JPH063802B2 - 半導体基板表面保護剤 - Google Patents
半導体基板表面保護剤Info
- Publication number
- JPH063802B2 JPH063802B2 JP3856186A JP3856186A JPH063802B2 JP H063802 B2 JPH063802 B2 JP H063802B2 JP 3856186 A JP3856186 A JP 3856186A JP 3856186 A JP3856186 A JP 3856186A JP H063802 B2 JPH063802 B2 JP H063802B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- protective agent
- substrate surface
- surface protective
- acetate
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、半導体基板の表面保護剤に関するものであ
り、特にウエーハー裏面を平滑化するときに基板表面を
保護する保護剤に関するものである。
り、特にウエーハー裏面を平滑化するときに基板表面を
保護する保護剤に関するものである。
「従来の技術」 半導体基板製造工程において、ウエーハー裏面を平滑化
するため、機械的に研摩したり、化学的にエッチングす
る方法か行われている。この工程において半導体基板表
面に形成されたパターンを保護するため、表面にネガレ
ジストを塗布したり、粘着テープを貼り付けたり、ある
いはまた両者を複合して用いる方法等が行われている
が、いづれも裏面を平滑化したあとの保護剤の除去が困
難であったり、毒性の強い薬品が使われたりしている。
するため、機械的に研摩したり、化学的にエッチングす
る方法か行われている。この工程において半導体基板表
面に形成されたパターンを保護するため、表面にネガレ
ジストを塗布したり、粘着テープを貼り付けたり、ある
いはまた両者を複合して用いる方法等が行われている
が、いづれも裏面を平滑化したあとの保護剤の除去が困
難であったり、毒性の強い薬品が使われたりしている。
近年、排液公害、大気汚染労働安全性等の面から、より
安全性の高い処理方法が求められており、かかる観点か
ら、ノボラック型フェノール樹脂が一部で実用化されて
いる。
安全性の高い処理方法が求められており、かかる観点か
ら、ノボラック型フェノール樹脂が一部で実用化されて
いる。
ノボラック型フェノール樹脂は、よりマイルドな薬品で
除去できることと、ポジ型レジストと同一の剥離液で剥
膜できる等利点は多いが、フッ化水素酸濃度の高いエッ
チング剤を使用するとエッチング中に剥膜され易く、こ
の条件に耐えられる保護剤は見出されていない。
除去できることと、ポジ型レジストと同一の剥離液で剥
膜できる等利点は多いが、フッ化水素酸濃度の高いエッ
チング剤を使用するとエッチング中に剥膜され易く、こ
の条件に耐えられる保護剤は見出されていない。
「本発明が解決しようとする問題点」 本発明は、半導体基板裏面の平滑化のための強力なエッ
チング剤および機械的な力に対して基板表面を保護し、
かつポジ型レジストと共通の毒性の低い剥膜液で除去で
きる改良された保護剤を提供することである。
チング剤および機械的な力に対して基板表面を保護し、
かつポジ型レジストと共通の毒性の低い剥膜液で除去で
きる改良された保護剤を提供することである。
「問題点を解決するための手段」 本発明は、一分子中に少なくとも一つのジベンジルエー
テル結合を有するフェノール−ホルムアルデヒド樹脂を
適当な溶剤に溶かした溶液から保護膜を形成することに
よって達成された。フェノール−ホルムアルデヒド樹脂
は、フェノールとホルムアルデヒドとを酸性または塩基
性の触媒を用いて合成された重縮合生成物であり、製造
法等は、大有機化学、２３巻、合成高分子化合物II（１
９８５，５，１５朝倉書店発行）に記載されている。
テル結合を有するフェノール−ホルムアルデヒド樹脂を
適当な溶剤に溶かした溶液から保護膜を形成することに
よって達成された。フェノール−ホルムアルデヒド樹脂
は、フェノールとホルムアルデヒドとを酸性または塩基
性の触媒を用いて合成された重縮合生成物であり、製造
法等は、大有機化学、２３巻、合成高分子化合物II（１
９８５，５，１５朝倉書店発行）に記載されている。
フェノールは、クレゾール、キシレノール、ターシャリ
−ブチルフェノールあるいはノニルフェノール等のアル
キル置換体も有用である。−ＯＨ基に対するアルキル基
の位置はオルト、メタ、パラ位のどこでもよい。クロ
ル、ブローム、フッ素のようなハロゲン置換体も知られ
ており、これらの置換体も有用である。置換体は、組み
合わされていてもよいし、異なる置換基を有するフェノ
ールを組み合わせた共重縮合物であってもよい。ジベン
ジルエーテル基は、一分子中に少なくとも一つ必要であ
るが、好ましくはフェノール１モルに対し、０．２モル
以上がよい。
−ブチルフェノールあるいはノニルフェノール等のアル
キル置換体も有用である。−ＯＨ基に対するアルキル基
の位置はオルト、メタ、パラ位のどこでもよい。クロ
ル、ブローム、フッ素のようなハロゲン置換体も知られ
ており、これらの置換体も有用である。置換体は、組み
合わされていてもよいし、異なる置換基を有するフェノ
ールを組み合わせた共重縮合物であってもよい。ジベン
ジルエーテル基は、一分子中に少なくとも一つ必要であ
るが、好ましくはフェノール１モルに対し、０．２モル
以上がよい。
溶剤は、特に限定されるものではない。スピンナー等で
塗布するときの溶液の濡性、拡がり、面質等から適当に
選択されるが、代表的なものは次のような溶剤であり、
これ等は単独または組み合わせで使うことができる。主
な溶剤は、グリコールエーテル系のメチルセロソルブ、
エチルセロソルブ、プロピルセロソルブ、プロピレング
リコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチル
エーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、及
びそのアセテート系、即ち、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブ
アセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート
等が有用である。また酢酸エステル系では、アミルアセ
テート、ブチルアセテート、プロピルアセテート、エチ
ルアセテートが、ケトン系では、メチルイソブチルケト
ン、メチルエチルケトン、アセトン、シクロヘキサノ
ン、アルコール系では、アミルアルコール、ブチルアル
コール、プロピルアルコール、エチルアルコール、メチ
ルアルコール、ジアセトンアルコール、その他のものと
して、ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルホオキサ
イドなどが有用であり、それぞれのアルキル基は、直鎖
でも枝分かれの異性体でもよい。
塗布するときの溶液の濡性、拡がり、面質等から適当に
選択されるが、代表的なものは次のような溶剤であり、
これ等は単独または組み合わせで使うことができる。主
な溶剤は、グリコールエーテル系のメチルセロソルブ、
エチルセロソルブ、プロピルセロソルブ、プロピレング
リコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチル
エーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、及
びそのアセテート系、即ち、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブ
アセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート
等が有用である。また酢酸エステル系では、アミルアセ
テート、ブチルアセテート、プロピルアセテート、エチ
ルアセテートが、ケトン系では、メチルイソブチルケト
ン、メチルエチルケトン、アセトン、シクロヘキサノ
ン、アルコール系では、アミルアルコール、ブチルアル
コール、プロピルアルコール、エチルアルコール、メチ
ルアルコール、ジアセトンアルコール、その他のものと
して、ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルホオキサ
イドなどが有用であり、それぞれのアルキル基は、直鎖
でも枝分かれの異性体でもよい。
このレジストは、塗布性を改良するために、界面活性剤
を添加してもよいし、密着性を改良するために、接着助
剤、例えば、ビニルトリス（ベーターメトキシエトキ
シ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、ガンマー（メタクリロキシプロピル）ト
リメトキシシラン、ベーター（３，４−エポキシシクロ
ヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ガンマ−グリシ
ドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−ベーター
（アミノエチル）ガンマ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、Ｎ−ベーター（アミノエチル）ガンマーアミノ
プロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−ガン
マ−アミノプロピルトリメトキシシラン、ガンマ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、ガンマ−クロロプ
ロピルトリメトキシシラン等を添加してもよい。
を添加してもよいし、密着性を改良するために、接着助
剤、例えば、ビニルトリス（ベーターメトキシエトキ
シ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、ガンマー（メタクリロキシプロピル）ト
リメトキシシラン、ベーター（３，４−エポキシシクロ
ヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ガンマ−グリシ
ドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−ベーター
（アミノエチル）ガンマ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、Ｎ−ベーター（アミノエチル）ガンマーアミノ
プロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−ガン
マ−アミノプロピルトリメトキシシラン、ガンマ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、ガンマ−クロロプ
ロピルトリメトキシシラン等を添加してもよい。
更に着色を目的として、染料、顔料を添加してもよい。
なお本発明の保護剤は、本発明の樹脂を一般に有機溶剤
中に１０〜６５重量％、好ましくは２０〜５０重量％含
有させて用いる。
中に１０〜６５重量％、好ましくは２０〜５０重量％含
有させて用いる。
「発明の効果」 本発明によれば、フッ化水素酸濃度の高い、エッチング
力の強いエッチング剤を使用しても、エッチング処理中
にヒビ割れや剥膜の発生がなく、しかもエッチング終了
後の剥膜工程において、労働安全性の高い、廃液処理の
簡単な剥膜液（例えば、富士ハント（株）製の剥膜液Ｍ
Ｓ−２００１）が使用できるので、その工業的効果は極
めて顕著である。
力の強いエッチング剤を使用しても、エッチング処理中
にヒビ割れや剥膜の発生がなく、しかもエッチング終了
後の剥膜工程において、労働安全性の高い、廃液処理の
簡単な剥膜液（例えば、富士ハント（株）製の剥膜液Ｍ
Ｓ−２００１）が使用できるので、その工業的効果は極
めて顕著である。
「発明の実施例」 実施例 レジスト膜の現像、リンス、食刻等の常法により、パタ
ーン形成したシリコンウエーハー表面に、ＰＲ−５１６
７０（住友ジュレーズ（株）製、ジベンジルエーテル結
合を持つクレゾール−ホルムアルデヒド樹脂）のエチル
セロソルブアセテート４０％溶液をスピンナーにより１
５００回転／分で塗布し、乾燥後、オーブン中で１６０
゜C、１０分間ベークして保護膜を設けた。冷却後、フッ
化水素酸水溶液（５０％）１Ｌと硝酸水溶液（６１％）
２０Ｌからなるエッチング液中に浸積し、３分間エッチ
ングした後、水洗し、乾燥した。保護膜は全く損傷を受
けなかった。その後、剥膜液ＭＳ−２００１（富士ハン
ト（株）製）を用いて、１００゜C、５分間の処理で容易
に保護膜を剥膜することができた。
ーン形成したシリコンウエーハー表面に、ＰＲ−５１６
７０（住友ジュレーズ（株）製、ジベンジルエーテル結
合を持つクレゾール−ホルムアルデヒド樹脂）のエチル
セロソルブアセテート４０％溶液をスピンナーにより１
５００回転／分で塗布し、乾燥後、オーブン中で１６０
゜C、１０分間ベークして保護膜を設けた。冷却後、フッ
化水素酸水溶液（５０％）１Ｌと硝酸水溶液（６１％）
２０Ｌからなるエッチング液中に浸積し、３分間エッチ
ングした後、水洗し、乾燥した。保護膜は全く損傷を受
けなかった。その後、剥膜液ＭＳ−２００１（富士ハン
ト（株）製）を用いて、１００゜C、５分間の処理で容易
に保護膜を剥膜することができた。
比較例 実施例と同様の方法により、ＰＲ−５０９０４（住友ジ
ュレーズ（株）製、ノボラック型クレゾール−ホルムア
ルデヒド樹脂）のエチルセロソルブアセテート溶液を塗
布し、同様の処理を行った。保護膜はエッチングの途中
で全面にヒビ割れが発生し、水洗段階で半分以上剥離し
た。
ュレーズ（株）製、ノボラック型クレゾール−ホルムア
ルデヒド樹脂）のエチルセロソルブアセテート溶液を塗
布し、同様の処理を行った。保護膜はエッチングの途中
で全面にヒビ割れが発生し、水洗段階で半分以上剥離し
た。
Claims (1)
- 【請求項１】パターン形成の終った半導体基板表面を保
護するために用いる半導体基板表面保護剤が、一分子中
に少なくとも一つのジベンジルエーテル結合を有するフ
ェノール−ホルムアルデヒド樹脂からなることを特徴と
する半導体基板表面保護剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3856186A JPH063802B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体基板表面保護剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3856186A JPH063802B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体基板表面保護剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196832A JPS62196832A (ja) | 1987-08-31 |
| JPH063802B2 true JPH063802B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=12528710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3856186A Expired - Fee Related JPH063802B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体基板表面保護剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063802B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2507936B2 (ja) * | 1986-09-18 | 1996-06-19 | 日本合成ゴム株式会社 | 集積回路の製造方法 |
| US4891334A (en) * | 1987-11-10 | 1990-01-02 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Process for production of electronic devices utilizing novolak resin as protective material |
| JP4988154B2 (ja) * | 2003-10-21 | 2012-08-01 | 三星電子株式会社 | レゾールを含有する樹脂溶液、これを使用して形成された硬化樹脂膜およびこれを使用して硬化樹脂膜を形成する方法 |
| JP6068085B2 (ja) * | 2011-12-06 | 2017-01-25 | 東京応化工業株式会社 | エッチングマスク用組成物およびパターン形成方法 |
-
1986
- 1986-02-24 JP JP3856186A patent/JPH063802B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62196832A (ja) | 1987-08-31 |
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Legal Events
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