JPH0573188B2 - - Google Patents
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- JPH0573188B2 JPH0573188B2 JP31123686A JP31123686A JPH0573188B2 JP H0573188 B2 JPH0573188 B2 JP H0573188B2 JP 31123686 A JP31123686 A JP 31123686A JP 31123686 A JP31123686 A JP 31123686A JP H0573188 B2 JPH0573188 B2 JP H0573188B2
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光エネルギーの照射で試料から放出
される電子の数を計数する電子計数装置に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an electronic counting device that counts the number of electrons emitted from a sample upon irradiation with light energy.
(従来技術)
従来、例えば半導体等の試料表面の酸化膜等の
膜厚を計測する方法として、試料表面に所定波長
の単波長光を照射し、光の照射により試料上の薄
膜を通つて外部に放出される電子を電子検出部に
より計数して膜厚を計測する方法が知られており
(特願昭59−118818号等)、この装置の応用として
アルミニウム等の金属材料の表面に光を照射した
ときに放出される電子の数を計測することで金属
材料の仕事関数を測定できるようにした電子計数
装置が提案されている。(Prior art) Conventionally, as a method for measuring the thickness of an oxide film or the like on the surface of a sample such as a semiconductor, the sample surface is irradiated with single-wavelength light of a predetermined wavelength. A method is known in which film thickness is measured by counting the electrons emitted by an electron detector using an electron detection unit (Japanese Patent Application No. 118818/1981, etc.), and an application of this device is to apply light to the surface of metal materials such as aluminum. An electronic counting device has been proposed that can measure the work function of a metal material by measuring the number of electrons emitted when it is irradiated.
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、このような電子計数装置により
例えばアルミニウムの仕事関数3.5eVを計測する
ためにモノクロメータから150nm〜500nmの範囲
で波長を変えて単波長光を照射した場合、第7図
の実線に示すような電子計数率が得られる。(Problem to be solved by the invention) However, in order to measure the work function of aluminum, for example 3.5 eV, using such an electronic counting device, a monochromator irradiates a single wavelength light with the wavelength changed in the range of 150 nm to 500 nm. In this case, an electron counting rate as shown by the solid line in FIG. 7 is obtained.
しかし、アルミニウムの仕事関数は3.5eVであ
ることから350nm以下の単一波長光を照射したと
きに破線で示すように初めて電子計数率が得られ
るはずであるが、実際には、第7図の実線で示す
ように、350nmより大きい波長域の単波長を照射
したときにも電子計数率が得られ、本来、破線で
示すように350nm以下の波長域の単波長光の照射
による電子計数率が得られるという測定結果が実
現できなかつた。 However, since the work function of aluminum is 3.5 eV, the electron count rate should be obtained only when irradiated with a single wavelength light of 350 nm or less, as shown by the broken line, but in reality, the electron count rate shown in Figure 7 is As shown by the solid line, the electron count rate is obtained even when irradiated with a single wavelength light in the wavelength range larger than 350 nm, and originally, as shown by the broken line, the electron count rate is obtained by irradiation with single wavelength light in the wavelength range below 350 nm. The measurement results that were expected to be obtained could not be achieved.
そこで、本願発明者にあつては、その原因を究
明すべく種々の実験を考察を重ねたところ、その
原因がモノクロメータの分光特性にあるとの結論
に至つた。 Therefore, the inventor of the present application conducted various experiments to investigate the cause of this, and came to the conclusion that the cause lies in the spectral characteristics of the monochromator.
即ち、モノクロメータは本来、所定の中心波長
に光強度が集中した単波長光を出射するものであ
るが、実際には、例えば360nmの単波長光の周波
数スペクトラムを見ると、第8図に示すように、
波長360nmの基本スペクトル成分に対しその半分
の波長180nmに二次光としてのスペクトル成分を
生じており、仕事関数3.5eVのアルミニウムにあ
つては、360nmの単一波長光を照射したときには
本来、電子放出がないはずであるが、この180nm
の二次光成分により電子が放出され、誤つた電子
計数率を生ずることが確認された。 In other words, a monochromator originally emits single-wavelength light whose light intensity is concentrated at a predetermined center wavelength, but in reality, when looking at the frequency spectrum of single-wavelength light of, for example, 360 nm, the frequency spectrum shown in Figure 8 is shown. like,
In contrast to the fundamental spectral component with a wavelength of 360 nm, a spectral component as secondary light is generated at half the wavelength of 180 nm, and when aluminum with a work function of 3.5 eV is irradiated with light of a single wavelength of 360 nm, it naturally generates electrons. There should be no emission, but this 180nm
It was confirmed that electrons were emitted due to the secondary light component of , causing an erroneous electron count rate.
(問題点を解決するための手段)
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてな
されたもので、モノクロメータから出射される単
波長光に含まれる二次光成分を取り除いて測定試
料の仕事関数に依存した正確な電子数の計数がで
きるようにした電子計数装置を提供することを目
的とする。(Means for Solving the Problems) The present invention has been made in view of such conventional problems, and it removes the secondary light component contained in the single wavelength light emitted from the monochromator to obtain a measurement sample. An object of the present invention is to provide an electronic counting device that can accurately count the number of electrons depending on the work function of the electron.
この目的を達成するため本発明にあつては、モ
ノクロメータを備えた光源装置から所定波長域の
単波長光を試料に照射し、試料から放出される電
子を電子検出部内に導入して電子の数を計数する
電子計数装置に於いて、光源装置から照射される
単波長光に含まれる2分の1波長となる二次光成
分を除去するフイルターを設けるようにしたもの
である。 In order to achieve this object, the present invention irradiates a sample with single wavelength light in a predetermined wavelength range from a light source device equipped with a monochromator, and introduces the electrons emitted from the sample into an electron detection section to generate electrons. In an electronic counting device for counting numbers, a filter is provided to remove a secondary light component having a half wavelength contained in a single wavelength light emitted from a light source device.
(作用)
このような本発明の構成によれば、例えばモノ
クロメータを備えた光源装置から試料に照射する
単波長光の波長域が200nm〜400nmであつた場
合、上限波長400nmの二次光成分が200nmに位置
することから、200nm以下の波長成分をカツトす
るフイルターを設けることにより、測定波長域
200nm〜400nmにある任意の単波長光の照射につ
いて二次光成分を除去することができ、二次光成
分に影響されることなく試料の仕事関数に依存し
た波長光の照射から正確に放出電子の数を計数す
ることができる。(Function) According to the configuration of the present invention, for example, when the wavelength range of single-wavelength light irradiated onto a sample from a light source device equipped with a monochromator is 200 nm to 400 nm, the secondary light component with an upper limit wavelength of 400 nm is located at 200nm, so by installing a filter that cuts wavelength components below 200nm, the measurement wavelength range can be reduced.
The secondary light component can be removed from irradiation with any single wavelength light between 200nm and 400nm, and the emitted electrons can be accurately detected from the irradiation with wavelength light that depends on the work function of the sample without being affected by the secondary light component. can be counted.
(実施例)
第1図は本発明の一実施例を示した説明図であ
る。(Example) FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of the present invention.
まず構成を説明すると、1は電子検出部であ
り、下部に検出窓2を開口した金属製のケース3
を有し、このケース3はアースされている。ケー
ス3内には陽極リング4が配置され、陽極リング
4には高圧電源23が接続され、例えば3.4KVの
高電圧が印加されている。陽極リング4とケース
3の間には第1格子電極5が配置され、第1格子
電極には例えば100Vの電圧が印加される。更に、
第1格子電極の外側には第2格子電極6が配置さ
れ、第2格子電極には例えば80Vの電圧が印加さ
れている。 First, to explain the configuration, 1 is an electron detection section, which is made of a metal case 3 with a detection window 2 opened at the bottom.
The case 3 is grounded. An anode ring 4 is disposed within the case 3, and a high voltage power source 23 is connected to the anode ring 4, to which a high voltage of, for example, 3.4 KV is applied. A first grid electrode 5 is arranged between the anode ring 4 and the case 3, and a voltage of 100V, for example, is applied to the first grid electrode. Furthermore,
A second grid electrode 6 is arranged outside the first grid electrode, and a voltage of 80V, for example, is applied to the second grid electrode.
一方、電子検出部1に対し分離配置された光源
装置11には、光源12が設けられ、光源12か
らの光を単波長光に変換するモノクロメータ13
が設けられる。更に、モノクロメータ13の前後
には光量調整用のスリツト14,15が設けら
れ、スリツト14,15により光強度が調整され
たモノクロメータ13からの単波長光を試料10
の表面に斜め上方より照射している。 On the other hand, a light source device 11 arranged separately from the electronic detection section 1 is provided with a light source 12, and a monochromator 13 that converts the light from the light source 12 into single wavelength light.
will be provided. Further, slits 14 and 15 for adjusting the light intensity are provided before and after the monochromator 13, and the single wavelength light from the monochromator 13 whose light intensity is adjusted by the slits 14 and 15 is applied to the sample 10.
The surface is irradiated diagonally from above.
更に、光源装置11の前部にはフイルタ装置3
0が設けられ、フイルタ装置30は第1a図に示
すように、回転円板32の4箇所に二次光カツト
用のフイルタ34a,34b,34c,34dを
装着しており、例えば光源装置11に設けたモノ
クロメータ13による単色波長光の可変波長域が
150nm〜600nmであつたとすると、フイルタ34
aは波長150nm以下をカツトする特性をもち、ま
たフイルタ34bは波長200nm以下をカツトする
特性をもち、フイルタ34cは波長250nm以下を
カツトする特性をもち、更にフイルタ34dは
300nm以下をカツトする特性をもつ。そこで計測
対象となる試料10の仕事関数で定まる所定波長
の半分となる波長以下について遮断特性を備えた
フイルタを選択して使用するようになる。例えば
仕事関数が3.5eVとなるアルミニウムを測定対象
として単波長光の波長域を200〜400nmで変化さ
せる場合、波長400nm〜350nmの範囲で二次光に
よる電子放出を行なわせないためには、200nm以
下の波長域をカツトするフイルタ34dを選択す
れば良い。 Furthermore, a filter device 3 is provided at the front of the light source device 11.
As shown in FIG. 1a, the filter device 30 is equipped with filters 34a, 34b, 34c, and 34d for cutting secondary light at four locations on the rotating disk 32. The variable wavelength range of monochromatic wavelength light by the installed monochromator 13 is
If it is 150nm to 600nm, filter 34
Filter a has a characteristic of cutting wavelengths of 150 nm or less, filter 34b has a characteristic of cutting wavelengths of 200 nm or less, filter 34c has a characteristic of cutting wavelengths of 250 nm or less, and filter 34d has a characteristic of cutting wavelengths of 250 nm or less.
It has the property of cutting out wavelengths of 300nm or less. Therefore, a filter is selected and used that has cutoff characteristics for wavelengths equal to or less than half of a predetermined wavelength determined by the work function of the sample 10 to be measured. For example, when measuring aluminum with a work function of 3.5 eV and changing the wavelength range of single wavelength light from 200 to 400 nm, in order to prevent electron emission due to secondary light in the wavelength range of 400 nm to 350 nm, 200 nm It is sufficient to select a filter 34d that cuts out the following wavelength ranges.
再び第1図を参照するに、計測回路部としては
電子検出部の陽極リング4にコンデンサCを介し
て接続された増幅器18を備え、増幅器18の出
力と第1格子電極5との間には第1パルス発生器
20が設けられる。第1パルス発生器20は第2
図aに示すように、陽極リング4にパルス電圧が
発生したときに、第1格子電極5に例えば所定の
時間幅Te=3msで300Vアツプした矩形波パルス
を送り、第1格子電極を第2図bに示すように
100Vから400Vに増加させる。 Referring again to FIG. 1, the measurement circuit section includes an amplifier 18 connected to the anode ring 4 of the electron detection section via a capacitor C, and between the output of the amplifier 18 and the first grid electrode 5. A first pulse generator 20 is provided. The first pulse generator 20
As shown in FIG. As shown in figure b
Increase from 100V to 400V.
また、増幅器18の出力と第2格子電極6との
間には第2パルス発生器22が設けられ、第2パ
ルス発生器22は第2図aに示すように、陽極リ
ングにパルス電圧が発生したとき、例えば時間幅
Teで−110Vダウンした矩形波パルスを第2格子
電極6に供給し、第2図cに示すように、第2格
子電極6の電圧を80Vから−30Vまで低下させ
る。 Further, a second pulse generator 22 is provided between the output of the amplifier 18 and the second grid electrode 6, and the second pulse generator 22 generates a pulse voltage on the anode ring as shown in FIG. For example, the time range
A rectangular wave pulse lowered by -110V at Te is supplied to the second grid electrode 6, and the voltage of the second grid electrode 6 is lowered from 80V to -30V, as shown in FIG. 2c.
尚、第1及び第2パルス発生器20,22で発
生する矩形波パルスの時間幅Te及び波高電圧は
任意に設定することができる。 Note that the time width Te and peak voltage of the rectangular wave pulses generated by the first and second pulse generators 20 and 22 can be set arbitrarily.
24は増幅器18の出力に接続された計数手段
であり、計数手段24は陽極リング4に発生した
パルス電圧の数を計数し、例えば単位時間当りの
計数率(cps)を出力する。計数手段24で計数
されたパルス数、即ち計数率は表示手段28に与
えられ、光源装置11からの所定単波長光におけ
る計数率を表示する。 24 is a counting means connected to the output of the amplifier 18, and the counting means 24 counts the number of pulse voltages generated in the anode ring 4, and outputs, for example, a counting rate per unit time (cps). The number of pulses counted by the counting means 24, that is, the counting rate, is given to the display means 28, which displays the counting rate for the predetermined single wavelength light from the light source device 11.
次に、第1図の実施例の作用を説明する。 Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be explained.
今、試料10として仕事関数3.5eVをもつアル
ミニウムを用いたとすると、光源装置11に設け
たモノクロメータ13により400nm〜200nmの範
囲で単波長光を走査させる。一方、フイルタ装置
30については、測定波長域の上限波長400nmか
ら試料としてのアルミニウムの仕事関数3.5eVに
応じた電子放出が開始される波長350nmの間にお
ける二次光による誤つた電子放出を防ぐため、上
限波長400nmの二次光(波長200nm)をカツトす
る200nm以下にカツト特性をもつたフイルタ34
bを光源装置11の前面に位置するように選択す
る。 Now, assuming that aluminum having a work function of 3.5 eV is used as the sample 10, a monochromator 13 provided in the light source device 11 scans a single wavelength light in the range of 400 nm to 200 nm. On the other hand, the filter device 30 is used to prevent erroneous electron emission due to secondary light between the upper limit wavelength of the measurement wavelength range of 400 nm and the wavelength of 350 nm, at which electron emission starts according to the work function of aluminum as a sample of 3.5 eV. , a filter 34 having a characteristic of cutting secondary light (wavelength 200 nm) with an upper limit wavelength of 400 nm to 200 nm or less.
b is selected so as to be located in front of the light source device 11.
このようなフイルタ装置30の選択状態で光源
装置11より所定波長の単色光が試料10に照射
されると、アルミニウムの外殻電子を外部に放出
する仕事関数3.5eVに対応した350nm以下の波長
をもつ単波長光の照射を受けたときにアルミニウ
ムより電子が放出される。 When the sample 10 is irradiated with monochromatic light of a predetermined wavelength from the light source device 11 in such a selected state of the filter device 30, a wavelength of 350 nm or less corresponding to a work function of 3.5 eV for emitting outer shell electrons of aluminum to the outside is emitted. Electrons are emitted from aluminum when it is irradiated with single wavelength light.
このような試料10としてのアルミニウムから
の電子放出に対し、初期状態において電子検出部
1の第1格子電極5は例えば100V、第2格子電
極は例えば80Vに設定されており、試料10から
放出された電子は検出窓2から電子検出部1内に
入り、第2格子電極6及び第1格子電極5を通過
し、高電圧が印加された陽極リング4に引き寄せ
られる。放出電子が陽極リング4に近づくと陽極
リング4の近傍には高電圧によつて強い電界が発
生しているため、この電界により電子が加速され
て気体放電現象を引き起こす。この結果、気体放
電により陽極リング4に印加されている電圧は第
2図aに示すように低下し、電圧パルスが発生す
る。 Regarding electron emission from aluminum as the sample 10, in the initial state, the first grid electrode 5 of the electron detection unit 1 is set to, for example, 100V, and the second grid electrode is set to, for example, 80V. The electrons enter the electron detection unit 1 through the detection window 2, pass through the second grid electrode 6 and the first grid electrode 5, and are attracted to the anode ring 4 to which a high voltage is applied. When the emitted electrons approach the anode ring 4, a strong electric field is generated near the anode ring 4 due to the high voltage, so the electrons are accelerated by this electric field and cause a gas discharge phenomenon. As a result, the voltage applied to the anode ring 4 due to the gas discharge decreases as shown in FIG. 2a, and a voltage pulse is generated.
陽極リングに発生した電圧パルスは増幅器18
で増幅後、第1パルス発生器20及び第2パルス
発生器22に与えられ、それぞれ矩形波パルスを
発生する。即ち、第1パルス発生器は電圧が
300Vで時間幅がTeの矩形波パルスを発生して第
1格子電極5に印加し、第1格子電極の電圧を
100Vから400Vに増加させる。この結果、陽極リ
ング4と第1格子電極5との間の電子差が300V
だけ低下し、これによつて気体放電作用により生
じた光や陽イオンによる二次電子は放電電位に達
することができず、なだれ的な放電が阻止され
る。 The voltage pulse generated on the anode ring is transmitted to the amplifier 18.
After being amplified at , it is applied to a first pulse generator 20 and a second pulse generator 22, each of which generates a rectangular wave pulse. That is, the first pulse generator has a voltage of
A rectangular wave pulse of 300V and a time width of Te is generated and applied to the first grid electrode 5 to increase the voltage of the first grid electrode.
Increase from 100V to 400V. As a result, the electron difference between the anode ring 4 and the first grid electrode 5 is 300V.
As a result, secondary electrons caused by light and cations generated by the gas discharge action cannot reach the discharge potential, and an avalanche of discharge is prevented.
一方、第2パルス発生器22は時間幅Teに亘
つて−110Vとなる矩形波パルスを第2格子電極
6に印加し、第2格子電極6の電圧を80Vから−
30Vに下げる。この結果、増幅作用を伴う気体放
電によつて発生した陽イオンが第2格子電極で補
足されて中和され、これによつて陽イオンは試料
10に到達して低エネルギー電子の放出作用に影
響を及ぼすことを防ぎ、同時に外部からの電子が
電子検出部1に入射するのを遮断する。 On the other hand, the second pulse generator 22 applies a rectangular wave pulse of -110V to the second grid electrode 6 over a time width Te, and changes the voltage of the second grid electrode 6 from 80V to -
Lower it to 30V. As a result, the cations generated by the gas discharge accompanied by the amplification effect are captured and neutralized by the second grid electrode, whereby the cations reach the sample 10 and affect the emission effect of low-energy electrons. At the same time, it blocks electrons from entering the electron detection section 1 from outside.
以下同様に試料10から電子が放出される毎に
同じ動作が繰り返され、電子を導入する毎に得ら
れた陽極リング4の電圧パルスを計数手段24で
計数して表示手段28に計数率を表示するように
なる。 Thereafter, the same operation is repeated every time an electron is emitted from the sample 10, and the voltage pulse of the anode ring 4 obtained each time an electron is introduced is counted by the counting means 24, and the counting rate is displayed on the display means 28. I come to do it.
第3図は波長200nm以下の光をカツトするフイ
ルタ34bを用いたときの波長に対する計数率の
関係を示したグラフであり、フイルタを使用して
いない場合には、二次光による電子放出が行なわ
れることから、破線で示す誤つた計数率の波長特
性となるが、波長200nmをカツトするフイルタを
用いることで実線で示す測定結果が得られる。こ
の場合、試料10として仕事関数3.5eVのアルミ
ニウムを対象としていることから、波長400nm以
下の単波長光の二次光についてフイルタによる二
次光の遮断特性が得られ、波長400nm〜350nm付
近まではバツクグラウンドノイズによる計数率の
みであり、波長350nmに至ると、電子放出が開始
されて波長の低下に伴つて計数率が増加し、フイ
ルタカツト特性で定まる200nmが単波長に至ると
計数率は再びバツクグラウンドノイズに落ち込む
ようになる。 Figure 3 is a graph showing the relationship between the counting rate and the wavelength when a filter 34b that cuts out light with a wavelength of 200 nm or less is used.If the filter is not used, electrons are emitted by secondary light. This results in a wavelength characteristic with an erroneous count rate shown by the broken line, but by using a filter that cuts out the wavelength of 200 nm, the measurement result shown by the solid line can be obtained. In this case, since aluminum with a work function of 3.5 eV is used as sample 10, the secondary light blocking characteristic of the filter can be obtained for the secondary light of single wavelength light with a wavelength of 400 nm or less, and the filter can block the secondary light with a wavelength of 400 nm to around 350 nm. The counting rate is only due to background noise, and when the wavelength reaches 350 nm, electron emission starts and the counting rate increases as the wavelength decreases, and when 200 nm, which is determined by the filter cut characteristics, reaches a single wavelength, the counting rate backs up again. The ground noise becomes depressing.
この第3図の計測結果から明らかなように、測
定試料の仕事関数で定まる電子放出が開始される
波長を越える上限波長の二次光成分をカツトする
フイルタを使用することで、二次光の影響を受け
ない所定波長範囲における計数率の変化特性を得
ることができ、この波長に対する計数率の関係か
ら測定試料の仕事関数を正確に知ることができ
る。 As is clear from the measurement results shown in Figure 3, by using a filter that cuts out the secondary light component with an upper limit wavelength that exceeds the wavelength at which electron emission starts, which is determined by the work function of the measurement sample, the secondary light component can be reduced. It is possible to obtain the change characteristics of the count rate in a predetermined wavelength range that is not affected, and it is possible to accurately know the work function of the measurement sample from the relationship between the count rate and the wavelength.
第4図は波長400nm付近に電子放出開始波長を
もつた適宜の金属試料の計数結果を示したグラフ
図であり、この場合には走査波長域を300nm〜
600nmとし、上限波長600nmの二次光となる
300nm以下を遮断するフイルタ34dを選択する
ことでフイルタを用いない破線で示す従来の測定
結果に対し実線で示す正しい測定結果を得ること
ができる。 Figure 4 is a graph showing the counting results of a suitable metal sample with an electron emission start wavelength near 400 nm; in this case, the scanning wavelength range is from 300 nm to
600nm, and the secondary light has an upper limit wavelength of 600nm.
By selecting the filter 34d that blocks light of 300 nm or less, it is possible to obtain correct measurement results shown by the solid line, as opposed to the conventional measurement results shown by the broken line in which no filter is used.
尚、上記の実施例にあつては、光源装置11の
前部に所定の単波長光の二次光を遮断するフイル
タを設ける場合を例にとるものであつたが、フイ
ルタの代わりに光フアイバーを通して試料10に
所定の単波長光を照射することで、同様に二次光
成分を除去することができる。即ち、光フアイバ
ーにあつては、その組成若しくは成分により透過
できる光の波長域が異なるため、仕事関数の計測
に使用する波長域の二次光成分をカツトできるよ
うな特性の光フアイバーを選択して光源装置1か
らの光を試料10に照射することで、二次光カツ
トフイルタを入れたと同様な測定結果を得ること
ができる。 Incidentally, in the above embodiment, an example was taken in which a filter was provided in the front part of the light source device 11 to block secondary light of a predetermined single wavelength light, but an optical fiber was used instead of the filter. By irradiating the sample 10 with predetermined single-wavelength light through the lens, the secondary light component can be similarly removed. That is, since the wavelength range of light that can be transmitted by optical fibers differs depending on their composition or components, an optical fiber with characteristics that can cut out secondary light components in the wavelength range used for measuring the work function should be selected. By irradiating the sample 10 with light from the light source device 1, it is possible to obtain measurement results similar to those obtained by inserting a secondary light cut filter.
第5,6図は本発明で用いるフイルタ装置30
の他の実施例を示したもので、第6図の実施例に
あつては、フイルター板上に4つの二次光カツト
フイルタ34a〜34dを並べて矢印の方向にス
ライドすることで切換えており、また第6図の実
施例にあつては、二次光カツトフイルタ34a〜
34dを備えたリング部材を光源からの光の通過
位置に選択的に回動するようにしている。 Figures 5 and 6 show a filter device 30 used in the present invention.
In the embodiment shown in FIG. 6, four secondary light cut filters 34a to 34d are arranged on a filter plate and switched by sliding in the direction of the arrow. In the embodiment of FIG. 6, the secondary light cut filters 34a-
The ring member 34d is selectively rotated to a position through which light from the light source passes.
(発明の効果)
以上説明してきたように本発明によれば、モノ
クロメータを備えた光源装置から所定波長範囲の
単波長光を試料に照射し、試料から放出される電
子を電子検出部内に導入して電子の数を計数する
電子計数装置において、光源装置から照射される
単波長光に含まれる1/2波長となる二次光成分を
除去するフイルタを設けるようにしたため、モノ
クロメータからの単波長光に二次光成分が含まれ
ていても、この二次光成分を除去して所定単波長
光のみによる正確な電子放出を行なつて正確な電
子数の計数結果を得ることができ、特定波長から
の電子数の計数開始を正確に知つて測定試料の仕
事関数を正確に割り出すことができる。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, a sample is irradiated with single wavelength light in a predetermined wavelength range from a light source device equipped with a monochromator, and electrons emitted from the sample are introduced into the electron detection section. In the electronic counting device that counts the number of electrons, a filter is installed to remove the secondary light component of 1/2 wavelength included in the single wavelength light emitted from the light source device. Even if the wavelength light contains a secondary light component, it is possible to remove this secondary light component and perform accurate electron emission using only the predetermined single wavelength light, thereby obtaining an accurate counting result of the number of electrons. By accurately knowing when to start counting the number of electrons from a specific wavelength, it is possible to accurately determine the work function of the measurement sample.
第1図は本発明の一実施例を示した説明図、第
2図は電子計数部における各電極の電圧波形を示
した信号波形図、第3,4図は本発明の二次光カ
ツトフイルタの使用により得られた波長に対する
電子計数率の計測結果を示したグラフ図、第5,
6図は本発明で用いるフイルタ装置の他の実施例
を示した説明図、第7図は従来の波長に対する電
子計数率の測定結果を示したグラフ図、第8図は
モノクロメータによる単波長光の波長スペクトル
を示した説明図である。
1…電子検出部、2…検出窓、3…ケース、4
…陽極リング、5…第1格子電極、6…第2格子
電極、10…試料、11…光源装置、12…光
源、13…モノクロメータ、14,15…スリツ
ト、18…増幅器、20…第1パルス発生器、2
2…第2パルス発生器、24…計数手段、28…
表示手段、30…フイルタ装置、32…回転板、
34a〜34d…二次光カツトフイルタ。
Fig. 1 is an explanatory diagram showing one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a signal waveform diagram showing the voltage waveform of each electrode in the electronic counting section, and Figs. 3 and 4 are diagrams of the secondary optical cut filter of the present invention. Graph showing the measurement results of the electron count rate with respect to the wavelength obtained by using it, No. 5,
Fig. 6 is an explanatory diagram showing another embodiment of the filter device used in the present invention, Fig. 7 is a graph showing measurement results of the electron count rate for conventional wavelengths, and Fig. 8 is a diagram showing the measurement results of a single wavelength light using a monochromator. FIG. 2 is an explanatory diagram showing a wavelength spectrum of FIG. 1...Electronic detection unit, 2...Detection window, 3...Case, 4
... Anode ring, 5... First grid electrode, 6... Second grid electrode, 10... Sample, 11... Light source device, 12... Light source, 13... Monochromator, 14, 15... Slit, 18... Amplifier, 20... First Pulse generator, 2
2...Second pulse generator, 24...Counting means, 28...
Display means, 30... Filter device, 32... Rotating plate,
34a to 34d...Secondary light cut filter.
Claims (1)
長範囲の単波長光を試料に照射し、該試料から放
出される電子を電子検出部内に導入して電子の数
を計数する電子計数装置に於いて、 前記光源装置から照射される単波長光に含まれ
る2分の1波長となる二次光成分を除去するフイ
ルターを設けたことを特徴とする電子計数装置。[Claims] 1. An electron device that irradiates a sample with single wavelength light in a predetermined wavelength range from a light source device equipped with a monochromator, introduces electrons emitted from the sample into an electron detection unit, and counts the number of electrons. An electronic counting device comprising: a filter for removing a secondary light component having a half wavelength included in the single wavelength light emitted from the light source device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31123686A JPS63167253A (en) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Electronic counting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31123686A JPS63167253A (en) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Electronic counting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63167253A JPS63167253A (en) | 1988-07-11 |
| JPH0573188B2 true JPH0573188B2 (en) | 1993-10-13 |
Family
ID=18014729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31123686A Granted JPS63167253A (en) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Electronic counting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63167253A (en) |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP31123686A patent/JPS63167253A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63167253A (en) | 1988-07-11 |
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