JPH0633240B2 - 半導体処理用石英ガラス製炉芯管 - Google Patents
半導体処理用石英ガラス製炉芯管Info
- Publication number
- JPH0633240B2 JPH0633240B2 JP3295270A JP29527091A JPH0633240B2 JP H0633240 B2 JPH0633240 B2 JP H0633240B2 JP 3295270 A JP3295270 A JP 3295270A JP 29527091 A JP29527091 A JP 29527091A JP H0633240 B2 JPH0633240 B2 JP H0633240B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- bubbles
- core tube
- furnace core
- semiconductor processing
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体を熱処理する際
に使用される石英ガラス製炉芯管の改良に関するもので
ある。
に使用される石英ガラス製炉芯管の改良に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体製造用に、例えば拡散用
あるいは気相蒸着用等には石英ガラスが使用されてい
る。これらは、一般に高純度品として透明石英ガラス製
である。
あるいは気相蒸着用等には石英ガラスが使用されてい
る。これらは、一般に高純度品として透明石英ガラス製
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】不透明石英ガラスも一
部には使用されているが、不透明石英ガラスは、本来不
純物が多いため失透を起し易く、又、気孔を石英ガラス
１ｃｍ３あたり１０万個以上も含んで気泡の量を過大に
しているものであるため、赤外線の透過効率が悪く、か
えって加熱ムラを生じ易い。
部には使用されているが、不透明石英ガラスは、本来不
純物が多いため失透を起し易く、又、気孔を石英ガラス
１ｃｍ３あたり１０万個以上も含んで気泡の量を過大に
しているものであるため、赤外線の透過効率が悪く、か
えって加熱ムラを生じ易い。
【０００４】一方、透明石英ガラスは高純度品であるた
め、不透明石英ガラスと比較して失透は起こしにくい
が、赤外線の透過率が良好すぎるため、発熱体の発熱ム
ラがそのまま過熱ムラとなるという欠点を有していた。
め、不透明石英ガラスと比較して失透は起こしにくい
が、赤外線の透過率が良好すぎるため、発熱体の発熱ム
ラがそのまま過熱ムラとなるという欠点を有していた。
【０００５】本発明は石英ガラス自体の耐熱性、耐蝕性
等を活用し、更にはこれに改良を加えることによって均
熱性を改善し、熱変形の少ない、かつ長寿命の半導体処
理用石英ガラス製炉芯管を提供するものである。
等を活用し、更にはこれに改良を加えることによって均
熱性を改善し、熱変形の少ない、かつ長寿命の半導体処
理用石英ガラス製炉芯管を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、石英ガラス
中に包含する気泡を次のようにしたことを特徴とする半
導体処理用石英ガラス製炉芯管を要旨とする。 （１）気泡の個数が１０万個／ｃｍ３未満である。 （２）直径１５〜１００μｍの気泡の全体積が直径１５
〜１００μｍ以外の気泡の全体積よりも大きい。 （３）直径１５〜１００μｍの気泡の全体積が２〜９×
１０−３ｃｍ３である。
中に包含する気泡を次のようにしたことを特徴とする半
導体処理用石英ガラス製炉芯管を要旨とする。 （１）気泡の個数が１０万個／ｃｍ３未満である。 （２）直径１５〜１００μｍの気泡の全体積が直径１５
〜１００μｍ以外の気泡の全体積よりも大きい。 （３）直径１５〜１００μｍの気泡の全体積が２〜９×
１０−３ｃｍ３である。
【０００７】
【実施例】石英ガラス中に包含する気泡の個数が１０万
個／ｃｍ３未満であり、直径１５〜１００μｍの気泡の
全体積が直径１５〜１００μｍ以外の気泡の全体積より
も大きく、かつ、この気泡のうち気孔の直径が１５〜１
００μｍのもので、その量を石英ガラス１ｃｍ３あたり
２〜９×１０−３ｃｍ３とする石英ガラスを使用する。
個／ｃｍ３未満であり、直径１５〜１００μｍの気泡の
全体積が直径１５〜１００μｍ以外の気泡の全体積より
も大きく、かつ、この気泡のうち気孔の直径が１５〜１
００μｍのもので、その量を石英ガラス１ｃｍ３あたり
２〜９×１０−３ｃｍ３とする石英ガラスを使用する。
【０００８】このような石英ガラスを得るには比較的透
明な原料を使用し、かつ適当な気泡が包含せしめられる
ような溶融法によることが必要であるが、この範囲の気
泡および気泡量を存在せしめることによってその赤外線
透過率を著しく低下せしめることなく均熱性が改善され
たものとなる。更にＯＨ濃度を２００ｐｐｍ以下とする
ことによって耐熱強度を向上させることができる。
明な原料を使用し、かつ適当な気泡が包含せしめられる
ような溶融法によることが必要であるが、この範囲の気
泡および気泡量を存在せしめることによってその赤外線
透過率を著しく低下せしめることなく均熱性が改善され
たものとなる。更にＯＨ濃度を２００ｐｐｍ以下とする
ことによって耐熱強度を向上させることができる。
【０００９】気泡の個数が１０万個／ｃｍ３未満であ
り、直径１５〜１００μｍの気泡の全体積が直径１５〜
１００μｍ以外の全体積よりも大きい石英ガラスにおい
て、この気泡のうち気孔の直径が１５〜１００μｍであ
る気泡の量が石英ガラス１ｃｍ３当り９×１０−３ｃｍ
３以上では赤外線透過率が低下し、温度ムラが生じ易く
なり、又、２×１０−３ｃｍ３以下の場合も赤外線透過
率が良好すぎて温度ムラが生じ易い。
り、直径１５〜１００μｍの気泡の全体積が直径１５〜
１００μｍ以外の全体積よりも大きい石英ガラスにおい
て、この気泡のうち気孔の直径が１５〜１００μｍであ
る気泡の量が石英ガラス１ｃｍ３当り９×１０−３ｃｍ
３以上では赤外線透過率が低下し、温度ムラが生じ易く
なり、又、２×１０−３ｃｍ３以下の場合も赤外線透過
率が良好すぎて温度ムラが生じ易い。
【００１０】又、直径１５〜１００μｍの気泡の全体積
が直径１５〜１００μｍ以外の全体積よりも小さい場
合、すなわち気孔の直径が１５μｍ以下の細かいものば
かりであると、気泡の量を石英ガラス１ｃｍ３当り２〜
９×１０−３ｃｍ３の範囲とするためには気泡の数が極
端に多くなり、赤外線の透過率が低下する。気泡径が１
００μｍ以上の大きいものばかりであると逆に赤外線の
透過率が良くなりすぎ、赤外線の分散効果が低下し、発
熱ムラが直接反映し易くなる。又、ＯＨ濃度は低ければ
低い程熱間変形が少なくなるが、上述の範囲内で気泡が
存在する場合には２００ｐｐｍ以下程度迄存在しても著
しい強度低下は認められない。
が直径１５〜１００μｍ以外の全体積よりも小さい場
合、すなわち気孔の直径が１５μｍ以下の細かいものば
かりであると、気泡の量を石英ガラス１ｃｍ３当り２〜
９×１０−３ｃｍ３の範囲とするためには気泡の数が極
端に多くなり、赤外線の透過率が低下する。気泡径が１
００μｍ以上の大きいものばかりであると逆に赤外線の
透過率が良くなりすぎ、赤外線の分散効果が低下し、発
熱ムラが直接反映し易くなる。又、ＯＨ濃度は低ければ
低い程熱間変形が少なくなるが、上述の範囲内で気泡が
存在する場合には２００ｐｐｍ以下程度迄存在しても著
しい強度低下は認められない。
【００１１】本発明の石英ガラスを得るには、高純度の
石英ガラス原料を回転容器において内面から加熱溶融す
ることによって得られる。この場合、原料粒度、回転
数、溶融温度、溶融時間等を調整することにより任意の
気泡径あるいは気泡量を有する石英ガラスが得られる。
石英ガラス原料を回転容器において内面から加熱溶融す
ることによって得られる。この場合、原料粒度、回転
数、溶融温度、溶融時間等を調整することにより任意の
気泡径あるいは気泡量を有する石英ガラスが得られる。
【００１２】又、ＯＨ濃度２００ｐｐｍ以下とするには
溶融法によっても達成できるが、ＯＨ濃度の高い石英ガ
ラスを高温において真空脱ガス処理を行ってもよい。
溶融法によっても達成できるが、ＯＨ濃度の高い石英ガ
ラスを高温において真空脱ガス処理を行ってもよい。
【００１３】
【表１】 表１に本発明の石英ガラスおよび比較のための石英ガラ
スについて、各気泡量についての均熱特性を示す。均熱
性テストは発熱体の均熱加熱領域における石英ガラス管
内の温度差を測定したものである。尚、これらの石英ガ
ラスはいずれも、気泡の個数が１０万個／ｃｍ３未満と
なるものを用いた。
スについて、各気泡量についての均熱特性を示す。均熱
性テストは発熱体の均熱加熱領域における石英ガラス管
内の温度差を測定したものである。尚、これらの石英ガ
ラスはいずれも、気泡の個数が１０万個／ｃｍ３未満と
なるものを用いた。
【００１４】
【表２】 又、表２にＯＨ濃度に関する熱間変形の状態を示す。比
較テスト条件は表２に示すＯＨ濃度を有する石英ガラス
管を１４００℃、４時間加熱した時の管のつぶれの状態
で比較したもので、長径（ａ）と短径（ｂ）との比で表
わした。
較テスト条件は表２に示すＯＨ濃度を有する石英ガラス
管を１４００℃、４時間加熱した時の管のつぶれの状態
で比較したもので、長径（ａ）と短径（ｂ）との比で表
わした。
【００１５】なお、使用した石英ガラスはいずれもその
気泡径および気泡量がほぼ同じものを使用した。
気泡径および気泡量がほぼ同じものを使用した。
【００１６】
【発明の効果】このように本発明のような気泡を有する
石英ガラス製炉管は均熱性が向上し、かつ熱変形も少な
い長寿命のものとなる。
石英ガラス製炉管は均熱性が向上し、かつ熱変形も少な
い長寿命のものとなる。
Claims (1)
- 【請求項１】 石英ガラス中に包含する気泡を次のよう
にしたことを特徴とする半導体処理用石英ガラス製炉芯
管。 （１）気泡の個数が１０万個／ｃｍ３未満である。 （２）直径１５〜１００μｍの気泡の全体積が直径１５
〜１００μｍ以外の気泡の全体積よりも大きい。 （３）直径１５〜１００μｍの気泡の全体積が２〜９×
１０−３ｃｍ３である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295270A JPH0633240B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体処理用石英ガラス製炉芯管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295270A JPH0633240B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体処理用石英ガラス製炉芯管 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15777082A Division JPH0243720B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | Handotaishoryosekieigarasuseiroshinkan |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05900A JPH05900A (ja) | 1993-01-08 |
| JPH0633240B2 true JPH0633240B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=17818424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3295270A Expired - Lifetime JPH0633240B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体処理用石英ガラス製炉芯管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633240B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3011866B2 (ja) * | 1994-11-30 | 2000-02-21 | 信越石英株式会社 | 枚葉式ウエーハ熱処理装置 |
| US5772714A (en) * | 1995-01-25 | 1998-06-30 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Process for producing opaque silica glass |
| EP0728709B1 (en) * | 1995-02-22 | 1998-04-29 | Heraeus Quarzglas GmbH | Opaque silica glass and the production process therefor |
| US5651827A (en) * | 1996-01-11 | 1997-07-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Single-wafer heat-treatment apparatus and method of manufacturing reactor vessel used for same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5623741A (en) * | 1979-08-06 | 1981-03-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Quartz glass furnace core tube for manufacturing semiconductor |
| JPS58148427A (ja) * | 1982-10-20 | 1983-09-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体製造用石英ガラス製炉芯管 |
| JPH0243720A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Fujitsu Ltd | 分子線エピタキシャル成長方法 |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP3295270A patent/JPH0633240B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05900A (ja) | 1993-01-08 |
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