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JPH0611586B2 - Optical recording medium - Google Patents
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JPH0611586B2 - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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Publication number
JPH0611586B2
JPH0611586B2 JP57051013A JP5101382A JPH0611586B2 JP H0611586 B2 JPH0611586 B2 JP H0611586B2 JP 57051013 A JP57051013 A JP 57051013A JP 5101382 A JP5101382 A JP 5101382A JP H0611586 B2 JPH0611586 B2 JP H0611586B2
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JP
Japan
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indanthrene
bis
group
recording medium
recording
Prior art date
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Japanese (ja)
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秀章 大庭
正彬 梅原
裕 上田
典子 大淵
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録層中にインダンスレン誘導体を含む光記録
用媒体に関し、更に詳しくは高エネルギービームの照射
によって記録層に孔をあけて記録を行い、記録情報の読
出しを低出力エネルギービームの照射による反射光量の
変化によっておこなう光記録用媒体の改良に関する。
The present invention relates to an optical recording medium containing an indanthrene derivative in a recording layer. More specifically, the recording layer is perforated by irradiation with a high-energy beam to perform recording and read recorded information. The present invention relates to an improvement of an optical recording medium that changes the amount of reflected light due to irradiation with a low output energy beam.

従来、レーザ書込みのための多くの光記録用媒体が知ら
れている。その代表的なものには、基板に金属、半金属
または非金属を蒸着したものあるいは色素を蒸着または
塗布したものがある。
Conventionally, many optical recording media for laser writing are known. Typical examples thereof include a substrate on which a metal, a semimetal, or a nonmetal is vapor-deposited or a substrate on which a dye is vapor-deposited or applied.

しかしながら、金属などの蒸着する方式は生産性に問題
があるほか記録層の耐酸化性が劣るという欠点を有す
る。また、色素を塗布または蒸着するものは使用半導体
レーザの波長域に吸収を有しないものが多くさらに吸収
を有するものであっても耐候性が悪いという欠点を有す
る。
However, the method of vapor-depositing metal or the like has a problem in that productivity is poor and the oxidation resistance of the recording layer is poor. Further, most of the dye-coated or vapor-deposited materials do not have absorption in the wavelength range of the semiconductor laser used, and even if they have absorption, the weather resistance is poor.

そこで、本発明者等は塗布方式によって金属反射層を形
成させそれに光吸収層を組合せる方式や色素塗布膜を記
録層として使用する方式などを先に提案したが、これら
の方式による光記録用媒体は半導体レーザに対して感度
が低くまたは安定性も低いという点で充分満足のいくも
のではなかった。
Therefore, the present inventors have previously proposed a method of forming a metal reflection layer by a coating method and combining it with a light absorption layer, a method of using a dye coating film as a recording layer, and the like. The medium has not been sufficiently satisfactory in that it has low sensitivity or low stability to a semiconductor laser.

上記の問題に鑑み、本発明者等は色素についてさらに検
討を重ねた結果、近赤外域に吸収を有ししかも安定性が
高い色素を見出すことに成功した。しかるに、本発明は
かかる知見にもとづくものであって、記録層にインダン
スレン誘導体を使用することによって高感度でしかも安
定性のよい半導体レーザ用の記録媒体を提供することを
目的とするものである。
In view of the above problems, the present inventors have made further studies on dyes, and as a result, have succeeded in finding a dye having absorption in the near infrared region and high stability. However, the present invention is based on such findings, and an object of the present invention is to provide a recording medium for a semiconductor laser with high sensitivity and stability by using an indanthrene derivative in the recording layer. is there.

すなわち、本発明によれば、高エネルギービームの照射
によって記録層に孔をあけて記録を行い、記録情報の読
出しを低出力エネルギービームの照射による反射光量の
変化によっておこなう光記録用媒体において、該光記録
媒体が、本質的に基板と記録層とからなり、しかも前記
記録層が下記の一般式〔I〕で表わされるインダンスレ
ン誘導体単独または他の成分とを組合せからなることを
特徴とする光記録用媒体が提供される。
That is, according to the present invention, in the optical recording medium in which recording is performed by forming a hole in the recording layer by irradiation of a high energy beam and reading of recorded information is performed by a change in reflected light amount by irradiation of a low output energy beam, The optical recording medium is essentially composed of a substrate and a recording layer, and the recording layer is composed of an indanthrene derivative represented by the following general formula [I] alone or in combination with other components. An optical recording medium is provided.

(式中、X1、X2、X3およびX4は、それぞれ水素、ア
ルキル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、シア
ノ基又はハロゲンを表わし、X5は水素、−S−Ar1
は−NH−Ar1を表わし、Zは水素、−NH−Ar1
S−Ar1を表わす。Ar1は水素、フェニル基又はナフ
チル基を表わし、そして前記フェニル基及びナフチル基
はアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルカル
ボニル基、メチルチオ基、ハロゲン、フェニルカルボニ
ル基もしくはスルホ基によって置換されていてもよ
い。) 本発明において使用するインダンスレン誘導体はインダ
ンスレン骨格上に種々の置換基を有する化合物を包含
し、具体的には前記の構造式〔I〕によって表わすこと
ができる。
(In the formula, X 1 , X 2 , X 3 and X 4 each represent hydrogen, an alkyl group, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, a cyano group or a halogen, and X 5 represents hydrogen, —S—Ar 1 or Represents —NH—Ar 1 , Z is hydrogen, —NH—Ar 1
Represents S-Ar 1 . Ar 1 represents hydrogen, a phenyl group or a naphthyl group, and the phenyl group and the naphthyl group are substituted by an alkyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkylcarbonyl group, a methylthio group, a halogen, a phenylcarbonyl group or a sulfo group. Good. The indanthrene derivative used in the present invention includes compounds having various substituents on the indanthrene skeleton, and specifically, it can be represented by the above structural formula [I].

この一般式〔I〕で示されるインダンスレン骨格をもつ
化合物は極大吸収波長が800nm付近であるため、半導
体レーザー用の材料としては最適である。
The compound having the indanthrene skeleton represented by the general formula [I] has the maximum absorption wavelength around 800 nm, and is therefore optimum as a material for a semiconductor laser.

上記構造式〔I〕で表わされるインダンスレン誘導体の
例を以下に示す。
Examples of the indanthrene derivative represented by the above structural formula [I] are shown below.

8,17-ビス-(4-メトキシフェニルアミン)-インダンスレ
ン、8,17-ビス(4-メチルフェニルアミノ)インダンスレ
ン、8,17-ビス(4-クロロフェニルアミノ)インダンスレ
ン、2,3,11,12-テトラニトロ-8,17-ビスアニリノインダ
ンスレン、6,15-ビス(2-メチルチオフェニルアミノ)イ
ンダンスレン、6,15-ビス-(3,5-ジメトキシフェニルア
ミノ)インダンスレン、8,17-ビス(アニリノ)インダンス
レン、8,17-ビス(4-スルホン酸ナトリウムフェニルアミ
ノ)インダンスレン、8,17-ビスフエニルチオインダンス
レン、8,17-ビス(2-メトキシフェニルアミノ)インダン
スレン、8,17-ビス(3-メトキシフェニルアミノ)インダ
ンスレン、8,17-ビス(2-メチルフェニルアミノ)インダ
ンスレン、8,17-ビス(3-メチルフェニルアミノ)インダ
ンスレン、8,17-ビス(2-クロロフェニルアミノ)インダ
ンスレン、8,17-ビス(3-クロロフェニルアミノ)インダ
ンスレン、8,17-ビス(2-メチルチオフェニルアミノ)イ
ンダンスレン、8,17-ビス(3-メチルチオフェニルアミ
ノ)インダンスレン、8,17-ビス(4-メチルチオフェニル
アミノ)インダンスレン、8,17-ビス(4-フェニルチオフ
ェニルアミノ)インダンスレン、8,17-ビス(2,5-ジメト
キシフェニルアミノ)インダンスレン、8,17-ビス(4-メ
チル-2-クロロフェニルアミノ)インダンスレン、8,17-
ビス(2,4,6-トリメチルフェニルアミノ)インダンスレ
ン、8,17-ビス(1-ナフチルアミノ)インダンスレン、8,1
7-ビス(2-ナフチルアミノ)インダンスレン、8,17-ビス
(2-メトキシフェニルチオ)インダンスレン、8,17-ビス
(4-フェニルフェニルアミノ)インダンスレン、8,17-ビ
ス(2-メトキシ-4-スルホン酸ナトリウムフェニルアミ
ノ)インダンスレン、8,17-ビス(3-メトキシ-4-スルホン
酸ナトリウムフェニルアミノ)インダンスレン、8,17-ビ
ス(4-メトキシ-2-スルホン酸ナトリウムフェニルアミ
ノ)インダンスレン、8,17-ビス(2-メチル-4-スルホン酸
ナトリウムフェニルアミノ)インダンスレン、8,17-ビス
(3-メチル-4-スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ)イ
ンダンスレン、8,17-ビス(4-メチル-2-スルホン酸ナト
リウムフェニルアミノ)インダンスレン、8,17-ビス(2-
メチルチオ-4-スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ)イ
ンダンスレン、8,17-ビス(3-メチルチオ-4-スルホン酸
ナトリウムフェニルアミノ)インダンスレン、8,17-ビス
(4-メチルチオ-2-スルホン酸ナトリウムフェニルアミ
ノ)インダンスレン、8,17-ビス〔4-(4-スルホン酸ナト
リウムフェニルチオ)フェニルアミノ〕インダンスレ
ン、8,17-ビス(2,5-ジメトキシ-4-スルホン酸ナトリウ
ムフェニルアミノ)インダンスレン、8,17-ビス〔1-(4-
スルホン酸ナトリウムナフチル)アミノ〕インダンスレ
ン、8,17-ビス〔2-(4-スルホン酸ナトリウムナフチル)
アミノ〕インダンスレン、8,17-ビス(4-ヒドロキシフェ
ニルアミノ)インダンスレン、8,17-ビス(3-ヒドロキシ
フェニルアミノ)インダンスレン、8,17-ビス(2-ヒドロ
キシフェニルアミノ)インダンスレン、6,15-ビス(2-ク
ロロフェニルアミノ)インダンスレン、6,15-ビス(3-ク
ロロフェニルアミノ)インダンスレン、6,15-ビス(4-ク
ロロフェニルアミノ)インダンスレン、6,15-ビス(2-メ
チルフェニルアミノ)インダンスレン、6,15-ビス(3-メ
チルフェニルアミノ)インダンスレン、6,15-ビス(4-メ
チルフェニルアミノ)インダンスレン、6,15-ビス(4-ク
ロロ-2-メチルフェニルアミノ)インダンスレン、6,15-
ビス〔3-(メチルチオ)フェニルアミノ〕インダンスレ
ン、6,15-ビス〔2-(メチルチオ)フェニルアミノ〕イン
ダンスレン、6,15-ビス(2-メトキシフェニルアミノ)イ
ンダンスレン、6,15-ビス(3-メトキシフェニルアミン)
インダンスレン、6,15-ビス(4-メトキシフェニルアミ
ン)インダンスレン、6,15-ビス(4-エトキシフェニルア
ミン)インダンスレン、6,15-ビス(1-ナフチルアミノ)イ
ンダンスレン、6,15-ビス(2-ナフチルアミノ)インダン
スレン、6,15-ビス〔4-(フェニルチオ)フェニルアミ
ノ〕インダンスレン、6,15-ビス(2-クロロ-4-スルホン
酸ナトリウムフェニルアミノ)インダンスレン、6,15-ビ
ス(3-クロロ-4-スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ)
インダンスレン、6,15-ビス(4-クロロ-2-スルホン酸ナ
トリウムフェニルアミノ)インダンスレン、6,15-ビス(2
-メチル-4-スルホン酸ナトリウム-フェニルアミノ)イン
ダンスレン、6,15-ビス(3-メチル-4-スルホン酸ナトリ
ウム-フェニルアミノ)インダンスレン、6,15-ビス(4-メ
チル-3-スルホン酸ナトリウム-フェニルアミノ)インダ
ンスレン、6,15-ビス(2-メトキシ-4-スルホン酸ナトリ
ウム-フェニルアミノ)インダンスレン、6,15-ビス(3-メ
トキシ-4-スルホン酸ナトリウム-フェニルアミノ)イン
ダンスレン、6,15-ビス(4-メトキシ-2-スルホン酸ナト
リウム-フェニルアミノ)インダンスレン。
8,17-bis- (4-methoxyphenylamine) -indanthrene, 8,17-bis (4-methylphenylamino) indanthrene, 8,17-bis (4-chlorophenylamino) indanthrene, 2 , 3,11,12-Tetranitro-8,17-bisanilinoindanthrene, 6,15-bis (2-methylthiophenylamino) indanthrene, 6,15-bis- (3,5-dimethoxyphenylamino) Indanthrene, 8,17-bis (anilino) indanthrene, 8,17-bis (sodium phenylamino 4-phenylsulfonate) indanthrene, 8,17-bisphenylthioindanthrene, 8,17- Bis (2-methoxyphenylamino) indanthrene, 8,17-bis (3-methoxyphenylamino) indanthrene, 8,17-bis (2-methylphenylamino) indanthrene, 8,17-bis ( 3-Methylphenylamino) indanthrene, 8,17-bis (2-chlorophenylamino) indanthrene, 8,17-bis (3- Lolophenylamino) indanthrene, 8,17-bis (2-methylthiophenylamino) indanthrene, 8,17-bis (3-methylthiophenylamino) indanthrene, 8,17-bis (4-methylthiophenyl) Amino) indanthrene, 8,17-bis (4-phenylthiophenylamino) indanthrene, 8,17-bis (2,5-dimethoxyphenylamino) indanthrene, 8,17-bis (4-methyl -2-chlorophenylamino) indanthrene, 8,17-
Bis (2,4,6-trimethylphenylamino) indanthrene, 8,17-bis (1-naphthylamino) indanthrene, 8,1
7-bis (2-naphthylamino) indanthrene, 8,17-bis
(2-Methoxyphenylthio) indanthrene, 8,17-bis
(4-Phenylphenylamino) indanthrene, 8,17-bis (sodium 2-methoxy-4-sulfonate phenylamino) indanthrene, 8,17-bis (3-methoxy-4-sodium phenylphenylamine ) Indanthrene, 8,17-bis (sodium phenylamino-4-methoxy-2-phenylphenyl) indanthrene, 8,17-bis (sodium phenylamino-2-phenyl-4-sulfonate) phenylidene, 8 , 17-bis
(3-Methyl-4-sulfonate sodium phenylamino) indanthrene, 8,17-bis (4-methyl-2-sulfonate sodium phenylamino) indanthrene, 8,17-bis (2-
Methylthio-4-sulfonic acid sodium phenylamino) indanthrene, 8,17-bis (3-Methylthio-4-sulfonic acid sodium phenylamino) indanthrene, 8,17-bis
(4-Methylthio-2-sulfonate sodium phenylamino) indanthrene, 8,17-bis [4- (sodium 4-phenylphenylphenylthio) phenylamino] indanthrene, 8,17-bis (2,5 -Sodium dimethoxy-4-sulfonate phenylamino) indanthrene, 8,17-bis [1- (4-
Sodium sulfonate naphthyl) amino] indanthrene, 8,17-bis [2- (sodium naphthyl 4-sulfonate)
Amino] indanthrene, 8,17-bis (4-hydroxyphenylamino) indanthrene, 8,17-bis (3-hydroxyphenylamino) indanthrene, 8,17-bis (2-hydroxyphenylamino) Indanthrene, 6,15-bis (2-chlorophenylamino) indanthrene, 6,15-bis (3-chlorophenylamino) indanthrene, 6,15-bis (4-chlorophenylamino) indanthrene, 6 , 15-Bis (2-methylphenylamino) indanthrene, 6,15-bis (3-methylphenylamino) indanthrene, 6,15-bis (4-methylphenylamino) indanthrene, 6,15 -Bis (4-chloro-2-methylphenylamino) indanthrene, 6,15-
Bis [3- (methylthio) phenylamino] indanthrene, 6,15-bis [2- (methylthio) phenylamino] indanthrene, 6,15-bis (2-methoxyphenylamino) indanthrene, 6, 15-bis (3-methoxyphenylamine)
Indanthrene, 6,15-bis (4-methoxyphenylamine) indanthrene, 6,15-bis (4-ethoxyphenylamine) indanthrene, 6,15-bis (1-naphthylamino) indanthrene , 6,15-bis (2-naphthylamino) indanthrene, 6,15-bis [4- (phenylthio) phenylamino] indanthrene, 6,15-bis (2-chloro-4-sulfonic acid sodium phenyl Amino) indanthrene, 6,15-bis (sodium 3-chloro-4-sulfonate phenylamino)
Indanthrene, 6,15-bis (sodium phenylamino 4-chloro-2-sulfonate) Indanthrene, 6,15-bis (2
-Sodium methyl-4-sulfonate-phenylamino) indanthrene, 6,15-bis (sodium 3-methyl-4-sulfonate-phenylamino) indanthrene, 6,15-bis (4-methyl-3) -Sodium sulfonate-phenylamino) indanthrene, 6,15-bis (sodium 2-methoxy-4-sulfonate-phenylamino) indanthrene, 6,15-bis (sodium 3-methoxy-4-sulfonate) -Phenylamino) indanthrene, 6,15-bis (sodium 4-methoxy-2-sulfonate-phenylamino) indanthrene.

本発明の光記録用媒体は基本的には基板と記録層とから
構成されるものであるが、さらに目的に応じて基体上に
下引き層をまた記録層上に保護層を設けることができ
る。
The optical recording medium of the present invention basically comprises a substrate and a recording layer, but an undercoat layer may be provided on the substrate and a protective layer may be provided on the recording layer according to the purpose. .

本発明における基板としては使用レーザーに対して透明
であれば既知のものを任意に使用することができる。そ
の代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり、プ
ラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、ポリ
サルホン、ポリイミドなどが用いられる。ガラスまたは
プラスチック基板には下引き層を適宜設けることができ
る。
Any known substrate can be used as the substrate in the present invention as long as it is transparent to the laser used. Typical examples thereof include glass or plastic, and as the plastic, acrylic, polycarbonate, polysulfone, polyimide, or the like is used. An undercoat layer can be appropriately provided on the glass or plastic substrate.

本発明における記録層は前記インダンスレン誘導体単独
またはそれと他の成分との組合せそれ自体によって構成
されるものあるいは反射層とインダンスレン誘導体を含
有する光吸収層とによって構成されるものに大別され
る。インダンスレン誘導体単独またはそれと他の成分と
の組合せそれ自体によって構成される記録層は、インダ
ンスレン誘導体を、溶媒に溶解させ塗布する方式や、基
板に蒸着する方式、樹脂溶液と混合して塗布する方式、
他の色素との共蒸着方式、他の色素との混合溶液を塗布
する方式、他の色素とともに樹脂溶液に溶解させて塗布
する方式などによって形成される。
The recording layer in the present invention is roughly classified into one composed of the indanthrene derivative alone or a combination thereof with other components per se, or one composed of a reflective layer and a light absorbing layer containing the indanthrene derivative. To be done. The recording layer composed of the indanthrene derivative alone or a combination of the indanthrene derivative itself and other components can be used by dissolving the indanthrene derivative in a solvent and applying it, by vapor deposition on a substrate, or by mixing with a resin solution. Coating method,
It is formed by a co-evaporation method with another dye, a method of applying a mixed solution with another dye, a method of dissolving the dye together with another dye in a resin solution and applying the solution.

樹脂としては、PVA、PVP、ポリビニルブチラー
ル、ポリカーボネートなど既知のものが用いられ、樹脂
に対するインダンスレン誘導体の量は重量比で0.01以上
あるいは望ましい。
Known resins such as PVA, PVP, polyvinyl butyral, and polycarbonate are used as the resin, and the amount of the indanthrene derivative with respect to the resin is preferably 0.01 or more in weight ratio.

膜厚は0.01〜1μm好ましくは0.05〜0.5μmの範囲で
ある。
The film thickness is in the range of 0.01 to 1 μm, preferably 0.05 to 0.5 μm.

また、反射層とインダンスレン誘導体を含有する光吸収
層によって構成される記録層は、まず反射層を設け、次
にこの反射層の上に上述したと同様な方式によってイン
ダンスレン誘導体単独またはそれと他の成分との組合せ
からなる光吸収層を設けることによって形成される。前
記反射層は、例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなど)
に金属塩または金属錯塩を溶解させ、さらに還元剤を加
えた溶液を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃
〜100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
In addition, the recording layer composed of the reflective layer and the light absorbing layer containing the indanthrene derivative is first provided with the reflective layer, and then the indanthrene derivative alone or in the same manner as described above on the reflective layer. It is formed by providing a light absorbing layer composed of a combination thereof with other components. The reflective layer is, for example, a water-soluble resin (PVP, PVA, etc.)
The metal salt or metal complex salt is dissolved in, and a solution containing a reducing agent is applied to the substrate, and the temperature is 50 ° C to 150 ° C, preferably 60 ° C.
It is formed by heating and drying at -100 ° C.

樹脂に対する金属塩または、金属錯塩の量は重量比で0.
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。
The weight ratio of metal salt or metal complex salt to resin is 0.
It is 1 to 10, preferably 0.5 to 1.5.

金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元糖、次
亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボラ
ンなどを使用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩1
モルに対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モルの範囲で
使用できる。
As the metal salt or metal complex salt, silver nitrate, silver cyanide potassium, potassium gold cyanide, silver ammine complex, silver cyan complex, gold salt or gold cyan complex can be used. As a reducing agent, formalin, tartaric acid, tartrate, reducing sugar, hypophosphite, sodium borohydride, dimethylamine borane, etc. can be used. The reducing agent is a metal salt or a metal complex salt 1
It can be used in an amount of 0.2 to 10 mol, preferably 0.5 to 4 mol, per mol.

さらに、上記反射層は上述した方法以外に蒸着法または
メッキ法によっても形成することができる。
Further, the reflective layer can be formed by a vapor deposition method or a plating method in addition to the above method.

情報の記録はレーザなどの高エネルギービームのスポッ
トを基板側から照射することによりなされ、吸収された
熱により記録層に穴があき記録がなされる。むろん、記
録層の側からの記録も可能である。記録面は基板側であ
るため保護層は不要である。
Information is recorded by irradiating a spot of a high-energy beam such as a laser from the side of the substrate, and the absorbed heat causes a hole in the recording layer to be recorded. Of course, recording from the recording layer side is also possible. Since the recording surface is on the substrate side, no protective layer is required.

また、情報の読出しは低出力レーザビームを照射し、反
射光量の変化により検出することができる。
Information can be read by irradiating a low-power laser beam and detecting the change in the amount of reflected light.

以下に実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが
これに限定するものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the invention is not limited thereto.

実施例1 アクリル板に8,17-ビスアニリノインダンスレンを2000
Åの厚さに蒸着して記録媒体を作成した。この記録媒体
の光学的特性は第1図に示す。
Example 1 An acrylic plate was used with 2000 of 8,17-bisanilinoindanthrene.
A recording medium was prepared by vapor deposition to a thickness of Å. The optical characteristics of this recording medium are shown in FIG.

この記録媒体に第3図に概略を示した装置により、波長
790nmの半導体レーザーを用い、照射面エネルギー4mW
およびビーム径1.6μmで基板側より情報を記録したと
ころ0.2μ秒の照射(0.8nJ/Pit)で直径1.1μmのスポッ
トが形成された。
This recording medium was measured by the device shown in FIG.
Irradiation surface energy of 4 mW using a semiconductor laser of 790 nm
When information was recorded from the substrate side with a beam diameter of 1.6 μm, a spot with a diameter of 1.1 μm was formed by irradiation for 0.2 μs (0.8 nJ / Pit).

またこの記録媒体は室内光中40℃、湿度90%で1か月保
存後も同様の特性を示した。
This recording medium also showed the same characteristics after being stored in room light at 40 ° C and humidity of 90% for 1 month.

実施例2 8,17-ビス(4-メチルフエニルアミノ)インダンスレン
0.5g ニトロベンゼン 10ml 上記組成よりなる溶液をガラス基板に回転塗布法により
塗布し、減圧下、150℃で乾燥させて記録媒体を作成し
た。この記録媒体の800nmにおける反射率および吸収
率は、それぞれ12%および77%であった。
Example 2 8,17-bis (4-methylphenylamino) indanthrene
0.5 g Nitrobenzene 10 ml A solution having the above composition was applied on a glass substrate by a spin coating method, and dried at 150 ° C. under reduced pressure to prepare a recording medium. The reflectance and absorptance at 800 nm of this recording medium were 12% and 77%, respectively.

このようにして得られた記録媒体に、実施例1と同様に
して情報の記録を行なったところ、0.2μ秒の照射(0.8n
J/Pit)で直径1.2μのスポットが形成された。
Information was recorded on the recording medium thus obtained in the same manner as in Example 1. Irradiation for 0.2 μsec (0.8 n
J / Pit) formed a spot with a diameter of 1.2μ.

またこの記録媒体は室内光中、40℃湿時90%で1か月保
存後も同様の特性を示した。
Further, this recording medium showed similar characteristics even after being stored for 1 month at 90% in room light and at 40 ° C. and humidity.

実施例3 ポリビニルアルコール 1g 水 15g 上記組成よりなる溶液をアクリル板に回転塗布して厚さ
1.2μmの下引き層を得た。さらに、この上に、 6,15-ビス(4-メチルチオフェニルアミノ)インダンスレ
ン 0.5g クロロベンゼン 10ml 上記組成よりなる溶液を回転塗布し減圧下100℃で乾燥
させ厚さ0.15μmの記録層を得た。
Example 3 Polyvinyl alcohol 1 g Water 15 g A solution having the above composition was spin-coated on an acrylic plate to give a thickness.
A 1.2 μm undercoat layer was obtained. Further, on this, 6,15-bis (4-methylthiophenylamino) indanthrene 0.5 g chlorobenzene 10 ml A solution having the above composition was spin-coated and dried at 100 ° C. under reduced pressure to obtain a recording layer having a thickness of 0.15 μm. It was

この記録媒体の800nmにおける反射率および吸収率は
それぞれ11%および71%であった。
The reflectance and absorptance at 800 nm of this recording medium were 11% and 71%, respectively.

このようにして得られた記録媒体に実施例1と同様にし
て情報の記録を行なったところ、0.15μ秒の照射(0.6nJ
/Pit)で直径1.1μmのスポットが形成された。
Information was recorded on the recording medium thus obtained in the same manner as in Example 1. As a result, irradiation for 0.15 μsec (0.6 nJ
/ Pit) formed a spot with a diameter of 1.1 μm.

またこの記録媒体は室内光中40℃湿時90%で1か月保存
後も同様の特性を示した。
Further, this recording medium showed the same characteristics even after being stored for 1 month at 90% in room light and at 40 ° C wet.

実施例4 実施例1で形成された記録媒体の上に、さらに ポリビニルアルコール 0.5g 水 10g 上記組成よりなる溶液を回転塗布法による塗布し、常温
で乾燥させ厚さ0.6μmの保護層を得た。
Example 4 Polyvinyl alcohol 0.5 g Water 10 g A solution having the above composition was applied onto the recording medium formed in Example 1 by a spin coating method and dried at room temperature to obtain a protective layer having a thickness of 0.6 μm. .

このようにして得られた記録媒体に実施例1と同様にし
て情報の記録を行なったところ、0.35μ秒の照射(1.4nJ
/Pit)で直径1.2μmのスポットが形成された。
Information was recorded on the recording medium thus obtained in the same manner as in Example 1. As a result, 0.35 μsec irradiation (1.4 nJ
/ Pit) formed a spot with a diameter of 1.2 μm.

実施例5 実施例3で作成された記録媒体の上に、さらに ポリビニルブチラール 0.5g イソプロパノール 10g 上記組成よりなる溶液を回転塗布し60℃で乾燥させ厚さ
0.5μmの保護層を得た。
Example 5 Polyvinyl butyral 0.5 g Isopropanol 10 g A solution having the above composition was spin coated on the recording medium prepared in Example 3 and dried at 60 ° C. to a thickness.
A protective layer of 0.5 μm was obtained.

このようにして得られた記録媒体に実施例1と同様にし
て情報の記録を行なったところ、0.3μ秒の照射(1.2nJ/
Pit)で直径1.0μmのスポットが形成された。
Information was recorded on the recording medium thus obtained in the same manner as in Example 1, and it was irradiated with 0.3 μsec (1.2 nJ /
Pit) formed a spot with a diameter of 1.0 μm.

実施例6 8,17-ビス(4-スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ)イ
ンダンスレン 1g ポリビニルブチラール 1g 水 10g 上記組成よりなる溶液をアクリル板に回転塗布し、厚さ
0.3μmの記録層を得た。800nmにおける反射率および
吸収率は、12%および68%であった。
Example 6 8,17-bis (sodium phenylamino 4-sulfonate) indanthrene 1 g polyvinyl butyral 1 g water 10 g A solution having the above composition was spin-coated on an acrylic plate to give a thickness.
A recording layer of 0.3 μm was obtained. The reflectance and absorptance at 800 nm were 12% and 68%.

このようにして得られた記録媒体に実施例1と同様にし
て情報を記録したところ、0.4μ秒の照射(1.6nJ/Pit)で
直径1.2μmのスポットが形成された。
When information was recorded on the recording medium thus obtained in the same manner as in Example 1, a spot having a diameter of 1.2 μm was formed by irradiation for 0.4 μsec (1.6 nJ / Pit).

実施例7〜13 実施例1において用いた8,17-ビスアニリノインダンス
レンの代りに以下の表1に示した化合物を使用して実施
例1を繰り返し実施したところ、表1に示した特性を得
た(実施例7〜10)。
Examples 7 to 13 When the compound shown in Table 1 below was used in place of the 8,17-bisanilinoindanthrene used in Example 1, Example 1 was repeated, and the properties shown in Table 1 were obtained. Was obtained (Examples 7 to 10).

また、実施例1において用いた塗布液の代りに以下の表
1に示した塗布液を使用して実施例2を繰り返し実施し
たところ表1に示した特性を得た(実施例11〜13)。
In addition, the characteristics shown in Table 1 were obtained when Example 2 was repeated by using the coating solutions shown in Table 1 below instead of the coating solutions used in Example 1 (Examples 11 to 13). .

実施例14 ポリビニルアルコール 1g 水 9g 塩化金酸カリウム 1g ホルマリン 0.1ml 上記組成よりなる溶液をアクリル板にディッピング法に
よって塗布し、これを80℃で10分間加熱後、水洗して金
粒子反射層を得た。さらに、この上に ポリビニルブチラール 1g イソプロピルアルコール 2ml トルエン 5ml 8,17-ビス(4-メトキシフェニルアミノ)-インダンスレン
1g 上記組成よりなる溶液を塗布し、乾燥させて光吸収層を
得た。800nmにおける反射率および吸収率は、それぞ
れ30%および61%であった。この記録媒体に、実施例13と
同様にして半導体レーザーで記録を行なったところ、0.
8μ秒の照射(3.2nJ/Pit)で直径0.9μmのスポットが形
成された。
Example 14 Polyvinyl alcohol 1 g Water 9 g Potassium chloroaurate 1 g Formalin 0.1 ml A solution having the above composition was applied to an acrylic plate by a dipping method, heated at 80 ° C. for 10 minutes and washed with water to obtain a gold particle reflection layer. It was Furthermore, polyvinyl butyral 1g Isopropyl alcohol 2ml Toluene 5ml 8,17-Bis (4-methoxyphenylamino) -indanthrene
1 g A solution having the above composition was applied and dried to obtain a light absorbing layer. The reflectance and absorptance at 800 nm were 30% and 61%, respectively. Recording was performed on this recording medium with a semiconductor laser in the same manner as in Example 13.
Irradiation (3.2 nJ / Pit) for 8 μsec formed a spot with a diameter of 0.9 μm.

この記録媒体を、室内光中、40℃湿度90%で1か月保存
後も同様の特性が得られた。
The same characteristics were obtained even after storing this recording medium for 1 month at 40 ° C. and 90% humidity in room light.

実施例15 ポリビニルアルコール 1g 水 9g 硝酸銀 2g 28%アンモニア水 3ml ホルムアミド 0.5ml ぶどう糖 1.5g 上記組成よりなる溶液をアクリル板に回転塗布法によっ
て塗布しこれを60℃5分間加熱した後水洗して銀粒子反
射層を得た。さらに、この上に、8,17-ビスアニリノイ
ンダンスレンを蒸着し厚さ1500Åの光吸収層を得た。こ
の記録媒体の光学特性は第2図に示す。
Example 15 Polyvinyl alcohol 1 g Water 9 g Silver nitrate 2 g 28% Ammonia water 3 ml Formamide 0.5 ml Glucose 1.5 g A solution having the above composition was applied to an acrylic plate by a spin coating method, heated at 60 ° C. for 5 minutes and washed with water to obtain silver particles. A reflective layer was obtained. Further, on this, 8,17-bisanilinoindanthrene was vapor-deposited to obtain a light absorption layer having a thickness of 1500 Å. The optical characteristics of this recording medium are shown in FIG.

このようにして得られた記録媒体に実施例13と同様にし
て情報を記録したところ、0.5μ秒の照射(2.0nJ/Pit)で
直径1.2μmのスポットが形成された。
When information was recorded on the recording medium thus obtained in the same manner as in Example 13, a spot having a diameter of 1.2 μm was formed by irradiation (2.0 nJ / Pit) for 0.5 μsec.

この記録媒体を、室内光中、40℃湿度90%で1か月保存
後も同様の特性が得られた。
The same characteristics were obtained even after storing this recording medium for 1 month at 40 ° C. and 90% humidity in room light.

実施例16 アクリル板に錫を500Åの厚さに蒸着し金属反射層を得
た。これに 8,17-ビス(2-メチル-4-スルホン酸ナトリウムフェニル
アミノ)インダンスレン 1g 水 5g 上記組成よりなる溶液を回転塗布法し、厚さ0.2μmの
光吸収層を得た。800nmにおける反射率および吸収率
は35%および58%であった。
Example 16 Tin was deposited on an acrylic plate to a thickness of 500Å to obtain a metal reflective layer. A solution having the composition of 8,17-bis (sodium 2-methyl-4-sulfonate phenylamino) indanthrene 1g water 5g was spin-coated on this to obtain a light absorption layer having a thickness of 0.2 μm. The reflectance and absorptance at 800 nm were 35% and 58%.

こうして得られた記録媒体に波長790nmの半導体レー
ザーを用い、照射面エネルギー4mWおよびビーム径1.6μ
mで基板側より0.5MHzの情報を記録したところ、0.8μ
秒の照射(3.2nJ/Pit)で直径1.1μmのスポットが形成さ
れた。
Using a semiconductor laser with a wavelength of 790 nm on the recording medium thus obtained, the irradiation surface energy was 4 mW and the beam diameter was 1.6 μm.
When information of 0.5MHz was recorded from the substrate side with m, 0.8μ
A second spot (3.2 nJ / Pit) formed a spot with a diameter of 1.1 μm.

この記録媒体を実施例15と同様に保存したが特性の変化
はなかった。
This recording medium was stored in the same manner as in Example 15, but the characteristics did not change.

実施例17 硝酸銀 17.5g 水 600ml 水酸化ナトリウム 10g ポリビニルアルコール 5g ホルムアミド 20ml 上記組成よりなる溶液にアンモニア水を溶液が透明にな
るまで加え、A液とした。このA液に ぶどう糖 45g 酒石酸 4g アルコール 100ml 水 100ml 上記組成よりなる溶液を混合しアクリル板を10分間浸漬
し、銀粒子反射層を得た。
Example 17 Silver nitrate 17.5 g Water 600 ml Sodium hydroxide 10 g Polyvinyl alcohol 5 g Formamide 20 ml Ammonia water was added to the solution having the above composition until the solution became transparent to give a solution A. Glucose 45 g Tartaric acid 4 g Alcohol 100 ml Water 100 ml A solution having the above composition was mixed with this solution A and the acrylic plate was immersed for 10 minutes to obtain a silver particle reflection layer.

さらに、その上に 8,17-ビス(2-メチル-4-スルホン酸ナトリウムフェニル
アミノ)インダンスレン 1g ポリビニルアルコール 1g 水 10g 上記組成よりなる溶液を回転塗布して60℃で乾燥させ、
厚さ0.4μmの光吸収層を得た。800nmにおける反射率
および吸収率は35%および63%であった。
Furthermore, 8,17-bis (sodium 2-methyl-4-sulfonate phenylamino) indanthrene 1g polyvinyl alcohol 1g water 10g A solution having the above composition was spin-coated and dried at 60 ° C.
A light absorbing layer having a thickness of 0.4 μm was obtained. The reflectance and absorptance at 800 nm were 35% and 63%.

この記録媒体に実施例16と同様にして情報を記録したと
ころ、0.7μ秒の照射(2.8nJ/Pit)で直径1.0μmのスポ
ットが形成された。
When information was recorded on this recording medium in the same manner as in Example 16, a spot having a diameter of 1.0 μm was formed by irradiation for 0.7 μsec (2.8 nJ / Pit).

この記録媒体を室内光中40℃で湿度90%で1か月保存し
たが、特性の変化はなかった。
This recording medium was stored in room light at 40 ° C. and a humidity of 90% for one month, but the characteristics did not change.

実施例18 あらかじめポリビニルブチラール樹脂を2μmの厚さに
塗布したアクリル板上に、実施例15と同様な方法で銀粒
子反射層を得た。さらに、この上に ポリビニルアルコール 1g 水 10g 8,17-ビス(4-スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ)イ
ンダンスレン 0.5g 上記組成よりなる溶液を塗塗布し60℃で乾燥させて光吸
収層を得た。さらにこの上に ポリカーボネート樹脂 1g ジクロルエタン 20ml 上記組成よりなる溶液を塗塗布し60℃で乾燥させて厚さ
0.9μmの保護層とした。
Example 18 A silver particle reflective layer was obtained in the same manner as in Example 15 on an acrylic plate on which a polyvinyl butyral resin was applied in advance to a thickness of 2 μm. Further, polyvinyl alcohol 1g water 10g 8,17-bis (sodium phenylamino 4-phenylsulfonate) indanthrene 0.5g was coated with a solution having the above composition and dried at 60 ° C to obtain a light absorbing layer. . Polycarbonate resin 1 g Dichloroethane 20 ml A solution of the above composition was applied on top of this and dried at 60 ° C to a thickness of
The protective layer has a thickness of 0.9 μm.

こうして得られた記録媒体に実施例16と同様の方法で情
報を記録したところ、0.7μ秒の照射(2.8nJ/Pit)で直径
1.1μmのスポットが形成された。
When information was recorded on the recording medium thus obtained in the same manner as in Example 16, the diameter was obtained by irradiation for 0.7 μsec (2.8 nJ / Pit).
A 1.1 μm spot was formed.

実施例19 実施例15で作成された銀粒子反射膜の上に、 ポリビニルアルコール 1g 水 10g 8,17-ビス(4-スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ)イ
ンダンスレン 0.5g C.I.アシッドブルー83(C.I.42660) 0.7g 上記組成よりなる溶液を回転塗布して60℃で乾燥させ光
吸収層を得た。
Example 19 Polyvinyl alcohol 1g Water 10g 8,17-Bis (sodium phenylamino 4-phenylphenyl) indanthrene 0.5g CI Acid Blue 83 (CI42660) 0.7 on the silver particle reflective film prepared in Example 15. g A solution having the above composition was spin-coated and dried at 60 ° C. to obtain a light absorbing layer.

800nmにおける反射率および吸収率は、それぞれ32%お
よび61%であった。また、630nmにおける反射率および
吸収率は、それぞれ27%および65%であった。
The reflectance and absorptance at 800 nm were 32% and 61%, respectively. The reflectance and absorptance at 630 nm were 27% and 65%, respectively.

こうして得られた記録媒体に実施例16と同様にして情報
を記録したところ、0.7μ秒の照射(2.8nJ/Pit)で直径1.
0μmのスポットが形成された。
When information was recorded on the recording medium thus obtained in the same manner as in Example 16, a diameter of 1.μm was obtained by irradiation for 0.7 μsec (2.8 nJ / Pit).
A spot of 0 μm was formed.

また、この記録媒体をHe-Neレーザーを用い、照射面エ
ネルギー3mWおよびビーム径1.6μmで0.5MHzの情報を記
録したところ、0.8μ秒の照射(2.4nJ/Pit)で直径1.2μ
mのスポットが形成された。
In addition, using a He-Ne laser for this recording medium, we recorded 0.5 MHz information at an irradiation surface energy of 3 mW and a beam diameter of 1.6 μm, and a diameter of 1.2 μ was obtained by irradiation for 0.8 μs (2.4 nJ / Pit).
m spots were formed.

実施例20〜21 実施例15で用いた8,17-ビスアニリノインダンスレンの
代りに以下の表2に示した記録材料を使用して実施例15
を繰り返し実施したところ表2に示した特性を得た。
Examples 20 to 21 The recording materials shown in Table 2 below were used in place of the 8,17-bisanilinoindanthrene used in Example 15 and Example 15 was used.
When repeatedly carried out, the characteristics shown in Table 2 were obtained.

実施例22 実施例15と同様にして得られた銀粒子反射層に、6,15-
ビス(フェニルチオ)インダンスレンを厚さ100nmに蒸
着して光吸収層を得た。
Example 22 The silver particle reflective layer obtained in the same manner as in Example 15 was added with 6,15-
Bis (phenylthio) indanthrene was vapor-deposited to a thickness of 100 nm to obtain a light absorbing layer.

800nmにおける反射率および吸収率は、それぞれ27%お
よび66%であった。
The reflectance and absorptance at 800 nm were 27% and 66%, respectively.

このようにして得られた記録媒体に、実施例16と同様に
して情報を記録したところ、0.5μ秒の照射(2.0nJ/Pit)
で直径0.9μmのスポッが形成された。
On the recording medium thus obtained, when information was recorded in the same manner as in Example 16, irradiation for 0.5 μsec (2.0 nJ / Pit)
A spot with a diameter of 0.9 μm was formed.

また、この記録媒体を室内光中40℃、湿度90%で1か月
保存したが同様の特性が得られた。
Further, this recording medium was stored in room light at 40 ° C. and humidity of 90% for one month, but the same characteristics were obtained.

実施例23 実施例15と同様にして得られた銀粒子反射層に 6,15-ビス(4-スルホン酸ナトリウムフェニルチオ)イン
ダンスレン 1g 水 9g の組成よりなる溶解をディッピング法により塗布し、乾
燥させて光吸収層を得た。
Example 23 A silver particle reflection layer obtained in the same manner as in Example 15 was coated with a solution having a composition of 6,15-bis (sodium phenylthiosulfonate 4-phenylthio) indanthrene (1 g) and water (9 g) by a dipping method. It was dried to obtain a light absorbing layer.

800nmにおける反射率および吸収率は、それぞれ29%お
よび59%であった。
The reflectance and the absorptance at 800 nm were 29% and 59%, respectively.

このようにして得られた記録媒体に、実施例16と同様に
して情報を記録したところ、0.5μ秒の照射(2.0nJ/Pit)
で直径1.0μmのスポットが形成された。
On the recording medium thus obtained, when information was recorded in the same manner as in Example 16, irradiation for 0.5 μsec (2.0 nJ / Pit)
, A spot with a diameter of 1.0 μm was formed.

また、保存による特性の変化は見られなかった。In addition, no change in properties was observed due to storage.

なお比較のために記録材料としてシアニン色素である2-
〔7-(3-エチル-2-ベンゾチアゾリニリデン)-1,3,5-ヘプ
タトリエニル〕-3-エチルベンゾチアゾリウムクロリド
を用いた場合には、初期特性は実施例7と同等であった
が室内光中40℃90%の条件で1か月保存したところ吸収
率が23%へ低下し記録ができなかった。
For comparison, as a recording material, a cyanine dye 2-
When [7- (3-ethyl-2-benzothiazolinylidene) -1,3,5-heptatrienyl] -3-ethylbenzothiazolium chloride was used, the initial characteristics were the same as in Example 7. However, when it was stored for 1 month under the condition of 40 ° C and 90% in room light, the absorption rate decreased to 23% and recording could not be performed.

本発明で使用するその他のインダンスレン誘導体につい
て、上記実施例に記載した方法と同様にして光記録用媒
体を作成し情報を記録したところ同様の特性が得られ
た。
With respect to the other indanthrene derivatives used in the present invention, the same characteristics were obtained when an optical recording medium was prepared and information was recorded in the same manner as the method described in the above example.

上述のようにして構成された本発明の光記録用媒体は半
導体レーザの波長域に吸収を有し、安定性が高くしかも
長期間の情報保存にすぐれた効果を奏するものである。
The optical recording medium of the present invention constructed as described above has absorption in the wavelength region of the semiconductor laser, is highly stable, and has an excellent effect of storing information for a long period of time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図および第2図は本発明の光記録用媒体(実施例1
および実施例15)の光学特性を示し(図において、実線は
反射率を示しそして一点鎖線は吸収率を示す)そして第
3図は本発明の実施に使用する記録再生装置の概略図を
示す。 1……基板、2……記録層、3……半導体レーザー、4
……カップリングレンズ、5……ビームスプリッター、
6……λ/4板、7……集光レンズ、8……フォトダイオ
ード、9……検出信号、10……ターンテーブル。
1 and 2 show an optical recording medium of the present invention (Example 1).
And the optical characteristics of Example 15) (in the figure, the solid line indicates the reflectance and the dashed-dotted line indicates the absorptance), and FIG. 3 shows a schematic view of a recording / reproducing apparatus used for carrying out the present invention. 1 ... Substrate, 2 ... Recording layer, 3 ... Semiconductor laser, 4
...... Coupling lens, 5 …… Beam splitter,
6 ... λ / 4 plate, 7 ... condenser lens, 8 ... photodiode, 9 ... detection signal, 10 ... turntable.

フロントページの続き (72)発明者 上田 裕 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコ−内 (72)発明者 大淵 典子 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコ−内 (56)参考文献 特開 昭50−122936(JP,A) 特開 昭51−83529(JP,A) 特開 昭55−161690(JP,A)Front Page Continuation (72) Inventor Yu Ueda 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Reco Ltd. (72) Noriko Obuchi 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Rico Co., Ltd. -In (56) Reference JP-A-50-122936 (JP, A) JP-A-51-83529 (JP, A) JP-A-55-161690 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】高エネルギービームの照射によって記録層
に孔をあけて記録を行い、記録情報の読出しを低出力エ
ネルギービームの照射による反射光量の変化によってお
こなう光記録用媒体において、該光記録媒体が、本質的
に基板と記録層とからなり、しかも前記記録層が下記の
一般式〔I〕で表わされるインダンスレン誘導体単独ま
たは他の成分との組合せからなることを特徴とする光記
録用媒体。 (式中、X1、X2、X3およびX4は、それぞれ水素、ア
ルキル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、シア
ノ基又はハロゲンを表わし、X5は水素、−S−Ar1
は−NH−Ar1を表わし、Zは水素、−NH−Ar1
は−S−Ar1を表わす。Ar1は水素、フェニル基又は
ナフチル基を表わし、そして前記フェニル基及びナフチ
ル基はアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル
カルボニル基、メチルチオ基、ハロゲン、フェニルカル
ボニル基もしくはスルホ基によって置換されていてもよ
い。)
1. An optical recording medium in which recording is performed by forming a hole in a recording layer by irradiation of a high energy beam and reading of recorded information is performed by changing a reflected light amount by irradiation of a low output energy beam. For optical recording, which essentially comprises a substrate and a recording layer, and the recording layer is composed of an indanthrene derivative represented by the following general formula [I] alone or in combination with other components. Medium. (In the formula, X 1 , X 2 , X 3 and X 4 each represent hydrogen, an alkyl group, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, a cyano group or a halogen, and X 5 represents hydrogen, —S—Ar 1 or represents -NH-Ar 1, Z is hydrogen, .Ar 1 representing the -NH-Ar 1 or -S-Ar 1 represents hydrogen, a phenyl group or a naphthyl group, and said phenyl and naphthyl groups are alkyl groups, It may be substituted with an alkoxy group, amino group, alkylcarbonyl group, methylthio group, halogen, phenylcarbonyl group or sulfo group.)
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