JPH0613617B2 - 有機重合体材料のエッチング方法 - Google Patents
有機重合体材料のエッチング方法Info
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- JPH0613617B2 JPH0613617B2 JP1328601A JP32860189A JPH0613617B2 JP H0613617 B2 JPH0613617 B2 JP H0613617B2 JP 1328601 A JP1328601 A JP 1328601A JP 32860189 A JP32860189 A JP 32860189A JP H0613617 B2 JPH0613617 B2 JP H0613617B2
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/02—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
- H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
- C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
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- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、有機重合体材料の(Organic polymeric mate
rial)の湿式エッチング方法に関し、特に集積回路の製
造に関連する。
rial)の湿式エッチング方法に関し、特に集積回路の製
造に関連する。
B.従来の技術及びその課題 ポリイミドは誘電率の低い熱的に安定な重合体のクラス
であり、フレキシブル・プリント回路の絶縁基板に適し
ていることがわかっている。一般に、積層集積回路を形
成するには、粘着性の改善または材料を貫くパスウェイ
(Pathway)の形成のために、ポリイミドをエッチング
することが必要になる。米国特許第4606998号明
細書は、半導体基板にパターン化された相互接続層を形
成する方法の、特別な、しかし非典型的とは言えない例
を開示している。そこでは、フォトレジスト・マスクを
使った異方性エッチングによってヴァイアが形成された
ポリイミド層に、金属層が付着される。
であり、フレキシブル・プリント回路の絶縁基板に適し
ていることがわかっている。一般に、積層集積回路を形
成するには、粘着性の改善または材料を貫くパスウェイ
(Pathway)の形成のために、ポリイミドをエッチング
することが必要になる。米国特許第4606998号明
細書は、半導体基板にパターン化された相互接続層を形
成する方法の、特別な、しかし非典型的とは言えない例
を開示している。そこでは、フォトレジスト・マスクを
使った異方性エッチングによってヴァイアが形成された
ポリイミド層に、金属層が付着される。
処理ステップを1つ以上省くことによってパターン化プ
ロセスを改善しようとする試みがなされている。粘着性
を改善しようとして、またはフォトレジスト・マスクを
粘着する必要をなくそうとして、超純粋かつ感光性のポ
リイミドが開発されてきた。しかしながら、従来のやり
方の中で実際にエッチング時間を短縮できたものはなか
った。
ロセスを改善しようとする試みがなされている。粘着性
を改善しようとして、またはフォトレジスト・マスクを
粘着する必要をなくそうとして、超純粋かつ感光性のポ
リイミドが開発されてきた。しかしながら、従来のやり
方の中で実際にエッチング時間を短縮できたものはなか
った。
通常、ポリイミドの湿式エッチングのためには、強アル
カリ溶液が高温にて用いられる。レジスト粘着性の劣化
に加えて、このプロセスは、エッチング時間が長く、そ
して非消散性のエッチ残余物(residue)が形成される
という問題点を伴う。
カリ溶液が高温にて用いられる。レジスト粘着性の劣化
に加えて、このプロセスは、エッチング時間が長く、そ
して非消散性のエッチ残余物(residue)が形成される
という問題点を伴う。
C.課題を解決するための手段 本発明は、これらの問題点の解決を目的とするものであ
り、エッチング溶液との反応によって有機重合体材料を
エッチングする方法において、エッチング溶液が反応材
料とも相互に作用し合って水素を発生されることによっ
て反応が促進されることを特徴とする。
り、エッチング溶液との反応によって有機重合体材料を
エッチングする方法において、エッチング溶液が反応材
料とも相互に作用し合って水素を発生されることによっ
て反応が促進されることを特徴とする。
D.実施例 以下、実施例について説明する。当業者には明らかなよ
うに、水素ガスの発生方法はいくつかある。例えば、電
気化学列(イオン化傾向)において水素より上にある反
応材料と酸性またはアルカリの水溶液との相互作用によ
って、水素ガスは発生する。実際、ポリイミド以外の有
機重合体と酸性またはアルカリどちらかのエッチング溶
液とを用い得ることも明らかである。さらに、水素は電
気化学的方法によってその場で(in situ)発生させて
もよい。
うに、水素ガスの発生方法はいくつかある。例えば、電
気化学列(イオン化傾向)において水素より上にある反
応材料と酸性またはアルカリの水溶液との相互作用によ
って、水素ガスは発生する。実際、ポリイミド以外の有
機重合体と酸性またはアルカリどちらかのエッチング溶
液とを用い得ることも明らかである。さらに、水素は電
気化学的方法によってその場で(in situ)発生させて
もよい。
本発明の一例においては、3/1000インチ(7.6
2/1000cm)のポリイミド・フィルムがクリーンに
され、露光して現像されることになるフォトレジスト層
で被覆される。フィルムのエッチングは、アルミニウム
・メタルのスラグを加えた、85℃に保たれた水酸化カ
リウムの500グラム/リットルの溶液に約5分間浸す
ことによって行われた。アルミニウムは徐々に溶けて、
水素の泡の流れを放出した。最後に、レジストをはい
で、エッチングされた表面を80℃〜90℃の10%塩
酸でパッシベートした。この方法によれば、エッチング
速度が少なくとも2倍になり、しかもエッチング残余物
は溶液中に飛散し易くなり、レジスト粘着性の劣化も少
なかった。実際、レジストを塗布する前に、ポリイミド
をかようなエッチング剤に数秒間晒し、洗い、そして乾
かした場合には、レジスト粘着性はさらに改善される。
2/1000cm)のポリイミド・フィルムがクリーンに
され、露光して現像されることになるフォトレジスト層
で被覆される。フィルムのエッチングは、アルミニウム
・メタルのスラグを加えた、85℃に保たれた水酸化カ
リウムの500グラム/リットルの溶液に約5分間浸す
ことによって行われた。アルミニウムは徐々に溶けて、
水素の泡の流れを放出した。最後に、レジストをはい
で、エッチングされた表面を80℃〜90℃の10%塩
酸でパッシベートした。この方法によれば、エッチング
速度が少なくとも2倍になり、しかもエッチング残余物
は溶液中に飛散し易くなり、レジスト粘着性の劣化も少
なかった。実際、レジストを塗布する前に、ポリイミド
をかようなエッチング剤に数秒間晒し、洗い、そして乾
かした場合には、レジスト粘着性はさらに改善される。
上記方法によれば、有機重合体、特にポリイミドの遅く
て問題の多いエッチングの困難が軽減される。したがっ
て、上記方法は、ラミネートからプリント回路を製造す
る場合に特に重要である。
て問題の多いエッチングの困難が軽減される。したがっ
て、上記方法は、ラミネートからプリント回路を製造す
る場合に特に重要である。
上記方法が有用である製造方法の他の例は、ポリエステ
ルの着色である。そこでは、染色に先立って、繊維のエ
ッチングまたは洗い流し(scouring)の処理が必要とさ
れる。
ルの着色である。そこでは、染色に先立って、繊維のエ
ッチングまたは洗い流し(scouring)の処理が必要とさ
れる。
E.効果 本発明によれば、エッチング溶液との反応によって行わ
れる有機重合体材料のエッチングにおいて、エッチング
速度が改善され、かつエッチング残余物の溶液中への消
散が促進されるという優れた効果が得られる。また、レ
ジストのマスクを使ってエッチングを行う場合にはレジ
スト粘着性が改善されるという効果が得られる。
れる有機重合体材料のエッチングにおいて、エッチング
速度が改善され、かつエッチング残余物の溶液中への消
散が促進されるという優れた効果が得られる。また、レ
ジストのマスクを使ってエッチングを行う場合にはレジ
スト粘着性が改善されるという効果が得られる。
Claims (1)
- 【請求項1】エッチング溶液との反応によって有機重合
体材料のエッチングを行う方法であって、上記溶液が水
素を発生させる反応材料とも相互に作用し合うことによ
って、上記反応が促進されることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8900780.1 | 1989-01-13 | ||
| GB8900780A GB2226991A (en) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | Etching organic polymeric materials |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265932A JPH02265932A (ja) | 1990-10-30 |
| JPH0613617B2 true JPH0613617B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=10650009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1328601A Expired - Lifetime JPH0613617B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-12-20 | 有機重合体材料のエッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4960491A (ja) |
| EP (1) | EP0378904A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0613617B2 (ja) |
| GB (1) | GB2226991A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69219998T2 (de) * | 1991-10-31 | 1997-12-18 | Sgs Thomson Microelectronics | Verfahren zur Entfernung von Polymeren aus Sacklöchern in Halbleitervorrichtungen |
| US5350487A (en) * | 1993-05-03 | 1994-09-27 | Ameen Thomas J | Method of etching polyimide |
| US5597983A (en) * | 1994-02-03 | 1997-01-28 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Process of removing polymers in semiconductor vias |
| DE19955969A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-31 | Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh | Verwendung von Polyimid für Haftschichten und lithographisches Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen |
| WO2002029878A2 (en) * | 2000-10-02 | 2002-04-11 | Rodel Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing of dielectric materials |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3235426A (en) * | 1961-08-01 | 1966-02-15 | Du Pont | Method of rendering thermoplastic resins receptive to coatings |
| US4281034A (en) * | 1980-04-03 | 1981-07-28 | Sunbeam Corporation | Plating on plastics by softening with trichloroethylene and methylene chloride bath |
| US4334949A (en) * | 1980-11-25 | 1982-06-15 | International Business Machines Corporation | Reducing carbonate concentration in aqueous solution |
| US4353778A (en) * | 1981-09-04 | 1982-10-12 | International Business Machines Corporation | Method of etching polyimide |
| US4606998A (en) * | 1985-04-30 | 1986-08-19 | International Business Machines Corporation | Barrierless high-temperature lift-off process |
| EP0337342A1 (de) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Entschichten von Photolack |
-
1989
- 1989-01-13 GB GB8900780A patent/GB2226991A/en not_active Withdrawn
- 1989-11-29 EP EP89312447A patent/EP0378904A1/en not_active Withdrawn
- 1989-12-20 JP JP1328601A patent/JPH0613617B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-10 US US07/463,248 patent/US4960491A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02265932A (ja) | 1990-10-30 |
| EP0378904A1 (en) | 1990-07-25 |
| GB2226991A (en) | 1990-07-18 |
| US4960491A (en) | 1990-10-02 |
| GB8900780D0 (en) | 1989-03-08 |
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