JPH0612808B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0612808B2 JPH0612808B2 JP59145425A JP14542584A JPH0612808B2 JP H0612808 B2 JPH0612808 B2 JP H0612808B2 JP 59145425 A JP59145425 A JP 59145425A JP 14542584 A JP14542584 A JP 14542584A JP H0612808 B2 JPH0612808 B2 JP H0612808B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- imaging device
- state imaging
- photoelectric conversion
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は固体撮像装置の製造方法に関するものである。
（従来技術） 一般に固体撮像装置は半導体基板主面に光電変換部及び
信号読み出し部を有するため、光電変換に寄与する領域
は全体面積の２０〜５０％に制限されている。この欠点
を解決する手段として、固体撮像装置とレンズアレーを
組合せ入射光を光電変換領域に集光する方法が提案され
ている（特開昭54-17620、特開昭57-9180、特開昭59-12
2193）。また本願発明者によって国際固体装置会議（IE
EE International Electron Devices Meeting，1983年
１２月開催）に於いて「集積化樹脂レンズアレーによる
高感度ＩＬ−ＣＣＤイメージセンサ」（A High Photose
nsitivity IL-CCD Image Sensor with Monolithic Resi
n Lens Array）と題してＣＣＤイメージセンサ上に集積
化された樹脂レンズアレーが発表された。
信号読み出し部を有するため、光電変換に寄与する領域
は全体面積の２０〜５０％に制限されている。この欠点
を解決する手段として、固体撮像装置とレンズアレーを
組合せ入射光を光電変換領域に集光する方法が提案され
ている（特開昭54-17620、特開昭57-9180、特開昭59-12
2193）。また本願発明者によって国際固体装置会議（IE
EE International Electron Devices Meeting，1983年
１２月開催）に於いて「集積化樹脂レンズアレーによる
高感度ＩＬ−ＣＣＤイメージセンサ」（A High Photose
nsitivity IL-CCD Image Sensor with Monolithic Resi
n Lens Array）と題してＣＣＤイメージセンサ上に集積
化された樹脂レンズアレーが発表された。
この樹脂レンズアレーの製造方法を第１図に示す。第１
図はインターライン転送方式ＣＣＤイメージセンサに樹
脂レンズアレーを適用した場合のブロセスを説明する断
面模式図を示す、まず、第１図(a)に示すように、通常
の技術で製作したインターライン転送ＣＣＤイメージセ
ンサのシリコンウェハー１０の上に透明な第１の感光性
樹脂層１１を塗布する。１２はＣＣＤからなる信号読み
出し部、１３は信号読み出し部への光の漏れ込みを防止
する遮光層、１４は光ダイオードである。光電変換に寄
与する領域以外の第１の感光性樹脂層１１は、露光およ
び現象の方法により除去される。その後、第１の感光性
樹脂層１１上に第２の感光性樹脂を塗布する。次に、同
図(b)に示すように露光・現象により、光ダイオード列
に対応してストライプ状に第２の感光性樹脂１５を残
す。その後、第２の感光性樹脂１５の軟化温度以上で熱
処理する。第２の感光性樹脂のストライプパターンは熱
流動によって同図(c)に示すように凸状のレンズ１６に
なる。しかし、隣接するストライプパターンが熱流動に
よって接触すると、熱流動の横方向広がりは急速に進
み、接触した部分の断面形状はほぼ平坦になる。
図はインターライン転送方式ＣＣＤイメージセンサに樹
脂レンズアレーを適用した場合のブロセスを説明する断
面模式図を示す、まず、第１図(a)に示すように、通常
の技術で製作したインターライン転送ＣＣＤイメージセ
ンサのシリコンウェハー１０の上に透明な第１の感光性
樹脂層１１を塗布する。１２はＣＣＤからなる信号読み
出し部、１３は信号読み出し部への光の漏れ込みを防止
する遮光層、１４は光ダイオードである。光電変換に寄
与する領域以外の第１の感光性樹脂層１１は、露光およ
び現象の方法により除去される。その後、第１の感光性
樹脂層１１上に第２の感光性樹脂を塗布する。次に、同
図(b)に示すように露光・現象により、光ダイオード列
に対応してストライプ状に第２の感光性樹脂１５を残
す。その後、第２の感光性樹脂１５の軟化温度以上で熱
処理する。第２の感光性樹脂のストライプパターンは熱
流動によって同図(c)に示すように凸状のレンズ１６に
なる。しかし、隣接するストライプパターンが熱流動に
よって接触すると、熱流動の横方向広がりは急速に進
み、接触した部分の断面形状はほぼ平坦になる。
第２図(a)，(b)は従来行なわれていた第２の感光性樹脂
パターンの平面概念図と熱流動後の平面概念図を示す。
第２図(a)に示すようにストライプパターンの終端部１
９が矩形での形状では、熱流動後終端部が太くなり第２
図(b)のようにパターンの一部が接触する。ストライプ
パターンが一部接触すると前述のように熱流動は急速に
進み凸レンズ形状の変形部分２０の範囲は広くなる。
パターンの平面概念図と熱流動後の平面概念図を示す。
第２図(a)に示すようにストライプパターンの終端部１
９が矩形での形状では、熱流動後終端部が太くなり第２
図(b)のようにパターンの一部が接触する。ストライプ
パターンが一部接触すると前述のように熱流動は急速に
進み凸レンズ形状の変形部分２０の範囲は広くなる。
（発明の目的） 本発明の目的は、上記の欠点をなくし、樹脂レンズアレ
ーを用いた高感度な固体撮像装置の製造方法を提供する
ことにある。
ーを用いた高感度な固体撮像装置の製造方法を提供する
ことにある。
（発明の構成） 本発明による固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上
に光電変換素子群を任意の行列に配置し、列方向に配置
する前記光電変換素子群の各列間に遮光された信号読み
出し群を配置し、前記光電変換素子群と信号読み出し群
を第１の感光性樹脂で被い、前記第１の感光性樹脂をそ
の軟化温度以上で熱処理し、その後、前記第１の感光性
樹脂上に第２の感光性樹脂を被着し、露光・現象により
各列方向に配置されている前記光電変換素子群の列に対
応するように前記第２の感光性樹脂をストライプ状に残
し、その後、前記第２の感光性樹脂の軟化温度以上で熱
処理することにより凸状のレンズアレーを形成する固体
撮像装置の製造方法において、ストライプ状に残す前記
第２の感光性樹脂の終端部の間隔を中心部の間隔より広
くすることを特徴とする方法である。
に光電変換素子群を任意の行列に配置し、列方向に配置
する前記光電変換素子群の各列間に遮光された信号読み
出し群を配置し、前記光電変換素子群と信号読み出し群
を第１の感光性樹脂で被い、前記第１の感光性樹脂をそ
の軟化温度以上で熱処理し、その後、前記第１の感光性
樹脂上に第２の感光性樹脂を被着し、露光・現象により
各列方向に配置されている前記光電変換素子群の列に対
応するように前記第２の感光性樹脂をストライプ状に残
し、その後、前記第２の感光性樹脂の軟化温度以上で熱
処理することにより凸状のレンズアレーを形成する固体
撮像装置の製造方法において、ストライプ状に残す前記
第２の感光性樹脂の終端部の間隔を中心部の間隔より広
くすることを特徴とする方法である。
（実施例） 次に図面を用いて本発明を説明する。第３図は本発明の
一実施例を説明するための図で、従来例の第２図に対応
する平面概念図である。
一実施例を説明するための図で、従来例の第２図に対応
する平面概念図である。
第２図(a)に示した従来例と、第３図(a)に示した本発明
の実施例との相違は、ストライプパターンの終端歩２１
の先端が細くなっていることである。換言すれば、終端
部のストライプパターンのギャップが広がるように形成
されている。このため第３図(b)のように、熱流動後の
第２の感光性樹脂のパターン１７′は終端部が接触する
ことがない。
の実施例との相違は、ストライプパターンの終端歩２１
の先端が細くなっていることである。換言すれば、終端
部のストライプパターンのギャップが広がるように形成
されている。このため第３図(b)のように、熱流動後の
第２の感光性樹脂のパターン１７′は終端部が接触する
ことがない。
第４図は本発明の他の実施例における第２の感光性樹脂
のパターン１７″で、第２の感光性樹脂の終端部２２は
任意の曲率をもったゆるやかな形状になっている。この
様な形状でも熱処理後に終端部が接触することはない。
のパターン１７″で、第２の感光性樹脂の終端部２２は
任意の曲率をもったゆるやかな形状になっている。この
様な形状でも熱処理後に終端部が接触することはない。
本発明は第２の感光性樹脂からなるストライプパターン
の終端部の間隔が中心部より広くなるような形状であれ
ばよく、実施例の他に例えば終端が放物状の形状でも、
先端が尖った形状でも良い。またレンズアレーの形状も
本実施例で説明したようなストライプだけでなく、各光
電変換素子群とレンズがそれぞれ１：１に対応するよう
な固体撮像装置に適用することも可能である。
の終端部の間隔が中心部より広くなるような形状であれ
ばよく、実施例の他に例えば終端が放物状の形状でも、
先端が尖った形状でも良い。またレンズアレーの形状も
本実施例で説明したようなストライプだけでなく、各光
電変換素子群とレンズがそれぞれ１：１に対応するよう
な固体撮像装置に適用することも可能である。
（発明の効果） 本発明によれば、固体撮像装置上に第１の感光性樹脂を
被着し、その上に、固体撮像装置の光電変換素子の列に
対応するように第２の感光性樹脂をストライプ状に残
し、その後、熱処理により第２の感光性樹脂をレンズ状
のにする固体撮像装置において、第２の感光性樹脂スト
ライプパターンの終端部の間隔を中心部の間隔より広く
することにより、熱流動時におけるレンズ形状の変形を
防ぐことができる。
被着し、その上に、固体撮像装置の光電変換素子の列に
対応するように第２の感光性樹脂をストライプ状に残
し、その後、熱処理により第２の感光性樹脂をレンズ状
のにする固体撮像装置において、第２の感光性樹脂スト
ライプパターンの終端部の間隔を中心部の間隔より広く
することにより、熱流動時におけるレンズ形状の変形を
防ぐことができる。
第１図(a)，(b)，(c)は、従来の固体撮像装置の製造方
法を示す断面模式図、第２図(a)，(b)は第１図の平面概
念図、第３図(a)，(b)，第４図は本発明の実施例を示す
平面概念図を示している。 １０……シリコンウェハー、１１……第１の感光性樹脂
層、１４，１８……光ダイオード、１５，１７……第２
感光性樹脂パターン、１６……レンズ、１９，２０，２
１，２２……第２感光性樹脂の終端部
法を示す断面模式図、第２図(a)，(b)は第１図の平面概
念図、第３図(a)，(b)，第４図は本発明の実施例を示す
平面概念図を示している。 １０……シリコンウェハー、１１……第１の感光性樹脂
層、１４，１８……光ダイオード、１５，１７……第２
感光性樹脂パターン、１６……レンズ、１９，２０，２
１，２２……第２感光性樹脂の終端部
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に光電変換素子群を任意の行
列に配置し、列方向に配置する前記光電変換素子群の各
列間に遮光された信号読み出し群を配置し、前記光電変
換素子群と信号読み出し群を第１の感光性樹脂で被い、
前記第１の感光性樹脂をその軟化温度以上で熱処理し、
その後、前記第１の感光性樹脂上に第２の感光性樹脂を
被着し、露光、現象により各列方向に配置されている前
記光電変換素子群の列に対応するように前記第２の感光
性樹脂をストライプ状に残し、その後、前記第２の感光
性樹脂の軟化温度以上で熱処理することにより凸状のレ
ンズアレーを形成する固体撮像装置の製造方法におい
て、ストライプ状に残す前記第２の感光性樹脂の終端部
の間隔を中心部の間隔より広くすることを特徴とする固
体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59145425A JPH0612808B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59145425A JPH0612808B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124270A JPS6124270A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH0612808B2 true JPH0612808B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=15384950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59145425A Expired - Lifetime JPH0612808B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612808B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293673A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH0624232B2 (ja) * | 1987-03-19 | 1994-03-30 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法 |
| DE102007012115A1 (de) | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsdetektor |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP59145425A patent/JPH0612808B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＩＥＤＭ，１９８３年１２月要網集Ｐ．４９７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6124270A (ja) | 1986-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |