JPH0613614B2 - 二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム
に関し、更に詳しく特定の球状シリカ粒子を含有し、表
面が平坦で滑り性，走行耐久性，絶縁特性等に優れ、か
つ耐熱性に優れた二軸配向ポリエーテルエーテルケトン
フイルムに関する。

［従来技術］ 従来から、二軸配向ポリエチレンテレフタレートフイル
ムは、その機械的性質，電気的性質，耐熱性，耐薬品性
等に優れていることから、工業用途に広く用いられてい
る。

しかしながら、近年、用途によってはフイルムの要求特
性が高まり、また二軸配向ポリエチレンテレフタレート
フイルムの特性にも限界があることから、より特性の優
れたフイルムが求められている。例えば、二軸配向ポリ
エチレンテレフタレートフイルムは、長期耐熱性がＥ種
（長期耐熱温度：125℃）ないしＢ種（同：130℃）であ
り、モーター絶縁，電線被覆材料として用いる場合この
長期耐熱性の点からモーターの小型化が制限されるとい
う問題が生じている。また、上記フイルムをコンデンサ
ー用途に用いる場合、85℃近くから誘電正接が増大し、
使用温度の制限をもたらしている。更にまた、上記フイ
ルムをフレキシブルプリンド回路基盤として用いる場
合、ハンダ耐熱性が問題となり、その展開が制限されて
いる。このようなことから、より耐熱性の優れたフイル
ムが求められている。

ところで、強靭で優れた耐熱性を有する結晶性熱可塑性
ポリマーとしてポリエーテルエーテルケトンが知られ
（特公昭60-32642号，特公昭 61-10486号）、このフイルム化の検討，提案がされてい
る。例えば、特開昭57-137116号公報には、ポリエーテ
ルエーテルケトンは耐熱性を活かした用途分野、すなわ
ちモーター用絶縁フイルム，トランス用絶縁フイルム，
コンデンサー用絶縁フイルム，フレキシブルプリント回
路基板などへの展開が期待されるとして、圧延法で一軸
方向に配向したフイルムを製造する方法が記載され、そ
して、用途によっては炭酸カルシウム、微粒子ケイ酸
塩，タルク，塩基性炭酸マグネシウム，アルミナ，アル
ミナ水和物、硫酸バリウム，硫酸カルシウム，雲母粉，
亜鉛華，酸化チタン，カーボンブラックなどの無機充填
材を加えても良いことが説明されている。

特開昭58-63417号公報には、等方性二軸配向ポリエーテ
ルエーテルケトンフイルムの製造方法が記載されてい
る。

特開昭60-93625号公報には、圧延法で二軸配向した垂直
磁化用ポリエーテルエーテルケトンフイルムが記載され
ている。

特開昭60-187928号公報には、その長さ方向及びそれと
直角方向の５％伸長時応力が共に13kg／mm²以上、少な
くとも一方向の初期弾性率が600kg／mm²以上、並びに18
0℃における長さ方向及びそれと直角方向の熱収縮率が
４％以下である二軸配向ポリエーテルエーテルケトン
（又はポリエーテルエーテルケトン）フイルムをベース
とする磁気記録材料が記載され、そしてポリマー中に二
酸化チタンのつや消剤，微粒子シリカ，チャイナクレイ
などの滑剤を含有させてよいことが説明されている。

特開昭60-189421号公報には、無機粒子含有のポリエー
テルケトン（又はポリエーテルエーテルケトン）からな
り、表面粗さＲａが0.008〜 0.090でかつ動摩擦係数μｄが0.12〜0.50である二軸配
向フイルムが記載され、この無機微粒子として酸化マグ
ネシウム，酸化亜鉛，炭酸マグネシウム，燐酸マグネシ
ウム，硫酸カルシウム，硫酸バリウム，酸化アルミニウ
ム，二酸化ケイ素，酸化チタン，カオリン，ケイ藻土等
の無機酸化物，無機塩類，アミノ珪酸塩等やカーボンブ
ラック等が挙げられると説明されている。

特開昭61-37418号公報には、ポリエーテルエーテルケト
ン100重量部に無機質充填剤0.01〜10重量重量部を配合
した組成物を製膜し二軸配向させた易滑性熱可塑性ポリ
エーテルエーテルケトンフイルムが記載され、この無機
質充填剤はタルク，シリカ，カオリン，焼成カオリン，
マイカ，アエロジル，サイロイド，炭酸カルシウム，チ
タン酸カリウム繊維等の１種又は２種以上を適宜選択し
て用いるが、特に平均粒径５μ以下の粒径の細かいもの
が好ましいと説明されている。

しかしながら、本発明者らの研究結果によると、これら
二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルムは、該フ
イルム中の無機粒子の囲りにボイドが生じており、走行
耐久性，絶縁欠陥異常率，絶縁破壊等に改善すべき課題
の在ることが明らかとなった。また、無機粒子はフイル
ム中での分散が悪いことが明らかとなった。

［発明の目的］ 本発明の目的は、表面が平坦で滑り性，走行耐久性，絶
縁特性等に優れ、かつ耐熱性に優れた二軸配向ポリエー
テルエーテルケトンフイルムを提供することにある。

本発明の他の目的は、フイルム表面に球状シリカ粒子に
由来する多数の微細な突起を有し、かつ表面が平坦で滑
り性，走行耐久性，絶縁特性等に優れた二軸配向ポリエ
ーテルエーテルケトンフイルムを提供することにある。

本発明のさらに他の目的及び利点は、以下の説明から明
らかとなろう。

［発明の構成・効果］ 本発明によれば、本発明の上記目的及び利点は、第１
に、 ポリエーテルエーテルケトン中に、平均粒径が0.05〜４
μｍでありかつ粒径比（長径／短径）が1.0〜1.2である
球状シリカ粒子を0.01〜３重量％分散含有させてなる二
軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルムによって達
成される。

本発明におけるポリエーテルエーテルケトンは、構成単
位 を単独で、または該単位と他の構成単位からなるポリマ
ーである。この他の構成単位としては、例えば、 等が挙げられる。上記構成単位においては、Ａは直接結
合、酸素，−ＳＯ_２−，−ＣＯ−または二価の低級脂肪
族炭化水素基であり、ＱおよびＱ′は同一であっても相
違してもよく−ＣＯ−または−ＳＯ_２−であり、ｎは０
又は１である。これらポリマーは、特公昭60-32642号公
報，特公昭 61-10486号公報，特開昭57-137116号公報，等に記載さ
れている。

ポリエーテルエーテルケトンには、流動性改良などの目
的でポリアリーレンポリエーテル，ポリスルホン，ポリ
アリレート，ポリエステル，ポリカーボネート等の樹脂
をブレンドしても良く、また安定剤，酸化防止剤，紫外
線吸収剤等の如き添加剤を含有させても良い。

ポリエーテルエーテルケトンは、上述の通り、それ自体
公知であり、且つそれ自体公知の方法で製造することが
できる。

上記ポリエーテルエーテルケトンは、見かけの溶融粘度
が温度380℃、見かけの剪断速度1000sec^-1の条件で、50
0ポイズ〜10000ポイズ，更には1000ポイズ〜5000ポイズ
の範囲にあるものが、製膜性，フイルム特性の点から好
ましい。

本発明の二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム
はそのフイルム表面に多数の微細な突起を有している。
それらの多数の微細な突起は本発明によればポリマー中
に分散して含有される多数の球状シリカ粒子に由来す
る。

球状シリカ粒子を分散含有するポリエーテルエーテルケ
トンは、例えばポリエーテルエーテルケトンを形成する
ための反応時、球状シリカ粒子を添加することにより製
造することができる。また未添加のポリマーと球状シリ
カ粒子粉体とをドライブレンドしてフイルム製膜するこ
とも可能である。いずれの方法でも良いが、後者が好ま
しい。

本発明のおいてポリエーテルエーテルケトン中に分散含
有させる球状シリカ粒子は平均粒径が0.05〜４μｍであ
りかつ粒径比（長径／短径）が1.0〜1.2であるシリカ粒
子である。この球状シリカ粒子は個々の形状が極めて真
球に近い球状であって、従来から滑剤として知られてい
るシリカ粒子が10ｍμｍ程度の超微細な塊状粒子か、こ
れらが凝集して0.5μｍ程度の凝集物（凝集粒子）を形
成しているのとは著しく異なる点に特徴がある。球状シ
リカ粒子の平均粒径は、好ましくは0.10〜３μｍ，更に
好ましくは0.2〜２μｍである。この平均粒径が0.05μ
ｍ未満では滑り性や、耐削れ性の向上効果が不充分であ
り、好ましくない。また平均粒径が４μｍを超えるとフ
イルム表面が粗れすぎて好ましくない。また球状シリカ
粒子の粒径比は好ましくは1.0〜1.15，更に好ましくは
1.0〜1.1である。

また、球状シリカ粒子は粒径分布がシャープであること
が好ましく、分布の急峻度を表わす相対標準偏差が0.5
以下、更に好ましくは0.4以下、特に0.3以下であること
が好ましい。

この相対標準偏差は次式で表わされる。

ここでＤｉ：個々の粒子の面積円相当径（μｍ） ：面積円相当径の平均値 ｎ：粒子の測定個数 を表わす。

ここで、球状シリカ粒子の長径，短径，面積円相当径は
粒子表面に金属層を蒸着してのち走査型電子顕微鏡にて
１万〜３万倍に拡大した像から求め、平均粒径，粒径比
を次式で求める。

平均粒径＝測定粒子の面積円相当径の総和／測定粒子の
数 粒 径 比＝シリカ粒子の平均長径／該粒子の平均短径 相対標準偏差が0.5以下の球状シリカ粒子を用いると、
該粒子が球状で且つ粒度分布が極めて急峻であることか
ら、フイルム表面突起の高さが極めて均一となり、更に
フイルム表面の個々の突起は、滑剤周辺のボイドが小さ
いために、突起形状が非常にシャープであり、従って同
じ突起の数であっても滑り性が極めて良好となる。

球状シリカ粒子は、上述の条件を満たせば、その製法、
その他に何ら限定されるものではない。例えば、球状シ
リカ粒子は、オルトケイ酸エチル［Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）
_４］の加水分解から含水シリカ［Ｓｉ（ＯＨ）_４］単分
散球をつくり、更にこの含水シリカ単分散球を脱水化処
理してシリカ結合［≡Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ≡］を三次元的に
成長させることで製造できる（日本化学会誌’81,No.9,
Ｐ．1503）。

Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４＋４Ｈ_２Ｏ →Ｓｉ（ＯＨ）_４＋４Ｃ_２Ｈ_５ＯＨ ≡Ｓｉ−ＯＨ＋ＨＯ−Ｓｉ≡ →≡Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ≡＋Ｈ_２Ｏ 本発明において球状シリカ粒子の添加量は、ポリエーテ
ルエーテルケトンに対して0.01〜3.0重量％とする必要
があり、好ましくは0.01〜1.0重量％、更に好ましくは
0.05〜0.75重量％である。添加量が0.01重量％未満で
は、滑り性や耐削れ性の向上効果が不充分となり、一方
3.0重量％を越えると表面平坦性が低下し、好ましくな
い。

本発明において二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフ
イルムは、従来のものに比してボイドの極めて小さいフ
イルムであるが、このボイドが小さい理由は、球状シリ
カ粒子のポリエーテルエーテルケトンへの親和性の良さ
と、更に粒子そのものが極めて真球に近いことから、延
伸において滑剤周辺の応力が均等に伝播し、ポリエーテ
ルエーテルケトンと滑剤の界面の一部に応力が集中しな
いことによると推測される。

本発明の二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム
は、均一な凹凸表面特性，すぐれた滑り性，耐熱性及び
耐削れ性を有し、すりきず、白粉等の発生量が著しく少
ないという特徴を有する。この二軸配向ポリエーテルエ
ーテルケトンフイルムはこれらの活性を活かして各種の
用途に用いることができる。

一般にポリエーテルエーテルケトンと不活性粒子（滑
剤）とは親和性がない。このため溶融製膜したポリエー
テルエーテルケトン未延伸フイルムを二軸延伸すると、
該微粒子とポリエーテルエーテルケトンの境界に剥離が
生じ、該微粒子の囲りにボイドが形成されるのが普通で
ある。このボイドは、微粒子が大きいほど、形状が球形
に近いほど、また微粒子が単一粒子で変形しにくいほ
ど、そしてまた未延伸フルイムを延伸する際に延伸面積
倍率が大きいほど、また低温で行うほど大きくなる傾向
がある。このボイドは、大きくなればなる程突起の形状
がゆるやかな形となるので摩擦係数を高くすることとな
り、それと共に繰り返し使用時に生じた二軸配向ポリエ
ーテルエーテルケトンフイルムのボイドの脱落を起し、
耐久性を低下させる、また削れ粉発生の原因となってい
る。

このように従来の無機不活性滑剤の場合には、該滑剤周
辺のボイド量は、かなり大きく、高強力ポリエーテルエ
ーテルケトンフイルムにおいてはこのボイドは更に大き
くなり、その結果磁気テープのカレンダー工程等、加工
工程で耐削れ性が劣るようになる。また、コンデンサー
においては絶縁破壊電圧の低下に結びつく。

本発明で用いられる上記球状シリカ粒子は上記の如くポ
リエーテルエーテルケトン基質との親和性が大きく、こ
のため粒子周辺にボイドが発生する頻度が少ない。その
ため、粒子が大きくなるにつれて一般に大きくなるボイ
ドを発生する頻度を、上記球状シリカ粒子を使用する場
合には小さく抑えることができるため、本発明によれば
比較的大粒子として球状シリカ粒子を用い、それと一緒
にボイドの発生する割合が少ない比較的が粒子を併用し
て、２種類の粒子を用いる利点を有しつつ、走行性，耐
摩耗性、耐疲労性，絶縁破壊電圧および透明性等に優れ
たフイルムを提供しうることが明らかとなった。

すなわち、かかる二軸配向ポリエーテルエーテルケトン
フイルムは、ポリエーテルエーテルケトン中に （Ｉ）平均粒径が0.2〜４μｍでありかつ粒径比（長径
／短径）が1.0〜1.2である球状シリカ粒子を0.005〜３
重量％、及び （II）平均粒径が0.05〜３μｍの平均粒径を有し、その
平均粒径が球状シリカ粒子の平均粒径より小さい不活性
微粒子を0.005〜２重量％ 分散含有させてなる二軸配向ポリエーテルエーテルケト
ンフイルムである。

ポリエーテルエーテルケトンと球状シリカ粒子（Ｉ）に
ついては前述した通りである。ただ、球状シリカ粒子と
しては、この場合平均粒径0.2〜４μｍの比較的大きい
粒子が使用される。

平均粒径が球状シリカ粒子のそれよりも小さい不活性微
粒子（II）としては、ポリエーテルエーテルケトンに不
活性で不溶性であり、そして常温で固体のものが使用さ
れる。これらは外部添加粒子でも内部生成粒子でもよ
い。また、例えば有機酸の金属塩でもよく、また無機物
でもよい。好ましい不活性微粒子としては、炭酸カル
シウム，二酸化ケイ素（水和物，ケイ藻土，ケイ砂，
石英等を含む）、アルミナ、ＳｉＯ_２分を30重量％
以上含有するケイ酸塩（例えば非晶質或は結晶質の粘度
鉱物、アルミノシリケート化合物（焼成物や水和物を含
む）、温石綿，ジルコン，フライアッシュ等）、Ｍ
ｇ，Ｚｎ，Ｚｒ及びＴｉの酸化物、Ｃａ及びＢａの硫
酸塩、Ｌｉ，Ｎａ及びＣａのリン酸塩（１水素塩や２
水素塩を含む）、Ｌｉ，Ｎａ及びＫの安息香酸塩、
Ｃａ，Ｂａ，Ｚｎ及びＭｎのテレフタル酸塩、Ｍｇ，
Ｃａ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｐｂ，Ｓｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ及びＮｉのチタン酸塩、Ｂａ及びＰｂのクロム酸
塩、炭素（例えばカーボンブラック，グラファイト
等）、ガラス（例えばガラス粉，ガラスビーズ等）、
ＭｇＣＯ_３、ホタル石，及びＺｎＳが例示され
る。特に好ましいものとして、無水ケイ酸，含水ケイ
酸，酸化アルミニウム，ケイ酸アルミニウム（焼成物，
水和物等を含む），燐酸１リチウム，燐酸３リチウム，
燐酸ナトリウム，燐酸カルシウム，硫酸バリウム，酸化
チタン，安息香酸リチウム，これらの化合物の複塩（水
和物を含む），ガラス粉，粘土（カオリン，ベントナイ
ト，白土等を含む），タルク，ケイ藻土等が例示され
る。かかる不活性微粒子（II）の中でも特に外部添加粒
子が好ましい。

球状シリカ粒子（Ｉ）は0.2〜４μｍの平均粒径を有し
ている。好ましくは0.3〜２μｍ、特に好ましくは0.5〜
1.5μｍの平均粒径を有している。

また、不活性粒子（II）は0.05〜３μｍの平均粒径を有
するが上記球状シリカ粒子（Ｉ）の平均粒径よりも小さ
い平均粒径のものとして、併用される。

不活性微粒子（II）は好ましくは0.10〜2.0μｍの平均
粒径、より好ましくは0.20〜1.5μｍの平均粒径を有し
ている。

不活性微粒子（II）の含有量はポリエーテルエーテルケ
トンに対し0.005〜３重量％であるが、0.01〜２重量
％，更には0.02〜1.0重量％，特に0.05〜0.75重量％が
好ましい。一方球状シリカ粒子（Ｉ）の含有量はポリエ
ーテルエーテルケトンに対し0.005〜３重量％である
が、0.01〜２重量％，更には0.02〜1.0重量％，特に0.0
5〜0.75重量％が好ましい。

不活性微粒子（II）或は球状シリカ粒子（Ｉ）の含有量
が少なすぎると、大小２種の粒子を用いる相乗効果が得
られず、走行性，耐摩耗性，耐疲労性，つぶれ性，端面
揃い性等の特性が低下するので好ましくない。一方不活
性粒子（II）の含有量が多すぎると、ポリマー中の小さ
い粒子に起因するボイドの発生する頻度が多くなる傾向
になり、耐摩耗性，耐疲労性，つぶれ性，絶縁電圧，透
明性等が低下する。

また球状シリカ粒子（Ｉ）の含有量が多すぎると、フイ
ルム表面が粗れすぎ、例えば磁気テープにおける電磁変
換特性が低下するので、好ましくない。

本発明の二軸配向フイルムを製造する際に、球状シリカ
粒子あるいはそれと不活性微粒子をポリエーテルエーテ
ルケトンと緊密に混合するにはここれらの微粒子を、ポ
リエーテルエーテルケトン重合前又は重合中に重合釜中
で、重合終了後ペレタイズするとき押出機中で、あるい
はシート状に溶融押出しする際押出機中で、該ポリエー
テルエーテルケトンと十分に混練すればよい。

本発明の二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム
は、従来から蓄積された二軸配向フイルムの製造法に順
じて製造できる。例えば、球状シリカ粒子を含有するポ
リエーテルエーテルケトンを溶融製膜して非晶質の未延
伸フイルムとし、次いで該未延伸フイルムを二軸方向に
延伸し、熱固定し、必要であれば弛緩熱処理することに
よって製造される。その際、フイルム表面特性は、球状
シリカ粒子の粒径，量等によって、また延伸条件によっ
て変化するので従来の延伸条件から適宜選択する。また
密度，熱収縮率も延伸，熱処理時の温度，倍率，速度等
によって変化するので、これらの特性を同時に満足する
条件を定める。例えば、延伸温度は１段目延伸温度（例
えば縦方向延伸温度：Ｔ_１）が（Ｔｇ−10）〜（Ｔｇ＋
45）℃の範囲（但し、Ｔｇ：ポリエーテルエーテルケト
ンのガラス転移温度）から、２段目延伸温度（例えば横
方向延伸温度：Ｔ_２）が（Ｔ_１＋15）〜（Ｔ_１＋40）℃
の範囲から選択するとよい。また、延伸倍率は一軸方向
の延伸倍率が1.5以上、特に2.5倍以上でかつ面積倍率が
４倍以上、特に６倍以上となる範囲から選択するとよ
い。更にまた、熱固定温度は200〜350℃、更には220〜2
55℃の範囲から選択するとよい。熱固定時間は例えば１
〜20秒である。

二軸配向フイルムの厚みは、１〜250μｍ，更には１〜1
25μｍ，特に１〜75μｍが好ましい。

本発明の二軸配向ポリエーテルエーテルケントフイルム
は、均一な凹凸表面特性，すぐれた滑り性，耐熱性及び
耐削れ性を有し、すりぎず，白粉等の発生量が著しく少
ないという特徴を有する。この二軸配向ポリエーテルエ
ーテルケトンフイルムはこれらの特性を活かして各種の
用途に広く用いることができる。例えば、電絶材料用
途，モーター絶縁，電線被覆用として用いると、優れた
耐熱性及び加工性等が得られる。また、コンデンサー用
途に用いると、低い摩擦係数，すぐれた巻回性，低いつ
ぶれ荷重、及びそのすぐれた耐熱性故に、使用温度の高
い高品位のコンデンサーを得ることができる。また、Ｆ
ＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）用途に用いる
と耐ハンダ性に優れたＦＰＣを得ることが可能である。
また、磁気記録用例えばビデオ用，オーディオ用，コン
ピューター用などのベースフイルムとして用いると、優
れた電磁変換特性，滑り性，走行耐久性等が得られる。
特に、金属薄膜をベースフイルムに付与してなる真空蒸
着又はスパッター用のベースフイルムとしてはその耐熱
性により好適である。

二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルムは、特に
電絶用，コンデンサー用，ＦＰＣ用，金属薄膜磁気記録
媒体用として好ましいが、塗布磁気記録媒体用，蒸着
用，感熱転写用等のフイルムとしても広く適用すること
ができる。

［実施例］ 以下、実施例を掲げて本発明を更に説明する。なお本発
明における種々の物性値および特性は以下の如く測定さ
れたものである。

(1)粒子の粒径 粒子粒径の測定には次の状態がある。

1)シリカ粉体から、平均粒径、粒径比等を求める場合 2)フイルム中のシリカ粒子の平均粒径、粒径比等を求め
る場合 1)シリカ粉体からの場合： 電顕試料台上にシリカ粉体を個々の粒子ができるだけ重
らないように散在せしめ、金スパッター装置により、こ
の表面に金薄膜蒸着層を厚み200Å〜300Åで形成せし
め、走査型電子顕微鏡にて10000〜30000倍で観察し、日
本レギュレーター（株）製ルーゼックス500にて、少な
くとも100個の粒子の長径（Ｄｌｉ）、短径（Ｄｓｉ）
及び面積円相当径（Ｄｉ）を求める。そして、これらの
次式で表わされる数平均値をもって、シリカ粒子の長径
（Ｄｌ）、短径（Ｄｓ）、平均粒径（）を表わす。

2)フイルム中のシリカ粒子の場合： 試料フイルム小片を走査型電子顕微鏡用試料台に固定
し、日本電子（株）製スパッターリング装置（JFC−110
0型イオンスパッターリング装置）を用いてフイルム表
面に下記条件にてイオンエッチング処理を施す。条件は
ベルジャー内に試料を設置し、約10^-3Torrの真空状態ま
で真空度を上げ、電圧0.25ＫＶ、電流1.25mAにて約10分
間イオンエッチングを実施する。更に同装置にてフイル
ム表面に金スパッターを施し、走査型電子顕微鏡にて例
えば10000〜30000倍で観察し、日本レギュレーター
（株）製ルーゼッスク500にて少なくとも100個の粒子の
長径（Ｄｌｉ）、短径（Ｄｓｉ）及び面積円相当径（Ｄ
ｉ）を求める。以下、上記1)と同様に行なう。

(2)フイルム表面粗さ（Ｒａ） 中心線平均粗さ（Ｒａ）としてJIS−B0601で定義される
値であり、本発明では（株）小坂研究所の触針式表面粗
さ計（SURFCORDER SE-30C）を用いて測定する。測定条
件等は次の通りである。

(a)触針先端半径：２μｍ (b)測定圧力：３０mg (c)カットオフ：0.25mm (d)測定長：0.5mm (e)データーのまとめ方 同一試料について５回繰返し測定し、最も大きい値を１
つ除き、残り４つのデーターの平均値の小数点以下４桁
目を四捨五入し、少数点以下３桁目まで表示する。

(3)ボイド比 上記(1)−2)の方法に従ってフイルム中（表面）の滑剤
周辺を暴露し、少なくとも50個の固体微粒子の長径とボ
イドの長径を測定し、次式 で求めるボイド比の数平均値で表わす。

(4)フイルムの摩擦係数（μｋ） 温度20℃、湿度60％の環境で、巾１／２インチに裁断し
たフイルムを固定棒（表面粗さ0.3μｍ）に角度θ＝152
／180πラジアン（152゜）で接触させて毎分200cmの速
さで移動（摩擦）させる。入口テンションＴ_１が35ｇと
なるようにテンションコントローラーを調整した時の出
口テンション（Ｔ_１：ｇ）をフイルムが90ｍが走行した
のちに出口テンション検出機で検出し、次式で走行摩耗
係数μｋを算出する。

μｋ＝（2.303／θ）log（Ｔ_２／Ｔ_１） ＝0.868 log（Ｔ_２／35） (5)ヘーズ（曇り度） ＪＩＳ−Ｋ 674に準じ、日本精密光学社製、積分球式
ＨＴＲメーターによりフイルムのヘーズを求める。

(6)絶縁破壊電圧及び絶縁破壊異常率 絶縁破壊電圧はＪＩＳ−Ｃ−2318に示される方法で測定
する。ｎ＝100の平均値を採用し、この平均値の１／３
以下の値を示すものの割合（％）を絶縁破壊異常率とす
る。

(7)素子端面不揃い、及び偏平化後の素子端面形状の評
価 10μのフイルムをアルミニウム蒸着し、20mm巾にスリッ
トしたものを、外径３mmの巻芯に巻張力40g，巻取速度3
0cm／secで４ｍの長さを巻回した素子を作り、素子端面
不揃いについては、端面が全て完全に揃っているものを
○とし、一部にやや不揃いのものもあるがその程度も小
で、実用上何ら差支えないものを△，使用できないもの
を×とする。

該素子をプレスにより偏平につぶした時の偏平化後の端
面形状評価は、フイルム層間が一直線で均一につぶれて
隙間のないものを○，一部に僅かの隙間が認められる実
用上何ら問題のないものを△，つぶれ不均一でフイルム
層間に隙間ができて使用できないものを×とする。

(8)コンデンサー総合評価 つぶれ性，巻回性等の取扱い作業性，蒸着加工性，絶縁
破壊電圧及び絶縁破壊異常率等の電気特性について総合
的に評価して、いずれも良好なものを◎，若干劣る面を
有するが実用上問題ないもの○，実用上問題のあるもを
△，使用に耐えないものを×とする。

(9)滑剤の凝集 フイルムを偏光下で20倍に拡大し、偏光板を直交させ暗
視野中で光るもののうち、25μ以上の凝集滑剤の個数を
測定することで評価する。測定面積は10cm²とし、 １cm当りの個数０〜10個のものを○， 10〜30個のものを△， 30個以上を×， とする。

実施例１〜７ ポリエーテルエーテルケトン（ＩＣＩ社製ポリエーテル
エーテルケトン380Ｇ）に球状シリカ粒子及び不活性粒
子を表−１に示す割合で混合し、ブレンド後、押出機に
より380℃で押出し、80℃の温度に保持したキャスティ
ングドラム上へキャストし、90μｍの未延伸フイルムを
作成し、これを縦方向へ160℃で2.5倍延伸し、さらにテ
ンターに供給し、横方向へ160℃で3.5倍延伸し、250℃
で30秒間固定した。

これらフイルムの特性は表−１に示す。

比較例１〜３ 実施例１と同一のポリマーを用い、滑剤のみ表−１に示
すものに変更して実施例１と同様に行った。その結果は
表−１に示すとおりである。

表−１の結果により、本発明のフイルムは表面が平坦
で、且つくり返しの摩擦係数も小さく、滑性の優れたフ
イルムであることが分る。また本発明のフイルムは滑剤
の凝集も少なく、コンデンサー用ベースとして見た場合
非常に優れたものであることが分る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｌ 7:00 4Ｆ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ポリエーテルエーテルケトン中に、平均粒
   径が0.05〜４μｍでありかつ粒径比（長径／短径）が1.
   0〜1.2である球状シリカ粒子を0.01〜３重量％分散含有
   させてなる二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイル
   ム。
2. 【請求項２】球状シリカ粒子の下記式で表わされる相対
   標準偏差が0.5以下である特許請求の範囲第１項記載の
   二軸配向ポリエーテルエーテルケントフイルム。 ここで Ｄｉ：個々の粒子の面積円相当径（μｍ） ：面積円相当径の平均値（μｍ） ｎ：粒子の個数 を表わす。
3. 【請求項３】ポリエーテルエーテルケトン中に、 （Ｉ）平均粒径が0.2〜４μｍでありかつ粒径比（長径
   ／短径）が1.0〜1.2である球状シリカ粒子を0.005〜３
   重量％、及び （II）平均粒径が0.05〜３μの平均粒径を有し、その平
   均粒径が球状シリカ粒子の平均粒径より小さい不活性微
   粒子を0.005〜３重量％分散含有させてなる二軸配向ポ
   リエーテルエーテルケトンフイルム。