JPH0625566B2 - かじり防止法及びイオンめつき法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、かじり防止法（antigalling method）、こと
に組立て又は分解するときに非常にかじりの生じやすい
ねじ継手用のかじり防止法に関する。

かじり（galling）は、比較的高い応力で最も損傷する
一種の固着磨耗である。互いに組合う部品の焼付けは、
激しいかじりの結果であることが多く、この焼付きは通
常装置の寿命の早期段階に起る。ねじ付き部品は、とく
に焼付きの傾向に注意しなければならない。

２つの表面に相互に荷重を加えるときは、これ等の互に
協働する表面は、引続く運動により生ずる局部的の高い
圧力及び熱により強力な結合を形成する。これ等の結合
が境界面で切断するならば、ほとんど損傷を生じない
で、各部品はなめらかに動く。又どちらかの材料に破砕
が起ると、大きい損傷が生ずる。この損傷をかじりと称
する。

従来はかじりによる破損を防止するのに有機質及び無機
質の潤滑剤を使つている。従来使われている共通の方法
では、すず又は亜鉛或はこれ等の両方の金属質電気めつ
きを使用している。この電気めつきは、重大な環境廃棄
物処理の問題を引き起すかもしれない。りん酸塩転化被
覆も又使われている。この被覆も又環境廃棄物処理の問
題を引き起し、この被覆を施すことのできる材料支持層
の種類に制限を受ける。ねじ付き管継手に一般に使われ
るＡＰＩ変性スレツド・コンパウンド（modified threa
d compound）のようなベース潤滑剤膜により、可動部品
が化学的、熱的又は物理的に破壊されなく又は変位させ
られない限りは、これ等の部品間にすべりを許容する。
しかし潤滑剤が浸透した後相互に接触する作用表面の冷
間溶接が始まる。冷間溶接の結果、互いに組合う表面の
かじりによる破壊が生ずる。

すなわち互に接触する金属対金属の表面のかじりを、こ
れ等の表面が密封面、肩部又はねじ部分のどれでもあつ
ても防止する方法が必要になる。

本発明によれば、ねじ付き管継手の反復する組立て及び
分解に従来伴うかじりの問題を実質的に除去する方法が
得られる。

本発明によれば、２個の互いに協働するねじ付き部材の
かじりを防止する方法が得られる。本発明方法では、少
くとも一方のねじ付き部材の機械加工した表面に高いエ
ネルギーレベルのイオンめつきにより材料膜を付着さ
せ、低いせん断応力値を持つねじ付き部材上に薄い機械
的絶縁膜を形成する。

なお本発明によれば、高エネルギーレベルのイオンめつ
きにより各ねじ付き部材の機械加工面に材料膜を付着さ
せ、低いせん断応力値を持つ互いに協働する金属対金属
の各表面に薄い膜を形成し、各部材を相互に接合したと
きに、互いに協働する金属対金属の表面の活性原子格子
構造を相互に隔離し絶縁することにより、かじりを防止
することによつて、互いに協働する２個のおす形及びめ
す形のねじ付き部材のかじりを防止する方法が得られ
る。

なお本発明によればねじ付き部材のかじりを防止する方
法では、支持層原子格子の一体部分としてねじ付き部材
のベース基材内にフエーズ（phase）された介在する薄
い膜を持つねじ付き部材の基材にフエーズされた機械加
工表面上に機械的絶縁材料の薄い膜を形成する。

以下本発明による防止法及びイオンめつき法の実施例を
添付図面について詳細に説明する。

本発明は多くの互に異る用途のねじ付き管継手のかじり
を防止するのに有用であるが、ねじ付き管継手のかじり
の問題は、石油工業及びガス工業で製造用配管を連結
し、連結をはずす際にとくに一般的である。ことにかじ
りは、油井の腐食条件を克服するのに必要とする高合金
ステンレス鋼及びニツケルをベーストする合金の送油管
製品に主要な問題となつている。

第１図には管１６のような協働するめす形管状部材のね
じ１４に協働するねじ１２を持つ管１０のようなおす形
管状部材を示してある。両管１０，１６間のねじ連結部
は、平らな区域２０，２２及び密封区域２４，２６を備
えている。第１図に示した特定のねじ形状は例示したも
のであるが、本発明では任意の種類のねじ連結部でよ
い。磨損はねじ連結部のどの部分間にも生ずるが、密封
区域２４，２６はかじり（galling）による破損に対し
最悪の部分である。

本発明の１例では、平らな区域２０，２２及び密封区域
２４，２６のほかに金属のねじ１２，１４の表面に導入
される金属膜を付着させることを特徴とする。この金属
膜は、支持層原子格子（substrate atomic lattice）の
一体部分として、所望の機能材料（functional materia
l）から成る原子サイズ粒子の高エネルギーの付着によ
り一様な被覆及び厚さに付着させる。この材料膜は低い
摩擦性、良好な接着性及び低いせん断強さを持つたとえ
ば金、銀、鉛、すず、インジウム、白金又は銅のような
比較的柔かい金属のうちの任意のものでよい。この金属
は、高レベルのイオンめつき法により機械仕上げしたね
じ輪郭に直接接着した薄い膜の状態に付着させられる。
とくに本方法は、高い粒子エネルギーレベルのイオンめ
つき法により１層又は複数層の表面膜を付着させた薄い
膜処理した機械加工輪郭を形成する。たとえば二硫化モ
リブデンのような層状格子無機化合物のような付加的な
種類の柔かい膜を利用してもよい。

さらに管１０，１６に耐食性合金を利用する場合には、
クロム、チタン又は種種の焼入れ耐火材料、たとえば金
属炭化物、金属窒化物セラミツク材料又はサーメットの
ような硬質材料から成る１層又は、複数層の界面膜を形
成することが望ましい。これらの例においては、初めの
硬い方の材料の被服層の外面は、柔らかい方の機械的絶
縁膜の層をブレンド(blend)することにより、初めの硬
い方の材料の被覆層に潤滑性が与えられる。

第２図には、高い粒子エネルギーレベルのスパツタリン
グ又はイオンめつき法により付着させた薄い保護膜及び
外側膜のフエーズド合属ビルドアツプ（phased alloy b
uildup）を示すねじ１４の拡大軸断面図を例示してあ
る。付着の開始時には初めのイオンは、電荷加速作用の
もとに到達し、支持層格子構造３０内に埋まる。たとえ
ばクロムのような硬質金属を使いビルドアツプが続くと
きは、薄い層３２が付着し、ねじ１４の表面に強度及び
耐性を付与する。さらにビルドアツプが続くときは、材
料のフエージング（phasing）が始まり、たとえば金の
ような外側の材料層３４の100分率組成の増加に伴い下
側の硬い材料の薄い層３２の１００分率組成が定常的に
減少する。複合層３２，３４の全厚さは１0,０００ない
し12,０００オングストロームの範囲である。材料層３
４の厚さはたとえば約2,０００オングストロームであ
る。或は所望によりたとえばチタンの内層と、炭化チタ
ンの第２層と、硝酸チタンの外層とのような多重層を利
用してもよい。

第３図は単一の膜被覆によるねじ１４の被覆を例示して
ある。この単一膜被覆は、第２図に例示した多重層被覆
に必要であるほどにはかじりが激しくない用途に利用す
ることができる。任意適当な材料層３６から成る単一元
素膜は、高い粒子レベルのイオンめつき法により、ねじ
１４に材料層３６を施すことによつて利用できる。銅、
インジウム又は金から成る単一被覆は、被覆してない工
具継手に対する１／２回に比べて工具継手を１０回組立
て分解できることが分かつた。

さらにねじ１４に対する材料層３６の接着を一層高める
ために、又はねじ１４に対する材料層３６の弱い親和力
に伴い問題を除くために、たとえばニツケルのような相
互活物質から成る約2,０００オングストロームの薄い層
３８が有利である。イオンめつきの一様な３次元被覆特
性により、表面４０が矢印４２で示すめつき流れの方向
から隠されても、表面４０に層生長を許容する。

第４図は材料Ａ、曲線４４及び材料Ｂ、曲線４６に対す
る％合金組成対付着厚さの線図を示す。材料Ａはたとえ
ばクロム層３２（第２図）であり、材料Ｂはたとえば材
料層３４（第２図）のような金層である。第１の4,００
０オングストロームの厚さに対してクロム層３２は実質
的に比較的硬い。付着が続くときは、金層３４の柔かい
方の材料Ｂの１００分率は増加し始めるが、材料Ａのク
ロム層３２の量は減少する。外側の2,０００オングスト
ロームの厚さにおいては、膜は金層３４のようにほぼ全
部が柔かい材料である。

各管１０，１６に施される薄い層を、たとえば科学的蒸
着と、又物理的蒸着とも呼ばれる真空蒸着と、無線周波
数、直流及び種種のマグネトロンの変形を含むスパツタ
リングと、米国特許再発行（Reissue）第３0,４０１号
明細書に例示してあるようなイオンめつきとのような複
数種類の互いに異なる方法によつて施すことができる。

とくに本発明方法は、管ねじのような支持層に、広範囲
の種類の材料を高い付着割合でめつきするイオンめつき
法により与えられる高い粒子エネルギーレベルを使用す
る新規なイオンめつき法にある。本発明めつき法は、支
持層面に高いエネルギー束を加え、バルク加熱、表面及
び界面の構造の変更又は膜付着中の膜の物理的混合を必
要とすることなく、高い表面温度により向上した拡散及
び化学反応が得られる。イオンめつきにより、早い付着
割合が得られ、オングストロームでなくてミリメートル
の単位で薄い膜を持つ加工品が得られる。イオンに与え
られる増大した均一電解性により、比較的大きい不規則
な形状の物体、内径部又はうず巻部に、極めて薄い膜か
らmm範囲の厚い膜までの範囲の一様に付着される膜を容
易に被覆することができるから有利である。

第５図には本発明による新規なイオンめつき装置を例示
してある。このイオンめつき装置は、蒸発源を持つ真空
めつき装置である。このめつき装置では蒸発材料の原子
は、磁界を経て支持層に進むときに、電子衝突によりイ
オン化され、支持層にめつきしようとする材料を、この
支持層の区域でプラズマ状態に変換する。本発明に使う
イオンめつき装置５０は、内部に真空を生じさせるのに
適する室ハウジング５２を備えている。室ハウジング５
２は上下方向形又は横方向形でよく真空圧を保つ任意適
当な材料で構成すればよい。室ハウジング５２は、弁５
６により制御される出口５４を備えている。弁５６は、
室ハウジング５２を真空にするポンプ（図示してない）
に通じている。イオンめつき装置５０を、弁５７を利用
することにより大気圧にもどすことができる。

室ハウジング５２には、被覆しようとする支持層６０を
持つ１個又は複数個の物品を保持するように取付具５８
を設けてある。第５図に例示したように支持層６０は管
継手のめねじを構成する。

直流電源６１及びＲＦ電源６２を設け、取付具５８に接
続し、蒸発源から支持層６０に向いたイオンを引付け
る。蒸発源は、たとえば耐火ボルト、電子ビームガン、
誘導加熱るつぼ、電気アーク又は第５図に例示したよう
にそれぞれ電源６８，７０に接続した１本又は複数本の
電気フイラメント６４，６６のようなめつき材料を蒸発
させる任意適当な源でよい。このような２つの蒸発源す
なわち電気フイラメント６４，６６を互いに異なる材料
の付着と、互いに異なる時間における付着とのために利
用することができる。

絞り弁７４により制御されるガス供給導管７２は、室ハ
ウジング５２に連結されて、入力ガスを室ハウジング５
２に噴射する。この入力ガスは、不活性の又はその他の
導電性ガスであり、たとえばめつき処理前の支持層６０
の不活性ガス・イオン・ボンバードメント清掃又は蒸発
原子の衝突散乱のような特定の機能を果し、３次元物体
の被覆の均等性を高める。ＲＦ電源６２は、ＲＦスパツ
タリングの方が一般にＤＣ源の清掃作用よりよく清掃す
るので、前記の目的のために設けられている。さらに入
力ガスは、高い金属浸透作用を生じさせる金属含有ガス
プラズマでよい。

取付具５８は、１本の腕又はたとえば永久磁石又は電磁
石から或る磁石７６と、磁石７８とを備え、支持層６０
に隣接して磁界８０を生じさせる。磁界８０内でらせん
運動する電子を通過する蒸発原子が、電子との衝突によ
りイオン化され、電源６１の負電荷により生ずる高い負
電位にすぐに引付けられる。室ハウジング５２の内部に
対してなされるすべての接続は、絶縁体８２を介して行
なわれる。

本発明方法の実施に当たつては、第５図に例示した高エ
ネルギーレベルのイオンめつき装置５０を、たとえば約
１×１０^-4ミリメートル水銀のような適当な真空に出口
５４を経て排気する。化学的又は物理的の理由で支持層
６０に対し清掃手順を持つことが望ましければ、ガス供
給導管７２を経て室ハウジング５２内にたとえば１０な
いし２０ミクロンの圧力でガスを導入することができ
る。又ガスにより形成される無線周波数プラズマは、支
持層６０の表面に衝突し、清掃を行なうから有利であ
る。清掃後においてガスは、めつき処理を始める前に排
気された室ハウジング５２から取りもどされる。

直流電源６１から、たとえば３ないし５キロボルトの直
流負バイアスを取付具５８に加えることができる。取付
具５８は陰極として作用し、大きい電圧降下を介し吸引
作用により正イオンを支持層６０に向い引付ける。一方
又は両方の電気フイラメント６４又は６６を、めつき材
料を蒸発するのに十分高い温度に加熱するとめつきが始
まる。電気フイラメント６４，６６が抵抗加熱源である
場合には、低電圧高電流の交流電源６８，７０を利用す
る。

磁石７６，７８は、蒸発材料からの熱電子に磁界８０を
加え、これ等の熱電子をらせん運動させて、途中で中間
の雲状物を経て支持層６０に進む蒸発材料の原子に密な
イオン化横断面を与える。すなわちイオン化は必要度が
最大である支持層６０の領域で最高になる。抵抗性の電
気フライメント６４，６６のどちらか一方又は両方を、
それぞれ電源６８，７０から電気フイラメント６４，６
６への電力入力を変えることによより、支持層６０に１
層又は複数層の材料膜又は材料層を形成するように、利
用することができる。

本発明方法を実施する装置と普通のイオンめつき装置５
０について述べたが、さらにスパツタリング技術を利
用、してもよい。第６図は、第５図でイオンめつき装置
５０について述べた同様な対応部品を持つスパツタリン
グ装置９０を示す。スパツタリング装置９０は、めつき
材料から成る陰極９２を備えている。支持層６０は、電
源９６により保持する不活性プラズマ９４内に位置させ
てある。電源９６はＲＦ電源又は電流電源により構成さ
れる。支持層６０は、地電位に、又は電源９８により負
の値に保たれる。不活性ガスプラズマ９４の正イオン１
００は、陰極９２の負の陰極面を衝撃し、衝突により陰
極９２の材料の原子をたたき出す。この原子の若干は横
移動して支持層６０をめつきする。

普通のイオンめつき（第５図）及びスパツタリングめつ
き（第６図）のために本発明方法を実施する第５図及び
第６図に示した装置は、継手のような長さの短いねじ付
き製品を被覆するのに有用であるが、これ等の装置は真
空装置を持つ室ハウジング５２が、長さが大体３０ない
し４０フイートの送油管の有効全長を完全に納めるには
実用的でない。なお本方法の別の特徴は細長い管状部材
の機械加工した輪郭に材料膜又は材料層を付着させるイ
オンめつき装置を使うことにより、管状部材を全く納め
るのに十分長い真空装置を作る必要をなくすことであ
る。真空中に納めるのに管状部材の所要の機械加工した
輪郭だけを必要とするようなめつき法が得られる。さら
にこの管状部材の１個又は複数個のねじ付き部分を同時
に被覆でき、そして膜の均等性を高めるには、管状部材
を回転すればよい。

第７図には機械加工した輪郭１２４，１２６を持つ管１
２２を同時に被覆することのできる管ねじ被覆装置１２
０を例示してある。単一の管１２２を例示してあるか、
第７図に示した装置は又多重の管１２２の同時被覆にも
使うことができるのはもちろんである。第７図では第５
図及び第６図について前記した同様な対応する部品に対
し同様な参照数字を使つてある。

管１２２の機械加工した輪郭１２４が延びる室ハウジン
グ５２を設けてある。室ハウジング５２は、弁５６を持
つ出口５４を備えている。出口５４は、室ハウジング５
２の内部室を排気するように真空ポンプ（図示してな
い）に連結されている。室ハウジング５２は、絞り弁７
４により制御されるガス供給導管７２を備えている。適
当な材料蒸発装置たとえば電気フイラメント６４を設け
てある。管ねじ被覆装置１２０においては又、第５図に
示すような付加的な電気フイラメント６６及びその関連
する電源７０も利用できるのはもちろんである。電気フ
イラメント６４はねじ部分の輪郭１２４の外部に近接し
て位置させるのがよい。電気フイラメント６４は、電源
６８に接続されている。管１２２は、管１２２を矢印１
３０ａの方向に回転する動力ローラ１３０を利用して回
転させられる。

管１２２に負の直流電圧を加え、電気フイラメント６４
からの蒸発材料を機械加工された輪郭１２４に引付ける
ように電源６１を設けてある。さらに管１２２の内部に
は、輪郭１２４に隣接して磁石７６を設け磁界８０を形
成するようにしてある。

管１２２の端部を室ハウジング５２に挿入し、室ハウジ
ング５２内に真空を保ち、管１２２を回転しながら輪郭
１２４，１２６に材料の膜を付着させることが望ましい
から、室ハウジング５２にフランジ取付けの付属装置１
３２を設ける。付属装置１３２は、仕切１３４，１３
６，１３８を利用することにより複数の隔壁室１４０，
１４２，１４４に分割される。各仕切１３４，１３６，
１３８は、密封環１４６を備えている。密封環１４６
は、管１２２の表面に軽く接触し、排気された室ハウジ
ング５２の内部で隔壁室１４０，１４２，１４４間のガ
スの漏れを最少にする。

室ハウジング５２から最も離れた隔壁室１４４は、導管
１４８及び弁１５０を経てたとえばアルゴンのような不
活性ガスでわずかに加圧される。仕切１３８による隔壁
室１４４からのアルゴンの漏れは外気に流れ、又仕切１
３６による漏れは隔壁室１４２に入る。隔壁室１４２
は、ポンプ（図示してない）への導管１５２及び弁１５
４に連結されている。このポンプは、隔壁室１４４から
の漏れを越える割合で送給し、隔壁室１４２内の作動圧
力が約１psiaに近くなるようにする。この構造により、
隔壁室１４４，１４２間に漏れを生じさせる圧力差を制
限する。さらに隔壁室１４０への導管１５６及び弁１５
８に付加的ポンプ（図示してない）を連結し、作用圧力
を1,０００ミクロン以下に保つようにしてある。又管１
２２の粗さと、密封環１４６により得られる密封度とに
よつて変る付加的な隔壁室が必要である。しかし隔壁室
１４０，１４２，１４４の使用により、隔壁室１４４か
ら室ハウジング５２内の排気された室内に漏れるアルゴ
ンの量は、極めてわずかになる。そして室ハウジング５
２内に漏れ込むアルゴンは、導管５４を経て排気され
る。

管１２２の内部がふさがれる場合の被覆の輪郭１２４の
作用は、第５図及び第６図について前記したイオンめつ
き装置５０、スパツタリング装置９０の作用と同様であ
る。しかし管１２２の表面の粗さに関しては比較的変わ
りやすいことと、生ずる連続漏れ割合が変動することと
によつて、与えられた処理中に室ハウジング５２の室内
のアルゴン圧力の実際量が変動する。従つて磁界８０の
独立のイオン化機構と共に本発明方法を利用することに
より、めつきを必要とする輪郭１２４のまわりの領域に
磁石７６を挿入することによつて、磁界８０が生ずるよ
うにすることが必要である。従つて磁界８０内でらせん
運動する電子を通過する蒸発原子は、このような電子と
の衝突によりイオン化され、電源６１により層１２２の
高い負電位にすぐれた引付けられる。

本方法の前記の説明ではイオン化のためにガスを存在さ
せる必要がない点に留意されたい。しかし極めて不規則
な表面にわたり膜を均等に設ける必要があるので、さら
に膜を均等にするのに材料を散乱させるために、わずか
な量の不活性ガスを加えることが望ましい場合がある。
たとえばイオン化に必要な１０ないし２０ミクロンの圧
力より低い圧力のアルゴンのような不活性ガスを、この
ように使う場合には、付着した膜にガスが含まれること
により膜の性質に悪影響を及ぼさないようにガス圧力は
十分低くなつている。

前記したように輪郭１２４は、真空中で被覆される。輪
郭１２４を真空中に保つように、管１２２の内部に栓を
挿入してもよいが、両輪郭１２４，１２６を同じ真空ポ
ンプを使つて被覆し、管１２２を２回真空にしなければ
ならない費用及び時間を省くのが有利である。従つて端
部キヤツプアセンブリ１７０により、輪郭１２４への材
料の付着と同時に輪郭１２６に材料膜を付着させ、室ハ
ウジング５２内の真空ポンプ系統を十分に利用すること
ができる。

端部キヤツプ・アセンブリ１７０は、複数の密封片１７
４，１７６，１７８を持つキヤツプ172を備えている。
これ等の密封片の１つ、たとえば密封片１７８は、管片
１２２の端部に当てがつてある。従つて管１２２の内部
を経て真空状態に排気されるときは、密封片１７８は大
気圧の力により緊密に締めつけられ、キヤツプ１７２は
管122と共に回転する。

本体部分１８０は、端部キヤツプ・アセンブリ１７０内
に回転自在に取付けられ、良好な絶縁性、低摩擦性及び
熱抵抗を持つ任意適当なプラスチツク材たとえば商品名
テフロン（TEFLON）として市販されているプラスチツク
材から成つている。本体部分１８０は、クランプ１８１
によりつかみ回転しないように拘束されている。適当な
面密封片１８２及びｏ字環１８４により漏れを防ぐ。フ
イラメント１９０のような適当な蒸発材料を設け、この
フイラメントを本体部分１８０を貫いて延びる導体１９
４を経て電源１９２に接続する。なるべくは管１２２内
に、めつきの望ましい領域において輪郭１２６に隣接し
て磁石１９６を設け、衝突イオン化のための密な電子雲
状物を形成するようにしてある。磁石１９６からの磁力
線１９８により、熱放出によつて加熱されたフイラメン
ト１９０から出る電子を捕捉する。従つて蒸発材料の原
子は、電子雲状物中で正にイオン化され、電源６２によ
り生ずる高い負の極性により管１２２に加速される。

従つて本発明により少くとも一方のねじ付き部分の機械
加工された輪郭に高いエネルギーレベルのイオンめつき
を行なうことにより、材料膜を付着させ、管の互いに接
触する金属対金属の表面に薄い膜を形成することにより
ねじ付き部材の磨損を防止する方法が得られるのは明ら
かである。

以上本発明をその実施例について詳細に説明したが本発
明はなおその精神を逸脱しないで種種の変化変型を行う
ことができるのはもちろんである。

【図面の簡単な説明】

第１図は２本の管状部材のねじ連結部の軸断面図、第２
図は本発明方法の１実施例により被覆した第１図の一方
の管状部材のねじの拡大軸断面図、第３図は本発明方法
の別の実施例により被覆した第１図の一方の管状部材の
ねじの拡大軸断面図、第４図は本方法により被覆した多
重被覆の組成の変化を示す線図、第５図は本発明による
イオンめつき法を実施する装置の上下方向断面図、第６
図は本発明方法を実施するスパツタリング装置の上下方
向断面図、第７図は細長い管状部材のねじ部分を本方法
により被覆する装置の上下方向断面図である。 １０，１６，１２２…管、１２，１４…ねじ、３２，３
４，３６，３８…膜、１２４，１２６…輪郭。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】低いせん断応力値を持つ互いに協働する金
   属対金属の表面上に外側の層より硬い内側の層を持つ薄
   い機械的絶縁膜を形成するように、少くとも一方のねじ
   付き部材の機械加工した輪郭上に高エネルギーレベルの
   イオンめっきにより複数の層を含む材料膜を付着させる
   ことにより、かじりを防止するように、互いに協働する
   金属対金属の表面を相互に隔離することから成る、互い
   に協働するねじ付き部材のかじりを防止するかじり防止
   法。
2. 【請求項２】前記ねじ付き部材のうちの少くともの一方
   を、前記膜の付着中に回転し、均等な膜を形成するよう
   にする特許請求の範囲第(1)項記載のかじり防止法。
3. 【請求項３】前記膜を、金、銀、鉛、すず、インジウム
   及び銅を含む金属類から形成する特許請求の範囲第(1)
   項記載のかじり防止法。
4. 【請求項４】前記複数の層を、全体にわたつてその厚さ
   を約５００オングストロームないし約６ミリメートルの
   範囲とする特許請求の範囲第(3)項記載のかじり防止
   法。
5. 【請求項５】内層膜がクロムであり、外層膜が金である
   特許請求の範囲第(1)項記載のかじり防止法。
6. 【請求項６】前記クロム膜の厚さを約２，０００オング
   ストロームないし約４，０００オングストロームと金か
   ら成る前記外層膜の厚さを約２，０００オングストロー
   ムとする特許請求の範囲第(5)項記載のかじり防止法。
7. 【請求項７】(イ)細長い管状部材の各端部を室内に納
   め、(ロ)これ等の室の一方を排気することにより、両方
   の室を前記管状部材を経て排気し、(ハ)前記各端部に隣
   接して前記排気した各室内においてめっき材料を蒸発さ
   せ、(ニ)前記管状部材に直流の負バイアスを加え、蒸発
   しためっき材料の正イオンを引付けるようにすることか
   ら成る、細長い管状部材の両端部をイオンめっきするイ
   オンめっき法。
8. 【請求項８】前記管状部材を回転する特許請求の範囲第
   (7)項記載のイオンめっき法。
9. 【請求項９】磁界を、前記管状部材の両端部に隣接して
   生じさせる特許請求の範囲第(7)項記載のイオンめっき
   法。
10. 【請求項１０】前記回転する管状部材の各部分を、前記
    排気した室の一方に隣接して、隔壁室内に納める特許請
    求の範囲第(7)項記載のイオンめっき法。
11. 【請求項１１】前記排気した室に隣接する隔壁に、下方
    に向ってポンプ作用を加え、すぐ次の隔壁室に不活性ガ
    スを供給する特許請求の範囲第(10)項記載のイオンめっ
    き法。
12. 【請求項１２】(イ)細長い管状部材の第１の端部を室内
    に納め、第２の端部は前記室から外に位置させ、(ロ)前
    記管状部材の第２の端部を回転自在なクロージュアで閉
    じ、(ハ)前記室を排気することにより、前記両端部のま
    わりの区域を排気し、(ニ)前記各端部に隣接して前記排
    気した区域において、めっき材料を蒸発させ、(ホ)前記
    管状部材に直流の負バイアスを加え、蒸発しためっき材
    料の正イオンを引付けるようにすることから成る、細長
    い管状部材の両端部をイオンめっきするイオンめっき
    法。
13. 【請求項１３】前記管状部材を回転する特許請求の範囲
    第(12)項記載のイオンめっき法。
14. 【請求項１４】前記管状部材の各端部に隣接して磁界を
    形成する特許請求の範囲第(12)項記載のイオンめっき
    法。
15. 【請求項１５】蒸発材料を第２の端部内で、かつ第１の
    端部の外側に位置させる特許請求の範囲第(12)項記載の
    イオンめっき法。
16. 【請求項１６】磁界を、前記管状部材の各端部内に位置
    させた磁石により生じさせる特許請求の範囲第(14)項記
    載のイオンめっき法。