JPH0629859B2 - Surface defect detector - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体ウエハ等の被検査体について、その
表面に存在する微小な凹凸などの欠陥を光学的に検出す
る装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an apparatus for optically detecting defects such as minute irregularities existing on the surface of an object to be inspected such as a semiconductor wafer.
（従来の技術とその問題点） 半導体ウエハや、ビデオディスク等の原盤用ガラスディ
スクなどにおいては、その表面に存在する凹凸や傷など
の欠陥によって製品の品質が大きく左右されるため、こ
れらの欠陥を検出することによって製品の品質管理を行
なう必要がある。このような表面欠陥検出装置としては
種々の装置が提案されているが、非破壊検査として代表
的なものは光学方式の検出装置であり、その従来例を第
７図に示す。(Prior art and its problems) In semiconductor wafers and glass disks for masters such as video disks, defects such as irregularities and scratches present on the surface greatly affect the quality of the product. It is necessary to control the quality of the product by detecting the. Various devices have been proposed as such a surface defect detecting device, but a typical nondestructive inspection is an optical detecting device, and a conventional example thereof is shown in FIG.
この第７図の装置は特開昭５０−１０６８４号に開示さ
れているものであって、まず、レーザ光源５１からのレ
ーザビームを集束レンズ５２を介して被検査体５３の表
面に照射する。被検査体５３の表面によって反射された
レーザビームは回折パターン５４を形成しつつ、十字形
に配列された５個の光電変換素子５５，５６ａ〜５６ｄ
に入射する。The apparatus shown in FIG. 7 is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 50-10684. First, the laser beam from the laser light source 51 is applied to the surface of the inspection object 53 through the focusing lens 52. The laser beam reflected by the surface of the object 53 to be inspected forms a diffraction pattern 54, and at the same time, five photoelectric conversion elements 55, 56a to 56d arranged in a cross shape.
Incident on.
そして、この装置では、被検査体５３の表面に欠陥が存
在するときには、上記光電変換素子５５，５６ａ〜５６
ｄのうち、レーザビームの正反射方向（０次回折方向）
の位置に配置された光電変換素子５５への受光量と、周
辺の光電変換素子５６〜５６ａ〜５６ｄへの受光量とが
相対的に増減することを利用する。すなわち、被検査体
５３の表面の走査経過時間ｔのそれぞれにおいて、中央
の光電変換素子５５の出力レベル（第８図(a)）と、周
辺の光電変換素子５６ａ〜５６ｄのそれぞれの出力の和
（第８図(b)）との差（第８図(c)）を差動増幅器５７に
よって求め、これを波形整形回路５８で波形整形するこ
とによって、欠陥検出信号（第８図(d)）を得ている。In this apparatus, when there is a defect on the surface of the object 53 to be inspected, the photoelectric conversion elements 55, 56a to 56 are used.
Of d, the specular reflection direction of the laser beam (0th diffraction direction)
The fact that the amount of light received by the photoelectric conversion element 55 arranged at the position and the amount of light received by the peripheral photoelectric conversion elements 56 to 56a to 56d relatively increase and decrease is used. That is, at each scanning elapsed time t of the surface of the inspection object 53, the sum of the output level of the central photoelectric conversion element 55 (FIG. 8 (a)) and the respective outputs of the peripheral photoelectric conversion elements 56a to 56d. The difference (Fig. 8 (c)) from (Fig. 8 (b)) is obtained by the differential amplifier 57, and the waveform is shaped by the waveform shaping circuit 58 to obtain the defect detection signal (Fig. 8 (d)). ) Is getting.
ところが、このような装置の場合には、表面欠陥の存在
自体は検出できるが、欠陥の種類は知ることができない
という問題がある。このため、このような従来の装置は
製品の出荷合否判定などには利用できるものの、欠陥の
種類を判別することによって製造工程へとフィードバッ
クし、欠陥そのものの発生を低減させて、製品の品質や
生産性を向上させるためには利用できないという欠点が
あった。However, in the case of such an apparatus, there is a problem that the presence of surface defects can be detected but the type of defects cannot be known. For this reason, although such a conventional device can be used for product pass / fail judgment, etc., it is fed back to the manufacturing process by determining the type of defect to reduce the occurrence of defects per se and improve product quality and product quality. It has a drawback that it cannot be used to improve productivity.
（発明の目的） この発明は、従来技術における上述の問題点の克服を意
図しており、被検査体表面に存在する欠陥の種類を判別
することが可能であり、これによって製品の品質や生産
性の向上に寄与することができる表面欠陥検出装置を提
供することを目的とする。(Object of the Invention) The present invention is intended to overcome the above-mentioned problems in the prior art, and is capable of discriminating the types of defects existing on the surface of an object to be inspected. It is an object of the present invention to provide a surface defect detecting device that can contribute to improving the property.
（目的を達成するための手段） 上述の目的を達成するため、この発明における装置で
は、被検査体表面からの反射光の回折パターンの空間的
強度分布の形態を、受光面の一部または全部が、正反射
光の入射方向を中心とした放射状形状の単位光電変換素
子の放射状配列となっている光電変換素子アレイによっ
て検出し、この光電変換素子アレイの検出出力に基づい
て欠陥を検出する。(Means for Achieving the Purpose) In order to achieve the above-mentioned object, in the device according to the present invention, the form of the spatial intensity distribution of the diffraction pattern of the reflected light from the surface of the object to be inspected Is detected by a photoelectric conversion element array having a radial arrangement of unit photoelectric conversion elements having a radial shape centered on the incident direction of specular reflection light, and a defect is detected based on the detection output of this photoelectric conversion element array.
（実施例） 第１図はこの発明の一実施例である表面欠陥検出装置１
の概略構成図である。同図において、レーザ光源２から
のレーザビームＬは、ハーフミラー（ビームスプリッ
タ）３による反射を受けて、集束レンズ４を通過した
後、被検査体５の検査表面に集光・照射される。このレ
ーザビームＬは、被検査体５の検出表面の形状に応じた
反射光（回折光）Ｒとなって、再度集束レンズ４を通
り、ハーフミラー３に入射する。そして、この反射光Ｒ
のうち、ハーフミラー３を透過した光は、光電変換素子
アレイ６に入射する。(Embodiment) FIG. 1 shows a surface defect detecting apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic configuration diagram of FIG. In the figure, a laser beam L from a laser light source 2 is reflected by a half mirror (beam splitter) 3, passes through a focusing lens 4, and then is focused / irradiated on an inspection surface of an object 5 to be inspected. The laser beam L becomes reflected light (diffracted light) R according to the shape of the detection surface of the inspection object 5, passes through the focusing lens 4 again, and enters the half mirror 3. And this reflected light R
Of these, the light that has passed through the half mirror 3 enters the photoelectric conversion element array 6.
ところで、被検査体５の表面に存在する欠陥は、第２Ａ
図(a)に示すような線状（筋状）欠陥と、第２Ｂ図(a)に
示すような点状（ピット状）欠陥とに大別される。そし
て、上記のような光学系を用いた場合において、被検査
体５の表面に線状欠陥が存在するときには、光電変換素
子アレイ６に入射する反射光の回折パターンは第２Ａ図
(b)のような線状回折パターンとなる。また、点状欠陥
の場合には、その回折パターンは第２Ｂ図(b)のような
スペック状パターンとなる。By the way, the defect existing on the surface of the inspection object 5 is the second A
It is roughly classified into linear (streak) defects as shown in FIG. 2A and point-like (pit-like) defects as shown in FIG. 2B (A). When a linear defect is present on the surface of the inspection object 5 in the case of using the above optical system, the diffraction pattern of the reflected light incident on the photoelectric conversion element array 6 is as shown in FIG. 2A.
The linear diffraction pattern shown in (b) is obtained. Further, in the case of a point-like defect, the diffraction pattern thereof becomes a spec-like pattern as shown in FIG. 2B (b).
このため、上記光電変換素子アレイ６は、これらの回折
パターンの空間的強度分布の形態の差異を判別するため
に必要なデータを取込むことができるように構成する。Therefore, the photoelectric conversion element array 6 is configured so as to be able to capture the data necessary for determining the difference in the form of the spatial intensity distribution of these diffraction patterns.
そのためのひとつの具体的方法は、光電変換素子アレイ
６として、第３図(a)に示すように、単位光電変換素子
７（以下「単位素子」と言う。）がマトリクス状に配列
されたアレイを用いる方法である。そして、この方法で
は、各単位素子７から得られる光電変換出力パターン
を、事前に想定される種類の欠陥についてあらかじめ求
めておいた回折パターン分布の形態と比較し、その一致
度によって欠陥の種類を判別する。One specific method therefor is, as the photoelectric conversion element array 6, an array in which unit photoelectric conversion elements 7 (hereinafter referred to as “unit elements”) are arranged in a matrix as shown in FIG. 3 (a). Is a method using. Then, in this method, the photoelectric conversion output pattern obtained from each unit element 7 is compared with the form of the diffraction pattern distribution obtained in advance for the type of defect assumed in advance, and the type of defect is determined by the degree of coincidence. Determine.
ところが、表面欠陥からの回折パターンは、正反射光の
位置を中心にした極座標系における対称性や周期性を有
していることが多いにもかかわらず、上記のような単位
素子のマトリクス配列は直角座標系における対称性を有
している。このため、このような対称性の相違に起因し
て、上記マトリクス配列を使用した場合にでは、光電変
換出力の処理がある程度複雑にならざるを得ない。However, although the diffraction pattern from the surface defect often has symmetry and periodicity in a polar coordinate system centered on the position of specular reflection light, the matrix arrangement of the unit elements as described above is It has symmetry in the Cartesian coordinate system. Therefore, due to such a difference in symmetry, the photoelectric conversion output process must be complicated to some extent when the matrix array is used.
このため、表面欠陥による回折パターンの極座標系での
対称性や周期性を考慮することによって、より少ない単
位素子数で、より正確に欠陥の種類の判別ができるよう
な光電変換素子アレイを使用することが好ましいことに
なる。Therefore, by using the symmetry and the periodicity of the diffraction pattern due to the surface defect in the polar coordinate system, a photoelectric conversion element array that can more accurately determine the defect type with a smaller number of unit elements is used. Would be preferred.
第３図(b)〜(d)は、このような事情を考慮した単位素子
配列例を示す図であって、このうち、第３図(b)は、円
環状の単位素子８を同心円状に配列したものであり、同
図(c)は扇形状の単位素子９を放射状に配列したもので
ある。また、同図(d)は上記(b),(c)を組合わせたもので
ある。これらのうち、同心円状配列は回折パターンの半
径方向の強度分布を知るために適しており、また放射状
配列は周方向についての強度分布を知るために適してい
る。双方を組合わせた第３図(d)では、これらの利点を
兼ね備えている。これらのうち、第３図(c)、(d)が、こ
の発明の特徴に応じた形状配列を有している。FIGS. 3 (b) to 3 (d) are diagrams showing an example of a unit element array in consideration of such a situation. Among them, FIG. 3 (b) shows an annular unit element 8 in a concentric circle shape. FIG. 3 (c) shows fan-shaped unit elements 9 arranged radially. Further, FIG. 6D is a combination of the above-mentioned (b) and (c). Of these, the concentric array is suitable for knowing the intensity distribution in the radial direction of the diffraction pattern, and the radial array is suitable for knowing the intensity distribution in the circumferential direction. FIG. 3 (d), which is a combination of both, has these advantages. Of these, FIGS. 3 (c) and 3 (d) have a shape arrangement according to the features of the present invention.
なお、これらの配列においては、正反射光が入射する位
置が、同心円状配列ないしは放射状配列の中心となるよ
うに配列を行ない、正反射光の入射部分にはマスク１０
を設ける。In these arrangements, the arrangement is such that the position where the specular reflection light is incident is the center of the concentric circular arrangement or the radial arrangement, and the mask 10 is provided at the incident portion of the specular reflection light.
To provide.
第４図は、上述した放射状配列の光電変換素子アレイ６
（第３図(c)）を例にとって、第２Ａ図および第２Ｂ図
に例示した回折パターンを検出した場合の強度（レベ
ル）分布の形態を、各単位素子番号Ｄ１，Ｄ２，…を横
軸にとって示したグラフである。このうち(a)が線状欠
陥に対応し、また、(b)が点状欠陥に対応する。前述し
たように、線状欠陥の場合には特定の方向に伸びた直線
的回折パターンとなるため、第４図(a)の出力レベル分
布は、この直線が伸びる方向の単位素子Ｄｍ（第５図
(a)）付近に急峻なピークを持った分布となる。また、
第５図(b)に示すように、点状欠陥の場合にはある程度
広がった回折スポットが島状に光電変換素子アレイ６に
入射するため、第４図(b)のようなゆるやかなピークを
持つ出力分布が得られる。FIG. 4 shows the photoelectric conversion element array 6 in the radial arrangement described above.
Taking (Fig. 3 (c)) as an example, the form of the intensity (level) distribution when the diffraction patterns illustrated in Fig. 2A and Fig. 2B are detected is represented by the unit element numbers D 1 , D 2 ,. It is a graph shown along the horizontal axis. Of these, (a) corresponds to a linear defect, and (b) corresponds to a point defect. As described above, in the case of a linear defect, the linear diffraction pattern extends in a specific direction, so the output level distribution of FIG. 4 (a) shows the unit element D m (first line) in the direction in which the straight line extends. Figure 5
The distribution has a steep peak near (a)). Also,
As shown in FIG. 5 (b), in the case of a point-like defect, a diffraction spot spread to some extent is incident on the photoelectric conversion element array 6 in an island shape, so that a gentle peak as shown in FIG. 4 (b) is generated. The output distribution it has is obtained.
上記のような線状欠陥と点状欠陥とのそれぞれの場合に
ついての出力分布の形態の相異は、これらを直接表示機
器に表示してオペレータが判断することも可能である
が、より能率化するためには、これらの特徴をとらえて
自動判別することが望ましい。そこで、この実施例で
は、次のような回折パターン判別基準をあらかじめ定量
的に設定しておく。The difference in the form of the output distribution for each of the linear defect and the point defect as described above can be directly displayed on the display device and judged by the operator, but more efficient. In order to do so, it is desirable to automatically discriminate by capturing these features. Therefore, in this embodiment, the following diffraction pattern discrimination standard is quantitatively set in advance.
すなわち、第４図(a)中に示すように、 所定の欠陥検出レベルＩTH以上のレベルを有する単位
素子が１個以上存在し、かつ、 出力ピーク値Ｉｐと、このピークを与える単位素子Ｄ
ｍからｎ個だけ離れた単位素子Ｄm-nの出力レベルＩpn
との比（Ｉｐ／Ｉpn）が所定のしきい値Ｋ０以上である
ときには、「線状欠陥有り」と判別する。That is, as shown in FIG. 4 (a), there is at least one unit element having a level of a predetermined defect detection level I TH or more, and an output peak value I p and a unit element giving this peak. D
Output level I pn of the unit element D mn separated from n by m
When the ratio (I p / I pn ) is equal to or greater than the predetermined threshold value K 0, it is determined that “a linear defect exists”.
一方、第４図(b)中に示すように、上記の条件は満さ
れるが、の条件を満さないときには「点状欠陥有り」
と判別する。また、の条件が満されないときには「欠
陥なし」と判別する。On the other hand, as shown in FIG. 4 (b), the above condition is satisfied, but when the condition is not satisfied, "the point defect exists"
To determine. Further, when the condition of is not satisfied, it is determined that there is no defect.
さらに、欠陥があるときには、線状欠陥，点状欠陥のそ
れぞれについて、所定の欠陥ランクしきい値ＩAL，ＩAS
を設け、これらで弁別することによって欠陥の程度の判
定をも行なう。Further, when there is a defect, predetermined defect rank thresholds I AL and I AS for the linear defect and the point defect, respectively.
Is provided, and the degree of defect is determined by discriminating them.
第６図は上記のような光電変換素子アレイ６の構成と回
折パターン判別基準とを用いて欠陥自動検出を行なうシ
ーケンスを示したフローチャートであり、以下、この図
を参照して、第１図の装置の残余の構成と動作とを説明
する。第６図において、まず、上述した種々のしきい値
ＩTH，Ｋ０，ＩAL，ＩASの設定を、第１図のキーボード
２６からマイクロコンピュータ２５に入力することによ
って行なう（ステップＳ１）。FIG. 6 is a flow chart showing a sequence for performing automatic defect detection using the configuration of the photoelectric conversion element array 6 and the diffraction pattern discrimination reference as described above, and with reference to this figure, referring to FIG. The remaining structure and operation of the device will be described. In FIG. 6, first, the above-mentioned various threshold values I TH , K 0 , I AL and I AS are set by inputting them from the keyboard 26 of FIG. 1 to the microcomputer 25 (step S1).
次に、所望の被検査体５に対してレーザビームＬの照射
と反射とが行なわれると、光電変換素子アレイ６に属す
る各単位素子Ｄ１，Ｄ２…からの光電変換出力Ｉ１，Ｉ
２…が順次取込まれ（ステップＳ２）、この出力が増幅
器２１で増幅され、Ａ／Ｄコンバータ２２によってデジ
タルされた後に、メモリ２３に一時的にストアされる。Next, when the laser beam L is irradiated and reflected on the desired object to be inspected 5, the photoelectric conversion outputs I 1 , I 2 from the respective unit elements D 1 , D 2, ... Which belong to the photoelectric conversion element array 6.
2 ... Are sequentially taken in (step S2), this output is amplified by the amplifier 21, digitized by the A / D converter 22, and then temporarily stored in the memory 23.
メモリ２３にストアされたこれらの光電変換出力Ｉ１，
Ｉ２…は、特性値抽出回路２４によって順次読出され
る。この特性値抽出回路２４は、回折パターン分布の特
性値として、これらの光電変換出力Ｉ１，Ｉ２…のうち
から、最大値Ｉｐと、この最大値Ｉｐを与える単位素子
Ｄｍからｎ個だけ隔てられた単位素子Ｄm-nからのデー
タＩpnを抽出してマイクロコンピュータ２５に与える
（ステップＳ３，Ｓ４）。なお、こり整数ｎは、光電変
換素子アレイ６内の単位素子数や光学系の位置関係など
に応じて適宜決定される。These photoelectric conversion outputs I 1 , stored in the memory 23,
I 2 ... Is sequentially read by the characteristic value extraction circuit 24. The characteristic value extraction circuit 24 determines the maximum value I p from the photoelectric conversion outputs I 1 , I 2, ... And the unit elements D m to n that give the maximum value I p as characteristic values of the diffraction pattern distribution. The data I pn from the unit elements D mn separated by the number is extracted and given to the microcomputer 25 (steps S3 and S4). The integer n is appropriately determined according to the number of unit elements in the photoelectric conversion element array 6 and the positional relationship of the optical system.
以下の処理は、マイクロコンピュータ２５内でソフト的
に行なわれる。まず、出力レベル最大値Ｉｐとしきい値
ＩTHとが比較されて欠陥の有無が判定され（ステップＳ
５）、ＩｐとＩpnとの比（Ｉｐ／Ｉpn）がＫ０以上であ
るか否かによって、線状欠陥か点状欠陥かが判別される
（ステップＳ６）。そらに、欠陥の種類ごとにしきい値
ＩAL，ＩASと最大値Ｉｐとが比較されることによって欠
陥の程度が判別される（ステップＳ７，Ｓ８）。The following processing is performed by software in the microcomputer 25. First, the maximum output level value I p and the threshold value I TH are compared to determine the presence or absence of a defect (step S
5) Depending on whether or not the ratio of I p to I pn (I p / I pn ) is K 0 or more, it is determined whether it is a linear defect or a point defect (step S6). Then, by comparing the threshold values I AL and I AS with the maximum value I p for each defect type, the degree of the defect is determined (steps S7 and S8).
このようにして得られた結果は、表示機器、記録機器等
の任意の出力機器２７に与えられる。被検査体５の表面
を順次走査することによって、当該表面の全体または所
望部分について欠陥検出を順次行なうことは従来と同様
である。The result thus obtained is given to an arbitrary output device 27 such as a display device and a recording device. It is the same as in the prior art that the defect detection is sequentially performed on the entire surface or a desired portion by sequentially scanning the surface of the inspection object 5.
以上、この発明の一実施例について説明したが、この発
明は上記実施例に限定されるものではなく、たとえば次
のような変形も可能である。Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and the following modifications are possible, for example.
上記実施例では、単位素子そのものの受光面を配列し
て回折パターンを検出しているが、光ファイバ等の受光
面を配列し、これらを介して検出を行なってもよい。す
なわち、単位素子の本体を配列することは必須ではな
く、単位素子に回折光を入力させるための実質的な受光
面を配列すればよい。In the above-described embodiment, the light receiving surfaces of the unit elements themselves are arranged to detect the diffraction pattern, but the light receiving surfaces of the optical fiber or the like may be arranged and detection may be performed via these. That is, it is not essential to arrange the main bodies of the unit elements, and it is sufficient to arrange the substantial light receiving surface for inputting the diffracted light to the unit elements.
上記実施例では、線状欠陥と点状欠陥とを例にとった
が、これら以外の種々の欠陥も同様な装置で検出可能で
ある。回折パターンの強度分布の形態を判別するにあた
っては、上記のＩｐやＩpnなどの値に限らず、強度分布
の標準偏差、半値幅などの特性値も利用可能である。In the above embodiment, the linear defect and the point defect are taken as an example, but various defects other than these can be detected by the same device. In determining the form of the intensity distribution of the diffraction pattern, not only the above values such as I p and I pn but also characteristic values such as the standard deviation and half width of the intensity distribution can be used.
特性値抽出処理もソフト的に行なってもよい。The characteristic value extraction process may be performed by software.
この発明は、半導体ウエハやガラスディスクのほか、
金属，非金属を問わず、光反射を生ずる被検査体一般に
適用可能である。In addition to semiconductor wafers and glass disks, this invention
It can be applied to general inspected objects that generate light reflection regardless of metal or non-metal.
（発明の効果） 以上説明したように、この発明によれば、被検査体表面
からの反射光の回折パターンの空間的強度分布の形態
を、表面からの正反射光の入射方向を中心とした放射状
形状の単位光電変換素子の放射状配列を含むように、単
位光電変換素子の受光面を空間的に配列した光電変換素
子アレイによって検出しているために、微細な線状欠陥
を含む被検査体表面に存在する欠陥の種類を判別するこ
とが可能であり、これによって製品の品質や生産性の向
上に寄与することができる表面欠陥検出装置を得ること
ができる。(Effect of the Invention) As described above, according to the present invention, the form of the spatial intensity distribution of the diffraction pattern of the reflected light from the surface of the object to be inspected is centered on the incident direction of the specularly reflected light from the surface. Since the photoelectric conversion element array in which the light receiving surfaces of the unit photoelectric conversion elements are spatially arranged is detected so as to include the radial arrangement of the unit photoelectric conversion elements in the radial shape, the inspected object including fine linear defects It is possible to determine the type of defects existing on the surface, and thus it is possible to obtain a surface defect detection device that can contribute to the improvement of product quality and productivity.
第１図はこの発明の一実施例である表面欠陥検出装置の
概略構成図、 第２Ａ図および第２Ｂ図はそれぞれ、点状欠陥および線
状欠陥についての回折パターンを示す図、 第３図は光電変換素子アレイの配列例を示す図、 第４図は点状欠陥および線状欠陥についての回折パター
ン強度分布を示す図、 第５図は放射状アレイについての回折パターン入射位置
を示す図、 第６図は実施例の動作を示すフローチャート、 第７図は従来の表面欠陥検出装置の概略構成図、 第８図は第７図の装置の出力関係を示すタイミングチャ
ートである。 １…表面欠陥検出装置、２…レーザ光源、 ３…ビームスプリッタ、５…被検査体、 ６…光電変換素子アレイ、 ８，９…単位素子、２４…特性値抽出回路、 ２５…マイクロコンピュータFIG. 1 is a schematic configuration diagram of a surface defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2A and 2B are diagrams showing diffraction patterns for point defects and line defects, respectively, and FIG. FIG. 4 is a diagram showing an arrangement example of a photoelectric conversion element array, FIG. 4 is a diagram showing diffraction pattern intensity distributions for point defects and linear defects, FIG. 5 is a diagram showing diffraction pattern incident positions for radial arrays, and FIG. FIG. 7 is a flow chart showing the operation of the embodiment, FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a conventional surface defect detection device, and FIG. 8 is a timing chart showing the output relationship of the device of FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Surface defect detection device, 2 ... Laser light source, 3 ... Beam splitter, 5 ... Inspected object, 6 ... Photoelectric conversion element array, 8, 9 ... Unit element, 24 ... Characteristic value extraction circuit, 25 ... Microcomputer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高松 弘行 兵庫県神戸市灘区篠原伯母野山町２−３− １ (56)参考文献 実開 昭58−108423（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭56−32582（ＪＰ，Ｂ２) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hiroyuki Takamatsu 2-3-1 Nonoyama-cho, Shinohara, Nada-ku, Kobe-shi, Hyogo (56) Bibliographic references Sho 58-108423 (JP, U) JP 56- 32582 (JP, B2)
Claims (2)
検査体表面からの反射光を検出することによって前記被
検査体表面に存在する欠陥を検出する装置において、 前記反射光の回折パターンの空間的強度分布の形態を、
単位光電変換素子の受光面を所定の規則に従って空間的
に配列した光電変換素子アレイによって検出し、前記光
電変換素子アレイの検出出力に基づいて前記欠陥を検出
する装置であって、 前記光電変換素子アレイにおける前記受光面の一部また
は全部が、前記表面からの正反射光の入射方向を中心と
した放射状形状の単位光電変換素子の放射状配列となっ
ていることを特徴とする表面欠陥検出装置。1. An apparatus for detecting a defect existing on the surface of the object to be inspected by irradiating the object to be inspected with light from a light source, and detecting light reflected from the surface of the object to be inspected. The form of the spatial intensity distribution of the diffraction pattern is
A device that detects a light receiving surface of a unit photoelectric conversion element by a photoelectric conversion element array spatially arranged according to a predetermined rule, and detects the defect based on a detection output of the photoelectric conversion element array. A surface defect detecting device, wherein a part or all of the light receiving surface in the array is a radial array of unit photoelectric conversion elements having a radial shape centered on an incident direction of specularly reflected light from the surface.
回折パターンの空間的強度分布の形態を判別するための
回折パターン判別基準があらかじめ定量的に設定されて
おり、 前記光電変換素子アレイの検出出力を処理して所定の特
性値を求める手段と、前記回折パターン判別基準と前記
特性値との比較によって前記欠陥の検出を行なう手段と
を含む、特許請求の範囲第１項記載の表面欠陥検出装
置。2. About each kind of defect assumed in advance,
The diffraction pattern discrimination standard for discriminating the form of the spatial intensity distribution of the diffraction pattern is quantitatively set in advance, means for processing the detection output of the photoelectric conversion element array to obtain a predetermined characteristic value, and The surface defect detection device according to claim 1, further comprising: a unit that detects the defect by comparing a diffraction pattern discrimination standard with the characteristic value.
Priority Applications (1)
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| JP61005920A JPH0629859B2 (en) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | Surface defect detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61005920A JPH0629859B2 (en) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | Surface defect detector |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS62163952A JPS62163952A (en) | 1987-07-20 |
| JPH0629859B2 true JPH0629859B2 (en) | 1994-04-20 |
Family
ID=11624331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61005920A Expired - Lifetime JPH0629859B2 (en) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | Surface defect detector |
Country Status (1)
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-
1986
- 1986-01-14 JP JP61005920A patent/JPH0629859B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| JPS62163952A (en) | 1987-07-20 |
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