JPH058488B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、負圧スライダの製造に関する。

（従来の技術） 従来の磁気デイスク駆動装置は、ばね押圧式の
空気ベアリングスライダを使用している。ばねで
押圧されたスライダと回転デイスクとの間に生じ
る空気ベアリングにより、デイスク表面上のフラ
イング高さを低くできるためである。スライダ
は、通例では、後縁の位置に磁気読み取り／書き
込みヘツドを支持している。スライダは空気ベア
リングを介して“浮き上がり”、スライダに外部
から加えられるばね押圧力によりスライダのフラ
イング高さを調節している。フライング高さは、
信号のロスをなくすためにできるだけ低くする必
要がある。この形式のスライダでは、フライング
高さを低くするために外部から加える力を大きく
する必要がある。

このばね押圧形式のスライダは、接触調歩原理
に基づいて作動する。この原理によれば、スライ
ダはデイスクの回転の初期の時期に、デイスクに
物理的に接触した状態にあり、またデイスクが特
定の速度に到達するまで、空気ベアリングが形成
されてスライダをデイスクから離して持ち上げる
ようになつている。デイスクの回転がその後に停
止すると、スライダはデイスクに直接接触した状
態に戻る。加える力を増やしてフライング高さを
低くする場合、始動および停止動作に際し、デイ
スクの表面とスライダとの間に生じる摩耗も増加
する。負圧スライダとして知られているスライダ
を用いれば、この摩擦による摩耗を減らすことが
できる。この形式のスライダは、空気ベアリング
表面に負圧空所を持ち、デイスクに向けてスライ
ダを引き寄せる負圧を作り出すようになつてい
る。記憶媒体の表面により生じた空気の流れは、
空気ベアリング表面の負圧空所内に負圧区域また
は部分的な真空を生み出し、所望のフライング高
さを得るのに必要な荷重を減らすことができる。
そうした負圧スライダの例が、米国特許第
3811856号並びに第4141049号に示されている。

この形式のスライダによれば、負圧空所の深さ
と構造がスライダのフライング高さを決定してい
る。このため、スライダのフライング表面の負圧
空所は非常に正確に形成しなくてはならない。

必要とする寸法および形状の空所を正確に且つ
反復して機械的に加工することは、文字通り不可
能である。空所の機械加工に代わるその他の方法
には、化学的なエツチング、プラズマエツチング
およびイオンビーム切削加工がある。

従来では、金属層マスクを用いてスライダのフ
ライング表面を保護する一方で空所を切削する、
スライダ空所をイオン切削加工することが提案さ
れてきた。例えば、T.Nakanishi氏その他による
“イオンエツチング法により製造された薄い浮き
上がりフイルムヘツド”の表題の付いた、磁気学
会法IEEE、1980年９月、Vol.Mag.16、No.５の記
事を参照されたい。金属マスクを用いるイオン切
削法では、一般には、金属（通常ではクローム）
が最初にスライダ上に噴き付けられる。次いで、
フオトレジスト材料がスライダ上に回転塗付され
る。フオトレジスト材料はパターン化され、負圧
空所になる部分を露光する。次いで、金属層を化
学的にエツチングして空所を形成する。フオトレ
ジスト材料を取り除き、スライダのフライング表
面を金属層で保護したままスライダ空所をイオン
切削し、最後に、金属層の残りの部分を化学的に
エツチングして取り除いている。

前述した方法を用いる場合、様々な問題点が経
験されてきた。先ず、金属層の噴き付け並びにエ
ツチング処理によつてコストが嵩み、工程が繁雑
になり、しかも作業を完了するまでに時間がかか
ることがある。さらに、スライダ上に正確に負圧
空所を配置することが困難であつた。また、比較
的浅いスライダ空所だけがこの方法を用いて切削
できる。この方法では金属保護層が耐えられる切
削作業は、概ね４ミクロンの空所の深さまでであ
る。本発明並びに米国特許第4286297号および第
4141049号に図示された形式の負圧空所を持つス
ライダを例に採れば、第１図のフライング高さと
空所深さの曲線グラフに示すように、10マイクロ
インチ＼1.25ミクロン／のフライング高さを得る
には、空所は２ミクロンかまたは12ミクロンの深
さに形成する必要がある。曲線が持つ勾配は、12
ミクロンの地点より２ミクロンの地点のほうが大
きいため、スライダ空所を12ミクロンの深さに形
成して、空所にできる深さの変化がフライング高
さに大きく影響しないようにすることが望まし
い。しかしながら、前述した従来技術の方法にお
ける制限により、例えば４ミクロンまでの範囲の
比較的浅い空所しか作ることができない。例え
ば、T.Nakanishi氏その他の“イオンエツチング
法により製造された狭いトラツクの磁気ヘツド”
の表題の付いた磁気学会報IEEE、1979年５月、
Vol.Mag.15、No.３の記事を参照されたい。この
中には、“イオン切削法では、深いエツチツグ深
さを得ることができない”なる説明がされてい
る。

（問題点を解決するための手段） 従来技術の問題点を解消するために、本発明
は、12ミクロンあるいはそれ以上の深さまで正確
に比較的深い負圧空所をイオン切削することので
きる方法を明らかにしている。この方法では、保
護金属層の付着を不要なものとし、従来技術の方
法に比べて単純化し、しかも製造コストを下げる
ことにより目的を達成している。またこの方法に
よれば、負圧空所を非常に正確にスライダ上に配
置して、フライング高さを調節し且つスライダの
性能を高めることができる。

簡単に言うなら、本発明の方法によれば、比較
的厚い乾燥ネガフオトレジスト材料層をスライダ
の空気ベアリング表面に付着させ、そして写真食
刻マスクを用いてパターン化している。前記マス
クは、スライダの空気ベアリング表面上に負圧空
所を正確に配置しているパターンを備えている。
スライダの磁気ヘツドの磁極端に対し所定の位置
関係で、、マスクに整合マークを設置して、マス
クを重ね合わせられるようにしている。これら整
合マークは、フオトレジスト層を溶かしてしまわ
ない程度に細く、現像後にフオトレジスト層に空
隙ができてしまうこれらマークに付随した問題を
解消している。ポジフオトレジスト材料ではな
く、ネガフオトレジスト材料を使用して、整合に
際し磁極端をマスクの開口を通じ目で見えるよう
にする必要がある。厚いフオトレジスト層をパタ
ーン化してしまえば、フオトレジスト層でスライ
ダのフライング表面を保護した状態で、空所はイ
オン切削される。次いで残りのフオトレジスト層
が取り除かれる。

（実施例） 本発明の方法をスライダバー１０に適応した好
ましい実施例が第２図に示されている。箇々のス
ライダはこのスライダバーから切り取られるよう
になつている。バー１０は、第１の端１２と相対
して配置された第２の端１４とを備えている。ま
たスライダバー１０は前縁１６と後縁１８と、後
縁１８から直交して配置された後方面１９とを備
えている。隣接して配置された複数のスライダ２
０ａ〜２０ｍが、端１２と１４との間に配置され
ている。切り取られる予定の箇々のスライダは、
図示したように一対の点線２２ａと２４ａ，２２
ｂと２４ｂ，２２ｃと２４ｃ等により境界を接し
ている。以下に説明するようにして、スライダ空
所がスライダバー１０に切削され、スライダバー
１０はこれら点線に沿つて切断されて、１３箇の
スライダ２０ａ〜２０ｍを切り出すようになつて
いる。スライダ２０ａは第１の端スリイダをな
し、相対して配置されたスライダ２０ｍは第２の
端スライダをなし、またスライダ２０ｂから２０
Ｌは中間スライダを構成している。各スライダ２
０ａ〜２０ｍは、一対の磁気読み取り／書き込み
ヘツド（図示せず）を備えている。前記ヘツド
は、スライダー１０の後縁１８に隣接して配置さ
れている。磁気ヘツドは薄いフイルムヘツドであ
り、周知の薄いフイルムのための技術を用いて、
スライダ２０ａ〜２０ｍの後方面１９に取り付け
られている。各磁気ヘツドは、磁極端すなわち読
み取り／書き込みギヤツプを備えている。前記読
み取り／書き込みギヤツプはそれぞれのスライダ
のフライング表面に配置され、またこのフライン
グ表面の所定の正確な位置を占めている。例え
ば、スライダ２０ａは磁極端２６ａと２８ａを、
スライダ２０ｂは磁極端２６ｂと２８ｂを備える
等している。磁気ヘツドの磁気端はスライダの一
部分となつていて、記録媒体に極く近接して走行
し、記録媒体上で読み取りおよび／または書き込
みを行なうようになつている。スライダバーを突
き出し量調節装置に固定してしまえば、磁極端２
６ａ〜２６ｍ，２８ａ〜２８ｍを目で見ることが
でき、またこの磁極端が空気ベアリング表面に対
し正確に位置決めしているため、磁極端を用いて
写真食刻マスクを整合させることができる。この
マスクは負圧空所の寸法、形状並びに位置を特定
している。

スライダー１０は、例えばアルシマグ
（Alsimag）、フオトセラム（FOTCERAM）ま
たはフエライトから作ることができる。前記フオ
トセラムは、ニユヨーク州、コーニング、コーニ
ングガラス会社の商標名である。

前述したスライダバー１０を参考にして、本発
明に係るスライダバーの製造方法について説明す
る。デユポン・デ・ヌモール社のリストン
（RISTON）等の透明なフオトレジスト材料から
なる乾燥ネガフイルムの層５０が、第４図に図示
したように、先ずスライダバー１０に付着され
る。通例では、紫外線またはその他の光に露光さ
れるそうしたフオトレジスト材料は、露光位置が
１，１，１−トリクロロエタン等の塩化炭化水素
溶材現像液内で溶けることができる。以下に説明
するように、バー１０をキヤリア固定装置４０に
接着するのに使うシアノアクリレートまたはその
他の接着剤は、フオトレジスト材料の現象液に溶
けることがあつてはならない。このネガタイプの
フオトレシジスト材料は、塩化炭化水素の現像液
で非露光部分を溶解して現像した後に、フオトレ
ジスト材料のパターンを形成する。このパターン
は照射紫外線またはその他の光に露光された部分
に一致しており、従つてネガとしての特徴を備え
ている。バー１０にとつて望ましい10〜12ミクロ
ンの深さの空所を形成する際、少なくとも１〜
1.5ミル（25〜40ミクロン）のフオトレジスト材
料がイオン切削法により取り除かれる。イオン切
削に際し、フオトレジスト材料５０には孔があい
ていないことが重要である。こうした孔がある
と、切削してはならないスライダバー１０上の部
位を切削してしまうためである。従つて、縁が安
全に守られるよう、付着されるフオトレジスト材
料５０には２ミル（50ミクロン）の厚みを必要と
している。

フオトレジスト材料は、磁極端２６ａ〜２６
ｍ、２８ａ〜２８ｍがこのフオトレジスト材料を
通して目で見ることができるよう、透明でなくて
はならない。この方法の整合工程に際し、磁極端
をこうしてマスクの位置決めに用いることができ
る。

フオトレジスト材料をスライダバー１０に付着
するために、バー１０は先ず第３図に示すよう
に、アルミニウム製の処理固定装置４０に設置さ
れる。シアノアクリレート等の接着剤で接合する
ことにより、スライダバー１０を固定装置４０に
取り付けることが望ましい。この接着剤は、メチ
ル エチル ケトンおよびアセトン等の幾つかの
芳香族の炭化水素溶剤により溶けるが、先のフオ
トレジスト材料を現像するのに使用した１，１，
１−トリクロロエタン等の塩化炭化水素溶剤では
溶けない。現像中に接着剤が溶けると、固定装置
４０からすぐにバーが外れてしまう。スライダバ
ー１０は、図示のように固定装置４０の上部に１
ミル突き出している。バー１０は、以下に説明さ
れている方法のほぼ全工程にわたつて、固定装置
４０に取り付けられている。フオトレジスト層を
付着する以前に、バー１０と固定装置４０とは予
備ラミネート加熱工程に晒される。この工程で
は、バーは90℃の表面温度まで加熱され、フオト
レジスト材料がよく付着するように予備ラミネー
ト加熱工程に後続して、固定装置４０とバー１０
とは、ローララミネート装置のローラ４７，４８
の間に挿入される。前記ローララミネート装置に
は、例えばイリノイ州、エルムハーストにあるチ
オコル／ダイナチム社（Thiokol／Dynachem
Corporationi）製のダイナチムモデル＃120等が
ある（第４図を参照）。上側ローラ４７の圧力が、
フオトレジスト材料の乾燥フイルムシートをバー
１０に付着させる。その結果、第５図に示すよう
に、乾燥フイルムシートは層５４としてバー１０
に接着する。フオトレジスト層５４は、重なり合
う部分５６と５７がそれぞれバー１０の前縁と後
縁を覆つて横へ延びている。後縁１８を越えて延
びている部分５７は、（後述する）切削工程に際
し、バー１０の後方面１９に積層されている薄い
フイルムヘツドを、イオンビームから保護するよ
うになつている。

フオトレジスト層５４を付着した後、スライダ
バー１０と固定装置４０は照射整合装置（図示せ
ず）のワークピースホルダに取り付けられる。こ
の照射整合装置には、例えばカリフオルニア州、
サニーベールにあるコビルト社（Cobilt Corp.）
製のコビルトモデル＃CA400A等がある。第６図
に示すような写真食刻マスク６０が、照射整合装
置のマスクホルダに置かれる。マスク６０は、紫
外線や可視光線が通り抜けられる開口パターン６
４を除いて不透明である。パターン６４は、基本
的には、等間隔に隣接して配置された同じ形状の
複数のＨ形の開口７０ａ〜７０ｍから構成されて
いる。これら開口は、第１の端パターン７０ａと
第２の端パターン７０ｍとの間に配置されてい
る。露光パターン６４は、第１の端パターン７０
ａの外側に配置された第１の全体合わせ窓６６
と、第２の端パターン７０ｍの外側に配置された
第２の全体合わせ窓６８とを備えている。典型的
なＨ形の開口７０ａが、第７図に詳細に示されて
いる。パターン７０ａは一対の垂直方向に延びる
脚７１ａと７４ａとで構成されている。これら脚
は、水平方向に配置された横断部材７７ａにより
連結されている。脚７１ａは上側部分７２ａと、
下側部分７３ａとを備えている。同様に、脚７４
ａは上側部分７５ａと、下側部分７６ａとを備え
ている。脚７１ａの最下部には、整合マーク８０
ａが不透明な線で形成されて配置されている。同
じく、不透明な線から形成された整合マーク８２
ａが、図示のように脚７４ａの最下部に配置され
ている。不透明な整合マークは、この開口以外の
少なくとも１つの別の開口の相対する部分に配置
されており、この別の開口が１つだけであつてそ
うしたマークを備えるとするなら、マスク６０の
反対端にある開口７０ｍであるのが望ましい。

整合マーク８０ａ，８２ａ等は、各々が開口７
０ａ〜７０ｍの内側の所定の位置に配置され、マ
スクが所定の位置関係で磁極端２６ａ〜２６ｍ，
２８ａ〜２８ｍに整合される際、マスクの開口７
０ａ〜７０ｍの形成する空気ベアリング表面の部
分が、負圧空所を取り囲む部分に正確に一致する
ように、マスクは位置決めされる。正確な位置関
係を得るには幾つかの方法がある。例えば整合工
程に際し、目で判断してバー１０の空気ベアリン
グ表面上にマスクを正確に位置決めし、必要な位
置に正確に負圧空所を形成することができる。整
合に際し、整合マーク８０ａ，８２ａ等および磁
極端２６ａ〜２６ｍと２８ａ〜２８ｍを可視光線
で照明して整合し易くされる。

磁極端２６ａ〜２６ｍ，２８ａ〜２８ｍは他か
らはつきりと区別できる部所であり、切削しよう
とする表面に正確に配置されているため、これら
磁極端を整合作業に使用することが好ましい。磁
極端そのものを切削しないようにするために、透
明なネガ形式のフオトレジスト材料を使用する必
要がある。このようにすれば、整合に際してマス
クの開口を通じ磁極端を目で見ることができる。
整合マーク８０ａ，８２ａ等は、第７図に示すよ
うに、マスクの開口の僅かの部分を占めているに
過ぎない。

整合マーク８０ａ，８２ａ等は、リストンのよ
うなフオトレジスト材料が約５ミクロン（200マ
イクロインチ）より細い場合、２ミル厚のフオト
レジスト材料上に現像可能な区域を形成してフオ
トレジスト材料を溶融できないことが判明した。
すなわち、２ミルのフオトレジスト材料は200マ
イクロインチより太い線の場合いだけ溶融性があ
る。もちろんのこと、その他のフオトレジスト材
料および厚みを用いて、先に述べた200マイクロ
インチの以外の太さで溶融性を発揮する繊細なあ
るいは粗い線を使用することもできるが、同時に
こうした場所でこれらマーク８０ａと８２ａに選
択できる幅は、以下の理由により制限がある。マ
ーク８０ａ，８２ａ等が、フオトレジスト層５４
に現像可能なパターンを形成しないことが重要で
ある。そうでないと、磁極端に隣接した空気ベア
リング表面に好ましくない切削作用が働いて、空
所ができてしまうことがあり、また磁極端の一部
を切削してしまうことがあるためである。同時に
整合マークは、整合に際して作業者が拡大すれば
充分目で見える太さが必要とされる。この条件
は、線が200マイクロインチあれば満たされる。
さらに、200マイクロインチの線の太さの区域は、
典型的な磁極端２６ａ〜２６ｍ、２８ａ〜２８ｍ
の寸法の数百パーセントの範囲内にあり、操作者
がマスク６０を空気ベアリング表面に整合させる
際、操作者が整合マーク８０ａ，８２ａ等と磁極
端２６ａ，２８ａ等との間を簡単に確認して、所
定の位置関係に設置することができる。こうして
得られたマスク６０の所定の位置に高い信頼性が
得られ、負圧空所を空気ベアリング表面に正確に
配置できる。

スライダバー１０のスライダ２０ａ〜２０ｍ上
に開口パターン６４を整合させるために、バー１
０とマスク６０は可視光線で照明される。この可
視光線は、フオトレジスト層５４を露光撮影して
しまうことがない。次いで適当な位置決め機構に
よりバー１０は移動され、パターン６４の全体合
わせ窓６６と６８の内側にバー１０の端１２と１
４を対照的に位置決めすることが行なわれる。
（これとは別に、バー１０を静止した状態にして
おいてマスク６０を移動することもできる。）第
８図は、パターン６４に対するバー１０の位置決
め作業を図示している。この全体合わせを行なつ
た後に、操作者は先ず端パターン７０ａを例えば
拡大して観察し、スライダ２０ａの磁極端２６
ａ，２８ａがＨ型のパターン７０ａ（第９図参照）
の整合マーク８０ａ，８２ａに整合して所定の位
置関係が得られるまでバー１０を動かすことによ
り、スライダ２０ａ〜２０ｍとパターン６４の厳
密な整合が行なわれる。フオトレジスト材料は可
視光線を通す透明なため、磁極端２６ａ，２８ａ
を見ることができる。整合マーク８０ａ，８２ａ
が第９図に示すように磁極端２６ａ，２８ａに対
し垂直方向に揃い且つ対照的に配置されていれ
ば、これらマーク８０ａ，８２ａは好ましい位置
関係にある。バー１０とマスク６０との厳密な整
合を仕上げるために、続いて操作者は反対側に位
置した端パターン７０ｍを観察して、第９図に示
したのとほぼ同じ方法で、バー１０を動かし、ス
ライダ２０ｍの磁極端２６ｍと２８ｍをＨ型のパ
ターン７０ｍの整合マーク８０ｍ，８２ｍに整合
させる。両端のスライダ２０ａと２０ｍの磁極端
をそれぞれ相対する開口７０ａと７０ｍの整合マ
ークに合わせてしまえば、厳密な整合作業が完了
する。基準点としてスライダ２０ａと２０ｍの磁
極端を利用することにより、箇々のスライダの磁
極端に対し、スライダ上に非常に正確に負圧空所
を配置、結果的に箇々のスライダの空気ベアリン
グ表面に正確に配置することができる。

マスクパターン６４をスライダ２０ａ〜２０ｍ
に整合した後、紫外光線がマスク６０を通じて照
射され、スライダ２０ａ〜２０ｍのフオトレジス
ト層５４上にＨ型のパターン７０ａ〜７０ｍを露
光する。ネガフオトレジスト写真食刻法を用いる
ことにより、露光されたＨ型のパターンを現像
し、露光されなかつたフオトレジスト層５４の部
分は、例えば１，１，１−トリクロロエタン低圧
スプレーを用いて取り除かれる。従つて、処理の
この時期では、第１０図に示すように、フオトレ
ジスト５４が13箇のＨ型のパターン９０ａ〜９０
ｍすべてが残つている。

Ｈ型パターン７０ａ〜７０ｍの脚は、バー１０
の前縁１６と後縁１８を跨がつていることに注目
されたい。後縁１８を越えて延びている跨がつた
部分９８が、前述したように後方面１９にラミネ
ートされている磁気ヘツド（図示せず）の露出部
分を保護している。磁気ヘツドの露出部分を覆う
フオトレジスト層の延長部は、イオン切削作業に
際しバー１０の表面に対し、例えば45度から25度
の傾斜角度でバー１０にイオンが射出されるた
め、非常に重要である。従つて、磁気ヘツドの露
出部分をこのように保護していなければ、当該部
分は切削されてしまうことになる。

フオトレジスト層をパターン化し、スライダバ
ー１０を処理固定装置４０に固定したまま、この
固定装置４０はイオン切削装置に取り付けられ
る。この装置には、例えばコロラド州、フオート
コリンズにあるイオンテツク社（Ion Tech，
Inc.）製のモデル10／1500／10イオンソース装置
等がある。イオン切削工程時に固定装置４０は回
転され、均一な切削を行なえるようにしている。
イオン切削作業が開始されると、Ｈ形のフオトレ
ジストパターン９０ａ〜９０ｍはスライダ２０ａ
〜２０ｍの真下に位置する部分を切削作業から保
護し、負圧空所が所定の深さにわたつて切削され
るようになつている。切削時間、イオン加速電圧
およびイオン電流が選択され、所定の深さの空所
を切削するようになつている。Ｈ形のフオトレジ
ストパターンの真下に位置する各スライダの部分
は、スライダの空気ベアリングフライング表面を
構成している。例えばフオトレジストパターン９
０ａは、スライダ２０ａのフライング２１ａを保
護している（第１１図から第１３図を参照）。第
１１図は、イオン切削工程を完了した時点でのス
ライダ２０ａを示し、負圧空所１００ａと１０２
ａが適当な深さまで切削されている。空所１００
ａが、脚９１ａ，９４ａの下側部分と横断部材９
７ａとにより形成されている。空所１０２ａは、
脚９１ａ，９４ａの上側部分と横断部材９７ａと
により形成されている。スライダ２０ａの空所１
００ａと１０２ａとが切削されている際、空所１
００ｂ〜１００ｍ，１０２ｂ〜１０２ｍも同時に
箇々のスライダ２０ｂ〜２０ｍ内で切削される。
スライダバー１０イオン切削作業は熱を発生す
る。この熱はバー１０から取り除いて、スライダ
２０ａ〜２０ｍが過熱されるのを防がなくてはな
らない。この実施例では、スライダバー１０を支
持する処理固定装置４０がイオン切削装置に取り
付けられ、シアノアクリレート接着剤がこの熱を
固定装置４０に伝え、固定装置４０内を循環する
冷却水に伝えることにより、スライダ２０ａ〜２
０ｍの過熱を防止している。

イオン切削工程を完了すれば、フオトレジスト
パターン９０ａ〜９０ｍは取り除くことができ
る。この取り除き作業は、例えば、先ずバー１０
をアセトンの浴槽内で洗浄するか浸漬し、次いで
このバーを超音波洗浄層に漬けることによる。ア
セトンまたはメチル エチル ケトンの何れかを
使用すると、固定装置４０からバー１０を取り外
すこと以外に、イオン切削後に残つている露出し
たフオトレジストフイルムを同時に取り除くこと
ができ、新たにフオトレジストフイルムを除去す
る工程を行なわなくてもよい副次的な利点が奏さ
れる。

フオトレジスト層の残っている部分を取り除
き、固定装置４０からスライダバー１０を取り外
せば、第12図に示したような１０ができあがる。
13箇のスライダ２０ａ〜２０ｍの各々は、正確に
配置形成された一対の負圧空所１００ａ〜１００
ｍと１０２ａ〜１０２ｍをそれぞれ備えている。
スライダ２０ａ〜２０ｍは、スライダバー１０か
ら切り取ることができる。バー１０からスライダ
２０ａを切り取るために、ダイヤモンド研磨ホイ
ールを使用して、（第２図の点線２２ａ，２４ａ
に相当する）想像上の切断線１１０ａ，１１２ａ
に沿つて切断の行なう。同様に、他のスライダ２
０ｂ〜２０ｍもそれぞれ想像上の切断線１１０ｂ
〜１１０ｍと１１２ｂ〜１１２ｍの位置を切断し
て取り出される。このためフライング表面２１ａ
〜２１ｍには僅かに被覆が施されている。次いで
スライダ２０ａ〜２０ｍはアセトンで洗浄され、
そして水洗されて処理を終える。

処理を終えた時点での、典型的なスライダ２０
ａが第１３図に示されている。スライダ２０ａは
Ｈ形の空気ベアリングフライング表面２１ａと、
非常に正確に配置形成された一対の負圧空所１０
０ａ，１０２ａとを備えている。スライダ２０ａ
の磁極端２６ａ〜２８ａは、正確に制御されたフ
ライング高さで記録表面上を走行して、磁気ヘツ
ドに理想的な性能を発揮させることができる。

この好ましい実施例では、スライダバー１０と
して選択されたスライダ材料はアルシマグであ
る。先に指摘したリストンのフオトレジスト材料
は、概ね48ミクロン（２ミル）の厚みで付着され
る。負圧空所１００ａ〜１００ｍ，１０２ａ〜１
０２ｍは、先にも指摘したように12ミクロンの深
さにイオン切削される。イオンテツク社のモデル
10／1500／200切削装置を用いて12ミクロンの切
削深さを得るため、1200ボルトの加速電圧と共に
125ミリアンペアのイオン電流を、150分の期間に
わたり使用した。イオン切削ビームは直径が10セ
ンチメートルある。これらのパラメータにより、
スライダバー１０の表面を消失させてしまう１平
方センチメートル当たり1.9ワツトの出力が得ら
れる。前述したように、スライダバー１０は水冷
固定装置４０に支持されてこの熱を除去するよう
になつている。空所１１０ａ〜１１０ｍ，１１２
ａ〜１１２ｍが切削されている間、リストン層も
切削されている。48ミクロンのリストン層のう
ち、概ね36ミクロンが切削されて除かれ、他方、
スライダ空所は12ミクロンの深さまで切削され
る。

典型的には、イオンビームの切削角度は、切削
される表面に対し45度である。しかしながら、切
削表面上に切削された材料が再び堆積するのを防
ぐために、切削角度は変えることができる。例え
ば、フオトセラム製のスライダバーでは、25度の
切削角度で再堆積を防止できる。

このように、前述した方法は、スライダの負圧
空所を非常に正確に位置決めする一方で、必要と
あらば12ミクロンの深さを持つ空所を正確に形成
することができる。しかも、この方法は従来技術
の方法よりも大幅に単純化されており、金属の再
堆積がなくしかもパターン化の工程を省略でき
る。

当然のことながら、この実施例では本発明の方
法を用いて13箇の隣接するスライダを同時に製造
しているが、その他の構造のスライダを、フオト
レジスト層をパターン化するのに用いるマスクに
も同じような変更を加えて製造することもでき
る。

本発明の好ましい実施例について説明してきた
が、本発明の変更並びに修正については当業者に
は自明である。従つて、本発明は添付の特許請求
の範囲の記載によつてのみ制限しようとするもの
ではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のスライダの、フライング高
さと空所深さの関係を示すグラフである。第２図
は、本発明の方法に係る負圧空所を形成する以前
の、スライダバー１０の斜視図を示している。第
３図は、処理固定装置で支持したスライダバー１
０を示している。第４図は、フオトレジスト積層
装置に挿入されているスライダバー１０を示して
いる。第５図は、処理固定装置４０の一部を省略
した、フオトレジスト層５４を付着した後のスラ
イダバー１０を示している。第６図は、本発明の
写真食刻マスク６０を示している。第７図は、マ
スク６０の典型的なＨ形のパターンを示してい
る。第８図は、スライダバー１０に重ね合わされ
る整合パターン６４を示している。第９図は、ス
ライダバー１０の一方の端に重ね合わされるＨ形
のパターン７０ａの拡大図である。第１０図は、
フオトレジスト層をパターン化した後のスライダ
バー１０を示しており、処理固定装置４０の一部
分は省略してある。第１１図は、フオトレジスト
層をパターン化し、スライダ空所をイオン切削し
た後の、スライダバー１０の一方の端を拡大した
図を示しており、処理固定装置４０の一部分は省
略してある。第１２図は、イオン切削作業後のス
ライダバー１０を示しており、フオトレジスト層
の残りの部分は取り除かれている。第１３図は、
工程を終了した時点での負圧スライダを示してい
る。 １０……スライダバー、１２……第１の端、１
４……第２の端、１６……前縁、１８……後縁、
１９……後方面、２０ａ〜２０ｍ……スライダ、
２１ａ〜２１ｍ……スライダ表面、２２ａ〜２２
ｍ，２４ａ〜２４ｍ……スライダの境界の点線、
２６ａ〜２６ｍ，２８ａ〜２８ｍ……磁極端、４
０……固定装置、４７，４８……ローラ、５０…
…フオトレジスト材料、５４……フオトレジスト
層、５６，５７……重なり合う部分、６０……写
真食刻マスク、６４……開口パターン、６６，６
８……全体合わせ窓、７０ａ〜７０ｍ……Ｈ形の
開口、７１ａ，７４ａ……脚、７２ａ，７５ａ…
…脚の上側部分、７３ａ，７６ａ……脚の下側部
分、７７ａ……横断部材、８０ａ，８２ａ……整
合マーク、９０ａ〜９０ｍ……フオトレジストパ
ターン、９１ａ，９４ａ……脚、９７ａ……横断
部材、９８……跨がつた部分、１００ａ〜１００
ｍ，１０２ａ〜１０２ｍ……負圧空所、１１０ａ
〜１１０ｍ，１１２ａ〜１１２ｍ……空所。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 空気ベアリング表面の所定位置から磁極端が
   突き出した磁極ヘツドをそれぞれ有する空気ベア
   リングスライダが多数形成されたバー上におい
   て、該空気ベアリングスライダが個々に該バーか
   ら切り出される前に、前記磁極端から隔置された
   所定の位置で、前記空気ベアリングスライダの空
   気ベアリング表面にそれぞれ所定形状の負圧空所
   を形成する方法において、 (a) 所定の線の幅より太い線に対してのみ溶融性
   を持たせた透明なネガフオトレジスト材料の層
   を、前記磁極端を含む空気ベアリング表面に張
   り付ける段階と、 (b) 前記負圧空所を取り囲むべく、前記空気ベア
   リング表面の全体部分をそれぞれ画成する開口
   のパターンであつて、これら開口の少なくとも
   二つにおけるある特定位置に前記所定の線より
   も細い幅の不透明な線で構成される整合マーク
   が形成されたパターンを有するマスクを前記空
   気ベアリング表面に密接させて配置する段階で
   あり、当該段階において、前記空気ベアリング
   表面の磁極端と所定の空間的関係を持つように
   該整合マークを配置して該マスクを位置づけ
   し、当該空気ベアリング表面上に前記負圧空所
   が占める位置を画成するように前記マスクの不
   透明な領域を配置する段階と、 (c) マスクを通して光を照射して前記フオトレジ
   スト材料を露光させ、前記負圧空所の所定形状
   と位置に対応した未露光のパターンを形成する
   段階と、 (d) 前記マスクを除去する段階と、 (e) 前記フオトレジスト材料を現像し、前記未露
   光パターンを溶剤で洗浄溶解して除去する段階
   と、 (f) 前記空気ベアリング表面をイオン加工して前
   記負圧空所を形成する段階とを有する方法。 ２ 特許請求の範囲の第１項に記載の方法におい
   て、前記フオトレジスト材料の現像に使用した前
   記溶剤に対抗性のある接着剤で前記バーを固定装
   置に装着し、しかして、該フオトレジスト材料を
   除去する際に、該固定装置および該バーを該フオ
   トレジスト材料および該接着剤の双方を溶解可能
   の溶剤で洗浄するようになつた方法。 ３ 特許請求の範囲第２項に記載の方法におい
   て、前記バーを前記固定装置に装着する際に、前
   記接着剤としてシアノアクリレートを用い、前記
   フオトレジスト材料としてメチルエチルケトンあ
   るいはアセトンで溶解し得るフオトレジストを用
   いるようにした方法。 ４ 特許請求の範囲第３項に記載の方法におい
   て、前記フオトレジスト材料は、約50μm（2mil）
   の厚さであり、約5μm（200マイクロインチ）より
   太い線が溶解可能のものである方法。