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JPH0645483B2 - Substrate for liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents
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JPH0645483B2 - Substrate for liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Substrate for liquid crystal display device and manufacturing method thereof

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JPH0645483B2
JPH0645483B2 JP63001576A JP157688A JPH0645483B2 JP H0645483 B2 JPH0645483 B2 JP H0645483B2 JP 63001576 A JP63001576 A JP 63001576A JP 157688 A JP157688 A JP 157688A JP H0645483 B2 JPH0645483 B2 JP H0645483B2
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blocking layer
conductive film
substrate
liquid crystal
groove
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舜平 山崎
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  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 『産業上の利用分野』 本発明は、安価なソーダガラスを用た太陽電池、液晶デ
ィスプレイ装置等に用いられる薄膜のパターニング加工
に際し、フォトレジストを用いることなく線状の開溝形
成をレーザ光により直接描画(パターン形成)を行う。
そしてこの直接描画のために生ずる薄膜とソーダガラス
との間の第1のブロッキング層の除去に伴うナトリウム
イオン等の不純物の外部への滲み出を防ぐために、第2
のブロッキング層を開溝に設ける薄膜を有する基板に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION “Industrial field of application” The present invention relates to a linear pattern without using a photoresist when patterning a thin film used in a solar cell using a cheap soda glass, a liquid crystal display device or the like. The groove formation is directly drawn (pattern formation) with a laser beam.
Then, in order to prevent the leaching of impurities such as sodium ions to the outside due to the removal of the first blocking layer between the thin film and the soda glass generated for this direct writing, the second
The present invention relates to a substrate having a thin film provided with a blocking layer in the groove.

『従来技術』 薄膜のパターニング加工の際にフォトレジストを用いる
方法が知られている。この方法はソーダガラス基板上に
設けられたアルカリ金属元素等の外部への侵入を防ぐ酸
化珪素、リンガラス等のブロッキング層をなんら損なう
ことなしにその上の透明導電膜等の導電膜のパターニン
グを行うことができという特徴を有する。しかしこの方
法は所定の形状にフォトレジストをコートし、このレジ
ストをマスクとし、パターニングを行い、さらにこの後
フォトレジストを除去するという複雑な工程を有する。
このため、安価にパターニングをする方法が求められて
いる。
"Prior Art" A method of using a photoresist for patterning a thin film is known. This method is for patterning a conductive film such as a transparent conductive film on a soda glass substrate without damaging a blocking layer such as silicon oxide or phosphorus glass, which prevents an alkali metal element or the like from entering the outside. It has the feature that it can be performed. However, this method has a complicated step of coating a photoresist in a predetermined shape, using this resist as a mask, patterning, and then removing the photoresist.
Therefore, there is a demand for an inexpensive patterning method.

この安価な方法として、レーザ加工法より直接描画(パ
ターン形成)する方法が知られている。このレーザ加工
方法としては、YAGレーザ(波長1.06μm)を用いる方
法が一般的に有効であるとされている。この赤外線を用
いる方法は、そのレーザ光の光学的エネルギは1.23eV
(1.06μm)しかない。他方、ガラス基板上に形成され
ている被加工物、例えば透光性導電膜(以下CTFとい
う)は3〜4eVの光学的エネルギバンド巾を有する。こ
のため、酸化スズ、酸化インジューム(ITOを含む),
酸化亜鉛(ZnO)等のCTFはYAGレーザ光に対して十分な
光吸収性をもっておらず、レーザ光のエネルギを有効に
使用してはいなかった。また、YAGレーザのQスイッチ
発振を用いるレーザ加工方式においては、パルス光は平
均0.5〜1W(光径50μm、焦点距離40mm、パルス周波
数3KHz、パルス巾60n秒の場合)の強い光エネルギを
走査スピードが30〜60cm/分で加えて加工しなければな
らない。その結果、このレーザ光によりCTFの加工は行
い得るが、同時にその下側に設けられたブロッキング層
を有するソーダガラスに対して、10〜50μmもの深さに
マイクロクラックを発生させ、損傷させてしまった。
As this inexpensive method, there is known a method of directly drawing (pattern forming) by a laser processing method. As this laser processing method, a method using a YAG laser (wavelength 1.06 μm) is generally considered to be effective. This method using infrared rays has an optical energy of the laser light of 1.23 eV
(1.06 μm) only. On the other hand, a work piece formed on the glass substrate, for example, a transparent conductive film (hereinafter referred to as CTF) has an optical energy bandwidth of 3 to 4 eV. Therefore, tin oxide, indium oxide (including ITO),
CTF such as zinc oxide (ZnO) does not have sufficient light absorption for the YAG laser light, and the energy of the laser light has not been effectively used. Moreover, in the laser processing method using the Q switch oscillation of the YAG laser, the pulsed light has a high scanning speed with an average of 0.5 to 1 W (optical diameter 50 μm, focal length 40 mm, pulse frequency 3 KHz, pulse width 60 nsec). Must be added and processed at 30-60 cm / min. As a result, the CTF can be processed by this laser light, but at the same time, soda glass having a blocking layer provided on the lower side thereof causes microcracks to a depth of 10 to 50 μm and damages it. It was

また、前記YAGレーザ以外の照射光として、400nm以下
(エネルギ的には3.1eV以上)の紫外光の波長のパルス
レーザを照射し、20〜50μφのビームスポットではな
く、2〜200μmの巾(例えば10μm),長さ10〜60cm
例えば30cmの線状のパターンに同一箇所に1つまたは数
回のパルスを照射して、線状の開溝を形成して薄膜をパ
ターン加工する方法が知られている。この400nm以下
の波長のパルス光(パルス巾5〜30n秒ときわめて短
い)を線状に照射することにより、CTF等透明な物質で
の光エネルギの吸収効率をYAGレーザ(1.06μm)を用
いた場合の100倍以上に高め、結果として加工速度を10
倍以上に速くすることができる。
Further, as irradiation light other than the YAG laser, a pulse laser having an ultraviolet light wavelength of 400 nm or less (energy is 3.1 eV or more) is irradiated, and not a beam spot of 20 to 50 μφ but a width of 2 to 200 μm (for example, 10 μm), length 10-60 cm
For example, a method is known in which a linear pattern of 30 cm is irradiated with a pulse at the same location once or several times to form a linear groove and a thin film is patterned. The YAG laser (1.06 μm) was used to measure the absorption efficiency of light energy in a transparent substance such as CTF by linearly irradiating this pulsed light with a wavelength of 400 nm or less (pulse width is extremely short, 5 to 30 nsec). More than 100 times higher, resulting in a processing speed of 10
Can be more than twice as fast.

この場合、初期の光源として、一般的にはエキシマレー
ザ光を用いる。このため、初期の光の照射面は矩形を有
し、またその強さも照射面で概略均一である。このため
の巾を広げるいわゆるビームエキスパンダで長方形に大
面積化する。その後、その一方のXまはY方向にそって
筒状の棒状レンズ即ちシリンドリカルレンズにてスリッ
ト状にレーザ光を集光する。
In this case, excimer laser light is generally used as the initial light source. Therefore, the irradiation surface of the initial light has a rectangular shape, and its intensity is also substantially uniform on the irradiation surface. A so-called beam expander that widens the width for this is used to increase the rectangular area. After that, the laser beam is condensed in a slit shape by a cylindrical rod lens, that is, a cylindrical lens along one of the X or Y directions.

かくして2〜200μm例えば10μmの巾の線状の開溝を
作る。
Thus, a linear groove having a width of 2 to 200 μm, for example, 10 μm is formed.

これらレーザ光を用いる方法は、フォトレジストを全く
用いないため、製造工程が容易であるという特徴を有す
る。しかしこのレーザ光により加工して作られた開溝部
では、ブロッキング層も同時に除去されてしまうという
欠点を有する。このため、安価なソーダガラスを用いた
くても、その中に予め混入しているナトリウム等の不純
物イオンの外部への滲み出しに対し、十分な手段がみつ
からなかった。
These methods using laser light have a feature that the manufacturing process is easy because no photoresist is used. However, there is a drawback that the blocking layer is also removed at the groove portion formed by processing with this laser light. Therefore, even if it is desired to use an inexpensive soda glass, a sufficient means cannot be found for exuding impurity ions such as sodium mixed in advance into the outside to the outside.

このような状態の基板を用いて太陽電池、液晶表示装置
その他の電子部品を作製すると、この凹凸に起因する電
極間のショート、断線、色ムラ等が発生し、電子部品の
製造歩留りの低下をまねいていた。
When solar cells, liquid crystal display devices and other electronic components are manufactured using the substrate in such a state, short circuits between electrodes due to the unevenness, disconnection, color unevenness, etc. occur, and the production yield of electronic components decreases. I was imitating.

『発明の目的』 本発明は400μm以下の波長を持つレーザ光にて、ガラ
ス基板特にソーダガラス(アルカリガラスともいう)上
にアルカリイオン等の不純物に対するブロッキング層を
設けた基板上の薄膜、積層体、特に透明導電膜または金
属膜等の導電膜、またはこの下側にカラーフィルタ等の
絶縁膜、またこの上に非単結晶半導体を積層した積層体
を対象材料とし、これらの導電膜または積層体をレーザ
加工し、パターニングする際に、被加工部の開溝付近の
残渣のない良好な被加工面を実現するとともに、基板中
のナトリウム等の不純物が外部に滲み出ることのないよ
うに、第2のブロッキング層、即ちナトリウムに対する
しみだし防止用保護膜を開溝等に設けることを目的とす
る。
[Object of the Invention] The present invention uses a laser beam having a wavelength of 400 μm or less to form a thin film or a laminate on a glass substrate, in particular, a soda glass (also referred to as alkali glass) provided with a blocking layer against impurities such as alkali ions. In particular, a conductive film such as a transparent conductive film or a metal film, or an insulating film such as a color filter below this, or a laminated body in which a non-single crystal semiconductor is laminated thereon When laser processing and patterning, a good work surface with no residue near the open groove of the work part is realized, and impurities such as sodium in the substrate are prevented from seeping out to the outside. The second purpose is to provide a blocking layer (2), that is, a protective film for preventing the exudation of sodium from the groove.

『発明の構成』 上記の目的を達成するため、ソーダガラス等の下地基板
と被加工物である薄膜との間にリン、ナトリウム、ホウ
素が十分少なくしかドーピングされていない酸化珪素等
をブロッキング層(第1のブロッキング層)として設
け、この上に薄膜特にITO,酸化スズ、酸化亜鉛または
これらの積層体、さらにクロム、モリブデン等の金属導
電膜を積層している。また必要に応じ、その下面または
上面に絶縁体または半導体を設けた積層体としてもよ
い。そしてこの導電膜に対し、400μm以下の波長を持
つレーザ光を照射することによって、導電膜に加えてブ
ロッキング層をも同時に照射して除去し、開溝を形成す
る。このため、基板材料からのナトリウム等の不純物の
滲み出を促してしまう。
[Constitution of the Invention] In order to achieve the above object, a blocking layer made of silicon oxide or the like, which is doped with phosphorus, sodium, or boron in a sufficiently small amount, between a base substrate such as soda glass and a thin film to be processed ( As a first blocking layer), a thin film, particularly ITO, tin oxide, zinc oxide or a laminated body thereof, and a metal conductive film such as chromium or molybdenum are laminated thereon. Further, if necessary, it may be a laminated body having an insulator or a semiconductor provided on the lower surface or the upper surface thereof. Then, by irradiating the conductive film with a laser beam having a wavelength of 400 μm or less, the blocking layer as well as the conductive film is simultaneously irradiated and removed to form an open groove. Therefore, the exudation of impurities such as sodium from the substrate material is promoted.

そのため、これら全体に第2のブロッキング層を形成す
る。この第2のブロッキング層は液状の材料を用い、そ
れを塗布、印刷またはコートし、これら全体を加熱処理
し、硬化せしめる。するとレーザ加工部の開溝は凹部を
構成するため、ここの部分は薄膜上に比べて相対的によ
り厚くすることができる。そして好ましくは薄膜上に50
〜300Åの厚さ、例えば200Åである時、100〜600Åの厚
さ(薄膜上が50Åの時は100Åに対応し、300Åの時は60
0Åに対応する)例えば400Åと30%以上も厚めに作るこ
とができる。この厚さのために、基板中のナトリウム等
のアルカリイオンを外部に滲み出す効果を防ぐことが可
能となった。
Therefore, the second blocking layer is formed on all of them. The second blocking layer is made of a liquid material, which is applied, printed or coated, and the whole of them is heat-treated and cured. Then, since the open groove of the laser processing portion constitutes a concave portion, this portion can be made relatively thicker than on the thin film. And preferably 50 on the thin film
~ 300 Å thickness, for example 200 Å, 100 ~ 600 Å thickness (100 Å when 50 Å on the thin film, 60 when 300 Å
Corresponding to 0Å) For example, 400Å can be made 30% thicker. This thickness makes it possible to prevent the effect of exuding alkali ions such as sodium in the substrate to the outside.

さらにこの導電膜の上または下に予め作られている他の
半導体、絶縁物等と合わせて積層体を形成した後、これ
らすべてをレーザ光でパターニングをし、それによって
できた積層体上面、側面および開溝に対しても第2のブ
ロッキング層を充填して形成することが可能である。こ
の時はこの積層体の厚さがより厚くなるため、開溝には
積層体上の第2のブロッキング層の厚さに比べてより厚
く形成し、ナトリウム等の不純物イオンの遮蔽効果をよ
り著しくすることができる。
Furthermore, after forming a laminated body together with other semiconductors, insulators, etc., which are previously formed on or under this conductive film, patterning all of these with a laser beam, and the upper surface and side surface of the laminated body formed by this It is also possible to fill the second blocking layer and form the groove as well. At this time, since the thickness of this laminated body becomes thicker, it is formed in the open groove to be thicker than the thickness of the second blocking layer on the laminated body, so that the effect of shielding impurity ions such as sodium is remarkably increased. can do.

以下に実施例を示す。Examples will be shown below.

『実施例1』 第2図にエキシマレーザを用いた本発明のレーザ加工の
系統図を記す。加工用レーザとしてはエキシマレーザ(1
4)(波長248 nm,Eg=5.0eV)を用いた。このレーザ
は、第3図(A)のように、初期の光ビーム(21)は16mm×2
0mmを有し、効率3%であるため、350mJ(ミリジュー
ル)を有する。さらにこのビームをビームエキスパンダ
(15)にて長面積化または大面積化した。即ち、16mm×30
0mmに拡大した(第3図(22))。この際に5.6×10-2mJ/
mm2をエネルギ密度で得た。
Example 1 FIG. 2 shows a system diagram of laser processing of the present invention using an excimer laser. The excimer laser (1
4) (wavelength 248 nm, Eg = 5.0 eV) was used. This laser has an initial light beam (21) of 16 mm × 2 as shown in Fig. 3 (A).
Since it has 0 mm and the efficiency is 3%, it has 350 mJ (millijoule). Furthermore, this beam is expanded
The area was made longer or larger in (15). That is, 16 mm x 30
It was enlarged to 0 mm (Fig. 3 (22)). At this time, 5.6 × 10 -2 mJ /
mm 2 was obtained in energy density.

次に2mm×300mmの間隔を有するスリット(16)にレーザ
ビームを透過させて2mm×300mmのレーザビーム(23)を
得る。(第3図(C)) 更に、合成石英製のシリンドリカルレンズ(17)にて、加
工面での開溝巾が10μmとなるべく集光(24)した。(第
3図(D))この時使用するスリットの巾は特に決まって
いないが、シリンドリカルレンズの球面収差が影響しな
い程度にレーザビームをしぼる必要がある。また、被加
工物の開溝巾はシリンドリカルレンズの性能により任意
に選択可能である。
Next, the laser beam is transmitted through a slit (16) having an interval of 2 mm × 300 mm to obtain a laser beam (23) of 2 mm × 300 mm. (FIG. 3 (C)) Furthermore, the cylindrical lens (17) made of synthetic quartz was focused (24) so that the groove width on the processed surface was 10 μm. (FIG. 3 (D)) Although the width of the slit used at this time is not particularly determined, it is necessary to narrow down the laser beam to the extent that the spherical aberration of the cylindrical lens does not affect. Further, the groove width of the workpiece can be arbitrarily selected depending on the performance of the cylindrical lens.

第1図は、基板上にスリット状のパルス光を照射し、開
溝(6-1,6-2,6-3,・・・n)を複数個形成したもの
である。即ち、第1図(A)に示される如く、ソーダガラ
ス(青板ガラスともいう)上にブロッキング層(2)(100
〜1500Åの厚さ)例えば酸化珪素を200Åの厚さで有す
る基板を用いる。さらにこの上に導電膜(4)例えば酸化
インジウム・スズまたはクロムを1000〜3000Åの厚さに
形成する。これらに第1図(B)に示す如く、レーザ光を
第2図、第3図の光学系を用いて照射した。
In FIG. 1, a substrate is irradiated with slit-shaped pulsed light to form a plurality of open grooves (6-1, 6-2, 6-3, ... N). That is, as shown in FIG. 1 (A), a blocking layer (2) (100%) is formed on soda glass (also called soda lime glass).
Thickness of up to 1500Å) For example, a substrate having a thickness of 200Å of silicon oxide is used. Further, a conductive film (4), for example, indium tin oxide or chromium is formed on this to a thickness of 1000 to 3000Å. As shown in FIG. 1 (B), these were irradiated with laser light using the optical system shown in FIGS. 2 and 3.

パルス光はKrFエキシマレーザによる248nmの光とし
た。なぜなら、その光の光学的エネルギバンド巾が5.
0eVであるため、被加工物が十分光を吸収し、導電膜の
みを選択的に加工し得るからである。
The pulsed light was 248 nm light from a KrF excimer laser. Because the optical energy bandwidth of the light is 5.
Because it is 0 eV, the work piece absorbs light sufficiently and only the conductive film can be selectively processed.

パルス巾20n秒、繰り返し周波数1〜100Hz、例えば10H
zで光照射を行った。
Pulse width 20 ns, repetition frequency 1-100 Hz, eg 10H
Light irradiation was performed at z.

すると開溝(6-1),(6-2),(6-3)・・・を得る。この
時、開溝内部には残渣物(5-1)およびパターニングされ
た導電膜(4)上に凸部(5-2)を有する。これらを希弗酸
(1/10に水で希釈)で溶去し、さらにアセトン、純水で
十な超音波洗浄を施す。
Then, the open grooves (6-1), (6-2), (6-3) ... Are obtained. At this time, the protrusion (5-2) is formed on the patterned conductive film (4) and the residue (5-1) inside the groove. These are dissolved with diluted hydrofluoric acid (diluted with water to 1/10), and further ultrasonically washed with acetone and pure water.

すると第1図(C)の如く、開溝(6-1),(6-2),(6-3)は溝
のみを有し、残渣物をすべて除去することができた。
Then, as shown in FIG. 1 (C), the open grooves (6-1), (6-2), (6-3) had only grooves, and all the residues could be removed.

しかしこの開溝部ではブロッキング層(2)も同時に除去
されてしまい、かつソーダガラス基板の上部も一部(0.
3〜1μmの深さに)えぐられて露呈してしまってい
る。このため、この第1図(C)の構造のみを用いて液晶
表示装置等を作ると、この基板材料を直接超高純度を要
求する液晶が接することになり、ナトリウムが液晶中に
長期使用に際し滲み出てしまうおそれを有する。
However, in this groove, the blocking layer (2) was also removed at the same time, and part of the upper part of the soda glass substrate (0.
It has been scooped out and exposed (to a depth of 3 to 1 μm). For this reason, when a liquid crystal display device is manufactured using only the structure shown in FIG. 1 (C), the substrate material is directly contacted with the liquid crystal that requires ultra-high purity, and sodium is contained in the liquid crystal during long-term use. There is a risk of exudation.

またイメージセンサ、太陽電池等にこのまま用いると、
この部分よりナトリウムがアモルファス半導体中に滲み
でてしまい、光劣化効果また半導のN型化を促すとにな
ってしまう。
If it is used as it is for image sensors, solar cells, etc.,
Sodium bleeds into the amorphous semiconductor from this portion, which promotes the photodegradation effect and the semiconducting N-type conductivity.

このため、本発明においては、これらの上面に第1図
(D)に示す如く、第2のブロッキング層を形成した。
For this reason, in the present invention, the upper surface of FIG.
As shown in (D), a second blocking layer was formed.

このブロッキング層ポリイミド等のナトリウムをブロッ
キングする有機樹脂、または酸化珪素等の無機材料が好
ましい。これらは原材料状態では液体状(非重合状態ま
たはシラザン等の有機珪化物液の液体状)を有し、その
原材料をこれら全体に50〜250Åの厚さ、例えば導電膜
上に300Å、開溝部に約500Åの厚さに塗布コートする。
この塗布コートはスピナを用いても、また印刷法、コー
ター法、スプレー法を用いてもよい。
This blocking layer is preferably an organic resin such as polyimide that blocks sodium, or an inorganic material such as silicon oxide. These have a liquid state in the raw material state (non-polymerized state or liquid state of an organosilicide liquid such as silazane), and the raw material has a thickness of 50 to 250 Å as a whole, for example, 300 Å on the conductive film, open groove part. Apply a coating thickness of about 500Å.
This coating coat may use a spinner, or a printing method, a coater method, or a spray method.

すると、これらは液状を塗布された面を有するため、凹
部を構成する開溝(6-1),(6-2)・・・により多く塗布さ
れ、より厚く形成することができる。
Then, since these have a surface coated with a liquid, a larger amount can be applied to the open grooves (6-1), (6-2) ... Constituting the concave portion, and the groove can be formed thicker.

さらにこれら液体状の原材料を熱硬化せしめた。例えば
ポリイミド溶液においては、230℃、2時間の加熱焼成
を行う。液体状有機珪素化合物を用いる方法において
も、大気または酸素中に加熱酸化をして固体酸化珪素の
ブロッキング層に変成した。
Further, these liquid raw materials were heat-cured. For example, the polyimide solution is heated and baked at 230 ° C. for 2 hours. Also in the method using a liquid organosilicon compound, heating and oxidation were performed in the atmosphere or oxygen to transform the blocking layer of solid silicon oxide.

かくして第1図(D)に示す如く、溶媒が気化し、また加
熱反応に伴い体積が収縮し緻密になり、アルカリイオン
等の外部へのしみ出しを完全に防ぐことができた。そし
て導電膜中への有機物の下側からのしみ出しはブロッキ
ング層(2)(第1のブロッキング層)にて遮断した。そ
して側周辺および上面からの導電膜または積層体(7)へ
の純物のしみこみは、第2のブロッキング層(8)により
その侵入を遮断した。
Thus, as shown in FIG. 1 (D), the solvent was vaporized, and the volume contracted and became dense due to the heating reaction, and it was possible to completely prevent the alkali ions and the like from seeping out to the outside. Then, the seepage from the lower side of the organic substance into the conductive film was blocked by the blocking layer (2) (first blocking layer). Then, the permeation of pure material into the conductive film or the laminate (7) from the periphery and the upper surface of the side was blocked by the second blocking layer (8).

さらにこの第2のブロッキング層は液晶表示装置におい
ては、その表面を必要に応じてラピング等を施すことに
より、配向膜としても作用させることが有効である。
Further, in the liquid crystal display device, it is effective that the second blocking layer also functions as an alignment film by lapping the surface thereof as necessary.

またこの第2のブロッキング層はCVD法、真空蒸着法を
行ってもよい。しかしかかる方法では開溝を構成する凹
部の厚さが導電膜上の厚さに比べてより薄くなってしま
うという欠点を有する。さらに加えて凹部の溝での厚さ
にむらが生じやすい。理想的には、凹部のすべてをうめ
て、その上面を導電膜上の上面と概略一致せしめるこ
と、また導電膜の端部での局部電界集中を防ぐことが求
められる。このため、液体状の原材料を塗布形成し、こ
れを硬化させるのがより好ましい。
Further, the second blocking layer may be subjected to a CVD method or a vacuum vapor deposition method. However, such a method has a drawback in that the thickness of the concave portion forming the open groove becomes smaller than the thickness on the conductive film. In addition, the thickness of the groove of the recess is likely to be uneven. Ideally, it is required that all of the recesses be filled so that the top surface of the recesses is substantially aligned with the top surface of the conductive film, and that local electric field concentration at the ends of the conductive film is prevented. Therefore, it is more preferable that the liquid raw material is applied and formed, and then cured.

特にこの開溝の巾が50μより20μm、10μm、5μm、
3μmとより小さくし得るに加えて、この開溝内部をよ
り厚く形成させるには、表面張力を用いえる液体状の原
材料の塗布およびこの硬化の工程が好ましい。
Especially, the width of this groove is 20μm, 10μm, 5μm from 50μ,
In order to make the inside of the groove thicker in addition to making it as small as 3 μm, it is preferable to apply a liquid raw material using surface tension and to perform the curing step.

かくして例えば第1図(D)に示された縦断面図の基板を
互いに2μmの巾に離間し、マトリックス構成をさせて
配列せしめ、その間に液晶材料を充填することにより、
マトリックス表示がし得る液晶表示装置を作ることがで
きた。
Thus, for example, the substrates of the vertical sectional view shown in FIG. 1 (D) are spaced apart from each other by a width of 2 μm, arranged in a matrix configuration, and filled with a liquid crystal material between them.
A liquid crystal display device capable of matrix display could be made.

この場合、一方の基板側は酸化珪素で第2のブロッキン
グ層を構成せしめ、他方の基板はポリイミド有機樹脂で
第2のブロッキング層を構成せしめた。そして有機樹脂
側をラビング処理した。かくすることにより、この配向
膜は50℃で1000時間高温処理しても、表示部のコントラ
ストは20を有し、その値にはなんら劣化がみられなかっ
た。
In this case, one substrate side was made of silicon oxide to form the second blocking layer, and the other substrate was made of polyimide organic resin to form the second blocking layer. Then, the organic resin side was rubbed. By doing so, even if this alignment film was subjected to high temperature treatment at 50 ° C. for 1000 hours, the contrast of the display portion was 20, and the value was not deteriorated at all.

第1図(D)において、この溝によって分離されたITO(4-
1),(4-2)間に50Vの直流電圧を加えITO間に流れる電流
を100ケ所測定を行ったところ、全て1〜2×10-9
(長さ30cm、巾10μmの開溝間のリーク電流)の範囲の
値であり、それらは第2のブロッキング層が表面リーク
をも防いでいるため、得られた値が一定値を示し、実用
上何らの支障もなかった。
In Fig. 1 (D), the ITO (4-
A DC voltage of 50 V was applied between 1) and (4-2), and the current flowing between ITO was measured at 100 locations. All were 1 to 2 × 10 -9 A
The values are in the range of (leakage current between open grooves with a length of 30 cm and a width of 10 μm). Since the second blocking layer also prevents surface leakage, the obtained values show a constant value and are practically used. There was no hindrance.

『効果』 本発明により、レーザ加工において導電膜、積層体の外
周辺のすべてをブロッキング層で覆うため、隣同志の導
体間のリークをより少なくできる。
[Effect] According to the present invention, since the conductive film and the outer periphery of the laminated body are all covered with the blocking layer in the laser processing, it is possible to further reduce the leakage between adjacent conductors.

本発明により従来法では存在した加工溝の周辺に残る残
渣等が発生せず良好な被加工面が得られた。
According to the present invention, a good surface to be processed was obtained without any residue or the like remaining around the existing processing grooves which were present in the conventional method.

この結果、電極間のショート、断線がなく、またITO
間の絶縁を十にとることができた。
As a result, there is no short circuit between electrodes or disconnection, and the ITO
I was able to get enough insulation between them.

本発明において、導電膜はITO,SiO2,ZnOまたはこれら
の多層膜、さらに金属であるクロム、モリブデン等を用
いてもよい。
In the present invention, the conductive film may be made of ITO, SiO 2 , ZnO, or a multilayer film of these, or metal such as chromium or molybdenum.

またこれら導電膜の上側または下側にカラーフィルタの
機能を有する絶縁膜を積層して、これら導電膜上を同一
形状に構成させることは有効である。
Further, it is effective to stack an insulating film having a function of a color filter on the upper side or the lower side of these conductive films so that the conductive films have the same shape.

さらにこの導電膜の上側に非単結晶半導体を積層し、さ
らにその上に他の導電膜を構成させてイメージセンサに
用いることは有効である。
Further, it is effective to stack a non-single-crystal semiconductor on the upper side of this conductive film and further form another conductive film on it to use it for an image sensor.

本発明はこれらの積層体のすべてを覆って第2のブロッ
キング層を設けて高信頼性化をはかったものであり、安
価なソーダガラス基板を用いても高信頼性を得ることが
できた。
In the present invention, the second blocking layer is provided so as to cover all of these laminated bodies to achieve high reliability, and high reliability can be obtained even when an inexpensive soda glass substrate is used.

本発明で開溝と開溝間の巾(加工せずに残す面積)が多
い場合を記した。しかし光照射を隣合わせて連結化する
とより、逆に例えば、残っている面を20μm、除去する
部分を400μmとすることも可能である。
In the present invention, the case where the width between the open grooves (the area to be left without processing) is large is described. However, it is also possible to make the remaining surface 20 μm and the removed portion 400 μm, for example, by concatenating the light irradiations side by side.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の導電膜を有する基板の作製方法を示
す。 第2図は本発明で用いたレーザ加工系の概要を示す。 第3図はレーザ光のビーム形状を示す。
FIG. 1 shows a method for manufacturing a substrate having a conductive film of the present invention. FIG. 2 shows an outline of the laser processing system used in the present invention. FIG. 3 shows the beam shape of the laser light.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ナトリュームを含む基板と、 前記ナトリュームが外部にしみ出すことを防ぐための第
1のブロッキング層と、 該第1のブロッキング層上の導電膜と、 を有した多層膜を有し、 前記導電膜をパターニングした際その側周辺の前記導電
膜の除去された開溝に前記ナトリュームが外部にしみ出
すことを防ぐための第2のブロッキング層を有し、 前記第2のブロッキング層は前記導電膜を覆って設けら
れており、 前記第2のブロッキング層の前記開溝部での厚さは前記
導電膜上の厚さに比べてより厚く設けられたことを特徴
とする薄膜を有する液晶表示装置用基板。
1. A multilayer film comprising: a substrate containing a sodium, a first blocking layer for preventing the sodium from exuding to the outside, and a conductive film on the first blocking layer. When the conductive film is patterned, a second blocking layer for preventing the sodium from exuding to the outside is formed in the removed groove of the conductive film around the side, and the second blocking layer is The thin film is provided so as to cover the conductive film, and the thickness of the second blocking layer in the groove is larger than that on the conductive film. Substrate for liquid crystal display device.
【請求項2】特許請求の範囲第1項において、第2のブ
ロッキング層は酸化珪素、窒化珪素またはアルミナ等の
無機材料またはポリイミド等の有機樹脂材料よりなるこ
とを特徴とする液晶表示装置用基板。
2. The substrate for a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second blocking layer is made of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride or alumina, or an organic resin material such as polyimide. .
【請求項3】特許請求の範囲第1項において、導電膜は
透光性導電膜よりなり、第2のブロッキング層は液晶配
向膜よりなることを特徴とする液晶表示装置用基板。
3. The substrate for a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the conductive film is a translucent conductive film and the second blocking layer is a liquid crystal alignment film.
【請求項4】ガラス基板上に第1のブロッキング層を形
成し、前記ブロッキング層上に導電膜を形成し、前記導
電膜の上面または下面に半導体または絶縁体を設けるこ
とにより積層体を構成する工程と、 該積層体をレーザー光でパターニングをし、前記積層体
を選択的に除去し開溝を形成する工程と、 前記積層体を覆って液状の材料を塗布、印刷またはコー
トし、さらに加熱処理をして硬化させることにより第2
のブロッキング層を形成する工程と、 を有し、 前記開溝部での前記第2のブロッキング層の厚さを前記
積層体上の厚さに比べてより厚く形成することを特徴と
する液晶表示装置用基板の作製方法。
4. A laminate is formed by forming a first blocking layer on a glass substrate, forming a conductive film on the blocking layer, and providing a semiconductor or an insulator on the upper surface or the lower surface of the conductive film. A step of patterning the laminated body with a laser beam to selectively remove the laminated body to form an opening groove; a step of coating, printing or coating a liquid material covering the laminated body, and further heating Second by curing by processing
Forming a blocking layer of the liquid crystal display, wherein the thickness of the second blocking layer in the groove is thicker than the thickness on the laminate. A method for manufacturing a device substrate.
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