JPH0611038B2 - Surface treatment method - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子デバイス等の製造プロセスに用いられる
表面処理方法に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a surface treatment method used in a manufacturing process of electronic devices and the like.
［従来の技術］ 従来、例えばＳｉ表面には自然酸化膜が形成され、これ
がＳｉ表面の保護膜となるとともに、逆に障害となる場
合があった。すなわち絶縁層となって、必要とされる結
晶成長が困難となったり、また、金属電極などを形成す
る場合には、この絶縁層のために、コンタクト抵抗が増
加したりしていた。これを解決するための従来技術とし
ては、上記自然酸化膜を除去するために、フッ酸による
ウェットエッチングや、800℃以上の高温熱処理やＡｒ
イオンによる物理的スパッタリング等が行われていた。[Prior Art] Conventionally, for example, a natural oxide film is formed on the Si surface, which serves as a protective film on the Si surface and, on the contrary, may be an obstacle. That is, it becomes an insulating layer, which makes it difficult to grow crystals as required, and when forming a metal electrode or the like, the contact resistance increases due to the insulating layer. Conventional techniques for solving this include wet etching with hydrofluoric acid, high-temperature heat treatment at 800 ° C. or higher, and Ar to remove the natural oxide film.
Physical sputtering with ions was performed.
［発明が解決しようとする問題点］ しかし、ウェットエッチング法では、他の部分に酸化膜
があると、それもエッチングされ、目的とする工程形状
が確保できない。一方、高温熱処理は、高温による半導
体中の不純物分布の再分布化が起ったり、高温に耐えら
れない材料が同一基板上にある場合には利用できない。
Ａｒによる物理的スパッタリングでは、物理スパッタに
よる損傷が避けられない。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the wet etching method, if an oxide film is present in other portions, it is also etched, and the desired process shape cannot be secured. On the other hand, the high temperature heat treatment cannot be used when the distribution of impurities in the semiconductor is redistributed due to the high temperature or when the materials that cannot withstand the high temperature are on the same substrate.
Physical sputtering by Ar cannot avoid damage due to physical sputtering.
本発明の目的は、上記のような欠点を除去せしめて、自
然酸化膜を発生しにくい保護膜表面を形成し、必要に応
じてその保護膜を低温、低損傷で除去しうる方法を提供
することにある。An object of the present invention is to provide a method capable of removing the above-mentioned drawbacks, forming a protective film surface in which a natural oxide film is less likely to be generated, and removing the protective film at low temperature and with low damage if necessary. Especially.
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、所定の条件で試料を水素ガス添加のハロカー
ボンガスを含むガスの放電にさらし、試料表面の酸化膜
をエッチングする工程と、水素ガス添加量を増加して表
面保護膜となる炭素含有層が形成される放電条件に変
え、放電に上記試料をさらす工程とを備えてなることを
特徴とする表面処理方法、および所定の条件で試料を水
素ガス添加のハロカーボンガスを含むガスの放電にさら
し、試料表面の酸化膜をエッチングする工程と、水素ガ
ス添加量を増加して表面保護膜となる炭素含有層が形成
される放電条件に変え、放電に上記試料をさらす工程
と、前記保護膜を光エッチング可能なガス雰囲気中で、
光を照射して前記保護膜をエッチング除去する工程とを
備えてなることを特徴とする表面処理方法である。[Means for Solving Problems] In the present invention, a step of exposing a sample to discharge of a gas containing hydrogen gas-containing halocarbon gas under a predetermined condition to etch an oxide film on the sample surface, and a hydrogen gas addition amount To a discharge condition under which a carbon-containing layer serving as a surface protective film is formed, and exposing the sample to discharge, and a surface treatment method comprising: Exposing to the discharge of a gas containing a gas-added halocarbon gas, etching the oxide film on the surface of the sample, and changing the discharge condition to increase the amount of hydrogen gas added to form a carbon-containing layer as a surface protective film, Exposing the sample to discharge, and in a gas atmosphere capable of photoetching the protective film,
And a step of irradiating light to remove the protective film by etching.
［作用］ 試料をドライエッチングした後、エッチングマスクとな
るレジストを除去する工程において、通常は試料表面に
酸化膜が形成される。[Operation] In the step of removing the resist serving as an etching mask after dry etching the sample, an oxide film is usually formed on the surface of the sample.
本願第１の発明では、この試料を所定の条件で、水素ガ
スを添加したＣＦ4等のハロカーボンガスを含むガスの
プラズマにさらし、まず、表面酸化膜をドライエッチン
グによって除去する。次いで同一装置内または真空中で
連結された別のチャンバ内へ試料を移送し、水素ガス添
加量を増加させた条件でハロカーボンガスのプラズマに
さらし、試料表面に炭素を含むポリマー層を堆積する。In the first invention of the present application, this sample is exposed to plasma of a gas containing a halocarbon gas such as CF 4 to which hydrogen gas is added under predetermined conditions, and first, the surface oxide film is removed by dry etching. Then, the sample is transferred into the same apparatus or another chamber connected in vacuum, and exposed to the plasma of halocarbon gas under the condition that the hydrogen gas addition amount is increased, and a polymer layer containing carbon is deposited on the sample surface. .
本願第２の発明では、上記のポリマー層が堆積した試料
を、例えば次の工程が成膜工程であれば成膜装置または
真空中で成膜装置に連結された別のチャンバ内に入れ
る。この成膜装置には、ハロゲンガス等に光を照射して
ハロゲンラジカルを発生させる装置を配設し、上記ポリ
マー層を除去するとともに、先のドライエッチング時に
混入したドライエッチ損傷層も除去してしまう。次いで
同一チャンバ内もしくは真空中で連結された成膜チャン
バ内へ試料を移送し、成膜等を行う。以上のようにして
得られた試料はドライエッチング損傷がなく、かつ大気
搬送中において、本発明の炭素を含んだポリマー層中に
は酸素が残らないため、酸化層もない。従って清浄な表
面を次の工程で使用できる。また、このプラズマ処理
は、異方的であるために、寸法変化もない。In the second invention of the present application, the sample on which the polymer layer is deposited is placed in a film forming apparatus or another chamber connected to the film forming apparatus in vacuum if the next step is the film forming step. This film forming apparatus is provided with an apparatus for irradiating halogen gas or the like with light to generate halogen radicals, and removes the polymer layer and also removes the dry etching damage layer mixed in during the previous dry etching. I will end up. Then, the sample is transferred into the same chamber or a film forming chamber connected in vacuum to form a film. The sample obtained as described above has no dry etching damage, and has no oxide layer because oxygen does not remain in the carbon-containing polymer layer of the present invention during transportation to the atmosphere. Therefore, the clean surface can be used in the next step. Moreover, since this plasma treatment is anisotropic, there is no dimensional change.
［実施例］ 次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。[Embodiment] Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
まず本願第１の発明の一実施例を示す。第１図は、本発
明の手法を、ＳｉＯ2エッチング後レジスト灰化し、そ
の後ＣＶＤ成膜を行うような従来プロセスに応用した場
合の工程を示したものである。まず第１図(a)において
ＣＦ4系のガスでレジストマスク11を用いてＳｉＯ212を
エッチングした。すると、エッチングした表面は、Ｓｉ
基板13上に汚染層（コンタミネーション層、以下コンタ
ミ層と略称する）14が形成される。この層は、エッチン
グ中のスパッタ物、特に、レジストからの酸素、カーボ
ン、あるいはガス中に含まれているフッ素やカーボンが
含まれている。このコンタミ層14はＳＩＭＳ分析で約15
0Å程度とわかった。このコンタミ層14は、次の工程で
ある酸素プラズマ中のレジスト灰化によっても除去され
ずに残る。次にそのまま、光エッチングでこのコンタミ
層14を除去するには、まず、ＨＦの水溶液でコンタミ層
上の自然酸化膜、あるいはエッチング中にマスクへのス
パッタで入ったと思われる酸素によるコンタミ層上のう
すい酸化膜を除去してやらねばならない。すると、ウェ
ットプロセスが入るし、また、必要とするＳｉＯ212ま
でがエッチングされてしまう。そこで本発明では第１図
(a)に示す状態から酸素プラズマによるレジスト11の灰
化後、ドライエッチング装置内に水素添加のＣＦ4ガス
を流し、約70ｍTorrで30秒間プラズマを立て表面処理を
行う。水素とＣＦ4のそれぞれのガス流量は20SCCMと100
SCCMである。この処理によって酸化膜が除去されるの
で、引きつづき水素ガスを40SCCMに増加する。このとき
チャンバ内のガス圧力は同一とする。このようにしてＳ
ｉ基板13上のコンタミ層14上のうすい酸化膜が除去さ
れ、かつ表面がフッ素を含むポリマーに置きかわった第
１図(b)に示すような表面保護層15が形成される。この
表面保護層15の厚さは50〜100Å程度で、その下には、
第１図(a)に示したＳｉＯ212をエッチングした際のコン
タミ層がまだ、100Å程度残っている。この表面は、大
気中に出しても酸化物が残らない。すなわち、ＣＯやＣ
Ｏ2の形で酸素が除去されるためである。First, an embodiment of the first invention of the present application will be described. FIG. 1 shows steps in the case where the method of the present invention is applied to a conventional process in which resist ashing is performed after SiO 2 etching and then CVD film formation is performed. First, in FIG. 1A, SiO 2 12 was etched using a resist mask 11 with a CF 4 -based gas. Then, the etched surface becomes Si
A contamination layer (contamination layer, hereinafter abbreviated as a contamination layer) 14 is formed on a substrate 13. This layer contains sputtered substances during etching, particularly oxygen and carbon from the resist, or fluorine and carbon contained in the gas. This contamination layer 14 is about 15 by SIMS analysis.
I found it to be 0Å. The contamination layer 14 remains without being removed by the next step of ashing the resist in oxygen plasma. Next, in order to remove the contamination layer 14 by photoetching as it is, first, a natural oxide film on the contamination layer with an aqueous solution of HF, or on the contamination layer due to oxygen which is considered to have been introduced into the mask by sputtering during etching. The thin oxide film must be removed. Then, a wet process is carried out, and the required SiO 2 12 is also etched. Therefore, in the present invention, FIG.
After ashing the resist 11 with oxygen plasma from the state shown in (a), hydrogenated CF 4 gas is flown into the dry etching apparatus, and plasma is raised for 30 seconds at about 70 mTorr to perform surface treatment. The gas flow rates of hydrogen and CF 4 are 20 SCCM and 100, respectively.
It is SCCM. Since the oxide film is removed by this treatment, hydrogen gas is continuously increased to 40 SCCM. At this time, the gas pressure in the chamber is the same. In this way S
The thin oxide film on the contamination layer 14 on the i substrate 13 is removed, and a surface protective layer 15 as shown in FIG. 1 (b) is formed in which the surface is replaced with a polymer containing fluorine. The thickness of the surface protective layer 15 is about 50 to 100Å, and below that,
About 100 Å of the contamination layer still remains when the SiO 2 12 shown in FIG. 1 (a) is etched. No oxide remains on this surface when exposed to the atmosphere. That is, CO and C
This is because oxygen is removed in the form of O 2 .
次に本願第２の発明の一実施例を説明する。この実施例
では、上記の本願第１の実施例に、さらに成膜工程が含
まれる。この工程に用いられる装置には、真空中でＣｌ
2またＦ2ガスを流しながら、Deep UV光を照射できる装
置、例えばエキシマレーザ装置やHgランプがある。第１
図(c)において、真空排気しながらＣｌ2ガスを流し、圧
力を600ｍTorrにしてDeep UV光を照射すると、Ｃｌ2ガ
スがDeep UV光により分解し、Ｃｌジカルが発生する。
この発生したＣｌラジカルは、容易に表面保護層15およ
びその下地となっているコンタミ層14をエッチングでき
る。Next, an embodiment of the second invention of the present application will be described. In this embodiment, the film forming process is further included in the first embodiment of the present application. The equipment used for this process is
2 There are devices that can irradiate deep UV light while flowing F 2 gas, such as excimer laser devices and Hg lamps. First
In FIG. 3C, when Cl 2 gas is flown while evacuating and the pressure is set to 600 mTorr and Deep UV light is irradiated, the Cl 2 gas is decomposed by the Deep UV light and Cl Zical is generated.
The generated Cl radicals can easily etch the surface protective layer 15 and the underlying contamination layer 14.
光エッチング速度はＣｌ2分圧によって変化させること
が可能で、圧力を600ｍTorrに選べば約70〜100Å／min
のエッチレートである。このため、１〜２分間で処理す
ることができる。The photo-etching rate can be changed by Cl 2 partial pressure. If the pressure is 600mTorr, it will be about 70-100Å / min.
Is the etch rate. Therefore, the treatment can be performed in 1 to 2 minutes.
第２図はコンタミ層エッチングにおけるＣｌ2光エッチ
ング時間とカーボンやフッ素の濃度との関係をオージェ
分析により測定したものである。約２分のエッチングで
表面保護層と、コンタミ層が除去されていることがわか
る。カーボン濃度は空気中の炭酸ガスによるカーボン汚
染とほぼ同じレベルまで下がる。なお、この炭素を含ん
だ表面保護膜の光エッチング速度は極めて大きく、１分
間に約3400Åの速度で除去される。従って、50Å程度の
表面保護膜は、光エッチングの時間にはほとんど影響し
ない。FIG. 2 shows the relationship between the Cl 2 photoetching time and the concentration of carbon and fluorine in the contamination layer etching measured by Auger analysis. It can be seen that the surface protection layer and the contamination layer are removed by etching for about 2 minutes. Carbon concentration drops to almost the same level as carbon pollution caused by carbon dioxide in the air. The surface etching film containing carbon has a very high photo-etching rate, and is removed at a rate of about 3400Å per minute. Therefore, a surface protective film of about 50 Å has almost no effect on the photoetching time.
次に本実施例に用いる装置の一例を第３図に示す。第３
図は表面保護膜形成後、成膜を行う際に用いられる成膜
装置の構成図で、通常のＣＶＤ装置36にゲートバルブ38
を介して真空チャンバ31が配設され、その内部には試料
39を載置するウェハトレー34が設けられている。チャン
バ31の上部壁には石英窓33が配設され、該石英窓33を介
して光源32から紫外線が試料39上に照射される。チャン
バ31はガス導入口35および排気ポンプ37に接続されてい
る。先の表面保護膜を付けた試料39を真空チャンバ31内
へ入れ、排気しながらガスを流し、Deep UV光を照射す
る。エッチング終了後、ゲートバルブ38を介して、真空
中で試料39をＣＶＤ装置36へ送り、通常のＣＶＤを行
う。光エッチング特性は、先に述べたものと同じであ
る。Next, an example of the apparatus used in this example is shown in FIG. Third
The figure is a block diagram of a film forming apparatus used when forming a film after forming a surface protective film.
A vacuum chamber 31 is installed via the
A wafer tray 34 on which 39 is placed is provided. A quartz window 33 is arranged on the upper wall of the chamber 31, and ultraviolet light is emitted from the light source 32 onto the sample 39 through the quartz window 33. The chamber 31 is connected to the gas inlet 35 and the exhaust pump 37. The sample 39 having the surface protective film attached thereto is put into the vacuum chamber 31, a gas is made to flow while being evacuated, and deep UV light is irradiated. After the etching is completed, the sample 39 is sent to the CVD device 36 in a vacuum through the gate valve 38 to perform normal CVD. The photo-etching characteristics are the same as described above.
次にこの原理であるが、Ｓｉ表面は酸化されやすいが本
発明のプラズマ処理による表面保護層は、きわめて酸化
されにくいことに起因する。このことを示す例を以下に
示す。Next, based on this principle, the Si surface is easily oxidized, but the surface protective layer formed by the plasma treatment of the present invention is extremely difficult to be oxidized. An example showing this is shown below.
第４図(a)〜(c)は、各種エッチングガスでエッチングし
た後のオージェスペクトルを示す。図中、(a)(b)および
(c)はそれぞれＸｅＦ2ガス、Ｃｌ2ガスおよびＣＦ4＋Ｈ
2（100：20→40）の混合ガスでエッチングしたものであ
る。Ｃｌ2やＸｅＦ2などの炭素を含まないガスを用いた
場合には第４図(a)および(b)に示すように、大気中の酸
素が吸着し、酸化物を表面に残す。FIGS. 4 (a) to 4 (c) show Auger spectra after etching with various etching gases. In the figure, (a) (b) and
(c) is XeF 2 gas, Cl 2 gas and CF 4 + H, respectively
It was etched with a mixed gas of 2 (100: 20 → 40). When a gas containing no carbon such as Cl 2 or XeF 2 is used, oxygen in the atmosphere is adsorbed and the oxide remains on the surface, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b).
一方、ＣＦ4＋Ｈ2（100：40）のガスを用いた場合には
第４図(c)に示すように表面に炭素が存在し、酸素がＣ
ＯやＣＯ2となって揮散する。このため表面に酸化物が
残らない。事実、第４図(a)や(b)におけるガスでは光エ
ッチング速度はきわめて小さい、このことからも、カー
ボンを含む層は、酸化されにくく、その結果、光エッチ
ングという低温、低損傷のプロセスにおいて、下地Ｓｉ
基板等に損傷をあたえることなくコンタミ層も除去でき
る。On the other hand, when CF 4 + H 2 (100: 40) gas is used, carbon is present on the surface and oxygen is C as shown in FIG. 4 (c).
It vaporizes as O and CO 2 . Therefore, no oxide remains on the surface. In fact, the gas in FIGS. 4 (a) and 4 (b) has a very low photo-etching rate. This also indicates that the carbon-containing layer is difficult to oxidize, and as a result, in the photo-etching process at low temperature and low damage. , Substrate Si
The contamination layer can also be removed without damaging the substrate or the like.
第５図は、本発明のプラズマ処理後のパターン断面形状
を示したもので、該処理による寸法変化、および従来の
ウェットＨＦエッチングの寸法変化が示されている。図
中(A)はドライエッチング直後、(B)はプラズマ処理後、
(C)は従来のウェットエッチング処理（１：30ＨＦ，60
Ｓ）後を示したものである。同図からプラズマ処理後の
プロセス上問題となる横方向での寸法変化はほとんどな
いことがわかる。FIG. 5 shows the cross-sectional shape of the pattern after the plasma treatment of the present invention, and shows the dimensional change due to the treatment and the dimensional change of the conventional wet HF etching. In the figure, (A) immediately after dry etching, (B) after plasma treatment,
(C) is a conventional wet etching process (1:30 HF, 60
S) shows after. From the figure, it can be seen that there is almost no dimensional change in the lateral direction, which is a problem in the process after plasma treatment.
上記実施例では真空排気しながらＣｌ2ガスを流し、Dee
p UV光を照射したが、Ｃｌ2ガスを一旦チャンバ内に導
入し、真空排気を止め、Ｃｌ2雰囲気にしてDeep UVを照
射しても表面保護層15とコンタミ層14を除去できる。In the above-mentioned embodiment, Cl 2 gas is flown while being evacuated and the Dee
Although the p UV light was irradiated, the surface protective layer 15 and the contamination layer 14 can be removed even if Cl 2 gas is once introduced into the chamber, vacuum exhaust is stopped, and a Cl 2 atmosphere is generated to irradiate with deep UV.
さらにＣｌ2ガスをチャンバ内に導入し、試料表面に吸
着させてＣｌ2ガスを排気し、この吸着ガスにDeep UVを
照射してもよい。この場合はエッチング速度は低下する
がエッチング速度の制御性が良くなる。Further, Cl 2 gas may be introduced into the chamber to be adsorbed on the sample surface, Cl 2 gas may be exhausted, and this adsorbed gas may be irradiated with Deep UV. In this case, the etching rate is lowered, but the controllability of the etching rate is improved.
［発明の効果］ 本発明によれば外気中にさらしても、表面酸化膜の形成
されない表面保護膜が得られると共に、低温、低損傷で
この表面保護膜を除去することができる。[Effects of the Invention] According to the present invention, a surface protective film in which a surface oxide film is not formed even when exposed to the outside air can be obtained, and the surface protective film can be removed at low temperature and low damage.
この方法は結晶成長前の表面保護膜にも当然使うことが
でき、低温、低損傷により、カーボンやその他の不純物
のない試料表面が得られ、半導体プロセス等における従
来技術における自然酸化膜の除去という大きな問題を完
全に改善した。This method can of course be used for a surface protective film before crystal growth, and a sample surface free of carbon and other impurities can be obtained by low temperature and low damage. The big problem was completely improved.
第１図(a)〜(c)は本発明の一実施例の工程を示す概略断
面図、第２図はオージェ分析による光エッチング時間と
不純物原子の密度との関係を示す図、第３図は本発明の
方法に用いる装置の一例を示す概略構成図、第４図(a)
〜(c)は各種エッチングガスによるエッチング後の試料
表面のオージェスペクトルを示す図、第５図は本発明方
法の処理後のパターン断面形状を従来例による場合と比
較して示した図である。 11…レジストマスク、12…ＳｉＯ2 13…Ｓｉ基板、14…コンタミ層 15…表面保護層、16…Deep UV光 31…真空チャンバ、32…光源 33…石英窓、34…ウェハトレー 35…ガス導入口、36…ＣＶＤ装置 37…排気ポンプ1 (a) to 1 (c) are schematic cross-sectional views showing the steps of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view showing the relationship between the photoetching time by Auger analysis and the density of impurity atoms, and FIG. Is a schematic configuration diagram showing an example of an apparatus used in the method of the present invention, FIG. 4 (a)
(C) is a diagram showing Auger spectra of the sample surface after etching with various etching gases, and FIG. 5 is a diagram showing the pattern cross-sectional shape after the treatment of the method of the present invention in comparison with the case of the conventional example. 11 ... Resist mask, 12 ... SiO 2 13 ... Si substrate, 14 ... Contamination layer 15 ... Surface protection layer, 16 ... Deep UV light 31 ... Vacuum chamber, 32 ... Light source 33 ... Quartz window, 34 ... Wafer tray 35 ... Gas inlet , 36 ... CVD equipment 37 ... Exhaust pump
Claims (2)
ーボンガスを含むガスの放電にさらし、試料表面の酸化
膜をエッチングする工程と、水素ガス添加量を増加して
表面保護膜となる炭素含有層が形成される放電条件に変
え、放電に上記試料をさらす工程とを備えてなることを
特徴とする表面処理方法。1. A step of exposing a sample to discharge of a gas containing a halocarbon gas added with hydrogen gas under a predetermined condition to etch an oxide film on the surface of the sample, and increasing the amount of added hydrogen gas to form a surface protective film. And a step of exposing the sample to a discharge by changing to a discharge condition in which a carbon-containing layer is formed.
ーボンガスを含むガスの放電にさらし、試料表面の酸化
膜をエッチングする工程と、水素ガス添加量を増加して
表面保護膜となる炭素含有層が形成される放電条件に変
え、放電に上記試料をさらす工程と、前記保護膜を光エ
ッチング可能なガス雰囲気中で、光を照射して前記保護
膜をエッチング除去する工程とを備えてなることを特徴
とする表面処理方法。2. A step of exposing a sample to discharge of a gas containing a halocarbon gas containing hydrogen gas under predetermined conditions to etch an oxide film on the surface of the sample, and increasing the amount of hydrogen gas added to form a surface protective film. The method comprises a step of exposing the sample to a discharge by changing to a discharge condition in which a carbon-containing layer is formed, and a step of irradiating light to remove the protective film by etching in a gas atmosphere capable of photoetching the protective film. A surface treatment method comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19625887A JPH0611038B2 (en) | 1987-08-07 | 1987-08-07 | Surface treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19625887A JPH0611038B2 (en) | 1987-08-07 | 1987-08-07 | Surface treatment method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6441218A JPS6441218A (en) | 1989-02-13 |
| JPH0611038B2 true JPH0611038B2 (en) | 1994-02-09 |
Family
ID=16354819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19625887A Expired - Lifetime JPH0611038B2 (en) | 1987-08-07 | 1987-08-07 | Surface treatment method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611038B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04103750U (en) * | 1991-01-25 | 1992-09-07 | 大洋漁業株式会社 | mobile phone |
| JP2798321B2 (en) * | 1991-03-06 | 1998-09-17 | 三菱電機株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2978748B2 (en) * | 1995-11-22 | 1999-11-15 | 日本電気株式会社 | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1987
- 1987-08-07 JP JP19625887A patent/JPH0611038B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6441218A (en) | 1989-02-13 |
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