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JPH06100642B2 - Optical applied magnetic field sensor - Google Patents
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JPH06100642B2 - Optical applied magnetic field sensor - Google Patents

Optical applied magnetic field sensor

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JPH06100642B2
JPH06100642B2 JP59204251A JP20425184A JPH06100642B2 JP H06100642 B2 JPH06100642 B2 JP H06100642B2 JP 59204251 A JP59204251 A JP 59204251A JP 20425184 A JP20425184 A JP 20425184A JP H06100642 B2 JPH06100642 B2 JP H06100642B2
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polarized light
analyzer
polarizer
optical
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進 吉沢
壮一郎 林
幹幸 小野
佳夫 菊地
朝和 田中
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Fujikura Ltd
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Fujikura Ltd
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    • G01R33/0322Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect

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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はファラデー効果を利用して磁界の強さを検出す
る光応用磁界センサに関する。
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an optical magnetic field sensor for detecting the strength of a magnetic field by utilizing the Faraday effect.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

ファラデー効果を利用して磁界の強さを検出する原理お
よびその原理に基づく光応用磁界センサはよく知られて
いる。
The principle of detecting the strength of a magnetic field by using the Faraday effect and an optical magnetic field sensor based on the principle are well known.

第4図は従来のかかる光応用磁界センサの一構成例を示
すもので、その基本的な構成は光ファイバ1aがロッドレ
ンズ2aを介して結合され入射光が導かれる偏光子3とこ
の偏光子3に接着されたファラデー素子5およびこのフ
ァラデー素子5に接着され偏光された出射光をロッドレ
ンズ2bを介して結合された光ファイバ1bに導出する検光
子4とから成っている。この場合、ファラデー素子5と
してはベルデ定数の大きな磁気光学物質が用いられてい
る。また偏光子3および検光子4はいずれも二色性を利
用したものが多く、一般的にはポラロイドと呼ばれるヨ
ウ素を多く含んだポリビニル膜をベルデ定数の小さな二
枚のガラスに挟み込んだ構造になっている。
FIG. 4 shows an example of the configuration of a conventional magnetic field sensor for optical application, the basic configuration of which is a polarizer 3 in which an optical fiber 1a is coupled through a rod lens 2a and an incident light is guided, and this polarizer. 3 and a Faraday element 5 adhered to the Faraday element 3 and an analyzer 4 which guides the emitted light, which is adhered to the Faraday element 5 and polarized, to an optical fiber 1b coupled through a rod lens 2b. In this case, a magneto-optical material having a large Verdet constant is used as the Faraday element 5. Many of the polarizer 3 and the analyzer 4 utilize dichroism, and generally have a structure in which a polyvinyl film containing a large amount of iodine called polaroid is sandwiched between two pieces of glass having a small Verdet constant. ing.

ここで、ファラデー効果とは磁気光学物質に直線偏光の
光が入射されている状態でこの光の進行方向と同一方向
に磁界を印加すると出射光の偏光面が回転するという現
象であり、その回転角は磁界の大きさに比例する。即
ち、このことを式で示すと =V・L・H ………(1) となる。
Here, the Faraday effect is a phenomenon in which the plane of polarization of emitted light rotates when a magnetic field is applied in the same direction as the traveling direction of this light while linearly polarized light is incident on the magneto-optical material. The angle is proportional to the magnitude of the magnetic field. That is, this can be expressed by the equation: = V · L · H (1)

但し、V;ベルデ定数,L;磁界方向に沿ったファラデー素
子の長さ,H;磁界の強さ,;偏光面の回転角である。
Here, V is the Verdet constant, L is the length of the Faraday element along the magnetic field direction, H is the strength of the magnetic field, and the rotation angle of the polarization plane.

[背景技術の問題点] ところで、前述した従来の光応用磁界センサにおいては
測定磁界の強さとして数キロガウス程度迄の範囲のもの
が多いことから、ファラデー素子としてベルデ定数の大
きな材料を使用して回転角を大きくし、上記(1)式
から印加磁界Hを測定するようにしていた。この場合、
偏光子および検光子は前述したようにポリビニル膜を二
枚のベルデ定数の小さなガラスで挟み込んだ構造として
あるため、測定磁界の強さが数キロガウス程度迄の範囲
のものに対してはほとんど無視することができる。
[Problems of background art] By the way, in the above-mentioned conventional optical applied magnetic field sensor, since the strength of the measured magnetic field is often in the range of several kilogausses, a material having a large Verdet constant is used as the Faraday element. The rotation angle is increased and the applied magnetic field H is measured from the above formula (1). in this case,
As described above, the polarizer and analyzer have a structure in which a polyvinyl film is sandwiched between two pieces of glass with a small Verdet constant, so it is almost ignored for measurement magnetic field strengths of up to several kilogauss. be able to.

しかしながら、測定磁界の強さが例えば10キロガウス以
上になるとベルデ定数の小さな材質の偏光子および検光
子を使用していても、やはりファラデー効果を示す磁気
光学物質としての機能を有しているため、必然的に偏光
子、検光子部分で生じる偏波面の回転角が大きくなる。
このことは単一のファラデー素子について上記(1)式
から磁界強度を算出した場合、正確な値を示さないこと
になる。
However, when the strength of the measured magnetic field is, for example, 10 kilogauss or more, even if a polarizer and an analyzer made of a material having a small Verdet constant are used, they still have a function as a magneto-optical substance exhibiting the Faraday effect. Inevitably, the rotation angle of the plane of polarization generated in the polarizer and analyzer becomes large.
This means that when the magnetic field strength is calculated from the above formula (1) for a single Faraday element, it does not show an accurate value.

このように従来の光応用磁界センサにおいてはベルデ定
数の大きなファラデー素子とベルデ定数の小さな偏光子
および検光子の2種類以上の材質で構成して磁界強度を
算出する場合には偏光子や検光子で生じた回転角を無視
しているため、必然的に誤差が生じることになる。また
低磁界でも精度良く測定するためには素子長の長いファ
ラデー素子を用いなければならないため、センサ自身が
大きくなり、空間分解能が低下するという欠点がある。
As described above, in the conventional optical magnetic field sensor, when the magnetic field strength is calculated by using two or more kinds of materials such as a Faraday element having a large Verdet constant, a polarizer having a small Verdet constant, and an analyzer, a polarizer or an analyzer is used. Since the rotation angle generated in 1 is ignored, an error will inevitably occur. Further, since it is necessary to use a Faraday element having a long element length in order to perform accurate measurement even in a low magnetic field, there is a drawback that the sensor itself becomes large and the spatial resolution deteriorates.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明は上記の欠点を除去するためになされたもので、
その目的は磁場の大小にかかわらず、磁界強度の検出精
度を向上させ、しかも小形で空間分解能を向上させるこ
とができる光応用磁界センサを提供しようとするもので
ある。
The present invention has been made to eliminate the above drawbacks.
It is an object of the present invention to provide an optical applied magnetic field sensor which can improve the detection accuracy of the magnetic field strength regardless of the magnitude of the magnetic field and can improve the spatial resolution in a small size.

〔発明の概要〕 本発明はかかる目的を達成するため、同一のベルデ定数
を有する材質の2個のプリズム間に偏光膜を介挿した偏
光子とこの偏光子と同一材質の2個のプリズム間に検光
膜を介挿した検光子とをその偏光膜と検光膜とが互いに
45度異なる位置関係にして接着する構成とし且つ前記偏
光子に対しては光伝送路を通して入射光を導き、また前
記検光子に対しては前記検光膜で分離されたP偏光とS
偏光を出射光としてそれぞれ光伝送路に導くようにした
ものである。従って、このような光応用磁界センサにあ
っては、偏光子と検光子との間にファラデー素子を介挿
しなくても偏光膜と検光膜との間に存するプリズムが同
一のベルデ定数を有する材質で構成されているので、こ
の部分でファラデー効果を発生させることが可能とな
る。
[Summary of the Invention] In order to achieve the above object, the present invention provides a polarizer in which a polarizing film is interposed between two prisms made of a material having the same Verdet constant, and a polarizer made of the same material as the polarizer. The analyzer with the analysis film interposed between the polarizing film and the analysis film
The incident light is guided to the polarizer through an optical transmission path, and the P-polarized light and the S-polarized light separated by the analysis film are provided for the polarizer.
The polarized light is guided to each of the optical transmission lines as outgoing light. Therefore, in such an optical applied magnetic field sensor, the prisms existing between the polarizing film and the analyzing film have the same Verdet constant without inserting a Faraday element between the polarizer and the analyzer. Since it is made of a material, the Faraday effect can be generated in this portion.

〔発明の実施例〕Example of Invention

以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明による光応用磁界センサの原理構成を示
すものである。すなわち、本発明では第1図に示すよう
に二つの直角プリズム13a,13bの傾斜面間にポラロイド
膜13cを偏光膜として介挿して接着してなる偏光子13と
同じく二つの直角プリズム14a,14bの傾斜面間にポラロ
イド膜14cを検光膜として介挿して接着してなる検光子1
4を、入射光の強度変化の影響を受けないようにするた
め、その偏光膜と検光膜とが互いに45度異なる位置関係
にして接着するように構成したものである。この場合、
偏光子13および検光子14の構成要素となる二つの直角プ
リズム13a,13bと14a,14bはそれぞれ同一のベルデ定数の
例えばBKガラスからなる材料が使用される。そして前記
偏光子13に対しては光伝送路を通して無偏光の入射光11
aを導き、また前記検光子14に対しては前記検光膜で分
離されたP偏光11bとS偏光11cを出射光としてそれぞれ
光伝送路に導くようにしてある。なお、第1図において
は偏光子13の偏光膜と検光子14の検光膜とが互いに45度
異なる位置関係になっていないが、これはファラデー素
子長が明確に理解できるようにするため、偏光子13と検
光子14とをあえて平行にして示してある。
FIG. 1 shows a principle configuration of an optical magnetic field sensor according to the present invention. That is, according to the present invention, as shown in FIG. 1, two right-angle prisms 14a and 14b, which are the same as the polarizer 13 in which a polaroid film 13c is inserted as a polarization film and adhered between the inclined surfaces of the two right-angle prisms 13a and 13b. An analyzer 1 in which a polaroid film 14c is interposed as an analysis film and adhered between the inclined surfaces of
In order to prevent the influence of the change in the intensity of incident light, the polarizing film 4 and the analyzing film 4 are configured to be bonded in a positional relationship different from each other by 45 degrees. in this case,
The two right-angle prisms 13a, 13b and 14a, 14b, which are the constituent elements of the polarizer 13 and the analyzer 14, are made of a material such as BK glass having the same Verdet constant. Then, unpolarized incident light 11 is applied to the polarizer 13 through an optical transmission line.
Further, a is guided to the analyzer 14, and P-polarized light 11b and S-polarized light 11c separated by the light-analyzing film are guided to the optical transmission line as emitted lights. In FIG. 1, the polarizing film of the polarizer 13 and the analyzing film of the analyzer 14 are not in a positional relationship different from each other by 45 degrees, but this is because the Faraday element length can be clearly understood. The polarizer 13 and the analyzer 14 are shown so as to be parallel to each other.

次に上記のような原理構成の光応用磁界センサの作用に
ついて述べる。
Next, the operation of the optical applied magnetic field sensor having the above-described principle configuration will be described.

入射光11aが偏光子13に導かれ、図示P点に到達された
所で図示A,B間のポラロイド膜13cによりP偏光11eとS
偏光11eに分離される。このP偏光11eとS偏光11eは共
に直線偏光であり、P偏光11eは磁界中で偏波面が回転
し、検光子14の図示Q点に到達すると図示C,D間のポラ
ロイド膜14cにより再度P偏光11bとS偏光11cに分離さ
れる。
When the incident light 11a is guided to the polarizer 13 and reaches the point P in the figure, the P-polarized light 11e and S
It is separated into polarized light 11e. Both the P-polarized light 11e and the S-polarized light 11e are linearly polarized light, and the plane of polarization of the P-polarized light 11e rotates in a magnetic field, and when it reaches the point Q in the figure of the analyzer 14, the P-polarized film 14c between C and D in the figure again causes P-polarization. It is separated into polarized light 11b and S polarized light 11c.

ここで、P偏光11bとS偏光11cを出射光としてこれらの
強度を測定することにより偏波面の回転角を算出する
ことができる。そしてファラデー素子長Lは第1図のPQ
間がこれに相当する。この場合、ベルデ定数Vはポラロ
イド膜13c,14cを挟んでいるΔABCとΔCBDの二つの直角
プリズム13aと14bの材質により求まる。したがって、上
記した回転角とファラデー素子長Lとベルデ定数Vを
前述した(1)式に代入すれば、磁界強度Hを算出する
ことができる。
Here, the rotation angle of the plane of polarization can be calculated by measuring the intensities of the P-polarized light 11b and the S-polarized light 11c as emitted light. And the Faraday element length L is PQ in Fig. 1.
The space corresponds to this. In this case, the Verdet constant V is determined by the materials of the two right angle prisms 13a and 14b of ΔABC and ΔCBD that sandwich the polaroid films 13c and 14c. Therefore, the magnetic field strength H can be calculated by substituting the rotation angle, the Faraday element length L, and the Verdet constant V described above into the above equation (1).

このように本センサにおいては全て同一材質の二つの直
角プリズム13a,13bと14a,14bを用いて偏光子13と検光子
14を構成するだけで、ファラデー素子をこれら偏光子13
と検光子14との間に介挿しなくてもその直角プリズムの
材質に有するベルデ定数によりファラデー効果を得るこ
とが可能となるので、磁界強度を極めて精度良く測定す
ることができ、またセンサ全体の小形化を図ることがで
きると共に空間分解能を向上させることができる。
In this way, in this sensor, two polarizers 13a, 13b and 14a, 14b made of the same material are used, and the polarizer 13 and the analyzer are
A Faraday element can be made into these polarizers by simply constructing 14
Since it is possible to obtain the Faraday effect by the Verdet constant of the material of the right-angle prism without interposing between the analyzer 14 and the analyzer 14, it is possible to measure the magnetic field strength extremely accurately, The size can be reduced and the spatial resolution can be improved.

第2図は上記原理構成にもとずく光応用磁界センサの具
体的な実施例を示すものである。第2図において、偏光
子13および検光子14は第1図に示されている構成のもの
と同じであるが、ここでは偏光膜と検光膜とが互いに45
度異なる位置関係にして接着する本来の構成として示し
てある。12aは入射光を導く光ファイバで、この光ファ
イバ12aはロッドレンズ15aを介して偏光子13に結合され
ている。16aは検光子14のS偏光が出射される面に接着
されかつS偏光をP偏光の出射方向と同一方向にその光
路を変更させるための直角プリズムである。12b,12cは
検光子14から出射されるP偏光,S偏光を図示しない測定
部に導くための光ファイバで、光ファイバ12bは検光子1
4にロッドレンズ15bを介して結合され、また光ファイバ
12cは直角プリズム16aにロッドレンズ15cを介して結合
されている。
FIG. 2 shows a concrete example of the optical applied magnetic field sensor based on the above-mentioned principle configuration. In FIG. 2, the polarizer 13 and the analyzer 14 are the same as those of the configuration shown in FIG. 1, but here the polarizing film and the analyzing film 45
It is shown as an original configuration in which the adhesive is placed in different positional relationships. Reference numeral 12a is an optical fiber that guides incident light, and this optical fiber 12a is coupled to the polarizer 13 via a rod lens 15a. Reference numeral 16a is a right-angle prism which is adhered to the surface of the analyzer 14 from which S-polarized light is emitted and which changes the optical path of S-polarized light in the same direction as the emission direction of P-polarized light. Reference numerals 12b and 12c are optical fibers for guiding the P-polarized light and the S-polarized light emitted from the analyzer 14 to a measurement unit (not shown). The optical fiber 12b is the analyzer 1
4, coupled via a rod lens 15b, and also an optical fiber
12c is coupled to the right-angle prism 16a via a rod lens 15c.

したがってこのような構成とすれば、検光子14の検光膜
で分離されたP偏光とS偏光は前記入射光側と反対側に
それぞれ導くことができる。
Therefore, with such a configuration, the P-polarized light and the S-polarized light separated by the analysis film of the analyzer 14 can be guided to the side opposite to the incident light side.

また第3図は第2図とは異なる具体的な実施例を示すも
ので、第2図と同一部品には同一記号を付して示す。第
3図においては、検光子14のP偏光が出射される面に直
角プリズム16bを接着すると共にこの直角プリズム16bに
光ファイバ12bをロッドレンズ15cを介して結合し、その
出射光を入射光と同一方向に導けるようにし、また検光
子14のS偏光が出射される面に直角プリズム16aを接着
すると共にこの直角プリズム16aに光ファイバ12cをロッ
ドレンズ15bを介してその出射光も入射光と同一方向に
導けるようにしたものである。
FIG. 3 shows a specific embodiment different from that of FIG. 2, and the same parts as those of FIG. 2 are designated by the same reference numerals. In FIG. 3, a right-angle prism 16b is adhered to the surface of the analyzer 14 from which P-polarized light is emitted, and an optical fiber 12b is coupled to the right-angle prism 16b via a rod lens 15c, and the emitted light is changed to incident light. The right-angle prism 16a is adhered to the surface of the analyzer 14 from which the S-polarized light is emitted, and the optical fiber 12c is attached to the right-angle prism 16a through the rod lens 15b so that the emitted light is also the same as the incident light. It is designed to be guided in the direction.

したがってこのような構成とすれば、検光子14から出射
されるP偏光,S偏光共に入射側と同一方向に導くことが
できるので、測定対象物が入射光側とは反対側で測定で
きないような場合には非常に便利なものとなる。
Therefore, with such a configuration, both P-polarized light and S-polarized light emitted from the analyzer 14 can be guided in the same direction as the incident side, so that the measurement object cannot be measured on the side opposite to the incident light side. In case it would be very convenient.

この他、本発明では前述した原理構成にもとずくもので
あれば第2図および第3図に示す構成のものに止まら
ず、種々変形して実施することが可能である。
In addition, the present invention is not limited to the configurations shown in FIG. 2 and FIG. 3 as long as it is based on the above-described principle configuration, and various modifications can be implemented.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上述べたように本発明によれば、同一のベルデ定数を
有する材質の2個のプリズム間に偏光膜を介挿した偏光
子とこの偏光子と同一材質の2個のプリズム間に検光膜
を介挿した検光子とを偏光子から出射される光の偏光面
と検光子から出射される光の偏光面が互いに45度の位置
関係にして接着する構成としたので、ファラデー素子を
介挿しなくても偏光膜と検光膜との間に存する同一ベル
デ定数を有する材質のプリズムにより磁界強度に必要な
ファラデー効果を発生させることが可能となり、また検
光子に対しては検光膜で分離されたP偏光とS偏光を取
出してその光強度を用いているので、磁場の大小にかか
わらず、磁界強度の検出精度を向上させ、しかも小形で
空間分解能を向上させることができる光応用磁界センサ
を提供できる。
As described above, according to the present invention, a polarizer having a polarizing film interposed between two prisms made of a material having the same Verdet constant, and an analyzer film formed between the two prisms made of the same material as the polarizer. Since the analyzer and the polarization plane of the light emitted from the polarizer and the polarization plane of the light emitted from the analyzer are arranged in a 45 degree positional relationship with each other and are bonded together, the Faraday element is interposed. It is possible to generate the Faraday effect required for magnetic field strength by using a prism made of a material having the same Verdet constant that exists between the polarizing film and the analyzer film, and separate the analyzer with the analyzer film. Since the extracted P-polarized light and S-polarized light are extracted and their light intensities are used, the optical applied magnetic field sensor can improve the detection accuracy of the magnetic field intensity regardless of the magnitude of the magnetic field and can improve the spatial resolution in a small size. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明による光応用磁界センサの原理を説明す
るための構成図、第2図および第3図は第1図に示す原
理構成にもとずく具体的な異なる実施例をそれぞれ示す
構成図、第4図は従来の光応用磁界センサを説明するた
めの構成図である。 11a……入射光、11b……P偏光、11c……S偏光、13…
…偏光子、14……検光子、13a,13b,14a,14b……直角プ
リズム、13c,14c……ポラロイド膜。
FIG. 1 is a block diagram for explaining the principle of an optical applied magnetic field sensor according to the present invention, and FIGS. 2 and 3 are configurations showing concrete different embodiments based on the principle configuration shown in FIG. FIG. 4 and FIG. 4 are configuration diagrams for explaining a conventional optical applied magnetic field sensor. 11a …… incident light, 11b …… P polarized light, 11c …… S polarized light, 13…
… Polarizer, 14 …… Analyzer, 13a, 13b, 14a, 14b …… Right-angle prism, 13c, 14c …… Polaroid film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉沢 進 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東芝 府中工場内 (72)発明者 林 壮一郎 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東芝 府中工場内 (72)発明者 小野 幹幸 東京都江東区木場1丁目5番1号 藤倉電 線株式会社深川工場内 (72)発明者 菊地 佳夫 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株式 会社佐倉工場内 (72)発明者 田中 朝和 東京都江東区木場1丁目5番1号 藤倉電 線株式会社深川工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Susumu Yoshizawa No. 1 in Toshiba Fuchu factory, Fuchu-shi, Tokyo (72) Inventor Soichiro Hayashi No. 1 in Toshiba-machi, Fuchu, Tokyo Tokyo Fuchu factory ( 72) Inventor Mikiyuki Ono 1-5-1, Kiba, Koto-ku, Tokyo Inside the Fukagawa Plant, Fujikura Electric Wire Co., Ltd. (72) Inventor Yoshio Kikuchi, 1440, Rokuzaki, Sakura City, Chiba Prefecture Inside the Sakura Factory of Fujikura Electric Wire Co. Inventor Asawa Tanaka 1-5-1, Kiba, Koto-ku, Tokyo Fujikura Electric Line Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ファラデー効果を利用して磁界の強さを検
出する光応用磁界センサにおいて、同一のベルデ定数を
有する材質の2個のプリズム間に偏光膜を介挿した偏光
子とこの偏光子と同一材質の2個のプリズム間に検光膜
を介挿した検光子とを偏光子から出射される光の偏光面
と検光子から出射される光の偏光面が互いに45度の位置
関係にして接着する構成とし且つ前記偏光子に対しては
光伝送路を通して入射光を導き、また前記検光子に対し
ては前記検光膜で分離されたP偏光とS偏光を出射光と
してそれぞれ光伝送路に導くようにしたことを特徴とす
る光応用磁界センサ。
1. An optical applied magnetic field sensor for detecting the strength of a magnetic field using the Faraday effect, a polarizer having a polarizing film interposed between two prisms made of a material having the same Verdet constant, and the polarizer. And an analyzer in which an analysis film is inserted between two prisms of the same material as above, the polarization plane of the light emitted from the polarizer and the polarization plane of the light emitted from the analyzer are arranged in a 45 ° positional relationship with each other. The incident light is guided to the polarizer through an optical transmission path, and the P-polarized light and the S-polarized light separated by the analysis film are emitted to the analyzer as outgoing lights. An optical magnetic field sensor characterized by being guided to a road.
【請求項2】前記検光膜で分離されたP偏光とS偏光は
前記入射光側に導くようにしたものである特許請求の範
囲第(1)項に記載の光応用磁界センサ。
2. The optical applied magnetic field sensor according to claim 1, wherein the P-polarized light and the S-polarized light separated by the analysis film are guided to the incident light side.
【請求項3】前記検光膜で分離されたP偏光とS偏光は
前記入射光側と反対側に導くようにしたものである特許
請求の範囲第(1)項に記載の光応用磁界センサ。
3. The optical applied magnetic field sensor according to claim 1, wherein the P-polarized light and the S-polarized light separated by the analysis film are guided to the side opposite to the incident light side. .
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