JPH0640438B2 - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPH0640438B2 JPH0640438B2 JP58030732A JP3073283A JPH0640438B2 JP H0640438 B2 JPH0640438 B2 JP H0640438B2 JP 58030732 A JP58030732 A JP 58030732A JP 3073283 A JP3073283 A JP 3073283A JP H0640438 B2 JPH0640438 B2 JP H0640438B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- guard rail
- minor loop
- write
- magnetic bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ素子に関するものであり、さ
らに詳しくは、メモリ素子の長期動作信頼性の改良に関
するものである。
らに詳しくは、メモリ素子の長期動作信頼性の改良に関
するものである。
第１図は、磁気バブルメモリ素子の構成の一例を示す。
同図においてｍは情報を貯えるマイナループ、ＲＬは読
み出し情報を転送するリードライン、ＷＬは書き込み情
報を転送するライトライン、Ｄは磁気バブルを電気信号
に変換するバブル検出器、Ｇは磁気バブルを書き込むバ
ブル発生器、Ｒはマイナループｍの情報をリードライン
ＲＬへ複写するレプリケートゲート、Ｓはライトライン
ＷＬ上の情報とマイナループｍ中の情報を入れ替えるス
ワツプゲートである。ＧＲはガードレールであり、外部
からの磁気バブルの侵入を防止する。ＢＰはボンデイン
グパツドである。磁気バブルメモリチツプはこのような
基本要素で構成されている。
同図においてｍは情報を貯えるマイナループ、ＲＬは読
み出し情報を転送するリードライン、ＷＬは書き込み情
報を転送するライトライン、Ｄは磁気バブルを電気信号
に変換するバブル検出器、Ｇは磁気バブルを書き込むバ
ブル発生器、Ｒはマイナループｍの情報をリードライン
ＲＬへ複写するレプリケートゲート、Ｓはライトライン
ＷＬ上の情報とマイナループｍ中の情報を入れ替えるス
ワツプゲートである。ＧＲはガードレールであり、外部
からの磁気バブルの侵入を防止する。ＢＰはボンデイン
グパツドである。磁気バブルメモリチツプはこのような
基本要素で構成されている。
第２図は、本発明に係わる部分である第１図に示したａ
〜ｃ部の部分、すなわち、ガードレールＧＲとリードラ
インＲＬの中間部（第２図(a)）、ガードレールＧＲと
マイナループｍの中間部（第２図(b)）、ガードレール
ＧＲとライトラインＷＬの中間部（第２図(c)）の各部
分を示す。
〜ｃ部の部分、すなわち、ガードレールＧＲとリードラ
インＲＬの中間部（第２図(a)）、ガードレールＧＲと
マイナループｍの中間部（第２図(b)）、ガードレール
ＧＲとライトラインＷＬの中間部（第２図(c)）の各部
分を示す。
同図において、ｄは前記各中間部に生じた欠陥部を示
す。この欠陥部ｄは、磁気バブルを湧き出す欠陥である
場合がある。この場合、欠陥部ｄから湧き出した磁気バ
ブルは、長期動作の間にあちこち迷走した後、ガードレ
ールＧＲへたどりつき、ガードレールＧＲの外へ掃き出
されるなら問題ないが、迷走の結果、リードラインＲ
Ｌ、マイナループｍ、あるいはライトラインＷＬ等へ飛
び込む場合がある。この場合、メモリ素子は誤動作する
ことになる。
す。この欠陥部ｄは、磁気バブルを湧き出す欠陥である
場合がある。この場合、欠陥部ｄから湧き出した磁気バ
ブルは、長期動作の間にあちこち迷走した後、ガードレ
ールＧＲへたどりつき、ガードレールＧＲの外へ掃き出
されるなら問題ないが、迷走の結果、リードラインＲ
Ｌ、マイナループｍ、あるいはライトラインＷＬ等へ飛
び込む場合がある。この場合、メモリ素子は誤動作する
ことになる。
そして、このような誤動作は、通常のメモリ動作テスト
では簡単に検出できない。
では簡単に検出できない。
したがつて本発明の目的は、このような誤動作を防止し
た磁気バブルメモリ素子を提供しようとするものであ
る。
た磁気バブルメモリ素子を提供しようとするものであ
る。
上記の目的を達成するために、本発明による磁気バブル
メモリ素子では、複数個の磁気バブル転送路を、ガード
レールとリードライン，マイナループ，ライトライン等
との中間部に備けた点に特徴がある。
メモリ素子では、複数個の磁気バブル転送路を、ガード
レールとリードライン，マイナループ，ライトライン等
との中間部に備けた点に特徴がある。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
第３図は、本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施
例の要部拡大図であり、本発明を、ガードレールＧＲと
リードラインＲＬの中間部に適用した例を示す。同図に
おいて、第２図と同じ信号は同じものを示す。
例の要部拡大図であり、本発明を、ガードレールＧＲと
リードラインＲＬの中間部に適用した例を示す。同図に
おいて、第２図と同じ信号は同じものを示す。
ＧＬは本発明を特徴づける複数個の磁気バブル転送路と
してのガードラインである。このガードラインＧＬはリ
ードラインＲＬからガードレールＧＲへと続く転送路を
形成している。ガードラインＧＬの磁気バブル転送方向
はガードレールＧＲへ磁気バブルを運ぶ方向である。
してのガードラインである。このガードラインＧＬはリ
ードラインＲＬからガードレールＧＲへと続く転送路を
形成している。ガードラインＧＬの磁気バブル転送方向
はガードレールＧＲへ磁気バブルを運ぶ方向である。
いま、中間部の欠陥部ｄから磁気バブルが湧き出してき
た場合、この磁気バブルは、ガードラインＧＬによつ
て、矢印ＰのようにガードレールＧＲへと運ばれ、この
ガードレールＧＲの外へ掃き出されることになる。この
ため、前記したような誤動作を防止することができる。
た場合、この磁気バブルは、ガードラインＧＬによつ
て、矢印ＰのようにガードレールＧＲへと運ばれ、この
ガードレールＧＲの外へ掃き出されることになる。この
ため、前記したような誤動作を防止することができる。
以上の実施例は本発明をガイドレールＧＲとリードライ
ンＲＬの中間部に適用した場合であるが、同様にマイナ
ループｍとガードレールＧＲの中間部、あるいはライト
ラインＷＬとガードレールＧＲの中間部に対しても全く
同様に適用することができる。また、上の説明では、磁
気バブル転送路にシエブロンパタンを用いた例を示した
が、他の転送パタンに対しても本発明は全く同様に適用
できる。
ンＲＬの中間部に適用した場合であるが、同様にマイナ
ループｍとガードレールＧＲの中間部、あるいはライト
ラインＷＬとガードレールＧＲの中間部に対しても全く
同様に適用することができる。また、上の説明では、磁
気バブル転送路にシエブロンパタンを用いた例を示した
が、他の転送パタンに対しても本発明は全く同様に適用
できる。
以上説明したように本発明によれば、複数個の磁気バブ
ル転送路を、ガードレールとリードライン、マイナルー
プ、ライトライン等の中間部に備けたことにより、誤動
作のない信頼性の高い磁気バブルメモリ素子を提供する
ことができる。
ル転送路を、ガードレールとリードライン、マイナルー
プ、ライトライン等の中間部に備けたことにより、誤動
作のない信頼性の高い磁気バブルメモリ素子を提供する
ことができる。
第１図は一般の磁気バブルメモリ素子の構成図、第２図
(a)〜(c)は第１図のａ〜ｃ部の拡大図、第３図は本発明
による磁気バブルメモリ素子の一実施例の要部拡大図で
ある。 ＧＲ……ガードレール、ＷＬ……ライトライン、ＲＬ…
…リードライン、ｍ……マイナループ、ＧＬ……ガード
ライン。
(a)〜(c)は第１図のａ〜ｃ部の拡大図、第３図は本発明
による磁気バブルメモリ素子の一実施例の要部拡大図で
ある。 ＧＲ……ガードレール、ＷＬ……ライトライン、ＲＬ…
…リードライン、ｍ……マイナループ、ＧＬ……ガード
ライン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 箭内 雅弘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭58−6580（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−3488（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−77036（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】情報を蓄える複数のマイナーループｍ
と、書き込み情報を転送するライトラインＷＬと、
上記ライトラインの一方の端部に結合されたバブル発生
器Ｇと、上記マイナーループに蓄えられた情報と上記
ライトラインに転送される書き込み情報とを上記マイナ
ーループの下側で入れ替えるスワップゲートＳと、読
み出し情報を転送するリードラインＲＬと、上記リー
ドラインの一方の端部に結合されたバブル検出器Ｄと、
上記マイナーループに蓄えられた情報を上記マイナー
ループの上側で上記リードラインへ複写するレプリケー
トゲートＲと、上記〜の機能素子を囲み、外側か
らの磁気バブルの侵入を防止し内側の不要バブルを外側
に掃き出すガードレールＧＲと、上記ガードレール
と、それぞれ、上記マイナーループの左側及び右側、上
記ライトライン並びに上記リードラインとの間に、転送
方向が上記ガードレールに向かうよう配置され、上記ガ
ードレールとは異なる形状の複数の補助転送路ＧＬとを
具備して成ることを特徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030732A JPH0640438B2 (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030732A JPH0640438B2 (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59157890A JPS59157890A (ja) | 1984-09-07 |
| JPH0640438B2 true JPH0640438B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=12311839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58030732A Expired - Lifetime JPH0640438B2 (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640438B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6375435B2 (en) | 1999-02-17 | 2002-04-23 | Coltec Industries Inc | Static cam seal for variable displacement vane pump |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5477036A (en) * | 1977-12-02 | 1979-06-20 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble generator |
| JPS5911984B2 (ja) * | 1979-06-19 | 1984-03-19 | 富士通株式会社 | 磁気バブルメモリ装置 |
| JPS586580A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-14 | Nec Corp | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58030732A patent/JPH0640438B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59157890A (ja) | 1984-09-07 |
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