JPH0622092B2 - Substrate type thermal fuse and manufacturing method thereof - Google Patents
Substrate type thermal fuse and manufacturing method thereofInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、基板型温度ヒューズ及びその製造方法に関
し、更に詳しくは超極薄のアルミナ基板を使用すること
により迅速に作動する、即ち応答速度が速いと共に、小
型化かつ薄型化した基板型温度ヒューズ及びその製造方
法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate type thermal fuse and a method of manufacturing the same, and more particularly, it uses a super-thin alumina substrate for quick operation, that is, response speed. The present invention relates to a substrate-type thermal fuse that is fast, compact and thin, and a method for manufacturing the same.
[従来の技術] 基板型温度ヒューズは、電気機器の過電流により発生す
る熱又は異常に発生した熱等により電気機器を損傷する
のを防止するために、電気機器に設置されるものである
が、従来の基板型温度ヒューズは、一般に絶縁基板に設
けられた電極間に低融点金属体を設け、この上にフラッ
クス層を設けた後、全面に樹脂の被覆層を設けたもので
ある。[Prior Art] A substrate type thermal fuse is installed in an electric device in order to prevent damage to the electric device due to heat generated by overcurrent of the electric device or abnormally generated heat. In the conventional substrate type thermal fuse, a low melting point metal body is generally provided between electrodes provided on an insulating substrate, a flux layer is provided thereon, and then a resin coating layer is provided on the entire surface.
この基板型温度ヒューズは、電気機器の発生熱によって
フラックス層は溶融しており、更に機器が過熱状態にな
ると、その熱により低融点金属体が溶断する。In this substrate type thermal fuse, the flux layer is melted by the heat generated by the electric device, and when the device is overheated, the low melting point metal body is melted by the heat.
このような基板型温度ヒューズは、種々開発されている
が、例えば実開昭63−106040号の明細書には、
低融点金属のヒューズエレメントをセラミック基板上に
設け、その上に硬化樹脂層を設けた温度ヒューズにおい
て、セラミック基板の厚みを0.3〜1.5mm とする
ことにより基板型温度ヒューズの作動迅速性を向上させ
ることができることが記載されている。Various types of such substrate type thermal fuses have been developed. For example, in the specification of Japanese Utility Model Laid-Open No. 63-106040,
In a thermal fuse in which a fuse element made of a low melting point metal is provided on a ceramic substrate and a cured resin layer is provided thereon, the operating speed of the substrate type thermal fuse can be improved by setting the thickness of the ceramic substrate to 0.3 to 1.5 mm. It is described that the above can be improved.
またフラックス上に設けられる樹脂層は、二重構造とな
っており、フラックスに接する側の樹脂は、フラックス
に対して耐腐食性を有するものからなっている。The resin layer provided on the flux has a double structure, and the resin on the side in contact with the flux is made of a material having corrosion resistance to the flux.
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、前記の明細書に開示された基板型温度ヒ
ューズは、低融点金属体を被覆する絶縁層が樹脂からな
るために、特に外部から受ける熱が、この樹脂層からは
十分伝達されず、したがって熱が低融点金属体へ伝幡す
る主経路はセラミック基板側になる。しかし、このセラ
ミック基板もその厚さが0.3〜1.5mm と厚いた
め、熱の伝搬に時間がかかり、その応答が遅くなり最近
の高機能化した電気機器には十分対応することができな
いという問題がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the substrate-type thermal fuse disclosed in the above specification, since the insulating layer covering the low-melting-point metal body is made of resin, heat received from the outside is The heat is not sufficiently transferred from the resin layer, and therefore the main path through which heat is transferred to the low melting point metal body is the ceramic substrate side. However, since this ceramic substrate also has a large thickness of 0.3 to 1.5 mm, it takes a long time to propagate heat and its response becomes slow, so that it cannot be sufficiently applied to recent highly functional electric devices. There is a problem.
またフラックス上に設けられる樹脂層が、二重構造とな
っている場合は、厚さが厚く熱の伝搬が不十分であるば
かりでなく、薄型化できないという問題があり、更に樹
脂層であるため耐熱性、耐燃性に問題がある。In addition, when the resin layer provided on the flux has a double structure, there is a problem that not only the thickness is thick and the heat transfer is insufficient but also the thickness cannot be reduced. There is a problem with heat resistance and flame resistance.
そこで、本発明者は、前記の問題点に鑑みて、種々研究
を続けた結果、超極薄のアルミナ基板を使用すると共に
それを使用した製造方法によって、前記の問題点が解決
されることを見出し、本発明はこれに基づいて発明され
たものである。Therefore, in view of the above problems, the present inventor has conducted various researches, and as a result of using a super-thin alumina substrate and a manufacturing method using the same, the above problems can be solved. Heading, the present invention was invented based on this.
したがって、本発明の第1の目的は、熱の伝搬経路が限
定されることなく、また熱の伝搬経路の短い、したがっ
て応答速度に優れた小型化かつ薄型化し、更に耐熱性及
び耐燃性の優れた基板型温度ヒューズを提供することに
ある。Therefore, a first object of the present invention is that the heat propagation path is not limited, and the heat propagation path is short, and therefore the response speed is excellent, and the size and thickness are reduced, and the heat resistance and the flame resistance are excellent. Another object is to provide a substrate type thermal fuse.
また本発明の第2の目的は、アルミナ基板を使用して簡
単に形成できる、応答速度に優れた小型化かつ薄型化し
た基板型温度ヒューズの製造方法を提供することにあ
る。A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing a miniaturized and thin substrate type thermal fuse which has an excellent response speed and can be easily formed by using an alumina substrate.
[問題点を解決するための手段] したがって、本発明の前記目的は、 1)重ねられた3枚のアルミナ基板からなり、中央部の
アルミナ基板は欠除部を有する枠基板であり、この欠除
部からなる中空部には電極間が低融点金属体で接続され
ている1対の電極を有するものである基板型温度ヒュー
ズにおいて、前記3枚のアルミナ基板が共に0.05m
m〜0.2mmの厚さでかつ緻密な構造を有するもので
あることを特徴とする基板型温度ヒューズ。[Means for Solving the Problems] Therefore, the above-mentioned objects of the present invention are as follows: 1) It is composed of three stacked alumina substrates, and the central alumina substrate is a frame substrate having a cutout portion. In a substrate type thermal fuse having a pair of electrodes in which the electrodes are connected by a low melting point metal body in the hollow portion formed by the removed portion, the three alumina substrates are both 0.05 m
A substrate-type thermal fuse having a thickness of m to 0.2 mm and a dense structure.
2)請求項1記載の欠除部は、フラックスにより充填さ
れていることを特徴とする基板型温度ヒューズ。2) A substrate type thermal fuse, wherein the cutout portion according to claim 1 is filled with flux.
3)0.05mm〜0.2mmの厚さでかつ緻密な構造
を有するアルミナ基板を3枚用意し、このうち1枚目の
アルミナ基板を用いて作成された電極間を低融点金属体
で接続した電極を有する電極基板を形成し、ついで2枚
目のアルミナ基板を前記低融点金属体の周囲に渡って欠
除部が形成されるようにレーザーにより切除して欠除部
を有する枠基板を形成し、この枠基板を前記電極基板上
に重ね、更に3枚目のアルミナ基板を前記枠基板上に重
ね、これら電極基板、枠基板及び蓋基板を順次又は同時
に接着することを特徴とする基板型温度ヒューズの製造
方法によって達成される。3) Prepare three alumina substrates having a dense structure with a thickness of 0.05 mm to 0.2 mm, and connect electrodes made by using the first alumina substrate among them with a low melting point metal body. Forming an electrode substrate having electrodes, and then cutting the second alumina substrate with a laser so as to form a cutout portion around the low melting point metal body to form a frame substrate having a cutout portion. A substrate characterized by being formed, stacking this frame substrate on the electrode substrate, further stacking a third alumina substrate on the frame substrate, and adhering these electrode substrate, frame substrate and lid substrate sequentially or simultaneously. This is achieved by a method of manufacturing a mold thermal fuse.
[発明の具体的な説明] 次に本発明を更に具体的に説明する。[Detailed Description of the Invention] Next, the present invention will be described more specifically.
本発明において、「極めて薄く」、「超極薄」とは、通
常この技術分野において用いられる基板よりもずっと薄
く、0.05mm〜0.2mmの厚さで、しかも強度の大きいもの
を意味する。In the present invention, "extremely thin" and "ultra-ultra-thin" mean a material that is much thinner than a substrate usually used in this technical field, has a thickness of 0.05 mm to 0.2 mm, and has high strength.
本発明に用いられる電極が形成される基板としては、超
極薄かつ緻密な構造を有するアルミナ基板が好ましく、
例えばゾルーゲル法によって製造されるアルミナセラミ
ックを意味しており、得られたアルミナ基板は、厚さが
0.05mm〜0.2mm 、好ましくは0.1mm 〜0.2mm の96%ア
ルミナ基板及び99%アルミナ基板を含むものである。The substrate on which the electrode used in the present invention is formed is preferably an alumina substrate having an ultrathin and dense structure,
For example, it means an alumina ceramic produced by the sol-gel method, and the obtained alumina substrate has a thickness of
It includes a 96% alumina substrate and a 99% alumina substrate of 0.05 mm to 0.2 mm, preferably 0.1 mm to 0.2 mm.
本発明に用いられる電極には、銅、金、銀、白金、パラ
ジウム、ニッケル、タングステン等の通常この技術分野
で用いられる金属が挙げられ、使用目的に合わせて適宜
選択される。The electrodes used in the present invention include metals usually used in this technical field such as copper, gold, silver, platinum, palladium, nickel and tungsten, and are appropriately selected according to the purpose of use.
またこれらの金属は、導体ペーストとしてスクリーン印
刷するか、エッチング技術を用いて腐食液によるエッチ
ング又はスパッタエッチング、更には金属蒸着等の電極
形成技術によって形成される。In addition, these metals are formed by screen printing as a conductor paste, etching by a corrosive solution using an etching technique, or sputter etching, and an electrode forming technique such as metal vapor deposition.
電極には、低融点金属体が接続されるが、この接続に
は、溶接、半田付け等が用いられる。A low melting point metal body is connected to the electrodes, and welding, soldering, or the like is used for this connection.
またこの低融点金属体としては、銀、銅、錫、鉛等の単
体或はこれらの合金が使用される。Further, as the low melting point metal body, a simple substance of silver, copper, tin, lead or the like or an alloy thereof is used.
本発明に用いられるアルミナ基板の中空部の形成は、成
形又はレーザーによる切除等の方法により製造される。
またこの中空部の形状は、低融点金属体の形状にも関係
するが、一般には任意の形状が用いられ、好ましくは方
形または円形がよく、更に好ましくは楕円形がよい。The hollow part of the alumina substrate used in the present invention is formed by a method such as molding or laser cutting.
The shape of the hollow portion is also related to the shape of the low melting point metal body, but in general, any shape is used, preferably rectangular or circular, more preferably oval.
この中空部には、フラックスが充填されていても、充填
されていなくてもよいが、好ましくはフラックスが充填
されていた方がよく、この場合には、好ましいフラック
スとしては、ロジン、活性ロジン等のロジン誘導体を含
む樹脂系フラックス、またステアリン酸、オレイン酸
等、塩酸アニリン等の有機ハロゲン化合物等の有機酸系
フラックス、更に塩酸等の酸、塩化亜鉛等の塩等の無機
酸系フラックスが用いられるが、好ましくは樹脂系及び
有機酸系フラックスである。The hollow portion may or may not be filled with a flux, but it is preferable that the hollow portion is filled with a flux. In this case, preferable fluxes include rosin and active rosin. Resin flux containing rosin derivative, organic acid flux such as stearic acid, oleic acid, organic halogen compound such as aniline hydrochloride, inorganic acid flux such as acid such as hydrochloric acid and salt such as zinc chloride are used. However, resin-based and organic acid-based fluxes are preferable.
本発明に用いられる基板型温度ヒューズは、超極薄かつ
緻密な構造を有するアルミナ基板上に少なくとも1対の
電極を前述の導体形成技術を用いて形成し、ついでこの
電極間に前記低融点金属体を接続することにより形成さ
れる。次に別のアルミナ基板の、前記電極部に相当する
部分を欠除して枠体を形成する。これを前記の電極を有
する基板に重ねて接着剤で接着し、更にこの上に封止す
るための超極薄かつ緻密な構造を有するアルミナ基板か
らなる蓋を重ねて接着する。この場合接着剤としては、
耐熱性接着剤が用いられる。In the substrate type thermal fuse used in the present invention, at least one pair of electrodes is formed on the alumina substrate having an ultrathin and dense structure by using the above-mentioned conductor forming technique, and then the low melting point metal is provided between the electrodes. Formed by connecting the bodies. Next, a frame body is formed by removing a portion of another alumina substrate corresponding to the electrode portion. This is laminated on the substrate having the above electrode and bonded with an adhesive, and further a lid made of an alumina substrate having an ultrathin and dense structure for sealing is laminated and bonded thereon. In this case, as the adhesive,
A heat resistant adhesive is used.
好ましい耐熱性接着剤は、ガラス等の無機系、ポリイミ
ド系、ポリアミドイミド系あるいはポリベンズイミダゾ
ール系等の有機系の接着剤が挙げられる。Examples of preferable heat-resistant adhesives include inorganic adhesives such as glass, organic adhesives such as polyimide-based, polyamideimide-based, and polybenzimidazole-based adhesives.
接着はこれらアルミナ基板、枠体及び蓋を順次接着して
も良く、また同時に接着してもよい。For the adhesion, the alumina substrate, the frame and the lid may be sequentially adhered, or may be adhered simultaneously.
[実施例] 以下、実施例を示して本発明を更に具体的に説明する
が、これは本発明の一実施態様であり、本発明は、この
例に限定されない。[Examples] Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but this is one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to these examples.
第1図は、本発明の基板型温度ヒューズの構成を示す平
面図である。FIG. 1 is a plan view showing the structure of the substrate type thermal fuse of the present invention.
第2図は、第1図のI−I′によって切断された部分を
示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a portion cut by II 'in FIG.
第1図及び第2図において、電極基板1には、熱伝導性
の良好なゾル−ゲ法によって製造された、厚さが0.2
mmアルミナ基板13を使用し、このアルミナ基板13
上に一対の電極3、3を有し、これらの電極にはリード
端子4、4が設けられている。この電極は、導電性ペー
ストを用いてスクリーン印刷する。このようにして得ら
れた電極間に低融点金属体2を溶接して電極基板1とす
る。この低融点金属体2はAg−Cu合金が用いられ、
ヒューズエレメントとして動作するもので、いわゆる高
温で溶融して切断される。前記の低融点金属体2をフラ
ックス6で被覆した後、同じく厚さ0.2mmのアルミ
ナ基板をレーザーによりくり抜いて枠5を形成し、この
枠5を有する枠基板12を重ね、その上に同じく厚さ
0.2mmのアルミナ基板からなる蓋11を重ねる。こ
の枠基板12の枠5内には低融点金属体2を覆ってフラ
ックス6(第1図の点線内)が充填されているが、別の
方法ではこのフラックス6は、低融点金属体2に位置し
て枠基板12を設けた後、その中へ充填してもよい。In FIGS. 1 and 2, the electrode substrate 1 has a thickness of 0.2, which is manufactured by the sol-ge method having good thermal conductivity.
mm alumina substrate 13 is used.
There is a pair of electrodes 3 and 3 on the top, and lead terminals 4 and 4 are provided on these electrodes. This electrode is screen printed using a conductive paste. The low melting point metal body 2 is welded between the electrodes thus obtained to form the electrode substrate 1. An Ag-Cu alloy is used for the low melting point metal body 2,
It operates as a fuse element and is melted and cut at a so-called high temperature. After coating the low melting point metal body 2 with the flux 6, an alumina substrate having a thickness of 0.2 mm is also cut out by a laser to form a frame 5, and a frame substrate 12 having this frame 5 is superposed on the frame substrate 12. A lid 11 made of an alumina substrate having a thickness of 0.2 mm is overlaid. The frame 5 of the frame substrate 12 is filled with a flux 6 (indicated by a dotted line in FIG. 1) so as to cover the low melting point metal body 2. However, in another method, the flux 6 is applied to the low melting point metal body 2. After the frame substrate 12 is positioned and provided, it may be filled therein.
ついで、これらの電極基板、枠基板、蓋基板は、それぞ
れ耐熱性接着剤として低融点ガラスを用いて接着する。Then, the electrode substrate, the frame substrate, and the lid substrate are bonded together by using low-melting glass as a heat-resistant adhesive.
以上のように形成された基板型温度ヒューズは、電気機
器全般に使用される電子部品を保護するため使用され、
例えば半導体素子の保護、パワーモジュールの爆発に対
するの保護、MOS-FET の保護、その他トランジスタ等の
電子部品の保護が挙げられる。The board-type thermal fuse formed as described above is used to protect electronic components used in electrical equipment in general,
Examples include protection of semiconductor devices, protection against power module explosions, protection of MOS-FETs, and protection of other electronic components such as transistors.
[発明の効果] 以上述べた説明から明らかなように、本発明において
は、基板型温度ヒューズを超極薄のアルミナ基板を使用
したので、熱の伝搬経路が限定されることなく、熱の伝
幡経路の短いしかも強度の大きい、したがって応答速度
に優れた小型化かつ薄型化し、更に耐熱性及び耐燃性の
優れた基板型温度ヒューズが得られる。[Effects of the Invention] As apparent from the above description, in the present invention, since the substrate type thermal fuse uses the ultra-thin alumina substrate, the heat transfer path is not limited and the heat transfer is not limited. It is possible to obtain a substrate type thermal fuse having a short length and a large strength, a small size and a thin shape, which is excellent in response speed, and further excellent in heat resistance and flame resistance.
また1種類の、しかも超極薄のアルミナ基板を使用して
製造したので、応答速度に優れた小型化かつ薄型化した
基板型温度ヒューズを簡単に製造できるという優れた効
果を有する。Further, since it is manufactured by using one kind of ultra-thin alumina substrate, it has an excellent effect that a miniaturized and thinned substrate type thermal fuse excellent in response speed can be easily manufactured.
第1図は、本発明の基板型温度ヒューズの平面図であ
る。 第2図は、第1図の基板型温度ヒューズのI−I′によ
って切断された部分を示す断面図である。 符号の説明 1……電極基板 11……超極薄のアルミナ基板(蓋) 12……枠基板 13……超極薄のアルミナ基板(支持基板) 2……低融点金属体(ヒューズエレメント) 3、3……電極 4、4……端子 5……枠 6……フラックスFIG. 1 is a plan view of a substrate type thermal fuse of the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing a portion of the substrate type thermal fuse of FIG. 1 cut by I-I '. Explanation of reference numerals 1 ... Electrode substrate 11 ... Ultra-thin alumina substrate (lid) 12 ... Frame substrate 13 ... Ultra-thin alumina substrate (supporting substrate) 2 ... Low melting point metal body (fuse element) 3 3 ... Electrode 4, 4 ... Terminal 5 ... Frame 6 ... Flux
Claims (3)
中央部のアルミナ基板は欠除部を有する枠基板であり、
この欠除部からなる中空部には電極間が低融点金属体で
接続されている1対の電極を有するものである基板型温
度ヒューズにおいて、前記3枚のアルミナ基板が共に
0.05mm〜0.2mmの厚さでかつ緻密な構造を有
するものであることを特徴とする基板型温度ヒューズ。1. A stack of three alumina substrates,
The alumina substrate at the center is a frame substrate having a cutout portion,
In a substrate type thermal fuse having a pair of electrodes whose electrodes are connected by a low melting point metal body in a hollow portion formed by the cutout portion, both of the three alumina substrates are 0.05 mm to 0 mm. A substrate type thermal fuse having a thickness of 2 mm and a dense structure.
り充填されていることを特徴とする基板型温度ヒュー
ズ。2. A substrate type thermal fuse, wherein the cutout portion according to claim 1 is filled with flux.
密な構造を有するアルミナ基板を3枚用意し、このうち
1枚目のアルミナ基板を用いて作成された電極間を低融
点金属体で接続した電極を有する電極基板を形成し、つ
いで2枚目のアルミナ基板を前記低融点金属体の周囲に
渡って欠除部が形成されるようにレーザーにより切除し
て欠除部を有する枠基板を形成し、この枠基板を前記電
極基板上に重ね、更に3枚目のアルミナ基板を前記枠基
板上に重ね、これら電極基板、枠基板及び蓋基板を順次
又は同時に接着することを特徴とする基板型温度ヒュー
ズの製造方法。3. An alumina substrate having a dense structure with a thickness of 0.05 mm to 0.2 mm is prepared, and a low melting point metal is formed between electrodes formed by using the first alumina substrate among them. An electrode substrate having electrodes connected by a body is formed, and then a second alumina substrate is cut with a laser so as to form a cutout portion around the low melting point metal body and has a cutout portion. A frame substrate is formed, the frame substrate is stacked on the electrode substrate, a third alumina substrate is stacked on the frame substrate, and the electrode substrate, the frame substrate and the lid substrate are sequentially or simultaneously bonded. A method of manufacturing a substrate type thermal fuse.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1066942A JPH0622092B2 (en) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | Substrate type thermal fuse and manufacturing method thereof |
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| JP1066942A JPH0622092B2 (en) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | Substrate type thermal fuse and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244530A JPH02244530A (en) | 1990-09-28 |
| JPH0622092B2 true JPH0622092B2 (en) | 1994-03-23 |
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| JP1066942A Expired - Lifetime JPH0622092B2 (en) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | Substrate type thermal fuse and manufacturing method thereof |
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