JPH0623913B2 - 泳動式像形成方法 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
- G03G13/22—Processes involving a combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
-
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- G03G17/00—Electrographic processes using patterns other than charge patterns, e.g. an electric conductivity pattern; Processes involving a migration, e.g. photoelectrophoresis, photoelectrosolography; Processes involving a selective transfer, e.g. electrophoto-adhesive processes; Apparatus essentially involving a single such process
- G03G17/10—Electrographic processes using patterns other than charge patterns, e.g. an electric conductivity pattern; Processes involving a migration, e.g. photoelectrophoresis, photoelectrosolography; Processes involving a selective transfer, e.g. electrophoto-adhesive processes; Apparatus essentially involving a single such process using migration imaging, e.g. photoelectrosolography
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は一般に泳動式像形成に関し、さらに詳細には改
善された泳動式像形成方法に関する。
善された泳動式像形成方法に関する。
高い光学濃度、連続階調および高解像力を有する高品質
の像を生成できる泳動式像形成系（migration imagin s
ystems）が開発されている。このような泳動式像形成系
は、たとえば１９７５年９月３０日付で発行された米国
特許第３,９０９,２６２号および１９７６年８月１７日
付で発行された米国特許第３,９７５,１９５号に記載さ
れており、これらの両特許の記載の全部をここに組入れ
る。泳動式像形成系の代表的態様では、基体、軟化可能
物質の層および感光性マーク形成物質を含む像形成要素
に、この要素を電気的に帯電させ、次いで帯電要素を光
のような活性電磁照射のパターンに露光することにより
潜像が形成される。感光性マーク形成物質が軟化可能層
の上方表面に隣接して、崩壊性層の形で始めに存在する
場合には、要素の露光領域のマーク形成粒がこの要素を
軟化可能層の軟化により現像した場合に基体に向つて深
さ方向で泳動する。
の像を生成できる泳動式像形成系（migration imagin s
ystems）が開発されている。このような泳動式像形成系
は、たとえば１９７５年９月３０日付で発行された米国
特許第３,９０９,２６２号および１９７６年８月１７日
付で発行された米国特許第３,９７５,１９５号に記載さ
れており、これらの両特許の記載の全部をここに組入れ
る。泳動式像形成系の代表的態様では、基体、軟化可能
物質の層および感光性マーク形成物質を含む像形成要素
に、この要素を電気的に帯電させ、次いで帯電要素を光
のような活性電磁照射のパターンに露光することにより
潜像が形成される。感光性マーク形成物質が軟化可能層
の上方表面に隣接して、崩壊性層の形で始めに存在する
場合には、要素の露光領域のマーク形成粒がこの要素を
軟化可能層の軟化により現像した場合に基体に向つて深
さ方向で泳動する。
本明細書で使用するかぎり、「軟化可能」なる用語はさ
らに透過性にすることができて、それにより粒子をその
塊から泳動させることができるいずれかの物質を意味す
るものとする。通常、このような物質の透過性を変える
かまたはその泳動性マーク形成物質の泳動耐性を減じる
には、たとえば熱、蒸気、部分的溶剤、溶剤蒸気、溶剤
およびこれらの組合せと接触させるような技法による
か、またはいずれか適当な手段により軟化可能物質の粘
度を減じるために溶解、膨潤、溶融または軟化させる手
段が用いられる。
らに透過性にすることができて、それにより粒子をその
塊から泳動させることができるいずれかの物質を意味す
るものとする。通常、このような物質の透過性を変える
かまたはその泳動性マーク形成物質の泳動耐性を減じる
には、たとえば熱、蒸気、部分的溶剤、溶剤蒸気、溶剤
およびこれらの組合せと接触させるような技法による
か、またはいずれか適当な手段により軟化可能物質の粘
度を減じるために溶解、膨潤、溶融または軟化させる手
段が用いられる。
本明細書で使用するかぎり、「崩壊性」層なる用語は現
像期間中に破壊でき、これによりこの層の一部分を基体
に向つて泳動させることができるかまたは別の方式で除
去できるようになるいずれかの層または物質を意味する
ものとする。崩壊性層は本発明の泳動式像形成要素の種
々の態様において粒状であると好ましい。このようなマ
ーク形成物質の崩壊性層は典型的には軟化可能層の基体
から離れている方の表面に隣接しており、このような崩
壊性層は本発明の像形成要素の種々の態様では軟化可能
層中に変質的にまたは全体的に埋め込まれていることが
できる。
像期間中に破壊でき、これによりこの層の一部分を基体
に向つて泳動させることができるかまたは別の方式で除
去できるようになるいずれかの層または物質を意味する
ものとする。崩壊性層は本発明の泳動式像形成要素の種
々の態様において粒状であると好ましい。このようなマ
ーク形成物質の崩壊性層は典型的には軟化可能層の基体
から離れている方の表面に隣接しており、このような崩
壊性層は本発明の像形成要素の種々の態様では軟化可能
層中に変質的にまたは全体的に埋め込まれていることが
できる。
本明細書で使用するかぎり、「隣接する」なる用語は実
際に接触している、触れているおよびまた接触していな
いが近くにある、およびまた隣り合つていることを意味
するものとし、一般に軟化可能層の基体から離れている
方の表面と軟化可能層内のマーク形成物質の崩壊性層と
が向い合つた関係にあることを示すために用いられてい
る。
際に接触している、触れているおよびまた接触していな
いが近くにある、およびまた隣り合つていることを意味
するものとし、一般に軟化可能層の基体から離れている
方の表面と軟化可能層内のマーク形成物質の崩壊性層と
が向い合つた関係にあることを示すために用いられてい
る。
本明細書で使用するかぎり、「保留標示」（“sign ret
ained”）なる用語は泳動式像形成要素上に形成された
像の暗い（光学濃度が高い方の）領域と明るい（光学濃
度が低い方の）領域とがオリジナル上の像の暗い領域と
明るい領域とに相当することを意味するものとする。
ained”）なる用語は泳動式像形成要素上に形成された
像の暗い（光学濃度が高い方の）領域と明るい（光学濃
度が低い方の）領域とがオリジナル上の像の暗い領域と
明るい領域とに相当することを意味するものとする。
本明細書で使用するかぎり、「反転標示」（“sign rev
ersed”）なる用語は泳動式像形成要素上に形成された
像の暗い領域がオリジナル上の像の明るい領域に相当
し、そして泳動式像形成要素上に形成された像の明るい
領域がオリジナル上の像の暗い領域に相当することを意
味するものとする。
ersed”）なる用語は泳動式像形成要素上に形成された
像の暗い領域がオリジナル上の像の明るい領域に相当
し、そして泳動式像形成要素上に形成された像の明るい
領域がオリジナル上の像の暗い領域に相当することを意
味するものとする。
本明細書で使用するかぎり、「コントラスト濃度」なる
用語は像の最大光学濃度（Ｄmax）と最小光学濃度（Ｄ
min）との間の差を意味するものとする。光学濃度は青
色Wratten No.９４フイルターを具備する拡散濃度計に
より本発明の目的に応じて測定する。本明細書で使用す
るかぎり、「光学濃度）なる用語は「透過光学濃度」を
意味するものとし、式 log10〔lo／ｌ〕 （ここでｌは透過した光の強度であり、そしてｌｏは入
射光の強度である）で示される。コントラスト濃度は本
発明において拡散濃度計で測定されているが、鏡面濃度
計による測定系が実質的に同様の結果を示すことに留意
すべきである。
用語は像の最大光学濃度（Ｄmax）と最小光学濃度（Ｄ
min）との間の差を意味するものとする。光学濃度は青
色Wratten No.９４フイルターを具備する拡散濃度計に
より本発明の目的に応じて測定する。本明細書で使用す
るかぎり、「光学濃度）なる用語は「透過光学濃度」を
意味するものとし、式 log10〔lo／ｌ〕 （ここでｌは透過した光の強度であり、そしてｌｏは入
射光の強度である）で示される。コントラスト濃度は本
発明において拡散濃度計で測定されているが、鏡面濃度
計による測定系が実質的に同様の結果を示すことに留意
すべきである。
前記で引用した特許に記載されているように、非感光性
または不活性マーク形成物質が前記の崩壊性層に配置さ
れているか、または軟化可能層全体に分散されている像
形成用の種々のその他の系が存在する。これらの特許は
また泳動像形成要素上に潜像を形成するために使用でき
る種々の方法を記載している。
または不活性マーク形成物質が前記の崩壊性層に配置さ
れているか、または軟化可能層全体に分散されている像
形成用の種々のその他の系が存在する。これらの特許は
また泳動像形成要素上に潜像を形成するために使用でき
る種々の方法を記載している。
新規な泳動式像形成系における潜像を現像するためには
種々の手段が使用できる。これらの現像方法は溶剤洗
出、溶剤蒸気軟化、熱軟化およびこれらの方法の組合せ
を包含し、さらにまた粒状マーク形成物質が軟化可能層
を通つて泳動して、粒子の基体に向う深さ方向への像様
泳動を可能にする軟化可能層の粒子泳動に対する抵抗性
を変化させるその他のいずれかの手段を包含する。溶剤
洗出または凹凸現像法では、光の当つた領域の泳動性像
形成物質が軟化可能層を通つて基体に向つて泳動する。
この際に軟化可能層は軟化し、溶解し、次いで多少単層
状態に再充填される。この露光領域は未処理フイルムの
初期光学濃度と同じ高さであることができる最大光学濃
度を示す。他方、未露光領域の泳動性マーク形成物質は
実質的に洗出され、この領域は基体だけの光学濃度に基
本的に相当する最小光学濃度を示す。従つて、現像され
た像の像形式は反転標示、すなわちネガに対してポジで
あるかまたはポジに対してネガである。このような未定
着泳動像を定着させるために、種々の方法および材料並
びにその組合せが従来から使用されている。熱または蒸
気軟化による現像方式では、光に当つた領域の泳動性マ
ーク形成物質が現像後に軟化可能層の深さ方向に拡散
し、この領域は代表的には０．６〜０．７の範囲にある
Ｄmin を示す。この比較的高いＤmin 値はその他の未変
化の泳動性マーク形成物質が深さ方向に拡散することに
直接によるものである。他方、未露光領域の流動性マー
ク形成物質は泳動せず、元の位置、すなわち単層のまま
実質的に残留する。従つて、この領域は最大光学濃度
（Ｄmax ）を示す。従つて、熱または蒸気現象による像
形式は保留標示、すなわちポジ対ポジまたはネガ対ネガ
である。
種々の手段が使用できる。これらの現像方法は溶剤洗
出、溶剤蒸気軟化、熱軟化およびこれらの方法の組合せ
を包含し、さらにまた粒状マーク形成物質が軟化可能層
を通つて泳動して、粒子の基体に向う深さ方向への像様
泳動を可能にする軟化可能層の粒子泳動に対する抵抗性
を変化させるその他のいずれかの手段を包含する。溶剤
洗出または凹凸現像法では、光の当つた領域の泳動性像
形成物質が軟化可能層を通つて基体に向つて泳動する。
この際に軟化可能層は軟化し、溶解し、次いで多少単層
状態に再充填される。この露光領域は未処理フイルムの
初期光学濃度と同じ高さであることができる最大光学濃
度を示す。他方、未露光領域の泳動性マーク形成物質は
実質的に洗出され、この領域は基体だけの光学濃度に基
本的に相当する最小光学濃度を示す。従つて、現像され
た像の像形式は反転標示、すなわちネガに対してポジで
あるかまたはポジに対してネガである。このような未定
着泳動像を定着させるために、種々の方法および材料並
びにその組合せが従来から使用されている。熱または蒸
気軟化による現像方式では、光に当つた領域の泳動性マ
ーク形成物質が現像後に軟化可能層の深さ方向に拡散
し、この領域は代表的には０．６〜０．７の範囲にある
Ｄmin を示す。この比較的高いＤmin 値はその他の未変
化の泳動性マーク形成物質が深さ方向に拡散することに
直接によるものである。他方、未露光領域の流動性マー
ク形成物質は泳動せず、元の位置、すなわち単層のまま
実質的に残留する。従つて、この領域は最大光学濃度
（Ｄmax ）を示す。従つて、熱または蒸気現象による像
形式は保留標示、すなわちポジ対ポジまたはネガ対ネガ
である。
蒸気現像による反転標示像形成を可能にする技法が開発
されているが、これらの技法は一般に複雑であつて、臨
界的に制御された処理条件を必要とする。このような技
法の例は米国特許第３,７９５,５１２号に見い出すこと
ができる。
されているが、これらの技法は一般に複雑であつて、臨
界的に制御された処理条件を必要とする。このような技
法の例は米国特許第３,７９５,５１２号に見い出すこと
ができる。
グラフイツクアート工業におけるリトグラフ中間フイル
ムのようなかなりの像形成用途用には、ポジオリジナル
からのネガ像の生成、またはネガオリジナルからのポジ
像の生成、すなわち好ましくは低い最小光学濃度を有す
る反転標示像形成が望まれる。凹凸式または溶剤洗出式
現像法は低い最小光学濃度を有する反転標示像を生成す
るが、泳動式像形成要素から軟化性物質が除去されて、
摩耗に対してほとんどまたは総体的に保護されていない
泳動像が残るという問題を含んでいる。このような未定
着泳動像を上塗りするために、種々の方法および材料が
従来使用されているけれども現像後上塗工程は経済的に
実施不能であり、また最終使用者にとつて不都合であ
る。さらに、現像処理中において泳動式像形成要素から
洗出される溶出液の廃棄には非常に費用がかかる。熱ま
たは蒸気現像法は、これらが迅速で、実質的に乾式であ
つて、液体流出液を生じないことから好ましい方法であ
るが、他方で熱または蒸気現像像の像形式は保留標示型
であつて、最小光学濃度が極めて高い。従つて、基本的
に乾式現像法によつて、好ましくは低い最小光学濃度を
有する反転標示型像形成が可能である単純で、安価であ
つて、使用可能な像形成要素に対する要求が引き続いて
存在している。
ムのようなかなりの像形成用途用には、ポジオリジナル
からのネガ像の生成、またはネガオリジナルからのポジ
像の生成、すなわち好ましくは低い最小光学濃度を有す
る反転標示像形成が望まれる。凹凸式または溶剤洗出式
現像法は低い最小光学濃度を有する反転標示像を生成す
るが、泳動式像形成要素から軟化性物質が除去されて、
摩耗に対してほとんどまたは総体的に保護されていない
泳動像が残るという問題を含んでいる。このような未定
着泳動像を上塗りするために、種々の方法および材料が
従来使用されているけれども現像後上塗工程は経済的に
実施不能であり、また最終使用者にとつて不都合であ
る。さらに、現像処理中において泳動式像形成要素から
洗出される溶出液の廃棄には非常に費用がかかる。熱ま
たは蒸気現像法は、これらが迅速で、実質的に乾式であ
つて、液体流出液を生じないことから好ましい方法であ
るが、他方で熱または蒸気現像像の像形式は保留標示型
であつて、最小光学濃度が極めて高い。従つて、基本的
に乾式現像法によつて、好ましくは低い最小光学濃度を
有する反転標示型像形成が可能である単純で、安価であ
つて、使用可能な像形成要素に対する要求が引き続いて
存在している。
像形成済要素の背景部分は或る場合には凝集および合着
効果により透明であることができる。この系では、電気
的に感光性の泳動性マーク形成物質の崩壊性層を含む軟
化可能層を包含する像形成要素に、この要素を静電的に
帯電させ、この要素を活性電磁照射の像様パターンに露
光し、次いで軟化可能層を溶剤蒸気に数秒間さらすこと
により軟化させて、軟化可能層中の以前に活性照射に露
光された領域の泳動性物質の深さ方向への選択的泳動を
生じさせることにより一段階法方式で像形成させること
ができる。蒸気現像された像は次いで加熱工程に付す
る。露光した粒子は光に露光した結果として実質的な純
粋電荷を獲得するので（代表的には沈着表面電荷の８５
〜９０％）、これらは溶剤蒸気にさらされると基体に向
つて軟化可能層を実質的に深さ方向に泳動し、かくして
光学濃度の劇的減少を生じさせる。この領域の光学濃度
は初期の濃度が１．８〜１．９であるのに比較して蒸気
露出後に典型的には０．７〜０．９の範囲にある。未露
光領域では、蒸気露出により表面電荷が放電される。後
続の加熱工程は未露光領域の非泳動、未変化の泳動性物
質の、多くの場合にマーク形成物質粒子の、合着を伴な
う凝集またはフロキユレーシヨンを生じさせ、これによ
つて０．２５〜０．３５範囲の非常に低い最小光学濃度
を有する泳動像（未露光域）が得られる。従つて、この
最終像のコントラスト濃度は典型的には０．３５〜0.65
の範囲にある。別法として、加熱し、次いで溶剤蒸気に
さらし、次いで第２の加熱工程を行なうことにより泳動
像を形成することもでき、この場合はまた非常に低い最
小光学濃度を有する泳動像が得られる。この像形成系並
びに前記した熱または蒸気現像技法では、軟化可能層が
現像後も実質的にそのまゝ残り、この場合の像はマーク
形成物質粒子が軟化可能層中に捕獲されているので、自
己定着性である。このような技法を用いた像の最小光学
濃度（Ｄmin）はさらに減少されるが、最大光学濃度
（Ｄmax）も比較して劇的に減じられ（これはこれらの
領域が実質的に深さ方向に泳動したマーク形成物質より
なるためである）、従つてコントラスト濃度（Ｄmax−
Ｄmin）がまた低くなる。さらにまた通常、フイルムの
解像力がマーク形成粒子の凝集により、実質的に減じら
れる。
効果により透明であることができる。この系では、電気
的に感光性の泳動性マーク形成物質の崩壊性層を含む軟
化可能層を包含する像形成要素に、この要素を静電的に
帯電させ、この要素を活性電磁照射の像様パターンに露
光し、次いで軟化可能層を溶剤蒸気に数秒間さらすこと
により軟化させて、軟化可能層中の以前に活性照射に露
光された領域の泳動性物質の深さ方向への選択的泳動を
生じさせることにより一段階法方式で像形成させること
ができる。蒸気現像された像は次いで加熱工程に付す
る。露光した粒子は光に露光した結果として実質的な純
粋電荷を獲得するので（代表的には沈着表面電荷の８５
〜９０％）、これらは溶剤蒸気にさらされると基体に向
つて軟化可能層を実質的に深さ方向に泳動し、かくして
光学濃度の劇的減少を生じさせる。この領域の光学濃度
は初期の濃度が１．８〜１．９であるのに比較して蒸気
露出後に典型的には０．７〜０．９の範囲にある。未露
光領域では、蒸気露出により表面電荷が放電される。後
続の加熱工程は未露光領域の非泳動、未変化の泳動性物
質の、多くの場合にマーク形成物質粒子の、合着を伴な
う凝集またはフロキユレーシヨンを生じさせ、これによ
つて０．２５〜０．３５範囲の非常に低い最小光学濃度
を有する泳動像（未露光域）が得られる。従つて、この
最終像のコントラスト濃度は典型的には０．３５〜0.65
の範囲にある。別法として、加熱し、次いで溶剤蒸気に
さらし、次いで第２の加熱工程を行なうことにより泳動
像を形成することもでき、この場合はまた非常に低い最
小光学濃度を有する泳動像が得られる。この像形成系並
びに前記した熱または蒸気現像技法では、軟化可能層が
現像後も実質的にそのまゝ残り、この場合の像はマーク
形成物質粒子が軟化可能層中に捕獲されているので、自
己定着性である。このような技法を用いた像の最小光学
濃度（Ｄmin）はさらに減少されるが、最大光学濃度
（Ｄmax）も比較して劇的に減じられ（これはこれらの
領域が実質的に深さ方向に泳動したマーク形成物質より
なるためである）、従つてコントラスト濃度（Ｄmax−
Ｄmin）がまた低くなる。さらにまた通常、フイルムの
解像力がマーク形成粒子の凝集により、実質的に減じら
れる。
本明細書で使用するかぎり、「凝集」なる用語は以前に
は実質的に分離していた粒子がその粒子の特性を損うこ
となく一緒になり、接着することを意味するものとす
る。
は実質的に分離していた粒子がその粒子の特性を損うこ
となく一緒になり、接着することを意味するものとす
る。
本明細書で使用するかぎり、「合着」なる用語はこのよ
うな粒子が大きい単位に一緒に融合していることを意味
し、通常凝集体の形状が球形のような低エネルギーの形
に向つて変化する形状変化を付随する。
うな粒子が大きい単位に一緒に融合していることを意味
し、通常凝集体の形状が球形のような低エネルギーの形
に向つて変化する形状変化を付随する。
一般に、泳動式像形成要素の軟化可能層は摩耗および異
物汚染に対して敏感であるという特徴を有する。軟化可
能層の表面またはその近くには崩壊性層が位置している
から、摩耗は製造中またはフイルムの使用中に崩壊性層
のかなりを容易に取り去ることができ、最終像に有害に
作用する。指紋のような異物汚染はまた最終像を傷つけ
ることがある。さらにまた、軟化可能層は複数の要素が
粘着した場合または泳動性マーク形成物質が貯蔵または
輸送用にロールにまかせた場合にこれらの泳動式像形成
要素を粘着させうる傾向がある。このような粘着には隣
接する物品を相互に接着させることがあり、このような
粘着によつてこれらをひき離したときに物品に損傷が生
じる。
物汚染に対して敏感であるという特徴を有する。軟化可
能層の表面またはその近くには崩壊性層が位置している
から、摩耗は製造中またはフイルムの使用中に崩壊性層
のかなりを容易に取り去ることができ、最終像に有害に
作用する。指紋のような異物汚染はまた最終像を傷つけ
ることがある。さらにまた、軟化可能層は複数の要素が
粘着した場合または泳動性マーク形成物質が貯蔵または
輸送用にロールにまかせた場合にこれらの泳動式像形成
要素を粘着させうる傾向がある。このような粘着には隣
接する物品を相互に接着させることがあり、このような
粘着によつてこれらをひき離したときに物品に損傷が生
じる。
この摩耗および異物汚染に対する感受性は前記米国特許
第３,９０９,２６２号に記載されている上塗のような上
塗を形成することにより減じることができる。しかしな
がら、各現像方法における泳動式像形成メカニズムが異
なつていることから、およびまたこれらが軟化可能層の
表面の電気的性質および表面からの電荷注入、軟化可能
層を通る電荷輸送性感光性粒子による電荷獲得および感
光性粒子からの放電等を含む種々の電気的プロセスの複
雑な相互作用に臨界的に依存することから、軟化可能層
への上塗の施用は多くの場合にこれらのプロセスの繊細
な平衡を変化させ、上塗を有しない泳動式像形成要素の
場合と比較して劣化した写真特性をもたらす。特に、写
真コントラスト濃度が劣化する。
第３,９０９,２６２号に記載されている上塗のような上
塗を形成することにより減じることができる。しかしな
がら、各現像方法における泳動式像形成メカニズムが異
なつていることから、およびまたこれらが軟化可能層の
表面の電気的性質および表面からの電荷注入、軟化可能
層を通る電荷輸送性感光性粒子による電荷獲得および感
光性粒子からの放電等を含む種々の電気的プロセスの複
雑な相互作用に臨界的に依存することから、軟化可能層
への上塗の施用は多くの場合にこれらのプロセスの繊細
な平衡を変化させ、上塗を有しない泳動式像形成要素の
場合と比較して劣化した写真特性をもたらす。特に、写
真コントラスト濃度が劣化する。
さらにまた、かなりの上塗は泳動式像形成要素を積重ね
るかまたはロールにまいた場合の粘着を防止できない。
さらにまた、泳動式像形成要素を像形成済泳動式像形成
要素が接着テープにより基体に１時的に固定されてお
り、その後再使用されるリトグラフ式中間体に使用する
用塗では、泳動式像形成要素が接着テープを取除く際に
損傷を受け、再使用に不適になることが非常にしばしば
生じる。この損傷は一般に２つの形をとる。第１に、か
なりの上塗は泳動式像形成要素の軟化可能層に良好に接
着せず、曲げると容易に分離でき、または接着テープを
取り除くと軟化可能層から容易に分離するか、または完
全に離れ、これによりその先の摩耗耐性が消失する。第
２に、光活性粒子を含有する軟化可能層が多くの場合
に、接着テープを取り除くと基体から分離する。従つ
て、上塗は軟化可能層に良好に接着するばかりでなく、
また泳動式像形成要素に対する損傷を防止するために接
着テープ放出性の接着性質を有するべきである。
るかまたはロールにまいた場合の粘着を防止できない。
さらにまた、泳動式像形成要素を像形成済泳動式像形成
要素が接着テープにより基体に１時的に固定されてお
り、その後再使用されるリトグラフ式中間体に使用する
用塗では、泳動式像形成要素が接着テープを取除く際に
損傷を受け、再使用に不適になることが非常にしばしば
生じる。この損傷は一般に２つの形をとる。第１に、か
なりの上塗は泳動式像形成要素の軟化可能層に良好に接
着せず、曲げると容易に分離でき、または接着テープを
取り除くと軟化可能層から容易に分離するか、または完
全に離れ、これによりその先の摩耗耐性が消失する。第
２に、光活性粒子を含有する軟化可能層が多くの場合
に、接着テープを取り除くと基体から分離する。従つ
て、上塗は軟化可能層に良好に接着するばかりでなく、
また泳動式像形成要素に対する損傷を防止するために接
着テープ放出性の接着性質を有するべきである。
従つて、改善された泳動式像形成方法に対する要求が続
いている。さらにまた、高いコントラスト濃度および低
いＤminを有し、指紋、粘着、軟化可能層／上塗層界面
欠陥および摩耗の有害な作用に対して大きい耐性を示
し、さらにまた接着テープ試験に合格できる反転標示像
を生成できる改善された泳動式像形成方法に対する要求
が存在する。
いている。さらにまた、高いコントラスト濃度および低
いＤminを有し、指紋、粘着、軟化可能層／上塗層界面
欠陥および摩耗の有害な作用に対して大きい耐性を示
し、さらにまた接着テープ試験に合格できる反転標示像
を生成できる改善された泳動式像形成方法に対する要求
が存在する。
本発明の目的は前記の欠点を克服し、前記目的を満たす
改善された泳動式像形成方法を提供することにある。
改善された泳動式像形成方法を提供することにある。
本発明のもう１つの目的は実質的に乾式法であり、単純
な処理工程だけを要し、格別に広い処理寛容性を有し、
そして非常に低いＤmin値および自然に近い色を有する
優れた反転標示像を生成する改善された泳動式像形成方
法を提供することにある。
な処理工程だけを要し、格別に広い処理寛容性を有し、
そして非常に低いＤmin値および自然に近い色を有する
優れた反転標示像を生成する改善された泳動式像形成方
法を提供することにある。
本発明のさらにもう１つの目的は非常に低いＤmin値、
高いコントラスト濃度および高い解像力を有する優れた
反転標示泳動像を生成する改善された泳動式像形成要素
に像形成するための単純で、信頼できる、実質的に乾式
の方法を提供することにある。
高いコントラスト濃度および高い解像力を有する優れた
反転標示泳動像を生成する改善された泳動式像形成要素
に像形成するための単純で、信頼できる、実質的に乾式
の方法を提供することにある。
本発明のもう１つの目的は摩耗に対して耐性を有し、粘
着性が最低であり、指紋に対して不感受性でありそして
良好な表面放出性を有するばかりでなく、また非常に低
いＤmin値、高いコントラスト濃度および高い解像力を
有する優れた反転標示泳動像を生成する改善された泳動
式像形成方法を提供することにある。
着性が最低であり、指紋に対して不感受性でありそして
良好な表面放出性を有するばかりでなく、また非常に低
いＤmin値、高いコントラスト濃度および高い解像力を
有する優れた反転標示泳動像を生成する改善された泳動
式像形成方法を提供することにある。
本発明のこれらのおよびその他の目的が本発明による改
善された泳動式像形成方法により達成される。この方法
は基体および基体上の電気絶縁性の軟化可能層を含み、
軟化可能層が電荷輸送物質および軟化可能層の基体から
離れている方の少なくとも一つの表面または表面近くに
位置している泳動性マーク形成物質を含有している泳動
式像形成要素を用意し、この泳動式像形成要素を静電的
に帯電させ、この要素を像様パターンで活性照射に露光
し、軟化可能層中のマーク形成物質の泳動耐性をマーク
形成物質が像配置で基体に向つて深さ方向に僅かに泳動
できるように減少させ、次いで軟化可能層中のマーク形
成物質の泳動耐性を非泳動マーク形成物質が凝集し、実
質的に合着することができるに少なくとも充分にさらに
減少させることを包含する。マーク形成物質が像配置で
基体に向つて深さ方向に僅かに泳動することを可能にす
るように、軟化可能層中のマーク形成物質の泳動耐性を
減じるための処理は、この要素を軟化可能層用の溶剤の
蒸気にさらし、次いで加熱することにより軟化可能層中
のマーク形成物質の泳動耐性を泳動しないマーク形成物
質が凝集し、実質的に合着することを可能にするように
さらに減じることにより行なうと好ましい。
善された泳動式像形成方法により達成される。この方法
は基体および基体上の電気絶縁性の軟化可能層を含み、
軟化可能層が電荷輸送物質および軟化可能層の基体から
離れている方の少なくとも一つの表面または表面近くに
位置している泳動性マーク形成物質を含有している泳動
式像形成要素を用意し、この泳動式像形成要素を静電的
に帯電させ、この要素を像様パターンで活性照射に露光
し、軟化可能層中のマーク形成物質の泳動耐性をマーク
形成物質が像配置で基体に向つて深さ方向に僅かに泳動
できるように減少させ、次いで軟化可能層中のマーク形
成物質の泳動耐性を非泳動マーク形成物質が凝集し、実
質的に合着することができるに少なくとも充分にさらに
減少させることを包含する。マーク形成物質が像配置で
基体に向つて深さ方向に僅かに泳動することを可能にす
るように、軟化可能層中のマーク形成物質の泳動耐性を
減じるための処理は、この要素を軟化可能層用の溶剤の
蒸気にさらし、次いで加熱することにより軟化可能層中
のマーク形成物質の泳動耐性を泳動しないマーク形成物
質が凝集し、実質的に合着することを可能にするように
さらに減じることにより行なうと好ましい。
本発明、およびまたその特徴をさらに良く理解するため
に、下記の種々の好適態様に係る詳細な説明を行なう。
に、下記の種々の好適態様に係る詳細な説明を行なう。
第１図は代表的な積層配置の泳動式像形成要素の部分的
な図解式横断面図である。
な図解式横断面図である。
第２図は上塗した泳動式像形成要素の部分的な図解式横
断面図である。
断面図である。
第３Ａ図、第３Ｂ図、第３Ｃ図および第３Ｄ図は泳動像
を形成するための処理工程を示す部分的な図解式横断面
図である。
を形成するための処理工程を示す部分的な図解式横断面
図である。
第４図は軟化可能層成分の最高占有分子軌道関数（Occu
pied Molecular Orbital）および最低非占有分子軌道関
数（Unoccupied Molecular Orbital）を示すグラフであ
る。
pied Molecular Orbital）および最低非占有分子軌道関
数（Unoccupied Molecular Orbital）を示すグラフであ
る。
これらの図面は本発明を単に説明するためのものであつ
て、本発明の実際の像形成要素または部品の相対的寸法
および大きさを示そうとするものではない。
て、本発明の実際の像形成要素または部品の相対的寸法
および大きさを示そうとするものではない。
前記の泳動式像形成方法で使用するのに適する泳動式像
形成要素を第１図および第２図に示す。第１図に例示さ
れている泳動式像形成要素１０において、この要素はそ
こに塗布されている軟化可能物質の層１３を有する基体
１１を含んでおり、軟化可能物質の層１３は軟化可能層
１３の上方表面と隣接して泳動性マーク形成物質１４の
崩壊性層を有している。この図面でマーク形成物質の粒
子１４はこのような図による例示の場合の物理的制限の
故に相互に接触しているように見える。マーク形成物質
の粒子１４は実際には相互にマイクロメーター以下の間
隔で離れている。種々の態様においては、支持基体１１
は電気的に絶縁性であるか、または電気的に導電性であ
ることができる。かなりの態様では、電気的に電動性の
基体が支持基体１１を含み、この支持基体の表面上に導
電性被覆１２を有し、その上に軟化可能層１３がまた被
覆されている。基体１１は種々の態様で不透明半透明ま
たは透明であることができ、その上に被覆されている電
気的に伝導性の層１２がそれ自体部分的にまたは実質的
に透明である態様も含まれる。軟化可能層１３の上方表
面に隣接するマーク形成物質１４の崩壊性層は軟化可能
層の上方表面で軟化可能物質１３中に僅かに、部分的
に、実質的に、または完全に埋め込むことができる。
形成要素を第１図および第２図に示す。第１図に例示さ
れている泳動式像形成要素１０において、この要素はそ
こに塗布されている軟化可能物質の層１３を有する基体
１１を含んでおり、軟化可能物質の層１３は軟化可能層
１３の上方表面と隣接して泳動性マーク形成物質１４の
崩壊性層を有している。この図面でマーク形成物質の粒
子１４はこのような図による例示の場合の物理的制限の
故に相互に接触しているように見える。マーク形成物質
の粒子１４は実際には相互にマイクロメーター以下の間
隔で離れている。種々の態様においては、支持基体１１
は電気的に絶縁性であるか、または電気的に導電性であ
ることができる。かなりの態様では、電気的に電動性の
基体が支持基体１１を含み、この支持基体の表面上に導
電性被覆１２を有し、その上に軟化可能層１３がまた被
覆されている。基体１１は種々の態様で不透明半透明ま
たは透明であることができ、その上に被覆されている電
気的に伝導性の層１２がそれ自体部分的にまたは実質的
に透明である態様も含まれる。軟化可能層１３の上方表
面に隣接するマーク形成物質１４の崩壊性層は軟化可能
層の上方表面で軟化可能物質１３中に僅かに、部分的
に、実質的に、または完全に埋め込むことができる。
第２図には支持基体１１が導電性被覆１２およびその上
に塗布されている軟化可能物質１３の層を有する本発明
の多層上塗態様が示されている。泳動性マーク形成物質
１４は初期には軟化可能物質層１３の上方表面に隣接す
る崩壊性層に配置されている。第２図に例示されている
態様では、泳動式像形成要素がまた軟化可能層１３上に
塗布されている有利な上塗層１５を含んでいる。本発明
の新規な泳動式像形成要素の種々の態様において、上塗
層１５は接着性または放出性物質を含有でき、あるいは
最外層が接着性または放出性物質を含有している複数の
層を含むこともできる。
に塗布されている軟化可能物質１３の層を有する本発明
の多層上塗態様が示されている。泳動性マーク形成物質
１４は初期には軟化可能物質層１３の上方表面に隣接す
る崩壊性層に配置されている。第２図に例示されている
態様では、泳動式像形成要素がまた軟化可能層１３上に
塗布されている有利な上塗層１５を含んでいる。本発明
の新規な泳動式像形成要素の種々の態様において、上塗
層１５は接着性または放出性物質を含有でき、あるいは
最外層が接着性または放出性物質を含有している複数の
層を含むこともできる。
基体および基体が支持している完成泳動式像形成要素は
ウエブ、ホイル、積層体等、ストリツプ、シート、コイ
ル、シリンダー、ドラム、エンドレスベルト、エンドレ
スメービウスストリツプ、円形デイスクまたはその他の
形を含むいずれか適当な形であることができる。本発明
は特にこれらの形状のいずれかの形で使用するのに適し
ている。
ウエブ、ホイル、積層体等、ストリツプ、シート、コイ
ル、シリンダー、ドラム、エンドレスベルト、エンドレ
スメービウスストリツプ、円形デイスクまたはその他の
形を含むいずれか適当な形であることができる。本発明
は特にこれらの形状のいずれかの形で使用するのに適し
ている。
基体１１と同様に、導電性被覆１２はいずれか適当な形
であることができる。これは薄い蒸着金属または金属酸
化物被覆、金属ホイル、結合剤中に分散されている導電
性粒子等であることができる。代表的な金属および金属
酸化物としてはアルミニウム、インヂウム、金、二酸化
スズ、酸化スズインヂウム、銀、ニツケル等を包含す
る。
であることができる。これは薄い蒸着金属または金属酸
化物被覆、金属ホイル、結合剤中に分散されている導電
性粒子等であることができる。代表的な金属および金属
酸化物としてはアルミニウム、インヂウム、金、二酸化
スズ、酸化スズインヂウム、銀、ニツケル等を包含す
る。
本発明の新規な泳動式像形成要素の各種態様において、
泳動性マーク形成物質は電気的に感光性であるか、光伝
導性であるか、またはこのような物質のいずれかその他
の適当な組合せであると好ましい。代表的な泳動性像形
成物質は、たとえば１９７５年９月３０日付で発行され
た米国特許第３,９０９,２６２号および１９７６年８月
１７日付で発行された米国特許第３,９７５,１９５号に
記載されており、これら両特許の記載を全てここに組入
れる。泳動性マーク形成物質の特定の例としてはセレン
およびセレン−テルル合金を包含する。泳動性マーク形
成物質は粒子であつて、相互に近接してしかもはなれて
いるべきである。好適な泳動性マーク形成物質は一般に
球形であつて、準ミクロンの寸法を有する。これらの球
形の泳動性マーク形成物質は泳動式像形成技術でよく知
られている。軟化可能層の外側表面（上塗を使用する場
合にはその表面から離れている方の表面）に準表面単層
として埋め込まれている約０．２マイクロメーター〜約
０．４マイクロメーター、好ましくは約０．３マイクロ
メーター〜約０．４マイクロメーターの寸法範囲の球形
泳動性マーク形成物質を用いて優れた結果が得られる。
泳動性マーク形成物質の球は最大光学濃度のために、お
よび加熱工程中の泳動性マーク形成物質の凝集および合
着を促進するために、球の直径の約半分より短い距離で
相互に小さい間隔で存在させると好ましい。これらの球
はまた軟化可能層の外側表面（上塗を使用した場合には
基体から離れている方の表面）の下の約０．０１マイク
ロメーター〜約０．１マイクロメーターにあると好まし
い。軟化可能層中に泳動性マーク形成物質を配置するた
めに特に適する方法はP.SodenおよびP.Vincettにより１
９８３年３月３１日付で出願された「多段階沈着法」
（Mulistage Deposition Process）と題する米国特許出
願Serial No.４８０,６４２(米国特許第4,482,622号)に
記載されており、その全記載をここに組入れる。この特
許を簡単に説明すると、この、泳動式像形成部材を製造
するための軟化可能層内に泳動性マーク形成物質の粒子
を配置するための多段階沈着方法は、軟化可能層の少な
くとも表面を加熱して前記表面を軟化し、第一沈着ゾー
ンにおいて前記表面をセレン源またはセレン合金源から
のセレン蒸気またはセレン合金蒸気からなる蒸気と高衝
突速度で接触させて前記表面内に前記セレンまたはセレ
ン合金からなる球状粒子の単層を形成し、透過光学濃度
が実質的に降下する以前に前記表面を前記第一沈着ゾー
ンから離し、前記第一沈着ゾーンより長い少なくとも一
つの第二沈着ゾーンにおいて前記表面を前記第一沈着ゾ
ーンでの衝突速度の約半分未満の衝突速度で前記セレン
またはセレン合金の蒸気と接触させて前記球状粒子のサ
イズを増大させながら前記球状粒子の狭いサイズ分布を
維持しかつ高い表面充填濃度を達成することで前記泳動
式像形成部材の透過光学濃度を増大させ、そして、透過
光学濃度が実質的に降下する以前に前記表面を前記第二
沈着ゾーンから離すことからなる。本発明の目的に対し
ては、泳動性マーク形成物質は、その自己拡散が加熱現
像に使用される温度で迅速である充分に低い融点を有す
ると極めて好ましい。加熱現像に使用する温度は軟化可
能物質、基体または泳動式像形成要素のその他の部品の
分解温度を超えるべきではない。「迅速」なる用語は接
触している泳動性マーク形成物質の粒子が好ましくは数
秒以内に、または多くて約１分以内に合着すべきことを
意味する。
泳動性マーク形成物質は電気的に感光性であるか、光伝
導性であるか、またはこのような物質のいずれかその他
の適当な組合せであると好ましい。代表的な泳動性像形
成物質は、たとえば１９７５年９月３０日付で発行され
た米国特許第３,９０９,２６２号および１９７６年８月
１７日付で発行された米国特許第３,９７５,１９５号に
記載されており、これら両特許の記載を全てここに組入
れる。泳動性マーク形成物質の特定の例としてはセレン
およびセレン−テルル合金を包含する。泳動性マーク形
成物質は粒子であつて、相互に近接してしかもはなれて
いるべきである。好適な泳動性マーク形成物質は一般に
球形であつて、準ミクロンの寸法を有する。これらの球
形の泳動性マーク形成物質は泳動式像形成技術でよく知
られている。軟化可能層の外側表面（上塗を使用する場
合にはその表面から離れている方の表面）に準表面単層
として埋め込まれている約０．２マイクロメーター〜約
０．４マイクロメーター、好ましくは約０．３マイクロ
メーター〜約０．４マイクロメーターの寸法範囲の球形
泳動性マーク形成物質を用いて優れた結果が得られる。
泳動性マーク形成物質の球は最大光学濃度のために、お
よび加熱工程中の泳動性マーク形成物質の凝集および合
着を促進するために、球の直径の約半分より短い距離で
相互に小さい間隔で存在させると好ましい。これらの球
はまた軟化可能層の外側表面（上塗を使用した場合には
基体から離れている方の表面）の下の約０．０１マイク
ロメーター〜約０．１マイクロメーターにあると好まし
い。軟化可能層中に泳動性マーク形成物質を配置するた
めに特に適する方法はP.SodenおよびP.Vincettにより１
９８３年３月３１日付で出願された「多段階沈着法」
（Mulistage Deposition Process）と題する米国特許出
願Serial No.４８０,６４２(米国特許第4,482,622号)に
記載されており、その全記載をここに組入れる。この特
許を簡単に説明すると、この、泳動式像形成部材を製造
するための軟化可能層内に泳動性マーク形成物質の粒子
を配置するための多段階沈着方法は、軟化可能層の少な
くとも表面を加熱して前記表面を軟化し、第一沈着ゾー
ンにおいて前記表面をセレン源またはセレン合金源から
のセレン蒸気またはセレン合金蒸気からなる蒸気と高衝
突速度で接触させて前記表面内に前記セレンまたはセレ
ン合金からなる球状粒子の単層を形成し、透過光学濃度
が実質的に降下する以前に前記表面を前記第一沈着ゾー
ンから離し、前記第一沈着ゾーンより長い少なくとも一
つの第二沈着ゾーンにおいて前記表面を前記第一沈着ゾ
ーンでの衝突速度の約半分未満の衝突速度で前記セレン
またはセレン合金の蒸気と接触させて前記球状粒子のサ
イズを増大させながら前記球状粒子の狭いサイズ分布を
維持しかつ高い表面充填濃度を達成することで前記泳動
式像形成部材の透過光学濃度を増大させ、そして、透過
光学濃度が実質的に降下する以前に前記表面を前記第二
沈着ゾーンから離すことからなる。本発明の目的に対し
ては、泳動性マーク形成物質は、その自己拡散が加熱現
像に使用される温度で迅速である充分に低い融点を有す
ると極めて好ましい。加熱現像に使用する温度は軟化可
能物質、基体または泳動式像形成要素のその他の部品の
分解温度を超えるべきではない。「迅速」なる用語は接
触している泳動性マーク形成物質の粒子が好ましくは数
秒以内に、または多くて約１分以内に合着すべきことを
意味する。
軟化可能物質１３は溶剤蒸気により軟化させることがで
きるいずれかの適当な物質であることができる。さら
に、泳動式像形成要素の多くの態様において、軟化可能
物質１３は典型的には実質的に電気絶縁性であり、本発
明の泳動強制力の適用工程および現像工程の期間中、化
学的に反応しないものである。導電性層１２を使用しな
い場合には、層１１が泳動姓層に対する電気的泳動強制
力適用の好ましい方式に対して、好ましくは実質的に導
電性であるべきであることに留意すべきである。軟化可
能層は基体上に塗布するように記載したが、かなりの態
様では、軟化可能層がそれ自体で実質的に自己支持性で
あるに充分な強度および強度を有することがあり、この
場合には像形成処理中に適当な基体と接触させることも
できる。
きるいずれかの適当な物質であることができる。さら
に、泳動式像形成要素の多くの態様において、軟化可能
物質１３は典型的には実質的に電気絶縁性であり、本発
明の泳動強制力の適用工程および現像工程の期間中、化
学的に反応しないものである。導電性層１２を使用しな
い場合には、層１１が泳動姓層に対する電気的泳動強制
力適用の好ましい方式に対して、好ましくは実質的に導
電性であるべきであることに留意すべきである。軟化可
能層は基体上に塗布するように記載したが、かなりの態
様では、軟化可能層がそれ自体で実質的に自己支持性で
あるに充分な強度および強度を有することがあり、この
場合には像形成処理中に適当な基体と接触させることも
できる。
層１３には、いずれか適当な溶剤膨潤性の軟化性物質を
使用できる。代表的な膨潤性で軟化性の層はスチレン−
アクリレート共重合体、ポリエチレン、アルキド置換ポ
リスチレン、スチレン−オレフイン共重合体、スチレン
−共−ｎ−ヘキシルメタアクリレート、０．１７９dl／
ｇの固有粘度を有するスチレンとヘキシルメタアクリレ
ートとの常法合成による８０／２０モル％共重合体、そ
の他のスチレンとヘキシルメタアクリレートとの共重合
体、スチレン−ビニルトルエン共重合体、ポリアルフア
メチルスチレン、共−ポリエステル、ポリエステル、
ポリウレタン、ポリカーボネート、共−ポリカーボネー
ト、その混合物およびその共重合体を包含する。上記群
の物質の記載は制限するためのものではなく、当該軟化
可能層用に適する物質を単に例示するものである。
使用できる。代表的な膨潤性で軟化性の層はスチレン−
アクリレート共重合体、ポリエチレン、アルキド置換ポ
リスチレン、スチレン−オレフイン共重合体、スチレン
−共−ｎ−ヘキシルメタアクリレート、０．１７９dl／
ｇの固有粘度を有するスチレンとヘキシルメタアクリレ
ートとの常法合成による８０／２０モル％共重合体、そ
の他のスチレンとヘキシルメタアクリレートとの共重合
体、スチレン−ビニルトルエン共重合体、ポリアルフア
メチルスチレン、共−ポリエステル、ポリエステル、
ポリウレタン、ポリカーボネート、共−ポリカーボネー
ト、その混合物およびその共重合体を包含する。上記群
の物質の記載は制限するためのものではなく、当該軟化
可能層用に適する物質を単に例示するものである。
軟化可能層材料として働くことができるか、または軟化
可能層物質中に分子単位で溶解または分散できるいずれ
か適当な電荷輸送物質を本発明の軟化可能層に使用でき
る。電荷輸送物質は電気絶縁性のフイルム形成性結合剤
であるか、または電気絶縁性のフイルム形成性結合剤中
に溶解しているかまたは分子状で分散している可溶性ま
たは分子状分散性の物質であつて、軟化可能層中に（好
ましくは軟化可能層の軟化による現像の前または現像の
少なくとも初期の段階で）マーク形成物質から電荷を注
入する（少なくとも１個の帯電標示のための）プロセス
を改善できるものであると定義される。この改善は電気
的に不活性な絶縁性軟化可能層と関連している。電荷輸
送物質はホール輸送物質および（または）電子輸送物質
であることができる。すなわち、これらは軟化可能層中
へのマーク形成物質からのホールおよび（または）電子
の注入を改善できるものである。注入の１つだけの極性
が改善されると、本発明の目的に対して、泳動式像形成
要素を初期に光に対して感受性にするために用いられる
イオン性電荷の標示がほとんど共通して、注入が改善さ
れた電荷の標示と同一になる。従つて、特定の電荷輸送
物質と特定のマーク形成物質との組合せの選択は軟化可
能層中へのマーク形成物質からのホールおよび（また
は）電子の注入がいずれの輸送物質も含有しない軟化可
能層と比較して改善されるように行なわれるべきであ
る。電荷輸送物質が絶縁性フイルム形成性結合剤中に溶
解または分子状で分散されている場合に、電荷輸送物質
と絶縁性フイルム形成性結合剤との組合せは電荷輸送物
質をフイルム形成性結合剤中に充分な濃度レベルで配合
でき、しかも溶液または分子状分散の形で残ることがで
きるようにすべきである。所望により、電荷輸送物質が
重合体系フイルム形成性物質である場合には、絶縁性フ
イルム形成性結合剤は使用する必要はない。
可能層物質中に分子単位で溶解または分散できるいずれ
か適当な電荷輸送物質を本発明の軟化可能層に使用でき
る。電荷輸送物質は電気絶縁性のフイルム形成性結合剤
であるか、または電気絶縁性のフイルム形成性結合剤中
に溶解しているかまたは分子状で分散している可溶性ま
たは分子状分散性の物質であつて、軟化可能層中に（好
ましくは軟化可能層の軟化による現像の前または現像の
少なくとも初期の段階で）マーク形成物質から電荷を注
入する（少なくとも１個の帯電標示のための）プロセス
を改善できるものであると定義される。この改善は電気
的に不活性な絶縁性軟化可能層と関連している。電荷輸
送物質はホール輸送物質および（または）電子輸送物質
であることができる。すなわち、これらは軟化可能層中
へのマーク形成物質からのホールおよび（または）電子
の注入を改善できるものである。注入の１つだけの極性
が改善されると、本発明の目的に対して、泳動式像形成
要素を初期に光に対して感受性にするために用いられる
イオン性電荷の標示がほとんど共通して、注入が改善さ
れた電荷の標示と同一になる。従つて、特定の電荷輸送
物質と特定のマーク形成物質との組合せの選択は軟化可
能層中へのマーク形成物質からのホールおよび（また
は）電子の注入がいずれの輸送物質も含有しない軟化可
能層と比較して改善されるように行なわれるべきであ
る。電荷輸送物質が絶縁性フイルム形成性結合剤中に溶
解または分子状で分散されている場合に、電荷輸送物質
と絶縁性フイルム形成性結合剤との組合せは電荷輸送物
質をフイルム形成性結合剤中に充分な濃度レベルで配合
でき、しかも溶液または分子状分散の形で残ることがで
きるようにすべきである。所望により、電荷輸送物質が
重合体系フイルム形成性物質である場合には、絶縁性フ
イルム形成性結合剤は使用する必要はない。
いずれか適当な電荷輸送物質を使用できる。電荷輸送物
質は当技術でよく知られている。代表的電荷輸送物質と
しては下記の物質が包含される： 米国特許第４,３０６,００８号、同第4,304,829号、同
第４２３３,３８４号、同第4,115,116 号、同第４,２９
９,８９７号および同第４,０８１,２７４号に記載され
ているタイプのジアミン輸送分子。代表的ジアミン輸送
分子はＮ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス（３″−メ
チルフエニル）−（１,１′−ビフエニル）−４,４′−
ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス（４−
メチルフエニル）−（１,１′−ビフエニル）−４,４′
−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス（２
−メチルフエニル）−（１,１′−ビフエニル）−４,
４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス
（３−エチルフエニル）−（１,１′−ビフエニル）−
４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−
ビス（４−エチルフエニル）−１,１′−ビフエニル）
−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′
−ビス（４−ｎ−ブチルフエニル）−（１,１′−ビフ
エニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−
Ｎ,Ｎ′−ビス（３−クロルフエニル）−（１,１′−ビ
フエニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル
−Ｎ,Ｎ′−ビス（４−クロルフエニル）−（１,１′−
ビフエニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニ
ル−Ｎ,Ｎ′−ビス（フエニルメチル）−（１,１′−ビ
フエニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ′,Ｎ′−テ
トラフエニル−（２,２′−ジメチル−１,１′−ビフエ
ニル）４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ′,Ｎ′−テトラ
（４−メチルフエニル）−（２,２′−ジメチル−１,
１′−ビフエニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジ
フエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス（４−メチルフエニル）−
（２,２′−ジメチル−１,１′−ビフエニル）−４,
４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス
（２−メチルフエニル）−（２,２′−ジメチル−１,
１′−ビフエニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジ
フエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス（３−メチルフエニル）−
（２,２′−ジメチル−１,１′−ビフエニル）−４,
４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス
（３−メチルフエニル）−ピレニル−１,６−ジアミン
等を包含する。
質は当技術でよく知られている。代表的電荷輸送物質と
しては下記の物質が包含される： 米国特許第４,３０６,００８号、同第4,304,829号、同
第４２３３,３８４号、同第4,115,116 号、同第４,２９
９,８９７号および同第４,０８１,２７４号に記載され
ているタイプのジアミン輸送分子。代表的ジアミン輸送
分子はＮ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス（３″−メ
チルフエニル）−（１,１′−ビフエニル）−４,４′−
ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス（４−
メチルフエニル）−（１,１′−ビフエニル）−４,４′
−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス（２
−メチルフエニル）−（１,１′−ビフエニル）−４,
４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス
（３−エチルフエニル）−（１,１′−ビフエニル）−
４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−
ビス（４−エチルフエニル）−１,１′−ビフエニル）
−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′
−ビス（４−ｎ−ブチルフエニル）−（１,１′−ビフ
エニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−
Ｎ,Ｎ′−ビス（３−クロルフエニル）−（１,１′−ビ
フエニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル
−Ｎ,Ｎ′−ビス（４−クロルフエニル）−（１,１′−
ビフエニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニ
ル−Ｎ,Ｎ′−ビス（フエニルメチル）−（１,１′−ビ
フエニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ′,Ｎ′−テ
トラフエニル−（２,２′−ジメチル−１,１′−ビフエ
ニル）４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ′,Ｎ′−テトラ
（４−メチルフエニル）−（２,２′−ジメチル−１,
１′−ビフエニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジ
フエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス（４−メチルフエニル）−
（２,２′−ジメチル−１,１′−ビフエニル）−４,
４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス
（２−メチルフエニル）−（２,２′−ジメチル−１,
１′−ビフエニル）−４,４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジ
フエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス（３−メチルフエニル）−
（２,２′−ジメチル−１,１′−ビフエニル）−４,
４′−ジアミン、Ｎ,Ｎ′−ジフエニル−Ｎ,Ｎ′−ビス
（３−メチルフエニル）−ピレニル−１,６−ジアミン
等を包含する。
米国特許第４,３１５９８２号、同第4,278,746号、およ
び同第３,８３７,８５１号に記載されているようなピラ
ゾリン輸送分子。代表的なピラゾリン輸送分子として
は、１−〔レピジル−(2)〕−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピ
ラゾリン、１−〔キノリル−(2)〕−３−（ｐ−ジエチ
ルアミノフエニル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニ
ル）ピラゾリン、１−〔ピリジル−(2)〕−３−（ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）ピラゾリン、１−〔６−メトキシピリジル−
(2)〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１−フエ
ニル−３−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−５−（ｐ
−ジメチルアミノスチリル）ピラゾリン、１−フエニル
−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジ
エチルアミノスチリル）ピラゾリン等を包含する。
び同第３,８３７,８５１号に記載されているようなピラ
ゾリン輸送分子。代表的なピラゾリン輸送分子として
は、１−〔レピジル−(2)〕−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピ
ラゾリン、１−〔キノリル−(2)〕−３−（ｐ−ジエチ
ルアミノフエニル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフエニ
ル）ピラゾリン、１−〔ピリジル−(2)〕−３−（ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）ピラゾリン、１−〔６−メトキシピリジル−
(2)〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１−フエ
ニル−３−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−５−（ｐ
−ジメチルアミノスチリル）ピラゾリン、１−フエニル
−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジ
エチルアミノスチリル）ピラゾリン等を包含する。
米国特許第４,２４５,０２１号に記載されているような
置換フルオレン電荷輸送分子。代表的なフルオレン電荷
輸送分子としては、９−（４′−ジメチルアミノベンジ
リデン）フルオレン、９−（４′−メトキシベンジリデ
ン）フルオレン、９−（２′,４′−ジメトキシベンジ
リデン）フルオレン、２−ニトロ−９−ベンジリデン−
フルオレン、２−ニトロ−９−（４′−ジエチルアミノ
ベンジリデン）フルオレン等が含まれる。
置換フルオレン電荷輸送分子。代表的なフルオレン電荷
輸送分子としては、９−（４′−ジメチルアミノベンジ
リデン）フルオレン、９−（４′−メトキシベンジリデ
ン）フルオレン、９−（２′,４′−ジメトキシベンジ
リデン）フルオレン、２−ニトロ−９−ベンジリデン−
フルオレン、２−ニトロ−９−（４′−ジエチルアミノ
ベンジリデン）フルオレン等が含まれる。
２,５−ビス−（４−ジエチルアミノフエニル）−１,
３,４−オキサジアゾール、ピラゾリン、イミダゾー
ル、トリアゾール等のようなオキサゾアゾール輸送分
子。その他の体表的なオキサジアゾール輸送分子はたと
えば西ドイル国特許第１,０５８,８３６号、同第１,０
６０,２６０号および同第１,１２０,８７５号に記載さ
れている。
３,４−オキサジアゾール、ピラゾリン、イミダゾー
ル、トリアゾール等のようなオキサゾアゾール輸送分
子。その他の体表的なオキサジアゾール輸送分子はたと
えば西ドイル国特許第１,０５８,８３６号、同第１,０
６０,２６０号および同第１,１２０,８７５号に記載さ
れている。
ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ジフエニルヒ
ドラジン）、ｏ−エトキシ−ｐ−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）、ｏ−メチル−
ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ジフエニルヒ
ドラゾン）、ｏ−メチル−ｐ−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）、１−ナフタレン
カルボアルデヒド、１−メチル−１−フエニルヒドラゾ
ン、１−ナフタレンカルボアルデヒド、１,１−フエニ
ルヒドラゾン、４−メチル−メトキシナフタレン−１−
カルボアルデヒド−１−メチル−１−フエニルヒドラゾ
ン等のようなヒドラゾン輸送分子。その他の代表的イド
ラゾン輸送分子はたとえば米国特許第４,１５０,９８７
号、同第４,３８５,１０６号、同第４,３３８,３８８号
および同第4,387,147 号に記載されている。
ドラジン）、ｏ−エトキシ−ｐ−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）、ｏ−メチル−
ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ジフエニルヒ
ドラゾン）、ｏ−メチル−ｐ−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）、１−ナフタレン
カルボアルデヒド、１−メチル−１−フエニルヒドラゾ
ン、１−ナフタレンカルボアルデヒド、１,１−フエニ
ルヒドラゾン、４−メチル−メトキシナフタレン−１−
カルボアルデヒド−１−メチル−１−フエニルヒドラゾ
ン等のようなヒドラゾン輸送分子。その他の代表的イド
ラゾン輸送分子はたとえば米国特許第４,１５０,９８７
号、同第４,３８５,１０６号、同第４,３３８,３８８号
および同第4,387,147 号に記載されている。
９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド−１−
メチル−１−フエニル−ヒドラゾン、９−エチルカルバ
ゾール−３−カルボアルデヒド−１−メチル−１−フエ
ニル−ヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カル
ボアルデヒド−１−エチル−１−フエニルヒドラゾン、
９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド−１−
エチル−１−ベンジル−１−フエニルヒドラゾン、９−
エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド−１,１−
ジフエニルヒドラゾン等のようなカルバゾールフエニル
ヒドラゾン輸送分子。その他の代表的カルバゾールフエ
ニルヒドラゾン輸送分子は米国特許第４,２５６,８２１
号および同第4,297,426号に記載されている。
メチル−１−フエニル−ヒドラゾン、９−エチルカルバ
ゾール−３−カルボアルデヒド−１−メチル−１−フエ
ニル−ヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カル
ボアルデヒド−１−エチル−１−フエニルヒドラゾン、
９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド−１−
エチル−１−ベンジル−１−フエニルヒドラゾン、９−
エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド−１,１−
ジフエニルヒドラゾン等のようなカルバゾールフエニル
ヒドラゾン輸送分子。その他の代表的カルバゾールフエ
ニルヒドラゾン輸送分子は米国特許第４,２５６,８２１
号および同第4,297,426号に記載されている。
ポリビニルアントラセン；ポリアセナフチレン；米国特
許第３,９７２,７１７号に記載されているようなホルム
アルデヒドと３−ブロモピレンとの縮合物のような各種
芳香族とのホルムアルデヒド縮合生成物、２,４,７−ト
リニトロフルオレノンおよび３,６−ジニトロ−Ｎ−ｔ
−ブチルナフタルイミドのようなビニル−芳香族重合
体。
許第３,９７２,７１７号に記載されているようなホルム
アルデヒドと３−ブロモピレンとの縮合物のような各種
芳香族とのホルムアルデヒド縮合生成物、２,４,７−ト
リニトロフルオレノンおよび３,６−ジニトロ−Ｎ−ｔ
−ブチルナフタルイミドのようなビニル−芳香族重合
体。
米国特許第３,８９５,９４４号に記載されている２，５
−ビス（ｐ−ジエチルアミノフエニル）−オキサジアゾ
ロ−１，３，４のようなオキサジアゾール誘導体。
−ビス（ｐ−ジエチルアミノフエニル）−オキサジアゾ
ロ−１，３，４のようなオキサジアゾール誘導体。
米国特許第３,８２０,９８９号に記載されているような
アルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノアリール）
メタン、シクロアルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルア
ミノアリール）メタンおよびシクロアルケニル−ビス
（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノアリール）メタンのような
トリ置換メタン。
アルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノアリール）
メタン、シクロアルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルア
ミノアリール）メタンおよびシクロアルケニル−ビス
（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノアリール）メタンのような
トリ置換メタン。
１９８３年８月８日付で出願された「積層光応答性素
子」（Layered Photoresponsive Device）の題名の審査
中の米国特許出願Serial No.521,198に記載されている
ような次式を有する９−フルオレニリデンメタン誘導
体： （式中ＸおよびＹはシアノ基またはアルコキシカルボニ
ル基であり、Ａ、ＢおよびＷはそれぞれ、アシル、アル
コキシカルボニル、ニトロ、アルキルアミノカルボニル
およびその誘導体よりなる群から選ばれる電子吸引性基
であり、ｍは０〜２の数であり、そしてｎは０または１
の数である）。前記式に含まれる代表的な９−フルオレ
ニリデンメタン誘導体には、（４−ｎ−ブトキシカルボ
ニル−９−フルオレニリデン）マロノントリル、（４−
ｐ−フエノキシカルボニル−９−フルオレニリデン）マ
ロノントリル、（４−カルボキシ−９−フルオレニリデ
ン）マロノントリル、（４−ｎ−ブトキシカルボニル−
２，７−ジニトロ−９−フルオレニリデン）マロネート
等が含まれる。
子」（Layered Photoresponsive Device）の題名の審査
中の米国特許出願Serial No.521,198に記載されている
ような次式を有する９−フルオレニリデンメタン誘導
体： （式中ＸおよびＹはシアノ基またはアルコキシカルボニ
ル基であり、Ａ、ＢおよびＷはそれぞれ、アシル、アル
コキシカルボニル、ニトロ、アルキルアミノカルボニル
およびその誘導体よりなる群から選ばれる電子吸引性基
であり、ｍは０〜２の数であり、そしてｎは０または１
の数である）。前記式に含まれる代表的な９−フルオレ
ニリデンメタン誘導体には、（４−ｎ−ブトキシカルボ
ニル−９−フルオレニリデン）マロノントリル、（４−
ｐ−フエノキシカルボニル−９−フルオレニリデン）マ
ロノントリル、（４−カルボキシ−９−フルオレニリデ
ン）マロノントリル、（４−ｎ−ブトキシカルボニル−
２，７−ジニトロ−９−フルオレニリデン）マロネート
等が含まれる。
ポリ−１−ビニルピレン、ポリ−９−ビニルアントラセ
ン、ポリ−９−（４−ペンテニル）−カルバゾール、ポ
リ−９−（５−ヘキシル）−カルバゾール、ポリメチレ
ンピレン、ポリ−１−（ピレニル）−ブタジエン、アル
キル、ニトロ、アミノ、ハロゲンおよびヒドロキシ置換
重合体、たとえばポリ−３−アミノカルバゾール、１，
３−ジブロモ−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよび
３，６−ジブロモ−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールのよ
うな重合体並びに米国特許第３,８７０,５１６号に記載
されているようなその他の多くの透明有機重合体系また
は非重合体輸送物質。
ン、ポリ−９−（４−ペンテニル）−カルバゾール、ポ
リ−９−（５−ヘキシル）−カルバゾール、ポリメチレ
ンピレン、ポリ−１−（ピレニル）−ブタジエン、アル
キル、ニトロ、アミノ、ハロゲンおよびヒドロキシ置換
重合体、たとえばポリ−３−アミノカルバゾール、１，
３−ジブロモ−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよび
３，６−ジブロモ−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールのよ
うな重合体並びに米国特許第３,８７０,５１６号に記載
されているようなその他の多くの透明有機重合体系また
は非重合体輸送物質。
フイルム形成性結合剤中に可溶性であるかまたは分子規
模で分散性である電荷輸送分子に関して上記で引用した
特許および審査中の特許出願の各各の全記載をここに組
入れる。
模で分散性である電荷輸送分子に関して上記で引用した
特許および審査中の特許出願の各各の全記載をここに組
入れる。
電荷輸送物質を絶縁性結合剤と組合せて軟化可能層を形
成する場合に、使用する電荷輸送物質の量は特定の電荷
輸送物質および軟化可能層の連続絶縁性フイルム形成結
合剤相中におけるその適合性（たとえば溶解度）等に依
存して変えることができる。軟化可能層の総重量にもと
づき電荷輸送物質を約２〜約５０重量％の量で私用する
と満足な結果が得られている。特に好適な電荷輸送分子
は次式を有するものであつて、ＹおよびＺが水素である
場合に、この化合物はＮ，Ｎ′−ビス（アルキルフエニ
ル）−（１，１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン
（ここでアルキルはたとえばメチル、エチル、プロピ
ル、ｎ−ブチル等である）と命名でき、またはこの化合
物はＮ，Ｎ′−ジフエニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（クロルフ
エニル）−（１，１′−ビフエニル）−４，４′−ジア
ミンであることができる： （式中Ｘ、ＹおよびＺは水素、１〜約２０個の炭素原子
を有するアルキル基および塩素よりなる群から選ばれ、
しかもＸ、ＹおよびＺの少なくとも１つはそれぞれ、１
〜約２０個の炭素原子を有するアルキル基および塩素か
ら選ばれる）。格別の貯蔵安定性を含む優れた結果は軟
化可能層がこれらのジアミン化合物を軟化可能層の総重
量にもとづき約５〜約２４重量％の量で含有する場合に
得ることができる。最適の結果は軟化可能層がＮ，Ｎ′
−ジフエニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−メチルフエニ
ル）−（１，１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン
を軟化可能層の総重量にもとづき約８〜約２０重量％の
量で含有する場合に得られる。軟化可能層がこれらのジ
アミン化合物を軟化可能層の総重量にもとづき約５重量
％より少ない量で含有するとＤminは格別に高くなり、
他方軟化可能層がこれらのジアミン化合物を軟化可能層
の総重量にもとづき約２４重量％より多い量で含有する
とＤminが増加してそしてＤmaxが減少する。一般に、軟
化可能層中のこれらのジアミン化合物の濃度が低すぎる
かまたは高すぎると、コントラスト濃度の損失が見られ
る。さらにまた、非常に高濃度のこれらのジアミン化合
物は軟化可能層中でこれらの化合物の結晶化を生じるこ
とがある。
成する場合に、使用する電荷輸送物質の量は特定の電荷
輸送物質および軟化可能層の連続絶縁性フイルム形成結
合剤相中におけるその適合性（たとえば溶解度）等に依
存して変えることができる。軟化可能層の総重量にもと
づき電荷輸送物質を約２〜約５０重量％の量で私用する
と満足な結果が得られている。特に好適な電荷輸送分子
は次式を有するものであつて、ＹおよびＺが水素である
場合に、この化合物はＮ，Ｎ′−ビス（アルキルフエニ
ル）−（１，１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン
（ここでアルキルはたとえばメチル、エチル、プロピ
ル、ｎ−ブチル等である）と命名でき、またはこの化合
物はＮ，Ｎ′−ジフエニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（クロルフ
エニル）−（１，１′−ビフエニル）−４，４′−ジア
ミンであることができる： （式中Ｘ、ＹおよびＺは水素、１〜約２０個の炭素原子
を有するアルキル基および塩素よりなる群から選ばれ、
しかもＸ、ＹおよびＺの少なくとも１つはそれぞれ、１
〜約２０個の炭素原子を有するアルキル基および塩素か
ら選ばれる）。格別の貯蔵安定性を含む優れた結果は軟
化可能層がこれらのジアミン化合物を軟化可能層の総重
量にもとづき約５〜約２４重量％の量で含有する場合に
得ることができる。最適の結果は軟化可能層がＮ，Ｎ′
−ジフエニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−メチルフエニ
ル）−（１，１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン
を軟化可能層の総重量にもとづき約８〜約２０重量％の
量で含有する場合に得られる。軟化可能層がこれらのジ
アミン化合物を軟化可能層の総重量にもとづき約５重量
％より少ない量で含有するとＤminは格別に高くなり、
他方軟化可能層がこれらのジアミン化合物を軟化可能層
の総重量にもとづき約２４重量％より多い量で含有する
とＤminが増加してそしてＤmaxが減少する。一般に、軟
化可能層中のこれらのジアミン化合物の濃度が低すぎる
かまたは高すぎると、コントラスト濃度の損失が見られ
る。さらにまた、非常に高濃度のこれらのジアミン化合
物は軟化可能層中でこれらの化合物の結晶化を生じるこ
とがある。
電荷輸送物質はいづれか適当な技法により軟化可能層中
に配合できる。たとえば、共通の溶剤に溶解することに
より軟化可能層成分と混合できる。所望により、混合お
よび塗布の促進のために、電荷輸送物質用の溶剤と軟化
可能層用の溶剤との混合物を促進することもできる。
に配合できる。たとえば、共通の溶剤に溶解することに
より軟化可能層成分と混合できる。所望により、混合お
よび塗布の促進のために、電荷輸送物質用の溶剤と軟化
可能層用の溶剤との混合物を促進することもできる。
電荷輸送物質と軟化可能層との混合物はいずれか慣用の
塗布方法により基体に適用できる。代表的な塗布方法は
延伸塗棒、噴霧、押出し、浸漬、グラビヤロール、ワイ
ヤー巻き付けロツド、アエーナイフ塗布等を包含する。
いずれかの乾燥または硬化後の沈着した軟化可能層の厚
さは約０．５〜２．５マイクロメーターの範囲にあると
好ましい。幾分薄い層も使用できるがＤminは僅かに増
加する。これは粒子泳動および粒子合着の両方に対して
充分な空間が必要であるためである。さらに厚い層も使
用できるが、溶剤の除去に要する時間が実施不能になる
ことがあり、また層内に保留された溶剤が粘着を生じさ
せることがある。
塗布方法により基体に適用できる。代表的な塗布方法は
延伸塗棒、噴霧、押出し、浸漬、グラビヤロール、ワイ
ヤー巻き付けロツド、アエーナイフ塗布等を包含する。
いずれかの乾燥または硬化後の沈着した軟化可能層の厚
さは約０．５〜２．５マイクロメーターの範囲にあると
好ましい。幾分薄い層も使用できるがＤminは僅かに増
加する。これは粒子泳動および粒子合着の両方に対して
充分な空間が必要であるためである。さらに厚い層も使
用できるが、溶剤の除去に要する時間が実施不能になる
ことがあり、また層内に保留された溶剤が粘着を生じさ
せることがある。
軟化可能層中に電荷輸送物質を配合すると、泳動式像形
成要素に１回だけの帯電工程を含む非常に単純な処理工
程を用いて反転標示像を形成できる能力が与えられる。
成要素に１回だけの帯電工程を含む非常に単純な処理工
程を用いて反転標示像を形成できる能力が与えられる。
第２図において、上塗層１５は実質的に電気的に絶縁性
であることができ、またはいずれかその他の適当な性質
を有する。上塗１５はまたこの上塗層を有する要素を使
用しようとする像形成系によつて透明、半透明または不
透明であることができる。上塗層１５は連続しており、
約５〜１０マイクロメーターまでの厚さを有すると好ま
しいが、さらに厚い上塗層もかなりの態様で適当であ
り、望ましいこともある。たとえば、上塗層が導電性で
ある場合には、取扱いおよび経済上の実際の問題を除け
ば、厚さには全く制限はない。好ましくは、上塗は少な
くとも約０．１マイクロメーター、最適には少なくとも
約０．５マイクロメーターの厚さを有するべきである。
上塗層が電気絶縁性であつて、約５〜１０マイクロメー
ターより厚い場合には、処理および泳動像形成中に望ま
しくない高い電圧が像形成要素上に蓄積する傾向が大き
くなることがある。約１マイクロメーターから約５マイ
クロメーターの間の絶縁性上塗が上塗層１５の大部分に
捕獲される電荷を最少にするために好適である。代表的
な上塗材料はアクリル系−スチレン共重合体、メタアク
リレート重合体、メラアクリレート共重合体、スチレン
−ブチルメタアクリレート共重合体、ブチルメタアクリ
レート樹脂、ビニルクロリド共重合体、フツ素化ホモま
たは共重合体、高分子量ポリビニルアセテート、オルガ
ノシリコン重合体および共重合体、ポリエステル、ポリ
カーボネート、ポリアミド、ポリビニルトルエン等を包
含する。上塗層１５は摩耗の有害な作用に対するさらに
大きい抵抗性を付与するために軟化可能層１３を防護す
べきである。上塗層１５は軟化可能層１３に強く接着し
て泳動式像形成要素に損傷を与えることなく接着テープ
を取り除くことができるようにする助けをすることがで
きる。上塗層１５はまた指紋および粘着に対して改善さ
れた不感受性を付与し、泳動式形成要素の接着テープ除
去に対する抵抗能力を改善する接着性をその外側表面に
有することができる。この接着性は上塗層１５に固有で
あることができ、またはもう１つの層または接着性物質
の成分を配合することにより上塗層１５に付与すること
もできる。これらの接着性物質は上塗のフイルム形成性
成分を劣化されないものであるべきであり、また好まし
くは約２エネルギー／cm2 より小さい表面エネルギーを
有するべきである。代表的接着性物質は脂肪酸塩および
エステル、フルオロガーボン、シリコン等を包含する。
被覆は延伸塗り棒、噴霧、浸漬、溶融、押出しまたはグ
ラビヤコーテイングのようないずれか適当な技法により
適用できる。これらの上塗層が像形成前、像形成中およ
び要素に像が形成さらた後に、泳動式像形成要素を保護
することは明白である。
であることができ、またはいずれかその他の適当な性質
を有する。上塗１５はまたこの上塗層を有する要素を使
用しようとする像形成系によつて透明、半透明または不
透明であることができる。上塗層１５は連続しており、
約５〜１０マイクロメーターまでの厚さを有すると好ま
しいが、さらに厚い上塗層もかなりの態様で適当であ
り、望ましいこともある。たとえば、上塗層が導電性で
ある場合には、取扱いおよび経済上の実際の問題を除け
ば、厚さには全く制限はない。好ましくは、上塗は少な
くとも約０．１マイクロメーター、最適には少なくとも
約０．５マイクロメーターの厚さを有するべきである。
上塗層が電気絶縁性であつて、約５〜１０マイクロメー
ターより厚い場合には、処理および泳動像形成中に望ま
しくない高い電圧が像形成要素上に蓄積する傾向が大き
くなることがある。約１マイクロメーターから約５マイ
クロメーターの間の絶縁性上塗が上塗層１５の大部分に
捕獲される電荷を最少にするために好適である。代表的
な上塗材料はアクリル系−スチレン共重合体、メタアク
リレート重合体、メラアクリレート共重合体、スチレン
−ブチルメタアクリレート共重合体、ブチルメタアクリ
レート樹脂、ビニルクロリド共重合体、フツ素化ホモま
たは共重合体、高分子量ポリビニルアセテート、オルガ
ノシリコン重合体および共重合体、ポリエステル、ポリ
カーボネート、ポリアミド、ポリビニルトルエン等を包
含する。上塗層１５は摩耗の有害な作用に対するさらに
大きい抵抗性を付与するために軟化可能層１３を防護す
べきである。上塗層１５は軟化可能層１３に強く接着し
て泳動式像形成要素に損傷を与えることなく接着テープ
を取り除くことができるようにする助けをすることがで
きる。上塗層１５はまた指紋および粘着に対して改善さ
れた不感受性を付与し、泳動式形成要素の接着テープ除
去に対する抵抗能力を改善する接着性をその外側表面に
有することができる。この接着性は上塗層１５に固有で
あることができ、またはもう１つの層または接着性物質
の成分を配合することにより上塗層１５に付与すること
もできる。これらの接着性物質は上塗のフイルム形成性
成分を劣化されないものであるべきであり、また好まし
くは約２エネルギー／cm2 より小さい表面エネルギーを
有するべきである。代表的接着性物質は脂肪酸塩および
エステル、フルオロガーボン、シリコン等を包含する。
被覆は延伸塗り棒、噴霧、浸漬、溶融、押出しまたはグ
ラビヤコーテイングのようないずれか適当な技法により
適用できる。これらの上塗層が像形成前、像形成中およ
び要素に像が形成さらた後に、泳動式像形成要素を保護
することは明白である。
第１図および第２図に例示されている像形成要素は帯電
および像様露光の後に、溶剤蒸気を適用し、次いで熱を
適用することにより現像する。基体１１、導電性被覆１
２および上塗層１５が光透過性である場合に、この像形
成した要素は未露光領域の泳動マーク形成物質の選択的
凝集および合着により高度に光透過性でありうる。蒸気
は像様露光後であつて、最終加熱現像の前に適用して、
本発明の方法により像形成された泳動式像形成要素に顕
著に低いDminをうることができるようにせねばならな
い。
および像様露光の後に、溶剤蒸気を適用し、次いで熱を
適用することにより現像する。基体１１、導電性被覆１
２および上塗層１５が光透過性である場合に、この像形
成した要素は未露光領域の泳動マーク形成物質の選択的
凝集および合着により高度に光透過性でありうる。蒸気
は像様露光後であつて、最終加熱現像の前に適用して、
本発明の方法により像形成された泳動式像形成要素に顕
著に低いDminをうることができるようにせねばならな
い。
第３Ａ図にはその上に導電性被覆１２を有する基体１
１、軟化可能層１３、軟化可能層１３の表面に隣接して
いる泳動性マーク形成物質１４の層およびその上の上塗
１５を含む像形成要素が示されている。この要素を均一
に静電的に帯電させ、次いで帯電要素をこの均一電荷の
実質的な暗減衰の前に活性電磁照射に露光することによ
り像形成要素上に電気潜像を形成することができる。第
３Ａ図にはコロナ帯電装置１６により静電的に正に帯電
されている像形成要素が示されている。基体１１が導電
性であるか、または導電性被覆１２を有する場合に、導
電性層は１７で示されているようにアースしてあるか、
または静電帯電中は既定の電圧に保持する。導電性基体
ではなくて絶縁性を有する要素を帯電させるもう１つの
方法は反対の極性の表面電位に対して要素の両端で静電
的に帯電させる方法である。
１、軟化可能層１３、軟化可能層１３の表面に隣接して
いる泳動性マーク形成物質１４の層およびその上の上塗
１５を含む像形成要素が示されている。この要素を均一
に静電的に帯電させ、次いで帯電要素をこの均一電荷の
実質的な暗減衰の前に活性電磁照射に露光することによ
り像形成要素上に電気潜像を形成することができる。第
３Ａ図にはコロナ帯電装置１６により静電的に正に帯電
されている像形成要素が示されている。基体１１が導電
性であるか、または導電性被覆１２を有する場合に、導
電性層は１７で示されているようにアースしてあるか、
または静電帯電中は既定の電圧に保持する。導電性基体
ではなくて絶縁性を有する要素を帯電させるもう１つの
方法は反対の極性の表面電位に対して要素の両端で静電
的に帯電させる方法である。
第３Ｂ図には領域１９で活性電磁照射１８に露光されて
おり、これにより像形成要素上に電気的潜像が形成され
る帯電要素が示されている。像形成要素上に電気的潜像
を形成するための像様パターンでの露光は沈着した表面
電荷の実質的に暗減衰の前に行なわれるべきである。暗
減衰が初期電荷の約５０％より少ない場合に、満足な結
果を得ることができ、従つて「実質的な暗減衰の前」な
る用語は暗減衰が初期電荷の５０％より少ないことを意
味するものとする。最適の像形成には、初期電荷の約２
５％より少ない暗減衰が好ましい。
おり、これにより像形成要素上に電気的潜像が形成され
る帯電要素が示されている。像形成要素上に電気的潜像
を形成するための像様パターンでの露光は沈着した表面
電荷の実質的に暗減衰の前に行なわれるべきである。暗
減衰が初期電荷の約５０％より少ない場合に、満足な結
果を得ることができ、従つて「実質的な暗減衰の前」な
る用語は暗減衰が初期電荷の５０％より少ないことを意
味するものとする。最適の像形成には、初期電荷の約２
５％より少ない暗減衰が好ましい。
その上に電気的潜像を有する要素は次いで第３Ｃ図に示
されているように、溶剤蒸気（点で示されている）にさ
らす。蒸気にさらす時間は軟化可能層の溶剤中における
溶解度、溶剤蒸気の種類、周辺温度および溶剤蒸気の濃
度のような因子によつて変わる。さらにまた、軟化可能
層上に上塗が存在するか、または存在しないかがこの露
出時間に影響することができる。蒸気処理と連結してい
る露光領域１９中の泳動性マーク形成粒子上の僅かな純
粋電荷が泳動性マーク形成粒子を基体から離れている方
の軟化可能層表面から僅かに離れて泳動させて、隣接す
る泳動性マーク形成粒子間からの分離を増大させる。こ
の分離（蒸気にさらした後の泳動性マーク形成粒子内に
残留する非常に少量の電荷により多分助けられる）は後
続の加熱工程中の凝集または合着を防止するに充分であ
る。未露光領域では、表面電荷が蒸気にさらされること
により完全に放電される。所望により、蒸気処理工程の
前に熱処理工程を使用して、露光領域１９の泳動性マー
ク形成粒子上に僅かな純粋電荷が存在するようにして、
泳動性マーク形成粒子を基体から離れている方の軟化可
能表面から僅かに離れて泳動させ、隣接している泳動性
マーク形成粒子間からの分離を増大させることができ
る。このような熱処理工程を蒸気露出工程の前に使用す
る場合にも、蒸気露出工程は下記に第３Ｄ図を引用して
記載するように、凝集の達成に依然として必要である。
されているように、溶剤蒸気（点で示されている）にさ
らす。蒸気にさらす時間は軟化可能層の溶剤中における
溶解度、溶剤蒸気の種類、周辺温度および溶剤蒸気の濃
度のような因子によつて変わる。さらにまた、軟化可能
層上に上塗が存在するか、または存在しないかがこの露
出時間に影響することができる。蒸気処理と連結してい
る露光領域１９中の泳動性マーク形成粒子上の僅かな純
粋電荷が泳動性マーク形成粒子を基体から離れている方
の軟化可能層表面から僅かに離れて泳動させて、隣接す
る泳動性マーク形成粒子間からの分離を増大させる。こ
の分離（蒸気にさらした後の泳動性マーク形成粒子内に
残留する非常に少量の電荷により多分助けられる）は後
続の加熱工程中の凝集または合着を防止するに充分であ
る。未露光領域では、表面電荷が蒸気にさらされること
により完全に放電される。所望により、蒸気処理工程の
前に熱処理工程を使用して、露光領域１９の泳動性マー
ク形成粒子上に僅かな純粋電荷が存在するようにして、
泳動性マーク形成粒子を基体から離れている方の軟化可
能表面から僅かに離れて泳動させ、隣接している泳動性
マーク形成粒子間からの分離を増大させることができ
る。このような熱処理工程を蒸気露出工程の前に使用す
る場合にも、蒸気露出工程は下記に第３Ｄ図を引用して
記載するように、凝集の達成に依然として必要である。
第３Ｄ図におけるように、潜像は２１の部分で軟化可能
物質中に与えられているように示されている熱の適用に
より軟化を生じさせ、粒状マーク形成物質の泳動に対す
る軟化可能物質の抵抗性を減じることにより現像する。
これにより、非帯電泳動マーク形成物質は凝集し、実質
的に合着して、未露光領域２０にさらに大きい粒子２２
が形成される。領域１９で露光した粒子の位置は第３Ｃ
図に示されている蒸気処理工程中にとつている位置から
実質的に変化しないで残り、これらの粒子は前の溶剤蒸
気装置により相互にもはや近接していないので、凝集ま
たは合着しない。従つて、第３Ｄ図では、泳動性マーク
形成物質は領域１９（露出領域）で僅かに泳動している
ようにおよび領域２０（未露出領域）で合着した状態で
示されている。これらの領域１９および２０は第３Ａ図
および第３Ｂ図と関連して記載されている電気的潜像の
形成に相当する。従つて、本発明の方法はポジオリジナ
ルからネガ像を、またはネガオリジナルからポジ像を生
成する。溶剤がメチルエチルケトンであり、そして上塗
されていない軟化可能層が０．１７９dl／ｇの固有粘度
を有するスチレンとヘキサメタアクリレートとの常法合
成された８０／２０モル％およびＮ，Ｎ′−ジフエニル
−Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−メチルフエニル）−（１，
１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミンを含有する場
合に、満足な結果は蒸気にさらす時間が２１℃で約１０
秒〜約２分であり、現像加熱温度が２秒〜２分の蒸気露
出時間について約８０℃〜約１２０℃であり（さらに長
い時間を使用するとさらに低い温度を使用できる）、そ
して溶剤蒸気分圧が約２０mmHg〜約８０mmHgである場合
に得られた。
物質中に与えられているように示されている熱の適用に
より軟化を生じさせ、粒状マーク形成物質の泳動に対す
る軟化可能物質の抵抗性を減じることにより現像する。
これにより、非帯電泳動マーク形成物質は凝集し、実質
的に合着して、未露光領域２０にさらに大きい粒子２２
が形成される。領域１９で露光した粒子の位置は第３Ｃ
図に示されている蒸気処理工程中にとつている位置から
実質的に変化しないで残り、これらの粒子は前の溶剤蒸
気装置により相互にもはや近接していないので、凝集ま
たは合着しない。従つて、第３Ｄ図では、泳動性マーク
形成物質は領域１９（露出領域）で僅かに泳動している
ようにおよび領域２０（未露出領域）で合着した状態で
示されている。これらの領域１９および２０は第３Ａ図
および第３Ｂ図と関連して記載されている電気的潜像の
形成に相当する。従つて、本発明の方法はポジオリジナ
ルからネガ像を、またはネガオリジナルからポジ像を生
成する。溶剤がメチルエチルケトンであり、そして上塗
されていない軟化可能層が０．１７９dl／ｇの固有粘度
を有するスチレンとヘキサメタアクリレートとの常法合
成された８０／２０モル％およびＮ，Ｎ′−ジフエニル
−Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−メチルフエニル）−（１，
１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミンを含有する場
合に、満足な結果は蒸気にさらす時間が２１℃で約１０
秒〜約２分であり、現像加熱温度が２秒〜２分の蒸気露
出時間について約８０℃〜約１２０℃であり（さらに長
い時間を使用するとさらに低い温度を使用できる）、そ
して溶剤蒸気分圧が約２０mmHg〜約８０mmHgである場合
に得られた。
第３Ｄ図に例示されている泳動剤の像形成した要素には
第２図に例示されているものと同様に、その上に上塗層
１５を有するものとして示されている。この上塗層１５
は像形成の前、形成中および形成後の像形成要素を保護
する。所望により、第１図に例示されているような上塗
されていない像形成要素の代りに第２図に例示されてい
るような被覆されている要素を使用できる。
第２図に例示されているものと同様に、その上に上塗層
１５を有するものとして示されている。この上塗層１５
は像形成の前、形成中および形成後の像形成要素を保護
する。所望により、第１図に例示されているような上塗
されていない像形成要素の代りに第２図に例示されてい
るような被覆されている要素を使用できる。
第３Ｄ図に示されている像形成した要素は未露光領域の
泳動性マーク形成粒子が選択的に凝集し、合着している
ので、その未露光領域が高度に光透過性である。未露光
領域で得られるＤminは軟化可能層の下にある基体の光
学濃度とほとんど同じ位に低い。露光領域のＤmaxはま
た、露光領域の泳動マーク形成物質が僅かに泳動してい
るだけなので、まだ高い。従つて、１．１〜１．３の範
囲の高いコントラスト濃度を有する反転標示像を本発明
の方法により得ることができる。さらに、本発明の方法
により２２８ラインペアー（line pairs）／mmのような
格別の解像力を得ることができる。蒸気はこのような高
度に光透過性の像を得るために、露光後であつて、最終
加熱現像の前に、像形成要素に適用せねばならない。
泳動性マーク形成粒子が選択的に凝集し、合着している
ので、その未露光領域が高度に光透過性である。未露光
領域で得られるＤminは軟化可能層の下にある基体の光
学濃度とほとんど同じ位に低い。露光領域のＤmaxはま
た、露光領域の泳動マーク形成物質が僅かに泳動してい
るだけなので、まだ高い。従つて、１．１〜１．３の範
囲の高いコントラスト濃度を有する反転標示像を本発明
の方法により得ることができる。さらに、本発明の方法
により２２８ラインペアー（line pairs）／mmのような
格別の解像力を得ることができる。蒸気はこのような高
度に光透過性の像を得るために、露光後であつて、最終
加熱現像の前に、像形成要素に適用せねばならない。
本発明の蒸気−加熱現像、反転表示像形成方法では、本
発明の優れた結果を得るために、初期に適用されたイオ
ン性電荷と同一符号の光発生電荷キヤリヤが多くて５０
〜９５％、好ましくは９０〜９５％の量で露光した泳動
像形成粒子から注入されねばならない（軟化可能層の軟
化により現像する前または現像の初期段階において）。
光発生した電荷のその他の標示が（粒子からの注入によ
るか、または表面に初期に適用された電荷により中和さ
れることにより）消失した後に（しかも現像の前または
現像の初期段階で）、少ない純粋電荷だけが露光した泳
動像形成粒子中に残る。電荷の最初の標示の電荷注入は
本発明では軟化可能層中に電荷輸送物質を配合すること
により達成される。泳動性像形成粒子は露光した領域で
少量の純粋電荷を獲得するだけであるので、現像中に溶
剤蒸気にさらすと、泳動性像形成粒子が非常に僅かだけ
泳動し、光学濃度は約１．８〜１．９の初期濃度に比較
して、たとえば約１．０〜１．７（好ましくは１．２〜
１．７またはそれ以上、特に好ましくは１．４〜１．７
またはそれ以上）に僅かに減じられるだけである。僅か
な泳動が最終加熱工程中での凝集を防止するために必要
であるが、他方最終の反転表示像のＤmax（および従つ
てコントラスト濃度）を前記の数値以上に悪くするほぼ
過度であるべきではない。軟化可能層中にいずれの電荷
輸送物質も含有していない慣用の泳動式像形成要素の場
合には、露光した泳動像形成粒子が相応する純粋電荷を
獲得し、著しく泳動して、本発明の蒸気処理−加熱現像
で処理すると、高い光学濃度領域の代りに低い光学濃度
領域を生じる。
発明の優れた結果を得るために、初期に適用されたイオ
ン性電荷と同一符号の光発生電荷キヤリヤが多くて５０
〜９５％、好ましくは９０〜９５％の量で露光した泳動
像形成粒子から注入されねばならない（軟化可能層の軟
化により現像する前または現像の初期段階において）。
光発生した電荷のその他の標示が（粒子からの注入によ
るか、または表面に初期に適用された電荷により中和さ
れることにより）消失した後に（しかも現像の前または
現像の初期段階で）、少ない純粋電荷だけが露光した泳
動像形成粒子中に残る。電荷の最初の標示の電荷注入は
本発明では軟化可能層中に電荷輸送物質を配合すること
により達成される。泳動性像形成粒子は露光した領域で
少量の純粋電荷を獲得するだけであるので、現像中に溶
剤蒸気にさらすと、泳動性像形成粒子が非常に僅かだけ
泳動し、光学濃度は約１．８〜１．９の初期濃度に比較
して、たとえば約１．０〜１．７（好ましくは１．２〜
１．７またはそれ以上、特に好ましくは１．４〜１．７
またはそれ以上）に僅かに減じられるだけである。僅か
な泳動が最終加熱工程中での凝集を防止するために必要
であるが、他方最終の反転表示像のＤmax（および従つ
てコントラスト濃度）を前記の数値以上に悪くするほぼ
過度であるべきではない。軟化可能層中にいずれの電荷
輸送物質も含有していない慣用の泳動式像形成要素の場
合には、露光した泳動像形成粒子が相応する純粋電荷を
獲得し、著しく泳動して、本発明の蒸気処理−加熱現像
で処理すると、高い光学濃度領域の代りに低い光学濃度
領域を生じる。
さらにまた、本発明の蒸気−加熱現像、反転標示像形成
法においては、未露光粒子が帯電せず、蒸気処理工程中
（または蒸気処理工程前に用いることができるいずれか
の加熱処理工程中）に蒸気にさらしても泳動せずに、単
層配置で実質的に帯電しないままで残り、蒸気処理工程
後に行なわれる最終加熱工程中に効果的に凝集し、合着
することができる。軟化可能層中にいずれの電荷輸送物
質も含有していない慣用の泳動式像形成要素の場合に
も、未露光粒子は一般に実質的に帯電しないままに残る
が、本発明の像形成方法で使用する像形成要素中の電荷
輸送物質は露光した粒子の静電性を根本的に変更する。
法においては、未露光粒子が帯電せず、蒸気処理工程中
（または蒸気処理工程前に用いることができるいずれか
の加熱処理工程中）に蒸気にさらしても泳動せずに、単
層配置で実質的に帯電しないままで残り、蒸気処理工程
後に行なわれる最終加熱工程中に効果的に凝集し、合着
することができる。軟化可能層中にいずれの電荷輸送物
質も含有していない慣用の泳動式像形成要素の場合に
も、未露光粒子は一般に実質的に帯電しないままに残る
が、本発明の像形成方法で使用する像形成要素中の電荷
輸送物質は露光した粒子の静電性を根本的に変更する。
軟化可能層中にいずれの電荷輸送物質も含有していない
慣用の泳動式像形成要素を陽電コロナ帯電させると、露
光した移動性像形成粒子は蒸気にさらすと純正陽電荷を
獲得する。この生じた電荷は泳動性像形成粒子への電子
注入が露光時または露光後に生じた場合に、再生性の低
いレベルに減じることができる。これは軟化可能層の連
続マトリツクスに電子注入分子を用いることにより達成
できる。この電荷注入を達成するためには、連続マトリ
ツクス中の少なくとも１種の物質の最高占有分子軌道関
数（ＨＯＭＯ）があまり低すぎないようにすべきであ
り、好ましくは泳動性像形成粒子の価電子帯以上である
べきであり、電解助成があつてもこのエネルギー障壁が
注入を阻止することになる。このメカニズムによれば、
露光した泳動性像形成粒子中への電子注入はそれらの最
初のほぼ中性度を確保するのに充分である；すなわち、
泳動性像形成粒子から軟化可能層のマトリツクスを通る
地面へのホール輸送は有害ではないが、不必要である。
他方、未露光泳動性像形成粒子は実質的に中性のままで
なければならず、蒸気にさらしても単層から泳動しては
ならない；さもなくば、凝集および合着が非常に困難に
なる。いずれの暗減衰も回避するために（および、多
分、露光した泳動性像形成粒子の本来のほとんど総体的
な中性度を守るために）、軟化可能層のマトリツクス中
の物質は泳動性像形成粒子の価電子帯よりはるかに高い
位置にあるＨＯＭＯを有してはならない。さもなくば、
未露光泳動性像形成粒子に許容されない程の電荷交換が
生じ、蒸気にさらされるとこれらが無差別に泳動してし
まう結果になる。しかしながら、この比較的高い位置に
あるＨＯＭＯの有害な作用は比較的低濃度で電荷輸送物
質を用いることにより解消することができる。しかしな
がら、これでは、露光した粒子中への充分な電子注入が
依然として充分に可能である。従つて、本発明の好まし
い蒸気−加熱現像像形成方法により満足な結果を得るた
めには、軟化可能層のマトリツクス中の少なくとも１種
の物質のＨＯＭＯが有意に低くあつてはならず、好まし
くは泳動性像形成粒子の価電子帯以上であるべきであ
る。電荷輸送物質の少なくとも種のＨＯＭＯが泳動性像
形成粒子の価電子帯より実質的に高い場合には、この電
荷輸送物質を比較的低濃度で使用すべきである。電荷輸
送物質の許容されうる濃度は一般に、そのＨＯＭＯと泳
動性像形成粒子の価電子帯との差の函数に当る。電荷輸
送物質の適当な濃度は得られた反転標示像のコントラス
ト濃度を最大にすることにより、濃度の函数として実験
的に決定できる。たとえば、この濃度ははＨＯＭＯと価
電子帯とのエネルギー差が大体０．９〜１．０ｅＶであ
るように、約２０％以下に減じるべきであることが多く
の場合に見い出される。前記のＨＯＭＯが価電子帯から
「有意に低く」あつてはならないということはＨＯＭＯ
が価電子帯よりも１．０ｅＶ、好ましくは０．０５ｅＶ
より大きく低いべきではないことを意味する。前記した
ように、価電子帯以上でありうることは勿論のことであ
る。露光時に、軟化可能層のマトリツクスを通る電荷輸
送は前記メカニズムにとつて必須であるとは考えられず
（有害ではないが）、単なる注入で充分である。
慣用の泳動式像形成要素を陽電コロナ帯電させると、露
光した移動性像形成粒子は蒸気にさらすと純正陽電荷を
獲得する。この生じた電荷は泳動性像形成粒子への電子
注入が露光時または露光後に生じた場合に、再生性の低
いレベルに減じることができる。これは軟化可能層の連
続マトリツクスに電子注入分子を用いることにより達成
できる。この電荷注入を達成するためには、連続マトリ
ツクス中の少なくとも１種の物質の最高占有分子軌道関
数（ＨＯＭＯ）があまり低すぎないようにすべきであ
り、好ましくは泳動性像形成粒子の価電子帯以上である
べきであり、電解助成があつてもこのエネルギー障壁が
注入を阻止することになる。このメカニズムによれば、
露光した泳動性像形成粒子中への電子注入はそれらの最
初のほぼ中性度を確保するのに充分である；すなわち、
泳動性像形成粒子から軟化可能層のマトリツクスを通る
地面へのホール輸送は有害ではないが、不必要である。
他方、未露光泳動性像形成粒子は実質的に中性のままで
なければならず、蒸気にさらしても単層から泳動しては
ならない；さもなくば、凝集および合着が非常に困難に
なる。いずれの暗減衰も回避するために（および、多
分、露光した泳動性像形成粒子の本来のほとんど総体的
な中性度を守るために）、軟化可能層のマトリツクス中
の物質は泳動性像形成粒子の価電子帯よりはるかに高い
位置にあるＨＯＭＯを有してはならない。さもなくば、
未露光泳動性像形成粒子に許容されない程の電荷交換が
生じ、蒸気にさらされるとこれらが無差別に泳動してし
まう結果になる。しかしながら、この比較的高い位置に
あるＨＯＭＯの有害な作用は比較的低濃度で電荷輸送物
質を用いることにより解消することができる。しかしな
がら、これでは、露光した粒子中への充分な電子注入が
依然として充分に可能である。従つて、本発明の好まし
い蒸気−加熱現像像形成方法により満足な結果を得るた
めには、軟化可能層のマトリツクス中の少なくとも１種
の物質のＨＯＭＯが有意に低くあつてはならず、好まし
くは泳動性像形成粒子の価電子帯以上であるべきであ
る。電荷輸送物質の少なくとも種のＨＯＭＯが泳動性像
形成粒子の価電子帯より実質的に高い場合には、この電
荷輸送物質を比較的低濃度で使用すべきである。電荷輸
送物質の許容されうる濃度は一般に、そのＨＯＭＯと泳
動性像形成粒子の価電子帯との差の函数に当る。電荷輸
送物質の適当な濃度は得られた反転標示像のコントラス
ト濃度を最大にすることにより、濃度の函数として実験
的に決定できる。たとえば、この濃度ははＨＯＭＯと価
電子帯とのエネルギー差が大体０．９〜１．０ｅＶであ
るように、約２０％以下に減じるべきであることが多く
の場合に見い出される。前記のＨＯＭＯが価電子帯から
「有意に低く」あつてはならないということはＨＯＭＯ
が価電子帯よりも１．０ｅＶ、好ましくは０．０５ｅＶ
より大きく低いべきではないことを意味する。前記した
ように、価電子帯以上でありうることは勿論のことであ
る。露光時に、軟化可能層のマトリツクスを通る電荷輸
送は前記メカニズムにとつて必須であるとは考えられず
（有害ではないが）、単なる注入で充分である。
泳動式像成形要素の軟化可能層に用られる大部分の重合
体物質、たとえばスチレンとヘキシルメタアクリレート
との８０／２０モル％共重合体のＨＯＭＯが無定形セレ
ン移動性像形成粒子の価電子帯よりも充分に低いことに
留意すべきである。これらの状況下に、電荷輸送物質
（すなわち、適当なＨＯＭＯを有する物質）が注意して
加えられるかぎり、露光時の泳動性像形成粒子中への電
子注入は無視することができる。
体物質、たとえばスチレンとヘキシルメタアクリレート
との８０／２０モル％共重合体のＨＯＭＯが無定形セレ
ン移動性像形成粒子の価電子帯よりも充分に低いことに
留意すべきである。これらの状況下に、電荷輸送物質
（すなわち、適当なＨＯＭＯを有する物質）が注意して
加えられるかぎり、露光時の泳動性像形成粒子中への電
子注入は無視することができる。
前記効果が第４図におよび下記の例に示されており、こ
れらの例ではＮ，Ｎ′−ジフエニル−Ｎ，Ｎ′−ビス−
（３″−メチルフエニル）−（１，１′−ビフエニル）
−４，４′−ジアミン(Ｂ)、３−メチル−ジフエニルア
ミン(Ｃ)、４，４′−ベンジリデン−ビス−（Ｎ，Ｎ−
ジエチル−ｍ−トルイジン）(Ｄ)、およびｐ−ジエチル
アミノ−ベンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）
(Ｅ)が慣用の軟化可能層マトリツクス中に配合されてい
る。これらの物質は第４図の位置エネルギー図表に示さ
れており、第４図は各ＨＯＭＯの全部が無定形セレン
(Ａ)の価電子帯以上にあることを示している。最初の２
つ、すなわちＮ，Ｎ′−ジフエニル−Ｎ，Ｎ′−ビス−
（３″−メチルフエニル）−（１，１′−ビフエニル）
−４，４′−ジアミン(Ｂ)および３−メチル−ジフエニ
ルアミン(Ｃ)が約２０％の濃度レベルで良好な蒸気−加
熱現象、反転標示像を提供する。Ｎ，Ｎ′−ジフエニル
−Ｎ，Ｎ′−ビス−（３″−メチルフエニル）−（１，
１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン(Ｂ)は露光時
に良好な注入および輸送を与える（全部に近いフイルム
電圧放電を生じさせる）が、３−メチル−ジフエニルア
ミン(Ｃ)は注入は良好であるが輸送は非常に貧弱である
（高い残留電圧が生じる）。しかしながら、注入後で現
像前の輸送は良好な像形成にとつて臨界的ではない。Ｈ
ＯＭＯが無定形セレンの価電子帯以上にある４，４′−
ベンジリデン−ビス−（Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルイ
ジン）(Ｄ)およびｐ−ジエチルアミノ−ベンズアルデヒ
ド−（ジフエニルヒドラゾン）(Ｅ)は約２０％のレベル
で配合した場合に、無差別の泳動（〜１．４の光学濃度
に）を与えるだけである。しかしながら、濃度を約３％
のレベルに減少すると、４，４′−ベンジリデン−ビス
−（Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルイジン）(Ｄ)およびｐ
−ジエチルアミノ−ベンズアルデヒド−（ジフエニルヒ
ドラゾン）(Ｅ)は両方共に、蒸気−加熱反転標示像形成
を可能にする。
れらの例ではＮ，Ｎ′−ジフエニル−Ｎ，Ｎ′−ビス−
（３″−メチルフエニル）−（１，１′−ビフエニル）
−４，４′−ジアミン(Ｂ)、３−メチル−ジフエニルア
ミン(Ｃ)、４，４′−ベンジリデン−ビス−（Ｎ，Ｎ−
ジエチル−ｍ−トルイジン）(Ｄ)、およびｐ−ジエチル
アミノ−ベンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）
(Ｅ)が慣用の軟化可能層マトリツクス中に配合されてい
る。これらの物質は第４図の位置エネルギー図表に示さ
れており、第４図は各ＨＯＭＯの全部が無定形セレン
(Ａ)の価電子帯以上にあることを示している。最初の２
つ、すなわちＮ，Ｎ′−ジフエニル−Ｎ，Ｎ′−ビス−
（３″−メチルフエニル）−（１，１′−ビフエニル）
−４，４′−ジアミン(Ｂ)および３−メチル−ジフエニ
ルアミン(Ｃ)が約２０％の濃度レベルで良好な蒸気−加
熱現象、反転標示像を提供する。Ｎ，Ｎ′−ジフエニル
−Ｎ，Ｎ′−ビス−（３″−メチルフエニル）−（１，
１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン(Ｂ)は露光時
に良好な注入および輸送を与える（全部に近いフイルム
電圧放電を生じさせる）が、３−メチル−ジフエニルア
ミン(Ｃ)は注入は良好であるが輸送は非常に貧弱である
（高い残留電圧が生じる）。しかしながら、注入後で現
像前の輸送は良好な像形成にとつて臨界的ではない。Ｈ
ＯＭＯが無定形セレンの価電子帯以上にある４，４′−
ベンジリデン−ビス−（Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルイ
ジン）(Ｄ)およびｐ−ジエチルアミノ−ベンズアルデヒ
ド−（ジフエニルヒドラゾン）(Ｅ)は約２０％のレベル
で配合した場合に、無差別の泳動（〜１．４の光学濃度
に）を与えるだけである。しかしながら、濃度を約３％
のレベルに減少すると、４，４′−ベンジリデン−ビス
−（Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルイジン）(Ｄ)およびｐ
−ジエチルアミノ−ベンズアルデヒド−（ジフエニルヒ
ドラゾン）(Ｅ)は両方共に、蒸気−加熱反転標示像形成
を可能にする。
下記の記載は陰性のコロナ帯電の場合に関するものであ
る。軟化可能層にいずれの電荷輸送物質も含有していな
い慣用の泳動式像形成要素が陰性にコロナ帯電されてい
る場合には、露光した泳動性像形成粒子は蒸気にさらさ
れると実質的に陰性の電荷を獲得する。この実質的に陰
性の電荷の獲得は本発明の好適な蒸気−加熱現像方法を
用いる場合に、満足な結果を得るには防止せねばならな
い。軟化可能層の連続マトリツクス中のマトリツクス成
分（すなわち、ホール注入物質）の少なくとも１種の最
低非占有分子軌道関数（ＬＵＭＯ）が泳動性像形成粒子
の伝導帯以下である（または少なくとも有意に以上でな
い）場合には、これを防止するために泳動性像形成粒子
中へのホール注入の必要が生じることがあると考えられ
る。さらにまた、泳動性像形成粒子の望ましくない暗帯
電を防止するために、実質的なマトリツクス成分は泳動
性像形成粒子の導電性範囲より実質的に低いＬＵＭＯを
有してはならない。いずれか重要なマトリツクス成分の
ＬＵＭＯが移動性像形成粒子の伝導帯より実質的に低い
場合には、このマトリツクス成分は比較的低濃度で使用
すべきである。電荷輸送物質の許容されうる濃度は一般
にそのＬＵＭＯ泳動性像形成粒子の伝導帯との間の函数
である。電荷輸送物質の適当な濃度は濃度の函数とし
て、得られた反転標示像のコントラスト濃度を最大にす
ることにより実験的に決定できる。このメカニズムによ
れば、露光した泳動性像形成粒子へのホール注入はそれ
らの本来の中性度近くを確保するに充分であると考えら
れる。露光時における泳動性像形成粒子からのマトリツ
クスを通る地面への電荷輸送は実質的にないかまたは有
害ではない。泳動式像形成要素の軟化可能層に用いられ
る代表的な重合体系物質、たとえばスチレンとヘキシル
メタアクリレートとの８０／２０モル％共重合体のＬＵ
ＭＯが無定形セレン(Ａ)の伝導帯より充分に上にあるこ
とに気付くべきである。従つて、電荷輸送物質（すなわ
ち適当なＬＵＭＯを有する物質）を注意して加えるかぎ
り、露光時における粒子中へのホール注入は無視でき
る。
る。軟化可能層にいずれの電荷輸送物質も含有していな
い慣用の泳動式像形成要素が陰性にコロナ帯電されてい
る場合には、露光した泳動性像形成粒子は蒸気にさらさ
れると実質的に陰性の電荷を獲得する。この実質的に陰
性の電荷の獲得は本発明の好適な蒸気−加熱現像方法を
用いる場合に、満足な結果を得るには防止せねばならな
い。軟化可能層の連続マトリツクス中のマトリツクス成
分（すなわち、ホール注入物質）の少なくとも１種の最
低非占有分子軌道関数（ＬＵＭＯ）が泳動性像形成粒子
の伝導帯以下である（または少なくとも有意に以上でな
い）場合には、これを防止するために泳動性像形成粒子
中へのホール注入の必要が生じることがあると考えられ
る。さらにまた、泳動性像形成粒子の望ましくない暗帯
電を防止するために、実質的なマトリツクス成分は泳動
性像形成粒子の導電性範囲より実質的に低いＬＵＭＯを
有してはならない。いずれか重要なマトリツクス成分の
ＬＵＭＯが移動性像形成粒子の伝導帯より実質的に低い
場合には、このマトリツクス成分は比較的低濃度で使用
すべきである。電荷輸送物質の許容されうる濃度は一般
にそのＬＵＭＯ泳動性像形成粒子の伝導帯との間の函数
である。電荷輸送物質の適当な濃度は濃度の函数とし
て、得られた反転標示像のコントラスト濃度を最大にす
ることにより実験的に決定できる。このメカニズムによ
れば、露光した泳動性像形成粒子へのホール注入はそれ
らの本来の中性度近くを確保するに充分であると考えら
れる。露光時における泳動性像形成粒子からのマトリツ
クスを通る地面への電荷輸送は実質的にないかまたは有
害ではない。泳動式像形成要素の軟化可能層に用いられ
る代表的な重合体系物質、たとえばスチレンとヘキシル
メタアクリレートとの８０／２０モル％共重合体のＬＵ
ＭＯが無定形セレン(Ａ)の伝導帯より充分に上にあるこ
とに気付くべきである。従つて、電荷輸送物質（すなわ
ち適当なＬＵＭＯを有する物質）を注意して加えるかぎ
り、露光時における粒子中へのホール注入は無視でき
る。
前記のＨＯＭＯまたはＬＵＭＯ要件に適合するすべきで
あつて、本明細書全体に記載されている泳動性像形成粒
子と電荷輸送物質との組合せがまたマトリツクスに用い
られるいずれかの軟化可能物質と適合できる通常の要件
に適合すべきことは勿論のことである。たとえば、電荷
輸送物質が絶縁性フイルム形成性結合剤中に融解または
分子状で分散されるべき場合に、電荷輸送物質と絶縁性
フイルム形成性結合剤との組合せは電荷輸送物質をフイ
ルム形成性結合剤中に充分の濃度レベルで配合でき、し
かも溶液または分子状分散液の形のまゝであることがで
きるようなものであるべきである。所望により、電荷輸
送物質が重合体系フイルム形成性物質である場合には、
絶縁性フイルム形成性結合剤は使用する必要はない。
あつて、本明細書全体に記載されている泳動性像形成粒
子と電荷輸送物質との組合せがまたマトリツクスに用い
られるいずれかの軟化可能物質と適合できる通常の要件
に適合すべきことは勿論のことである。たとえば、電荷
輸送物質が絶縁性フイルム形成性結合剤中に融解または
分子状で分散されるべき場合に、電荷輸送物質と絶縁性
フイルム形成性結合剤との組合せは電荷輸送物質をフイ
ルム形成性結合剤中に充分の濃度レベルで配合でき、し
かも溶液または分子状分散液の形のまゝであることがで
きるようなものであるべきである。所望により、電荷輸
送物質が重合体系フイルム形成性物質である場合には、
絶縁性フイルム形成性結合剤は使用する必要はない。
本発明をここでその特定の好適態様について詳細に説明
する。これらの例は説明のためだけのものであつて、本
発明の範囲を制限しようとするものでない。部およびパ
ーセント(％)は別記されていないかぎり重量による。
する。これらの例は説明のためだけのものであつて、本
発明の範囲を制限しようとするものでない。部およびパ
ーセント(％)は別記されていないかぎり重量による。
例 １ 第１図に例示されているものと同様の像形成要素を、溶
液の総重量にもとずき、トルエン約８６重量％中にスチ
レンととキシルメタアクリレートとの８０／２０モル％
共重合体約１３重量％およびＮ，Ｎ′−ジフエニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス−（３′−メチルフエニル）−（１，
１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン約１．０重量
％を溶解させることにより製造する。生成する溶液を薄
い半透明アルミニウム被覆を有する巾１２インチの３ミ
ル厚さのマイラー（Mylar）ポリエステル フイルム
（これはE.I.duPont deNemours社から入手できる）上に
ジルツ（Dilts）コーターを用いて適用する。沈着した
軟化可能層を約１１０℃で約１５分間乾燥させる。軟化
可能層の温度を約１１５℃に上げて、軟化可能層の露出
している方の表面の粘度を約５×１０3ポイズに下げて
マーク形成物質の沈着に備える。粒状ガラス状セレンの
薄い層を約４×１０-4トールの減圧に保持されている減
圧室で真空蒸着により次いで適用する。像形成要素を次
いで室温まで迅速に冷却させる。共重合体の露出してい
る方の表面の下約０．０５〜０．１マイクロメーターに
埋め込まれている平均直径約０．３マイクロメーターを
有するセレン粒子の単層が形成される。生成する泳動式
像形成要素を次いで約＋１６８ボルトの表面電位にコロ
ナ帯電させる工程、階段ウエツジを通して活性照射に露
光する工程、減圧室で約６秒間ｎ−エチルアセテートに
さらす工程およびマイラーと接触させて、熱板上で約２
秒間、約１１５℃に加熱する工程を含む蒸気処理および
加熱処理技法の組合せにより像形成し、現像する。生成
する反転表示像成形した泳動式形成像形成要素は優れた
像品質、２２８ ライン ペア−１mmを超える解像力、
および約０．９２のコントラスト濃度を示す。Ｄmaxは
約１．１８であり、およびＤminは約０．２６であつ
た。また、この非常に低いＤmin値は像のＤmin領域にお
けるセレン粒子の凝集および合着によるものであること
が見い出された。生成する像形成した流動式像形成要素
は映写に白色光を用いてスクリーン上に映写すると黒白
像が見られる；これは電荷輸送物質を含有していない類
似の泳動式像形成要素を用い、加熱または溶剤蒸気への
露出のどちらかによる現像を用いて得られた像とは全く
異なつている；この像は赤と青である。さらにまた、こ
の例の方法により得られた像は電荷輸送物質を含有して
いない類似の泳動式像形成要素を用いて得られた像に比
較して、厳格な処理条件に対して異常なほど無感応性で
ある。
液の総重量にもとずき、トルエン約８６重量％中にスチ
レンととキシルメタアクリレートとの８０／２０モル％
共重合体約１３重量％およびＮ，Ｎ′−ジフエニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス−（３′−メチルフエニル）−（１，
１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン約１．０重量
％を溶解させることにより製造する。生成する溶液を薄
い半透明アルミニウム被覆を有する巾１２インチの３ミ
ル厚さのマイラー（Mylar）ポリエステル フイルム
（これはE.I.duPont deNemours社から入手できる）上に
ジルツ（Dilts）コーターを用いて適用する。沈着した
軟化可能層を約１１０℃で約１５分間乾燥させる。軟化
可能層の温度を約１１５℃に上げて、軟化可能層の露出
している方の表面の粘度を約５×１０3ポイズに下げて
マーク形成物質の沈着に備える。粒状ガラス状セレンの
薄い層を約４×１０-4トールの減圧に保持されている減
圧室で真空蒸着により次いで適用する。像形成要素を次
いで室温まで迅速に冷却させる。共重合体の露出してい
る方の表面の下約０．０５〜０．１マイクロメーターに
埋め込まれている平均直径約０．３マイクロメーターを
有するセレン粒子の単層が形成される。生成する泳動式
像形成要素を次いで約＋１６８ボルトの表面電位にコロ
ナ帯電させる工程、階段ウエツジを通して活性照射に露
光する工程、減圧室で約６秒間ｎ−エチルアセテートに
さらす工程およびマイラーと接触させて、熱板上で約２
秒間、約１１５℃に加熱する工程を含む蒸気処理および
加熱処理技法の組合せにより像形成し、現像する。生成
する反転表示像成形した泳動式形成像形成要素は優れた
像品質、２２８ ライン ペア−１mmを超える解像力、
および約０．９２のコントラスト濃度を示す。Ｄmaxは
約１．１８であり、およびＤminは約０．２６であつ
た。また、この非常に低いＤmin値は像のＤmin領域にお
けるセレン粒子の凝集および合着によるものであること
が見い出された。生成する像形成した流動式像形成要素
は映写に白色光を用いてスクリーン上に映写すると黒白
像が見られる；これは電荷輸送物質を含有していない類
似の泳動式像形成要素を用い、加熱または溶剤蒸気への
露出のどちらかによる現像を用いて得られた像とは全く
異なつている；この像は赤と青である。さらにまた、こ
の例の方法により得られた像は電荷輸送物質を含有して
いない類似の泳動式像形成要素を用いて得られた像に比
較して、厳格な処理条件に対して異常なほど無感応性で
ある。
例 ２ 新鮮な像形成要素を例１に記載のとおりに製造する。生
成する泳動式像形成要素をその後、約＋１６８ボルトの
表面電位にコロトロン帯電させる工程、階段ウエツジを
通して活性照射に露光する工程、減圧室で約６秒間、
１，１，１−トリクロルエタンの蒸気にさらす工程およ
びマイラーと接触している熱板上で５秒間約１１５℃に
加熱する工程を含む蒸気および加熱処理技法の組合せに
より、像形成し、現像する。生成する反転標示像形成し
た泳動式像形成要素は優れた像品質および約０．８４の
コントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．１０であり、
およびＤminは約０．２６であつた。この非常に低いＤ
minは像のＤmin領域におけるセレン粒子の凝集および合
着によるものであることがまた見い出された。生成する
像形成した泳動式像形成要素を映写用に白色光を用いて
スクリーン上に映写すると白色像が見られた。この例の
方法により得られた像は厳格な処理条件に対して異常な
ほど無感応性であることがまた見い出された。
成する泳動式像形成要素をその後、約＋１６８ボルトの
表面電位にコロトロン帯電させる工程、階段ウエツジを
通して活性照射に露光する工程、減圧室で約６秒間、
１，１，１−トリクロルエタンの蒸気にさらす工程およ
びマイラーと接触している熱板上で５秒間約１１５℃に
加熱する工程を含む蒸気および加熱処理技法の組合せに
より、像形成し、現像する。生成する反転標示像形成し
た泳動式像形成要素は優れた像品質および約０．８４の
コントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．１０であり、
およびＤminは約０．２６であつた。この非常に低いＤ
minは像のＤmin領域におけるセレン粒子の凝集および合
着によるものであることがまた見い出された。生成する
像形成した泳動式像形成要素を映写用に白色光を用いて
スクリーン上に映写すると白色像が見られた。この例の
方法により得られた像は厳格な処理条件に対して異常な
ほど無感応性であることがまた見い出された。
例 ３ 新鮮な像形成要素を例１に記載のとおりにして製造し、
スチレン−アクリル系共重合体〔Polyvinyl Chemical I
ndustriesから入手できるネオクリル（Neocryl）Ａ−６
２２〕約１０重量％およびポリシロキサン樹脂〔Byk-Mi
llinckodtから入手できるバイク（Byk）３０１〕約０．
０３重量％を含有する水支持溶液で上塗する。乾燥した
上塗は約１．５マイクロメーターの厚さを有する。生成
する上塗した泳動式像形成要素をその後、約＋２５０ボ
ルトの表面電位にコロトロン帯電させる工程、段階ウエ
ツジを通して活性照射に露光する工程、減圧室で約２０
秒間、メチルエチルケトン蒸気にさらす工程、およびマ
イラーと接触している熱板上で約５秒間約１１５℃に加
熱する工程を含む蒸気および熱処理技法の組合せにより
像形成し、現像する。生成する反転標示像形成した泳動
式像形成要素は優れた像品質および約１．２のコントラ
スト濃度を示す。Ｄmaxは約１．４５であり、そしてＤ
minは約０．２５であつた。像形成した要素は指の爪で
引つかいた場合に優れた摩耗耐性を示し、また像形成の
前および後に像形成要素に指紋をつけようとした場合
に、優れた指紋抵抗性を示した。この上塗した泳動式像
形成要素はまたスコツチ商標の「マジツク」（Magic）
接着テープによる非常に苛酷な接着テープ試験に付した
場合に、その１体性を保有した。この非常に低いＤmin
は像のＤmin領域におけるセレン粒子の凝集および合着
によるものであることが見い出された。この例の方法で
得られた像は厳格な処理条件に対して異常なほど無感応
性であることがまた見い出された。
スチレン−アクリル系共重合体〔Polyvinyl Chemical I
ndustriesから入手できるネオクリル（Neocryl）Ａ−６
２２〕約１０重量％およびポリシロキサン樹脂〔Byk-Mi
llinckodtから入手できるバイク（Byk）３０１〕約０．
０３重量％を含有する水支持溶液で上塗する。乾燥した
上塗は約１．５マイクロメーターの厚さを有する。生成
する上塗した泳動式像形成要素をその後、約＋２５０ボ
ルトの表面電位にコロトロン帯電させる工程、段階ウエ
ツジを通して活性照射に露光する工程、減圧室で約２０
秒間、メチルエチルケトン蒸気にさらす工程、およびマ
イラーと接触している熱板上で約５秒間約１１５℃に加
熱する工程を含む蒸気および熱処理技法の組合せにより
像形成し、現像する。生成する反転標示像形成した泳動
式像形成要素は優れた像品質および約１．２のコントラ
スト濃度を示す。Ｄmaxは約１．４５であり、そしてＤ
minは約０．２５であつた。像形成した要素は指の爪で
引つかいた場合に優れた摩耗耐性を示し、また像形成の
前および後に像形成要素に指紋をつけようとした場合
に、優れた指紋抵抗性を示した。この上塗した泳動式像
形成要素はまたスコツチ商標の「マジツク」（Magic）
接着テープによる非常に苛酷な接着テープ試験に付した
場合に、その１体性を保有した。この非常に低いＤmin
は像のＤmin領域におけるセレン粒子の凝集および合着
によるものであることが見い出された。この例の方法で
得られた像は厳格な処理条件に対して異常なほど無感応
性であることがまた見い出された。
例 ４ 新鮮な上塗した像形成要素を例３に記載のとおりに製造
する。生成する上塗した泳動式像形成要素をその後、約
＋２５０ボルトの表面電位にコロトロン帯電させる工
程、階段ウエツジを通して活性照射に露光する工程、減
圧室で約２０秒間メチルエチルケトンにさらす工程およ
びマイラーと接触させた熱板上で約１０秒間約９５℃に
加熱する工程を含む蒸気処理および加熱処理技法を組合
せることにより像形成し、現像する。生成する反転標示
像形成した泳動式像形成要素は優れた像品質および約
１．２のコントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．４５
であり、そしてＤminは約０．２５であつた。像形成し
た要素は指の爪で引つかいた場合に優れた摩耗耐性を示
し、および像形成の前および後に像形成要素に指紋をつ
けようとした場合に、優れた指紋抵抗性を示した。この
上塗した泳動式像形成要素はまたスコツチ商標「マジツ
ク」接着テープを用いる非常に苛酷な接着テープ試験に
付した場合に、その１体性を保有した。この非常に低い
Ｄminは像のＤmin領域におけるセレン粒子の凝集および
合着によるものであることがまた見い出された。さらに
また、この例の方法により得られた像は精密な処理条件
に対して異常なほで無感応性であつた。
する。生成する上塗した泳動式像形成要素をその後、約
＋２５０ボルトの表面電位にコロトロン帯電させる工
程、階段ウエツジを通して活性照射に露光する工程、減
圧室で約２０秒間メチルエチルケトンにさらす工程およ
びマイラーと接触させた熱板上で約１０秒間約９５℃に
加熱する工程を含む蒸気処理および加熱処理技法を組合
せることにより像形成し、現像する。生成する反転標示
像形成した泳動式像形成要素は優れた像品質および約
１．２のコントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．４５
であり、そしてＤminは約０．２５であつた。像形成し
た要素は指の爪で引つかいた場合に優れた摩耗耐性を示
し、および像形成の前および後に像形成要素に指紋をつ
けようとした場合に、優れた指紋抵抗性を示した。この
上塗した泳動式像形成要素はまたスコツチ商標「マジツ
ク」接着テープを用いる非常に苛酷な接着テープ試験に
付した場合に、その１体性を保有した。この非常に低い
Ｄminは像のＤmin領域におけるセレン粒子の凝集および
合着によるものであることがまた見い出された。さらに
また、この例の方法により得られた像は精密な処理条件
に対して異常なほで無感応性であつた。
例 ５ 例１に記載のとおりにして新鮮な像形成要素を製造し、
スチレン−アクリル系共重合体（Polyvinyl Chemical I
ndustriesから入手できるネオクリルＡ６２２）で上塗
する。乾燥した上塗は約１．５マイクロメーターの厚さ
を有する。生成する上塗した泳動式像形成要素をその
後、約＋２５０ボルトの表面電位にコロトロン帯電させ
る工程、階段ウエツジを通して活性照射に露光する工
程、減圧室で約２０秒間メチルエチルケトンにさらす工
程およびマイラーと接触させて熱板上で約５秒間約１１
５℃に加熱する工程を含む蒸気処理および加熱処理技法
を組合せることにより像形成し、現像する。生成する反
転標示像形成した泳動式像形成要素は優れた像品質およ
び約１．１のコントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．
４であり、Ｄminは約０．３であつた。像形成した要素
は指の爪で引つかいた場合に優れた摩耗耐性を示し、ま
た像形成の前および後で像形成要素に指紋をつけようと
した場合に、優れた指紋抵抗性を示す。この上塗した移
動像形成要素はまた、スコツチ商標「マジツク」接着テ
ープを用いる非常に苛酷な接着テープ試験に付した場合
に、その１体性を保有する。非常に低いＤminは像のＤ
min領域におけるセレン粒子の凝集および合着によるも
のであることが見い出された。さらにまた、この例の方
法により得られた像は厳格な処理条件に対して異常なほ
ど無感応性であることが見い出された。
スチレン−アクリル系共重合体（Polyvinyl Chemical I
ndustriesから入手できるネオクリルＡ６２２）で上塗
する。乾燥した上塗は約１．５マイクロメーターの厚さ
を有する。生成する上塗した泳動式像形成要素をその
後、約＋２５０ボルトの表面電位にコロトロン帯電させ
る工程、階段ウエツジを通して活性照射に露光する工
程、減圧室で約２０秒間メチルエチルケトンにさらす工
程およびマイラーと接触させて熱板上で約５秒間約１１
５℃に加熱する工程を含む蒸気処理および加熱処理技法
を組合せることにより像形成し、現像する。生成する反
転標示像形成した泳動式像形成要素は優れた像品質およ
び約１．１のコントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．
４であり、Ｄminは約０．３であつた。像形成した要素
は指の爪で引つかいた場合に優れた摩耗耐性を示し、ま
た像形成の前および後で像形成要素に指紋をつけようと
した場合に、優れた指紋抵抗性を示す。この上塗した移
動像形成要素はまた、スコツチ商標「マジツク」接着テ
ープを用いる非常に苛酷な接着テープ試験に付した場合
に、その１体性を保有する。非常に低いＤminは像のＤ
min領域におけるセレン粒子の凝集および合着によるも
のであることが見い出された。さらにまた、この例の方
法により得られた像は厳格な処理条件に対して異常なほ
ど無感応性であることが見い出された。
例 ６ 例１に記載のとおりにして新鮮な像形成要素を製造し、
水を基材とするアクリル系共重合体（Polyvinyl Chemic
al、米国から入手できるＡ−１０５４）で上塗する。乾
燥した上塗は約１．５マイクロメーターの厚さを有す
る。生成する上塗した泳動式像形成要素をその後、約＋
２５０ボルトの表面電位にコロトロン帯電させる工程、
階段ウエツジを通して活性照射に露光する工程、減圧室
で約２０秒間メチルエチルケトンにさらす工程およびマ
イラーと接触させて熱板上で約５秒間約１１５℃に加熱
する工程を含む蒸気処理および加熱処理技法を組合せに
より像形成し、現像する。生成する反転標示像形成した
泳動式像形成要素は優れた像品質および約１．２５のコ
ントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．５５であり、Ｄ
minは約０．３であつた。像形成した要素は指の爪で引
つかいた場合に優れた摩耗耐性を示し、および像形成の
前および後で指紋をつけようとした場合に、優れた指紋
抵抗性を示した。この上塗した泳動式像形成要素はまた
スコツチ商標「マジツク」接着テープによる非常に苛酷
な接着テープ試験に付した場合に、その１体性を保有し
た。非常に低いＤminは像のＤmin領域におけるセレン粒
子の凝集および凝結によるものであることが見い出され
た。さらにまた、この例の方法により得られた像は厳格
な処理条件に対して異常に無感応性であることが見い出
された。
水を基材とするアクリル系共重合体（Polyvinyl Chemic
al、米国から入手できるＡ−１０５４）で上塗する。乾
燥した上塗は約１．５マイクロメーターの厚さを有す
る。生成する上塗した泳動式像形成要素をその後、約＋
２５０ボルトの表面電位にコロトロン帯電させる工程、
階段ウエツジを通して活性照射に露光する工程、減圧室
で約２０秒間メチルエチルケトンにさらす工程およびマ
イラーと接触させて熱板上で約５秒間約１１５℃に加熱
する工程を含む蒸気処理および加熱処理技法を組合せに
より像形成し、現像する。生成する反転標示像形成した
泳動式像形成要素は優れた像品質および約１．２５のコ
ントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．５５であり、Ｄ
minは約０．３であつた。像形成した要素は指の爪で引
つかいた場合に優れた摩耗耐性を示し、および像形成の
前および後で指紋をつけようとした場合に、優れた指紋
抵抗性を示した。この上塗した泳動式像形成要素はまた
スコツチ商標「マジツク」接着テープによる非常に苛酷
な接着テープ試験に付した場合に、その１体性を保有し
た。非常に低いＤminは像のＤmin領域におけるセレン粒
子の凝集および凝結によるものであることが見い出され
た。さらにまた、この例の方法により得られた像は厳格
な処理条件に対して異常に無感応性であることが見い出
された。
例 ７ 第１図に例示されているものと同様の像形成要素を、溶
液の総重量にもとづき約８６重量％のトルエン中にスチ
レンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モル％
共重合体約１３重量％およびＮ，Ｎ′−ジフエニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス−（３″−メチルフエニル）−（１，
１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン約１．０重量
％を溶解することにより製造する。生成する溶液を薄い
半透明のアルミニウム被覆を有する１２インチ巾で３ミ
ル厚さのマイラーポリエステルフイルム（E.I.duPont d
eNemours社から入手できる）上にジルツコーターを用い
て適用する。沈着した軟化可能層を約１１０℃で約１５
分間乾燥させる。軟化可能層の温度を約１１５℃に上げ
て軟化可能層の露出している方の表面の粘度を約５×１
０3ポイズにさげて、マーク形成物質の沈着に備える。
セレン約９５重量％とテルル約５重量％との粒状ガラス
状合金の薄い層を、約４×１０-4トールの減圧に保持さ
れている減圧室で真空蒸着により適用する。この像形成
要素を次いで室温に急速に冷却させる。共重合体の露出
している方の表面の下約０．０５〜０．１マイクロメー
ターに埋め込まれている約０．３マイクロメーターの平
均直径を有するセレン合金粒の単層が形成される。生成
する泳動式像形成要素をその後、約＋１６８ボルトの表
面電位にコロトロン帯電させる工程、階段ウエツジを通
して活性照射にさらす工程、減圧室で約６秒間ｎ−エチ
ルアセテートにさらす工程およびマイラーと接触させて
熱板上で約２秒間約１１５℃に加熱する工程を含む蒸気
処理および加熱処理技法の組合せにより像形成し、現像
する。生成する反転標示像形成した泳動式像形成要素は
優れた像品質、２２８ライン ペア−／mm超える解像力
および約０．７のコントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約
１．０であり、Ｄminは約０．３であつた。この泳動式
像形成要素はセレン泳動性像形成粒子を含む泳動式像形
成要素より大きいスペクトル感受性範囲を有する。
液の総重量にもとづき約８６重量％のトルエン中にスチ
レンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モル％
共重合体約１３重量％およびＮ，Ｎ′−ジフエニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス−（３″−メチルフエニル）−（１，
１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン約１．０重量
％を溶解することにより製造する。生成する溶液を薄い
半透明のアルミニウム被覆を有する１２インチ巾で３ミ
ル厚さのマイラーポリエステルフイルム（E.I.duPont d
eNemours社から入手できる）上にジルツコーターを用い
て適用する。沈着した軟化可能層を約１１０℃で約１５
分間乾燥させる。軟化可能層の温度を約１１５℃に上げ
て軟化可能層の露出している方の表面の粘度を約５×１
０3ポイズにさげて、マーク形成物質の沈着に備える。
セレン約９５重量％とテルル約５重量％との粒状ガラス
状合金の薄い層を、約４×１０-4トールの減圧に保持さ
れている減圧室で真空蒸着により適用する。この像形成
要素を次いで室温に急速に冷却させる。共重合体の露出
している方の表面の下約０．０５〜０．１マイクロメー
ターに埋め込まれている約０．３マイクロメーターの平
均直径を有するセレン合金粒の単層が形成される。生成
する泳動式像形成要素をその後、約＋１６８ボルトの表
面電位にコロトロン帯電させる工程、階段ウエツジを通
して活性照射にさらす工程、減圧室で約６秒間ｎ−エチ
ルアセテートにさらす工程およびマイラーと接触させて
熱板上で約２秒間約１１５℃に加熱する工程を含む蒸気
処理および加熱処理技法の組合せにより像形成し、現像
する。生成する反転標示像形成した泳動式像形成要素は
優れた像品質、２２８ライン ペア−／mm超える解像力
および約０．７のコントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約
１．０であり、Ｄminは約０．３であつた。この泳動式
像形成要素はセレン泳動性像形成粒子を含む泳動式像形
成要素より大きいスペクトル感受性範囲を有する。
非常に低いＤminは像のＤmin領域におけるセレン合金粒
子の凝集および合着によるものであることが見い出され
た。さらにまた、この例の方法により得られた像は厳格
な処理条件に対して異常なほど無感応性であることが見
い出された。
子の凝集および合着によるものであることが見い出され
た。さらにまた、この例の方法により得られた像は厳格
な処理条件に対して異常なほど無感応性であることが見
い出された。
例 ８ 第１図に例示されているものと同様の像形成要素を、溶
液の総重量にもとづき約８４．５重量％のトルエン中に
スチレンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モ
ル％共重合体約１３重量％およびＮ，Ｎ′−ジフエニル
−Ｎ，Ｎ′−ビス−（３″−メチルフエニル）−（１，
１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン約２．５重量
％を溶解することにより製造する。生成する溶液を薄い
半透明のアルミニウム被覆を有する１２インチ巾で３ミ
ル厚さのマイラー ポリエステル フイルム（E.I.duPo
nt deNemours社から入手できる）上にメイヤー（Meye
r）ロツドを用いて適用する。沈着した軟化可能層を約
９０℃で約１０分間乾燥させる。軟化可能層の温度を約
１１５℃に上昇させて、軟化可能層の露出している方の
表面の粘度を約５×１０3ポイズに下げ、マーク形成物
質の沈着に備える。次いで粒状ガラス状セレンの薄い層
を約４×１０-4トールの減圧に保持されている減圧室で
真空蒸着により適用する。この像形成要素を次いで室温
に急速に冷却させる。共重合体の露出している方の表面
の下約０．０５〜０．１マイクロメーターに埋め込まれ
ている約０．３マイクロメーターの平均直径を有するセ
レン粒子の単層が形成される。生成する泳動式像形成要
素をその後、約＋１５０の表面電位にコロトロン帯電さ
せる工程、階段ウエツジを通して活性照射に露光する工
程、減圧室で約１０秒間メチルエチルケトンにさらす工
程およびマイラーと接触させて熱板上で約１１５℃に加
熱する工程を含む蒸気処理および加熱処理技法の組合せ
により像形成し、現像する。生成する反転標示像成形し
た泳動式像形成要素は優れた像品質および約０．９のコ
ントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．２であり、Ｄmin
は約０．３であつた。非常に低いＤminは像のＤmin領域
におけるセレン粒子の凝集および合着によるものである
ことがまた見い出された。生成する像形成した泳動式像
形成要素を映写用に白色光を用いてスクリーンに映写す
ると、黒白像が見られた。軟化可能層中にＮ，Ｎ′−ジ
フエニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−メチルフエニル）−
（１，１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミンが存在
すると、〜８５％のフイルム電圧放電を付随して、露光
時に良好な注入および輸送が得られた。
液の総重量にもとづき約８４．５重量％のトルエン中に
スチレンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モ
ル％共重合体約１３重量％およびＮ，Ｎ′−ジフエニル
−Ｎ，Ｎ′−ビス−（３″−メチルフエニル）−（１，
１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミン約２．５重量
％を溶解することにより製造する。生成する溶液を薄い
半透明のアルミニウム被覆を有する１２インチ巾で３ミ
ル厚さのマイラー ポリエステル フイルム（E.I.duPo
nt deNemours社から入手できる）上にメイヤー（Meye
r）ロツドを用いて適用する。沈着した軟化可能層を約
９０℃で約１０分間乾燥させる。軟化可能層の温度を約
１１５℃に上昇させて、軟化可能層の露出している方の
表面の粘度を約５×１０3ポイズに下げ、マーク形成物
質の沈着に備える。次いで粒状ガラス状セレンの薄い層
を約４×１０-4トールの減圧に保持されている減圧室で
真空蒸着により適用する。この像形成要素を次いで室温
に急速に冷却させる。共重合体の露出している方の表面
の下約０．０５〜０．１マイクロメーターに埋め込まれ
ている約０．３マイクロメーターの平均直径を有するセ
レン粒子の単層が形成される。生成する泳動式像形成要
素をその後、約＋１５０の表面電位にコロトロン帯電さ
せる工程、階段ウエツジを通して活性照射に露光する工
程、減圧室で約１０秒間メチルエチルケトンにさらす工
程およびマイラーと接触させて熱板上で約１１５℃に加
熱する工程を含む蒸気処理および加熱処理技法の組合せ
により像形成し、現像する。生成する反転標示像成形し
た泳動式像形成要素は優れた像品質および約０．９のコ
ントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．２であり、Ｄmin
は約０．３であつた。非常に低いＤminは像のＤmin領域
におけるセレン粒子の凝集および合着によるものである
ことがまた見い出された。生成する像形成した泳動式像
形成要素を映写用に白色光を用いてスクリーンに映写す
ると、黒白像が見られた。軟化可能層中にＮ，Ｎ′−ジ
フエニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−メチルフエニル）−
（１，１′−ビフエニル）−４，４′−ジアミンが存在
すると、〜８５％のフイルム電圧放電を付随して、露光
時に良好な注入および輸送が得られた。
例 ９ 例１に例示されているものと同様の像形成要素を、溶液
の総重量にもとづき約８４．５重量％のトルエン中にス
チレンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モル
％共重合体約１３重量％および３−メチルジフエニルア
ミン約２．５重量％を溶解することにより製造する。生
成する溶液を薄い半透明のアルミニウム被覆を有する巾
１２インチ、厚さ３ミルのマイラー ポリエステル フ
イルム（E.I.duPont deNemours社から入手できる）上に
メイヤーロツドを用いて適用する。沈着した軟化可能層
を約９０℃で約１０分間乾燥させる。軟化可能層の温度
を約１１５℃に上げ、軟化可能層の露出している方の表
面の粘度を約５×１０3ポイズに下げてマーク形成物質
の沈着に備える。次いで、粒状ガラス状セレンの薄い層
を約４×１０-4トールの減圧に保持されている減圧室で
真空蒸着させることにより適用する。この像形成要素を
次いで室温に急速に冷却させる。共重合体の露出してい
る方の表面の下の約０．０５〜０．１マイクロメーター
に埋め込まれているセレンの単層が形成される。生成す
る泳動式像形成要素をその後、約＋１５０ボルトの表面
電位にコロトロン帯電させる工程、階段ウエツジを通し
て活性照射に露光する工程、要素を減圧室で約１０秒間
メチルエチルケトンにさらす工程およびマイラーと接触
させて熱板上で約５秒間約１１５℃に加熱する工程を含
む蒸気処理および加熱処理技法の組合せにより像形成
し、現像する。生成する反転標示像成形した泳動式像形
成要素は優れた像品質および約０．９のコントラスト濃
度を示す。Ｄmaxは約１．２であり、Ｄminは約０．３で
ある。非常に低いＤminは像のＤmin領域におけるセレン
粒子の凝集および合着によるものであることがまた見い
出された。生成する像形成した泳動式像形成要素を映写
用に白色光を用いてスクリーンに映写すると黒白像が見
られた。さらにまた３−メチルジフエニルアミンを軟化
可能層に存在させると、軟化可能層を通過する貧弱な輸
送をもたらす（これは露光時の−２０％フイルム電圧放
電により示される）ことが見い出された。この結果は例
８結果をともに、注入直後の軟化可能層を通る輸送が良
好な像形成にとつて明らかに臨界的でないことを示して
いる。
の総重量にもとづき約８４．５重量％のトルエン中にス
チレンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モル
％共重合体約１３重量％および３−メチルジフエニルア
ミン約２．５重量％を溶解することにより製造する。生
成する溶液を薄い半透明のアルミニウム被覆を有する巾
１２インチ、厚さ３ミルのマイラー ポリエステル フ
イルム（E.I.duPont deNemours社から入手できる）上に
メイヤーロツドを用いて適用する。沈着した軟化可能層
を約９０℃で約１０分間乾燥させる。軟化可能層の温度
を約１１５℃に上げ、軟化可能層の露出している方の表
面の粘度を約５×１０3ポイズに下げてマーク形成物質
の沈着に備える。次いで、粒状ガラス状セレンの薄い層
を約４×１０-4トールの減圧に保持されている減圧室で
真空蒸着させることにより適用する。この像形成要素を
次いで室温に急速に冷却させる。共重合体の露出してい
る方の表面の下の約０．０５〜０．１マイクロメーター
に埋め込まれているセレンの単層が形成される。生成す
る泳動式像形成要素をその後、約＋１５０ボルトの表面
電位にコロトロン帯電させる工程、階段ウエツジを通し
て活性照射に露光する工程、要素を減圧室で約１０秒間
メチルエチルケトンにさらす工程およびマイラーと接触
させて熱板上で約５秒間約１１５℃に加熱する工程を含
む蒸気処理および加熱処理技法の組合せにより像形成
し、現像する。生成する反転標示像成形した泳動式像形
成要素は優れた像品質および約０．９のコントラスト濃
度を示す。Ｄmaxは約１．２であり、Ｄminは約０．３で
ある。非常に低いＤminは像のＤmin領域におけるセレン
粒子の凝集および合着によるものであることがまた見い
出された。生成する像形成した泳動式像形成要素を映写
用に白色光を用いてスクリーンに映写すると黒白像が見
られた。さらにまた３−メチルジフエニルアミンを軟化
可能層に存在させると、軟化可能層を通過する貧弱な輸
送をもたらす（これは露光時の−２０％フイルム電圧放
電により示される）ことが見い出された。この結果は例
８結果をともに、注入直後の軟化可能層を通る輸送が良
好な像形成にとつて明らかに臨界的でないことを示して
いる。
例１０ 例１に例示されている像形成要素を、溶液の重量にもと
づき約８６．６重量％のトルエンにスチレンとヘキシル
メタアクリレートとの８０／２０モル％共重合体約１３
重量％および４，４′−ベンジリデン−ビス−（Ｎ，Ｎ
−ジエチル−ｍ−トルイデン）約０．４重量％を溶解す
ることにより製造する。生成する溶液を薄い半透明のア
ルミニウム被覆を有する１２インチ巾で３ミル厚さのマ
イラーポリエステル フイルム（E.I.duPont deNemours
社から入手できる）上にメイヤー ロツドを用いて適用
する。沈着した軟化可能層を約９０℃で約１０分間乾燥
させる。軟化可能層の温度を約１１５℃に上げ、軟化可
能層の露出している方の表面の粘度を約５×１０3ポイ
ズに下げてマーク形成物質の沈着に備える。粒状ガラス
状セレンの薄い層を次いで約４×１０-4トールの減圧に
保持されている減圧室で真空蒸着させることにより適用
する。この像形成要素を次いで室温に急速に冷却させ
る。共重合体の露出している方の表面の下、約０．０５
〜０．１マイクロメーターに埋め込まれている約０．３
の平均直径を有するセレン粒子の単層が形成される。生
成する泳動式像形成要素をその後、約＋１５０ボルトの
表面電位にコロトロン帯電させる工程、階段ウエツジを
通して活性照射に露光する工程、要素を減圧室で約１０
秒間メチルエチルケトンにさらす工程、およびマイラー
と接触させて熱板上で約５秒間、約１１５℃に加熱する
工程を含む蒸気処理および加熱処理技法の組合せにより
像形成し、現像する。生成する反転標示像成形した移動
式像形成要素は妥当な像品質および約０．５５のコント
ラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．４であり、Ｄminは約
０．８５であつた。このＤmin値はセレン粒子の部分的
凝集および合着によるものであると考えられる。露光時
のフイルム電圧放電は−７０％であつた。
づき約８６．６重量％のトルエンにスチレンとヘキシル
メタアクリレートとの８０／２０モル％共重合体約１３
重量％および４，４′−ベンジリデン−ビス−（Ｎ，Ｎ
−ジエチル−ｍ−トルイデン）約０．４重量％を溶解す
ることにより製造する。生成する溶液を薄い半透明のア
ルミニウム被覆を有する１２インチ巾で３ミル厚さのマ
イラーポリエステル フイルム（E.I.duPont deNemours
社から入手できる）上にメイヤー ロツドを用いて適用
する。沈着した軟化可能層を約９０℃で約１０分間乾燥
させる。軟化可能層の温度を約１１５℃に上げ、軟化可
能層の露出している方の表面の粘度を約５×１０3ポイ
ズに下げてマーク形成物質の沈着に備える。粒状ガラス
状セレンの薄い層を次いで約４×１０-4トールの減圧に
保持されている減圧室で真空蒸着させることにより適用
する。この像形成要素を次いで室温に急速に冷却させ
る。共重合体の露出している方の表面の下、約０．０５
〜０．１マイクロメーターに埋め込まれている約０．３
の平均直径を有するセレン粒子の単層が形成される。生
成する泳動式像形成要素をその後、約＋１５０ボルトの
表面電位にコロトロン帯電させる工程、階段ウエツジを
通して活性照射に露光する工程、要素を減圧室で約１０
秒間メチルエチルケトンにさらす工程、およびマイラー
と接触させて熱板上で約５秒間、約１１５℃に加熱する
工程を含む蒸気処理および加熱処理技法の組合せにより
像形成し、現像する。生成する反転標示像成形した移動
式像形成要素は妥当な像品質および約０．５５のコント
ラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．４であり、Ｄminは約
０．８５であつた。このＤmin値はセレン粒子の部分的
凝集および合着によるものであると考えられる。露光時
のフイルム電圧放電は−７０％であつた。
例１１ 第１図に例示されているものと同様の像形成要素を、溶
液の総重量にもとづき約８４．５重量％のトルエンにス
チレンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モル
％共重合体約１３重量％および４，４′−ベンジリデン
−ビス−（Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルイデン）約２．
５重量％を溶解することにより製造する。生成する溶液
を薄い半透明のアルミニウム被覆を有する１２インチ巾
で３ミル厚さのマイラー ポリエステル フイルム（E.
I.duPont deNemours社から入手できる）上にメイヤーロ
ツドにより適用する。沈着した軟化可能層を約９０℃で
約１０分間乾燥させる。軟化可能層の温度を約１１５℃
に上げ、軟化可能層の露出している方の表面の粘度を約
５×１０3ポイズに下げてマーク形成物質の沈着に備え
る。粒状ガラス状セレンの薄層を約４×１０-4トールの
減圧に保持されている減圧室で真空蒸着により適用す
る。この像形成要素を次いで室温に急速に冷却させる。
共重合体の露出している方の表面の下、約０．０５〜
０．１マイクロメーターに埋め込まれている約０．３マ
イクロメーターの平均直径を有するセレン粒子の単層が
形成される。生成する泳動式像形成要素をその後、約＋
１５０ボルトの表面電位にコロトロン帯電させる工程、
階段ウエツジを通して活性照射し露光する工程、この要
素を減圧室で約１０秒間メチルエチルケトンにさらす工
程、およびマイラーと接触させて熱板上で約５秒間約１
１５℃に加熱する工程を含む蒸気処理および加熱処理技
法の組合せにより像形成し、現像する。第４図に例示さ
れているように、４，４′−ベンジリデン−ビス−
（Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルイデン）のＨＯＭＯは無
定形セレンの価電子帯より著しく高く、従つてこの濃度
組成は蒸気にさらされると均一の泳動を生じるだけであ
り（約１．４の光学濃度まで）、後続の加熱によつても
合着による光学濃度の減少は生じない。フイルムを全く
コロトロン帯電させない場合にも同様の挙動が見られ
る。従つて、比較的高い範囲にあるＨＯＭＯの有害な作
用は露光時に充分な注入を可能にするに適当な量で存在
する電荷輸送分子を比較的低い濃度で使用することによ
り、例１０例示されているように克服することができ
る。
液の総重量にもとづき約８４．５重量％のトルエンにス
チレンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モル
％共重合体約１３重量％および４，４′−ベンジリデン
−ビス−（Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルイデン）約２．
５重量％を溶解することにより製造する。生成する溶液
を薄い半透明のアルミニウム被覆を有する１２インチ巾
で３ミル厚さのマイラー ポリエステル フイルム（E.
I.duPont deNemours社から入手できる）上にメイヤーロ
ツドにより適用する。沈着した軟化可能層を約９０℃で
約１０分間乾燥させる。軟化可能層の温度を約１１５℃
に上げ、軟化可能層の露出している方の表面の粘度を約
５×１０3ポイズに下げてマーク形成物質の沈着に備え
る。粒状ガラス状セレンの薄層を約４×１０-4トールの
減圧に保持されている減圧室で真空蒸着により適用す
る。この像形成要素を次いで室温に急速に冷却させる。
共重合体の露出している方の表面の下、約０．０５〜
０．１マイクロメーターに埋め込まれている約０．３マ
イクロメーターの平均直径を有するセレン粒子の単層が
形成される。生成する泳動式像形成要素をその後、約＋
１５０ボルトの表面電位にコロトロン帯電させる工程、
階段ウエツジを通して活性照射し露光する工程、この要
素を減圧室で約１０秒間メチルエチルケトンにさらす工
程、およびマイラーと接触させて熱板上で約５秒間約１
１５℃に加熱する工程を含む蒸気処理および加熱処理技
法の組合せにより像形成し、現像する。第４図に例示さ
れているように、４，４′−ベンジリデン−ビス−
（Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルイデン）のＨＯＭＯは無
定形セレンの価電子帯より著しく高く、従つてこの濃度
組成は蒸気にさらされると均一の泳動を生じるだけであ
り（約１．４の光学濃度まで）、後続の加熱によつても
合着による光学濃度の減少は生じない。フイルムを全く
コロトロン帯電させない場合にも同様の挙動が見られ
る。従つて、比較的高い範囲にあるＨＯＭＯの有害な作
用は露光時に充分な注入を可能にするに適当な量で存在
する電荷輸送分子を比較的低い濃度で使用することによ
り、例１０例示されているように克服することができ
る。
例１２ 第１図に例示されているものと同様の像形成要素を、溶
液の総重量にもとづき約８６．６重量％のトルエンにス
チレンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モル
％共重合体約１３重量％およびｐ−ジエチルアミノ−ベ
ンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）約０．４重
量％を溶解することにより製造する。生成する溶液を薄
い半透明のアルミニウム被覆を有する１２インチ巾で３
ミル厚さのマイラー ポリエステル フイルム（E.I.du
Pont deNemours社から入手できる）上にメイヤーロツド
により適用する。沈着した軟化可能層を約９０℃で約１
０分間乾燥させる。軟化可能層の温度を約１１５℃に上
げ、軟化可能層の露出している方の表面の粘度を約５×
１０3トールに下げてマーク形成物質の沈着に備える。
粒状ガラス状セレンの薄層を約４×１０-4トールの減圧
に保持されている減圧室で真空蒸着により適用する。像
形成要素を次いで室温に急速に冷却させる。共重合体の
露出している方の表面の下、約０．０５〜０．１マイク
ロメーターに埋め込まれている約０．３マイクロメータ
ーの平均直径を有するセレン粒子の単層が形成される。
生成する泳動式像形成要素をその後、約＋１５０ボルト
の表面電位にコロトロン帯電させる工程、階段ウエツジ
に通して活性照射に露光する工程、この要素を減圧室で
約１０秒間メチルエチルケトン蒸気にさらす工程、およ
びマイラーと接触させて熱板上で約５秒間約１１５℃に
加熱する工程を含む蒸気処理および加熱処理技法の組合
せにより像形成し、現像する。生成する反転標示像成形
した泳動式像形成要素は優れた像品質および約０．９の
コントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．５５であり、
Ｄminは約０．６５である。このＤmin値はセレン粒子の
部分的凝集および合着によるものであることがまた見い
出された。生成する像形成した泳動像形成要素を映写用
に白色光を用いてスクリーン上に映写すると黒白像が見
られる。この例の方法により得られた像は厳格な処理条
件に対して異常なほど無感応性であつた。
液の総重量にもとづき約８６．６重量％のトルエンにス
チレンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モル
％共重合体約１３重量％およびｐ−ジエチルアミノ−ベ
ンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）約０．４重
量％を溶解することにより製造する。生成する溶液を薄
い半透明のアルミニウム被覆を有する１２インチ巾で３
ミル厚さのマイラー ポリエステル フイルム（E.I.du
Pont deNemours社から入手できる）上にメイヤーロツド
により適用する。沈着した軟化可能層を約９０℃で約１
０分間乾燥させる。軟化可能層の温度を約１１５℃に上
げ、軟化可能層の露出している方の表面の粘度を約５×
１０3トールに下げてマーク形成物質の沈着に備える。
粒状ガラス状セレンの薄層を約４×１０-4トールの減圧
に保持されている減圧室で真空蒸着により適用する。像
形成要素を次いで室温に急速に冷却させる。共重合体の
露出している方の表面の下、約０．０５〜０．１マイク
ロメーターに埋め込まれている約０．３マイクロメータ
ーの平均直径を有するセレン粒子の単層が形成される。
生成する泳動式像形成要素をその後、約＋１５０ボルト
の表面電位にコロトロン帯電させる工程、階段ウエツジ
に通して活性照射に露光する工程、この要素を減圧室で
約１０秒間メチルエチルケトン蒸気にさらす工程、およ
びマイラーと接触させて熱板上で約５秒間約１１５℃に
加熱する工程を含む蒸気処理および加熱処理技法の組合
せにより像形成し、現像する。生成する反転標示像成形
した泳動式像形成要素は優れた像品質および約０．９の
コントラスト濃度を示す。Ｄmaxは約１．５５であり、
Ｄminは約０．６５である。このＤmin値はセレン粒子の
部分的凝集および合着によるものであることがまた見い
出された。生成する像形成した泳動像形成要素を映写用
に白色光を用いてスクリーン上に映写すると黒白像が見
られる。この例の方法により得られた像は厳格な処理条
件に対して異常なほど無感応性であつた。
例１３ 第１図に例示されているものと同様の像形成要素を、溶
液の総重量にもとづき約８４．５重量％のトルエンにス
チレンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モル
％共重合体約１３重量％およびｐ−ジエチルアミノ−ベ
ンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）約２．５重
量％を溶解することにより製造する。生成する溶液を薄
い半透明のアルミニウム被覆を有する１２インチ巾で３
ミル厚さのマイラー ポリエステル フイルム（E.I.du
Pont deNemours社から入手できる）上にメイヤーロツド
を用いて適用する。沈着した軟化可能層を約９０℃で約
１０分間乾燥させる。軟化可能層の温度を約１１５℃に
上げ、軟化可能層の露出している方の表面の粘度を約５
×１０3ポイスに下げて、マーク形成物質の沈着に備え
る。粒状ガラス状セレンの薄層を約４×１０-4トールの
減圧に保持されている減圧室で真空蒸着することにより
適用する。像形成要素を次いで室温に急速に冷却させ
る。共重合体の露出している方の表面の下、約０．０５
〜０．１マイクロメーターに埋め込まれている約０．３
マイクロメーターの平均直径を有するセレン粒子の単層
が形成される。生成する泳動式像形成要素をその後、約
＋１５０ボルトの表面電位にコロトロン帯電させる工
程、階段ウエツジに通して活性照射に露光する工程、こ
の要素を減圧室で約１０秒間メチルエチルケトン蒸気に
さらす工程、およびマイラーと接触させて熱板上で約５
秒間、約１１５℃に加熱する工程を含む蒸気処理および
加熱処理技法の組合せにより像形成し、現像する。第４
図に例示されているように、ｐ−ジエチルアミノ−ベン
ズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）のＨＯＭＯは
無定形セレンの価電子帯よりも著しく高く、従つてこの
濃度組成は蒸気にさらすと均一の泳動だけを生じ（約
１．４の光学濃度まで）、後続の加熱による合着による
光学濃度の減少は生起しない。同様の挙動がフイルムを
全くコロトロン帯電させない場合にも見られる。この比
較的高い範囲にあるＨＯＭＯを有害な作用は露光時に充
分な注入を可能にするに適当な量で存在する電荷輸送分
子の比較的低い濃度を使用することにより、例１２に例
示されているように克服できる。
液の総重量にもとづき約８４．５重量％のトルエンにス
チレンとヘキシルメタアクリレートとの８０／２０モル
％共重合体約１３重量％およびｐ−ジエチルアミノ−ベ
ンズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）約２．５重
量％を溶解することにより製造する。生成する溶液を薄
い半透明のアルミニウム被覆を有する１２インチ巾で３
ミル厚さのマイラー ポリエステル フイルム（E.I.du
Pont deNemours社から入手できる）上にメイヤーロツド
を用いて適用する。沈着した軟化可能層を約９０℃で約
１０分間乾燥させる。軟化可能層の温度を約１１５℃に
上げ、軟化可能層の露出している方の表面の粘度を約５
×１０3ポイスに下げて、マーク形成物質の沈着に備え
る。粒状ガラス状セレンの薄層を約４×１０-4トールの
減圧に保持されている減圧室で真空蒸着することにより
適用する。像形成要素を次いで室温に急速に冷却させ
る。共重合体の露出している方の表面の下、約０．０５
〜０．１マイクロメーターに埋め込まれている約０．３
マイクロメーターの平均直径を有するセレン粒子の単層
が形成される。生成する泳動式像形成要素をその後、約
＋１５０ボルトの表面電位にコロトロン帯電させる工
程、階段ウエツジに通して活性照射に露光する工程、こ
の要素を減圧室で約１０秒間メチルエチルケトン蒸気に
さらす工程、およびマイラーと接触させて熱板上で約５
秒間、約１１５℃に加熱する工程を含む蒸気処理および
加熱処理技法の組合せにより像形成し、現像する。第４
図に例示されているように、ｐ−ジエチルアミノ−ベン
ズアルデヒド−（ジフエニルヒドラゾン）のＨＯＭＯは
無定形セレンの価電子帯よりも著しく高く、従つてこの
濃度組成は蒸気にさらすと均一の泳動だけを生じ（約
１．４の光学濃度まで）、後続の加熱による合着による
光学濃度の減少は生起しない。同様の挙動がフイルムを
全くコロトロン帯電させない場合にも見られる。この比
較的高い範囲にあるＨＯＭＯを有害な作用は露光時に充
分な注入を可能にするに適当な量で存在する電荷輸送分
子の比較的低い濃度を使用することにより、例１２に例
示されているように克服できる。
本明細書の記載を読むことにより本発明のその他の修正
が当業者により行なわれるであろう。すなわち、たとえ
ば表面電圧をゼロ近くに減じるために２回目の帯電工程
を蒸気露出工程の前に使用できる。この２回目の帯電工
程は１回目の帯電の反対の極性で行なう。これらは本発
明の範囲内に包含されるものとする。
が当業者により行なわれるであろう。すなわち、たとえ
ば表面電圧をゼロ近くに減じるために２回目の帯電工程
を蒸気露出工程の前に使用できる。この２回目の帯電工
程は１回目の帯電の反対の極性で行なう。これらは本発
明の範囲内に包含されるものとする。
第１図は代表的な積層配置の泳動式像形成要素の部分的
な図解式横断面図であり；第２図は上塗した泳動式像形
成要素の部分的な図解式横断面図であり；第３Ａ〜３Ｄ
図は泳動像を形成するための処理工程を示す部分的な図
解式横断面図であり；そして第４図は軟化可能層成分の
最高占有分子軌道関数および最低占有分子軌道関数を示
すグラフである。 １０：泳動式像形成要素；１１：基体；１２：電気伝導
性層；１３：軟化可能層；１４：マーク形成物質；１
５：上塗層；１６：コロナ帯電装置；１７：アース；１
８：電磁照射線；１９：露光領域；２０：非露光領域；
２１：加熱軟化領域；２２：大形粒子。
な図解式横断面図であり；第２図は上塗した泳動式像形
成要素の部分的な図解式横断面図であり；第３Ａ〜３Ｄ
図は泳動像を形成するための処理工程を示す部分的な図
解式横断面図であり；そして第４図は軟化可能層成分の
最高占有分子軌道関数および最低占有分子軌道関数を示
すグラフである。 １０：泳動式像形成要素；１１：基体；１２：電気伝導
性層；１３：軟化可能層；１４：マーク形成物質；１
５：上塗層；１６：コロナ帯電装置；１７：アース；１
８：電磁照射線；１９：露光領域；２０：非露光領域；
２１：加熱軟化領域；２２：大形粒子。
Claims (12)
- 【請求項１】基体およびこの基体上の電気絶縁性の軟化
可能層を含み、この軟化可能層が基体から離れている方
の軟化可能層の少なくとも一表面または表面近くに位置
している泳動性マーク形成物質を含みおよび軟化可能層
中に電荷輸送物質を含んでいる泳動式像形成要素を用意
し、この要素を静電的に帯電させ、この要素を像様パタ
ーンンで活性照射に露光し、それから、少なくとも溶剤
蒸気を用いて、軟化可能層中のマーク形成物質の泳動耐
性を、マーク形成物質が像配置で基体に向かって深さ方
向に僅かに泳動できるに充分に減少させ、次いで、熱を
用いて、軟化可能層中のマーク形成物質の泳動耐性を、
非泳動マーク形成物質が凝集するに充分にさらに減少さ
せることを含む像形成方法。 - 【請求項２】マーク形成物質の泳動が軟化可能層の活性
照射に露光される像様パターンに相当する領域で、軟化
可能層中のマーク形成物質の泳動耐性が、マーク形成物
質を基体に向かって像配置で深さ方向に僅かに泳動させ
ることができるに充分に減じられたときに始まり、これ
によって軟化可能層の活性照射に露光された像様パター
ンに相当する領域でＤmax領域が形成される、特許請求
の範囲第1項の像形成方法。 - 【請求項３】要素を、軟化可能層中のマーク形成物質の
泳動耐性を減じるに充分な軟化可能層用の溶剤の蒸気に
さらすことにより軟化可能層の活性照射に露光された像
様パターンに相当する領域で、軟化可能層中のマーク形
成物質が基体に向かって像配置で深さ方向に僅かに泳動
することを可能にする、特許請求の範囲第2項の像形成
方法。 - 【請求項４】軟化可能層の活性照射に露光されていない
像様パターンに相当する領域におけるマーク形成物質の
凝集が軟化可能層中のマーク形成物質の泳動耐性をさら
に減少させる間に始まる特許請求の範囲第1項の像形成
方法。 - 【請求項５】軟化可能層を熱軟化させて、軟化可能層の
活性照射に露光されていない像様パターンに相当する領
域中のマーク形成物質の凝集を開始させる、特許請求の
範囲第4項の像形成方法。 - 【請求項６】軟化可能層の熱軟化処理中に、軟化可能層
の活性照射に露光されていない像様パターンに相当する
領域で、マーく形成物質を凝集させ、次いで実質的に合
着させ、これによりＤmin領域を形成する、特許請求の
範囲第5項の像形成方法。 - 【請求項７】軟化可能層が軟化可能層の総重量に基づ
き、約2〜約50重量％の電荷輸送分子を含む、特許請求
の範囲第1項の像形成方法。 - 【請求項８】電荷輸送物質が置換されている非対称3級
アミンである、特許請求の範囲第1項の像形成方法。 - 【請求項９】置換されている非対称3級アミンが次の一
般式を有する化合物である、特許請求の範囲第8項の像
形成方法： (式中、Ｘ、ＹおよびZは水素、１〜約20個の炭素原子を
有するアルキル基および塩素よりなる群から選ばれ、そ
してＸ、ＹおよびZの少なくとも1つは独立して、１〜約
20個の炭素原子を有するアルキル基または塩素から選ば
れる)。 - 【請求項１０】泳動性像形成性要素が軟化可能層上にフ
イルム形成性樹脂を含む保護上塗層を含んでいる、特許
請求の範囲第1項の像形成方法。 - 【請求項１１】電荷輸送物質が軟化可能層中に溶解また
は分子状で分散されている、特許請求の範囲第1項の像
形成方法。 - 【請求項１２】要素を軟化可能層中のマーク形成物質の
泳動耐性を減少させるに充分な軟化可能層用の溶剤の蒸
気にさらして、マーク形成物質を像配置で基体に向かっ
て深さ方向で僅かに泳動させ、次いで非泳動マーク形成
物質を凝集させ、合着させるに充分に要素を加熱するこ
とにより軟化可能層中のマーク形成物質の泳動耐性をさ
らに減じさせる、特許請求の範囲第1項の像形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/568,001 US4536457A (en) | 1984-01-03 | 1984-01-03 | Migration imaging process |
| US568001 | 1995-12-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60159762A JPS60159762A (ja) | 1985-08-21 |
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