生した
電子線を偏向させてターゲツト115の底部へ
誘導する機能を持つ。尚、電子銃とターゲツト
の長さは照射されるマスクの幅より若干長くな
る様に決定されている。
ト114a,114bから成り、X線管113
は第2図の画面に垂直に延びたターゲツト11
5とその両側斜め上方に配された長い電子銃1
16,116そして偏向板117から成る。偏
向板117は電子銃116,116で発生した
電子線を偏向させてターゲツト115の底部へ
誘導する機能を持つ。尚、電子銃とターゲツト
の長さは照射されるマスクの幅より若干長くな
る様に決定されている。
114aと114bはそれぞれソーラースリ
ツトで、ターゲツト115から発生した放射状
軟X線の内、平行な成分を取り出すコリメータ
の作用を持つ。このソーラースリツトは、例え
ばミリメーター・オーダーの厚さを持ち、10ミ
クロンオーダーの微細穴を無数に具えたガラス
あるいは金属板で、発生した軟X線束の内、微
細穴を通過する平行成分以外の成分を遮断す
る。ソーラースリツトは平行の度合に応じて複
数個配置され、高解像力が要求されるマスク程
平行性の良い軟X線で照射する様にし、あまり
高い解像力が要求されないマスクを使用する場
合は多少平行度を落しても照射量の増加を計
り、照射時間の短縮を計ることができる。11
8はソーラースリツトの切替機構で、ハウジン
グの外から、高い平行度の軟X線が得られるソ
ーラースリツト114aと通常の平行度の得ら
れるソーラースリツト114bを真空を低下さ
せることなく切替えられる様にしている。
ツトで、ターゲツト115から発生した放射状
軟X線の内、平行な成分を取り出すコリメータ
の作用を持つ。このソーラースリツトは、例え
ばミリメーター・オーダーの厚さを持ち、10ミ
クロンオーダーの微細穴を無数に具えたガラス
あるいは金属板で、発生した軟X線束の内、微
細穴を通過する平行成分以外の成分を遮断す
る。ソーラースリツトは平行の度合に応じて複
数個配置され、高解像力が要求されるマスク程
平行性の良い軟X線で照射する様にし、あまり
高い解像力が要求されないマスクを使用する場
合は多少平行度を落しても照射量の増加を計
り、照射時間の短縮を計ることができる。11
8はソーラースリツトの切替機構で、ハウジン
グの外から、高い平行度の軟X線が得られるソ
ーラースリツト114aと通常の平行度の得ら
れるソーラースリツト114bを真空を低下さ
せることなく切替えられる様にしている。
次に87は第12図に描いた中継レールで、
仕切弁9と9の内側で延びており、照射台46
がウエハホルダとマスクホルダを乗せたまま定
速で移動するのに役立つ、つまりマスクとウエ
ハは極近接状態に保持されたまま、図面に垂直
な方向へ延びた軟X線の平行束を横切つて走査
されることになり、マスクは全面照射される。
仕切弁9と9の内側で延びており、照射台46
がウエハホルダとマスクホルダを乗せたまま定
速で移動するのに役立つ、つまりマスクとウエ
ハは極近接状態に保持されたまま、図面に垂直
な方向へ延びた軟X線の平行束を横切つて走査
されることになり、マスクは全面照射される。
(6) 照射域移動
照射が完了すると照射台46は照射域移動位
置Fへ向う。第12図に示す様にもう一つの移
動台85が配置されており、縦移動レール11
9,119上を移動し得る様になつている。移
動台85の上には横移動レール120,120
が設けられており、移動台85が移動すればそ
れと共に移動する。これら部材は気密性のサブ
チヤンバ6内に収納されている。このサブチヤ
ンバ6には他にプリアライメント装置およびフ
アインアライメント装置等が設けられており、
マスクやウエハの着脱部を除けばメインチヤン
バ1と類似の構造になつている。
置Fへ向う。第12図に示す様にもう一つの移
動台85が配置されており、縦移動レール11
9,119上を移動し得る様になつている。移
動台85の上には横移動レール120,120
が設けられており、移動台85が移動すればそ
れと共に移動する。これら部材は気密性のサブ
チヤンバ6内に収納されている。このサブチヤ
ンバ6には他にプリアライメント装置およびフ
アインアライメント装置等が設けられており、
マスクやウエハの着脱部を除けばメインチヤン
バ1と類似の構造になつている。
第12図の第2の移動台85は、照射台46
が中継レール87,87の端末に来た時、これ
らレールの延長上に横移動レール120,12
0が整列する位置に静止している。71は第2
のマスクホルダーハンドで、前述したマスクホ
ルダーハンドと同様にマスクホルダ70を把持
し、ウエハホルダ47から持ち上げる機能を持
つ。
が中継レール87,87の端末に来た時、これ
らレールの延長上に横移動レール120,12
0が整列する位置に静止している。71は第2
のマスクホルダーハンドで、前述したマスクホ
ルダーハンドと同様にマスクホルダ70を把持
し、ウエハホルダ47から持ち上げる機能を持
つ。
照射域移動位置Fには第2のマスクホルダー
ハンド71の他に照射域移動リフトが配置され
ている。第21図において照射台46、横移動
レール120,120、移動台85、縦移動レ
ール119,119は前述の通りである。これ
に対し第2の移動台85には中央に開口があ
り、その部分に凹状の取付具121が設けられ
ている。そしてこの取付具121には積層され
たピエゾ素子122aと122bが取付けられ
ており、その上部には更にソレノイド123a
と123bが夫々設けられている。
ハンド71の他に照射域移動リフトが配置され
ている。第21図において照射台46、横移動
レール120,120、移動台85、縦移動レ
ール119,119は前述の通りである。これ
に対し第2の移動台85には中央に開口があ
り、その部分に凹状の取付具121が設けられ
ている。そしてこの取付具121には積層され
たピエゾ素子122aと122bが取付けられ
ており、その上部には更にソレノイド123a
と123bが夫々設けられている。
一方、照射域移動台48の底には下面が磁性
を有する材料で作られた吸着板124が支柱を
介して固定されており、支柱はウエハホルダ4
7と照射台46の底部にあけられた開口を貫通
し、また吸着板124は開口中を移動し得る。
照射域移動台48とウエハホルダ47間の着磁
力を消去した後、ピエゾ素子122aに通電す
るとピエゾ素子は伸長し、ソレノイド123a
の頭部は吸着板124を押し上げるので、照射
域移動台48はウエハホルダ47から100分の
2、3ミリメートル程度離間する。この段階
で、ソレノイド123aを作動させて照射域移
動台48を移動台85に固定し、照射台46を
横移動レール120,120に沿つて規定量送
れば、ウエハホルダ47も照射台46と伴に移
動するから、照射域移動台48はウエハホルダ
47に対して移動したことになる。即ち照射域
が変更されたわけである。
を有する材料で作られた吸着板124が支柱を
介して固定されており、支柱はウエハホルダ4
7と照射台46の底部にあけられた開口を貫通
し、また吸着板124は開口中を移動し得る。
照射域移動台48とウエハホルダ47間の着磁
力を消去した後、ピエゾ素子122aに通電す
るとピエゾ素子は伸長し、ソレノイド123a
の頭部は吸着板124を押し上げるので、照射
域移動台48はウエハホルダ47から100分の
2、3ミリメートル程度離間する。この段階
で、ソレノイド123aを作動させて照射域移
動台48を移動台85に固定し、照射台46を
横移動レール120,120に沿つて規定量送
れば、ウエハホルダ47も照射台46と伴に移
動するから、照射域移動台48はウエハホルダ
47に対して移動したことになる。即ち照射域
が変更されたわけである。
その後、ソレノイド123aへの通電を停止
し、次いでピエゾ素子122aへの給電をやめ
れば、ピエゾ素子122aは収縮し、照射域移
動台48はウエハホルダ47上に接地する。再
び照射域移動台48とウエハホルダ47を吸着
させれば、第2のプリアライメント位置Gへの
移動準備が終了する。尚、もう一組のピエゾ素
子122bとソレノイド123bは照射台が2
回目に回つて来た時の照射域移動に使用され
る。以後前述したのと同じ作業が繰り返され
る。即ち、マスクホルダ70を不図示の第2の
粗微動装置が把持してプリアライメント位置G
に移動し、その位置で移動台85に乗せられた
ウエハホルダ47と合体されてプリアライメン
トされ、フアインアライメントの後、照射が行
われる。
し、次いでピエゾ素子122aへの給電をやめ
れば、ピエゾ素子122aは収縮し、照射域移
動台48はウエハホルダ47上に接地する。再
び照射域移動台48とウエハホルダ47を吸着
させれば、第2のプリアライメント位置Gへの
移動準備が終了する。尚、もう一組のピエゾ素
子122bとソレノイド123bは照射台が2
回目に回つて来た時の照射域移動に使用され
る。以後前述したのと同じ作業が繰り返され
る。即ち、マスクホルダ70を不図示の第2の
粗微動装置が把持してプリアライメント位置G
に移動し、その位置で移動台85に乗せられた
ウエハホルダ47と合体されてプリアライメン
トされ、フアインアライメントの後、照射が行
われる。
照射域の移動はウエハアンロード位置Eにお
いても行なわれる。第4図に示された125は
照射域移動リフトで、操作は前述したリフトと
同様である。第22図Aにおいてチヤンバ7の
下面に取付けられた軸126上には積層された
ピエゾ素子127とソレノイド128が積み重
ねて取付けられている。ピエゾ素子127の伸
長でソレノイド128は吸着板124を押上げ
る。しかる後第22図Bに示す様に照射台46
とウエハホルダ47そして移動台85を縦移動
レール86に沿つて移動させる。その結果、照
射域移動台48の位置をウエハホルダ47に対
して変位させることができる。次にソレノイド
128、ピエゾ素子127への給電を断ち、照
射域移動台48とウエハホルダ47との結合を
行なう。
いても行なわれる。第4図に示された125は
照射域移動リフトで、操作は前述したリフトと
同様である。第22図Aにおいてチヤンバ7の
下面に取付けられた軸126上には積層された
ピエゾ素子127とソレノイド128が積み重
ねて取付けられている。ピエゾ素子127の伸
長でソレノイド128は吸着板124を押上げ
る。しかる後第22図Bに示す様に照射台46
とウエハホルダ47そして移動台85を縦移動
レール86に沿つて移動させる。その結果、照
射域移動台48の位置をウエハホルダ47に対
して変位させることができる。次にソレノイド
128、ピエゾ素子127への給電を断ち、照
射域移動台48とウエハホルダ47との結合を
行なう。
前述の実施例では循環路に沿つて配置された
照射チヤンバ5aと5bはそれぞれ固有のX線
管を具備していたが、1つのX線管から複数の
方向を照射し得る構成を備えた照射チヤンバに
替えることもできる。
照射チヤンバ5aと5bはそれぞれ固有のX線
管を具備していたが、1つのX線管から複数の
方向を照射し得る構成を備えた照射チヤンバに
替えることもできる。
第23図A,Bに於いて、115′はターゲ
ツト、116′,116′は電子銃である。電子
銃116′,116′を発した電子線はターゲツ
ト115′に当り、軟X線を発散する。11
4′と114″はX線発散角内に配置されたソー
ラースリツトで、その作用は前述と同様であ
る。但し、ソーラースリツト114′,11
4″の軸は傾斜しているから、照射台46を内
向きに傾斜させた状態で走査する必要がある。
本例では中継レール87,87の内、内側のレ
ールを中心に全体を傾斜させられる傾斜台13
0を設け、照射台46が横移動レール45から
中継レール87に乗り移つた処でこれらを傾け
る。走査が終了すると再び水平状態に戻して照
射台46が次の横移動レール120に乗移るの
を可能にする。尚、残りのソーラースリツト1
14″の下を通る搬送路も同様の構成となつて
おり、これらを収容した照射チヤンバをメイン
チヤンバ1とサブチヤンバ6の間に連結すれば
転写装置を構成することができる。
ツト、116′,116′は電子銃である。電子
銃116′,116′を発した電子線はターゲツ
ト115′に当り、軟X線を発散する。11
4′と114″はX線発散角内に配置されたソー
ラースリツトで、その作用は前述と同様であ
る。但し、ソーラースリツト114′,11
4″の軸は傾斜しているから、照射台46を内
向きに傾斜させた状態で走査する必要がある。
本例では中継レール87,87の内、内側のレ
ールを中心に全体を傾斜させられる傾斜台13
0を設け、照射台46が横移動レール45から
中継レール87に乗り移つた処でこれらを傾け
る。走査が終了すると再び水平状態に戻して照
射台46が次の横移動レール120に乗移るの
を可能にする。尚、残りのソーラースリツト1
14″の下を通る搬送路も同様の構成となつて
おり、これらを収容した照射チヤンバをメイン
チヤンバ1とサブチヤンバ6の間に連結すれば
転写装置を構成することができる。
又、第1図に示す実施例では、メインチヤン
バ1とサブチヤンバ6の間に1個づつ照射チヤ
ンバを配したが、各々2個あるいはそれ以上並
べて配置しても良い。この様にすれば走査速度
を速めることが可能であり、あるいは仮にX線
管の1本が故障しても、残りを使つて照射工程
を続けることができる。
バ1とサブチヤンバ6の間に1個づつ照射チヤ
ンバを配したが、各々2個あるいはそれ以上並
べて配置しても良い。この様にすれば走査速度
を速めることが可能であり、あるいは仮にX線
管の1本が故障しても、残りを使つて照射工程
を続けることができる。
更にウエハロードカセツト収納チヤンバ2は
外界に対してメインチヤンバ1内の高真空を破
らない為のみならず、外界から搬入されるウエ
ハ表面に吸蔵されていたガスを十分に放出させ
るに十分な時間だけ待機させている。しかしな
がら、ウエハが前工程のレジフト塗布装置か
ら、内部を真空に維持された大型管内を搬送さ
れて来るのであれば、チヤンバ2は搬送管とメ
インチヤンバ内の真空度の相違を調定するため
に使用されるか、あるいは省略され得る。
外界に対してメインチヤンバ1内の高真空を破
らない為のみならず、外界から搬入されるウエ
ハ表面に吸蔵されていたガスを十分に放出させ
るに十分な時間だけ待機させている。しかしな
がら、ウエハが前工程のレジフト塗布装置か
ら、内部を真空に維持された大型管内を搬送さ
れて来るのであれば、チヤンバ2は搬送管とメ
インチヤンバ内の真空度の相違を調定するため
に使用されるか、あるいは省略され得る。
以上説明したとおり本発明のX線転写装置にお
いては、エネルギ発生源とマスクとの間にエネル
ギを導出させる窓の様な部材が無いからマスクは
極めて有効に照射され、X線発生源の給電量を減
少させあるいは照射時間を短縮して高スループツ
トを達成することができる。
いては、エネルギ発生源とマスクとの間にエネル
ギを導出させる窓の様な部材が無いからマスクは
極めて有効に照射され、X線発生源の給電量を減
少させあるいは照射時間を短縮して高スループツ
トを達成することができる。
尚、上述の実施例ではメインチヤンバに搬入さ
れる前に、マスクおよびウエハはカセツト収納チ
ヤンバの真空中に一旦放置されるから、マスクお
よびウエハの吸蔵ガスはこのチヤンバ内で放出さ
れ、従つてメインチヤンバの真空度が乱されるこ
とはない。また、マスクと照射系のターゲツトと
の間にはソーラースリツトを有する隔壁が配さ
れ、ソーラースリツトの開口は極めて微細である
から、ターゲツト附近で生じたガスがマスク側に
悪影響を与えることはない。
れる前に、マスクおよびウエハはカセツト収納チ
ヤンバの真空中に一旦放置されるから、マスクお
よびウエハの吸蔵ガスはこのチヤンバ内で放出さ
れ、従つてメインチヤンバの真空度が乱されるこ
とはない。また、マスクと照射系のターゲツトと
の間にはソーラースリツトを有する隔壁が配さ
れ、ソーラースリツトの開口は極めて微細である
から、ターゲツト附近で生じたガスがマスク側に
悪影響を与えることはない。
第1図は、本発明に従つて構成されたX線転写
装置の平面図、第2図は、第1図の−線に沿
つた図、第3図は、第1図の−線に沿つた
図、第4図は第1図の−線に沿つた図、第5
図はマスクの平面図、第6図はマスクとウエハを
重ねた状態を示した図、第7図はウエハ搬入装置
の概略図、第8図はウエハハンドの概略図、第9
図はウエハの平行平面出し機構を説明するための
図、第10図はウエハ搬出装置の概略図、第11
図はウエハのアンロードを説明するための図、第
12図は移動台および照射台を照射するための
図、第13図は粗微動装置の斜視図、第14図は
粗微動装置の詳細図、第15図は粗動機構の詳細
図、第16図は粗微動調整を説明するための図、
第17図はマスクホルダとウエハホルダを重ね合
せた状態を示した図、第18図はプリアライメン
ト用の光学顕微鏡の光学系の概略図、第19図は
プリアライメント用の光学顕微鏡でマスクとウエ
ハのアライメントをしている状態を示した図、第
20図はフアインアライメント用電子顕微鏡の概
略図、第21図は照射域移動位置Fにおける照射
域移動を説明するための図、第22図AおよびB
はそれぞれ、照射域移動リフトによるウエハの照
射域移動を説明するための図、第23図Aおよび
Bはそれぞれ、1つのX線源によつて複数のマス
クを照射するための構成を示した図、第24図は
X線の強度とエネルギとの関係を示した図であ
る。 1……メインチヤンバ、2……ウエハロードカ
セツト収納チヤンバ、3……ウエハアンロードカ
セツト収納チヤンバ、4……マスクカセツト収納
チヤンバ、5a,5b……照射チヤンバ、6……
サブチヤンバ、12……ウエハ、16……マス
ク。
装置の平面図、第2図は、第1図の−線に沿
つた図、第3図は、第1図の−線に沿つた
図、第4図は第1図の−線に沿つた図、第5
図はマスクの平面図、第6図はマスクとウエハを
重ねた状態を示した図、第7図はウエハ搬入装置
の概略図、第8図はウエハハンドの概略図、第9
図はウエハの平行平面出し機構を説明するための
図、第10図はウエハ搬出装置の概略図、第11
図はウエハのアンロードを説明するための図、第
12図は移動台および照射台を照射するための
図、第13図は粗微動装置の斜視図、第14図は
粗微動装置の詳細図、第15図は粗動機構の詳細
図、第16図は粗微動調整を説明するための図、
第17図はマスクホルダとウエハホルダを重ね合
せた状態を示した図、第18図はプリアライメン
ト用の光学顕微鏡の光学系の概略図、第19図は
プリアライメント用の光学顕微鏡でマスクとウエ
ハのアライメントをしている状態を示した図、第
20図はフアインアライメント用電子顕微鏡の概
略図、第21図は照射域移動位置Fにおける照射
域移動を説明するための図、第22図AおよびB
はそれぞれ、照射域移動リフトによるウエハの照
射域移動を説明するための図、第23図Aおよび
Bはそれぞれ、1つのX線源によつて複数のマス
クを照射するための構成を示した図、第24図は
X線の強度とエネルギとの関係を示した図であ
る。 1……メインチヤンバ、2……ウエハロードカ
セツト収納チヤンバ、3……ウエハアンロードカ
セツト収納チヤンバ、4……マスクカセツト収納
チヤンバ、5a,5b……照射チヤンバ、6……
サブチヤンバ、12……ウエハ、16……マス
ク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マスクおよびウエハにX線を照射することに
よつて、マスクに形成されたパターンをウエハに
露光転写するX線転写装置であつて、 マスクおよびウエハを内部に収容し、内部を減
圧した状態で、X線源から生成されたX線を収容
するマスクおよびウエハに照射するための照射チ
ヤンバと、 複数のウエハを収納する収納部を内部に有し、
前記照射チヤンバとは独立して内部を減圧し得る
収納チヤンバと、 前記照射チヤンバと前記収納チヤンバとの間で
ウエハを移送する搬送機構と を有することを特徴とするX線転写装置。 2 マスクおよびウエハにX線を照射することに
よつて、マスクに形成されたパターンをウエハに
露光転写するX線転写装置であつて、 マスクおよびウエハを内部に収容し、内部を減
圧した状態で、X線源から生成されたX線を収容
するマスクおよびウエハに照射するための照射チ
ヤンバと、 複数のマスクを収納する収納部を内部に有し、
前記照射チヤンバとは独立して内部を減圧し得る
収納チヤンバと、 前記照射チヤンバと前記収容チヤンバとの間で
マスクを移送する搬送機構と を有することを特徴とするX線転写装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033611A JPS60178627A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | X線転写装置 |
| GB08418145A GB2155201B (en) | 1984-02-24 | 1984-07-17 | An x-ray exposure apparatus |
| DE19843429084 DE3429084A1 (de) | 1984-02-24 | 1984-08-07 | Roentgenstrahlen-belichtungsgeraet |
| US07/714,353 US5164974A (en) | 1984-02-24 | 1991-06-12 | X-ray exposure apparatus |
| JP5078167A JPH07123110B2 (ja) | 1984-02-24 | 1993-04-05 | X線転写装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033611A JPS60178627A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | X線転写装置 |
| JP5078167A JPH07123110B2 (ja) | 1984-02-24 | 1993-04-05 | X線転写装置及び方法 |
Related Child Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59061335A Division JPS60178632A (ja) | 1984-02-24 | 1984-03-28 | 排気室 |
| JP59061334A Division JPS60178631A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | X線転写装置 |
| JP59069595A Division JPS60178112A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | ウエハ搬送装置 |
| JP5078167A Division JPH07123110B2 (ja) | 1984-02-24 | 1993-04-05 | X線転写装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178627A JPS60178627A (ja) | 1985-09-12 |
| JPH0570927B2 true JPH0570927B2 (ja) | 1993-10-06 |
Family
ID=26372337
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59033611A Granted JPS60178627A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | X線転写装置 |
| JP5078167A Expired - Fee Related JPH07123110B2 (ja) | 1984-02-24 | 1993-04-05 | X線転写装置及び方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5078167A Expired - Fee Related JPH07123110B2 (ja) | 1984-02-24 | 1993-04-05 | X線転写装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS60178627A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274054A (ja) | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Canon Inc | 露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造工場 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52113167A (en) * | 1976-03-19 | 1977-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X-ray exposing device |
| JPS5855659B2 (ja) * | 1976-03-30 | 1983-12-10 | 株式会社東芝 | 軟x線転写装置 |
| JPS53149767A (en) * | 1977-06-02 | 1978-12-27 | Sony Corp | X-ray exposing device |
| JPS55127020A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | X-ray exposure device |
| JPS5645024A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Lithography apparatus |
| JPS5769739A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-28 | Fujitsu Ltd | Exposing method and device for x-ray |
| JPS57169242A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | X-ray transferring device |
| EP0083394B1 (en) * | 1981-12-31 | 1986-04-09 | International Business Machines Corporation | A method and apparatus for providing a uniform illumination of an area |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP59033611A patent/JPS60178627A/ja active Granted
-
1993
- 1993-04-05 JP JP5078167A patent/JPH07123110B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0620927A (ja) | 1994-01-28 |
| JPH07123110B2 (ja) | 1995-12-25 |
| JPS60178627A (ja) | 1985-09-12 |
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