JPH06346246A - Production of formed body - Google Patents
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- JPH06346246A JPH06346246A JP13847193A JP13847193A JPH06346246A JP H06346246 A JPH06346246 A JP H06346246A JP 13847193 A JP13847193 A JP 13847193A JP 13847193 A JP13847193 A JP 13847193A JP H06346246 A JPH06346246 A JP H06346246A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】金属基材上にダイヤモンド状炭素膜を形成した
後、該炭素膜表面をフッ素化処理することにより、切れ
味が良好で耐蝕性の優れた成形体を製造する方法。
【構成】金属基材7表面に、炭素と水素を含有する原料
ガスをプラズマによって励起し接触させることによっ
て、ダイヤモンド状炭素膜を形成し、次いで、ダイヤモ
ンド状炭素膜の表面に、フッ素を含有する原料をプラズ
マによって励起し接触させることによってフッ素化層を
形成する。
(57) [Abstract] [Purpose] A method for producing a molded product having good sharpness and excellent corrosion resistance by forming a diamond-like carbon film on a metal substrate and then fluorinating the surface of the carbon film. . [Structure] A diamond-like carbon film is formed on a surface of a metal substrate 7 by exciting a raw material gas containing carbon and hydrogen into contact with plasma to form a diamond-like carbon film, and then, the surface of the diamond-like carbon film contains fluorine. A fluorinated layer is formed by exciting the raw materials with plasma and bringing them into contact with each other.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、成形体の製造方法に関
するものであり、特に、切れ味、耐擦傷性、防錆性等に
優れた調理用包丁などに適用可能な成形体の製造方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a molded article, and more particularly to a method for producing a molded article applicable to a kitchen knife having excellent sharpness, scratch resistance, rust resistance and the like. .
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、包丁、鋏、ナイフ等の刃物に
は炭素鋼又はステンレス鋼が用いられてきたが、炭素鋼
の刃物は錆が生じ易く、ステンレス製の刃物は錆が発生
しにくいものの、刃先が柔らかく繰り返し使用による磨
耗によって、切れ味が低下しするという問題点があっ
た。また、ステンレス製の刃物には重金属イオンが植物
に付着して味を損ねるという問題点があった。Conventionally, carbon steel or stainless steel has been used for knives such as kitchen knives, scissors, knives, etc. However, knives made of carbon steel are prone to rust, and knives made of stainless steel are less likely to rust. However, there is a problem that the cutting edge is soft and the sharpness is deteriorated due to abrasion due to repeated use. Further, there is a problem that heavy metal ions adhere to plants and impair the taste of the stainless steel blade.
【0003】このような問題点を解決するために、特開
昭58−71095号公報には、セラミック製の刃物が
開示されている。しかしながら、セラッミク製刃物は、
強靱性に劣るため刃先がこぼれ易い上に、刃先の研磨加
工に時間がかかるという問題点があった。In order to solve such a problem, Japanese Patent Laid-Open No. 58-71095 discloses a blade made of ceramic. However, ceramic blades are
Since the toughness is inferior, the cutting edge is likely to spill out, and it takes time to polish the cutting edge.
【0004】このようなセラミック製刃物の欠点を補う
ために、実公昭58−46566号公報には、刃物金属
基体に接着剤を介してセラミックの薄板を被覆したもの
が提案されている。しかしながら、この方法ではセラミ
ックの薄板を研磨しなければならないため研磨加工に時
間が掛かり、さらに刃先が損傷し易い上に、セラミック
薄板が金属基体から剥離し易いという問題点があった。In order to make up for such a drawback of the ceramic blade, Japanese Utility Model Publication No. 58-46566 proposes a blade metal base coated with a ceramic thin plate via an adhesive. However, in this method, since a thin ceramic plate has to be polished, the polishing process takes time, the cutting edge is easily damaged, and the ceramic thin plate is easily separated from the metal substrate.
【0005】セラミック層の剥離を防止するために、特
開平1−47849号公報には、イオンプレーティン
グ、スパッタリング等の物理的蒸着法で、金属基体にT
iN、TiC等の金属窒化又は金属炭化セラミック膜
を、厚さ1μm以上にコーティングする方法が開示され
ている。しかしながら、このセラミック膜は結晶膜であ
るため、粒界からの腐食による耐蝕性に問題点があっ
た。In order to prevent the peeling of the ceramic layer, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-47849 discloses that T is formed on a metal substrate by a physical vapor deposition method such as ion plating or sputtering.
A method of coating a metal nitride or metal carbide ceramic film of iN, TiC, etc. to a thickness of 1 μm or more is disclosed. However, since this ceramic film is a crystalline film, there is a problem in corrosion resistance due to corrosion from grain boundaries.
【0006】そこで、実開昭63−36466号公報に
は、セラミックコーティングによる膜の上に、フッ素樹
脂を塗布して耐蝕性を向上させた刃物が提案されている
が、刃先部の肉厚が厚くなって形状が変わり、切れ味が
低下するという問題点があった。In view of this, Japanese Utility Model Laid-Open No. 63-36466 proposes a blade in which a fluorine resin is applied on a ceramic coating to improve the corrosion resistance. There is a problem that the shape becomes thick and the shape changes, and the sharpness decreases.
【0007】さらに、特開昭63−92345号公報に
は、TiN、TiC等のセラミックコーティングの代わ
りに、ダイヤモンドやダイヤモンドライクカーボンのよ
うなダイヤモンド状炭素膜を基体上にコーティングした
医療用刃物が開示されているが、医療用刃物以上に潤滑
性や耐蝕性が要求される調理用刃物等に使用しうるかど
うかは疑わしい。Further, Japanese Patent Laid-Open No. 63-92345 discloses a medical cutting tool in which a diamond-like carbon film such as diamond or diamond-like carbon is coated on a substrate instead of a ceramic coating such as TiN or TiC. However, it is doubtful whether it can be used for cooking blades and the like which require lubricity and corrosion resistance more than medical blades.
【0008】また、特開平2−250968号公報及び
特開平5−10426号公報では、プラズマを用いた化
学気相法により、フッ素を含む硬質カーボン膜を被覆し
た部材等が開示されているが、調理用刃物等に使用され
るかどうかは疑わしい。Further, JP-A-2-250968 and JP-A-5-10426 disclose members coated with a hard carbon film containing fluorine by a chemical vapor phase method using plasma. It is doubtful whether or not it will be used for cooking knives.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、金属基材上に
ダイヤモンド状炭素膜を形成した後、該炭素膜表面をフ
ッ素化処理することにより、切れ味が良好で、耐蝕性の
優れた成形体を製造する方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and an object thereof is to form a diamond-like carbon film on a metal substrate and then fluorinate the surface of the carbon film. By doing so, it is to provide a method for producing a molded product having good sharpness and excellent corrosion resistance.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明では、まず、金属
基材表面に、炭素と水素を含有する原料ガスをプラズマ
により励起してダイヤモンド状炭素膜を形成する。In the present invention, first, a diamond-like carbon film is formed on a surface of a metal substrate by exciting a source gas containing carbon and hydrogen with plasma.
【0011】本発明でいうダイヤモンド状炭素膜とは、
結晶質のダイヤモンド及び非晶質のダイヤモンドライク
カーボンであり、C−Csp3 結合状態が50%以上の
構造をいう。The diamond-like carbon film referred to in the present invention is
A crystalline diamond or amorphous diamond-like carbon having a C-Csp 3 bond state of 50% or more.
【0012】上記炭素と水素を含有する原料ガスとして
は、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペン
タン、ヘキサン等のアルカン系ガス類;エチレン、プロ
ピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類;ペン
タジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類;アセ
チレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類;ベン
ゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フ
ェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類;シクロプロ
パン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類;シ
クロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガ
ス類;メタノ−ル、エタノ−ル等のアルコ−ル系ガス
類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス
類;メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等
が挙げられる。これらのガスは、単独で使用されてもよ
いし、二種以上が併用されてもよい。Examples of the source gas containing carbon and hydrogen include alkane gases such as methane, ethane, propane, butane, pentane and hexane; alkene gases such as ethylene, propylene, butene and pentene; pentadiene. , Alkadiene gases such as butadiene; Alkyne gases such as acetylene and methylacetylene; Aromatic hydrocarbon gases such as benzene, toluene, xylene, indene, naphthalene, phenanthrene; Cycloalkanes such as cyclopropane and cyclohexane Gases; cycloalkene-based gases such as cyclopentene and cyclohexene; alcohol-based gases such as methanol and ethanol; ketone-based gases such as acetone and methyl ethyl ketone; aldehyde-based gases such as methanal and ethanal Is mentioned. These gases may be used alone or in combination of two or more.
【0013】また、炭素と水素を含有する原料ガスとし
ては、上記ガス類と水素ガスとの混合物;一酸化炭素ガ
ス、二酸化炭素ガス等炭素と酸素のみから構成されるガ
スと上記ガス類との混合物;一酸化炭素ガス、二酸化炭
素ガス等炭素と酸素のみから構成されるガスと水素ガス
との混合物;一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等炭素と
酸素のみから構成されるガスと酸素ガス、水蒸気との混
合物などが挙げられる。The raw material gas containing carbon and hydrogen is a mixture of the above-mentioned gases and hydrogen gas; carbon monoxide gas, carbon dioxide gas or the like composed of only carbon and oxygen, and the above-mentioned gases. Mixture; Mixture of carbon monoxide gas, carbon dioxide gas, etc., gas composed only of carbon and oxygen, and hydrogen gas; Carbon monoxide gas, carbon dioxide gas, etc., gas composed of only carbon and oxygen, oxygen gas, steam And the like.
【0014】さらに、炭素と水素を含有する原料ガスと
しては、上記原料ガスと希ガスとの混合ガスが挙げられ
る。希ガスは、周期律表第0族の元素からなるガスであ
り、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等
が挙げられ、これらは単独で使用れてもよいし、2種以
上が併用されてもよい。Further, examples of the raw material gas containing carbon and hydrogen include a mixed gas of the above raw material gas and a rare gas. The rare gas is a gas composed of an element of Group 0 of the periodic table, and examples thereof include helium, argon, neon, and xenon. These may be used alone or in combination of two or more. Good.
【0015】上記希ガスを混合するとプラズマの電子密
度が大きくなるため、ダイヤモンド状炭素薄膜の成膜速
度が速くなる傾向がある。When the above-mentioned rare gas is mixed, the electron density of plasma increases, so that the deposition rate of the diamond-like carbon thin film tends to increase.
【0016】上記混合ガス中における希ガスの混合量
は、混合ガスの種類や成膜圧力等によって適宜決定され
るが、過剰でも過小でも、得られる薄膜がグラファイト
状になり、ダイヤモンド状炭素薄膜の成膜速度が低下す
るので、混合ガス中20〜90vol%が好ましい。The mixing amount of the rare gas in the above mixed gas is appropriately determined depending on the kind of the mixed gas, the film forming pressure, and the like. If the amount is too small or too small, the obtained thin film becomes graphite-like, and the diamond-like carbon thin film Since the film forming rate decreases, it is preferably 20 to 90 vol% in the mixed gas.
【0017】上記混合ガス中における水素ガスの混合量
は、使用される混合ガスの種類や成膜圧力等によって適
宜決定され、特に限定されるものではない。The amount of hydrogen gas mixed in the mixed gas is appropriately determined depending on the type of mixed gas used, film forming pressure, etc., and is not particularly limited.
【0018】また、炭素源としては、黒鉛、ダイヤモン
ド等の炭素同素体の固体も使用可能であり、水素ガス雰
囲気プラズマ中に設置して使用される。As the carbon source, solids of carbon allotrope such as graphite and diamond can also be used, and they are used by being installed in hydrogen gas atmosphere plasma.
【0019】上記原料ガスをプラズマによって励起する
手段としては、例えば、直流を印加してプラズマ分解す
る方法;高周波を印加してプラズマ分解する方法;マイ
クロ波放電によってプラズマ分解する方法;電子サイク
ロトロン共鳴によってプラズマ分解する方法;熱フィラ
メントによる加熱によって熱分解する方法等が挙げられ
る。これらの中で、電子サイクロトロン共鳴によってプ
ラズマ分解する方法は、成膜速度が速く、成膜温度が低
いので好ましい。Means for exciting the source gas with plasma include, for example, a method of plasma decomposition by applying direct current; a method of plasma decomposition by application of high frequency; a method of plasma decomposition by microwave discharge; and electron cyclotron resonance. Plasma decomposition method; a method of thermally decomposing by heating with a hot filament, and the like. Among these, the method of decomposing plasma by electron cyclotron resonance is preferable because the film forming rate is high and the film forming temperature is low.
【0020】また、ダイヤモンド状炭素膜を金属基材上
に形成する方法としては、スパッタリングやイオンプレ
ーティング法等の物理蒸着法、プラズマCVD法などの
化学蒸着法等が採用されるが、成膜温度が室温から制御
できる有磁場マイクロ波によるプラズマCVD法が好ま
しい。As a method for forming a diamond-like carbon film on a metal substrate, a physical vapor deposition method such as sputtering or ion plating method, a chemical vapor deposition method such as plasma CVD method, or the like is adopted. A plasma CVD method using a magnetic field microwave capable of controlling the temperature from room temperature is preferable.
【0021】上記ダイヤモンド状炭素膜の膜厚は、必要
に応じて決定されるが、薄くなると連続膜とならない可
能性がある上に高硬度の膜形成が難しくなり、厚くなる
と金属基材との密着性が悪くなるので、0.05〜5μ
mが好ましく、より好ましくは0.1〜1μmである。The film thickness of the diamond-like carbon film is determined as necessary, but if it becomes thin, it may not be a continuous film, and it becomes difficult to form a film of high hardness. Adhesion is poor, so 0.05-5μ
m is preferable, and more preferably 0.1 to 1 μm.
【0022】本発明では、金属基材上に形成されたダイ
ヤモンド状炭素薄膜の表面に、フッ素を含有する原料を
プラズマによって励起し接触させることによってフッ素
化層を形成する。In the present invention, the fluorinated layer is formed on the surface of the diamond-like carbon thin film formed on the metal substrate by exciting the raw material containing fluorine by plasma and bringing it into contact therewith.
【0023】上記フッ素を含有する原料としては、四フ
ッ化炭素、六フッ化炭素等のフッ化炭素ガス、ポリテト
ラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチ
レン−ヘキサフルオロエチレン(FEP)共重合体等の
フッ素含有樹脂等の固体が挙げられる。As the raw material containing fluorine, carbon tetrafluoride, carbon hexafluoride, or other fluorocarbon gas, polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-hexafluoroethylene (FEP) copolymer, etc. And solids such as fluorine-containing resins.
【0024】また、上記フッ素を含有する原料としてフ
ッ化炭素ガスを使用する場合は、アルゴンやヘリウム等
の希ガスと混合して使用してもよいが、希ガス量が多く
なるとフッ素化層が黒鉛化し軟質化するので、30vo
l%以下が好ましい。When a carbon fluoride gas is used as the above-mentioned fluorine-containing raw material, it may be used as a mixture with a rare gas such as argon or helium. 30 vo because it is graphitized and softened
It is preferably 1% or less.
【0025】上記フッ素を含有する原料はプラズマによ
って励起され、ダイヤモンド状炭素薄膜の表面の水素
と、プラズマによって励起されたフッ素含有励起種との
置換により、ダイヤモンド状炭素膜の表面にフッ素化層
を形成する。このフッ素化層の厚さは、高硬度を維持す
るために200Å以下が好ましい。また、フッ素化する
部分は、成形体の一部分でも全体でもよく、必要に応じ
て決定される。The above-mentioned fluorine-containing raw material is excited by plasma, and hydrogen on the surface of the diamond-like carbon thin film is replaced with fluorine-containing excited species excited by plasma to form a fluorinated layer on the surface of the diamond-like carbon film. Form. The thickness of this fluorinated layer is preferably 200 Å or less in order to maintain high hardness. The portion to be fluorinated may be a part or the whole of the molded body, and is determined as necessary.
【0026】上記ダイヤモンド状炭素膜の表面はフッ素
化されることにより撥水性を示すが、耐蝕性を発現する
には水に対する接触角は90度以上が好ましい。The surface of the diamond-like carbon film exhibits water repellency due to being fluorinated, but a contact angle to water is preferably 90 degrees or more in order to exhibit corrosion resistance.
【0027】上記金属基材としては、例えば、炭素鋼、
ステンレス鋼等が好適に使用される。また、金属基材の
形状としては特に限定されるものではなく、例えば、板
状、線状、パイプ状等が挙げられる。Examples of the metal base material include carbon steel,
Stainless steel or the like is preferably used. The shape of the metal substrate is not particularly limited, and examples thereof include a plate shape, a linear shape, and a pipe shape.
【0028】調理用包丁に使用される金属基材として
は、例えば、図1にその刃先の断面を拡大して示すよう
に、刃先角度(θ)が27度になるように研磨された炭
素含有量0.7重量%、焼き入れ硬度がロックウェル硬
度(Cスケール)で58±1の炭素鋼が挙げられる。As the metal base material used for the kitchen knife, for example, as shown in an enlarged view of the cross section of the cutting edge in FIG. 1, a carbon-containing material polished to have a cutting edge angle (θ) of 27 degrees is included. An example is carbon steel having an amount of 0.7% by weight and a quenching hardness of 58 ± 1 in Rockwell hardness (C scale).
【0029】上記金属基材に高密着性を必要とする場合
は、該基材表面を脱脂、脱水するための洗浄等の清浄化
処理、成膜に用いる真空容器内でAr(アルゴン)等の
不活性ガスのプラズマ処理等公知の処理を施すのが好ま
しい。When high adhesion is required for the metal base material, cleaning treatment such as washing for degreasing and dehydrating the surface of the base material, Ar (argon) or the like in a vacuum container used for film formation is performed. It is preferable to perform a known treatment such as plasma treatment with an inert gas.
【0030】<ダイヤモンド状炭素膜の形成方法>以
下、図面を参照しながら本発明に使用される装置を説明
する。図2は、本発明の成形体の製造方法に使用される
装置の1例を示す模式断面図である。図2において、1
は真空容器であり、真空容器1はプラズマ発生室2と成
膜室3からなっている。プラズマ発生室2の側面中央部
には、マイクロ波発振器4が、マイクロ波導入管5によ
ってプラズマ発生室2に連設されており、プラズマ発生
室2とマイクロ波導入管5の周辺部には磁場コイル6が
設置されている。<Method for forming diamond-like carbon film> The apparatus used in the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus used in the method for producing a molded product of the present invention. In FIG. 2, 1
Is a vacuum container, and the vacuum container 1 is composed of a plasma generating chamber 2 and a film forming chamber 3. At the center of the side surface of the plasma generation chamber 2, a microwave oscillator 4 is connected to the plasma generation chamber 2 by a microwave introduction pipe 5, and a magnetic field is provided around the plasma generation chamber 2 and the microwave introduction pipe 5. The coil 6 is installed.
【0031】一方、真空容器内には、金属基材7のダイ
ヤモンド状炭素膜形成面がマイクロ波導入管5に対向す
るようにして上記基材7を保持するための保持具8が設
置されている。さらに、保持具8は基材7に直流バイア
スを印加するための直流バイアス電源9と導線によって
接続されている。On the other hand, a holder 8 for holding the base material 7 is installed in the vacuum container such that the diamond-like carbon film forming surface of the metal base material 7 faces the microwave introducing tube 5. There is. Further, the holder 8 is connected to a DC bias power source 9 for applying a DC bias to the base material 7 by a conductive wire.
【0032】上記保持具8は、例えば、約200℃以下
の低温で成膜する場合のために、冷却用液体循環器(図
示せず)が接続され、保持具8内部に冷却液10が循環
している。また、約200℃以上の高温で成膜する場合
のために、加熱装置11が設けられている。また、保持
具8には基材の背面の温度を測定するための熱電対12
が設置されている。The holder 8 is connected to a cooling liquid circulator (not shown) for the case of forming a film at a low temperature of about 200 ° C. or less, and the cooling liquid 10 circulates inside the holder 8. is doing. A heating device 11 is provided for forming a film at a high temperature of about 200 ° C. or higher. In addition, the holder 8 has a thermocouple 12 for measuring the temperature of the back surface of the base material.
Is installed.
【0033】上記プラズマ発生室2には、原料ガスを導
入するための2本のガス導入管13及び14が接続され
ており、ガス導入管13が保持具8に近い位置に設けら
れている。尚、成膜室3の壁面には、真空容器1内の圧
力を調整するための排気装置(図示せず)と接続する排
気口15が設けれている。Two gas introduction pipes 13 and 14 for introducing a raw material gas are connected to the plasma generation chamber 2, and the gas introduction pipe 13 is provided at a position near the holder 8. The wall surface of the film forming chamber 3 is provided with an exhaust port 15 connected to an exhaust device (not shown) for adjusting the pressure inside the vacuum container 1.
【0034】以下に、製造方法を説明する。まず、真空
容器1内に保持具8によって清浄な面を有する金属基材
7を設置した後、真空容器1内を高真空とする。この時
の真空度は、他の不純物ガスの残留による成膜への影響
をなくすため、10-4Torr以下が好ましい。The manufacturing method will be described below. First, the metal base 7 having a clean surface is placed in the vacuum container 1 by the holder 8, and then the vacuum container 1 is set to a high vacuum. The degree of vacuum at this time is preferably 10 −4 Torr or less in order to eliminate the influence on the film formation due to the residual of other impurity gas.
【0035】原料ガスの導入方法は、特に限定されるも
のではなく、導入管13もしくは14から一括して導入
してもよいし、導入管13及び14を用いて原料ガスを
構成する成分ガスを別々に導入してもよい。但し、後者
の導入方法を採用する場合は、炭素含有ガスは金属基材
7に近い導入管13より導入するのが好ましい。The method of introducing the raw material gas is not particularly limited, and the raw material gas may be introduced all at once through the introduction pipes 13 or 14, or the component gases constituting the raw material gas may be introduced using the introduction pipes 13 and 14. You may introduce separately. However, when the latter introduction method is adopted, it is preferable to introduce the carbon-containing gas through the introduction pipe 13 near the metal base material 7.
【0036】次いで、磁場コイル6によって所定の磁場
強度の磁場を印加すると共に、マイクロ波発振器4によ
って所定の周波数のマイクロ波を発生させ、マイクロ波
導入管5を経由し石英窓16を通じて真空容器1内にマ
イクロ波を導入する。Next, a magnetic field having a predetermined magnetic field strength is applied by the magnetic field coil 6, and a microwave of a predetermined frequency is generated by the microwave oscillator 4, and the vacuum container 1 is passed through the microwave introduction tube 5 and the quartz window 16 through the quartz window 16. Introduce microwave.
【0037】その結果、真空容器1内に導入された原料
ガスは励起されてプラズマ状態となり、炭素含有活性種
が金属基材7に接触することにより、該基材7上にダイ
ヤモンド状炭素膜が形成される。As a result, the raw material gas introduced into the vacuum vessel 1 is excited into a plasma state, and the carbon-containing active species come into contact with the metal base material 7, whereby a diamond-like carbon film is formed on the base material 7. It is formed.
【0038】上記所定の磁場強度及び周波数は、特に限
定されるものではないが、電子サイクロトロン共鳴に必
要な条件を満たす値とするのが好ましい。この条件と
は、一定磁場における電子のサイクロトロン周波数とマ
イクロ波周波数とが一致することをいい、例えば、マイ
クロ波周波数が2.45GHzの場合、磁場強度が87
5ガウスである。尚、この時均一な薄膜を形成するため
に金属基材7に直流バイアスを印加するのが好ましく、
直流バイアス値としては−300〜300Vが好まし
く、結晶質のダイヤモンド状炭素膜の場合は−10〜1
00Vが好ましく、また非質のダイヤモンド状炭素膜の
場合は−150〜10Vが好ましい。Although the predetermined magnetic field strength and frequency are not particularly limited, it is preferable that the predetermined magnetic field strength and frequency are values satisfying the conditions required for electron cyclotron resonance. This condition means that the cyclotron frequency of an electron in a constant magnetic field and the microwave frequency match, and for example, when the microwave frequency is 2.45 GHz, the magnetic field strength is 87.
It is 5 gauss. At this time, it is preferable to apply a DC bias to the metal substrate 7 in order to form a uniform thin film,
The DC bias value is preferably −300 to 300 V, and −10 to 1 in the case of a crystalline diamond-like carbon film.
00V is preferable, and in the case of a non-quality diamond-like carbon film, -150 to 10V is preferable.
【0039】成膜中の金属基材7は冷却装置が付いた保
持具8によって保持され、その温度は室温から1000
℃の範囲に保持されるのが好ましい。上記基材に対する
熱的影響の少ない低温で成膜する場合は、金属基材7の
温度は接触する保持具8の温度を制御することにより設
定することができる。また、上記基材7は、保持具8を
介してプラズマの温度以下に設定する。The metal base material 7 during film formation is held by a holder 8 equipped with a cooling device, and the temperature thereof is from room temperature to 1000.
It is preferably maintained in the range of ° C. When the film is formed at a low temperature that has a small thermal effect on the base material, the temperature of the metal base material 7 can be set by controlling the temperature of the holder 8 in contact therewith. Further, the base material 7 is set to a temperature of plasma or lower via the holder 8.
【0040】上記基材7の温度制御は、液体あるいは気
体の循環方式、熱線、通電加熱等の方法によって行われ
るが、成膜時のプラズマが200℃以上の温度をもって
いるため、成膜温度を200℃以下に保持するには、熱
容量の大きい液体の循環方式が好ましい。この際、循環
させる液体としては、所定の温度に加温あるいは冷却さ
れた液体が挙げられ、例えば、水、エチレングリコール
(不凍液)、アルコール類、さらに低温化する場合、液
体窒素、液体ヘリウム等が好適に使用される。The temperature of the base material 7 is controlled by a liquid or gas circulation method, a heating wire, an electric heating method or the like. However, since the plasma during film formation has a temperature of 200 ° C. or higher, the film formation temperature can be controlled. In order to maintain the temperature at 200 ° C. or lower, a liquid circulation system having a large heat capacity is preferable. At this time, examples of the liquid to be circulated include liquids that have been heated or cooled to a predetermined temperature, such as water, ethylene glycol (antifreeze liquid), alcohols, and liquid nitrogen, liquid helium, etc. when the temperature is further lowered. It is preferably used.
【0041】また、高温で成膜する場合は、金属基材7
に接触する保持具8の温度を通電加熱制御する方法、熱
線を該基材7に照射する方法等が挙げられる。When the film is formed at a high temperature, the metal substrate 7
Examples of the method include a method in which the temperature of the holder 8 in contact with the substrate is controlled by energization and heating, and a method in which the substrate 7 is irradiated with heat rays.
【0042】<フッ素化層の形成>次いで、上記で形成
されたダイヤモンド状炭素膜上に、フッ素化層を形成す
る方法について説明する。フッ素化層を形成する方法
は、生産性や密着性を向上させるために、ダイヤモンド
状炭素薄膜の形成に使用する方法と同一の方法が好まし
く、電子サイクロトロン共鳴法を利用したプラズマを用
いるのが好ましい。<Formation of Fluorinated Layer> Next, a method of forming a fluorinated layer on the diamond-like carbon film formed above will be described. The method for forming the fluorinated layer is preferably the same as the method used for forming the diamond-like carbon thin film in order to improve productivity and adhesion, and it is preferable to use plasma utilizing an electron cyclotron resonance method. .
【0043】上記金属基材7にダイヤモンド状炭素膜を
形成した後、真空容器1内を再び高真空とする。この時
の真空度は、他の不純物ガスの残留による影響をなくす
るため、10-4Torr以下が好ましい。After forming the diamond-like carbon film on the metal base material 7, the inside of the vacuum container 1 is set to a high vacuum again. At this time, the degree of vacuum is preferably 10 −4 Torr or less in order to eliminate the influence of the residual of other impurity gas.
【0044】フッ素を含有する原料の導入方法は、特に
限定されるものではなく、例えばフッ化炭素ガスを使用
する場合には、導入管13もしくは14から一括して導
入してもよいし、導入管13及び14を用いて原料ガス
を構成する成分ガスを別々に導入してもよい。但し、後
者の導入方法を採用する場合は、炭素含有ガスは金属基
材7に近い導入管13より導入するのが好ましい。The method for introducing the fluorine-containing raw material is not particularly limited. For example, when a fluorocarbon gas is used, it may be introduced all at once through the introduction pipes 13 or 14. The component gases forming the raw material gas may be separately introduced using the tubes 13 and 14. However, when the latter introduction method is adopted, it is preferable to introduce the carbon-containing gas through the introduction pipe 13 near the metal base material 7.
【0045】次いで、磁場コイル6によって所定の磁場
強度の磁場を印加すると共に、マイクロ波発振器4によ
って所定の周波数のマイクロ波を発生させ、マイクロ波
導入管5を経由し石英窓16を通じて真空容器1内にマ
イクロ波を導入する。Then, a magnetic field having a predetermined magnetic field strength is applied by the magnetic field coil 6, and a microwave having a predetermined frequency is generated by the microwave oscillator 4, and the vacuum container 1 is passed through the microwave introduction tube 5 and the quartz window 16 through the quartz window 16. Introduce microwave.
【0046】その結果、真空容器1内に導入されたフッ
素を含有する原料ガスは励起されてプラズマ状態とな
り、フッ素含有活性種がダイヤモンド状炭素膜に接触す
ることにより、該炭素膜上にフッ素化層が形成される。As a result, the fluorine-containing raw material gas introduced into the vacuum chamber 1 is excited into a plasma state, and the fluorine-containing active species come into contact with the diamond-like carbon film, so that the carbon film is fluorinated. A layer is formed.
【0047】上記所定の磁場強度及び周波数は、特に限
定されるものではないが、電子サイクロトロン共鳴に必
要な条件を満たす値とするのが好ましい。この条件と
は、一定磁場における電子のサイクロトロン周波数とマ
イクロ波周波数とが一致することをいい、例えば、マイ
クロ波周波数が2.45GHzの場合、磁場強度が87
5ガウスである。尚、この時均一なフッ素化層を形成す
るために金属基材7に直流バイアスを印加するのが好ま
しく、直流バイアス値としては−200〜200Vが好
ましく、より好ましくは−100〜0Vである。The above-mentioned predetermined magnetic field strength and frequency are not particularly limited, but it is preferable that the predetermined magnetic field strength and frequency satisfy the conditions required for electron cyclotron resonance. This condition means that the cyclotron frequency of an electron in a constant magnetic field and the microwave frequency match, and for example, when the microwave frequency is 2.45 GHz, the magnetic field strength is 87.
It is 5 gauss. At this time, in order to form a uniform fluorinated layer, it is preferable to apply a DC bias to the metal substrate 7, and the DC bias value is preferably -200 to 200V, more preferably -100 to 0V.
【0048】フッ素化層を形成する温度は、室温から1
000℃の間で保持するのが好ましく、ダイヤモンド状
炭素薄膜や金属基材7の変質を制御するには、室温から
500℃がより好ましい。金属基材7に対する熱的影響
の少ない温度で成膜する場合は、該基材7に接触する保
持具8の温度を制御することにより、該基材7の温度が
設定される。The temperature for forming the fluorinated layer is from room temperature to 1
The temperature is preferably maintained at 000 ° C, and more preferably from room temperature to 500 ° C in order to control the alteration of the diamond-like carbon thin film and the metal substrate 7. When the film is formed at a temperature that has a small thermal effect on the metal base material 7, the temperature of the base material 7 is set by controlling the temperature of the holder 8 that contacts the base material 7.
【0049】[0049]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
【0050】(実施例1)図2に示した装置において、
真空容器1内のステンレス製保持具8に脱脂洗浄を施し
た図1に示すステンレス(SUS440C)製金属基材
(調理用包丁)7を設置し、真空容器1内を1×10-5
Torrに減圧した後、加熱装置11により500℃に
加熱した。(Example 1) In the apparatus shown in FIG.
The stainless steel holder 8 in the vacuum container 1 is degreased and washed, and the stainless steel (SUS440C) metal base material (cooking knife) 7 shown in FIG. 1 is installed, and the inside of the vacuum container 1 is 1 × 10 −5.
After reducing the pressure to Torr, it was heated to 500 ° C. by the heating device 11.
【0051】次いで、ガス流量60sccmのメタノー
ルガスと、ガス流量140sccmのアルゴンガスとの
混合ガスを、ガス導入管14より混合ガスとして真空容
器1内に導入し、0.1Torrの圧力とした後、周波
数2.45GHz、1.2kWのマイクロ波及び2.2
kガウスの磁場を印加すると共に、30Vの直流バイア
ス電流を印加して4時間成膜を行った。Then, a mixed gas of methanol gas having a gas flow rate of 60 sccm and argon gas having a gas flow rate of 140 sccm was introduced into the vacuum vessel 1 as a mixed gas through the gas introduction pipe 14 to a pressure of 0.1 Torr, Frequency 2.45 GHz, 1.2 kW microwave and 2.2
A magnetic field of k gauss was applied and a direct current bias current of 30 V was applied to form a film for 4 hours.
【0052】成膜時の金属基材7表面付近の磁場強度は
875ガウスであり、膜厚1.0μmの膜を得た。得ら
れた膜を、電子顕微鏡とラマン分光法で評価した結果、
微結晶(結晶径500Å)のダイヤモンド多結晶から構
成されていることが確認された。The magnetic field strength near the surface of the metal substrate 7 during film formation was 875 Gauss, and a film having a thickness of 1.0 μm was obtained. The obtained film was evaluated by an electron microscope and Raman spectroscopy,
It was confirmed that it was composed of diamond polycrystals of fine crystals (crystal diameter 500Å).
【0053】さらに、再び真空容器1内を1×10-5T
orrに減圧した後、ガス導入管14から四フッ化炭素
ガスをガス流量200sccmで導入し、0.1Tor
rの圧力とした後、1.2kWのマイクロ波を印加する
と共に、金属基材7に−30Vバイアスを印加して5分
間フッ素化処理を行い成形体を得た。Further, the inside of the vacuum chamber 1 is again set at 1 × 10 -5 T
After reducing the pressure to orr, a carbon tetrafluoride gas was introduced from the gas introduction pipe 14 at a gas flow rate of 200 sccm to obtain 0.1 Torr.
After the pressure was set to r, a microwave of 1.2 kW was applied and a -30 V bias was applied to the metal substrate 7 to perform fluorination treatment for 5 minutes to obtain a molded body.
【0054】フッ素化処理により得られた膜につき、X
線電子分光法でフッ素化層の有無と厚さを測定した結
果、フッ素が72原子%存在しており、厚さ約70Åの
フッ素化層の形成されていることが確認された。Regarding the film obtained by the fluorination treatment, X
As a result of measuring the presence or absence of the fluorinated layer and the thickness thereof by a line electron spectroscopy method, it was confirmed that 72 atomic% of fluorine was present and a fluorinated layer having a thickness of about 70Å was formed.
【0055】〔成形体の性能評価〕得られた成形体(調
理用包丁)につき、下記の評価を行った。 (1)切れ味試験 調理用包丁の刃先を上向きにして固定し、新聞紙を8m
m厚に重ねたものを刃先上に置いた後、1kgの荷重を
加えながら刃先に沿って水平方向に28mmの距離を往
復移動させた。1往復を1回の切断回数として、一定の
切断回数毎に切断された紙の枚数を測定した後、切断回
数(横軸)と切断回数(縦軸)毎に切断された紙の枚数
との関係を表すグラフ(図3に示した)を作成し、切れ
味を評価した。 (2)耐蝕性試験 温度60℃、湿度96%に設定した恒温恒湿器に、一定
時間放置し錆が発生するまでの日数を観察し、表1に示
した。 (3)接触角測定 得られたフッ素化層に水滴を滴下し接触角を測定し表1
に示した。[Evaluation of Performance of Molded Article] The following evaluation was performed on the obtained molded article (cooking knife). (1) Sharpness test Fix the knife edge of the kitchen knife for cooking up and press the newspaper 8 m.
After being piled up in a thickness of m, it was placed on the cutting edge and reciprocally moved along the cutting edge in the horizontal direction for a distance of 28 mm while applying a load of 1 kg. One reciprocation is defined as one cut, and after measuring the number of sheets cut at a fixed number of cuts, the number of cuts (horizontal axis) and the number of cut sheets for each number of cuts (vertical axis) are measured. A graph (shown in FIG. 3) representing the relationship was created and the sharpness was evaluated. (2) Corrosion resistance test The number of days until rust was generated was observed by leaving it in a thermo-hygrostat set at a temperature of 60 ° C and a humidity of 96% for a certain period of time, and shown in Table 1. (3) Contact angle measurement A drop of water was dropped on the obtained fluorinated layer and the contact angle was measured.
It was shown to.
【0056】(実施例2)図2に示した装置において、
真空容器1内のステンレス製保持具8に脱脂洗浄を施し
た実施例1と同様な金属基材7を設置し、真空容器1内
を1×10-5Torrに減圧した後、加熱装置11を2
50℃に加熱した。次いで、ガス流量50sccmのエ
チレンガスをガス導入管14より真空容器1内に導入
し、1×10-3Torrの圧力とした後、周波数2.4
5GHz、1.2kWのマイクロ波及び2.2kガウス
の磁場を印加すると共に、−100Vの直流バイアス電
流を印加して2時間成膜を行った。成膜時の金属基材7
表面付近の磁場強度は875ガウスであり、膜厚0.5
μmの膜を得た。得られた膜を、電子顕微鏡とラマン分
光法で評価した結果、アモルファスのダイヤモンドライ
クカーボン膜であることが確認された。(Embodiment 2) In the apparatus shown in FIG.
The stainless steel holder 8 in the vacuum container 1 was provided with the same metal substrate 7 as in Example 1, which had been degreased and washed, and the vacuum container 1 was depressurized to 1 × 10 −5 Torr, and then the heating device 11 was turned on. Two
Heated to 50 ° C. Then, ethylene gas having a gas flow rate of 50 sccm was introduced into the vacuum container 1 through the gas introduction pipe 14 to a pressure of 1 × 10 −3 Torr, and then the frequency was changed to 2.4.
A film was formed for 2 hours by applying a microwave of 5 GHz, 1.2 kW and a magnetic field of 2.2 kGauss, and by applying a DC bias current of -100V. Metal base material 7 during film formation
The magnetic field strength near the surface is 875 Gauss and the film thickness is 0.5.
A μm film was obtained. As a result of evaluating the obtained film by an electron microscope and Raman spectroscopy, it was confirmed that the film was an amorphous diamond-like carbon film.
【0057】さらに、実施例1と同様なフッ素化処理を
行い成形体を得た。フッ素化処理により得られた膜につ
き、X線電子分光法でフッ素化層の有無と厚さを測定し
た結果、フッ素が75原子%存在しており、130Åの
フッ素化層であることが確認された。Further, the same fluorination treatment as in Example 1 was performed to obtain a molded body. The presence or absence of the fluorinated layer and the thickness of the film obtained by the fluorination treatment were measured by X-ray electron spectroscopy. As a result, it was confirmed that 75 atomic% of fluorine was present and the fluorinated layer was 130 Å. It was
【0058】上記成形体につき、実施例1と同様な
(1)〜(3)の評価を行い、その結果を表1及び図3
に示した。The above-mentioned molded products were evaluated in the same manners as in Example 1 (1) to (3), and the results are shown in Table 1 and FIG.
It was shown to.
【0059】(実施例3)実施例2と同様にして、金属
基材にアモルファスのダイヤモンドライクカーボン膜を
形成した後、真空容器1内を1×10-5Torrに減圧
した。次いで、ガス流量170sccmの四フッ化炭素
ガス及び30sccmのヘリウムガスを導入管14より
真空容器1内に導入し、0.1Torrの圧力とした
後、1.2kWのマイクロ波を導入すると共に、上記基
材に−30Vの直流バイアス電流を印加して5時間成膜
を行い成形体を得た。フッ素化処理により得られた膜に
つき、X線電子分光法でフッ素化層の有無と厚さを測定
した結果、フッ素が65原子%存在しており、70Åの
フッ素化層であることが確認された。上記成形体につ
き、実施例1と同様な(1)〜(3)の評価を行い、そ
の結果を図1及び表1に示した。Example 3 After forming an amorphous diamond-like carbon film on a metal substrate in the same manner as in Example 2, the inside of the vacuum chamber 1 was depressurized to 1 × 10 −5 Torr. Then, a carbon tetrafluoride gas having a gas flow rate of 170 sccm and a helium gas having a gas flow rate of 30 sccm were introduced into the vacuum vessel 1 through the introduction pipe 14 to a pressure of 0.1 Torr, and then a microwave of 1.2 kW was introduced. A DC bias current of -30 V was applied to the base material to form a film for 5 hours to obtain a molded body. The presence or absence of the fluorinated layer and the thickness of the film obtained by the fluorination treatment were measured by X-ray electron spectroscopy, and as a result, it was confirmed that 65 atomic% of fluorine was present and that the fluorinated layer was 70Å. It was The same evaluations (1) to (3) as in Example 1 were performed on the above-mentioned molded body, and the results are shown in FIG. 1 and Table 1.
【0060】(比較例1)公知のアーク放電式イオンプ
レーティング法によって、窒素雰囲気圧力7×10-4T
orr、イオン化電圧40V、基板電圧−500V、温
度500℃で、実施例1と同様の金属基材上に厚さ1.
0μmのTiN層を形成した成形体を得た。得られた成
形体につき、実施例1と同様な(1)及び(2)の評価
を行い、その結果を図1及び表1に示した。Comparative Example 1 A nitrogen atmosphere pressure of 7 × 10 −4 T was obtained by a known arc discharge type ion plating method.
Orr, ionization voltage 40V, substrate voltage −500V, temperature 500 ° C., thickness 1.
A compact having a TiN layer of 0 μm was obtained. The obtained molded product was evaluated in the same manners (1) and (2) as in Example 1, and the results are shown in FIG. 1 and Table 1.
【0061】(比較例2)比較例1で得られたTiN層
を形成した金属基体に、キシレンにより希釈したフッ素
樹脂(主剤)とイソシアネート(硬化剤)を5:1(重
量比)となるように混合した塗料(旭硝子社製「ルミフ
ロンLF200C」)を刷毛で厚さ1.0μmとなるよ
うに塗布し、150℃で乾燥して塗膜を形成し成形体を
得た。得られた成形体につき、実施例1と同様な(1)
及び(2)の評価を行い、その結果を図1及び表1に示
した。(Comparative Example 2) On the metal substrate on which the TiN layer obtained in Comparative Example 1 was formed, the fluororesin (main agent) diluted with xylene and the isocyanate (curing agent) were mixed at 5: 1 (weight ratio). The coating composition (“Lumiflon LF200C” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) mixed with was applied with a brush to a thickness of 1.0 μm, and dried at 150 ° C. to form a coating film to obtain a molded body. For the obtained molded body, the same (1) as in Example 1 was used.
And (2) were evaluated, and the results are shown in FIG. 1 and Table 1.
【0062】[0062]
【表1】 [Table 1]
【0063】[0063]
【発明の効果】本発明の成形体の製造方法は、上述の通
りであり、金属基材上にダイヤモンド状炭素薄膜を形成
した後、該薄膜表面をフッ素化処理することにより、切
れ味が良好で、耐蝕性の優れた成形体を提供する。Industrial Applicability The method for producing a molded article of the present invention is as described above, and after the diamond-like carbon thin film is formed on the metal substrate, the surface of the thin film is fluorinated to obtain good sharpness. Provide a molded body having excellent corrosion resistance.
【図1】本発明に得られる成形体(調理用包丁)の一例
を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a molded body (cooking knife) obtained according to the present invention.
【図2】本発明に使用される装置の一例を示す模式断面
図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus used in the present invention.
【図3】本発明で得られた成形体(調理用包丁)の切れ
味試験の結果を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the results of the sharpness test of the molded body (cooking knife) obtained in the present invention.
1 真空容器 2 プラズマ発生室 3 成膜室 4 マイクロ波発振器 5 マイクロ波導入管 6 磁場コイル 7 金属基材 8 保持具 9 直流バイアス電源 10 循環液 11 加熱装置 12 熱電対 13、14 ガス導入管 15 排気口 16 石英窓 17 刃先 18 フッ素化されたダイヤモンド状炭素膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum container 2 Plasma generation chamber 3 Film-forming chamber 4 Microwave oscillator 5 Microwave introduction pipe 6 Magnetic field coil 7 Metal base material 8 Holding device 9 DC bias power supply 10 Circulating liquid 11 Heating device 12 Thermocouple 13, 14 Gas introduction pipe 15 Exhaust port 16 Quartz window 17 Cutting edge 18 Fluorinated diamond-like carbon film
Claims (1)
料ガスをプラズマによって励起し接触させることによっ
てダイヤモンド状炭素膜を形成し、次いで、ダイヤモン
ド状炭素膜の表面に、フッ素を含有する原料をプラズマ
によって励起し接触させることによってフッ素化層を形
成することを特徴とする成形体の製造方法。1. A diamond-like carbon film is formed on a surface of a metal substrate by exciting a raw material gas containing carbon and hydrogen into contact with plasma to form a diamond-like carbon film. Then, the surface of the diamond-like carbon film contains fluorine. A method for producing a molded article, comprising forming a fluorinated layer by exciting a raw material with plasma and bringing it into contact with each other.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13847193A JPH06346246A (en) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | Production of formed body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13847193A JPH06346246A (en) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | Production of formed body |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06346246A true JPH06346246A (en) | 1994-12-20 |
Family
ID=15222835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13847193A Pending JPH06346246A (en) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | Production of formed body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06346246A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007119881A (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Permelec Electrode Ltd | Oxygen reducing gas diffusion cathode and sodium chloride electrolytic method |
| JP2007144522A (en) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | Surface coated cutting tool |
| JP2012130757A (en) * | 2012-03-05 | 2012-07-12 | Imott Inc | Cutting scissors |
-
1993
- 1993-06-10 JP JP13847193A patent/JPH06346246A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007119881A (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Permelec Electrode Ltd | Oxygen reducing gas diffusion cathode and sodium chloride electrolytic method |
| JP2007144522A (en) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | Surface coated cutting tool |
| JP2012130757A (en) * | 2012-03-05 | 2012-07-12 | Imott Inc | Cutting scissors |
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