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JPH0583122B2 - - Google Patents
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JPH0583122B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0583122B2
JPH0583122B2 JP63130381A JP13038188A JPH0583122B2 JP H0583122 B2 JPH0583122 B2 JP H0583122B2 JP 63130381 A JP63130381 A JP 63130381A JP 13038188 A JP13038188 A JP 13038188A JP H0583122 B2 JPH0583122 B2 JP H0583122B2
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JP
Japan
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rays
ray
optical element
reflected
ray optical
Prior art date
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JP63130381A
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Japanese (ja)
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JPH01301153A (en
Inventor
Ryohei Yokoyama
Mitsuo Sumya
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、例えばX線用の斜め入射ミラーや多
層膜ミラーなどの評価を行うためのX線光学素子
評価装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an X-ray optical element evaluation apparatus for evaluating, for example, an oblique incidence mirror for X-rays, a multilayer mirror, and the like.

(従来の技術) 近時、シンクロトロン放射光(SOR;
Synchrotron Orbital Radiation)やプラズマX
線などのX線源が発達し例えばX線リングラフイ
の分野に適用されている。これにともなつて、X
線を集光、結像する光学素子が開発されている。
このような光学素子としては、斜め入射ミラー、
多層膜ミラー、ゾーンプレート等がある。
(Conventional technology) Recently, synchrotron radiation (SOR;
Synchrotron Orbital Radiation) and Plasma
X-ray sources such as X-rays have been developed and applied, for example, in the field of X-ray phosphorography. Along with this,
Optical elements have been developed to focus and image lines.
Such optical elements include oblique incidence mirrors,
There are multilayer mirrors, zone plates, etc.

ところで、従来において、このようなX線光学
素子の評価は、評価すべき光学素子にX線を入射
させ、このとき光学素子にて反射したX線を検出
することにより行つている。このときのX線源と
しては、電子線励起型のX線源、SORプラズマ
X線源が使われている。
Conventionally, evaluation of such an X-ray optical element is performed by making X-rays incident on the optical element to be evaluated and detecting the X-rays reflected by the optical element at this time. As the X-ray source at this time, an electron beam excitation type X-ray source and a SOR plasma X-ray source are used.

しかしながら、電子線励起型のX線は、軟X線
(波長0.5〜10nm)領域でのX線輝度が小さく、
検出が困難である難点をもつている。一方、
SORは、電子線励起型に比べ輝度が2桁程度高
いすぐれた長所をもつている反面、装置がすこぶ
る大型であるため、一部で実用化されているにせ
ぎない。最後に、プラズマX線源は、十分な輝度
を有し、かつ、装置の小型化も容易であることか
ら、他の二つよりもX線光学素子の評価に適して
いる。しかしながら、プラズマX線の輝度は、
SORに比べると、いまだ十分でなく、なおかつ、
X線源から放射され検出器に至るX線は、途中で
分散逸出するため、最初のX線の数%にすぎな
い。このために、X線源から検出器までには、X
線の散逸ができるだけ少なく、かつ、コンパクト
な光学系を配置する必要がある。しかしながら、
現在、これらの要求を十分に満足するX線光学素
子評価装置は存在しない。さらに、従来のX線光
学素子評価装置は、入射X線の入射角に差がでる
結果、モノクロ化の分解能が低い欠点をもつてい
る。
However, electron beam-excited X-rays have low X-ray brightness in the soft X-ray (wavelength 0.5 to 10 nm) region.
The problem is that it is difficult to detect. on the other hand,
Although SOR has the advantage of being about two orders of magnitude higher in brightness than the electron beam excitation type, on the other hand, the equipment is extremely large, so it has only been put into practical use in some areas. Finally, plasma X-ray sources are more suitable for evaluating X-ray optical elements than the other two because they have sufficient brightness and can be easily miniaturized. However, the brightness of plasma X-rays is
Compared to SOR, it is still insufficient, and
The X-rays emitted from the X-ray source and reaching the detector are only a few percent of the original X-rays because they disperse and escape along the way. For this reason, from the X-ray source to the detector,
It is necessary to arrange an optical system that has as little line dissipation as possible and is compact. however,
Currently, there is no X-ray optical element evaluation apparatus that fully satisfies these requirements. Furthermore, the conventional X-ray optical element evaluation apparatus has a drawback of low monochromatization resolution as a result of differences in the angle of incidence of incident X-rays.

(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記事情を勘案してなされたもの
で、X線発生装置からのX線の利用効率が高く、
かつ、小型化が可能で、しかも、モノクロ化の分
解能が高まるX線光学素子を提供することを目的
とする。
(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has high utilization efficiency of X-rays from an X-ray generator.
Another object of the present invention is to provide an X-ray optical element that can be miniaturized and has improved monochromatic resolution.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段と作用) X線を発生するX線投射手段と、このX線投射
手段からのX線を平行X線に変換するか又は1点
に集光させる第1の反射手段と、この第1の反射
手段からのX線を任意の波長のX線に変換する第
2の反射手段と、上記X線光学素子を上記単色X
線の入射角変更自在に保持する試料保持手段とを
有し、X線光学素子からの反射X線に基づいて複
数種の評価を能率的かつ高精度で行うことができ
るようにしたものである。
(Means and effects for solving the problem) An X-ray projection means that generates X-rays, and a first reflection that converts the X-rays from the X-ray projection means into parallel X-rays or focuses them on one point. a means for converting the X-rays from the first reflecting means into X-rays of an arbitrary wavelength;
It has a sample holding means that holds the sample so that the incident angle of the rays can be changed freely, and allows multiple types of evaluations to be performed efficiently and with high precision based on the reflected X-rays from the X-ray optical element. .

(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述
する。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、第1の実施例のX線光学素子評価装
置を示している。この装置は、評価用のX線1を
発生するX線発生部2と、このX線発生部2にて
発生したX線1を平行光に変換する第1反射部3
と、この第1反射部3にて平行光に変換されたX
線4を単色化する第2反射部5と、X線評価され
る試料Wを保持して矢印6方向に回動し且つ第2
反射部5にて単色化されたX線7を入射させる試
料保持部8と、試料Wにて反射したX線9を入射
して入射量に比例する大きさの電気信号に変換す
るX線検出部10とから構成されている。しかし
て、X線発生部2は、例えばガラスレーザ光など
のレーザ光11を発振するレーザ光源12と、こ
のレーザ光源12からのレーザ光11を集光させ
るレンズ系13と、このレンズ系13により集光
されたレーザ光11を入射して前記X線1を発生
させる円筒状のターゲツト14とからなつてい
る。そして、ターゲツト14は、X線1の波長に
応じて、例えばアルミニウムAl、銅Cuなどが用
いられている。一方、第1反射部3は、X線1の
光路上に設けられ余分のX線を遮断する第1スリ
ツト18と、この第1スリツト18の出光側に設
けられ且つX線1の発生点19を焦点とする回転
放物面を有する第1ミラー20と、X線4の光路
上に設けられこの第1ミラー20にて反射された
X線4のうち余分なものを遮断する第2スリツト
21とからなつている。しかして、ターゲツト1
4にて放射されたX線1は、第1ミラー20に入
射すると平行なX線4に変換される。ここで、X
線1の第1ミラー20への斜め入射角θは、1〜
2度と極めて小さく設定する。その結果、X線4
は、短波長側を除きX線1と同一の波長で、か
つ、その反射強度は極めて高くなる。つぎに、第
2反射部5は、第2スリツト21の出光側に設け
られX線4を単色化されたX線7に変換する第2
ミラー22と、この第2ミラー22にて反射され
たX線7の光路上に設けられX線7のうち必要な
もののみ通過させる第3スリツト23と、第2ミ
ラー22及び第3スリツト23を互に位置関係を
変えることなく矢印24方向に回動自在に保持す
る第1ゴニオメータ25とからなつている。そう
して、第2ミラー22は、超研磨された基板26
と、この基板26上に被着され境界面で互に拡散
せずしかも光学定数の大きく異なる例えばWと
C,VとC,AuとC、ReとC等の2種類の物質
を1層の厚さが10〜数10Åとなるように交互に蒸
着積層した多層膜27とからなつている。このよ
うな多層膜27は、いわゆる超格子構造を有して
おり、その斜め入射角βを変えることにより、X
線7を所望のモノクロX線に変更できる。そし
て、第2ミラー22は、第1ゴニオメータ24の
回動中心に位置している。つぎに、試料保持部8
は、試料Wを着脱自在に把持するチヤツク(図示
せず。)と、このチヤツクを矢印6方向に回動自
在に支持する第2ゴニオメータ28とからなつて
いる。そして、チヤツクに保持された試料Wは、
X線4の光路に対し時計回りに角度2βだけ回動
したX線7の光路上に設けられ、かつ、第2ゴニ
オメータ28の回動中心に位置するように設定さ
れている。さらに、X線検出部10は、第2ゴニ
オメータ28に一体的に取付けられたデイテクタ
29と、このデイテクタ29に入射するX線9の
うち余分のものを遮断する第4スリツト30と、
デイテクタ29からの電気信号を入力して種々の
演算を行う評価判定部31とからなつている。そ
して、デイテクタ29及び第4スリツト30は、
X線7の試料Wへの斜め入射角をγとすると、X
線7の光路から2γだけ時計回りに回動したX線
9の光路上に設けられている。
FIG. 1 shows an X-ray optical element evaluation apparatus according to a first embodiment. This device includes an X-ray generating section 2 that generates X-rays 1 for evaluation, and a first reflecting section 3 that converts the X-rays 1 generated in the X-ray generating section 2 into parallel light.
And X converted into parallel light by this first reflecting section 3
A second reflecting section 5 that monochromates the line 4 and a second reflecting section 5 that holds the sample W to be evaluated by X-rays and rotates in the direction of the arrow 6;
A sample holding unit 8 that receives the monochromatic X-rays 7 from the reflection unit 5, and an X-ray detection unit that receives the X-rays 9 reflected by the sample W and converts the received X-rays 9 into an electrical signal with a magnitude proportional to the incident amount. It consists of a section 10. Therefore, the X-ray generating section 2 includes a laser light source 12 that oscillates a laser light 11 such as a glass laser light, a lens system 13 that focuses the laser light 11 from this laser light source 12, and this lens system 13. It consists of a cylindrical target 14 into which the focused laser beam 11 is incident and generates the X-rays 1. The target 14 is made of, for example, aluminum Al, copper Cu, or the like, depending on the wavelength of the X-rays 1. On the other hand, the first reflecting section 3 includes a first slit 18 provided on the optical path of the X-rays 1 to block excess X-rays, and a generation point 19 provided on the light exit side of the first slit 18. a first mirror 20 having a paraboloid of rotation with a focal point at It is made up of. However, target 1
When the X-rays 1 emitted at 4 are incident on the first mirror 20, they are converted into parallel X-rays 4. Here, X
The oblique incidence angle θ of the line 1 on the first mirror 20 is 1 to
Set it extremely small again. As a result, X-ray 4
has the same wavelength as X-ray 1 except for the short wavelength side, and its reflection intensity is extremely high. Next, the second reflection section 5 is provided on the light output side of the second slit 21 and converts the X-rays 4 into monochromatic X-rays 7.
A mirror 22, a third slit 23 provided on the optical path of the X-rays 7 reflected by the second mirror 22 and allowing only necessary X-rays to pass through, and the second mirror 22 and the third slit 23. and a first goniometer 25 which is rotatably held in the direction of arrow 24 without changing their positional relationship. Then, the second mirror 22 is attached to the super-polished substrate 26.
Then, two types of substances, such as W and C, V and C, Au and C, Re and C, which do not diffuse into each other at the interface and have greatly different optical constants, are deposited on this substrate 26 in one layer. It consists of multilayer films 27 that are alternately deposited and stacked to have a thickness of 10 to several tens of angstroms. Such a multilayer film 27 has a so-called superlattice structure, and by changing its oblique incidence angle β,
Line 7 can be changed to a desired monochrome X-ray. The second mirror 22 is located at the center of rotation of the first goniometer 24. Next, the sample holding section 8
consists of a chuck (not shown) that removably holds the sample W, and a second goniometer 28 that supports the chuck rotatably in the direction of arrow 6. The sample W held in the chuck is
It is provided on the optical path of the X-ray 7 rotated by an angle 2β clockwise with respect to the optical path of the X-ray 4, and is set to be located at the center of rotation of the second goniometer 28. Furthermore, the X-ray detection unit 10 includes a detector 29 that is integrally attached to the second goniometer 28, and a fourth slit 30 that blocks excess X-rays 9 from entering the detector 29.
It consists of an evaluation/judgment section 31 that inputs electrical signals from the detector 29 and performs various calculations. The detector 29 and the fourth slit 30 are
If the oblique incident angle of the X-ray 7 to the sample W is γ, then
It is provided on the optical path of X-ray 9 rotated clockwise by 2γ from the optical path of line 7.

つぎに、上記構成のX線光学素子評価装置の作
動について述べる。
Next, the operation of the X-ray optical element evaluation apparatus having the above configuration will be described.

まず、チヤツクに評価用のX線光学素子である
試料Wを把持させる。つぎに、第1ゴニオメータ
25により、第2ミラー22へのX線4の斜め入
射角βを所定角度に設定する。ついで、レーザ光
源12からレーザ光11をレンズ系13を経由し
てターゲツト14の発生点19に集光させる。す
ると、この発生点19にてのプラズマがレーザ光
11により励起されることにより、X線1が、第
1スリツト18を経由して第1ミラー20に斜め
入射角θ(例えば1〜2度)で入射する。その結
果、散乱的に入射したX線1は、平行X線4とな
つて、第2スリツト21を経由して、第2ミラー
22に斜め入射角βで入射する。すると、このX
線4は、この第2ミラー22によつて、斜め入射
角βによつて決定される波長を有するモノクロX
線7に変換される。ついで、このX線7は、第3
スリツト23を経由して斜め入射角γで試料Wに
入射したのち反射し、X線9となつて第4スリツ
ト30を経由しデイテクタ29に入射する。しか
して、X線9を入射したデイテクタ29からは、
入射したX線9の強度に比例した電圧を有する電
気信号が評価判定部31に出力され、このときの
X線9の強度が記憶される。つぎに、X線7の試
料Wへの斜め入射角γを第2ゴニオメータ27を
操作することにより、逐次変化させ、変化させた
各入射角γについて、上述した測定プロセスを繰
返し、X線9の強度を評価判定部31に記憶させ
る。しかるのち、試料WのX線反射率の斜め入射
角依存性をプリンタ又はCRT上にプロツトさせ
る。さて、以上の記述は、斜め入射角βを固定
し、斜め入射角γを変化させたものであるか、逆
に、斜め入射角γを固定し、斜め入射角βを第1
ゴニオメータ25により変化させれば、試料Wの
X線反射率のX線波長依存性を測定することがで
きる。
First, the chuck is made to hold the sample W, which is an X-ray optical element for evaluation. Next, the first goniometer 25 sets the oblique incident angle β of the X-rays 4 onto the second mirror 22 to a predetermined angle. Next, the laser light 11 from the laser light source 12 is focused on the generation point 19 of the target 14 via the lens system 13. Then, as the plasma at the generation point 19 is excited by the laser beam 11, the X-rays 1 pass through the first slit 18 and reach the first mirror 20 at an oblique incident angle θ (for example, 1 to 2 degrees). incident at As a result, the scattered X-rays 1 become parallel X-rays 4 and enter the second mirror 22 at an oblique incident angle β via the second slit 21. Then, this
Line 4 is detected by this second mirror 22 as a monochrome X with a wavelength determined by the oblique angle of incidence β.
It is converted to line 7. Next, this X-ray 7
After passing through the slit 23 and entering the sample W at an oblique incidence angle γ, it is reflected, becomes an X-ray 9, and enters the detector 29 via the fourth slit 30. Therefore, from the detector 29 into which the X-rays 9 are incident,
An electrical signal having a voltage proportional to the intensity of the incident X-rays 9 is output to the evaluation/judgment section 31, and the intensity of the X-rays 9 at this time is stored. Next, by operating the second goniometer 27, the oblique incident angle γ of the X-rays 7 on the sample W is sequentially changed, and the above-mentioned measurement process is repeated for each changed incident angle γ, and the The strength is stored in the evaluation determining section 31. Thereafter, the oblique incidence angle dependence of the X-ray reflectance of the sample W is plotted on a printer or CRT. Now, in the above description, the oblique incidence angle β is fixed and the oblique incidence angle γ is changed, or conversely, the oblique incidence angle γ is fixed and the oblique incidence angle β is changed to the first
By changing it using the goniometer 25, the dependence of the X-ray reflectance of the sample W on the X-ray wavelength can be measured.

以上のように、この第1の実施例は、第1ミラ
ー20が回転放物面ミラーとなつているので、そ
れ以後のX線4,7,9を平行化でき、第1ミラ
ー20の反射率が90%以上となり、X線の有効利
用が可能となる。とくに、第1ミラー20により
X線を平行化することにより、ローランド円を考
慮する必要がなくなり、第1ミラー20と第2ミ
ラー22との距離L1、第2ミラー22と試料W
との距離L2並びに試料Wとデイテクタ29との
距離L3を任意に設定することができるので、装
置を小型化することができる。また、第2ミラー
22に入射するX線4の斜め入射角βがそろつて
いるので、モノクロ化の分解能が向上し、質の良
いモノクロX線が得られる。さらに、第1ミラー
20におけるX線反射率が高いので、デイテクタ
29の感度が低くても十分な評価を行うことがで
きる。要するに、第1の実施例のX線光学素子評
価装置は、コンパクトな装置で、複数種のX線評
価を高精度かつ高能率で行うことができる。
As described above, in this first embodiment, since the first mirror 20 is a parabolic mirror of revolution, the subsequent X-rays 4, 7, and 9 can be collimated, and the reflection of the first mirror 20 The rate is over 90%, making it possible to use X-rays effectively. In particular, by collimating the X-rays with the first mirror 20, there is no need to consider the Rowland circle, and the distance L1 between the first mirror 20 and the second mirror 22, the distance L1 between the second mirror 22 and the sample W
Since the distance L2 between the sample W and the detector 29 and the distance L3 between the sample W and the detector 29 can be arbitrarily set, the apparatus can be downsized. In addition, since the oblique incident angles β of the X-rays 4 incident on the second mirror 22 are uniform, the resolution of monochrome conversion is improved and high-quality monochrome X-rays can be obtained. Furthermore, since the first mirror 20 has a high X-ray reflectance, sufficient evaluation can be performed even if the sensitivity of the detector 29 is low. In short, the X-ray optical element evaluation device of the first embodiment is a compact device that can perform multiple types of X-ray evaluations with high precision and high efficiency.

なお、上記実施例において、X線発生部2は、
一般のX線管でもよい。さらに、第1ミラーを多
層膜ミラーとし、第2ミラーを回転放物面を有す
るミラーとしてもよい。
In addition, in the above embodiment, the X-ray generating section 2 is
A general X-ray tube may be used. Furthermore, the first mirror may be a multilayer mirror, and the second mirror may be a mirror having a paraboloid of revolution.

つぎに、本発明の第2の実施例のX線光学素子
評価装置について述べる。
Next, an X-ray optical element evaluation apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described.

第2図は、この実施例のX線光学素子評価装置
を示すもので、この装置は、評価用のX線41を
発生するX線発生部42と、このX線発生部42
にて発生したX線41を平行なX線に変換する第
1反射部43と、この第1反射部43にて反射し
た平行なX線44を入射して単色X線に変換する
第2反射部45と、この第2反射部45にて単色
化されたX線46を入射して焦点47に集光する
第3反射部48と、この第3反射部48にて焦点
47に集光されたX線49を入射する位置に試料
Wを保持して矢印50方向に回動する試料保持部
51と、試料Wにて反射したX線52を入射して
入射量に比例する大きさの電気信号に変換するX
線検出部53とから構成されている。しかして、
X線発生部42は、例えばガラスレーザ光などの
レーザ光54を発振するレーザ光源55と、この
レーザ光源55からのレーザ光54を集光させる
レンズ系56と、このレンズ系56により集光さ
れたレーザ光54を入射して前記X線41を発生
させる円筒状のターゲツト57とからなつてい
る。そして、ターゲツト57は、X線41の波長
に応じて、例えばアルミニウムAl、銅Cuなどが
用いられている。一方、第1反射部43は、X線
41の光路上に設けられ余分のX線を遮断する第
1スリツト61と、この第1スイツチ61の出光
側に設けられ且つX線41の発生点62を焦点と
する回転放物面を有する第1ミラー63と、X線
44の光路上に設けられこの第1ミラー63にて
反射されたX線44のうち余分なものを遮断する
第2スリツト64とからなつている。しかして、
ターゲツト57にて放射されたX線41は、第1
ミラー63に入射すると平行なX線44に変換さ
れる。ここで、X線41の第1ミラー63への斜
め入射角θは、1〜2度と極めて小さく設定す
る。その結果、X線44は、短波長側を除いてX
線41と同一の波長で、かつ、その反射強度は極
めて高くなる。つぎに、第2反射部45は、第2
スリツト64の出光側に設けられた平面回折格子
65と、この平面回折格子65にて反射されたX
線46の光路上に設けられX線46のうち不要な
ものを遮断する第3スリツト66と、これら第3
スリツト66及び平面回折格子65をそれらの位
置関係を変えることなく矢印67方向に回動自在
に保持する第1ゴニオメータ68とからなつてい
る。しかして、平面回折格子65は、平面の鋸歯
状反射格子であつて、波長の異なるX線に対して
は各波長ごとに、回折を生じる入射角が変化する
ため、X線の単色化が可能となる。また、平面回
折格子65は、第1ゴニオメータ68の回動中心
に位置決めされている。つまり、平面回折格子6
5を第1ゴニオメータ68により回動させること
により、任意の波長のX線を選択することができ
る。さらに、第3反射部48は、第3スリツト6
6を経由したX線46の光路上に設けられ前記焦
点47を有する回転放物面が設けられた第2ミラ
ー69と、焦点47位置に設けられこの第2ミラ
ー69にて反射されたX線49のうち余分なもの
を遮断する第4スリツト70とからなつている。
つぎに、試料保持部51は、試料Wを着脱自在に
把持するチヤツク(図示せず。)と、このチヤツ
クを矢印50方向に回動自在に支持する第2ゴニ
オメータ72とからなつている。そして、チヤツ
クに保持された試料Wは、第2ゴニオメータ72
の回動中心に位置するように設定されている。さ
らに、X線検出部53は、第2ゴニオメータ72
に一体的に取付けられたデイテクタ73と、同じ
く第2ゴニオメータ72に取付けられ試料Wにて
反射したX線52のうち余分なものを除去する第
5図スリツト74と、デイテクタ73からの電気
信号を入力して種々の演算を行う評価判定部75
とからなつている。
FIG. 2 shows the X-ray optical element evaluation apparatus of this embodiment.
a first reflection section 43 that converts the X-rays 41 generated in the 1st reflection section 43 into parallel X-rays; and a second reflection section 43 that converts the parallel X-rays 44 reflected by the first reflection section 43 into monochromatic X-rays. part 45, a third reflection part 48 which makes the monochromatic X-rays 46 incident on this second reflection part 45 and focuses them on a focal point 47; A sample holder 51 holds the sample W at a position where the X-rays 49 are incident and rotates in the direction of an arrow 50, and an electric current whose magnitude is proportional to the incident amount is incident on the X-rays 52 reflected by the sample W. X to convert to signal
It is composed of a line detection section 53. However,
The X-ray generator 42 includes a laser light source 55 that oscillates a laser beam 54 such as a glass laser beam, a lens system 56 that focuses the laser beam 54 from the laser light source 55, and a lens system 56 that collects the laser beam 54. and a cylindrical target 57 into which the laser beam 54 is incident and generates the X-rays 41. The target 57 is made of aluminum Al, copper Cu, or the like, depending on the wavelength of the X-ray 41. On the other hand, the first reflecting section 43 includes a first slit 61 that is provided on the optical path of the X-rays 41 and blocks excess X-rays, and a first slit 61 that is provided on the light output side of the first switch 61 and includes a generation point 62 of the X-rays 41. a first mirror 63 having a paraboloid of rotation with a focal point at It is made up of. However,
The X-rays 41 emitted from the target 57 are
When incident on the mirror 63, it is converted into parallel X-rays 44. Here, the oblique incidence angle θ of the X-ray 41 on the first mirror 63 is set to be extremely small, 1 to 2 degrees. As a result, the X-rays 44, except for the short wavelength side,
It has the same wavelength as line 41, and its reflection intensity is extremely high. Next, the second reflecting section 45
A plane diffraction grating 65 provided on the light output side of the slit 64 and X reflected by this plane diffraction grating 65
A third slit 66 is provided on the optical path of the X-ray 46 and blocks unnecessary portions of the X-ray 46;
The first goniometer 68 holds the slit 66 and the flat diffraction grating 65 rotatably in the direction of the arrow 67 without changing their positional relationship. Therefore, the plane diffraction grating 65 is a plane sawtooth reflection grating, and since the incident angle at which diffraction occurs changes for each wavelength of X-rays having different wavelengths, it is possible to make X-rays monochromatic. becomes. Further, the plane diffraction grating 65 is positioned at the rotation center of the first goniometer 68. In other words, the plane diffraction grating 6
5 by the first goniometer 68, X-rays of arbitrary wavelengths can be selected. Further, the third reflecting section 48 has a third slit 6
A second mirror 69 is provided on the optical path of the X-rays 46 that have passed through the second mirror 69 and is provided with a paraboloid of revolution having the focal point 47, and the second mirror 69 is provided at the focal point 47 position and reflected by the second mirror 49, and a fourth slit 70 for blocking out excess material.
Next, the sample holder 51 includes a chuck (not shown) that removably holds the sample W, and a second goniometer 72 that supports the chuck so as to be rotatable in the direction of arrow 50. The sample W held in the chuck is transferred to the second goniometer 72.
It is set so that it is located at the center of rotation. Furthermore, the X-ray detection section 53 includes a second goniometer 72
A detector 73 is integrally attached to the second goniometer 72, and a slit 74 in FIG. Evaluation determination unit 75 that receives input and performs various calculations
It is made up of.

つぎに、第2の実施例のX線光学素子評価装置
の作動について述べる。
Next, the operation of the X-ray optical element evaluation apparatus of the second embodiment will be described.

まず、チヤツクに評価用のX線光学素子である
試料Wを把持させる。つぎに、第1ゴニオメータ
68により、平面回折格子65へのX線44の斜
め入射角βを例えば3〜4度に設定する。つい
で、レーザ光源55からレーザ光54をレンズ系
56を経由してターゲツト57の発生点62に集
光させる。すると、この発生点62から、X線4
1が発生し、第1スリツト61を経由して第1ミ
ラー63に斜め入射角θ(例えば1〜2度)で入
射する。その結果、散乱的に入射したX線41
は、平行X線44となり、第2スリツト64を経
由して、平面回折格子65に斜め入射角βで入射
する。すると、X線44は、斜め入射角βによつ
て決定される波長を有するモノクロX線46に変
換される。ついで、このX線46は、第3スリツ
ト66を経由して、斜め入射角λで第2ミラー6
9に入射する。すると、この入射したX線46
は、反射されてX線49となつて焦点47に集光
され、かつ、第4スリツト70を経由して、斜め
入射角γで試料Wに入射する。しかして、この入
射したX線49は、試料Wにて反射してX線52
となり、第5図スリツト74を経由してデイテク
タ73に入射する。しかして、デイテクタ73に
入射したX線52は、入射したX線52の強度に
比例した電圧を有する電気信号が評価判定部75
に出力され、このときのX線52の強度が記憶さ
れる。つぎに、第2ゴニオメータ72を操作し
て、X線49の試料Wへの斜め入射角γを逐次変
化させ、変化させた各入射角γについて、上述し
た測定プロセスを繰返し、X線52強度を評価判
定部75に記憶させる。しかるのち、試料WのX
線反射率の斜め入射角依存性をプリンタ又は
CRT上にプロツトさせる。さて、以上の記述は、
斜め入射角βを固定し、斜め入射角γを変化させ
たものであるが、逆に、斜め入射角γを固定し、
第1ゴニオメータ68により斜め入射角βを変化
させれば、試料WのX線反射率のX線波長依存性
を測定することができる。さらに、試料Wが超格
子多層膜ミラーの場合には、多層膜の格子定数の
推定及び表面粗さの推定を行うことができる。
First, the chuck is made to hold the sample W, which is an X-ray optical element for evaluation. Next, the first goniometer 68 sets the oblique incident angle β of the X-rays 44 onto the plane diffraction grating 65 to, for example, 3 to 4 degrees. Next, the laser light 54 from the laser light source 55 is focused on the generation point 62 of the target 57 via the lens system 56. Then, from this generation point 62, X-ray 4
1 is generated and enters the first mirror 63 through the first slit 61 at an oblique incidence angle θ (for example, 1 to 2 degrees). As a result, the scattered X-rays 41
becomes a parallel X-ray 44, which passes through the second slit 64 and enters the plane diffraction grating 65 at an oblique incidence angle β. The X-rays 44 are then converted into monochrome X-rays 46 having a wavelength determined by the oblique incidence angle β. Next, this X-ray 46 passes through the third slit 66 and hits the second mirror 6 at an oblique incidence angle λ.
9. Then, this incident X-ray 46
is reflected, becomes an X-ray 49, is focused on a focal point 47, and enters the sample W via a fourth slit 70 at an oblique incidence angle γ. The incident X-rays 49 are reflected by the sample W and the X-rays 52
The light then enters the detector 73 via the slit 74 in FIG. Therefore, the X-rays 52 that have entered the detector 73 are converted into electrical signals that have a voltage proportional to the intensity of the X-rays 52 that have entered the detector 73.
The intensity of the X-rays 52 at this time is stored. Next, the second goniometer 72 is operated to sequentially change the oblique incident angle γ of the X-ray 49 onto the sample W, and the above-mentioned measurement process is repeated for each changed incident angle γ to measure the intensity of the X-ray 52. The evaluation determination unit 75 stores the information. After that, X of sample W
Printer or
Plot on CRT. Now, the above description is
The oblique incidence angle β is fixed and the oblique incidence angle γ is changed, but conversely, when the oblique incidence angle γ is fixed,
By changing the oblique incidence angle β using the first goniometer 68, the dependence of the X-ray reflectance of the sample W on the X-ray wavelength can be measured. Furthermore, when the sample W is a superlattice multilayer mirror, the lattice constant and surface roughness of the multilayer film can be estimated.

以上のように、この第2の実施例は、第1ミラ
ー63が回転放物面ミラーとなつているので、X
線44を平行X線にすることができ、X線の散逸
を防止できる結果、X線の有効利用が可能とな
る。よつて、ローランド円を考慮する必要がなく
なり、第1ミラー63と平面回折格子65との間
の距離L′、および、平面回折格子65と第2ミラ
ー69との間の距離L″を任意に設定できるの
で、装置の小型化が可能となる。また、複数種の
X線評価を高精度かつ高能率で行うことができ
る。
As described above, in this second embodiment, since the first mirror 63 is a parabolic mirror of revolution,
The lines 44 can be made parallel X-rays, and dissipation of the X-rays can be prevented, so that the X-rays can be used effectively. Therefore, there is no need to consider the Rowland circle, and the distance L' between the first mirror 63 and the plane diffraction grating 65 and the distance L'' between the plane diffraction grating 65 and the second mirror 69 can be arbitrarily set. Since the settings can be made, it is possible to downsize the apparatus.Also, multiple types of X-ray evaluations can be performed with high precision and high efficiency.

なお、上記第2の実施例において、X線発生部
42は、一般のX線管でもよい。
Note that in the second embodiment, the X-ray generating section 42 may be a general X-ray tube.

つぎに、本発明の第3の実施例のX線光学素子
評価装置について述べる。
Next, an X-ray optical element evaluation apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described.

第3図は、この実施例のX線光学素子評価装置
を示すもので、この装置は、評価用のX線80を
発生するX線発生部81と、このX線発生部81
にて発生したX線80を焦点82に集光させる第
1反射部83と、この第1反射部83にて反射し
たX線84を入射して単色化する第2反射部85
と、試料Wを保持して矢印104方向に回動し且
つ第2反射部85にて単色化されたX線87を試
料Wに入射させる試料保持部88と、試料Wにて
反射したX線89を入射して入射量に比例する大
きさの電気信号に変換するX線検出部90とから
構成されている。しかして、X線発生部81は、
例えばガラスレーザ光などのレーザ光91を発振
するレーザ光源92と、このレーザ光源92から
のレーザ光91を集光させるレンズ系93と、こ
のレンズ系93により集光されたレーザ光91を
入射して前記X線80を発生させる円筒状をな
し、例えばAl,Cuなどの材質からなるターゲツ
ト94とからなつている。一方、第1反射部83
は、二つの焦点82,98を有する回転楕円ミラ
ーであつて、一方の焦点98は、ターゲツト94
のレーザ光91集光位置となるように設定されて
いる。また、他方の焦点82は、第2反射部85
の背後に位置している。さらに、第2反射部85
は、第1反射部83からのX線84を入射して単
色化する多層膜ミラー99と、矢印100方向に
回動自在に設けられこの多層膜ミラー99を回動
中心に保持する第1ゴニオメータ101とからな
つている。しかして、多層膜ミラー99は、超研
磨された基板102と、この基板102上に被着
され境界面で互に拡散せずしかも光学定数の大き
く異なる例えばWとC,VとC,AuとC,Reと
C等の2種類の物質を1層の厚さが10〜数10Åと
なるように交互に蒸着積層した多層膜103とか
らなつている。このような多層膜103は、いわ
ゆる超格子構造を有しており、その斜め入射角β
を上記第1ゴニオメータ101を介して変えるこ
とにより、X線84を所望のモノクロX線87に
変換するように設けられている。他方、試料保持
部88は、試料Wを着脱自在に把持するチヤツク
(図示せず。)と、矢印104方向に回動自在に設
けられ上記チヤツクを回動中心に保持する第2ゴ
ニオメータ105とからなつている。そうして、
第2ゴニオメータ105の回動調整によりX線8
7の試料Wへの斜め入射角γを変えることができ
るようになつている。さらに、X線検出部90
は、第2ゴニオメータ105に一体的に取付けら
れ試料Wから反射されたX線89を入射するデイ
テクタ106と、同じく第2ゴニオメータ105
に取付けられ余分のX線を除去するスリツト10
7と、デイテクタ106からの電気信号を入力し
て種々の演算を行う評価判定部108とからなつ
ている。
FIG. 3 shows an X-ray optical element evaluation apparatus according to this embodiment.
a first reflecting section 83 that condenses the X-rays 80 generated at the focal point 82; and a second reflecting section 85 that makes the X-rays 84 reflected at the first reflecting section 83 incident and monochromatic.
and a sample holding section 88 that holds the sample W and rotates in the direction of arrow 104 and causes the monochromatic X-rays 87 to be incident on the sample W at the second reflection section 85, and the X-rays reflected by the sample W. The X-ray detecting section 90 receives the incident X-ray 89 and converts it into an electrical signal having a magnitude proportional to the incident amount. Therefore, the X-ray generating section 81
For example, a laser light source 92 that oscillates laser light 91 such as a glass laser light, a lens system 93 that focuses the laser light 91 from this laser light source 92, and the laser light 91 focused by this lens system 93 is incident. The target 94 has a cylindrical shape that generates the X-rays 80, and is made of a material such as Al or Cu. On the other hand, the first reflecting section 83
is a spheroidal mirror having two focal points 82 and 98, one focal point 98 is located at the target 94.
The laser beam 91 is focused at the following position. Further, the other focal point 82 is a second reflecting portion 85
is located behind. Furthermore, the second reflecting section 85
includes a multilayer mirror 99 that makes the X-rays 84 from the first reflection section 83 incident monochromatic, and a first goniometer that is rotatably provided in the direction of arrow 100 and holds the multilayer mirror 99 at the center of rotation. It consists of 101. Therefore, the multilayer mirror 99 consists of a super-polished substrate 102 and a layer of materials such as W and C, V and C, and Au that are deposited on the substrate 102 and do not diffuse into each other at the interface and have greatly different optical constants. It consists of a multilayer film 103 in which two types of substances, such as C, Re, and C, are deposited and laminated alternately so that each layer has a thickness of 10 to several tens of angstroms. Such a multilayer film 103 has a so-called superlattice structure, and its oblique incidence angle β
is provided to convert the X-rays 84 into desired monochrome X-rays 87 by changing the X-rays 84 through the first goniometer 101. On the other hand, the sample holding section 88 includes a chuck (not shown) that detachably holds the sample W, and a second goniometer 105 that is rotatably provided in the direction of the arrow 104 and holds the chuck at the center of rotation. It's summery. Then,
X-ray 8 by adjusting the rotation of the second goniometer 105
The oblique incidence angle γ of No. 7 onto the sample W can be changed. Furthermore, the X-ray detection section 90
, a detector 106 that is integrally attached to the second goniometer 105 and receives the X-rays 89 reflected from the sample W;
slit 10 attached to remove excess X-rays
7, and an evaluation/judgment section 108 that inputs electrical signals from the detector 106 and performs various calculations.

つぎに、第3の実施例のX線光学素子評価装置
の作動について述べる。
Next, the operation of the X-ray optical element evaluation apparatus of the third embodiment will be described.

まず、チヤツクに評価用のX線光学素子である
試料Wを把持させる。つぎに、第1ゴニオメータ
101により、多層膜ミラー99へのX線84の
斜め入射角βを所定角度に設定する。ついで、レ
ーザ光源92からレーザ光91をレンズ系93を
経由してターゲツト94に集光させる。すると、
ターゲツト94からは、X線80が第1反射部8
3に入射する。すると、この第1反射部83にて
反射したX線84は焦点82に集光する方向に反
射されるが、中途に配設されている多層膜ミラー
99に斜め入射角βで入射する。すると、この斜
め入射角βで決定される波長を有するモノクロX
線87が、試料Wに斜め入射角γで入射する。さ
らに、この試料Wから反射したX線89は、スリ
ツト107を経由してデイテクタ106に入射
し、入射量に対応した大きさの電圧を有する電気
信号が評価判定部108に出力され、このときの
X線89の強度が記憶される。なお、第3図で第
2反射部85と焦点82の距離をLa、第2反射
部85と試料Wの距離をLb、さらに試料Wとデ
イテクタ106の距離をLcとするとき、La=Lb
+Lcの関係にある。つぎに、第2ゴニオメータ
105を操作して、X線87の試料Wへの斜め入
射角γを逐次変化させ、変化させた各入射角γに
ついて、上述した測定プロセスを繰返し、X線8
9の強度を評価判定部108に記憶させる。しか
るのち、試料WのX線反射率の斜め入射角依存性
をプリンタ又はCRT上にプロツトさせる。
First, the chuck is made to hold the sample W, which is an X-ray optical element for evaluation. Next, the first goniometer 101 sets the oblique incident angle β of the X-rays 84 onto the multilayer mirror 99 to a predetermined angle. Next, laser light 91 from a laser light source 92 is focused onto a target 94 via a lens system 93. Then,
From the target 94, the X-rays 80 are transmitted to the first reflecting section 8.
3. Then, the X-rays 84 reflected by the first reflecting section 83 are reflected in a direction to be condensed at the focal point 82, but are incident on a multilayer mirror 99 disposed in the middle at an oblique incidence angle β. Then, a monochrome X having a wavelength determined by this oblique incidence angle β
A line 87 is incident on the sample W at an oblique incidence angle γ. Further, the X-rays 89 reflected from the sample W enter the detector 106 via the slit 107, and an electric signal having a voltage corresponding to the incident amount is output to the evaluation/judgment section 108. The intensity of the X-rays 89 is stored. In addition, in FIG. 3, when the distance between the second reflection section 85 and the focal point 82 is La, the distance between the second reflection section 85 and the sample W is Lb, and the distance between the sample W and the detector 106 is Lc, La=Lb.
There is a relationship of +Lc. Next, the second goniometer 105 is operated to sequentially change the oblique incident angle γ of the X-ray 87 onto the sample W, and the measurement process described above is repeated for each changed incident angle γ.
9 is stored in the evaluation determining unit 108. Thereafter, the oblique incidence angle dependence of the X-ray reflectance of the sample W is plotted on a printer or CRT.

さて、以上の記述は、斜め入射角βを固定し、
斜め入射角γを変化させたものであるが、逆に、
斜め入射角γを固定し、第1ゴニオメータ101
により斜め入射角βを変化させれば、試料WのX
線反射率のX線波長依存性を測定することができ
る。さらに、試料Wが超格子多層膜ミラーの場合
には、多層膜の格別定数の推定及び表面粗さの推
定を行うことができる。
Now, the above description fixes the oblique incidence angle β,
This is obtained by changing the oblique incidence angle γ, but conversely,
The oblique incident angle γ is fixed, and the first goniometer 101
If the oblique incidence angle β is changed by
The dependence of linear reflectance on X-ray wavelength can be measured. Furthermore, when the sample W is a superlattice multilayer mirror, it is possible to estimate the special constant and surface roughness of the multilayer film.

以上のように、この第3の実施例は、回転楕円
ミラーである第1反射部83によりX線80をそ
の焦点に集光させるようにしているので、X線の
散逸がほとんどなくなり、X線の有効利用が可能
となり、複数種のX線評価を高精度かつ高能率で
行うことができる。また、ローランド円を考慮す
ることなく光学系を組立てることができるので、
装置の小型化が可能となる。
As described above, in this third embodiment, since the first reflecting section 83, which is a spheroidal mirror, focuses the X-rays 80 on the focal point, the dissipation of the X-rays is almost eliminated. can be used effectively, and multiple types of X-ray evaluations can be performed with high accuracy and efficiency. In addition, the optical system can be assembled without considering the Rowland circle, so
It is possible to downsize the device.

なお、上記第3の実施例において、X線発生部
81は通常のX線管でもよい。
Note that in the third embodiment, the X-ray generating section 81 may be a normal X-ray tube.

さらに、上記第1乃至第3の実施例において、
X線発生部2,42,81にて発生したプラズマ
X線を他方向にも取り出すように構成すれば、他
の目的にも使用できる。
Furthermore, in the first to third embodiments,
If the plasma X-rays generated in the X-ray generators 2, 42, and 81 are configured to be extracted in other directions, they can also be used for other purposes.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明のX線光学素子評価装置は、ローランド
円を考慮することなくX線の散逸を防止すること
ができるとともに、X線反射率のX線波長依存性
や斜め入射角依存性等の複数種のX線評価を高能
率かつ高精度で行うことができる。よつて、本発
明を適用することにより、X線光学素子の開発及
び製造に多大の寄与をすることができる。
The X-ray optical element evaluation device of the present invention can prevent X-ray dissipation without considering the Rowland circle, and can evaluate multiple types of X-ray reflectance, such as X-ray wavelength dependence and oblique incident angle dependence. X-ray evaluation can be performed with high efficiency and accuracy. Therefore, by applying the present invention, it is possible to make a significant contribution to the development and manufacture of X-ray optical elements.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例の説明図、第2
図は本発明の第2の実施例の説明図、第3図は本
発明の第3の実施例の説明図である。 2,42,81……X線発生部(X線投射手
段)、3,43,83……第1反射部(第1の反
射手段)、5,45,85……第2反射部、8,
51,88……試料保持部、10,53,90…
…X線検出部。
FIG. 1 is an explanatory diagram of the first embodiment of the present invention;
The figure is an explanatory diagram of the second embodiment of the invention, and FIG. 3 is an explanatory diagram of the third embodiment of the invention. 2, 42, 81... X-ray generating section (X-ray projection means), 3, 43, 83... First reflecting section (first reflecting means), 5, 45, 85... Second reflecting section, 8 ,
51, 88... Sample holding section, 10, 53, 90...
...X-ray detection section.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 X線光学素子にX線を投射しこのとき反射し
た反射X線に基づいて上記X線光学素子の評価を
行うX線光学素子評価装置において、上記X線を
投射するX線投射手段と、このX線投射手段から
投射されたX線を入射して平行なX線に変換する
回転放物面を有する第1の反射手段と、上記第1
の反射手段からの平行なX線を入射して特定波長
のX線に変換する多層膜ミラーを有し上記平行な
X線の上記多層膜ミラーへの入射角を変化させる
ことにより上記特定波長のX線の波長を選択自在
に調整する第2の反射手段と、上記X線光学素子
を上記第2の反射手段からの特定波長のX線の入
射角を調整自在に保持する試料保持手段と、上記
試料保持手段に保持されているX線光学素子から
の反射X線を入射してその入射強度を示す電気信
号に変換するX線検出手段とを具備することを特
徴とするX線光学素子評価装置。 2 X線光学素子にX線を投射しこのとき反射し
た反射X線に基づいて上記X線光学素子の評価を
行うX線光学素子評価装置において、上記X線を
投射するX線投射手段と、このX線投射手段から
投射されたX線を入射して平行なX線に変換する
回転放物面を有する第1の反射手段と、上記第1
の反射手段からの平行なX線を入射して特定波長
のX線に変換する平面回折格子を有し上記平行な
X線の上記平面回折格子への入射角を変化させる
ことにより上記特定波長のX線の波長を選択自在
に調整する第2の反射手段と、上記X線光学素子
を上記第2の反射手段からの特定波長のX線の入
射角を調整自在に保持する試料保持手段と、上記
試料保持手段に保持されているX線光学素子から
の反射X線を入射してその入射強度を示す電気信
号に変換するX線検出手段とを具備することを特
徴とするX線光学素子評価装置。 3 X線光学素子にX線を投射しこのとき反射し
た反射X線に基づいて上記X線光学素子の評価を
行うX線光学素子評価装置において、上記X線を
投射するX線投射手段と、このX線投射手段から
投射されたX線を入射して焦点位置に集光させる
回転楕円面を有する第1の反射手段と、この第1
の反射手段からの集光X線を入射して特定波長の
X線に変換する多層膜ミラーを有し上記集光X線
の上記多層膜ミラーの入射角を変化させることに
より上記特定波長のX線の波長を選択自在に調整
する第2の反射手段と、上記X線光学素子を上記
第2の反射手段からの特定波長のX線の入射角を
調整自在に保持する試料保持手段と、上記試料保
持手段に保持されているX線光学素子からの反射
X線を入射してその入射強度を示す電気信号に変
換するX線検出手段とを具備することを特徴とす
るX線光学素子評価装置。
[Scope of Claims] 1. In an X-ray optical element evaluation device that projects X-rays onto an X-ray optical element and evaluates the X-ray optical element based on reflected X-rays that are reflected at this time, the X-ray is projected. an X-ray projection means; a first reflection means having a paraboloid of rotation that receives the X-rays projected from the X-ray projection means and converts them into parallel X-rays;
It has a multilayer mirror that converts parallel X-rays from the reflecting means into X-rays of a specific wavelength by changing the angle of incidence of the parallel X-rays on the multilayer mirror. a second reflecting means for selectively adjusting the wavelength of the X-ray; and a sample holding means for holding the X-ray optical element so as to freely adjust the incident angle of the X-ray of a specific wavelength from the second reflecting means; X-ray optical element evaluation characterized by comprising an X-ray detection means for injecting reflected X-rays from the X-ray optical element held by the sample holding means and converting the reflected X-rays into an electric signal indicating the incident intensity. Device. 2. In an X-ray optical element evaluation device that projects X-rays onto an X-ray optical element and evaluates the X-ray optical element based on the reflected X-rays reflected at this time, an X-ray projection means that projects the X-rays; a first reflecting means having a paraboloid of rotation that receives the X-rays projected from the X-ray projecting means and converts them into parallel X-rays;
It has a plane diffraction grating that converts parallel X-rays from the reflecting means into X-rays of a specific wavelength by changing the angle of incidence of the parallel X-rays on the plane diffraction grating. a second reflecting means for selectively adjusting the wavelength of the X-ray; and a sample holding means for holding the X-ray optical element so as to freely adjust the incident angle of the X-ray of a specific wavelength from the second reflecting means; X-ray optical element evaluation characterized by comprising an X-ray detection means for injecting reflected X-rays from the X-ray optical element held by the sample holding means and converting the reflected X-rays into an electric signal indicating the incident intensity. Device. 3. In an X-ray optical element evaluation device that projects X-rays onto an X-ray optical element and evaluates the X-ray optical element based on the reflected X-rays reflected at this time, an X-ray projection means that projects the X-rays; a first reflecting means having an ellipsoid of revolution that allows the X-rays projected from the X-ray projecting means to enter and condense them at a focal position;
It has a multilayer mirror that converts the focused X-rays from the reflecting means into X-rays of a specific wavelength by changing the angle of incidence of the focused X-rays on the multilayer mirror. a second reflecting means for selectively adjusting the wavelength of the ray; a sample holding means for holding the X-ray optical element so as to freely adjust the incident angle of the X-ray of a specific wavelength from the second reflecting means; An X-ray optical element evaluation device comprising an X-ray detection means for injecting reflected X-rays from an X-ray optical element held by a sample holding means and converting the reflected X-rays into an electric signal indicating the incident intensity. .
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