JPH061751B2 - 電解コンデンサ用陽極材料 - Google Patents
電解コンデンサ用陽極材料Info
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- JPH061751B2 JPH061751B2 JP60154964A JP15496485A JPH061751B2 JP H061751 B2 JPH061751 B2 JP H061751B2 JP 60154964 A JP60154964 A JP 60154964A JP 15496485 A JP15496485 A JP 15496485A JP H061751 B2 JPH061751 B2 JP H061751B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材料に
関する。
関する。
なお、この明細書において、アルミニウムの語は、その
合金を含む意味において用いる。
合金を含む意味において用いる。
従来の技術と発明課題 近時、エレクトロニクス製品の小型化、高性能化に伴っ
て、これに使用される電解コンデンサも小型・高性能化
への要請が強く、そのためにも静電容量の一層の増大を
はかることが強く求められている。
て、これに使用される電解コンデンサも小型・高性能化
への要請が強く、そのためにも静電容量の一層の増大を
はかることが強く求められている。
ところで、アルミニウム電解コンデンサにおける電極材
料の静電容量は、 C=ε・A/t C:静電容量 ε:誘電率 A:表面積 t:誘電体の皮膜厚 で示されるが、誘電体皮膜厚(t)は使用電圧によって
概ね限定されるものであるから、静電容量(C)の増大
は主として誘電率(ε)の増大と、表面積の拡大化によ
って考慮されなければならない。
料の静電容量は、 C=ε・A/t C:静電容量 ε:誘電率 A:表面積 t:誘電体の皮膜厚 で示されるが、誘電体皮膜厚(t)は使用電圧によって
概ね限定されるものであるから、静電容量(C)の増大
は主として誘電率(ε)の増大と、表面積の拡大化によ
って考慮されなければならない。
従来、アルミニウム電解コンデンサ用の陽極材料として
は、高純度アルミニウム箔基材の表面をエッチングして
表面積を拡大したのち、ホウ酸アンモニウム溶液等の中
性水溶液中で陽極酸化処理し、上記基材表面に誘電体と
してのAl2O3皮膜を形成したものが用いられている
が、エッチングによる基材表面膜の拡大は限界にきてお
り、その面からの静電容量の大幅な増大は見込み得ない
状況に至っている。
は、高純度アルミニウム箔基材の表面をエッチングして
表面積を拡大したのち、ホウ酸アンモニウム溶液等の中
性水溶液中で陽極酸化処理し、上記基材表面に誘電体と
してのAl2O3皮膜を形成したものが用いられている
が、エッチングによる基材表面膜の拡大は限界にきてお
り、その面からの静電容量の大幅な増大は見込み得ない
状況に至っている。
このことから、上式に基づき、誘電率の極めて大きな例
えばBaTiO3(比誘電率ε:500〜6000)等
の誘電体皮膜を形成する手段が考えられるが、耐電圧、
リーク電流等の点で実用化され得ない。
えばBaTiO3(比誘電率ε:500〜6000)等
の誘電体皮膜を形成する手段が考えられるが、耐電圧、
リーク電流等の点で実用化され得ない。
一方、アルミニウム箔基材上に、その酸化物がAl2O
3より高い誘電率をもつような金属からなる皮膜を形成
し、これを陽極化成することによって静電容量の増大を
はかることも提案されているが、表面積の拡大という面
から不充分であり、近時要求される静電容量の増大に対
して充分な満足を与えるものではなかった。
3より高い誘電率をもつような金属からなる皮膜を形成
し、これを陽極化成することによって静電容量の増大を
はかることも提案されているが、表面積の拡大という面
から不充分であり、近時要求される静電容量の増大に対
して充分な満足を与えるものではなかった。
この発明は、上記のような従来の技術を踏まえた上で、
拡面率の更なる可及的増大と、誘電率の向上をはかるこ
とにより、両者相俟って、従来品より更に一段と高い静
電容量を有し、コンデンサの小型化、高性能化を実現し
うるアルミニウムコンデンサ用陽極材料を提供すること
を目的とする。
拡面率の更なる可及的増大と、誘電率の向上をはかるこ
とにより、両者相俟って、従来品より更に一段と高い静
電容量を有し、コンデンサの小型化、高性能化を実現し
うるアルミニウムコンデンサ用陽極材料を提供すること
を目的とする。
課題解決のための手段 この発明は、上記の目的において、アルミニウム箔基材
表面を微細にかつ多数のポア(凹部)を有する状態に粗
面化し、その特に微細な凹凸による効果を基材表面に形
成される導電性金属皮膜面に現出せしめるものとするこ
とにより、表面積の充分な拡大化をはかると共に、上記
皮膜を、該皮膜の酸化膜と電解液とが電気的な弁作用を
生ずるような金属、即ち弁金属微粒子によって構成し、
かつ化成処理によって前記凹凸面上の弁金属微粒子皮膜
と前記ポア内の通常は基材アルミニウムが露出している
面とにそれぞれの酸化皮膜を形成せしめるものとするこ
とにより、両酸化皮膜が相俟って静電容量の増大に寄与
するように構成することにより、従来品より一段と優れ
た静電容量を発揮するアルミニウム電解コンデンサ用陽
極材料を提供し得たものである。
表面を微細にかつ多数のポア(凹部)を有する状態に粗
面化し、その特に微細な凹凸による効果を基材表面に形
成される導電性金属皮膜面に現出せしめるものとするこ
とにより、表面積の充分な拡大化をはかると共に、上記
皮膜を、該皮膜の酸化膜と電解液とが電気的な弁作用を
生ずるような金属、即ち弁金属微粒子によって構成し、
かつ化成処理によって前記凹凸面上の弁金属微粒子皮膜
と前記ポア内の通常は基材アルミニウムが露出している
面とにそれぞれの酸化皮膜を形成せしめるものとするこ
とにより、両酸化皮膜が相俟って静電容量の増大に寄与
するように構成することにより、従来品より一段と優れ
た静電容量を発揮するアルミニウム電解コンデンサ用陽
極材料を提供し得たものである。
即ち、この発明の構成は、アルミニウム箔基材の表面
が、微細な凹凸を有し、かつこの微細凹凸面中に、最大
深さ25μm以下、最大内径100μm以下のポアが1
00個/cm2以上の密度で分布する態様に粗面化されて
おり、上記アルミニウム基材の少なくとも前記微細凹凸
面上に、平均粒子径0.01〜1.0μmの弁金属微粒
子からなる厚さ0.05〜5.0μmの金属皮膜が形成
されると共に、上記金属皮膜面上及び前記ポアの内面
に、それぞれの表面の金属による厚さ10〜3000Å
の酸化皮膜が形成されてなることを特徴とする電解コン
デンサ用陽極材料を要旨とするものである。
が、微細な凹凸を有し、かつこの微細凹凸面中に、最大
深さ25μm以下、最大内径100μm以下のポアが1
00個/cm2以上の密度で分布する態様に粗面化されて
おり、上記アルミニウム基材の少なくとも前記微細凹凸
面上に、平均粒子径0.01〜1.0μmの弁金属微粒
子からなる厚さ0.05〜5.0μmの金属皮膜が形成
されると共に、上記金属皮膜面上及び前記ポアの内面
に、それぞれの表面の金属による厚さ10〜3000Å
の酸化皮膜が形成されてなることを特徴とする電解コン
デンサ用陽極材料を要旨とするものである。
この発明において、金属皮膜を構成する弁金属とは、前
記のようにそれを酸化してできた膜と電解液とが電気的
な弁作用を生じ、該膜と電解液との組合わせに整流性を
発現する金属であり、最も一般的にはTi、Ta、A
l、Nbを挙げることができるものであり、その他更に
同様の性質を有するものとしてMg、Zr、Zn、B
i、Si、Hf、TiにBとSnを加えた合金、Tiに
PbとSbを加えた合金、TiにCrとVを加えた合金
等を挙げることができる。
記のようにそれを酸化してできた膜と電解液とが電気的
な弁作用を生じ、該膜と電解液との組合わせに整流性を
発現する金属であり、最も一般的にはTi、Ta、A
l、Nbを挙げることができるものであり、その他更に
同様の性質を有するものとしてMg、Zr、Zn、B
i、Si、Hf、TiにBとSnを加えた合金、Tiに
PbとSbを加えた合金、TiにCrとVを加えた合金
等を挙げることができる。
添附図面の参照のもとに、この発明の構成を更に詳しく
説明すれば次のとおりである。
説明すれば次のとおりである。
アルミニウム箔基材(1)の表面を粗面化して微細な凹
凸(3)を形成するのは、前述のようにその凹凸効果を
基材に形成される弁金属の微粒子からなる金属皮膜
(2)の表面に波及せしめて皮膜の拡面率の向上を助長
するためである。また、基材(1)に多数のポア(4)
を形成するのは、基材の表面積のより一層の拡大化を図
ると共に、電解液のぬれ性の向上を図るためである。こ
のような基材表面の粗面化と、ポア(4)の形成は、エ
ッチング操作によって同時に達成しうる。かかるエッチ
ングは、化学的あるいは電気化学的な湿式エッチング法
のほか、サンドプラスト加工、ヘアライン加工、あるい
はプラズマエッチングのような乾式エッチング法を採用
することも可能である。ポア(4)の断面形状はもとよ
り不定形のものであり、代表的な断面形状としては例え
ば内径が深さにかかわらず略一定な円筒形、開口部の内
径が狭い壷形、あるいは底部から開口部に至るにつれて
内径が広くなっている椀形等が挙げられる。ポア(4)
の寸法は、最大深さ25μm以下、最大内径100μm
以下とすることを必要とする。即ち、最大深さが25μ
mを越え、あるいは又、最大内径が100μmを越える
と、基材(1)に電極材料としての所要の機械的強度を
保持し難いものとなる欠点が派生する。また、ポア
(4)は基材(1)の拡面率増大のうえから、比較的小
径のものを可及的高密度に分布せしめるものとすること
が好ましく、従って、少なくとも、100個/cm2以上
の密度で分布せしめるものとすべきである。100個/
cm2未満の分布密度では、拡面率の増大効果に劣るのみ
ならず、陽極表面へめ電解液のぬれ性に劣るものとな
る。ポア(4)の内面は必ずしも粗面化されたものであ
ることを必要としないが、静電容量の増大化を図るうえ
からは該内面も微細な凹凸粗面に形成される方が望まし
い。なお、この明細書でいう粗面化による微細な凹凸
は、基材表面のポアの部分はもちろん、同表面のうねり
成分等を含まない微視的な凹凸をいうものである。
凸(3)を形成するのは、前述のようにその凹凸効果を
基材に形成される弁金属の微粒子からなる金属皮膜
(2)の表面に波及せしめて皮膜の拡面率の向上を助長
するためである。また、基材(1)に多数のポア(4)
を形成するのは、基材の表面積のより一層の拡大化を図
ると共に、電解液のぬれ性の向上を図るためである。こ
のような基材表面の粗面化と、ポア(4)の形成は、エ
ッチング操作によって同時に達成しうる。かかるエッチ
ングは、化学的あるいは電気化学的な湿式エッチング法
のほか、サンドプラスト加工、ヘアライン加工、あるい
はプラズマエッチングのような乾式エッチング法を採用
することも可能である。ポア(4)の断面形状はもとよ
り不定形のものであり、代表的な断面形状としては例え
ば内径が深さにかかわらず略一定な円筒形、開口部の内
径が狭い壷形、あるいは底部から開口部に至るにつれて
内径が広くなっている椀形等が挙げられる。ポア(4)
の寸法は、最大深さ25μm以下、最大内径100μm
以下とすることを必要とする。即ち、最大深さが25μ
mを越え、あるいは又、最大内径が100μmを越える
と、基材(1)に電極材料としての所要の機械的強度を
保持し難いものとなる欠点が派生する。また、ポア
(4)は基材(1)の拡面率増大のうえから、比較的小
径のものを可及的高密度に分布せしめるものとすること
が好ましく、従って、少なくとも、100個/cm2以上
の密度で分布せしめるものとすべきである。100個/
cm2未満の分布密度では、拡面率の増大効果に劣るのみ
ならず、陽極表面へめ電解液のぬれ性に劣るものとな
る。ポア(4)の内面は必ずしも粗面化されたものであ
ることを必要としないが、静電容量の増大化を図るうえ
からは該内面も微細な凹凸粗面に形成される方が望まし
い。なお、この明細書でいう粗面化による微細な凹凸
は、基材表面のポアの部分はもちろん、同表面のうねり
成分等を含まない微視的な凹凸をいうものである。
基材(1)の表面に被覆形成される導電性の金属皮膜
(2)の材料は、前記弁金属が用いられるものである
が、なかでもTi、Ta、Al、Nb等の金属を用いる
のが一般的であり、特にTiの使用は静電容量の面で、
更にはコンデンサの長寿命化、高信頼性の面からも好ま
しい結果を得ることができる。この弁金属微粒子からな
る金属皮膜(2)は、図面に示すように少なくとも前記
ポア(4)を除く基材(1)の表面部分の全体、即ち微
細な凹凸面(3)の全体に被覆形成されることが必要で
あるが、勿論、同時に前記ポア(4)の内面にも被覆形
成される方が、静電容量の更なる増大を図り得る点で好
ましい。かかる皮膜を構成する弁金属微粒子の平均粒子
径は、拡面率向上の点から0.01〜1.0μmの範囲
とすべきである。即ち、0.01未満では皮膜が平滑化
されて拡大効果に寄与るところが少ないし、また逆に
1.0μmを越えて粗大化しても却って拡面効果に乏し
く静電容量の小さいものとなってしまうからである。ま
た皮膜の厚さは0.05〜5.0μmの範囲とすべきで
ある。0.05μm未満ては、同じく皮膜の粗面化によ
る拡面効果を期待し得ないからであり、逆に5.0μm
を越えても使用弁金属材料の増大、コスト上昇、作業性
の悪化に見合うだけの効果が得られないからである。
(2)の材料は、前記弁金属が用いられるものである
が、なかでもTi、Ta、Al、Nb等の金属を用いる
のが一般的であり、特にTiの使用は静電容量の面で、
更にはコンデンサの長寿命化、高信頼性の面からも好ま
しい結果を得ることができる。この弁金属微粒子からな
る金属皮膜(2)は、図面に示すように少なくとも前記
ポア(4)を除く基材(1)の表面部分の全体、即ち微
細な凹凸面(3)の全体に被覆形成されることが必要で
あるが、勿論、同時に前記ポア(4)の内面にも被覆形
成される方が、静電容量の更なる増大を図り得る点で好
ましい。かかる皮膜を構成する弁金属微粒子の平均粒子
径は、拡面率向上の点から0.01〜1.0μmの範囲
とすべきである。即ち、0.01未満では皮膜が平滑化
されて拡大効果に寄与るところが少ないし、また逆に
1.0μmを越えて粗大化しても却って拡面効果に乏し
く静電容量の小さいものとなってしまうからである。ま
た皮膜の厚さは0.05〜5.0μmの範囲とすべきで
ある。0.05μm未満ては、同じく皮膜の粗面化によ
る拡面効果を期待し得ないからであり、逆に5.0μm
を越えても使用弁金属材料の増大、コスト上昇、作業性
の悪化に見合うだけの効果が得られないからである。
このような微粒子金属皮膜(2)の基材(1)表面への
被覆形成方法としては、真空蒸着法、不活性ガス中蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法を用い
ることができる。なお、このようなチタン皮膜の蒸着形
成処理は、コイル状の基材を巻き取りながら半連続的に
行いうるものである。
被覆形成方法としては、真空蒸着法、不活性ガス中蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法を用い
ることができる。なお、このようなチタン皮膜の蒸着形
成処理は、コイル状の基材を巻き取りながら半連続的に
行いうるものである。
陽極材料の最表面に形成される酸化皮膜(5)(6)
は、弁金属の微粒子からなる前記金属皮膜(2)を形成
した基材(1)の表面を、ホウ酸、ホウ酸アンモニウ
ム、酒石酸アンモニウムなどの中性溶液を用いて陽極化
成することによって行われるものであり、金属皮膜
(2)面上と、金属皮膜を有しないポア(4)内部の基
材アルミニウム表面との両者に、同時にそれぞれの表面
を構成している金属の酸化物として形成されるものであ
る。かかる酸化皮膜(5)(6)は、陽極材料の誘電体
として少なくとも10Å以上に形成することを必要とす
るが、特に低圧用陽極箔としては3000Å以下の厚さ
に形成されることをもって必要かつ充分であり、それ以
上の厚さとすることは事実上無益である。
は、弁金属の微粒子からなる前記金属皮膜(2)を形成
した基材(1)の表面を、ホウ酸、ホウ酸アンモニウ
ム、酒石酸アンモニウムなどの中性溶液を用いて陽極化
成することによって行われるものであり、金属皮膜
(2)面上と、金属皮膜を有しないポア(4)内部の基
材アルミニウム表面との両者に、同時にそれぞれの表面
を構成している金属の酸化物として形成されるものであ
る。かかる酸化皮膜(5)(6)は、陽極材料の誘電体
として少なくとも10Å以上に形成することを必要とす
るが、特に低圧用陽極箔としては3000Å以下の厚さ
に形成されることをもって必要かつ充分であり、それ以
上の厚さとすることは事実上無益である。
発明の効果 この発明に係るアルミニウム電解コンデンサ用陽極材料
は上述のとおり、アルミニウム箔基材の表面が、微細な
凹凸を有し、かつこの微細凹凸面中に、最大深さ25μ
m以下、最大内径100μm以下のポアが100個/cm
2以上の密度で分布する態様に粗面化されており、上記
アルミニウム基材の少なくとも前記微細凹凸面上に、平
均粒子径0.01〜1.0μmの弁金属微粒子からなる
厚さ0.05〜5.0μmの金属皮膜が形成されている
ことにより、該皮膜による表面積拡大効果と相俟って、
従来品に較べ顕著な実効表面積の拡大化をはかることが
でき、ひいては静電容量の拡大に大きく貢献を果しう
る。加えて、上記弁金属微粒子からなる皮膜面上と、ア
ルミニウム箔基材のポア内面とに形成されたそれぞれの
酸化皮膜の両方が、静電容量に寄与するため、弁金属の
選択によってその酸化皮膜の誘電率を高いものとし、単
位面積当りに愈々大きな静電容量を有するものとなすこ
とができる。もとよりこの静電容量はアルミニウム箔基
材の表面を単にエッチングにより粗面化し、陽極化成し
てアルミニウム酸化皮膜を形成した従来の陽極材料に較
べてはるかに高いものであり、従って、電解コンデンサ
の一層の小型化、高性能化をはかることが可能となる。
は上述のとおり、アルミニウム箔基材の表面が、微細な
凹凸を有し、かつこの微細凹凸面中に、最大深さ25μ
m以下、最大内径100μm以下のポアが100個/cm
2以上の密度で分布する態様に粗面化されており、上記
アルミニウム基材の少なくとも前記微細凹凸面上に、平
均粒子径0.01〜1.0μmの弁金属微粒子からなる
厚さ0.05〜5.0μmの金属皮膜が形成されている
ことにより、該皮膜による表面積拡大効果と相俟って、
従来品に較べ顕著な実効表面積の拡大化をはかることが
でき、ひいては静電容量の拡大に大きく貢献を果しう
る。加えて、上記弁金属微粒子からなる皮膜面上と、ア
ルミニウム箔基材のポア内面とに形成されたそれぞれの
酸化皮膜の両方が、静電容量に寄与するため、弁金属の
選択によってその酸化皮膜の誘電率を高いものとし、単
位面積当りに愈々大きな静電容量を有するものとなすこ
とができる。もとよりこの静電容量はアルミニウム箔基
材の表面を単にエッチングにより粗面化し、陽極化成し
てアルミニウム酸化皮膜を形成した従来の陽極材料に較
べてはるかに高いものであり、従って、電解コンデンサ
の一層の小型化、高性能化をはかることが可能となる。
また、表面に多数のポアを有する基材が用いられている
ことにより、陽極表面への電解液のねれ性が一段ど良好
なものとなり、ひいてはコンデンサの耐久性、初期性能
の保持性を向上しうる。
ことにより、陽極表面への電解液のねれ性が一段ど良好
なものとなり、ひいてはコンデンサの耐久性、初期性能
の保持性を向上しうる。
実施例 次に、この発明の実施例を比較例との対比において示
す。
す。
実施例1 厚さ0.1mm、純度99.99%のアルミニウム箔を、
液温60℃の2.5wt%塩酸溶液中に浸漬し、20A/
cm2の電流密度で300秒間交流電解エッチングを施し
た。このエッチング後のアルミニウム箔基材の表面は、
全面的に平均0.5μm以下の微細な凹凸が形成される
と共に、深さ20μm程度、内径30μm程度の多数の
エッチングポアが150個/cm2以上の分布密度に形成
されたものであり、表面拡大率は約50倍程度のもので
あった。次いで、上記エッチング箔基材表面に、5×1
0-3Torrのアルゴンガス中でチタンを蒸発させ、平均粒
子径0.6μmのチタン微粒子による、最大厚さ1.0
μmのチタン蒸着皮膜を形成した。そして更にこの基材
を、液温30℃の10wt%ホウ酸アンモニウム溶液中で
直流10Vを印加して陽極化成を施し、上記のチタン蒸
着皮膜の表面、及びチタンの蒸着されていないポア内の
アルミニウム基材露出面に各々の酸化皮膜を形成した。
液温60℃の2.5wt%塩酸溶液中に浸漬し、20A/
cm2の電流密度で300秒間交流電解エッチングを施し
た。このエッチング後のアルミニウム箔基材の表面は、
全面的に平均0.5μm以下の微細な凹凸が形成される
と共に、深さ20μm程度、内径30μm程度の多数の
エッチングポアが150個/cm2以上の分布密度に形成
されたものであり、表面拡大率は約50倍程度のもので
あった。次いで、上記エッチング箔基材表面に、5×1
0-3Torrのアルゴンガス中でチタンを蒸発させ、平均粒
子径0.6μmのチタン微粒子による、最大厚さ1.0
μmのチタン蒸着皮膜を形成した。そして更にこの基材
を、液温30℃の10wt%ホウ酸アンモニウム溶液中で
直流10Vを印加して陽極化成を施し、上記のチタン蒸
着皮膜の表面、及びチタンの蒸着されていないポア内の
アルミニウム基材露出面に各々の酸化皮膜を形成した。
比較例1 実施例1との対比例として、それと同様のエッチング箔
基材を用い、チタン蒸着皮膜を形成しないことのほかは
実施例1と全く同様にして陽極化成処理を行った。
基材を用い、チタン蒸着皮膜を形成しないことのほかは
実施例1と全く同様にして陽極化成処理を行った。
実施例2 厚さ0.1mm、純度99.99%のアルミニウム箔を液
温60℃の3wt%塩酸水溶液中に浸漬し、化学エッチン
グを施した。このエッチング後の箔基材は、表面に表面
粗さ平均0.5μm以下の微細な凹凸が形成されるとと
もに、深さ10μm程度、内径20μm程度の多数のエ
ッチングポアが100個/cm2以上の分布密度に形成さ
れたものであった。また基材の表面拡大率は約30倍で
あった。次いで、上記エッチング箔基材表面に、2×10
-5Torrの真空度でタンタルを蒸発させ、平均粒子径0.
5μmの微粒子による最大厚さ0.8μmタンタル蒸着
皮膜を形成した。そして更にこの基材を、液温35℃の
5wt%酒石酸アンモニウム溶液中で直流20Vの電圧を
印加して陽極化成し、上記タンタル蒸発皮膜面上及びタ
ンタルの蒸着されていないポア内面のアルミニウム基材
露出面の両表面に各々の酸化皮膜を形成した。
温60℃の3wt%塩酸水溶液中に浸漬し、化学エッチン
グを施した。このエッチング後の箔基材は、表面に表面
粗さ平均0.5μm以下の微細な凹凸が形成されるとと
もに、深さ10μm程度、内径20μm程度の多数のエ
ッチングポアが100個/cm2以上の分布密度に形成さ
れたものであった。また基材の表面拡大率は約30倍で
あった。次いで、上記エッチング箔基材表面に、2×10
-5Torrの真空度でタンタルを蒸発させ、平均粒子径0.
5μmの微粒子による最大厚さ0.8μmタンタル蒸着
皮膜を形成した。そして更にこの基材を、液温35℃の
5wt%酒石酸アンモニウム溶液中で直流20Vの電圧を
印加して陽極化成し、上記タンタル蒸発皮膜面上及びタ
ンタルの蒸着されていないポア内面のアルミニウム基材
露出面の両表面に各々の酸化皮膜を形成した。
比較例2 実施例2との対比例として、それと同じエッチングアル
ミニム箔を用い、タンタル蒸着皮膜を形成しないで実施
例2と同様の陽極化成処理を施した。
ミニム箔を用い、タンタル蒸着皮膜を形成しないで実施
例2と同様の陽極化成処理を施した。
実施例3 厚さ0.1mm、純度99.99%のアルミニウム箔を、
液温60℃の3wt%塩酸水溶液中に浸漬し、20A/5
0cm2の電流密度で300秒間直流電解エッチングを施
した。この基材の表面は微細に粗面化されかつ150個
/cm2以上の分布密度に多数のエッチングポアを有する
ものであり、表面積拡大率は約40倍のものであった。
次いでこの基材表面に1×10-3Torrの真空度のアルゴ
ンガス中でアルミニウムを蒸発させ、平均粒子径0.5
μmの微粒子による最大皮膜厚さ0.5μmのアルミニ
ウム蒸着皮膜を形成した。次にこの基材を液温30℃の
ホウ酸水溶液中で直流50Vの電圧を印加して陽極化成
処理し、アルミニウム蒸着皮膜の表面及びアルミニウム
蒸着皮膜を有しないポア内の基材アルミニウム露出面の
両表面に各々の酸化皮膜を形成した。
液温60℃の3wt%塩酸水溶液中に浸漬し、20A/5
0cm2の電流密度で300秒間直流電解エッチングを施
した。この基材の表面は微細に粗面化されかつ150個
/cm2以上の分布密度に多数のエッチングポアを有する
ものであり、表面積拡大率は約40倍のものであった。
次いでこの基材表面に1×10-3Torrの真空度のアルゴ
ンガス中でアルミニウムを蒸発させ、平均粒子径0.5
μmの微粒子による最大皮膜厚さ0.5μmのアルミニ
ウム蒸着皮膜を形成した。次にこの基材を液温30℃の
ホウ酸水溶液中で直流50Vの電圧を印加して陽極化成
処理し、アルミニウム蒸着皮膜の表面及びアルミニウム
蒸着皮膜を有しないポア内の基材アルミニウム露出面の
両表面に各々の酸化皮膜を形成した。
比較例3 実施例3と対比するもので、それと同じエッチングアル
ミニウム箔基材を用い、アルミニウム蒸着皮膜を形成し
ないで実施例1と同様の陽極化成処理を施した。
ミニウム箔基材を用い、アルミニウム蒸着皮膜を形成し
ないで実施例1と同様の陽極化成処理を施した。
上記実施例1〜3及び比較例1〜3で得られた電解コン
デンサ用陽極材料の各々の試料につき、それらの静電容
量を液温30℃、ホウ酸アルミニウム水溶液中で測定し
た。結果を下記の表の右欄部分に示す。
デンサ用陽極材料の各々の試料につき、それらの静電容
量を液温30℃、ホウ酸アルミニウム水溶液中で測定し
た。結果を下記の表の右欄部分に示す。
上表の結果から明らかなように、この発明による電解コ
ンデンサ用陽極材料は、単にアルミニウム箔基材表面で
エッチングで粗面化したのち陽極化成処理して酸化皮膜
を形成した従来品相当のものに較べ、顕著に優れた静電
容量を有するものであることを確認し得た。
ンデンサ用陽極材料は、単にアルミニウム箔基材表面で
エッチングで粗面化したのち陽極化成処理して酸化皮膜
を形成した従来品相当のものに較べ、顕著に優れた静電
容量を有するものであることを確認し得た。
第1図はこの発明に係る電解コンデンサ用陽極材料の表
面部の構成を示す模式的断面図である。 (1)…基材、(2)…金属皮膜、(3)…微細な凹
凸、(4)…ポア、(5)(6)…酸化皮膜。
面部の構成を示す模式的断面図である。 (1)…基材、(2)…金属皮膜、(3)…微細な凹
凸、(4)…ポア、(5)(6)…酸化皮膜。
Claims (1)
- 【請求項1】アルミニウム箔基材の表面が、微細な凹凸
を有し、かつこの微細凹凸面中に、最大深さ25μm以
下、最大内径100μm以下のポアが100個/cm2以
上の密度で分布する態様に粗面化されており、 上記アルミニウム基材の少なくとも前記微細凹凸面上
に、平均粒子径0.01〜1.0μmの弁金属微粒子か
らなる厚さ0.05〜5.0μmの金属皮膜が形成され
ると共に、 上記金属皮膜面上及び前記ポアの内面に、それぞれの表
面の金属による厚さ10〜3000Åの酸化皮膜が形成
されてなることを特徴とする電解コンデンサ用陽極材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154964A JPH061751B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 電解コンデンサ用陽極材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154964A JPH061751B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 電解コンデンサ用陽極材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215813A JPS6215813A (ja) | 1987-01-24 |
| JPH061751B2 true JPH061751B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=15595752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60154964A Expired - Lifetime JPH061751B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 電解コンデンサ用陽極材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061751B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006013812A1 (ja) * | 2004-08-05 | 2008-05-01 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法およびエッチング用アルミニウム箔 |
| KR101120872B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2012-02-27 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 전극박 및 그 제조 방법과 전해 컨덴서 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63306614A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法 |
| JP2007035902A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
| JP4984031B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2012-07-25 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ用電極材 |
| JP4879040B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-02-15 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP2008166602A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Sachiko Ono | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
| JP4992475B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-08-08 | 富士通株式会社 | キャパシタの製造方法 |
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| JP5104008B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2012-12-19 | 富士通株式会社 | 電解コンデンサ |
| JP5659756B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2015-01-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電極箔とその製造方法およびコンデンサ |
| JP6735510B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-08-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
| CN120660161A (zh) * | 2023-01-30 | 2025-09-16 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器用电极箔、电解电容器以及电解电容器用电极箔的制造方法 |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| DE2758155A1 (de) * | 1977-12-27 | 1979-06-28 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung eines elektrolytkondensators |
| JPS55145335A (en) * | 1979-04-28 | 1980-11-12 | Nichicon Capacitor Ltd | Method of fabricating electrode foil for electrolytic condenser |
| JPS5683921A (en) * | 1979-12-13 | 1981-07-08 | Showa Aluminium Co Ltd | Aluminum foil for electrolytic condenser and method of manufacturing same |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60154964A patent/JPH061751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006013812A1 (ja) * | 2004-08-05 | 2008-05-01 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法およびエッチング用アルミニウム箔 |
| KR101120872B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2012-02-27 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 전극박 및 그 제조 방법과 전해 컨덴서 |
| US8213159B2 (en) | 2007-04-20 | 2012-07-03 | Fujitsu Limited | Electrode foil, method of manufacturing electrode foil, and electrolytic capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6215813A (ja) | 1987-01-24 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |