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JPH0588503B2 - - Google Patents
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JPH0588503B2 - - Google Patents

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JPH0588503B2
JPH0588503B2 JP62051575A JP5157587A JPH0588503B2 JP H0588503 B2 JPH0588503 B2 JP H0588503B2 JP 62051575 A JP62051575 A JP 62051575A JP 5157587 A JP5157587 A JP 5157587A JP H0588503 B2 JPH0588503 B2 JP H0588503B2
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JP
Japan
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ion beam
signal
beam current
output signal
circuit
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Hachiro Shimayama
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Jeol Ltd
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Nihon Denshi KK
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はイオンビームを発生させて被描画材料
に照射するイオンビーム装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an ion beam apparatus that generates an ion beam and irradiates a material to be imaged.

[従来の技術] ガスフエイズイオン源を備えたイオンビーム装
置においては、エミツタと引出電極間に引出電圧
を印加し、イオンビームを引き出している。第2
図はこのようなイオンビーム装置の従来例を示す
もので、図中1はガスフエイズイオン源のエミツ
タ、2は引出電極、3はエミツシヨンされたイオ
ンの電流を検出するためのイオンビーム電流検出
器、4は集束レンズ、5は対物レンズ、6は被描
画材料、7は加速電源、8aは引出電源、8bは
引出電源8aの出力電圧を制御するための制御回
路、9は増幅器、10は負帰還制御を行なうため
の差動増幅器、11はリミツト回路、12は加算
増幅器、13はエミツタ1よりエミツシヨンされ
るイオンビーム電流量の目標値を設定するための
イオンビーム電流指定信号発生回路、14は引出
電圧の目標値を設定するための引出電圧指定信号
発生回路である。上記リミツト回路11は第3図
の特性線イに示すような入出力特性を有する。即
ち、入力信号Xが−ΔX以上+ΔX以下の場合に
は、その入力信号値を線形変換した−ΔYから+
ΔYまでの信号Yを出力し、入力信号が−ΔXよ
り小さい場合には−ΔYの信号を出力すると共
に、入力信号が+ΔXより大きい場合には、信号
値+ΔYの信号を出力する。
[Prior Art] In an ion beam apparatus equipped with a gas phase ion source, an extraction voltage is applied between an emitter and an extraction electrode to extract an ion beam. Second
The figure shows a conventional example of such an ion beam device. In the figure, 1 is an emitter of a gas phase ion source, 2 is an extraction electrode, and 3 is an ion beam current detector for detecting the current of emitted ions. 4 is a focusing lens, 5 is an objective lens, 6 is a material to be drawn, 7 is an acceleration power source, 8a is an extraction power source, 8b is a control circuit for controlling the output voltage of the extraction power source 8a, 9 is an amplifier, and 10 is a 11 is a limit circuit; 12 is a summing amplifier; 13 is an ion beam current designation signal generating circuit for setting a target value of the amount of ion beam current emitted from emitter 1; 14; is an extraction voltage designation signal generation circuit for setting the target value of the extraction voltage. The limit circuit 11 has input/output characteristics as shown by characteristic line A in FIG. In other words, if the input signal
It outputs a signal Y up to ΔY, and when the input signal is smaller than -ΔX, it outputs a signal of -ΔY, and when the input signal is larger than +ΔX, it outputs a signal with a signal value of +ΔY.

さて、ガスフエイズイオン源の場合、エミツシ
ヨンされたイオンビーム電流Iは第4図の特性線
イに示すように、引出電圧Vに対して極大点を有
する。取り出すイオンビーム量は多いことが望ま
れるため、極大値に近いイオンビーム電流量をイ
オン源より取り出そうとする際には、以下のよう
に前記指定信号を設定する。即ち、例えば第4図
における点Poに対応するイオンビーム電流Ioを
指定する信号をイオンビーム指定信号発生回路1
3より発生させると共に、引出電圧Voに対応す
る信号を引出電圧指定信号発生回路14より発生
させる。そして、イオンビーム電流検出器3より
の出力信号を増幅した増幅器9の出力とイオンビ
ーム電流指定信号発生回路13よりのイオンビー
ム電流指定信号との偏差を増幅した信号が差動増
幅器10より出力される。この信号は前記変換特
性に従つてリミツト回路11により変換された
後、加算増幅器12に送られる。リミツト回路1
1よりの出力信号と前記引出電圧指定信号発生回
路14よりの出力信号は加算増幅器12において
加算され、加算増幅器12の出力の出力信号は前
記制御回路8bに送られるため、引出電源8aは
前記点Poに対応した引出電圧を発生するように
制御される。
Now, in the case of a gas phase ion source, the emitted ion beam current I has a maximum point with respect to the extraction voltage V, as shown by characteristic line A in FIG. Since it is desirable to extract a large amount of ion beam, when attempting to extract an ion beam current amount close to the maximum value from the ion source, the designation signal is set as follows. That is, for example, the ion beam designation signal generation circuit 1 generates a signal designating the ion beam current Io corresponding to the point Po in FIG.
At the same time, a signal corresponding to the extraction voltage Vo is generated from the extraction voltage designation signal generation circuit 14. Then, a signal is outputted from the differential amplifier 10 by amplifying the deviation between the output of the amplifier 9 which amplified the output signal from the ion beam current detector 3 and the ion beam current designation signal from the ion beam current designation signal generation circuit 13. Ru. This signal is converted by a limit circuit 11 according to the conversion characteristic and then sent to a summing amplifier 12. Limit circuit 1
1 and the output signal from the output voltage designation signal generation circuit 14 are added in the summing amplifier 12, and the output signal of the output of the summing amplifier 12 is sent to the control circuit 8b. It is controlled to generate the extraction voltage corresponding to Po.

リミツト回路11が存在しない場合、負帰還制
御の最中に何等かの原因により引出電圧がピーク
値Ipに相当する電圧Vpより右側にずれることが
ある。このような場合、前記負帰還制御系におい
ては引出電圧が不足していると判定され、引出電
源8aが引出電圧の最大値を引出電極2に印加し
てしまう。そのため、イオンビーム電流を益々低
下させることになり、負帰還ループが外れてしま
う。リミツト回路11はこのような問題を解決す
るために設けられたもので、リミツト回路11に
より加算増幅器12への入力信号の範囲が限定さ
れるため、負帰還ループが外れることはない。
If the limit circuit 11 is not present, the extraction voltage may shift to the right side of the voltage Vp corresponding to the peak value Ip for some reason during negative feedback control. In such a case, the negative feedback control system determines that the extraction voltage is insufficient, and the extraction power source 8a applies the maximum value of the extraction voltage to the extraction electrode 2. Therefore, the ion beam current is further reduced, and the negative feedback loop is broken. The limit circuit 11 is provided to solve this problem, and since the limit circuit 11 limits the range of the input signal to the summing amplifier 12, the negative feedback loop will not be disconnected.

[発明が解決しようとする問題点] ところで、第4図に示したイオンビーム電流I
と引出電圧Vとの関係はイオンビームが充分発生
した後における特性であり、イオンビームを発生
させる際の初期の状態においては、引出電源より
かなり大きな引出電圧をエミツタと引出電極間に
印加しないとイオンビームは発生しない。しかし
ながら、従来の装置においては、リミツト回路1
1により制御回路8bに帰還される制御信号の大
きさが限定されているため、以下のような繁雑な
操作をしなければならなかつた。
[Problems to be solved by the invention] By the way, the ion beam current I shown in FIG.
The relationship between and the extraction voltage V is a characteristic after the ion beam has been sufficiently generated, and in the initial state when generating the ion beam, an extraction voltage considerably higher than the extraction power source must be applied between the emitter and the extraction electrode. No ion beam is generated. However, in the conventional device, the limit circuit 1
1, the magnitude of the control signal fed back to the control circuit 8b is limited, making it necessary to perform the following complicated operations.

即ち、まず、操作者は帰還ループを外して手動
にて引出電源8aの出力電圧を高い値に設定して
エミツタ1よりビームの発生を開始させ、ビーム
電流量を電流計より確認してビーム電流が帰還ル
ープを組める程増大したら手動にて引出電圧を設
定ビーム電流に対応する引出電圧まで引き下げ、
そこで負帰還ループを動作させるようにしてい
る。
That is, first, the operator removes the feedback loop, manually sets the output voltage of the extraction power source 8a to a high value, starts generating a beam from the emitter 1, checks the amount of beam current with an ammeter, and determines the beam current. When the voltage has increased enough to form a feedback loop, manually lower the extraction voltage to the voltage corresponding to the set beam current.
Therefore, a negative feedback loop is activated.

本発明はこのような従来の欠点を解決し、操作
者の繁雑な操作なしに、エミツタよりイオンビー
ムを発生させ、更に所定のイオンビーム電流値を
維持するための負帰還制御を行なうことのできる
イオンビーム装置を提供することを目的としてい
る。
The present invention solves these conventional drawbacks, and makes it possible to generate an ion beam from an emitter without complicated operations by an operator, and to perform negative feedback control to maintain a predetermined ion beam current value. The purpose is to provide an ion beam device.

[問題点を解決するための手段] そのため本発明は、ガスフエイズイオン源のエ
ミツタと引出電極間に引出電圧を印加するための
引出電源と、前記エミツタより発生するイオンビ
ーム電流量を検出するための検出手段と、イオン
ビーム電流量の目標値を設定するためのイオンビ
ーム電流指定信号発生回路と、前記検出手段より
の出力信号と前記イオンビーム電流指定信号発生
回路の出力信号との偏差を増幅するための増幅器
と、該増幅器の出力信号値の範囲を所定幅内に限
定して出力するためのリミツト回路と、前記引出
電源の出力電圧を指定するための信号を発生する
引出電圧指定信号発生回路と、前記リミツト回路
の出力信号と前記引出電圧指定信号発生回路の出
力信号に基づいて前記引出電源の出力電圧を制御
するための手段を備えたイオンビーム装置におい
て、該イオンビーム装置の稼働開始時に前記エミ
ツタより発生するイオンビーム電流より大きく前
記イオンビーム電流指定信号発生回路で指定され
るイオンビーム電流より小さいイオンビーム電流
に対応した基準信号を発生する基準信号源、及
び、前記検出手段よりの出力信号と前記基準信号
とを比較し、前記検出手段よりの出力信号が前記
基準信号より小さい場合には前記リミツト回路を
非稼働状態にし、大きい場合には稼働状態に切換
えるための手段を備えたことを特徴としている。
[Means for Solving the Problems] Therefore, the present invention provides an extraction power source for applying an extraction voltage between an emitter and an extraction electrode of a gas phase ion source, and detects the amount of ion beam current generated from the emitter. an ion beam current designation signal generation circuit for setting a target value of the ion beam current amount; and a deviation between an output signal from the detection means and an output signal of the ion beam current designation signal generation circuit. an amplifier for amplification, a limit circuit for limiting the range of the output signal value of the amplifier to within a predetermined width, and an extraction voltage designation signal for generating a signal for specifying the output voltage of the extraction power supply. In an ion beam apparatus comprising a generation circuit and means for controlling the output voltage of the extraction power source based on the output signal of the limit circuit and the output signal of the extraction voltage designation signal generation circuit, the operation of the ion beam apparatus is performed. a reference signal source that generates a reference signal corresponding to an ion beam current that is greater than the ion beam current generated by the emitter at the start and smaller than the ion beam current designated by the ion beam current designation signal generation circuit; and means for comparing the output signal from the detection means with the reference signal, and when the output signal from the detection means is smaller than the reference signal, the limit circuit is brought into a non-operating state, and when the output signal is larger than the reference signal, the limit circuit is switched to an operating state. It is characterized by

[実施例] 以下、図面に基づき本発明の実施例を詳述す
る。
[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail based on the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示すための図であ
り、第1図においては第2図と同一の構成要素に
対しては同一符号を付している。
FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of the present invention, and in FIG. 1, the same components as in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.

第1図において、11はリミツト回路であり、
リミツト回路11はツエナーダイオ−ド11a,
11bと抵抗11cを含んでいる。15は比較回
路であり、比較回路15にはイオンビーム検出器
3の出力信号を増幅した信号が送られていると共
に、基準信号源16よりの出力信号が送られてい
る。該基準信号源は、イオンビーム装置の稼働開
始時に前記エミツタ1より発生するイオンビーム
電流より大きく、前記イオンビーム電流指定信号
発生回路13で指定されるイオンビーム電流より
小さいイオンビーム電流に対応した基準信号を発
生するものである。比較回路15の出力信号はタ
イマー回路17に送られており、タイマー回路1
7の出力信号はオンオフスイツチ回路18に送ら
れている。スイツチ回路18はタイマー回路17
よりの設定時間終了信号に基づいて導通非導通を
制御される。
In FIG. 1, 11 is a limit circuit;
The limit circuit 11 includes a Zener diode 11a,
11b and a resistor 11c. 15 is a comparison circuit, to which a signal obtained by amplifying the output signal of the ion beam detector 3 is sent as well as an output signal from the reference signal source 16. The reference signal source is a reference signal corresponding to an ion beam current larger than the ion beam current generated by the emitter 1 at the start of operation of the ion beam apparatus and smaller than the ion beam current specified by the ion beam current specification signal generation circuit 13. It generates a signal. The output signal of the comparison circuit 15 is sent to the timer circuit 17.
The output signal of 7 is sent to an on/off switch circuit 18. The switch circuit 18 is the timer circuit 17
The conduction and non-conduction are controlled based on the set time end signal.

このような構成の装置において、基準信号源1
6より第4図の電流Icに相当する信号を発生させ
るように基準信号源16の出力信号を設定する。
又、イオンビーム電流指定信号発生回路13の出
力信号を第4図の電流値Ioに相当する値に設定す
ると共に、引出電圧指定信号発生回路14の出力
信号を第4図の電圧値Voに相当する値に設定す
る。そこで装置を稼働させると、最初の状態にお
いてイオンビーム検出器3の検出信号は前記基準
信号源16よりの基準信号を越えないため、比較
回路15の出力信号及びそれに基づくタイマー回
路17の出力信号はローレベルとなり、スイツチ
回路18は非導通状態となる。そのため、リミツ
ト回路11は非可動状態となる。従つて、差動増
幅器10から加算増幅器12に送られる信号は増
大して行き、加算増幅器12より極めて大きな信
号が制御回路8bに送られるため、引出電源8a
より発生する引出電圧は最大値に近くなる。
In an apparatus having such a configuration, the reference signal source 1
6, the output signal of the reference signal source 16 is set so as to generate a signal corresponding to the current Ic shown in FIG.
Further, the output signal of the ion beam current designation signal generation circuit 13 is set to a value corresponding to the current value Io in FIG. 4, and the output signal of the extraction voltage designation signal generation circuit 14 is set to a value corresponding to the voltage value Vo in FIG. Set it to the value you want. When the apparatus is operated, the detection signal of the ion beam detector 3 does not exceed the reference signal from the reference signal source 16 in the initial state, so the output signal of the comparison circuit 15 and the output signal of the timer circuit 17 based on it are The signal becomes low level, and the switch circuit 18 becomes non-conductive. Therefore, the limit circuit 11 becomes inactive. Therefore, the signal sent from the differential amplifier 10 to the summing amplifier 12 increases, and since an extremely large signal from the summing amplifier 12 is sent to the control circuit 8b, the output power source 8a
The resulting extraction voltage is close to the maximum value.

このような大きな電圧がエミツタ1と引出電極
2間に印加されると、エミツタ1よりイオンビー
ムの発生が開始する。更に、エミツタ1より発生
するイオンビーム電流は次第に増加して来るた
め、イオンビーム検出器3よりの検出信号が前記
基準信号源16の出力信号を超える。その結果、
比較回路15の出力信号がハイレベルとなり、タ
イマー回路17は時間経過の計数を開始する。タ
イマー回路17に予め設定した時間が経過する
と、タイマー回路17よりスイツチ回路18に送
られる信号がハイレベルとなる。そのため、スイ
ツチ回路18は導通状態になるため、リミツト回
路11は可動状態に切換えられ第3図の特性を有
するようになる。その結果、増幅器10の出力信
号の範囲は第4図のVo−ΔVからVo+ΔVの範囲
までの信号に変換されて加算増幅器12に送られ
る。この時点ではガスフエイズイオン源の特性は
第4図のイで示すものになつているため、負帰還
ループが自動的に働き始め、エミツタ1より発生
するイオンビーム電流量は、設定した値Ioに維持
される。従つて、前述した繁雑な操作なしに、エ
ミツタよりイオンビームを発生させ、更にイオン
ビーム電流を所定の値に負帰還制御することがで
きる。
When such a large voltage is applied between the emitter 1 and the extraction electrode 2, the emitter 1 starts generating an ion beam. Further, since the ion beam current generated by the emitter 1 gradually increases, the detection signal from the ion beam detector 3 exceeds the output signal from the reference signal source 16. the result,
The output signal of the comparison circuit 15 becomes high level, and the timer circuit 17 starts counting the passage of time. When the time preset in the timer circuit 17 has elapsed, the signal sent from the timer circuit 17 to the switch circuit 18 becomes high level. Therefore, the switch circuit 18 becomes conductive, and the limit circuit 11 is switched to a movable state and has the characteristics shown in FIG. As a result, the output signal range of the amplifier 10 is converted into a signal ranging from Vo-ΔV to Vo+ΔV in FIG. 4, and is sent to the summing amplifier 12. At this point, the characteristics of the gas phase ion source are as shown in Figure 4 A, so the negative feedback loop automatically starts working, and the amount of ion beam current generated from emitter 1 is set to the set value Io. will be maintained. Therefore, it is possible to generate an ion beam from the emitter and to control the ion beam current to a predetermined value by negative feedback without the above-mentioned complicated operations.

上述した実施例は本発明の一実施例に過ぎず、
本発明は変形して実施することができる。
The embodiment described above is only one embodiment of the present invention,
The present invention can be implemented in variations.

例えば、上述した実施例においては、リミツト
回路11の特性を第5図に示すように、Xの−側
の範囲の広さを+側の範囲のN倍の広さに設定し
ても良い。
For example, in the above-described embodiment, the width of the range on the negative side of X may be set to be N times as wide as the range on the positive side, as shown in FIG. 5 for the characteristics of the limit circuit 11.

又、上述した実施例においては、エミツタ1よ
り発生する電流をイオンビーム光路中に配置され
た絞り状の検出器を用いて検出するようにした
が、加速電源8aとエミツタ1との間に抵抗素子
を配置し、この抵抗素子を流れる電流を取り出す
ことによりイオンビーム電流を検出するようにし
ても良い。
Further, in the above-described embodiment, the current generated from the emitter 1 is detected using a diaphragm-shaped detector placed in the ion beam optical path, but a resistor is installed between the accelerating power source 8a and the emitter 1. The ion beam current may be detected by arranging an element and extracting the current flowing through this resistance element.

又、上述した実施例においては、イオンビーム
の検出信号が基準信号源16の出力信号を越える
後、タイマー回路17によつて設定時間経過しな
いとスイツチ回路18を動作させないようにした
が、基準信号源16の出力信号を越えた後、直ち
に負帰還ループが動作できる場合には、タイマー
回路17を省くこともできる。
Further, in the above-described embodiment, the switch circuit 18 is not operated until the set time elapses by the timer circuit 17 after the ion beam detection signal exceeds the output signal of the reference signal source 16. The timer circuit 17 can also be omitted if the negative feedback loop can be operated immediately after the output signal of the source 16 is exceeded.

更に又、引出電源を2個の電源に分割し、一方
の電源の出力電圧を引出電圧指定信号発生回路の
出力信号に基づいて制御すると共に、他方の電源
の出力電圧をイオンビーム電流指定信号発生回路
の出力信号に基づいて制御し、両電源の出力電圧
の加算電圧を引出電圧とすることにより、加算増
幅器を省くこともできる。
Furthermore, the extraction power supply is divided into two power supplies, and the output voltage of one power supply is controlled based on the output signal of the extraction voltage designation signal generation circuit, and the output voltage of the other power supply is controlled by the ion beam current designation signal generation circuit. The summing amplifier can also be omitted by controlling based on the output signal of the circuit and using the sum of the output voltages of both power supplies as the extraction voltage.

[発明の効果] 上述した説明から明らかなように、本発明に基
づく装置においては、差動増幅器の出力信号を限
定して出力するためのリミツト回路を、イオンビ
ーム検出信号と基準値との比較に基づいて可動状
態と非可動状態との間で切換えるための制御手段
を備えていため、繁雑な操作なしに、エミツタよ
りイオンビームを発生させ、更にイオンビーム電
流を所定の値に維持するための負帰還制御を行な
うことができる。
[Effects of the Invention] As is clear from the above description, in the apparatus based on the present invention, the limit circuit for limiting and outputting the output signal of the differential amplifier is used to compare the ion beam detection signal with the reference value. Since it is equipped with a control means for switching between a movable state and a non-movable state based on the Negative feedback control can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示すための図、第
2図は従来装置を示すための図、第3図はリミツ
ト回路の特性を示すための図、第4図はイオンビ
ーム発生源のイオンビーム電流と引出電圧との関
係を示すための図、第5図はリミツト回路の特性
の他の例を示すための図である。 1……エミツタ、2……引出電極、3……イオ
ンビーム電流検出器、4……集束レンズ、5……
対物レンズ、6……被描画材料、7……加速電
源、8a……引出電源、8b……制御回路、9…
…増幅器、10……差動増幅器、11……リミツ
ト回路、12……加算増幅器、13……ビーム電
流指定信号発生回路、14……引出電圧指定信号
発生回路、15……比較回路、16……基準信号
源、17……タイマー回路、18……スイツチ回
路。
Fig. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing a conventional device, Fig. 3 is a diagram showing characteristics of a limit circuit, and Fig. 4 is an ion beam generation source. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the ion beam current and the extraction voltage, and FIG. 5 is a diagram showing another example of the characteristics of the limit circuit. 1... Emitter, 2... Extraction electrode, 3... Ion beam current detector, 4... Focusing lens, 5...
Objective lens, 6... Material to be drawn, 7... Acceleration power source, 8a... Output power source, 8b... Control circuit, 9...
... Amplifier, 10 ... Differential amplifier, 11 ... Limit circuit, 12 ... Summing amplifier, 13 ... Beam current designation signal generation circuit, 14 ... Extraction voltage designation signal generation circuit, 15 ... Comparison circuit, 16 ... ...Reference signal source, 17...Timer circuit, 18...Switch circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ガスフエイズイオン源のエミツタと引出電極
間に引出電圧を印加するための引出電源と、前記
エミツタより発生するイオンビーム電流量を検出
するための検出手段と、イオンビーム電流量の目
標値を設定するためのイオンビーム電流指定信号
発生回路と、前記検出手段よりの出力信号と前記
イオンビーム電流指定信号発生回路の出力信号と
の偏差を増幅するための増幅器と、該増幅器の出
力信号値の範囲を所定幅内に限定して出力するた
めのリミツト回路と、前記引出電源の出力電圧を
指定するための信号を発生する引出電圧指定信号
発生回路と、前記リミツト回路の出力信号と前記
引出電圧指定信号発生回路の出力信号に基づいて
前記引出電源の出力電圧を制御するための手段を
備えたイオンビーム装置において、該イオンビー
ム装置の稼働開始時に前記エミツタより発生する
イオンビーム電流より大きく前記イオンビーム電
流指定信号発生回路で指定されるイオンビーム電
流より小さいイオンビーム電流に対応した基準信
号を発生する基準信号源、及び、前記検出手段よ
りの出力信号と前記基準信号とを比較し、前記検
出手段よりの出力信号が前記基準信号より小さい
場合には前記リミツト回路を非稼働状態にし、大
きい場合には稼働状態に切換えるための手段を備
えたことを特徴とするイオンビーム装置。
1. An extraction power supply for applying an extraction voltage between the emitter and extraction electrode of the gas phase ion source, a detection means for detecting the amount of ion beam current generated from the emitter, and a target value of the amount of ion beam current. an ion beam current designation signal generation circuit for setting, an amplifier for amplifying the deviation between the output signal from the detection means and the output signal of the ion beam current designation signal generation circuit, and an output signal value of the amplifier. a limit circuit for outputting a signal with a limited range within a predetermined width; a draw voltage designation signal generation circuit that generates a signal for specifying the output voltage of the draw power source; and an output signal of the limit circuit and the draw voltage. In an ion beam device comprising means for controlling the output voltage of the extraction power source based on an output signal of a specified signal generation circuit, the ion beam current generated by the emitter is larger than the ion beam current generated by the emitter at the start of operation of the ion beam device. a reference signal source that generates a reference signal corresponding to an ion beam current smaller than the ion beam current specified by the beam current specification signal generation circuit, and a reference signal source that compares the output signal from the detection means with the reference signal, An ion beam apparatus characterized by comprising means for setting the limit circuit in a non-operating state when the output signal from the means is smaller than the reference signal, and switching it to an operating state when the output signal is larger than the reference signal.
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