JPH06103666B2 - アッシング方法 - Google Patents
アッシング方法Info
- Publication number
- JPH06103666B2 JPH06103666B2 JP24666287A JP24666287A JPH06103666B2 JP H06103666 B2 JPH06103666 B2 JP H06103666B2 JP 24666287 A JP24666287 A JP 24666287A JP 24666287 A JP24666287 A JP 24666287A JP H06103666 B2 JPH06103666 B2 JP H06103666B2
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- Japan
- Prior art keywords
- ashing
- gas
- nitrogen oxide
- ozone
- wafer
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明はアッシング方法に関する。
（従来の技術） 一般に半導体集積回路を形成する微細パターンの形成は
例えば露光および現像によって形成された有機高分子の
フォトレジスト膜をマスクとして用い、このマスクの下
地膜をエッチングすることにより行なわれる。従って、
マスクとして用いられたフォトレジスト膜はエッチング
過程を経た後には半導体ウエハ表面から除去する必要が
ある。このような場合のフォトレジスト膜を除去する処
理としてアッシング処理が行なわれている。
例えば露光および現像によって形成された有機高分子の
フォトレジスト膜をマスクとして用い、このマスクの下
地膜をエッチングすることにより行なわれる。従って、
マスクとして用いられたフォトレジスト膜はエッチング
過程を経た後には半導体ウエハ表面から除去する必要が
ある。このような場合のフォトレジスト膜を除去する処
理としてアッシング処理が行なわれている。
このアッシング処理はレジストの除去、シリコンウエ
ハ，マスクの洗浄を始めインクの除去、溶剤残留物の除
去等にも使用され半導体プロセスのドライクリーニング
処理を行なう場合に適するものである。
ハ，マスクの洗浄を始めインクの除去、溶剤残留物の除
去等にも使用され半導体プロセスのドライクリーニング
処理を行なう場合に適するものである。
紫外線を照射することにより酸素原子ラジカルを発生さ
せて、バッチ処理でアッシング処理を行なうアッシング
方法がある。
せて、バッチ処理でアッシング処理を行なうアッシング
方法がある。
第５図はこのような紫外線照射により酸素原子ラジカル
を発生させるアッシング装置を示すもので、処理室
（１）には多数の半導体ウエハ（２）が所定間隔をおい
て垂直に配置され、処理室（１）の上部に設置されてい
る紫外線発光管（３）からの紫外線を処理室（１）の上
面に設けられた石英等の透明な窓（４）を通して照射
し、処理室（１）に充填された酸素を励起してオゾンを
発生させる。そして、このオゾン雰囲気から生じる酸素
原子ラジカルを半導体ウエハ（２）に作用させてアッシ
ング処理を行なう。
を発生させるアッシング装置を示すもので、処理室
（１）には多数の半導体ウエハ（２）が所定間隔をおい
て垂直に配置され、処理室（１）の上部に設置されてい
る紫外線発光管（３）からの紫外線を処理室（１）の上
面に設けられた石英等の透明な窓（４）を通して照射
し、処理室（１）に充填された酸素を励起してオゾンを
発生させる。そして、このオゾン雰囲気から生じる酸素
原子ラジカルを半導体ウエハ（２）に作用させてアッシ
ング処理を行なう。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記説明の従来のアッシング方法では、ア
ッシング速度が50〜150nm/minと遅く、処理に時間がか
かるため、例えば大口径半導体ウエハの処理に適した半
導体ウエハを１枚１枚処理する枚葉処理が行なえないと
いう問題点があった。
ッシング速度が50〜150nm/minと遅く、処理に時間がか
かるため、例えば大口径半導体ウエハの処理に適した半
導体ウエハを１枚１枚処理する枚葉処理が行なえないと
いう問題点があった。
本発明は上記点に対処してなされたもので、フォトレジ
スト膜のアッシング速度が速く、大口径半導体ウエハの
枚葉処理等に対応することのできるアッシング方法を提
供しようとするものである。
スト膜のアッシング速度が速く、大口径半導体ウエハの
枚葉処理等に対応することのできるアッシング方法を提
供しようとするものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、アッシングガスと窒素酸化物ガスの混合ガス
によりアッシング処理することを特徴とするアッシング
方法を得るものである。
によりアッシング処理することを特徴とするアッシング
方法を得るものである。
（作用効果） アッシングガスと窒素酸化物ガスの混合ガスでアッシン
グすることにより、高速アッシング処理を行なうことが
でき、窒素酸化物ガスを混合しないアッシングガスでア
ッシング処理する場合に比べ更に２〜３倍高速アッシン
グ処理が可能となる。
グすることにより、高速アッシング処理を行なうことが
でき、窒素酸化物ガスを混合しないアッシングガスでア
ッシング処理する場合に比べ更に２〜３倍高速アッシン
グ処理が可能となる。
（実施例） 以下、本発明方法は半導体製造工程におけるアッシング
工程に適用した実施例につき図面を参照して説明する。
まず、アッシング装置の構成について説明する。
工程に適用した実施例につき図面を参照して説明する。
まず、アッシング装置の構成について説明する。
昇降機構（図示せず）により上下動自在に断面Ｕ字状で
円筒状の上チャンバー（５）が設けられている。この上
チャンバー（５）にはアッシングガスを均一に流出させ
るための例えばガラス製平板（６）が設けられている。
この平板（６）の中心軸にはアッシングガスを流出させ
るための例えば口径8mmの流出口（７）が設けられてい
る。上記上チャンバー（５）と係合する如く下チャンバ
ー（８）が設けられ、この下チャンバー（８）内には被
処理基板例えば半導体ウエハ（９）を載置可能である円
板状載置台（10）が設けられている。この載置台（10）
にはヒーター（11）が内設し、このヒーター（11）は下
チャンバー（８）外部に設けられた温度制御機構（12）
により温調自在であり、これにより上記載置台（10）が
温調自在に構成されている。この載置台（10）上に設定
した半導体ウエハ（９）の表面にアッシングガスを流出
する如く、ガス流導管（13）によりガス流量調節器（1
4）を介して酸素供給源（15）を備えたオゾン発生器（1
6）が配設されている。上記ガス流導管（13）には、窒
素酸化物ガス流導管（17）が接続されており、この窒素
酸化物ガス流導管（17）はガス流量調節器（18）を介し
て一酸化二窒素供給源（19）を備えた窒素酸化物ガス発
生器（20）に接続されている。更に、上記ガス流導管
（13）は分岐してエアー・パージ機構（21）に接続され
ている。また、下チャンバー（８）の底部には処理室
（22）内の排気をする排気機構（23）が排気管（24）を
介して設けられている。このようにしてアッシング装置
が構成されている。
円筒状の上チャンバー（５）が設けられている。この上
チャンバー（５）にはアッシングガスを均一に流出させ
るための例えばガラス製平板（６）が設けられている。
この平板（６）の中心軸にはアッシングガスを流出させ
るための例えば口径8mmの流出口（７）が設けられてい
る。上記上チャンバー（５）と係合する如く下チャンバ
ー（８）が設けられ、この下チャンバー（８）内には被
処理基板例えば半導体ウエハ（９）を載置可能である円
板状載置台（10）が設けられている。この載置台（10）
にはヒーター（11）が内設し、このヒーター（11）は下
チャンバー（８）外部に設けられた温度制御機構（12）
により温調自在であり、これにより上記載置台（10）が
温調自在に構成されている。この載置台（10）上に設定
した半導体ウエハ（９）の表面にアッシングガスを流出
する如く、ガス流導管（13）によりガス流量調節器（1
4）を介して酸素供給源（15）を備えたオゾン発生器（1
6）が配設されている。上記ガス流導管（13）には、窒
素酸化物ガス流導管（17）が接続されており、この窒素
酸化物ガス流導管（17）はガス流量調節器（18）を介し
て一酸化二窒素供給源（19）を備えた窒素酸化物ガス発
生器（20）に接続されている。更に、上記ガス流導管
（13）は分岐してエアー・パージ機構（21）に接続され
ている。また、下チャンバー（８）の底部には処理室
（22）内の排気をする排気機構（23）が排気管（24）を
介して設けられている。このようにしてアッシング装置
が構成されている。
次に、上述したアッシング装置による半導体ウエハのア
ッシング方法を説明する。
ッシング方法を説明する。
昇降機構（図示せず）により上チャンバー（５）を上昇
させ、搬送機構例えばハンドアーム（図示せず）により
半導体ウエハ（９）を保持して下チャンバー（８）に設
けられた載置台（10）上の予め定められた位置に載置
し、保持例えば吸着保持する。そして、上記上チャンバ
ー（５）を昇降機構により下降させ、下チャンバー
（８）と気密連結する。この時、上記載置台（10）上に
載置された半導体ウエハ（９）と上チャンバー（５）に
設けられた平板（６）との間隔が例えば0.5〜20mm程度
になるように予め設定されており、上記気密連結時に上
記間隔を保つ。またこの時、載置台（10）に内設してい
るヒーター（11）が外部に設けられた温度制御機構（1
2）により予め150〜500℃程度例えば300℃に加熱されて
いたことにより上記半導体ウエハ（９）を300℃程度に
加熱している。
させ、搬送機構例えばハンドアーム（図示せず）により
半導体ウエハ（９）を保持して下チャンバー（８）に設
けられた載置台（10）上の予め定められた位置に載置
し、保持例えば吸着保持する。そして、上記上チャンバ
ー（５）を昇降機構により下降させ、下チャンバー
（８）と気密連結する。この時、上記載置台（10）上に
載置された半導体ウエハ（９）と上チャンバー（５）に
設けられた平板（６）との間隔が例えば0.5〜20mm程度
になるように予め設定されており、上記気密連結時に上
記間隔を保つ。またこの時、載置台（10）に内設してい
るヒーター（11）が外部に設けられた温度制御機構（1
2）により予め150〜500℃程度例えば300℃に加熱されて
いたことにより上記半導体ウエハ（９）を300℃程度に
加熱している。
そして、酸素供給源（15）を備えたオゾン発生器（16）
によりオゾンを発生させ、ガス流量調節器（14）により
設定流量５〜20l/min例えば15l/min程度でガス流導管
（13）に流導する。また、一酸化二窒素供給源（19）を
備えた窒素酸化物ガス発生器（20）により不安定状態で
ある窒素酸化物ガス例えば一酸化窒素，二酸化窒素，四
酸化二窒素等を発生させ、ガス流量調節器（14）により
設定流量50〜500ml/min例えば250ml/min程度でガス流導
管（13）に流導する。この時の窒素酸化物ガス発生手段
は、例えば多少の間隔を設けて対向配置した２枚の電極
に交流電源を接続し、この電源により高電圧を上記電極
にかけた状態で上記２枚の電極間に一酸化二窒素供給源
（19）からの一酸化二窒素を流導して不安定状態である
窒素酸化物ガス例えば二酸化窒素や四酸化二窒素等を発
生させる。この発生させた窒素酸化物ガス例えば二酸化
窒素や四酸化二窒素等を上記ガス流導管（13）に流導
し、オゾンを含有したアッシングガスに混合することに
より五酸化二窒素にする。そして、この窒素酸化物ガス
を混合したアッシングガス即ち五酸化二窒素を平板
（６）に設けられた例えば口径8mmの流出口（７）より
載置台（10）上に載置した半導体ウエハ（９）の表面に
流出し、アッシング処理を行なう。この時、上記窒素酸
化物ガスを混合したアッシングガス即ち五酸化二窒素が
加熱することにより発生する酸素ラジカルO(1D)の反応
により半導体ウエハ（９）表面に被着された膜例えばCl
HmOnを二酸化炭素と水蒸気に分解するが、オゾンのみの
アッシングの場合、オゾンを加熱することにより発生す
る酸素ラジカルO(3P)の反応により半導体ウエハ（９）
表面に被着された膜例えばClHmOnを二酸化炭素と水蒸気
に分解し、同様な効果を得ることができる。しかし、酸
素ラジカルO(1D)とO(3P)ではO(1D)の方が反応性が高い
ため、上記窒素酸化物ガスを添加したアッシングガス即
ち五酸化二窒素によるアッシングの方がより高いアッシ
ング速度を得ることができる。この時の一酸化二窒素流
量変化によるアッシング速度の変化を示したグラフを第
２図に示す。これは半導体ウエハ（９）を300℃に加熱
状態で、オゾン流量を15l/minに設定した時の特性であ
るが、このグラフから窒素酸化物ガスをオゾンに混合す
るとアッシング速度が速くなることが分かり、更に一酸
化二窒素流量が250〜300ml/min程度が最適であることが
分かる。
によりオゾンを発生させ、ガス流量調節器（14）により
設定流量５〜20l/min例えば15l/min程度でガス流導管
（13）に流導する。また、一酸化二窒素供給源（19）を
備えた窒素酸化物ガス発生器（20）により不安定状態で
ある窒素酸化物ガス例えば一酸化窒素，二酸化窒素，四
酸化二窒素等を発生させ、ガス流量調節器（14）により
設定流量50〜500ml/min例えば250ml/min程度でガス流導
管（13）に流導する。この時の窒素酸化物ガス発生手段
は、例えば多少の間隔を設けて対向配置した２枚の電極
に交流電源を接続し、この電源により高電圧を上記電極
にかけた状態で上記２枚の電極間に一酸化二窒素供給源
（19）からの一酸化二窒素を流導して不安定状態である
窒素酸化物ガス例えば二酸化窒素や四酸化二窒素等を発
生させる。この発生させた窒素酸化物ガス例えば二酸化
窒素や四酸化二窒素等を上記ガス流導管（13）に流導
し、オゾンを含有したアッシングガスに混合することに
より五酸化二窒素にする。そして、この窒素酸化物ガス
を混合したアッシングガス即ち五酸化二窒素を平板
（６）に設けられた例えば口径8mmの流出口（７）より
載置台（10）上に載置した半導体ウエハ（９）の表面に
流出し、アッシング処理を行なう。この時、上記窒素酸
化物ガスを混合したアッシングガス即ち五酸化二窒素が
加熱することにより発生する酸素ラジカルO(1D)の反応
により半導体ウエハ（９）表面に被着された膜例えばCl
HmOnを二酸化炭素と水蒸気に分解するが、オゾンのみの
アッシングの場合、オゾンを加熱することにより発生す
る酸素ラジカルO(3P)の反応により半導体ウエハ（９）
表面に被着された膜例えばClHmOnを二酸化炭素と水蒸気
に分解し、同様な効果を得ることができる。しかし、酸
素ラジカルO(1D)とO(3P)ではO(1D)の方が反応性が高い
ため、上記窒素酸化物ガスを添加したアッシングガス即
ち五酸化二窒素によるアッシングの方がより高いアッシ
ング速度を得ることができる。この時の一酸化二窒素流
量変化によるアッシング速度の変化を示したグラフを第
２図に示す。これは半導体ウエハ（９）を300℃に加熱
状態で、オゾン流量を15l/minに設定した時の特性であ
るが、このグラフから窒素酸化物ガスをオゾンに混合す
るとアッシング速度が速くなることが分かり、更に一酸
化二窒素流量が250〜300ml/min程度が最適であることが
分かる。
また、半導体ウエハ（９）表面におけるアッシング速度
を第３図に示す。これは半導体ウエハ（９）を300℃に
加熱状態で、オゾン流量を15l/minに設定した時の一酸
化二窒素流量変化によるアッシング速度を示したもので
ある。このグラフから窒素酸化物ガスをオゾンに混合す
ると、半導体ウエハ（９）表面の各部分においてもアッ
シング速度が速くなることが分かるが、一酸化二窒素流
量が1000ml/min程度になると半導体ウエハ（９）周辺部
がオゾンのみのアッシング速度よりも低下してしまうた
め、一酸化二窒素流量が250ml/min程度が最適であるこ
とが分かる。
を第３図に示す。これは半導体ウエハ（９）を300℃に
加熱状態で、オゾン流量を15l/minに設定した時の一酸
化二窒素流量変化によるアッシング速度を示したもので
ある。このグラフから窒素酸化物ガスをオゾンに混合す
ると、半導体ウエハ（９）表面の各部分においてもアッ
シング速度が速くなることが分かるが、一酸化二窒素流
量が1000ml/min程度になると半導体ウエハ（９）周辺部
がオゾンのみのアッシング速度よりも低下してしまうた
め、一酸化二窒素流量が250ml/min程度が最適であるこ
とが分かる。
以上のように半導体ウエハ（９）のアッシング処理を終
えると、排気機構（23）により排気管（24）を介して処
理室（22）内の排ガスを排気する。同時にエアー・パー
ジ機構（21）からガス流導管（13）を介して処理室（2
2）内にエアー・パージする。
えると、排気機構（23）により排気管（24）を介して処
理室（22）内の排ガスを排気する。同時にエアー・パー
ジ機構（21）からガス流導管（13）を介して処理室（2
2）内にエアー・パージする。
次に、他の実施例を第４図に基づいて説明する。図示し
ない昇降機構及び温度制御機構に連設して昇降及び温調
自在に構成された載置台（25）上面に被処理基板例えば
半導体ウエハ（26）を保持例えば吸着保持可能に成って
いる。このような載置台（25）と係合する如く上部に蓋
（27）が設けられており、この係合時に内部を気密する
ために載置台（25）周縁部にテフロン系ゴム製パッキン
グ（28）が設けられている。この蓋（27）と載置台（2
5）が係合することにより内部の処理空間を形成する。
ない昇降機構及び温度制御機構に連設して昇降及び温調
自在に構成された載置台（25）上面に被処理基板例えば
半導体ウエハ（26）を保持例えば吸着保持可能に成って
いる。このような載置台（25）と係合する如く上部に蓋
（27）が設けられており、この係合時に内部を気密する
ために載置台（25）周縁部にテフロン系ゴム製パッキン
グ（28）が設けられている。この蓋（27）と載置台（2
5）が係合することにより内部の処理空間を形成する。
上記蓋（27）の上記ウエハ（26）との対向面に、少なく
ともウエハ（26）より広面積である透明な材質から成る
例えば石英ガラス窓（29）が上記ウエハ（26）と平行状
態に設けられている。この石英ガラス窓（29）上方に
は、ウエハ（26）表面全面を覆う如く複数個配列した紫
外線ランプ（30）が上記石英ガラス窓（29）と平行状態
に配設している。また、上記蓋（27）の横部にはガス供
給管（31）が接続されており、このガス供給管（31）は
図示しないガス流量調節器を介して酸素供給源を備えた
オゾン発生器に連設している。更に上記ガス供給管（3
1）には、図示しないガス流量調節器を介して一酸化二
窒素供給源を備えた窒素酸化物ガス発生器に連設してい
る。また更に、上記ガス供給管（31）には分岐して図示
しないエアー・パージ機構に連設している。このような
各機構に連設しているガス供給管（31）は、上記蓋（2
7）に接続し、ウエハ（26）周辺部に設けられた例えば
直径1mmの複数の開口（32）から上記ウエハ（26）表面
にアッシングガスを供給可能と成っている。
ともウエハ（26）より広面積である透明な材質から成る
例えば石英ガラス窓（29）が上記ウエハ（26）と平行状
態に設けられている。この石英ガラス窓（29）上方に
は、ウエハ（26）表面全面を覆う如く複数個配列した紫
外線ランプ（30）が上記石英ガラス窓（29）と平行状態
に配設している。また、上記蓋（27）の横部にはガス供
給管（31）が接続されており、このガス供給管（31）は
図示しないガス流量調節器を介して酸素供給源を備えた
オゾン発生器に連設している。更に上記ガス供給管（3
1）には、図示しないガス流量調節器を介して一酸化二
窒素供給源を備えた窒素酸化物ガス発生器に連設してい
る。また更に、上記ガス供給管（31）には分岐して図示
しないエアー・パージ機構に連設している。このような
各機構に連設しているガス供給管（31）は、上記蓋（2
7）に接続し、ウエハ（26）周辺部に設けられた例えば
直径1mmの複数の開口（32）から上記ウエハ（26）表面
にアッシングガスを供給可能と成っている。
更に上記蓋（27）の横部には排気管（33）が接続されて
おり、この排気管（33）は処理空間の排気をする図示し
ない排気機構に連設している。
おり、この排気管（33）は処理空間の排気をする図示し
ない排気機構に連設している。
このように構成されたアッシング装置によりアッシング
処理を行なうが、これはまず、上記載置台（25）を昇降
機構の駆動により下降させ、この載置台（25）上面の予
め定められた位置に図示しない搬送機構例えばハンドア
ームにより、被処理基板例えば半導体ウエハ（26）を搬
送して載置する。そして、上記載置台（25）を上昇させ
上記蓋（27）とウエハ（26）との間隔が0.1〜0.5mm程度
となるように係合し、更にパッキング（28）の作用で処
理空間内を密閉状態にする。この時すでに載置台（25）
は上記温度制御機構により例えば350℃程度に温度制御
されており、この載置台（25）の熱により上記載置した
ウエハ（26）を上記350℃程度に加熱されている。
処理を行なうが、これはまず、上記載置台（25）を昇降
機構の駆動により下降させ、この載置台（25）上面の予
め定められた位置に図示しない搬送機構例えばハンドア
ームにより、被処理基板例えば半導体ウエハ（26）を搬
送して載置する。そして、上記載置台（25）を上昇させ
上記蓋（27）とウエハ（26）との間隔が0.1〜0.5mm程度
となるように係合し、更にパッキング（28）の作用で処
理空間内を密閉状態にする。この時すでに載置台（25）
は上記温度制御機構により例えば350℃程度に温度制御
されており、この載置台（25）の熱により上記載置した
ウエハ（26）を上記350℃程度に加熱されている。
次に、酸素供給源を備えたオゾン発生器によりオゾンを
発生させ、ガス流量調節器により設定流量５〜20l/min
例えば10l/min程度で上記ガス供給管（31）に供給す
る。また、一酸化二窒素供給源を備えた窒素酸化物ガス
発生器により窒素酸化物ガス例えばNOxを発生させ、ガ
ス流量調節器により設定流量50〜500ml/min例えば250ml
/min程度で上記ガス供給管（31）に供給し、上記オゾン
と混合する。そして、この混合ガスを複数の開口（32）
から載置台（25）上に載置したウエハ（26）の表面に流
出し、同時に上記紫外線ランプ（30）から例えば波長25
4nmの紫外線を透明する石英ガラス窓（29）を介してウ
エハ（26）表面に照射してアッシング処理を行なう。こ
の時、ウエハ（26）表面に供給された混合ガスは、上記
紫外線により励起され、更に高温状態のウエハ（26）の
熱により酸素原子ラジカルを発生する。この酸素原子ラ
ジカルがウエハ（26）表面に被着されている例えばClHm
Onを二酸化炭素と水蒸気に分解する。この場合、上記混
合ガスによるアッシング処理に紫外線を併用することに
より、より酸化作用が強い酸素原子ラジカルを発生する
ことが可能となり、上記混合ガスまたはオゾンのみによ
るアッシング処理に比べ、より高いアッシング速度を得
ることができる。
発生させ、ガス流量調節器により設定流量５〜20l/min
例えば10l/min程度で上記ガス供給管（31）に供給す
る。また、一酸化二窒素供給源を備えた窒素酸化物ガス
発生器により窒素酸化物ガス例えばNOxを発生させ、ガ
ス流量調節器により設定流量50〜500ml/min例えば250ml
/min程度で上記ガス供給管（31）に供給し、上記オゾン
と混合する。そして、この混合ガスを複数の開口（32）
から載置台（25）上に載置したウエハ（26）の表面に流
出し、同時に上記紫外線ランプ（30）から例えば波長25
4nmの紫外線を透明する石英ガラス窓（29）を介してウ
エハ（26）表面に照射してアッシング処理を行なう。こ
の時、ウエハ（26）表面に供給された混合ガスは、上記
紫外線により励起され、更に高温状態のウエハ（26）の
熱により酸素原子ラジカルを発生する。この酸素原子ラ
ジカルがウエハ（26）表面に被着されている例えばClHm
Onを二酸化炭素と水蒸気に分解する。この場合、上記混
合ガスによるアッシング処理に紫外線を併用することに
より、より酸化作用が強い酸素原子ラジカルを発生する
ことが可能となり、上記混合ガスまたはオゾンのみによ
るアッシング処理に比べ、より高いアッシング速度を得
ることができる。
上記アッシング処理後の排ガスは排気管（33）を介して
排気される。
排気される。
以上述べたようにこの実施例によれば、アッシングガス
に窒素酸化物ガスを混合し、この混合ガスに紫外線を照
射して励起することにより、上記混合ガスのみまたは、
オゾンのみのアッシング処理よりも、より強い酸化作用
を有する酸素原子ラジカルを発生することが可能とな
り、高速アッシング処理を行なうことができる。
に窒素酸化物ガスを混合し、この混合ガスに紫外線を照
射して励起することにより、上記混合ガスのみまたは、
オゾンのみのアッシング処理よりも、より強い酸化作用
を有する酸素原子ラジカルを発生することが可能とな
り、高速アッシング処理を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明方法の一実施例を説明するためのアッシ
ング装置の構成図、第２図、第３図はアッシングガスに
窒素酸化物ガスを混合した場合のアッシング速度を示す
グラフ、第４図は本発明方法の他の実施例説明図、第５
図は従来のアッシング装置の構成図である。 9,26…ウエハ、16…オゾン発生器、 18…ガス流量調節器、 19…一酸化二窒素供給源、 20…窒素酸化物ガス発生器、 30…紫外線ランプ。
ング装置の構成図、第２図、第３図はアッシングガスに
窒素酸化物ガスを混合した場合のアッシング速度を示す
グラフ、第４図は本発明方法の他の実施例説明図、第５
図は従来のアッシング装置の構成図である。 9,26…ウエハ、16…オゾン発生器、 18…ガス流量調節器、 19…一酸化二窒素供給源、 20…窒素酸化物ガス発生器、 30…紫外線ランプ。
Claims (4)
- 【請求項１】アッシングガスと窒素酸化物ガスの混合ガ
スによりアッシング処理することを特徴とするアッシン
グ方法。 - 【請求項２】窒素酸化物ガスは五酸化二窒素である特許
請求の範囲第１項記載のアッシング方法。 - 【請求項３】混合ガスは、オゾンに一酸化窒素或いは二
酸化窒素或いは四酸化二窒素の混合ガスである特許請求
の範囲第１項記載のアッシング方法。 - 【請求項４】混合ガスに紫外線を照射することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24666287A JPH06103666B2 (ja) | 1987-05-21 | 1987-09-29 | アッシング方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12416287 | 1987-05-21 | ||
| JP62-124162 | 1987-05-21 | ||
| JP62-234448 | 1987-09-17 | ||
| JP23444887 | 1987-09-17 | ||
| JP24666287A JPH06103666B2 (ja) | 1987-05-21 | 1987-09-29 | アッシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157528A JPH01157528A (ja) | 1989-06-20 |
| JPH06103666B2 true JPH06103666B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=27314874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24666287A Expired - Lifetime JPH06103666B2 (ja) | 1987-05-21 | 1987-09-29 | アッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103666B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01233727A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Hitachi Ltd | 表面処理方法および装置 |
-
1987
- 1987-09-29 JP JP24666287A patent/JPH06103666B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01157528A (ja) | 1989-06-20 |
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