JPH0616489B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造装置に関する。詳しくは、例えば
半導体気相成長等におけるプロセス制御を、予め設定さ
れたプログラムに従って自動的に行う装置に関する。

〔背景技術とその問題点〕

半導体のウエハ上に気相成長を行わせる、いわゆる気相
成長装置は、近年半導体チップが各産業分野において多
用される傾向と相俟って注目されている。

従来の気相成長装置は、反応炉内のプロセスの進行に従
って、使用するガスの種類並びにその流量および反応炉
内の温度等の情報をピンボードより入力し、一連のシー
ケンスを実行させるようにしていたため、オペレータへ
の負担が大きく、かつ信頼性、作業性に欠ける欠点があ
った。

この欠点を解決すべく、本出願人は、先に特願昭５７−
１１９９７号を提案した。これは、各シーケンスプロセ
ス毎にガスの種類並びにその流量、時間および加熱条件
等の情報を設定したプロセスプログラムを複数用意し、
あるシーケンスを実行するに当たり、そのプロセスプロ
グラムを読み出し、このプロセスプログラムを必要に応
じて修正した後、修正後のプログラムに従ってプロセス
を実行できるようにしたものである。これにより、従来
のピンボード方式に比べ、信頼性および作業性を大幅に
向上させることができた。

ところで、気相成長等のプロセス制御の場合、各シーケ
ンスプロセス毎にガスの種類並びにその流量、時間およ
び加熱条件等の情報を予め設定することができるが、生
産量によっては連続して同一の条件で稼働したり、逆に
１バッチ毎あるいは複数の装置（または、１つの装置で
複数の反応炉を備える装置）で異なる条件で稼働するこ
とも、しばしばある。

従来の操作では、１バッチ毎のオペレータがプロセスプ
ログラム群の中から次に実行しようとするプロセスプロ
グラムを読出してＣＲＴ等の表示装置に表示させ、条件
内容を確認、修正して、その都度スタートスイッチを操
作する方法であった。

このような操作では、オペレータは、シリコン等の基板
の取出し、装填、キーボード操作等繁雑な作業が要求さ
れることから、プログラムデータの確認作業もおろそか
になったり、キーボードでのデータの入力ミス等のトラ
ブルも時に発生していた。また、連続して同一条件のプ
ログラムを稼働させる場合にも、その都度そのプログラ
ムを読出さなければならないため不便であった。

〔発明の目的〕

ここに、本発明の目的は、このような従来の欠点を解消
し、オペレータへの負担を軽減し、オペレータによる操
作ミスを低減し、生産計画に準じた稼働が可能な半導体
製造装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段および作用〕

そのため、本発明では、プロセスプログラム群の中から
任意のプロセスプログラムを実行したい順に指定し、例
えば１日のプロセスプログラムの実行順序が予約できる
ような機能をもたせることにより、オペレータへの負担
を軽減し、上記目的を達成しようとするものである。

具体的には、半導体基板の反応炉と、この反応炉中の基
板を加熱する加熱手段と、前記反応炉中に反応に必要な
ガスを供給するガス供給手段と、前記加熱手段およびガ
ス供給手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御装
置は、前記反応炉内における処理を実行するための時
間、使用ガス並びにその流量および炉内温度等に関する
情報を含む一連のプロセスプログラム単位からなるプロ
セスプログラムを記憶する第１のメモリ領域と、この第
１のメモリ領域の中から任意のプロセスプログラムを読
み出し、このプロセスプログラムを修正入力に応じて修
正する修正手段と、修正後のプロセスプログラムを記憶
する第２のメモリ領域と、前記第１および第２のメモリ
領域の中から任意のプロセスプログラムの実行順序を指
定する予約手段と、この予約手段によって指定されたプ
ロセスプログラムを指定された順序で実行する手段と、
を含む、ことを特徴とする。

〔実施例〕

第１図は本実施例の半導体気相成長装置を示している。
同装置は、２つの反応装置Ｒ１，Ｒ２を有する装置本体
１と、この装置本体１の各反応装置Ｒ１，Ｒ２内に収納
された半導体基板としてのウエハＷを加熱する加熱手段
２と、各反応装置Ｒ１，Ｒ２内に反応に必要なガスを供
給するガス供給手段３と、前記装置本体１に設けられ各
反応装置Ｒ１，Ｒ２へのウエハＷの搬入および各反応装
置Ｒ１，Ｒ２からのウエハＷの搬出を行う基板搬送手段
４と、前記加熱手段２、ガス供給手段３および基板搬送
手段４を制御する制御装置５と、を備える。

第２図は前記装置本体１の平面を示している。同図にお
いて、左右側には前記反応装置Ｒ１，Ｒ２が配設されて
いるとともに、その中間位置に前記基板搬送手段４が設
けられている。各反応装置Ｒ１，Ｒ２は、反応炉１１
と、前記基板搬送手段４によってウエハＷが搬入および
搬出される際、反応炉１１の天井蓋５０を上方へ開放す
る蓋開閉装置１２とからなる。各反応炉１１の構造は、
後述の第３図によって説明する。蓋開閉装置１２は、周
知のもので、例えば天井蓋５０を把持しながら上下方向
へ昇降する機構によって構成することができる。

基板搬送手段４は、基端部が前記装置本体１の中央位置
に上下方向の昇降可能かつ旋回可能に設けられかつ先端
部にウエハＷを吸着する吸着部等を有する旋回アーム２
１と、両反応装置Ｒ１，Ｒ２の間でかつ旋回アーム２１
の先端部が通る軌跡上に配置された２つのロードテーブ
ル２２，２３と、この各ロードテーブル２２，２３に対
応配置されたカセット２４，２５と、この一方のカセッ
ト２４内に収納されたウエハＷを取り出し前記ロードテ
ーブル２２上へ載置する搬送板２６と、旋回アーム２１
によっていずれかの反応炉１１から搬出されロードテー
ブル２３上に載置されたウエハＷをカセット２５内に収
納する搬送板２７とを備える。

第３図は前記各反応炉１１の断面を示している。同図に
おいて、底板３１の中央下方には炉内で気相成長に供さ
れるガスの導入口３２が設けられている。導入口３２内
に導入されたガスは、底板３１の中央から上方に延びる
管路３４内を上昇し、頂部の噴気孔３３から反応炉１１
内に排出される。導入口３２には、管路１５を通じてガ
ス供給ユニット１６が接続されている（第１図参照）。
ガス供給ユニット１６は、前記制御装置５からの指令に
応じて、各反応炉１１内に反応に必要とされるガス、例
えばＮ_２，Ｈ_２，ＨＣｌ，ＤＮ，ＤＰ，ＳｉＣｌ_４およ
びこれらの混合ガスを指定流量だけ供給するもので、例
えば弁の切換装置により構成されている。本実施例で
は、ガス供給ユニット１６と、これと各反応炉１１の内
部とを結ぶ管路１５，３４とにより前記ガス供給手段３
が構成されている。

管路３４の外周部には、その頂部にてサセプタ３５を支
承する回転部材３６が配置されている。同部材３６は減
速機付モータ３７により回転されるようになっている。
サセプタ３５の下方には、カバー３８を隔てて誘導加熱
用コイル３９が配置されている。同コイル３９内には、
高周波電流による熱がコイル自体を損傷するのを防ぐた
め内部に水を流すようにしてある。４０はコイル３９の
重量支えを兼ねた絶縁板であって、ボルト４１により底
板３１の上方に固定されている。４２，４３は誘導加熱
用コイル３９の外部との接続継手部分である。継手部分
４２，４３には高周波発生装置１３が接続されている
（第１図参照）。高周波発生装置１３は、前記制御装置
５からの指令に基づき、電源のオン、オフおよび電力調
整等を行い、コイル３９への通電を制御する。本実施例
では、高周波発生装置１６と誘導加熱用コイル３９とに
より前記加熱手段２が構成されている。

底板３１に向かっている天井蓋５０は三層からなってお
り、それぞれ内側から石英層４４、第１ステレス層４
５、第２ステンレス層４６からなっている。各層４４，
４５，４６の間は空隙である。４８はクランプ部材で、
エアシリンダ等のクランプ装置４９の励起により天井蓋
５０の鍔４７を下方に押圧するようになっている。天井
蓋５０には、サセプタ３５およびサセプタ３５上のウエ
ハＷを観察するための観察窓５２が取り付けられている
とともに、ウエハＷおよびサセプタ３５の温度を石英層
４４を介して入ってくる光により検出すべきセンサＴＳ
を取り付けた温度検出窓５３が設けられている。

第４図は前記制御装置５の内部構成を示している。同図
において、主計算機の中央処理ユニット（ＣＰＵ）６１
には、データバス６２およびｉ／Ｏバス６３がそれぞれ
接続されている。データバス６２には、一時記憶部（Ｒ
ＡＭ）６４、ディスプレイ装置（ＣＲＴ）７７に表示す
べき内容を一時的にストアする表示データ記憶部（ＣＲ
Ｔ ＲＡＭ）６５、各種のプログラム群を貯蔵してある
プログラム記憶部（ＲＯＭ）６６および本システムを働
かせるための処理プログラムをストアしているプログラ
ム記憶部（ＲＯＭ）６７がそれぞれ接続されている。一
時記憶部（ＲＡＭ）６４は、本システムの稼働中におい
て使用されるデータ、例えばキーボード７８からの入力
データとか、各種スイッチ類のオン、オフ情報、あるい
はカセットテープ等の外部記憶媒体から与えられるプロ
セスプログラム群を貯える等のために用いられる。

前記プログラム記憶部（ＲＯＭ）６６には、各反応装置
Ｒ１，Ｒ２の反応炉１１において遂行される一連のプロ
セスプログラム単位からなるプロセスプログラムを複数
種、つまり、複数種のプロセスプログラム（プロセスプ
ログラム群）を予め記憶する第１のメモリ領域としての
記憶部６６_１と、前記基板搬送手段４を駆動するための
各種の駆動プログラム（駆動プログラム群）を記憶する
記憶部６６_２とが設けられている。記憶部６６_１に記憶
されるプロセスプログラム群の中の一つのプロセスプロ
グラム例を、第５図に示す。第５図において、その最左
欄には各シーケンスプロセスに対応するプロセスプログ
ラム単位を表す番号１〜１７が示され、その右側TiME欄
にはそのシーケンスの継続時間が分秒を単位として数値
で示されている。さらに、TiME欄の右側にはそのシーケ
ンスで使用されるガスの流量が記入されるGAS FLOW欄が
設けられている。GAS FLOW欄の右側には反応炉１１内の
温度θ℃を指定する温度設定欄が設けられている。

前記記憶部６７に記憶された処理プログラムとしては、
ＲＯＭ６６にストアしたプロセスプログラムの中から指
定されたプロセスプログラム単位を順次読み出し、これ
をＣＰＵ６１でその各プログラムに対応するシーケンス
命令にデコードするようＣＰＵ６１を制御するための処
理プログラムつまりプログラム処理プログラム(PROCESS
・C)、ＲＡＭ６４にストアされているプロセスプログラ
ムの内容を修正するようＣＰＵ６１を制御する修正処理
プログラム(MODiFY)、キーボード７８を用いて必要デー
タを入力して新規なプロセスプログラムを生成するため
のプログラム生成処理プログラム（PROCESS）、現在進
行中の処理をＣＲＴ７７へ表示させるためのＲＵＮ処理
プログラム、プログラム中の任意のプロセスプログラム
単位ＰＰ(i)を同他のプロセスプログラム単位ＰＰ(i)を
同他のプログラムＰＰ(j)に変換処理する処理プログラ
ム(STEP)、ＲＯＭ６６にストアされているプログラム群
内のプロセスプログラムをＲＡＭ６４，９６を介して第
３のメモリ領域としての外部記憶媒体（例えば、カセッ
ト磁気テープＣＭＴ９８）へ転送するための処理プログ
ラム(STORE)、STORE機能と逆の作用を行わせる処理プロ
グラム(SORT)、ＲＯＭ６６等にストアされているプロセ
スプログラムを処理プログラムPROCESS・Ｃにかける前
にこれを確認するための確認処理プログラム(VERiFY)、
ＲＯＭ６６等にストアされているプログラム群の中のプ
ロセスプログラムの実行順序を指定するための予約プロ
グラム(RESERVE)、本システムの稼働中自己診断を行う
処理プログラム(DiAGNOSiS)、１つのプログラムの稼働
中の経過時間をサービスするためのプロセス経過時間を
算出する処理プログラム(USED TIME)、各種のテスト機
能を遂行せしめる処理プログラム(TEST)等である。これ
らの中から１つのプログラムが指定されると、ＣＰＵ６
１は、その各処理プログラムに従って必要な演算機能を
果たすようになっている。

また、ｉ／Ｏバス６３には、ＣＲＴ７７に表示すべきデ
ータを与えるＣＲＴインタフェイス６８、キーボード７
８からの入力データ信号を一時記憶部（ＲＡＭ）６４へ
取り込む入力モジュール６９の他、６つの出力モジュー
ル７０〜７５および高速メモリデータ転送部７６が接続
されている。出力モジュール７０には前記加熱手段２の
高周波発生装置１３が、出力モジュール７１にはガス供
給手段３のガス供給ユニット１６が、出力モジュール７
２には基板搬送手段４の駆動部が、それぞれ接続されて
いる。さらに、出力モジュール７３にはドライバ８１を
介して各反応炉１１のサセプタ回転用モータ３７が、出
力モジュール７４には蓋開閉装置１２の駆動部が、出力
モジュール７５にはクランプ装置４９がそれぞれ接続さ
れている。

前記高速メモリデータ転送部７６には、データハイウエ
イ９１を介して副中央処理ユニット（ＣＰＵ）９３に接
続された他の高速メモリデータ転送部９２が接続されて
いる。ＣＰＵ９３には、データバス９４を介してプログ
ラム記憶部（ＲＯＭ）９５および一時記憶部（ＲＡＭ）
９６が接続されているとともに、ｉ／Ｏバス９７を介し
て前記高速メモリデータ転送部９２およびカセット磁気
テープ（ＣＭＴ）９８のインタフェイス９９が接続され
ている。ＣＰＵ９３は、前記ＲＯＭ９５にストアされて
いる処理プログラムに従って、ＣＭＴ９８に記録されて
いる各種プログラム群をインタフェイス９９を介してＲ
ＡＭ９６へ転送したり、あるいはＣＭＴ９８に対してＲ
ＡＭ９６の内容を書き込む。一方、ＲＡＭ９６の内容を
ＲＡＭ６４へ、あるいは逆にＲＡＭ６４の内容をＲＡＭ
９６に転送する場合には、高速メモリデータ転送部７
６，９２およびデータハイウエイ９１を介して行われ
る。こうすることにより、ＣＭＴ９８（あるいは磁気カ
ード等）からのプログラムデータ等の読み出しやＣＭＴ
９８への同データの書き込みに要する時間がＣＰＵ６１
の演算処理の速度を制限するという問題を回避できる。

次に、本実施例の作用を説明する。

予め、ＲＯＭ６６の記憶部６６_１には標準的なプロセス
プログラム群が、記憶部６６_２には駆動プログラム群が
それぞれ記憶されている。

いま、電源をオンすると、ＣＲＴ７７には何らかのマー
ク、例えば＄マークが表示される。以下、ＣＲＴ７７上
のデータをクリアして改頁すると、＄マークが表示され
るということで説明する。

そこで、プロセスプログラム群の中から任意のプロセス
プログラムを読み出し、確認、修正、予約を行う。ま
ず、キーボード７８において、プロセスプログラム確認
のための読み出し装置（例えば、「Ｖ」「Ｅ」「ＣＲ」
とキー入力）を行い、続いて反応装置の指定（例えば、
反応装置Ｒ１の指定では「Ｒ」「１」「ＣＲ」とキー入
力）を行った後、最後にプロセスプログラム名を入力
（例えば、「Ｎ」「ＣＲ」とキー入力）すると、ＣＰＵ
６１は、記憶部６６_１の中からプロセスプログラム名に
対応するプロセスプログラムを読み出し、それをＣＲＴ
７７へ表示させる。このときの表示例を第６図に示す。
これは、Ｎ型の気相成長のための標準的シーケンスで、
Ｎ_２，Ｈ_２，ＨＣｌ等の欄はガス流量を、Ｔはそのシー
ケンスの実施時間を、ＴＥＭＰはそのシーケンスでの温
度をそれぞれ示している。また、○印で囲まれたものは
キー入力を示している。

ここで、CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）＝において、「Ｙ」「Ｃ
Ｒ」と入力つまり修正なしとすれば、次段のRESERVE OK
（＊Ｙ，Ｎ）のイッセージに進むので、予約を行う場合
には「Ｙ」「ＣＲ」を、予約を行わない場合には「Ｎ」
「ＣＲ」をそれぞれ入力する。「Ｙ」「ＣＲ」を入力し
た場合、次段のRESERVE No=のメッセージに進むので、
実行したい順番の番号を入力（例えば、「０」「３」
「ＣＲ」とキー入力）する。すると、その予約番号を含
んだプロセスプログラムが高速メモリデータ転送部７
６，９２およびデータハイウエイ９１を通じてカセット
磁気テープ９８に記憶される。つまり、３番目に予約さ
れる。

一方、前記CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）において、「Ｎ」「Ｃ
Ｒ」と入力つまり修正有りとすれば、改頁により、 ＄MoDiFY REACTOR＝Ｒ１ PROCESS NAME＝Ｎ SEQUENCE NO＝ とメッセージされるので、修正を行うSEQUENCE Noを入
力（例えば、「１」「ＣＲ」とキー入力）する。する
と、SEQUENCE NAME＝Ｎ_２PURGEと表示されるとともに、
その各欄のデータが表示されるので、修正したい欄のデ
ータを修正する。例えば、 Ｔ（Ｍ）＝００５ →「ＣＲ」 Ｔ（Ｓ）＝００ →「３」「０」「ＣＲ」 Ｎ_２ ＝１５１ →「ＣＲ」 と修正する。最後に、SEQUENCE No＝のメッセージに対
して「Ｅ」「ＣＲ」と入力し、PROCESS NAME＝のメッセ
ージに対して任意の番号を入力（例えば、「１」「２」
「３」「４」「ＣＲ」とキー入力）した後、CHECK OK
（＊Ｙ，Ｎ）＝のメッセージに対して「Ｙ」「ＣＲ」と
入力すると、第７図に示すデータ（修正後のデータ）が
表示される。第７図において、CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）の
メッセージ、RESERVE OK（＊Ｙ，Ｎ）のメッセージ、RE
SERVE Noのメッセージに対するキー操作は、第６図と同
様である。修正後のプロセスプログラムは、同様にして
カセット磁気テープ９８に記録され、かつ同様にして任
意に修正される。

次に、駆動プログラム群の中から任意の駆動プログラム
を読み出し、確認、修正、予約を行う。まず、キーボー
ド７８において、駆動プログラム確認のための読み出し
操作（例えば、「Ａ」「Ｌ」「ＣＲ」とキー入力）を行
い、続いて反応装置の指定（例えば、反応装置Ｒ１の指
定では「Ｒ」「１」「ＣＲ」とキー入力）を行った後、
最後に駆動プログラム名を入力（例えば、「Ｓ」「Ｔ」
「６」とキー入力）すると、ＣＰＵ６１は、記憶部６６
_２の中から駆動プログラム名に対応する駆動プログラム
を読み出し、それをＣＲＴ７７へ表示させる。このとき
の表示例を第８図に示す。

ここで、CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）において、「Ｙ」「Ｃ
Ｒ」と入力つまり修正なしとすれば、次段のRESERVE
（＊Ｙ，Ｎ）のメッセージに進むので、予約を行う場合
には「Ｙ」「ＣＲ」を、予約を行わない場合には「Ｎ」
「ＣＲ」をそれぞれ入力する。「Ｙ」「ＣＲ」を入力し
た場合、次段のRESERVE Noのメッセージに進むので、実
行したい順番の番号を入力（例えば、「０」「５」「Ｃ
Ｒ」とキー入力）する。すると、その予約番号を含む駆
動プログラムが高速メモリデータ転送部７６，９２およ
びデータハイウエイ９１を通じてカセット磁気テープ９
８に記録される。つまり、５番目に予約される。

一方、前記CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）において、 「Ｎ」
「Ｒ」と入力つまり修正有りとすれば、改頁により、 ＄AUTO LOADER MoDiFY REACTER ＝Ｒ１ WAF No ＝ とメッセージされるので、修正を行うWAF Noを入力（例
えば、「０」「１」「ＣＲ」とキー入力）する。する
と、WAF No０１の各欄が表示されるので、修正したい欄
のデータを修正する。例えば、 ＡxisＰ →「Ｐ」「ＣＲ」 PULES＝ 350 →「３」「４」「０」「ＣＲ」 ＡxisＲ →「ＣＲ」 ＡxisＺ →「Ｚ」「ＣＲ」 PULSE＝45 →「４」「０」「ＣＲ」 と修正する。続いて、WAF No＝メッセージに対して、
「０」「２」「ＣＲ」とキー入力した後、 ＡxisＰ →「ＣＲ」 ＡxisＲ →「Ｒ」「ＣＲ」 PULES＝580 →「５」「７」「０」「ＣＲ」 ＡxisＺ →「ＣＲ」 と修正する。最後に、WAF No＝のメッセージに対して
「Ｅ」「ＣＲ」と入力し、CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）のメッ
セージに対して「Ｙ」「ＣＲ」と入力すると、第９図に
示すデータ（修正後のデータ）が表示される。第９図に
おいて、CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）のメッセージ、MEMORY
（＊Ｙ，Ｎ）のメッセージ、SUSCEPTERのメッセージ、R
ESERVE（＊Ｙ，Ｎ）のメッセージ、RESERVE Noのメッセ
ージに対するキー操作は、第８図と同様である。修正後
の駆動プログラムは、同様にしてカセット磁気テープ９
８に記憶され、かつ同様にして任意に修正される。

一方、この方法とは他に、初めにプログラムの内容を確
認することなく連続的に予約するには、第１０図に示す
如く、「Ｒ」「Ｅ」をキー入力した後、反応装置の指
定、プロセスプログラム名、搬出搬入の識別コード、駆
動プログラム名を実行したい順番にキー入力していく
と、これらのプログラムが順にカセット磁気テープ９８
にストアされる。なお、同図において、PROCESS NAME 0
000は休止の場合の入力例を示している。

ここで、カセット磁気テープ９８にストアされたプログ
ラムを確認するには、第１０図においてCHECK OK（＊
Ｙ，Ｎ）のメッセージに対して「Ｙ」「ＣＲ」とキー入
力すると、第１１図のような一覧表が表示される。な
お、第６図〜第８図のように、各プログラムの確認で個
々に読したものについては、改頁「Ｒ」「Ｖ」「ＣＲ」
とキー入力すれば、第１１図のような一覧表が表示され
る。

さて、カセット磁気テープ９８に記録されたプロセスプ
ログラムおよび駆動プログラムに実行するには、キーボ
ード７８においてスタートスイッチを押すと、ＣＰＵ６
１は、カセット磁気テープ９８のプログラムを読み出
し、そのプログラムを予約した順番に実行する。つま
り、そのプログラムに従って高周波発生装置１３、ガス
供給ユニット１６、基板搬送手段４、モータ３７、蓋開
閉装置１２およびクランプ装置４９等を制御する。

例えば、第１１図の予約プログラムを実行するに当たっ
ては、まず反応装置Ｒ１側のクランプ装置４９に解除
し、蓋開閉装置１２を作動させ天井蓋５０を開いた後、
モータ３７を駆動させサセプタ３５を回動させ、サセプ
タ３５上の基板収納ポケットを旋回アーム２１の旋回位
置と一致させる。ここで、旋回アーム２１をロードテー
ブル２２上に旋回させた後下降させ、搬送板２６によっ
てカセット２４内から取り出された後オリフラ合わせを
行うためにロードテーブル２２上に載置されたウエハＷ
を吸着し、続いて上昇させた後旋回させ、反応装置Ｒ１
の反応炉１１内のサセプタ３５上にウエハＷをロードさ
せる。このようにして、サセプタ３５上に所定数のウエ
ハＷを載置した後、蓋開閉装置１２を作動させるととも
に、クランプ装置４９を作動させ、反応炉１１を密閉さ
せる。

続いて、予約番号Ｎｏ０２のプログラムを実行する。こ
の際、予約番号Ｎｏ０３のプログラムによる反応装置Ｒ
２側へのウエハＷのロードについて、反応装置Ｒ１側へ
のロードが終了し、反応装置Ｒ２側へのウエハＷのロー
ド開始条件が整っていれば、予約番号Ｎｏ０２のプログ
ラムがスタートする前にロードを開始できるような機能
をもたせることにより、時間を有効に活用できる。この
プログラムが終了した後、次のプログラムを実行し、順
次最後のプログラムまで実行する。

なお、上記実施例では、基板搬送装置４を備えた気相成
長装置の予約機能について述べたが、基板搬送装置４を
備えない装置では、第１２図のように行うようにしても
よい。これは、まず予約番号を入力し、続いて反応装置
の指定を行い、最後にプロセスプログラム名を入力し、
これらを順に繰返し入力するようにしたものである。こ
の際、第１２図において、斜線で囲まれた番号を点滅さ
せ、実行中のプロセスプログラムを表示するようにして
もよい。また、このプロセスプログラムによりシーケン
スを実行した結果、例えばTHICKENS（膜厚）やRESISTAN
CE（抵抗値）を収録するようにしてもよい。

さらに、第１２図において、反応装置Ｒ１側をみると、
PROCESS NAME 0615が繰返し実行され、SEQUENCE No 07
でETCHのプロセスプログラムが入り、再びPROCESS NAME
0165が実行されている。このような場合、第１３図に
示すように、SEQUENCE No 09で「Ｄ」「Ｏ」「０」
「１」とキー入力するだけで、以下の操作を行わなくて
も、同一プログラムを実行できるようにしてもよい。な
お、繰返し機能としては、これとは別に、例えば、
「Ｌ」「Ｏ」「Ｏ」「Ｐ」というようなキャラクタを入
力することによって行うようにしてもよい。

また、上記実施例では、プロセスプログラムや駆動プロ
グラムの予約をキーボード７８により入力したが、例え
ば第６，７図に示すプロセスプログラムや、第８，９図
に示す駆動プログラムをＲＯＭやＩＣカード等の外部記
憶媒体に記憶させておき、これを制御装置５に装填する
ことにより、あるいは上位コンピュータを制御装置５に
接続することにより、第１０図のような入力操作を行う
ことなく、第１１図のような予約が行えるようにしても
よい。外部記憶媒体への入力は、別の入力装置を用いて
もよいが、上記実施例におけるカセット磁気テープ９８
に記録したものを用いてもよい。

また、上記各実施例では、予約したプログラムを連続的
に実行させるようにしたが、個々のプログラムが終了
後、手動でスタートスイッチを押すことにより、次のプ
ログラムが実行されるようにしてもよい。

また、上記実施例では、プロセスプログラムおよび駆動
プログラムをＲＯＭ６６に予め記憶させるようにした
が、例えばこれらのデータをカード等の外部記憶媒体に
記録し、これを制御装置５に入力させるようにしてもよ
い。

また、上記実施例では、２台の反応装置を搭載した気相
成長装置について説明したが、１台のみでもよく、さら
に３台以上の反応装置を搭載した装置でもよい。

また、本発明は、上記実施例で述べた気相成長装置に限
らず、アニール炉や拡散炉等の他の製造装置にも適用で
きる。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、予約機能を備えたことに
より、オペレータへの負担を軽減し、操作ミスによる不
良の低減が図れ、作業効率の向上に寄与できる。

【図面の簡単な説明】

第１図から第１１図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図は全体のシステムを示す図、第２図は装置本体の
平面図、第３図は反応炉の断面図、第４図は制御装置を
示すブロック図、第５図はプロセスプログラムを示す
図、第６図〜第１１図はそれぞれＣＲＴ上の画面表示例
を示す図、第１２図および第１３図は他の実施例におけ
るＣＲＴ上の画面表示例である。 Ｒ１，Ｒ２……反応装置、２……加熱手段、３……ガス
供給手段、５……制御装置、１１……反応炉、６６_１…
…第１のメモリ領域としての記憶部、９８……第２のメ
モリ領域としてのカセット磁気テープ。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板の反応炉と、 この反応炉中の基板を加熱する加熱手段と、 前記反応炉中に反応に必要なガスを供給するガス供給手
   段と、 前記加熱手段およびガス供給手段を制御する制御手段
   と、を備え、 前記制御装置は、 前記反応炉内における処理を実行するための時間、使用
   ガス並びにその流量および炉内温度等に関する情報を含
   む一連のプロセスプログラム単位からなるプロセスプロ
   グラムを記憶する第１のメモリ領域と、 この第１のメモリ領域の中から任意のプロセスプログラ
   ムを読み出し、このプロセスプログラムを修正入力に応
   じて修正する修正手段と、 修正後のプロセスプログラムを記憶する第２のメモリ領
   域と、 前記第１および第２のメモリ領域の中から任意のプロセ
   スプログラムの実行順序を指定する予約手段と、 この予約手段によって指定されたプロスセプログラムを
   指定された順序で実行する手段と、を含む、 ことを特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、前記予約
   手段は、外部記憶媒体に記録されたプロセスプログラム
   名に従って、プロセスプログラムの実行順序を指定でき
   るようになっていることを特徴とする半導体製造装置。
3. 【請求項３】特許請求の範囲第１項または第２項におい
   て、前記予約手段は、任意のプロセスプログラムの繰り
   返し指定をすることにより、そのプロセスプログラムが
   一定周期または連続的に予約指定できるようになってい
   ることを特徴とする半導体製造装置。
4. 【請求項４】特許請求の範囲第１項ないし第３項のいず
   れかにおいて、前記予約手段によって実行順序が指定さ
   れたプロセスプログラムは、前記第２のメモリ領域に記
   憶されるようになっていることを特徴とする半導体製造
   装置。