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JPH0643951B2 - Deposit detection device - Google Patents
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JPH0643951B2 - Deposit detection device - Google Patents

Deposit detection device

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JPH0643951B2
JPH0643951B2 JP61098068A JP9806886A JPH0643951B2 JP H0643951 B2 JPH0643951 B2 JP H0643951B2 JP 61098068 A JP61098068 A JP 61098068A JP 9806886 A JP9806886 A JP 9806886A JP H0643951 B2 JPH0643951 B2 JP H0643951B2
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insulating layer
deposit
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deposition
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、雰囲気中に粒子や粉塵等の物質が存在するか
否かを堆積によって検出する堆積物検出装置に関するも
のであって、更に詳細には、雰囲気を局所的に加熱させ
て、雰囲気中に存在する炭化物等の物質を熱分解させて
2次生成物を発生させこの2次生成物の堆積を検出する
堆積物検出手段に関するものである。特に、粉塵検出
器、煤煙検出器、窓ガラスの曇り度合検出器、油膜検出
器、等に使用するのに適した堆積物検出器に関するもの
である。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a deposit detection device for detecting whether or not substances such as particles and dust exist in an atmosphere by deposition, and more specifically, to a deposit detection device. The present invention relates to a deposit detecting means that locally heats and thermally decomposes a substance such as a carbide present in an atmosphere to generate a secondary product, and detects deposition of the secondary product. In particular, the present invention relates to a deposit detector suitable for use as a dust detector, a soot detector, a window glass haze detector, an oil film detector, and the like.

従来技術 従来の粉塵検出器や、煤煙検出器は、雰囲気中に存在す
る物質の存在を直接的に測定するものが殆どであり、そ
の装置は大型で複雑なものが多く、使用方法が困難であ
るとか、コストが高い等の問題が多かった。
Conventional technology Most conventional dust detectors and soot detectors directly measure the presence of substances present in the atmosphere, and their devices are often large and complicated, making their usage difficult. There were many problems such as the cost and the cost.

目的 本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、新規な原理に基づい
て雰囲気中の物質の存在を検出することが可能な検出装
置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and a detection device capable of detecting the presence of a substance in an atmosphere based on a novel principle by solving the above-mentioned drawbacks of the conventional technology. The purpose is to provide.

構成 本発明に拠れば、雰囲気を局所的に加熱させて、雰囲気
中に存在する物質を堆積させ、その堆積状態を監視する
ことによって雰囲気中に物質が存在することを検出す
る。特に、本発明の好適実施形態においては、雰囲気中
に存在する炭素化合物を検出するものであって、この炭
素化合物を加熱して熱分解させ、その2次生成物を所定
の個所に堆積させることによって炭素化合物の存在を検
出する。即ち、本発明においては、空気中等の雰囲気中
に炭素化合物の気体やミストが存在している場合、ヒー
タにより加熱することによって熱分解されてヒータの周
辺に分解物質が堆積される。本発明は、この様な現象に
着目してなされたものであって、空気中等の雰囲気中に
浮遊している炭素化合物の存在を簡単に確認することが
可能であり、且つ堆積状態から雰囲気中に包含される炭
化物の含有量を測定することも可能である。
Configuration According to the present invention, the atmosphere is locally heated to deposit the substance existing in the atmosphere, and the presence of the substance in the atmosphere is detected by monitoring the deposition state. Particularly, in a preferred embodiment of the present invention, a carbon compound existing in the atmosphere is detected, and the carbon compound is heated to be thermally decomposed and the secondary product thereof is deposited at a predetermined position. Detects the presence of carbon compounds. That is, in the present invention, when the carbon compound gas or mist is present in the atmosphere such as the air, it is thermally decomposed by being heated by the heater and the decomposed substance is deposited around the heater. The present invention has been made by paying attention to such a phenomenon, and it is possible to easily confirm the presence of a carbon compound floating in an atmosphere such as air, and from the deposition state to the atmosphere. It is also possible to measure the content of carbides included in the.

以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
に付いて詳細に説明する。
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図は、本発明の1実施例に基づいて構成された堆積
物検出装置を示しており、それは所定の物質、例えばシ
リコンからなる基板1を有しており、その上表面には絶
縁層として二酸化シリコン層2が付着形成されている。
公知のホトリソグラフィ技術を使用してこの絶縁層2を
所望の形状にパターン形成し、更にパターン化した絶縁
層2をマスクとして基板1を選択的にエッチングして、
基板1内に凹所1aを画定すると共に架橋構造2aを形
成してある。尚、本実施例においては、架橋構造2aは
パターン化された絶縁層2の一部から形成されている。
従って、架橋構造2aは空中に張り出した形状であり、
その熱容量は著しく小さい。又、基板1のエッチングは
等方性エッチングと異方性エッチングとの組合せでも、
又異方性エッチングのみであっても良い。
FIG. 1 shows a deposit detecting apparatus constructed according to one embodiment of the present invention, which has a substrate 1 made of a predetermined substance, for example, silicon, and an insulating layer on the upper surface thereof. As a result, a silicon dioxide layer 2 is deposited.
The insulating layer 2 is patterned into a desired shape by using a known photolithography technique, and the substrate 1 is selectively etched using the patterned insulating layer 2 as a mask.
A recess 1a is defined in the substrate 1 and a bridge structure 2a is formed. In this embodiment, the crosslinked structure 2a is formed of a part of the patterned insulating layer 2.
Therefore, the crosslinked structure 2a has a shape protruding in the air,
Its heat capacity is extremely small. Moreover, the etching of the substrate 1 may be a combination of isotropic etching and anisotropic etching.
Alternatively, only anisotropic etching may be used.

架橋構造2aは凹所1aによって所定の長さ空中を延在
しており、その上には、加熱部としてのヒータ3が付着
形成されている。このヒータ3は、例えばPt等の所望
の物質を付着させることによって形成することが可能で
あり、本実施例においては、ヒータ3に電流を流すこと
によってジュール発熱を起させ、その熱によって周囲の
雰囲気を加熱する。尚、ヒータ3は二酸化シリコン等の
絶縁物質でその周囲を取り囲む構成とすることも可能で
ある。又、ヒータ3へ印加する電流は継続的なものであ
っても良いが、パルス電流として印加することが好適で
ある。
The bridge structure 2a extends in the air for a predetermined length by the recess 1a, and a heater 3 as a heating unit is attached and formed on the bridge structure 2a. The heater 3 can be formed, for example, by adhering a desired substance such as Pt, and in the present embodiment, an electric current is passed through the heater 3 to cause Joule heat generation, and the heat causes the ambient temperature to increase. Heat the atmosphere. Note that the heater 3 can be configured to surround the periphery thereof with an insulating material such as silicon dioxide. The current applied to the heater 3 may be continuous, but it is preferable to apply it as a pulse current.

上述した如き構成において、ヒータ3に電流を印加させ
ると、ヒータ3が発熱して周囲の雰囲気を加熱し、その
結果、雰囲気中に存在する物質も加熱されて熱分解を起
して2次生成物を生成し、ヒータ3の周りの基板1乃至
は絶縁層2の表面上に堆積物5として堆積させる。この
場合に、ヒータ3は高温状態にあるので堆積物5は殆ど
堆積されないが、ヒータ3は架橋構造2a上に形成され
ており、その熱容量が小さいので、ヒータ3の周囲の絶
縁層2及び基板1への幅射熱の影響はかなり小さく、ヒ
ータ3の周囲の絶縁層2及び基板1はヒータ3及び架橋
構造2aと比較して、かなりの低温状態に維持される。
従って、ヒータ3によって局所的に加熱された雰囲気中
の物質は堆積物5としてヒータ3の周りの絶縁層2及び
基板1の表面上に堆積される。そこで、本実施例におい
ては、光源(不図示)からの光を堆積物5で反射させ、
その反射光をモニタすることによって堆積物5が堆積さ
れたことを検知している。この場合に、堆積物5の堆積
量は反射光の強度に関係しており、従って、この反射光
から堆積物5の量、及び雰囲気中の含有量等を測定する
ことが可能である。
In the structure as described above, when an electric current is applied to the heater 3, the heater 3 generates heat and heats the surrounding atmosphere, and as a result, the substance existing in the atmosphere is also heated to cause thermal decomposition and secondary generation. A substance is generated and deposited as a deposit 5 on the surface of the substrate 1 or the insulating layer 2 around the heater 3. In this case, since the heater 3 is in a high temperature state, the deposit 5 is hardly deposited, but since the heater 3 is formed on the bridge structure 2a and its heat capacity is small, the insulating layer 2 and the substrate around the heater 3 are formed. The influence of the radiant heat on 1 is considerably small, and the insulating layer 2 and the substrate 1 around the heater 3 are maintained at a considerably low temperature as compared with the heater 3 and the bridge structure 2a.
Therefore, the substance in the atmosphere locally heated by the heater 3 is deposited as the deposit 5 on the surfaces of the insulating layer 2 and the substrate 1 around the heater 3. Therefore, in this embodiment, light from a light source (not shown) is reflected by the deposit 5,
It is detected that the deposit 5 is deposited by monitoring the reflected light. In this case, the deposition amount of the deposit 5 is related to the intensity of the reflected light, and therefore the amount of the deposit 5 and the content in the atmosphere can be measured from this reflected light.

第2図は、本発明の別の実施例に基づいて構成された堆
積物検出装置を示している。本実施例も基本的には前述
した第1図の装置と同一の構成を有しているので、同一
の要素には同一の番号を付してある。即ち、第2図の装
置も、シリコン等の物質からなる基板1を有しており、
その上表面上には二酸化シリコン等からなら絶縁層2が
形成されている。本実施例においては、基板1の選択部
分をその底部から絶縁層2に到達する迄エッチングを行
い除去部1bを形成している。この除去部1bを設ける
ことによって、絶縁層2の一部に架橋構造2aを画定し
ている。架橋構造2aの上には、少なくとも部分的にヒ
ータ3が形成されており、従ってヒータ3の熱容量は可
及的に最小とされている。尚、第1図の場合と同様に、
ヒータ3は所望の物質から形成されており、それに電流
を流すことによってジュール発熱させる構成となってい
る。又、所望により、ヒータ3の周囲を二酸化シリコン
等の絶縁物質で取り囲む構成とすることも可能である。
FIG. 2 shows a deposit detecting device constructed according to another embodiment of the present invention. Since this embodiment also has basically the same configuration as the apparatus of FIG. 1 described above, the same numbers are attached to the same elements. That is, the apparatus of FIG. 2 also has a substrate 1 made of a substance such as silicon,
An insulating layer 2 made of silicon dioxide or the like is formed on the upper surface thereof. In this embodiment, a selected portion of the substrate 1 is etched from its bottom to the insulating layer 2 to form a removed portion 1b. By providing the removed portion 1b, the bridge structure 2a is defined in a part of the insulating layer 2. A heater 3 is formed at least partially on the bridge structure 2a, so that the heat capacity of the heater 3 is minimized as much as possible. As in the case of FIG. 1,
The heater 3 is made of a desired substance, and is configured to generate Joule heat by passing an electric current through it. If desired, the heater 3 may be surrounded by an insulating material such as silicon dioxide.

第2図の構成においては、ヒータ3が雰囲気を局所的に
加熱することによって、雰囲気中に存在する物質から堆
積物5がヒータ3の近傍で絶縁層2上に堆積される。従
って、光源(不図示)からの検知用光ビーム8を絶縁層
2の架橋構造2a下側から照射させ、該ビームの堆積物
5を介しての透過率に基づいて耐性物5が存在すること
及び、所望により、その量を検出する。この様に、第2
図の実施例は光透過型であり、絶縁層2の架橋構造2a
を光が透過されるので、絶縁層2は、少なくともその架
橋構造2aの部分が透明であることが望ましい。
In the configuration of FIG. 2, the heater 3 locally heats the atmosphere, so that the deposit 5 is deposited on the insulating layer 2 in the vicinity of the heater 3 from the substance existing in the atmosphere. Therefore, the detection light beam 8 from the light source (not shown) is irradiated from the lower side of the bridge structure 2a of the insulating layer 2, and the resistant material 5 exists based on the transmittance of the beam through the deposit 5. And, if desired, the amount is detected. In this way, the second
The illustrated embodiment is a light-transmissive type, and has a crosslinked structure 2a of the insulating layer 2.
Since light is transmitted therethrough, it is desirable that the insulating layer 2 is transparent at least in the portion of the crosslinked structure 2a.

第2図は、本発明に適用可能な反射型の検出装置10を
示しており、この検出装置10は、発光ダイオード等か
らなる光源11と、ホトトランジスタ又はCdS等の受
光素子12を有しており、光源11から射出された光を
絶縁層2で反射させ、その反射光を受光素子12で受光
して、絶縁層2上に堆積物が堆積されていることを検出
する。一方、第4図は、透過型の検出装置10を示して
おり、この場合も、光源11と受光素子11とを有する
ものであるが、堆積物は光源11から受光素子12への
光路内に位置され、堆積物を介して通過する光量を測定
して堆積状態を検出するものである。
FIG. 2 shows a reflection type detection device 10 applicable to the present invention. This detection device 10 has a light source 11 composed of a light emitting diode or the like and a light receiving element 12 such as a phototransistor or CdS. The light emitted from the light source 11 is reflected by the insulating layer 2, and the reflected light is received by the light receiving element 12 to detect that a deposit is deposited on the insulating layer 2. On the other hand, FIG. 4 shows a transmission type detection device 10, which also has a light source 11 and a light receiving element 11, but the deposit is in the optical path from the light source 11 to the light receiving element 12. The amount of light that is positioned and that passes through the deposit is measured to detect the deposition state.

第5図は、本発明の反射型の具体的構成例を示したもの
であって、基台15上の中央に堆積物検出チップ13が
配置されており、基台15の底部から一対の支柱16,
16が延在している。基台15の上表面には、更に、保
持フレーム17が装着されており、光源11と受光素子
12とを互いに離隔し並置させて保持している。更に、
保護ネット18が略その全体を包囲して設けられてい
る。この構成においては、光源11から射出される光が
チップ13の堆積部で反射されて、その反射光が受光素
子12に入射される構成となっている。又、チップ13
としては、第1図に示した如き構成のものを使用するこ
とが可能であり、即ち、加熱部としてのヒータ3及び、
堆積物5を堆積させる絶縁層2等で構成される堆積部を
有している。従って、受光素子12で受光される反射光
によってこの様な堆積部上に堆積される堆積物の有無及
びその量を検出することが可能である。
FIG. 5 shows a specific example of the reflection-type structure of the present invention, in which the deposit detection chip 13 is arranged in the center of the base 15, and a pair of columns are provided from the bottom of the base 15. 16,
16 are extended. A holding frame 17 is further mounted on the upper surface of the base 15, and holds the light source 11 and the light receiving element 12 in a juxtaposed relationship with each other. Furthermore,
A protective net 18 is provided so as to surround the whole thereof. In this configuration, the light emitted from the light source 11 is reflected by the deposition portion of the chip 13, and the reflected light is incident on the light receiving element 12. Also, chip 13
It is possible to use the one having the structure shown in FIG. 1, that is, the heater 3 as the heating unit, and
It has a deposition part composed of the insulating layer 2 and the like on which the deposit 5 is deposited. Therefore, it is possible to detect the presence and the amount of such a deposit deposited on such a deposit by the reflected light received by the light receiving element 12.

第6図は、同じく、本発明の透過型の具体的構成例を示
したものであって、基本的には、第5図の反射型のもの
と同じ構成を有している。従って、同一の構成要素には
同一の参照番号を付してある。本例の場合には、光源1
1が基台15の中央部に配置されており、チップ13は
この光源11の上に設けられている。更に、受光素子1
2は受光素子11の垂直上方に位置された保持フレーム
17に保持されている。チップ13は、前述した如く、
加熱部とそれに隣接する堆積部とを具備している。この
構成においては、光源11からの光はチップ13の堆積
部を通過して受光素子12内に入射される。
Similarly, FIG. 6 shows a specific example of the transmissive type of the present invention, which basically has the same configuration as the reflective type of FIG. Therefore, the same reference numerals are given to the same components. In the case of this example, the light source 1
1 is arranged in the center of the base 15, and the chip 13 is provided on the light source 11. Further, the light receiving element 1
2 is held by a holding frame 17 positioned vertically above the light receiving element 11. The chip 13 is, as described above,
The heating unit and the deposition unit adjacent to the heating unit are provided. In this configuration, the light from the light source 11 passes through the deposition portion of the chip 13 and enters the light receiving element 12.

第7図及び第8図は、本発明の透過型装置の別の実施例
を示しており、第8図は第7図中に示したx−x線に沿
っての概略断面図である。本装置においても、シリコン
等の物質からなる基板1を有しており、その上表面上に
は二酸化シリコン等の絶縁層2が被着形成されている。
絶縁層2は所定の形状にパターン形成されて、開口が形
成されると共に片持梁状の張出し部2bのパターンが形
成されている。この開口から基板1を選択的にエッチン
グして、凹所1aを形成しており、従って絶縁層2の一
部で形成される張出し部2bは空中に張り出す構成とさ
れている。張出し部2bを包含して絶縁層2の上に、ヒ
ータ3が所定の物質から被着形成されており、ヒータ3
は、張出し部2b上に形成される発熱部3aとそれから
延在しており絶縁層2上に形成される一対のヒータ電極
部3b,3bとを有している。発熱部3aは、ヒータ3
の他の部分と比較して幅狭に形成されており、その部分
での抵抗値を大きくして通電した場合にジュール発熱す
る構成とされている。又、本実施例においては、発熱部
3aは蛇行形状に形成してあり、単位面積当りの発熱量
をかせいでいる。この様な構成とする場合には、ヒータ
3を同一の物質から形成することが可能であるので、製
造上有利である。
7 and 8 show another embodiment of the transmission type device of the present invention, and FIG. 8 is a schematic sectional view taken along line xx shown in FIG. This apparatus also has a substrate 1 made of a substance such as silicon, and an insulating layer 2 made of silicon dioxide or the like is deposited on the upper surface of the substrate 1.
The insulating layer 2 is patterned into a predetermined shape to form an opening and a cantilever-shaped overhanging portion 2b pattern. The substrate 1 is selectively etched from this opening to form a recess 1a, and thus the overhanging portion 2b formed by a part of the insulating layer 2 is configured to overhang in the air. The heater 3 is formed by depositing a predetermined substance on the insulating layer 2 including the overhanging portion 2b.
Has a heating portion 3a formed on the overhanging portion 2b and a pair of heater electrode portions 3b, 3b extending from the heating portion 3a and formed on the insulating layer 2. The heat generating portion 3a includes the heater 3
It is formed to be narrower than the other portions, and is configured to generate Joule heat when the resistance value in that portion is increased and current is applied. In addition, in the present embodiment, the heat generating portion 3a is formed in a meandering shape to obtain the heat generation amount per unit area. With such a configuration, the heater 3 can be formed of the same material, which is advantageous in manufacturing.

絶縁層2上で、凹所1aの周囲の所定個所には感光性物
質からなる受光素子層22が形成されている。本例で
は、この層22はCdSから構成してある。この場合、
CdSを塗布し、次いでそれを焼結処理する。受光素子
層22の両端に夫々接続されて一対の出力電極21a,
21bが設けられており、出力電極21bの他端にはボ
ンディングワイヤ23が接続されている。一方、第8図
に示した如く、受光素子層22の上方には発光ダイオー
ド等の光源11を配設する。尚、これらの出力電極21
a,21bはヒータ3と同じ材料で形成すると良い。
尚、受光素子層22は、後述する如く、堆積部として機
能する。
A light receiving element layer 22 made of a photosensitive material is formed on the insulating layer 2 at a predetermined position around the recess 1a. In this example, this layer 22 is composed of CdS. in this case,
CdS is applied and then it is sintered. A pair of output electrodes 21a connected to both ends of the light receiving element layer 22,
21b is provided, and the bonding wire 23 is connected to the other end of the output electrode 21b. On the other hand, as shown in FIG. 8, a light source 11 such as a light emitting diode is arranged above the light receiving element layer 22. In addition, these output electrodes 21
It is preferable that a and 21b are formed of the same material as the heater 3.
The light receiving element layer 22 functions as a deposition portion, as described later.

この様な構成においては、ヒータ3に電流を通電させる
ことによって、周囲の雰囲気が局所的に加熱される。こ
の場合に、ヒータ3の発熱部3a及びそれを担持する張
出し部2bは高温状態とされるが、これらの熱容量は小
さく、幅射熱も小さいので、それら以外の部分は比較的
低温状態に維持される。従って、受光素子層22も比較
的低温状態に維持され、その結果、ヒータ3によって局
所的に加熱された雰囲気中の物質、特に炭素化合物、が
熱分解されて生成される2次生成物はこの受光素子層2
2上に堆積される。従って、受光素子層22は堆積部と
して作用し、その表面上に堆積物を堆積させる。この様
に、受光素子層22上に堆積物が堆積されると、光源1
1からの受光量が変化するので、それにより、堆積物の
有無及びその量、延いては雰囲気中に存在している炭素
化合物等の物質を検出することが可能である。
In such a configuration, the surrounding atmosphere is locally heated by passing a current through the heater 3. In this case, the heating portion 3a of the heater 3 and the overhanging portion 2b carrying the heating portion 3 are in a high temperature state, but since their heat capacity is small and the radiant heat is small, the other portions are kept in a relatively low temperature state. To be done. Therefore, the light receiving element layer 22 is also maintained at a relatively low temperature, and as a result, the secondary product generated by the thermal decomposition of the substance in the atmosphere locally heated by the heater 3, particularly the carbon compound, is Light receiving element layer 2
2 is deposited on. Therefore, the light receiving element layer 22 acts as a deposition portion and deposits a deposit on the surface thereof. Thus, when the deposit is deposited on the light receiving element layer 22, the light source 1
Since the amount of light received from No. 1 changes, it is possible to detect the presence or absence of deposits and the amount thereof, and thus substances such as carbon compounds existing in the atmosphere.

第9図は、本発明装置のシステムの1例を示しており、
透過型の堆積物検出装置31は、光源11と受光素子1
2との間に介在されている。装置31は前述した如きマ
イクロヒータ形状の加熱部と、雰囲気への加熱により堆
積される堆積物を堆積させる堆積部とを有しており、光
源11からの光は堆積部を透過して受光素子12へ入射
される。光源11は抵抗Rを介して電源33へ接続され
ており、タイミング回路34からの所定のタイミングに
基づいて、駆動電流が光源11へ供給される。装置31
のヒータにパルス電流を印加する為のヒータ電源35が
設けられており、これはタイミング回路36に接続され
ている。従って、ヒータ電源35からは所定のタイミン
グでパルス電流が装置31のヒータへ印加される。受光
素子12からの出力は増幅器32によって増幅され、信
号発生器37へ供給される。
FIG. 9 shows an example of the system of the device of the present invention,
The transmission type deposit detection device 31 includes a light source 11 and a light receiving element 1.
It is interposed between the two. The device 31 has a micro-heater-shaped heating unit as described above and a deposition unit that deposits a deposit that is deposited by heating to an atmosphere. Light from the light source 11 passes through the deposition unit and the light receiving element. It is incident on 12. The light source 11 is connected to the power source 33 via the resistor R, and a drive current is supplied to the light source 11 based on a predetermined timing from the timing circuit 34. Device 31
A heater power supply 35 for applying a pulse current to the heater is provided and is connected to a timing circuit 36. Therefore, the pulse current is applied from the heater power supply 35 to the heater of the device 31 at a predetermined timing. The output from the light receiving element 12 is amplified by the amplifier 32 and supplied to the signal generator 37.

本発明に拠れば、雰囲気中に含有される微量の成分を短
時間で検出することが可能であり、又第10図に示した
如く、検出出力Voutはその濃度に依存性があるので、
その成分の含有量を算出することが可能である。第10
図に、実線で示した如く、ヒータを駆動しない場合に
は、検出出力であるVoutは殆ど経時的変化を示さない
が、ヒータを駆動すると、検出出力Voutは、雰囲気中
の炭素化合物の含有濃度が1ppmであるか、10pp
mであるか、100ppmであるかに応じて、夫々点
線、一点鎖線、二点鎖線で夫々示した如く変化する。従
って、出力Voutからその濃度を算出することが可能で
あることが分かる。
According to the present invention, it is possible to detect a trace amount of component contained in the atmosphere in a short time, and as shown in FIG. 10, the detection output Vout depends on its concentration.
It is possible to calculate the content of that component. Tenth
As shown by the solid line in the figure, when the heater is not driven, the detected output Vout shows almost no change over time, but when the heater is driven, the detected output Vout is the concentration of carbon compound contained in the atmosphere. Is 1 ppm or 10 pp
Depending on whether it is m or 100 ppm, it changes as shown by the dotted line, the one-dot chain line, and the two-dot chain line, respectively. Therefore, it is understood that the concentration can be calculated from the output Vout.

効果 以上、詳説した如く、本発明に拠れば、堆積物の有無及
びその量を検出することが可能である。又、雰囲気中に
存在する物質、特に炭素化合物、を検出することが可能
である。本装置に拠れば、高精度で且つ高速に堆積物の
検出を行うことが可能である。
Effect As described above in detail, according to the present invention, it is possible to detect the presence or absence and the amount of the deposit. It is also possible to detect substances present in the atmosphere, especially carbon compounds. According to this device, it is possible to detect deposits with high accuracy and at high speed.

以上、本発明の具体的実施の態様に付いて詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
では無く、本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種
々の変形が可能であることは勿論である。
The specific embodiments of the present invention have been described above in detail, but the present invention should not be limited to these specific examples, and various modifications can be made without departing from the technical scope of the present invention. Of course, it is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の1実施例に基づいて構成された反射型
の検出装置を示した概略断面図、第2図は本発明の別の
実施例に基づいて構成された透過型の検出装置を示した
概略断面図、第3図及び第4図は夫々反射型及び透過型
の検出光学系を示した各説明図、第5図は本発明の反射
型検出装置の1例を示した概略図、第6図は本発明の透
過型検出装置の1例を示した概略図、第7図は透過型検
出装置で受光素子を一体的に組み込んだ場合の実施例を
示した概略平面図、第8図は第7図中に示したx−x線
に沿っての断面及び光源11との位置関係を示した概略
図、第9図は本発明の透過型検出装置のシステムの1例
を示した説明図、第10図は本発明の検出特性を示した
グラフ図、である。 (符号の説明) 1:基板 2:絶縁層 2a:架橋構造 2b:張出し部 3:ヒータ 5:堆積物 10:検出光学系
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a reflection type detection device constructed according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a transmission type detection device constructed according to another embodiment of the present invention. 3 is a schematic sectional view showing a reflection type detection optical system, and FIGS. 3 and 4 are explanatory views showing reflection type and transmission type detection optical systems, respectively. FIG. 5 is a schematic view showing an example of the reflection type detection device of the present invention. FIG. 6 is a schematic view showing an example of the transmission type detection device of the present invention, and FIG. 7 is a schematic plan view showing an embodiment in which a light receiving element is integrally incorporated in the transmission type detection device, FIG. 8 is a schematic view showing a cross section along the line xx shown in FIG. 7 and a positional relationship with the light source 11, and FIG. 9 is an example of a system of the transmission type detection apparatus of the present invention. The explanatory diagram shown in FIG. 10 is a graph showing the detection characteristics of the present invention. (Explanation of Codes) 1: Substrate 2: Insulating Layer 2a: Crosslinked Structure 2b: Overhanging Part 3: Heater 5: Deposit 10: Detection Optical System

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】雰囲気を加熱する加熱部と、前記加熱部の
近傍に位置されており前記加熱部による加熱によって前
記雰囲気中に存在する物質が堆積される堆積部と、前記
堆積部上に堆積物が堆積したか否かを検出する検出手段
とを有することを特徴とする堆積物検出装置。
1. A heating section for heating an atmosphere, a deposition section located in the vicinity of the heating section, for depositing a substance existing in the atmosphere by heating by the heating section, and a deposition section on the deposition section. A deposit detecting device for detecting whether or not a deposit has been deposited.
【請求項2】特許請求の範囲第1項において、前記検出
手段が光学的検出手段であることを特徴とする装置。
2. An apparatus according to claim 1, wherein said detecting means is an optical detecting means.
【請求項3】特許請求の範囲第1項又は第2項におい
て、前記加熱部は、基板の一部に架橋構造を形成してあ
り、少なくとも前記架橋構造上に付着形成されているこ
とを特徴とする装置。
3. The heating unit according to claim 1 or 2, wherein a cross-linking structure is formed on a part of the substrate, and the heating unit is formed by adhering at least on the cross-linking structure. And the device.
【請求項4】特許請求の範囲第3項において、前記基板
上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を所定の形状にパター
ン形成すると共に、前記基板を選択的にエッチングする
ことによって前記架橋構造が形成されていることを特徴
とする装置。
4. The crosslinked structure according to claim 3, wherein an insulating layer is formed on the substrate, the insulating layer is patterned into a predetermined shape, and the substrate is selectively etched. A device characterized by being formed.
【請求項5】特許請求の範囲第3項において、前記基板
の1表面上に絶縁層を形成すると共に、その反対表面か
ら前記基板を選択的にエッチングして前記架橋構造を形
成していることを特徴とする装置。
5. The insulating layer according to claim 3, wherein an insulating layer is formed on one surface of the substrate, and the substrate is selectively etched from the opposite surface to form the crosslinked structure. A device characterized by.
【請求項6】特許請求の範囲第3項において、前記堆積
部も前記基板上に設定されていることを特徴とする装
置。
6. The apparatus according to claim 3, wherein the deposition section is also set on the substrate.
【請求項7】特許請求の範囲第2項において、前記光学
的検出手段が反射型であり、前記堆積部上での光の反射
の程度によって堆積の度合を検出することを特徴とする
装置。
7. The apparatus according to claim 2, wherein the optical detecting means is of a reflection type, and the degree of deposition is detected by the degree of reflection of light on the deposition portion.
【請求項8】特許請求の範囲第2項において、前記光学
的検出手段が透過型であり、光が前記堆積部に堆積され
る堆積物を透過する程度によって堆積の度合を検出する
ことを特徴とする装置。
8. The optical detecting means according to claim 2, wherein the optical detecting means is a transmission type, and the degree of deposition is detected by the degree to which light passes through the deposits deposited on the depositing portion. And the device.
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