JPH06100825B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPH06100825B2 JPH06100825B2 JP19166385A JP19166385A JPH06100825B2 JP H06100825 B2 JPH06100825 B2 JP H06100825B2 JP 19166385 A JP19166385 A JP 19166385A JP 19166385 A JP19166385 A JP 19166385A JP H06100825 B2 JPH06100825 B2 JP H06100825B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- mask substrate
- substrate
- pattern
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、パターン形成基板の表面に形成されているレ
ジスト膜を露光する場合にパターン形成基板上のレジス
ト膜に付着する塵埃の悪影響を防止するために、パター
ン形成基板にレジスト膜を形成した直後に、光または電
子ビームを透過する保護膜をこのパターン形成基板のレ
ジスト膜との間に所定間隔を隔てて設けることにより、
パターン形成基板のレジスト膜に塵埃が付着することを
防止すると共に、この保護膜上に付着した塵埃の像をレ
ジスト膜の表面に結像させないようにし、レジスト膜の
パターンに欠陥が発生しないようにするものである。
ジスト膜を露光する場合にパターン形成基板上のレジス
ト膜に付着する塵埃の悪影響を防止するために、パター
ン形成基板にレジスト膜を形成した直後に、光または電
子ビームを透過する保護膜をこのパターン形成基板のレ
ジスト膜との間に所定間隔を隔てて設けることにより、
パターン形成基板のレジスト膜に塵埃が付着することを
防止すると共に、この保護膜上に付着した塵埃の像をレ
ジスト膜の表面に結像させないようにし、レジスト膜の
パターンに欠陥が発生しないようにするものである。
本発明は、パターン形成方法に係り、特にマスクやウエ
ハ上にパターンを形成する露光工程において、パターン
形成基板上のレジスト膜との間に所定間隔を隔てて保護
膜を設けることにより、レジスト膜のパターン欠陥の発
生を防止するものである。
ハ上にパターンを形成する露光工程において、パターン
形成基板上のレジスト膜との間に所定間隔を隔てて保護
膜を設けることにより、レジスト膜のパターン欠陥の発
生を防止するものである。
近来の半導体装置の高集積化に伴い、半導体装置の製造
工程においては、高精度で集積度の高いサブミクロンの
パターニングが行われるようになっている。
工程においては、高精度で集積度の高いサブミクロンの
パターニングが行われるようになっている。
このような高精度のパターニングを実現するためには、
マスク製造工程からウエハの露光工程までの全ての製造
工程において、厳密な工程管理が必要であるが特に防塵
対策が不完全な場合には、マスク基板や半導体基板に塵
埃が付着し、パターンに欠陥が発生する障害が多発して
いる。
マスク製造工程からウエハの露光工程までの全ての製造
工程において、厳密な工程管理が必要であるが特に防塵
対策が不完全な場合には、マスク基板や半導体基板に塵
埃が付着し、パターンに欠陥が発生する障害が多発して
いる。
露光用マスクの製造工程においては、まず実パターン長
さの10倍の寸法を有するレチクルを製造し、このレチク
ルをフォトレピータを用いて繰り返し縮小投影露光を行
い、マスターマスクを製造した後、このマスターマスク
を使用してワーキングマスクを量産する。
さの10倍の寸法を有するレチクルを製造し、このレチク
ルをフォトレピータを用いて繰り返し縮小投影露光を行
い、マスターマスクを製造した後、このマスターマスク
を使用してワーキングマスクを量産する。
ウエハ工程においては、このワーキングマスクを用いて
半導体基板に対する露光処理を行っているが、マスクを
製造する工程或いは半導体基板への投影露光法による露
光工程においては、レチクルにはペリクルを装着して防
塵対策を行って細心の注意を払っているが、パターンを
形成するマスク基板上のレジスト膜の防塵については、
露光作業室のクリーン度の向上だけであり、マスク基板
に対する積極的な防塵対策が取られていないので、有効
な防塵対策が要望されている。
半導体基板に対する露光処理を行っているが、マスクを
製造する工程或いは半導体基板への投影露光法による露
光工程においては、レチクルにはペリクルを装着して防
塵対策を行って細心の注意を払っているが、パターンを
形成するマスク基板上のレジスト膜の防塵については、
露光作業室のクリーン度の向上だけであり、マスク基板
に対する積極的な防塵対策が取られていないので、有効
な防塵対策が要望されている。
従来のパターン形成方法について第４図〜第５図により
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第４図は従来のマスク基板のパターン形成方法を示す断
面図、第５図は従来のレチクルとペリクルとの接合を示
す断面図である。
面図、第５図は従来のレチクルとペリクルとの接合を示
す断面図である。
従来のマスク基板のパターン形成に用いる露光装置は第
４図に示すように、水銀ランプなどの露光光源１から投
射された矢印にて示す光線は、レチクル２とその両面に
貼着したペリクル３及び４の保護膜５及び６を透過し、
光学レンズ７によりレチクルの長さが1/10に縮小され、
この縮小されたパターンが、基台８上に載置されたマス
ク基板29の表面のレジスト膜30に照射される。
４図に示すように、水銀ランプなどの露光光源１から投
射された矢印にて示す光線は、レチクル２とその両面に
貼着したペリクル３及び４の保護膜５及び６を透過し、
光学レンズ７によりレチクルの長さが1/10に縮小され、
この縮小されたパターンが、基台８上に載置されたマス
ク基板29の表面のレジスト膜30に照射される。
ペリクル3,4の構造は第５図（ａ）の断面図に示すよう
に、ペリクル3,4のアルミニウム等からなる高さが４〜5
mm程度の円筒形のフレーム3a,4aの端面に膜厚0.70μｍ
程度のニトロセルローズからなる保護膜5,6を張架した
もので、レチクル２の表面とこの保護膜5,6との間隔
は、フレーム3a,4aの高さによって定まり、通常は３〜4
mmである。レチクル２の上面と下面にはこれらのペリク
ル３とペリクル４とが両面テープ3a,4aで第５図（ｂ）
のＡ−Ａ矢視図に示すような位置に接着されている。
に、ペリクル3,4のアルミニウム等からなる高さが４〜5
mm程度の円筒形のフレーム3a,4aの端面に膜厚0.70μｍ
程度のニトロセルローズからなる保護膜5,6を張架した
もので、レチクル２の表面とこの保護膜5,6との間隔
は、フレーム3a,4aの高さによって定まり、通常は３〜4
mmである。レチクル２の上面と下面にはこれらのペリク
ル３とペリクル４とが両面テープ3a,4aで第５図（ｂ）
のＡ−Ａ矢視図に示すような位置に接着されている。
このようなペリクルをレチクルに設けると、レチクルの
表面への直接の異物付着を防止することができ、レチク
ル２の表面と保護膜との間がフレームにより４〜5mm隔
てられているから、このようなレチクル２のパターンを
マスク基板29のレジスト膜30に照射する工程において
は、ペリクルの保護膜上の80μｍ径程度以下の塵埃の像
は、露光した場合に基板29のレジスト膜30の表面には結
像しないので、このレジスト膜30にパターン欠陥が生じ
ないといわれており、万一保護膜の表面に塵埃が付着し
ても、マスク基板29のレジスト膜30に塵埃の像が結像さ
れないようにすることができる。
表面への直接の異物付着を防止することができ、レチク
ル２の表面と保護膜との間がフレームにより４〜5mm隔
てられているから、このようなレチクル２のパターンを
マスク基板29のレジスト膜30に照射する工程において
は、ペリクルの保護膜上の80μｍ径程度以下の塵埃の像
は、露光した場合に基板29のレジスト膜30の表面には結
像しないので、このレジスト膜30にパターン欠陥が生じ
ないといわれており、万一保護膜の表面に塵埃が付着し
ても、マスク基板29のレジスト膜30に塵埃の像が結像さ
れないようにすることができる。
このように、従来はペリクル３及び４をレチクル２に装
着することにより、レチクル２上に付着する塵埃の悪影
響は防止できたが、一方、マスク基板29上のレジスト膜
30に付着する塵埃については特に積極的な塵埃付着防止
対策が取られていないので、マスク基板29のレジスト膜
30に付着した塵埃によるパターンの欠陥がしばしば発生
している。
着することにより、レチクル２上に付着する塵埃の悪影
響は防止できたが、一方、マスク基板29上のレジスト膜
30に付着する塵埃については特に積極的な塵埃付着防止
対策が取られていないので、マスク基板29のレジスト膜
30に付着した塵埃によるパターンの欠陥がしばしば発生
している。
このような欠点は、フォトリソグラフィーの場合に限ら
ず、電子ビームにより露光する電子ビーム露光法の場合
にも発生している。
ず、電子ビームにより露光する電子ビーム露光法の場合
にも発生している。
また、レチクルとペリクルの接合には両面テープを用い
ているので、レチクルからペリクルを剥離して新たに別
のペリクルをレチクルに接合し直す場合には、先に接合
に用いた両面テープを洗浄して除去しなければならな
い。
ているので、レチクルからペリクルを剥離して新たに別
のペリクルをレチクルに接合し直す場合には、先に接合
に用いた両面テープを洗浄して除去しなければならな
い。
このように、レチクルにはペリクルを設けて表面の保護
を行い、ペリクルの保護膜上の塵埃の像がマスク基板上
のレジスト膜に結像するのを防止することが可能である
が、マスク基板のレジスト膜に対しては、従来は特に保
護がなされていないのでマスク基板上のレジスト膜にパ
ターン欠陥が発生しており、また、ペリクルを交換する
場合に両面テープを洗浄して除去しなければならない。
を行い、ペリクルの保護膜上の塵埃の像がマスク基板上
のレジスト膜に結像するのを防止することが可能である
が、マスク基板のレジスト膜に対しては、従来は特に保
護がなされていないのでマスク基板上のレジスト膜にパ
ターン欠陥が発生しており、また、ペリクルを交換する
場合に両面テープを洗浄して除去しなければならない。
マスク基板上のレジスト膜を露光して露光用マスク基板
を製造する工程においては、マスク基板上のレジスト膜
の保護装置がないので、レジスト膜の表面に異物が付着
することによりレジスト膜にパターン欠陥が発生すると
いう問題点があり、また、ペリクルを交換する場合には
両面テープを洗浄して除去しなければならないという問
題点があった。
を製造する工程においては、マスク基板上のレジスト膜
の保護装置がないので、レジスト膜の表面に異物が付着
することによりレジスト膜にパターン欠陥が発生すると
いう問題点があり、また、ペリクルを交換する場合には
両面テープを洗浄して除去しなければならないという問
題点があった。
本発明のパターン形成方法は、パターン形成基板の表面
に形成したレジスト膜を露光する工程において、このパ
ターン形成基板に形成したこのレジスト膜との間に所定
間隔を隔てて光または電子ビームを透過する保護膜を設
け、この保護膜を透過した光または電子ビームをこのレ
ジスト膜に照射するように構成する。
に形成したレジスト膜を露光する工程において、このパ
ターン形成基板に形成したこのレジスト膜との間に所定
間隔を隔てて光または電子ビームを透過する保護膜を設
け、この保護膜を透過した光または電子ビームをこのレ
ジスト膜に照射するように構成する。
本発明のパターン形成方法においては、パターン形成基
板の表面に形成したレジスト膜を露光する場合に、この
パターン形成基板に形成したこのレジスト膜の表面に、
保護膜を張架したフレームを磁力により固定するか或い
は位置決め機構により固定し、この保護膜を透過した光
または電子ビームをこのレジスト膜に照射するから、こ
の保護膜上に塵埃が付着してもこの塵埃の像がレジスト
膜の表面に結像しないのでレジスト膜にパターン欠陥が
発生するのを防止することが可能となる。
板の表面に形成したレジスト膜を露光する場合に、この
パターン形成基板に形成したこのレジスト膜の表面に、
保護膜を張架したフレームを磁力により固定するか或い
は位置決め機構により固定し、この保護膜を透過した光
または電子ビームをこのレジスト膜に照射するから、こ
の保護膜上に塵埃が付着してもこの塵埃の像がレジスト
膜の表面に結像しないのでレジスト膜にパターン欠陥が
発生するのを防止することが可能となる。
〔実施例〕 マスク基板の表面に形成したレジスト膜にパターンを形
成する本発明による一実施例を第１図〜第２図により、
他の実施例を第３図により詳細に説明する。
成する本発明による一実施例を第１図〜第２図により、
他の実施例を第３図により詳細に説明する。
第１図は本発明によるマスク基板のパターン形成方法を
示す図、第２図は本発明による一実施例のマスク基板と
保護装置との接合を示す断面図、第３図は本発明による
他の実施例のマスク基板と保護装置との接合を示す図で
ある。
示す図、第２図は本発明による一実施例のマスク基板と
保護装置との接合を示す断面図、第３図は本発明による
他の実施例のマスク基板と保護装置との接合を示す図で
ある。
本発明のマスク基板のパターン形成に用いる露光装置は
第１図に示すように、水銀ランプなどの露光光源21から
投射された矢印にて示す光線は、レチクル22とその両面
に貼着したペリクル23及び24の保護膜25及び26を透過
し、光学レンズ27によりレチクルの長さが1/10に縮小さ
れ、この縮小されたパターンが、基台28上に載置された
マスク基板29の表面のレジスト膜30に照射される。
第１図に示すように、水銀ランプなどの露光光源21から
投射された矢印にて示す光線は、レチクル22とその両面
に貼着したペリクル23及び24の保護膜25及び26を透過
し、光学レンズ27によりレチクルの長さが1/10に縮小さ
れ、この縮小されたパターンが、基台28上に載置された
マスク基板29の表面のレジスト膜30に照射される。
ペリクル23,24の構造は従来の技術の欄において第５図
（ａ）の断面図及び第５図（ｂ）のA-A矢視図により詳
細に説明した通りである。
（ａ）の断面図及び第５図（ｂ）のA-A矢視図により詳
細に説明した通りである。
このようなペリクルをレチクルに設けた場合の効果も従
来の技術の欄にて詳細に説明した通りである。
来の技術の欄にて詳細に説明した通りである。
本発明の一実施例においては、第２図に示すように磁石
に吸着される金属例えば鉄からなるマスク基板載置台38
にマスク基板29を載置するマスク基板29の厚さに等しい
凹部を設け、この凹部にレジスト膜30を形成したマスク
基板29を載置し、保護膜32を端部に貼付した円筒形の磁
石からなる高さが３〜4mmのフレーム31aを有する保護装
置31をこのマスク基板載置台38の上に載置して磁力によ
りフレーム31aをマスク基板載置台38に固定する。
に吸着される金属例えば鉄からなるマスク基板載置台38
にマスク基板29を載置するマスク基板29の厚さに等しい
凹部を設け、この凹部にレジスト膜30を形成したマスク
基板29を載置し、保護膜32を端部に貼付した円筒形の磁
石からなる高さが３〜4mmのフレーム31aを有する保護装
置31をこのマスク基板載置台38の上に載置して磁力によ
りフレーム31aをマスク基板載置台38に固定する。
このような構造の保護装置31を用いれば、マスク基板29
のレジスト膜30を露光した後につぎのマスク基板29のレ
ジスト膜30を露光する場合には、保護装置31を取りだし
て露光を終えたマスク基板29を取り出し、つぎのマスク
基板29をこの凹部に載置した後保護装置31のフレーム31
aをマスク基板載置台38の上に再び載置すれば、つぎの
マスク基板29のレジスト膜30の露光を行うことが可能と
なる。
のレジスト膜30を露光した後につぎのマスク基板29のレ
ジスト膜30を露光する場合には、保護装置31を取りだし
て露光を終えたマスク基板29を取り出し、つぎのマスク
基板29をこの凹部に載置した後保護装置31のフレーム31
aをマスク基板載置台38の上に再び載置すれば、つぎの
マスク基板29のレジスト膜30の露光を行うことが可能と
なる。
本発明の他の実施例においては、第３図に示すように基
板載置台48にマスク基板29を載置するマスク基板29の厚
さに等しい凹部を設け、この凹部にレジスト膜30を形成
したマスク基板29を載置し、押さえリング43をこの基板
載置台48に載置し、基板載置台48と押さえリング43とを
固定金具44を用いて固定する。
板載置台48にマスク基板29を載置するマスク基板29の厚
さに等しい凹部を設け、この凹部にレジスト膜30を形成
したマスク基板29を載置し、押さえリング43をこの基板
載置台48に載置し、基板載置台48と押さえリング43とを
固定金具44を用いて固定する。
このようにして基板載置台48の上に固定した押さえリン
グ43に、保護装置41の保護膜42を端部に貼付した円筒形
の高さが３〜4mmのフレーム41aを嵌合させて載置して保
護装置41を基板載置台48に固定する。
グ43に、保護装置41の保護膜42を端部に貼付した円筒形
の高さが３〜4mmのフレーム41aを嵌合させて載置して保
護装置41を基板載置台48に固定する。
このような構造の保護装置41を用いれば、マスク基板29
のレジスト膜を露光した後につぎのマスク基板29のレジ
スト膜を露光する場合には、保護装置41を取りだし、固
定金具44をはずして押さえリング43を取り出し、露光を
終えたマスク基板29を取り出し、つぎのマスク基板29を
この凹部に載置して押さえリング43を載置して固定金具
44で固定した後、保護装置41のフレーム41aを押さえリ
ング43に嵌合させて再び載置すれば、つぎのマスク基板
29のレジスト膜の露光を行うことが可能となる。
のレジスト膜を露光した後につぎのマスク基板29のレジ
スト膜を露光する場合には、保護装置41を取りだし、固
定金具44をはずして押さえリング43を取り出し、露光を
終えたマスク基板29を取り出し、つぎのマスク基板29を
この凹部に載置して押さえリング43を載置して固定金具
44で固定した後、保護装置41のフレーム41aを押さえリ
ング43に嵌合させて再び載置すれば、つぎのマスク基板
29のレジスト膜の露光を行うことが可能となる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば保護膜
を備えた保護装置をパターン形成基板載置台に設けてパ
ターン形成基板のレジスト膜を露光するパターン形成方
法により、レジスト膜にパターン欠陥が発生するのを防
止することが可能となる利点があり、著しい経済的及
び、信頼性向上の効果が期待できるパターン形成方法の
提供が可能である。
を備えた保護装置をパターン形成基板載置台に設けてパ
ターン形成基板のレジスト膜を露光するパターン形成方
法により、レジスト膜にパターン欠陥が発生するのを防
止することが可能となる利点があり、著しい経済的及
び、信頼性向上の効果が期待できるパターン形成方法の
提供が可能である。
第１図は本発明によるマスク基板のパターン形成方法を
示す断面図、 第２図は本発明による一実施例のマスク基板と保護装置
との接合を示す断面図、 第３図は本発明による他の実施例のマスク基板と保護装
置との接合を示す断面図、 第４図は従来のマスク基板のパターン形成方法を示す断
面図、 第５図は従来のレチクルとペリクルとの接合を示す図、 図において、 21は露光光源 22はレチクル 23,24はペリクル 25,26は保護膜 27は光学レンズ 28は基台 29はマスク基板 30はレジスト膜 31は保護装置 31aはフレーム 32は保護膜 38はマスク基板載置台 41は保護装置 41aはフレーム 42は保護膜 43は押さえリング 44は固定金具 48は基板載置台
示す断面図、 第２図は本発明による一実施例のマスク基板と保護装置
との接合を示す断面図、 第３図は本発明による他の実施例のマスク基板と保護装
置との接合を示す断面図、 第４図は従来のマスク基板のパターン形成方法を示す断
面図、 第５図は従来のレチクルとペリクルとの接合を示す図、 図において、 21は露光光源 22はレチクル 23,24はペリクル 25,26は保護膜 27は光学レンズ 28は基台 29はマスク基板 30はレジスト膜 31は保護装置 31aはフレーム 32は保護膜 38はマスク基板載置台 41は保護装置 41aはフレーム 42は保護膜 43は押さえリング 44は固定金具 48は基板載置台
Claims (1)
- 【請求項１】パターン形成基板（29）の表面に形成した
レジスト膜（30）を露光する工程において、 該パターン形成基板（29）に形成した前記レジスト膜
（30）との間に所定間隔を隔てて光または電子ビームを
透過する保護膜（32）を設け、該保護膜（32）を透過し
た光または電子ビームを前記レジスト膜（30）に照射す
ることを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19166385A JPH06100825B2 (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19166385A JPH06100825B2 (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6250758A JPS6250758A (ja) | 1987-03-05 |
| JPH06100825B2 true JPH06100825B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=16278385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19166385A Expired - Lifetime JPH06100825B2 (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06100825B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454044U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-04 | ||
| JP2512890Y2 (ja) * | 1993-01-14 | 1996-10-02 | 正人 石井 | ゴミ箱及びその交換用ゴミ袋 |
| WO2004079799A1 (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Tadahiro Ohmi | マスクレピータ及びマスク製造方法 |
| US9214346B2 (en) * | 2012-04-18 | 2015-12-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method to reduce particles in advanced anneal process |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785230A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Fujitsu Ltd | Substrate treatment |
| JPS57108855A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-07 | Fujitsu Ltd | Preparation of photomask |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP19166385A patent/JPH06100825B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6250758A (ja) | 1987-03-05 |
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