JPH0638533B2 - Wavelength control device for banded excimer laser - Google Patents
Wavelength control device for banded excimer laserInfo
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- JPH0638533B2 JPH0638533B2 JP1035139A JP3513989A JPH0638533B2 JP H0638533 B2 JPH0638533 B2 JP H0638533B2 JP 1035139 A JP1035139 A JP 1035139A JP 3513989 A JP3513989 A JP 3513989A JP H0638533 B2 JPH0638533 B2 JP H0638533B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、縮小投影露光装置の光源、微細加工用レーザ
ー加工機等のレーザー光源として用いる狹帯域化エキシ
マレーザーの発振波長を制御する波長制御装置に関する
ものである。The present invention relates to a wavelength control for controlling the oscillation wavelength of a zonal band excimer laser used as a light source of a reduction projection exposure apparatus, a laser light source of a laser beam machine for fine processing, or the like. It relates to the device.
高集積度の回路パターン等を半導体ウエハ上に露光する
縮小投影露光装置では、その露光用光源として短波長光
を発光できるエキシマレーザーが注目されている。この
際、縮小投影レンズの色収差の補正を行なわなくてもよ
いように、エキシマレーザ光を、エタロン等の波長選択
素子によって狹帯域化し、その狹帯域化されたレーザー
光を露光用光源として使用している。In a reduction projection exposure apparatus that exposes a highly integrated circuit pattern or the like onto a semiconductor wafer, an excimer laser capable of emitting short wavelength light has been attracting attention as a light source for the exposure. At this time, so that it is not necessary to correct the chromatic aberration of the reduction projection lens, the excimer laser light is narrowed into a narrow band by a wavelength selection element such as an etalon, and the narrowed band laser light is used as a light source for exposure. ing.
また就航レンズ系によりレーザー光を微小なスポットに
集光して加工を行う微細加工用レーザー加工機のレーザ
ー光源としてもエキシマレーザーが注目されている。こ
の場合でも、集光レンズの色収差の補正を行なわなくて
も微小なスポットに光を集光できるように、エキシマレ
ーザーを、回析格子、エタロン、プリズム等の波長選択
素子によって狹帯域化し、その狹帯域化されたレーザー
光を微細加工用レーザー加工機の光源として使用してい
る。In addition, excimer lasers are also attracting attention as a laser light source for a laser processing machine for microfabrication that focuses laser light on a minute spot by a navigation lens system for processing. Even in this case, the excimer laser is made into a narrow band by a wavelength selection element such as a diffraction grating, an etalon, or a prism so that light can be condensed to a minute spot without correcting the chromatic aberration of the condenser lens. The narrow band laser light is used as the light source of the laser processing machine for fine processing.
しかし、狹帯域化に用いる波長選択素子は、レーザー光
に照射されるための温度変化、振動、室温の変動等の環
境の変化によって、設定条件に物質的な変化が生じレー
ザー発振の中心波長が変動する。発振波長の変化は、投
影される像のほけや集光されるレーザービームのスポッ
ト径の変化という害や多波長発振、レーザー出力の低下
という問題を起こす。However, the wavelength selection element used for band narrowing causes a material change in the setting conditions due to environmental changes such as temperature change due to laser light irradiation, vibration, and room temperature fluctuations, and the central wavelength of laser oscillation is fluctuate. The change in the oscillation wavelength causes problems such as a defocus of the projected image and a change in the spot diameter of the focused laser beam, multiwavelength oscillation, and a reduction in the laser output.
従って、上記等の産業用機械に応用する狹帯域化エキシ
マレーザーでは、発振波長をモニターし、狹帯域化素子
の設定条件の物理的な変化を補正する波長制御技術が必
要となる。狹帯域化エキシマレーザーの発振波長をモニ
ターする手段として、単に回析格子型分光器やモニター
エタロンを用いると、これらの分光器も振動、室温の変
動等の環境の変化に対して、同様の分光波長の変動を生
じるため、発振波長をモニターする方法としては不適で
ある。そこで通常用いられるレーザー発振波長の検出、
安定化法は、以下の(1)〜(4)の方法である。Therefore, in the narrow band excimer laser applied to the industrial machine as described above, a wavelength control technique for monitoring the oscillation wavelength and correcting the physical change of the setting condition of the narrow band element is required. If a diffraction grating type spectroscope or monitor etalon is simply used as a means for monitoring the oscillation wavelength of the zonal band excimer laser, these spectroscopes will also show the same spectral response to environmental changes such as vibration and room temperature fluctuations. Since the wavelength varies, it is not suitable as a method for monitoring the oscillation wavelength. Therefore, the detection of the laser oscillation wavelength usually used,
The stabilizing method is the following methods (1) to (4).
(1)レーザー発振波長を、目標とする波長変動許容範囲
よりも高い安定性を有する他の基準光と比較し、目標波
長に固定する。(1) The laser oscillation wavelength is compared with another reference light having a higher stability than the target wavelength fluctuation allowable range, and fixed at the target wavelength.
(2)原子、分子に固有な光吸収線にレーザー発振波長を
固定する。(2) The laser oscillation wavelength is fixed to the light absorption line peculiar to atoms and molecules.
(3)目標とするレーザー発振波長の光を吸収することに
より螢光を発する物質が封入されたセルにレーザー光を
入射し、この螢光強度を観測することにより、レーザー
波長を光吸収波長に固定する。(3) The laser wavelength is made to be the light absorption wavelength by observing the fluorescence intensity by injecting the laser light into the cell in which the substance that emits fluorescence by absorbing the light of the target laser oscillation wavelength is enclosed. Fix it.
(4)目標とするレーザー発振波長の光を吸収する気体が
封入された放電管に、レーザー光を入射し、放電電波の
変化を検出することにより、レーザー波長を気体の光吸
収波長に固定する。(4) Fix the laser wavelength to the light absorption wavelength of gas by injecting the laser light into the discharge tube in which the gas that absorbs the light of the target laser oscillation wavelength is sealed and detecting the change of the discharge radio wave. .
上記(1)〜(4)の方法のうち簡便性から最も用いられるの
が(1)の方式である。Of the above methods (1) to (4), the method (1) is most used because of its simplicity.
しかし、短波長のArFレーザーにおいては、適当な基
準となる光源が存在せず、次に簡便である(2)の方法を
用いなくてはならない。However, in the case of a short wavelength ArF laser, there is no light source that serves as an appropriate reference, and the method (2), which is simpler, must be used next.
本発明は、前記(2)の吸収線にレーザー波長を固体する
方法の問題点を解決するものであるが、その問題点を明
らかにするためにまず前記(1)の方法と対比させて述べ
る。(1)の方法では、分光器に、狹帯域化したレーザー
光と、目標とするレーザー発振波長近傍の波長の基準と
なる光を入射し、この2つの光の波長差が、所望のレー
ザー波長と基準光の波長との差になるようにレーザー発
振波長を制御する。従って目標とするレーザー発振波長
は、基準光の近傍に任意に設定することができる。The present invention is to solve the problem of the method of solidifying the laser wavelength to the absorption line of the above (2), in order to clarify the problem, first described in comparison with the method of (1) . In the method of (1), a laser beam in a narrow band and a reference light having a wavelength in the vicinity of a target laser oscillation wavelength are incident on the spectroscope, and the wavelength difference between the two lights is a desired laser wavelength. The laser oscillation wavelength is controlled so as to be the difference between the reference light wavelength and the reference light wavelength. Therefore, the target laser oscillation wavelength can be arbitrarily set near the reference light.
これに対して(2)の方法では、所望のレーザー発振波長
の光を吸収する物質を封入したセルに、狹帯域化したレ
ーザー光を入射して、セルの前後でのレーザー強度の差
が最大、つまり、セル中の物質によるレーザー光の吸収
が最大になるようにレーザー波長を制御することによ
り、レーザー波長を、所望の波長に固定する。しかし、
この方法は、所望のレーザー発振波長と同じ波長に吸収
線を持つ物質が存在するときのみしか利用できず、また
逆に、所望のレーザー波長を吸収線の近傍の任意の波長
に設定することはできない。この点が本発明が解決しよ
うとする課題である。On the other hand, in the method of (2), a cell in which a substance that absorbs light of a desired laser oscillation wavelength is sealed is injected with a laser beam having a narrow band, and the difference in the laser intensity before and after the cell is maximum. That is, by controlling the laser wavelength so that the absorption of the laser light by the substance in the cell is maximized, the laser wavelength is fixed to the desired wavelength. But,
This method can be used only when there is a substance having an absorption line at the same wavelength as the desired laser oscillation wavelength, and conversely, it is not possible to set the desired laser wavelength to any wavelength near the absorption line. Can not. This is the problem to be solved by the present invention.
本発明は上記のことにかんがみなされたもので、レーザ
ー発振域内の任意の波長に、狹帯域化エキシマレーザー
の波長を固定、制御することができ、これにより、従来
適当な基準波長光源のなかった狹帯域化ArFエキシマ
レーザー等においても高精度の波長制御が可能となり、
この狹帯域化エキシマレーザーを、縮小投影露光装置の
光源、微細加工用レーザー加工機のレーザー光源とする
ことにより、これらの機器の光学的性能を向上させ、よ
り微細なパターンの露光や加工を行なうことができるよ
うにした狹帯域化エキシマレーザーの波長制御装置を供
給することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above, and it is possible to fix and control the wavelength of a zonal band excimer laser to an arbitrary wavelength within the laser oscillation region, and thus, there has been no conventional reference wavelength light source. High-precision wavelength control is possible even with narrow band ArF excimer lasers, etc.
By using this narrow band excimer laser as the light source of the reduction projection exposure device and the laser light source of the laser processing machine for microfabrication, the optical performance of these devices is improved, and exposure and processing of finer patterns are performed. It is an object of the present invention to provide a wavelength control device for a narrow band excimer laser capable of performing the above.
上記目的を達成するために、本発明に係る狹帯域化エキ
シマレーザーの波長制御装置は、エキシマレーザー発振
器の内部または外部に波長選択素子を配置してレーザ光
を狹帯域化し、このエキシマレーザー発振器より得られ
るレーザー光の発振波長を、レーザー発振波長域近傍の
特定の波長に光の吸収を有する物質の吸収線を基準とし
て制御する狹帯域化エキシマレーザーの波長制御装置に
おいて、吸収体を封入したセルの背後に光源を配置する
と共に、このセルからの光路内に、上記光源からの光
と、レーザー発振光とを選択的に入光する分光器を配置
し、この分光器に上記両光の分光後の光成分を検出する
イメージセンサを設け、このイメージセンサにレーザー
発振器の波長コントローラを接続した構成となってい
る。In order to achieve the above-mentioned object, the wavelength control device of the zonal band excimer laser according to the present invention has a wavelength selection element arranged inside or outside the excimer laser oscillator to make the laser beam into a strict band, and from this excimer laser oscillator, In the wavelength controller of the zonal band excimer laser that controls the oscillation wavelength of the obtained laser light based on the absorption line of a substance that absorbs light at a specific wavelength in the vicinity of the laser oscillation wavelength range, a cell in which an absorber is enclosed. A light source is disposed behind the cell, and a spectroscope for selectively entering the light from the light source and the laser oscillation light is disposed in the optical path from the cell. An image sensor for detecting the subsequent light component is provided, and a wavelength controller of a laser oscillator is connected to this image sensor.
セルを通過した光の波長成分は分光器にて観測され、こ
の光とレーザー発振器からの狹帯域化レーザー光とを交
互に分光器に入射することにより、分光器にて観測され
た上記光の波長成分の吸収線を基準としてレーザー発振
波長をその近傍で任意に固定、制御することができる。The wavelength component of the light passing through the cell is observed by the spectroscope, and this light and the narrow band laser light from the laser oscillator are alternately incident on the spectroscope, thereby The laser oscillation wavelength can be arbitrarily fixed and controlled in the vicinity of the absorption line of the wavelength component as a reference.
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の実施例の基本構成を示すもので、図中
1は波長選択素子ドライバー2と波長選択素子3を有す
る狹帯域化エキシマレーザのエキシマレーザー発振器、
4はこのエキシマレーザー発振器1の光路内に配設され
たビームスプリッタ、5はこのビームスプリッタ4にて
分割された光の光路内に配設された第1のシャッタであ
る。FIG. 1 shows a basic configuration of an embodiment of the present invention, in which 1 is an excimer laser oscillator of a narrow band excimer laser having a wavelength selection element driver 2 and a wavelength selection element 3.
Reference numeral 4 is a beam splitter arranged in the optical path of the excimer laser oscillator 1, and 5 is a first shutter arranged in the optical path of the light divided by the beam splitter 4.
6は背景光用光源であり、この光源6からの光路内に第
2のシャッタ7、光を吸収する吸収体が入ったセル8が
介装してあり、上記2つの光路の光は光合流器9にて合
流して分光器10に入射するようになっている。上記セ
ル8内の吸収体は上記エキシマレーザー発振器1の発振
波長近傍の特定の波長の光だけを吸収するものが用いら
れている。Reference numeral 6 is a light source for background light, and a second shutter 7 and a cell 8 containing an absorber for absorbing light are interposed in the optical path from the light source 6, and the light in the above two optical paths merges with each other. They are merged at the vessel 9 and are incident on the spectroscope 10. As the absorber in the cell 8, a absorber that absorbs only light having a specific wavelength in the vicinity of the oscillation wavelength of the excimer laser oscillator 1 is used.
上記分光器10にはイメージセンサ11が設けてあり、
分光器10には波長成分に分光された分光波形が検出さ
れ、その検出信号が波長コントローラ12に出力される
ようになっている。上記エキシマレーザー発振器1はこ
の波長コントローラ12にて制御されるようになってい
る。The spectroscope 10 is provided with an image sensor 11,
The spectroscope 10 detects a spectral waveform that has been separated into wavelength components, and outputs the detection signal to the wavelength controller 12. The excimer laser oscillator 1 is controlled by the wavelength controller 12.
上記構成における作用を以下に説明する。The operation of the above configuration will be described below.
まず第1のシャッタ5を閉じると共に、第2のシャッタ
7を開き、背景光用光源6からの光をセル8に入射す
る。セル8ではこの中の吸収体にてエキシマレーザー発
振器1の発振波長近傍の特定の波長の光だけが吸収さ
れ、その後分光器10に入射される。分光器10に入射
された上記光は波長成分に分光されてその分光波形は第
2図に示すようになり、この波長がイメージセンサ11
により検出される。これにより、すでに波長がわかって
いて基準となる吸収線の分光後のイメージセンサ11上
での位置P1が決定される。First, the first shutter 5 is closed, the second shutter 7 is opened, and the light from the background light source 6 is incident on the cell 8. In the cell 8, only the light having a specific wavelength in the vicinity of the oscillation wavelength of the excimer laser oscillator 1 is absorbed by the absorber therein, and then the light is incident on the spectroscope 10. The light incident on the spectroscope 10 is split into wavelength components, and the spectral waveform is as shown in FIG.
Detected by. As a result, the position P 1 on the image sensor 11 after the absorption line serving as a reference, whose wavelength is already known, is determined.
次に第2のシャッタ7を閉じると共に、第1のシャッタ
5を開けて、エキシマレーザー発振器1からのレーザー
光を光合流器9を介して分光器10に入射し、同様にそ
の発振波長の光のイメージセンサ11上での位置P2が
検出される。この位置と基準となる吸収線の位置との差
(P2−P1)の波長変換値K・(P2−P1)が吸収
線の波長λ1と所望のレーザー波長λ2との差(λ2−
λ1)に等しくなるように、レーザー発振波長を制御す
れば、狹帯域化エキシマレーザ光の波長を所望の波長に
固定できる。なお、Kは波長換算係数である。Next, the second shutter 7 is closed, the first shutter 5 is opened, and the laser light from the excimer laser oscillator 1 is made incident on the spectroscope 10 via the optical combiner 9, and the light of the oscillation wavelength is similarly emitted. The position P 2 on the image sensor 11 is detected. The wavelength conversion value K · (P 2 −P 1 ) of the difference (P 2 −P 1 ) between this position and the reference absorption line position is the difference between the absorption line wavelength λ 1 and the desired laser wavelength λ 2. (Λ 2 −
If the laser oscillation wavelength is controlled so as to be equal to λ 1 ), the wavelength of the narrow band excimer laser light can be fixed to a desired wavelength. Note that K is a wavelength conversion coefficient.
このレーザー発振波長の制御は、波長コントローラ12
の信号を、波長選択素子ドライバー2に送り、これによ
り波長選択素子3を制御することにより達成される。This laser oscillation wavelength is controlled by the wavelength controller 12
Is transmitted to the wavelength selection element driver 2, and thereby the wavelength selection element 3 is controlled.
以上の操作を繰り返すことにより、狹帯域化エキシマレ
ーザーの発振波長を、上記の位置差(P2−P1)の検
出制度で安定化できる。By repeating the above operation, the oscillation wavelength of the zonal band excimer laser can be stabilized by the detection accuracy of the position difference (P 2 −P 1 ).
上記レーザー装置1の波長選択素子3としては、エタロ
ン、回析格子、プリズム等であり、これは狹帯域化エキ
シマレーザの使用目的により、これらを単独もしくは複
数組み合わせて用いる。背景光用光源6はレーザー発振
波長近傍で一様な波長成分を持つものが望ましく、Ar
Fレーザーの場合は重水素ランプ、KrF、XeCレ
ーザーでは重水素ランプ、キセノンランプ等が用いられ
る。光吸収体の物質としては、ArFレーザーの場合で
は酸素(O2)等が適している。この場合は空気中の酸
素による影響を除くために、第1図で鎖線で囲んだ部分
の光路と、レーザーの共振器部及び分光器10内を窒素
で置換する。光合流器9としては、合流型光ファイバま
たはハーフミラーを用いる。分光器10としては、回析
格子型分光器または、モニターエタロンが用いられる。
イメージセンサ11としてはリニアイメージセンサ、C
CDイメージセンサ等が用いられる。The wavelength selection element 3 of the laser device 1 is an etalon, a diffraction grating, a prism, or the like, and these may be used alone or in combination of two or more depending on the purpose of use of the narrow band excimer laser. It is desirable that the background light source 6 has a uniform wavelength component near the laser oscillation wavelength.
A deuterium lamp is used for the F laser, and a deuterium lamp, a xenon lamp, etc. are used for the KrF and XeC lasers. In the case of ArF laser, oxygen (O 2 ) or the like is suitable as the substance of the light absorber. In this case, in order to eliminate the influence of oxygen in the air, the optical path surrounded by the chain line in FIG. 1, the resonator part of the laser and the inside of the spectroscope 10 are replaced with nitrogen. As the optical combiner 9, a combined optical fiber or a half mirror is used. As the spectroscope 10, a diffraction grating spectroscope or a monitor etalon is used.
As the image sensor 11, a linear image sensor, C
A CD image sensor or the like is used.
第3図は分光器10として回析格子型分光器を用いた場
合の波長コントローラの制御フローチャートを示すもの
で、以下その各ステップを説明する。FIG. 3 shows a control flowchart of the wavelength controller when a diffraction grating type spectroscope is used as the spectroscope 10. Each step will be described below.
ステップ1 分光後の吸収線を含む背景光用光源光のイメージセンサ
11上での吸収線の中心位置P1を読み込む。同様に分
光後の狹帯域化エキシマレーザー光の発振線の中心位置
P2を読み込む。Step 1 The central position P 1 of the absorption line on the image sensor 11 of the background light source light including the absorption line after the spectrum is read. Similarly, the center position P 2 of the oscillation line of the narrow band excimer laser beam after the spectrum is read.
ステップ2 2つの像の中心位置の差ΔP2-1を計算し、この値より
吸収線の波長と発振波長の差Δλ2-1を計算する。Step 2 The difference ΔP 2-1 between the center positions of the two images is calculated, and the difference Δλ 2-1 between the wavelength of the absorption line and the oscillation wavelength is calculated from this value.
ステップ3 所望の設定発振波長λoと基準となる吸収線の中心波長
λsとの差Δλoと、このΔλoとΔλ2-1との差Δλ
を計算する。Step 3 The difference Δλ o between the desired set oscillation wavelength λ o and the reference center wavelength λ s of the absorption line and the difference Δλ between this Δλ o and Δλ 2-1
To calculate.
ステップ4 Δλが所望の設定発振波長と現在の発振波長との差であ
り、この波長差分だけ波長選択素子の選択波長が移動す
るように波長選択素子ドライバ2へ信号を送る。Step 4 Δλ is the difference between the desired set oscillation wavelength and the current oscillation wavelength, and a signal is sent to the wavelength selection element driver 2 so that the selection wavelength of the wavelength selection element moves by this wavelength difference.
上記各ステップにより狹帯域化エキシマレーザーを所望
の設定波長に設定することができる。By the above steps, the narrow band excimer laser can be set to a desired set wavelength.
本発明によれば、レーザ発振域内の任意の波長に、狹帯
域化エキシマレーザーの波長を固定及び制御することが
可能になり、従って、従来適当な基準波長光源のなかっ
た狹帯域化ArFエキシマレーザー等においても高精度
の波長制御が可能となり、この狹帯域化エキシマレーザ
ーを、縮小投影露光装置の光源、微細加工用レーザー加
工機のレーザー光源とすることにより、これらの機器の
光学的性能を向上させ、より微細なパターンの露光や加
工が可能となる。According to the present invention, it is possible to fix and control the wavelength of a fox band excimer laser to an arbitrary wavelength within the laser oscillation region, and thus, a fox band ArF excimer laser without a conventional suitable reference wavelength light source. It becomes possible to control the wavelength with high precision even in such cases. By using this narrow band excimer laser as the light source of the reduction projection exposure device and the laser light source of the laser processing machine for fine processing, the optical performance of these devices is improved. Therefore, it becomes possible to expose and process a finer pattern.
図面は本発明の実施例を示すもので、第1図は基本構成
説明図、第2図はセルを通過した光の波長成分を示す線
図、第3図は波長コントローラの制御フローチャートで
ある。 1はエキシマレーザー発振器、2は波長選択素子ドライ
バー、3は波長選択素子、6は背景光用光源、8はセ
ル、10は分光器、11はイメージセンサ、12は波長
コントローラ。The drawings show an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a diagram for explaining the basic configuration, FIG. 2 is a diagram showing wavelength components of light passing through a cell, and FIG. 3 is a control flowchart of a wavelength controller. 1 is an excimer laser oscillator, 2 is a wavelength selection element driver, 3 is a wavelength selection element, 6 is a light source for background light, 8 is a cell, 10 is a spectroscope, 11 is an image sensor, and 12 is a wavelength controller.
Claims (1)
部に波長選択素子を配置してレーザ光を狹帯域化し、こ
のエキシマレーザー発振器1より得られるレーザー光の
発振波長を、レーザー発振波長域近傍の特定の波長に光
の吸収を有する物質の吸収線を基準として制御する狹帯
域化エキシマレーザーの波長制御装置において、吸収体
を封入したセル8の背後に光源を配置すると共に、この
セル8からの光路内に、上記光源からの光と、レーザー
発振光とを選択的に入光する分光器10を配置し、この
分光器10に上記両光の分光後の光成分を検出するイメ
ージセンサ11を設け、このイメージセンサ11にレー
ザー発振器の波長コントローラ12を接続したことを特
徴とする狹帯域化エキシマレーザーの波長制御装置。1. An excimer laser oscillator 1 is provided with a wavelength selection element inside or outside to make a laser beam into a narrow band, and the oscillation wavelength of the laser beam obtained from this excimer laser oscillator 1 is specified in the vicinity of the laser oscillation wavelength range. In a wavelength control device of a zonal band excimer laser that controls the absorption line of a substance having a light absorption at a wavelength of 10 nm as a reference, a light source is arranged behind a cell 8 in which an absorber is enclosed, and an optical path from this cell 8 is arranged. A spectroscope 10 for selectively entering the light from the light source and the laser oscillation light is arranged therein, and the spectroscope 10 is provided with an image sensor 11 for detecting a light component after the splitting of the both lights. A wavelength controller for a zonal band excimer laser, wherein a wavelength controller 12 of a laser oscillator is connected to the image sensor 11.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035139A JPH0638533B2 (en) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | Wavelength control device for banded excimer laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035139A JPH0638533B2 (en) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | Wavelength control device for banded excimer laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215175A JPH02215175A (en) | 1990-08-28 |
| JPH0638533B2 true JPH0638533B2 (en) | 1994-05-18 |
Family
ID=12433582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1035139A Expired - Lifetime JPH0638533B2 (en) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | Wavelength control device for banded excimer laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638533B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2661503B2 (en) * | 1993-05-21 | 1997-10-08 | 日本電気株式会社 | Narrowband excimer laser device |
| AU7937198A (en) * | 1997-07-03 | 1999-01-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Discharge tube and method of calibrating laser wavelength by using the same |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP1035139A patent/JPH0638533B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02215175A (en) | 1990-08-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |