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JPH0610884B2 - Optical pickup device - Google Patents
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JPH0610884B2 - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

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JPH0610884B2
JPH0610884B2 JP61155544A JP15554486A JPH0610884B2 JP H0610884 B2 JPH0610884 B2 JP H0610884B2 JP 61155544 A JP61155544 A JP 61155544A JP 15554486 A JP15554486 A JP 15554486A JP H0610884 B2 JPH0610884 B2 JP H0610884B2
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JP
Japan
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recording medium
semiconductor laser
pickup device
optical pickup
spot
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JP61155544A
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豊 山中
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ピックアップ装置に関し、特に光照射により
情報の記録、再生および消去を行う光情報記録装置に適
用される光ピックアップ装置に関する。
The present invention relates to an optical pickup device, and more particularly to an optical pickup device applied to an optical information recording device that records, reproduces and erases information by light irradiation.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、この種の光ピックアップ装置においては、光照射
により情報の記録を行う記録媒体としては、多結晶とア
モルファスとの間の相変化を利用するものがあり、この
媒体材料としては、Te−O−Ge−Sn合金系または
Te−Se−Sn合金系などが用いられている。これら
の材料の特徴は、材料に温度変化を与える場合、急速加
熱,急速冷却を行うとアモルファス化し、比較的ゆっく
りとした加熱,冷却を行うと結晶化することである。こ
の相変化によって、その材料の表面の反射率も変化する
ので、微弱な光を照射することにより相状態を知ること
ができる。この相変化を用いることにより、情報の記
録,再生および消去を行うことが可能である。
Conventionally, in this type of optical pickup device, as a recording medium for recording information by light irradiation, there is a recording medium which utilizes a phase change between polycrystalline and amorphous. As the medium material, Te-O is used. -Ge-Sn alloy system or Te-Se-Sn alloy system is used. A characteristic of these materials is that when a temperature change is applied to the materials, they are made amorphous by rapid heating and rapid cooling, and crystallized by relatively slow heating and cooling. This phase change also changes the reflectance of the surface of the material, so the phase state can be known by irradiating weak light. By using this phase change, it is possible to record, reproduce and erase information.

光ディスク形状において、結晶からアモルファスへ、ア
モルファスカラ結晶へと、双方の相変化を1トラック幅
内にて実現する手段としては、第3図の平面図に示され
るように、光ピックアップ装置から記憶媒体6上に対す
る円形スポット102および長円形スポット103を形成
するものがある。第3図において、記録媒体6が矢印1
01の方向に一定速度で移動しているものとすると、高
いパワーの円形スポット102により記憶媒体6の急
熱,急冷が行われ、比較的低いパワーの長円形スポット
103により記憶媒体6の徐熱,徐冷が行われて、前記
手段が実現される。この円形スポット102により情報
ビットの形成を行い、長円形スポット103により情報
ビットの消去を行えば、1トラック幅ごとに記録および
消去を実現することができる。
As shown in the plan view of FIG. 3, from an optical pickup device to a storage medium, a means for realizing both phase changes from crystal to amorphous and amorphous color crystal within one track width in the shape of an optical disc is shown. 6 to form a circular spot 102 and an oval spot 103 on the upper surface. In FIG. 3, the recording medium 6 is indicated by an arrow 1.
Assuming that the storage medium 6 is moving at a constant speed in the direction 01, the storage medium 6 is rapidly heated and cooled by the high power circular spot 102, and the storage medium 6 is gradually heated by the relatively low power oval spot 103. The slow cooling is performed to realize the above means. If the information bit is formed by the circular spot 102 and the information bit is erased by the oval spot 103, recording and erasing can be realized for each track width.

第4図に示されるのは、従来の光ピックアップ装置の一
例を示す構成図で、半導体レーザ15の出射光は、コリ
メートレンズ16,ビームスプリッタ18および集光レ
ンズ19を介して記録媒体6上に収束される。記録媒体
6からの反射光はビームスプリッタ18において分離さ
れ、信号およびエラー検出のための検出光学系20に導
かれる。この場合、記録媒体6上に長円形スポットを形
成するためには、コリメート光中に、第4図に破線にて
示されるシリンドリカルレンズ17が挿入される。
FIG. 4 is a block diagram showing an example of a conventional optical pickup device, in which the emitted light of the semiconductor laser 15 passes through the collimator lens 16, the beam splitter 18 and the condenser lens 19 and is recorded on the recording medium 6. Converged. The reflected light from the recording medium 6 is separated by the beam splitter 18 and guided to a detection optical system 20 for detecting a signal and an error. In this case, in order to form an oval spot on the recording medium 6, the cylindrical lens 17 shown by the broken line in FIG. 4 is inserted into the collimated light.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

上述した従来の光ピックアップ装置においては、記録媒
体6上に長円形スポット102を形成するために、コリ
メート光中にシリンドリカルレンズ17が挿入されてい
る。従って、この光ピックアップ装置によって記録媒体
6上に形成されるスポットは、長円形スポットのみに限
定され、円形スポットの形成は不可能となる。このた
め、他の円形スポットを形成する光ピックアップ装置の
組合せて使用するか、または、波長フィルタにより異な
る波長の光を合波して、円形ならび長円形の二つのスポ
ットを形成するマルチビーム型の光ピックアップ装置化
を考慮する必要があり、光ピックアップ装置の構成が複
雑化するという欠点がある。
In the conventional optical pickup device described above, the cylindrical lens 17 is inserted in the collimated light in order to form the elliptical spot 102 on the recording medium 6. Therefore, the spot formed on the recording medium 6 by the optical pickup device is limited to the elliptical spot, and the circular spot cannot be formed. Therefore, it is used in combination with an optical pickup device that forms another circular spot, or is a multi-beam type that forms two spots of a circular shape and an oval shape by combining lights of different wavelengths with a wavelength filter. It is necessary to consider making the optical pickup device, and there is a drawback that the configuration of the optical pickup device becomes complicated.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の光ピックアップ装置は、半導体レーザの出射光
を微小スポットにして記録媒体に照射し、前記記録媒体
からの光を光検出器に導く光学系を備える光ピックアッ
プ装置において、前記半導体レーザとして駆動状態によ
り発振軸モードが単一モードとマルチモードとの間にお
いて切替えられる半導体レーザと、前記半導体レーザの
発振軸モードの切替えを行うレーザ駆動回路と、前記半
導体レーザと前記記録媒体との間に、透過型または反射
型のグレーティング素子の回折光を利用する光路変換素
子と、を備えて構成される。
The optical pickup device of the present invention is an optical pickup device provided with an optical system for irradiating a recording medium with emitted light of a semiconductor laser as a minute spot and guiding the light from the recording medium to a photodetector, which is driven as the semiconductor laser. A semiconductor laser whose oscillation axis mode is switched between a single mode and a multimode depending on a state, a laser drive circuit which switches the oscillation axis mode of the semiconductor laser, and between the semiconductor laser and the recording medium, And an optical path conversion element that uses the diffracted light of a transmission type or reflection type grating element.

〔作用〕[Action]

第2図において、ピッチがdの透過型のグレーティング
素子3に対して、波長λの光が入射角θにて入射される
場合を考えると、次式が成立する。
In FIG. 2, considering the case where light of wavelength λ is incident on the transmissive grating element 3 having a pitch of d at an incident angle θ, the following equation holds.

d sinθ=λ 入射角の波長が△λ変化すると、出射光のビーム角度は
次式の△θだけ変化する。
d sin θ = λ When the wavelength of the incident angle changes by Δλ, the beam angle of the emitted light changes by Δθ in the following equation.

△θ=sinθ・(△λ/λ) 集光レンズの焦点距離をfとすると、記録媒体上におい
てはf・(△θ)のスポット中心のずれとなる。θ=3
0゜,λ=800nm(ナノ・メートル)、△λ=0.
3nmおよびf=4mm(ミリ・メートル)とすると、f
・(△θ)0.7μm(ミクロン)となる。一方、共
振器長300μmの半導体レーザの軸モード間隔は約
0.3nmであるので、△λの波長変化に対応して、隣
接軸モード間においてスポット位置が0.7μmずれる
ことになる。一つの軸モードによる円形スポット径の大
きさが1μmφ程度であるので、半導体レーザがマルチ
モード発振をしている状態においては、モード数に対応
する長さの長円形スポッとを記録媒体上に形成すること
ができる。すなわち、光ピックアップ装置の光学系中に
透過型のグレーティング素子を使用する場合には、半導
体レーザの発振軸モードをマルチ化することにより、容
易に記録媒体上に長円形スポットが形成される。このこ
とは、透過型のグレーティング素子の代りに反射型のグ
レーティング素子による回折光を用いても、同様の効果
が得られる。また、グレーティング素子としては、単純
格子だけでなく、集光レンズ等の代りに使用されるオフ
アクシス型のゾーンプレートレンズでもよい。光の回折
効率は、格子のブレーズ化などにより70%以上の効率
が実現可能である。
Δθ = sin θ · (Δλ / λ) When the focal length of the condenser lens is f, the spot center shifts by f · (Δθ) on the recording medium. θ = 3
0 °, λ = 800 nm (nanometers), Δλ = 0.
If 3 nm and f = 4 mm (millimeters), then f
・ (Δθ) becomes 0.7 μm (micron). On the other hand, since the axial mode interval of a semiconductor laser having a cavity length of 300 μm is about 0.3 nm, the spot position is deviated by 0.7 μm between the adjacent axial modes according to the wavelength change of Δλ. Since the size of the circular spot diameter due to one axis mode is about 1 μmφ, when the semiconductor laser is oscillating in multimode, an elliptical spot having a length corresponding to the number of modes is formed on the recording medium. can do. That is, when a transmission type grating element is used in the optical system of the optical pickup device, the elliptical spot is easily formed on the recording medium by making the oscillation axis modes of the semiconductor laser multi. The same effect can be obtained by using diffracted light from a reflective grating element instead of a transmissive grating element. Further, the grating element is not limited to a simple grating, but may be an off-axis type zone plate lens used in place of a condenser lens or the like. The light diffraction efficiency can be 70% or more by blazing the grating.

前記グレーティング素子が光路中に設けられると、半導
体レーザの発振軸モードを単一モードとマルチモードと
の間において切替えることにより、記録媒体上には円形
ならびに長円形の2種類のスポットが容易に形成され
る。なお、半導体レーザの発振軸モードを切替える方式
としては、直流駆動により単一モードを発振するレーザ
に、高周波電流を重畳してマルチモード化する方式、お
よび半導体レーザの電極を共振器長方向において分割
し、それぞれの電極に加える電流の比を変えることによ
り発振モード数を制御する方式等があげられる。
When the grating element is provided in the optical path, the oscillation axis mode of the semiconductor laser is switched between the single mode and the multimode, so that two kinds of spots, a circular shape and an oval shape, are easily formed on the recording medium. To be done. As a method of switching the oscillation axis mode of the semiconductor laser, a method of superposing a high-frequency current on a laser that oscillates a single mode by direct current drive to make it a multimode, and dividing the electrodes of the semiconductor laser in the cavity length direction However, there is a method of controlling the number of oscillation modes by changing the ratio of the currents applied to the respective electrodes.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明について図面を参照して説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例の構成を示す図である。第
1図に示されるように、本実施例は、半導体レーザ1
と、コリメートレンズ2と、グレーティング素子3と、
ビームスプリッタ4と、集光レンズ5と、収束レンズ7
と、ビームスプリッタ8と、トラックエラー検出器9
と、ナイフエッジ10と、フォーカスエラー検出器11
と、直流回路12と、高周波回路13と、切替回路14
と、を備えており、記録媒体6に対応して構成される。
なお、直流回路12,高周波回路13および切替回路1
4は、半導体レーザ1の発振軸モードを切替えるレーザ
駆動回路を形成している。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this embodiment is based on the semiconductor laser 1
, Collimating lens 2, grating element 3,
Beam splitter 4, condenser lens 5, and condenser lens 7
, Beam splitter 8 and track error detector 9
, Knife edge 10 and focus error detector 11
, DC circuit 12, high frequency circuit 13, and switching circuit 14
And are provided corresponding to the recording medium 6.
The DC circuit 12, the high frequency circuit 13, and the switching circuit 1
Reference numeral 4 forms a laser drive circuit for switching the oscillation axis mode of the semiconductor laser 1.

第1図において、半導体レーザ1からの出射ビームは、
コリメートレンズ2によりコリメートされグレーティン
グ素子3により光路が曲げられて、ビームスプリッタ4
に送られる。更に、ビームスプリッタ4および集光レン
ズ5を介して記録媒体6上にスポットとして収束され
る。この場合、発光点が単一モードであれば円形スポッ
トが形成され、マルチモードであれば長円形スポットが
形成される。記録媒体6からの反射光は、ビームスプリ
ッタ4および収束レンズ7を経由してビームスプリッタ
8に入射され、ビームスプリッタ8において分離され
て、一部はトラックエラー検出器9に、一部はナイフエ
ッジ10を介してフォーカスエラー検出器11に、それ
ぞれ入射される。これらの反射光よりスポット位置エラ
ーが検出される。本実施例の構成においては、グレーテ
ィング素子3は楕円ビームを円形化するビーム整形機能
をも兼ね備えている。なお、グレーティング素子3の配
置位置は、ビームスプリッタ4と集光レンズ5との間に
設定されてもよい。記録および再生の動作を行う場合に
は、半導体レーザ1を直流回路12により直流または低周
波を介して駆動することにより、記録媒体6上に所定の
円形スポットを形成し、消去動作を行う場合には、切替
回路14による接続制御操作を介して、高周波回路13
による高周波電流を前記直流または低周波に重畳させて
半導体レーザ1を駆動することにより、記録媒体6上に
所定の長円形スポットを形成する。
In FIG. 1, the emitted beam from the semiconductor laser 1 is
The beam splitter 4 is collimated by the collimator lens 2 and the optical path is bent by the grating element 3.
Sent to. Further, it is converged as a spot on the recording medium 6 via the beam splitter 4 and the condenser lens 5. In this case, a circular spot is formed when the light emitting point is in the single mode, and an elliptical spot is formed when the light emitting point is in the multi mode. The reflected light from the recording medium 6 enters the beam splitter 8 via the beam splitter 4 and the converging lens 7 and is separated by the beam splitter 8, part of which is the track error detector 9 and part of which is the knife edge. The light is incident on the focus error detector 11 via 10. A spot position error is detected from these reflected lights. In the configuration of this embodiment, the grating element 3 also has a beam shaping function for circularizing the elliptical beam. The arrangement position of the grating element 3 may be set between the beam splitter 4 and the condenser lens 5. When performing recording and reproducing operations, the semiconductor laser 1 is driven by the direct current circuit 12 through direct current or low frequency to form a predetermined circular spot on the recording medium 6, and when performing erasing operation. Through the connection control operation by the switching circuit 14,
By driving the semiconductor laser 1 by superimposing the high-frequency current by the DC or low frequency, a predetermined elliptical spot is formed on the recording medium 6.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明は、比較的簡易な構成にお
いて、消去に必要は長円形スポットのみならず、記録お
よび再生に必要な円形スポットをも併せて記録媒体上に
形成することの可能な光ピックアップ装置を提供するこ
とができるという効果がある。
As described above, according to the present invention, it is possible to form not only an elliptical spot necessary for erasing but also a circular spot necessary for recording and reproduction on a recording medium with a relatively simple structure. There is an effect that an optical pickup device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例の構成を示す図、第2図は本
発明の作用を説明するための透過型グレーティング素子
の概念図、第3図は、記録媒体上のビームスポットを示
す図、第4図は、従来の光ピックアップ装置の構成を示
す図である。 図において、1,15……半導体レーザ、2,16……
コリメートレンズ、3……グレーティング素子、4,
8,18……ビームスプリッタ、5,19……集光レン
ズ、6……記録媒体、7……収束レンズ、9……トラッ
クエラー検出器、10……ナイフエッジ、11……フォ
ーカスエラー検出器、12……直流回路、13……高周
波回路、14……切替回路、17……シリンドリカルレ
ンズ、20……検出光学系。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a conceptual diagram of a transmission type grating element for explaining the operation of the present invention, and FIG. 3 shows a beam spot on a recording medium. FIG. 4 and FIG. 4 are diagrams showing a configuration of a conventional optical pickup device. In the figure, 1,15 ... Semiconductor laser, 2,16 ...
Collimating lens, 3 ... Grating element, 4,
8, 18 ... Beam splitter, 5, 19 ... Condensing lens, 6 ... Recording medium, 7 ... Converging lens, 9 ... Track error detector, 10 ... Knife edge, 11 ... Focus error detector , 12 ... DC circuit, 13 ... high frequency circuit, 14 ... switching circuit, 17 ... cylindrical lens, 20 ... detection optical system.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体レーザの出射光を微小スポットにし
て記録媒体に照射し、前記記録媒体からの光を光検出器
に導く光学系を備える光ピックアップ装置において、前
記半導体レーザとして駆動状態により発振軸モードが単
一モードとマルチモードとの間において切替えられる半
導体レーザと、前記半導体レーザの発振軸モードの切替
えを行うレーザ駆動回路と、前記半導体レーザと前記記
録媒体との間に、透過型または反射型のグレーティング
素子の回折光を利用する光路変換素子と、を備えること
を特徴とする光ピックアップ装置。
1. An optical pickup device including an optical system for irradiating a recording medium with emitted light of a semiconductor laser as a minute spot and guiding the light from the recording medium to a photodetector. A semiconductor laser whose axis mode is switched between a single mode and a multimode, a laser drive circuit which switches the oscillation axis mode of the semiconductor laser, and a transmission type or a laser diode between the semiconductor laser and the recording medium. An optical pickup device comprising: an optical path conversion element that uses diffracted light from a reflective grating element.
JP61155544A 1986-07-01 1986-07-01 Optical pickup device Expired - Lifetime JPH0610884B2 (en)

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JPS6310339A JPS6310339A (en) 1988-01-16
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