JPH0616564B2 - Balanced diode attenuator - Google Patents
Balanced diode attenuatorInfo
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- JPH0616564B2 JPH0616564B2 JP60256254A JP25625485A JPH0616564B2 JP H0616564 B2 JPH0616564 B2 JP H0616564B2 JP 60256254 A JP60256254 A JP 60256254A JP 25625485 A JP25625485 A JP 25625485A JP H0616564 B2 JPH0616564 B2 JP H0616564B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、バランス型ダイオード減衰器に関し、特に高
周波で使用するバランス型ダイオード減衰器のバイアス
供給回路に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a balanced diode attenuator, and more particularly to a bias supply circuit for a balanced diode attenuator used at high frequencies.
(従来の技術) バランス型ダイオード減衰器は、1個の90゜電力等分割
回路と、2個のダイオード減衰回路と、1個の90゜電力
合成回路とから成っており、入出力インビーダンスが広
帯域で良好なことから広く使用されている。上記特徴を
生かす為には2個のダイオード減衰回路へ外部からバイ
アスを供給する方法として、ダイオード減衰回路のそれ
ぞれに同一構成のバイアス回路を設ける必要がある。(Prior Art) A balanced diode attenuator is composed of one 90 ° power equalizing circuit, two diode attenuating circuits and one 90 ° power combining circuit. Is widely used because of its excellent wide band. In order to make full use of the above characteristics, as a method of supplying a bias to two diode attenuator circuits from the outside, it is necessary to provide a bias circuit having the same configuration to each of the diode attenuator circuits.
(発明が解決しようとする問題点) ところが、両方のバイアス回路の供給線がそれぞれ独立
にダイオード減衰器の高周波回路の外に引き出されてい
る構成ではダイオード減衰器の両側にバイアス供給端子
が必要となり、上位機器に収容する場合の構造が複雑と
なる欠点がある。(Problems to be solved by the invention) However, in the configuration in which the supply lines of both bias circuits are independently drawn out of the high frequency circuit of the diode attenuator, the bias supply terminals are required on both sides of the diode attenuator. However, there is a drawback in that the structure for housing in a higher-level device becomes complicated.
第2図は従来のダイオード減衰器の一例の構成図であ
り、1は入力端子、2は入力端子のうちの片方を50Ωに
終端した入力側90゜ハイブリッド(電力等分割回路)、
3及び4は同じ特性の2段のダイオード減衰回路、5は
出力端子のうちの片方を50Ωに終端した出力側9゜ハイ
ブリッド(電力合成回路)、6は出力端子、11,12はイ
ンダクタLとバイパスコンデンサCとから成るバイアス
回路、7,8はバイアス回路、11,12のバイアス供給端
子である。バイアス回路からバイアス供給端子までの供
給線は、他のダイオード減衰回路の信号伝送路を横切る
と減衰器の特性に影響がある。そこで、従来のバランス
型ダイオード減衰器では、第2図に示すようにダイオー
ド減衰回路の両側にバイアス供給端子を設けてバイアス
供給線の影響を避けていた。ところが、この構成では、
バランス型ダイオード減衰器へ外部からバイアスを供給
する場合、ダイオード減衰回路をはさんで両側にバイア
スを供給することとなり、実装上構成が複雑になる。FIG. 2 is a configuration diagram of an example of a conventional diode attenuator, where 1 is an input terminal, 2 is an input side 90 ° hybrid in which one of the input terminals is terminated at 50Ω (equal power division circuit),
3 and 4 are two-stage diode attenuator circuits with the same characteristics, 5 is an output side 9 ° hybrid (power combining circuit) in which one of the output terminals is terminated at 50Ω, 6 is an output terminal, 11 and 12 are inductors L Bias circuits composed of a bypass capacitor C, reference numerals 7 and 8 are bias circuits, and bias supply terminals 11 and 12. When the supply line from the bias circuit to the bias supply terminal crosses the signal transmission line of another diode attenuator circuit, the characteristics of the attenuator are affected. Therefore, in the conventional balanced diode attenuator, as shown in FIG. 2, bias supply terminals are provided on both sides of the diode attenuator circuit to avoid the influence of the bias supply line. However, with this configuration,
When a bias is externally supplied to the balanced diode attenuator, the bias is supplied to both sides of the diode attenuator circuit, which complicates the mounting configuration.
本発明は上記従来のものの欠点を除去すべくなされたも
のであり、その目的とするところは、入出力インビーダ
ンスや伝送特性等の高周波特性を従来のものより損なう
ことなく、実装上の構成が簡単なバランス型ダイオード
減衰器の提供にある。The present invention has been made to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, and an object of the present invention is to realize a mounting configuration without deteriorating high frequency characteristics such as input / output impedance and transmission characteristics. To provide a simple balanced diode attenuator.
(問題点を解決するための手段) 本発明によるバランス型ダイオード減衰器は、第1、第
2、第3及び第4の端子を有し、第1の端子に入力され
た高周波信号を第3及び第4の端子へ導き、前記第2の
端子に終端抵抗を接続し、該第2の端子は第3の端子に
直流的に接続するとともに第4の端子とは直流的に絶縁
してなる第1の90゜ハイブリッドと、この第1の90
゜ハイブリッドと同じ構成の第2の90゜ハイブリッド
と、前記第1の90゜ハイブリッドの前記第3の端子と
前記第2の90゜ハイブリッドの前記第4の端との間に
接続された第1のダイオード減衰回路と、前記第1の9
0゜ハイブリッドの前記第4の端子と前記第2の90゜
ハイブリッドの第3の端子との間に接続された第2のダ
イオード減衰回路と、前記第1及び第2のダイオード減
衰回路にバイアス電圧をそれぞれ供給する第1及び第2
のバイアス回路と、これら第1及び第2のバイアス回路
にバイアス電源から供給されるバイアス電圧を受けるバ
イアス供給端子とを備えてなるバランス型ダイオード減
衰器において、前記第1のバイアス回路は、前記第1の
90゜ハイブリッドの前記第2の端子または前記第1の
ダイオード減衰回路に接続し、前記第2のバイアス回路
は、前記第1のバイアス回路が前記第1の90゜ハイブ
リッドの前記第2の端子に接続されているときは前記第
2のダイオード減衰回路に接続し、前記第1のバイアス
回路が前記第1のダイオード減衰回路に接続されている
ときには前記第2の90゜ハイブリッドの前記第2の端
子に接続し、前記第1及び第2のバイアス供給端子は前
記第1の90゜ハイブリッドから第2の90゜ハイブリ
ッドに至る主信号伝送方向の片側に配置してあることを
特徴とする。(Means for Solving the Problems) A balanced diode attenuator according to the present invention has first, second, third and fourth terminals, and a high frequency signal input to the first terminal is a third signal. And a fourth terminal, a terminating resistor is connected to the second terminal, the second terminal is DC-connected to the third terminal and is DC-insulated from the fourth terminal. The first 90 ° hybrid and this first 90
A second 90 ° hybrid having the same structure as the first 90 ° hybrid, and a first 90 ° hybrid connected between the third terminal of the first 90 ° hybrid and the fourth end of the second 90 ° hybrid. And the first 9
A second diode attenuator circuit connected between the fourth terminal of the 0 ° hybrid and the third terminal of the second 90 ° hybrid, and a bias voltage for the first and second diode attenuator circuits. Supply first and second respectively
A bias circuit and a bias supply terminal for receiving a bias voltage supplied from a bias power source to the first and second bias circuits, the first bias circuit comprising: A first 90 ° hybrid connected to the second terminal or the first diode attenuator circuit, the second bias circuit comprising: the first bias circuit connected to the second terminal of the first 90 ° hybrid. When connected to the terminal, it is connected to the second diode attenuator circuit, and when the first bias circuit is connected to the first diode attenuator circuit, the second 90 ° hybrid second device. The first and second bias supply terminals are connected to the first terminal and the main signal from the first 90 ° hybrid to the second 90 ° hybrid. Feeding wherein the is arranged on one side of the direction.
(実施例) 以下、図面を参照し本発明の実施例を説明する。Embodiments Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例の構成図であり、第2図と同
等部分は同一符号により示してある。本実施例において
第2図の構成と異なる点は、図示する如く、入力側90゜
ハイブリッド2の2つの入力端のうちの50Ωに終端され
た入力端に、インダクタLとバイパスコンデンサCから
なるバイアス回路13を追加し、バイアス供給端子9と接
続する点と、バイアス回路12にはバイアスは供給されな
いが、インビーダンス的にバイアス回路11と等価である
から、ダイオード減衰回路3,4は同じ特性に保たれる
ので、バランス型ダイオード減衰器の特徴である良好な
インビーダンス及び伝送特性は従来例と変わらない。ま
た、入力側90゜ハイブリッド2のうちの50Ωに終端され
た入力端にバイアス回路13を追加しても、50Ω終端され
ているから、ダイオード減衰器のインピーダンスに影響
を与えない。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention, and the same portions as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals. In this embodiment, as shown in the figure, the difference from the configuration of FIG. The point where the circuit 13 is added and connected to the bias supply terminal 9 and the bias is not supplied to the bias circuit 12, but since it is equivalent to the bias circuit 11 in impedance, the diode attenuation circuits 3 and 4 have the same characteristics. Therefore, the good impedance and transmission characteristics that are characteristic of the balanced diode attenuator are the same as those of the conventional example. Further, even if the bias circuit 13 is added to the input end of the 90 ° hybrid 2 on the input side which is terminated to 50Ω, the impedance of the diode attenuator is not affected because it is terminated to 50Ω.
(発明の効果) 上述の如く、本発明によれば、従来はダイオード減衰回
路の両側からバイアスを供給していたところを、バイア
スを片側から供給できるバランス型ダイオード減衰器が
提供できる。そこで、本発明のバランス型ダイオード減
衰器を採用することにより、高周波装置の実装上の簡素
化を招来することが出来、非常に有効である。(Effect of the Invention) As described above, according to the present invention, it is possible to provide a balanced diode attenuator capable of supplying a bias from one side, whereas the bias is conventionally supplied from both sides of the diode attenuating circuit. Therefore, by adopting the balanced diode attenuator of the present invention, it is possible to simplify the mounting of the high frequency device, which is very effective.
なお、第1図の実施例では、バイアス回路13を入力側
90゜ハイブリッド2の終端端子に接続し、バイアス供
給端子7をバイアス回路11に設けることにより、2つ
のバイアス供給端子7,9を主線路の片側に配置した。
しかし、本発明は、第1図の実施例に限られるものでは
なく、バイアス回路13を出力側90゜ハイブリッド5
の終端端子に接続するとともに、バイアス供給端子7を
バイアス回路12に設け、2つのバイアス供給端子7,
9を主線路の片側に配置するようにしても差し支えな
い。In the embodiment of FIG. 1, the bias circuit 13 is connected to the terminating terminal of the input side 90 ° hybrid 2, and the bias supply terminal 7 is provided in the bias circuit 11, so that the two bias supply terminals 7 and 9 are mainly connected. It was placed on one side of the track.
However, the present invention is not limited to the embodiment shown in FIG.
The bias supply terminal 7 is provided in the bias circuit 12, and the two bias supply terminals 7,
There is no problem even if 9 is arranged on one side of the main line.
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図は従来のバ
ランス型ダイオード減衰器の構成図である。 1……入力端子、2……電力等分割回路、3,4……ダ
イオード減衰回路、5……電力合成回路、6……出力端
子、7,8,9……バイアス供給端子、11,12,13……
バイアス回路。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram of a conventional balanced diode attenuator. 1 ... Input terminal, 2 ... Equal power division circuit, 3,4 ... Diode attenuation circuit, 5 ... Power combining circuit, 6 ... Output terminal, 7,8,9 ... Bias supply terminal, 11,12 ,13……
Bias circuit.
Claims (1)
第1の端子に入力された高周波信号を第3及び第4の端
子へ導き、前記第2の端子に終端抵抗を接続し、該第2
の端子は第3の端子に直流的に接続するとともに第4の
端子とは直流的に絶縁してなる第1の90゜ハイブリッ
ドと、この第1の90゜ハイブリッドと同じ構成の第2
の90゜ハイブリッドと、前記第1の90゜ハイブリッ
ドの前記第3の端子と前記第2の90゜ハイブリッドの
前記第4の端との間に接続された第1のダイオード減衰
回路と、前記第1の90゜ハイブリッドの前記第4の端
子と前記第2の90゜ハイブリッドの第3の端子との間
に接続された第2のダイオード減衰回路と、前記第1及
び第2のダイオード減衰回路にバイアス電圧をそれぞれ
供給する第1及び第2のバイアス回路と、これら第1及
び第2のバイアス回路にバイアス電源から供給されるバ
イアス電圧を受けるバイアス供給端子と備えてなるバラ
ンス型ダイオード減衰器において、 前記第1のバイアス回路は、前記第1の90゜ハイブリ
ッドの前記第2の端子または前記第1のダイオード減衰
回路に接続し、 前記第2のバイアス回路は、前記第1のバイアス回路が
前記第1の90゜ハイブリッドの前記第2の端子に接続
されているときは前記第2のダイオード減衰回路に接続
し、前記第1のバイアス回路が前記第1のダイオード減
衰回路に接続されているときには前記第2の90゜ハイ
ブリッドの前記第2の端子に接続し、 前記第1及び第2のバイアス供給端子は前記第1の90
゜ハイブリッドから第2の90゜ハイブリッドに至る主
信号伝送方向の片側に配置してある ことを特徴とするバランス型ダイオード減衰器。1. A first terminal, a second terminal, a third terminal and a fourth terminal,
The high-frequency signal input to the first terminal is guided to the third and fourth terminals, and the terminating resistor is connected to the second terminal,
Is connected to the third terminal in a direct current manner and is insulated from the fourth terminal in a direct current manner, and a second 90 ° hybrid having the same structure as the first 90 ° hybrid.
90 ° hybrid, a first diode attenuator circuit connected between the third terminal of the first 90 ° hybrid and the fourth end of the second 90 ° hybrid; A second diode attenuator circuit connected between the fourth terminal of the first 90 ° hybrid and the third terminal of the second 90 ° hybrid, and the first and second diode attenuator circuits. A balanced diode attenuator comprising first and second bias circuits for respectively supplying a bias voltage and a bias supply terminal for receiving a bias voltage supplied from a bias power source to the first and second bias circuits, The first bias circuit is connected to the second terminal of the first 90 ° hybrid or the first diode attenuating circuit, and the second bias circuit is connected to the second bias circuit. A path connects to the second diode attenuator circuit when the first bias circuit is connected to the second terminal of the first 90 ° hybrid, and the first bias circuit connects to the second bias circuit. When connected to one diode attenuator circuit, it is connected to the second terminal of the second 90 ° hybrid, and the first and second bias supply terminals are connected to the first 90 ° hybrid.
Balanced diode attenuator, characterized in that it is arranged on one side of the main signal transmission direction from the ° hybrid to the second 90 ° hybrid.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60256254A JPH0616564B2 (en) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | Balanced diode attenuator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60256254A JPH0616564B2 (en) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | Balanced diode attenuator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62116007A JPS62116007A (en) | 1987-05-27 |
| JPH0616564B2 true JPH0616564B2 (en) | 1994-03-02 |
Family
ID=17290082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60256254A Expired - Lifetime JPH0616564B2 (en) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | Balanced diode attenuator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616564B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088441B2 (en) * | 1987-12-22 | 1996-01-29 | 新日本無線株式会社 | Line switching type phase shifter |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619901U (en) * | 1979-07-24 | 1981-02-21 | ||
| JPS6134746Y2 (en) * | 1979-07-26 | 1986-10-09 | ||
| JPS5797237A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-16 | Nec Corp | Vector modulator |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP60256254A patent/JPH0616564B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62116007A (en) | 1987-05-27 |
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