JPH0645579B2 - Base precursor - Google Patents
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- JPH0645579B2 JPH0645579B2 JP61242798A JP24279886A JPH0645579B2 JP H0645579 B2 JPH0645579 B2 JP H0645579B2 JP 61242798 A JP61242798 A JP 61242798A JP 24279886 A JP24279886 A JP 24279886A JP H0645579 B2 JPH0645579 B2 JP H0645579B2
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Description
【発明の詳細な説明】 [発明の分野] 本発明は、塩基プレカーサーに関し、さらに詳しくは熱
現像型記録材料に好ましく用いることができる塩基プレ
カーサーに関する。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a base precursor, and more particularly to a base precursor that can be preferably used in a heat-developable recording material.
[発明の背景] 塩基は、種々の反応(例、加水分解反応、重合反応、呈
色反応、酸化還元反応、中和反応等)に用いられる非常
に汎用な試薬である。例えば、銀塩写真、ジアゾ写真等
の各種記録材料には、画像形成時に塩基を必要とするも
のが多い。Background of the Invention A base is a very general-purpose reagent used in various reactions (eg, hydrolysis reaction, polymerization reaction, color reaction, redox reaction, neutralization reaction, etc.). For example, many recording materials such as silver salt photographs and diazo photographs require a base during image formation.
記録材料の画像形成(文字形成を含む)において、現像
液を用いた現像処理のような湿式の画像形成処理を行な
う場合、塩基は一般にこの処理液(現像液)中に含ませ
ておく。これに対して、加熱等による簡易な湿式の画像
形成処理を行なう場合には、一般に記録材料中に塩基を
内蔵させる必要がある。しかし、記録材料中に塩基をそ
のまま内蔵させると、記録材料の保存期間中に、塩基が
他の成分に悪影響を与えたり、塩基自体が劣化する等、
経時安定性に関する問題があった。When a wet image forming process such as a developing process using a developing solution is performed in image forming (including character forming) of a recording material, a base is generally contained in this processing solution (developing solution). On the other hand, when performing a simple wet image forming process by heating or the like, it is generally necessary to incorporate a base in the recording material. However, if the base is incorporated in the recording material as it is, during the storage period of the recording material, the base may adversely affect other components, or the base itself may deteriorate.
There was a problem with stability over time.
上記問題を解決する手段としては、保存時には中性また
は弱塩基性であり、画像形成時に塩基を生成させること
ができる前駆体(塩基プレカーサー)を塩基に代えて用
いる方法が考えられる。特に、熱現像型の記録材料に好
ましく用いることができる熱分解型塩基プレカーサー
は、様々な種類の化合物が研究、開発されている。従来
知られている塩基プレカーサーの例としては、尿素また
は尿素と弱酸のアンモニウム塩(特公昭40−1699
号)、ヘキサメチレンテトラミンまたはセミカルバジド
(米国特許第3157503号)、トリアジン化合物と
カルボン酸(米国特許第3493374号)、ジシアン
ジアミド誘導体(米国特許第3271155号)、N−
スルホニル尿素類(米国特許第3420665号)、ア
ミンイミド類(リサーチ・ディスクロージャー誌、15
776号、1977年)、トリクロロ酢酸に代表される
熱分解性の酸(英国特許第998949号)等を挙げる
ことができる。As a means for solving the above-mentioned problem, a method of using a precursor (base precursor), which is neutral or weakly basic during storage and can generate a base during image formation, instead of the base is considered. In particular, various types of compounds have been researched and developed for the thermal decomposition type base precursor which can be preferably used for the thermal development type recording material. Examples of conventionally known base precursors include urea or an ammonium salt of urea and a weak acid (Japanese Patent Publication No. 40-1699).
No.), hexamethylenetetramine or semicarbazide (US Pat. No. 3,157,503), triazine compounds and carboxylic acids (US Pat. No. 3,493,374), dicyandiamide derivatives (US Pat. No. 3,271,155), N-
Sulfonylureas (US Pat. No. 3,420,665), amine imides (Research Disclosure, 15
776, 1977), thermally decomposable acids represented by trichloroacetic acid (British Patent No. 998949), and the like.
しかし、これらの塩基プレカーサーは、いずれも保存中
の安定性と画像形成時における分解(塩基生成)の迅速
性という二つの要求を充分に両立してはいなかった。However, none of these base precursors has sufficiently fulfilled the two requirements of stability during storage and rapid decomposition (base generation) during image formation.
[発明の要旨] 本発明者は、前述した塩基プレカーサーのうち、画像形
成時における塩基生成が比較的迅速であるもの(上記の
ように、これは一般に保存中の安定性は低い)を用い
て、これを記録材料中の他の成分から隔離する(例、微
粒子状分散物とする、マイクロカプセルに収容する等)
ことにより、保存中の安定性と画像形成時における塩基
生成の迅速性を両立させようと試みた。しかし、前述し
た塩基プレカーサーは、いずれも疎水性が不充分である
ため、記録材料中の他の成分から有効に隔離することは
困難であることが明らかとなった。[Summary of the Invention] Among the above-mentioned base precursors, the present inventor has used one having a relatively rapid base generation during image formation (as described above, this is generally low in stability during storage). , Isolate it from other components in the recording material (eg, as a fine particle dispersion, store in microcapsules, etc.)
Therefore, we attempted to achieve both stability during storage and rapidity of base generation during image formation. However, it has been revealed that it is difficult to effectively separate the above-mentioned base precursors from other components in the recording material because the hydrophobicity is insufficient.
記録材料の一般的な製造方法は、記録材料の構成成分を
水性溶媒中に溶解、乳化あるいは分散させた塗布液を調
製し、そして塗布液を支持体上に塗布、乾燥する工程か
らなるものである。本発明者の研究により、マイクロカ
プセル等の隔離手段を施しても、塩基プレカーサーの疎
水性が不充分であると、塩基プレカーサーが塗布液中に
溶解することによって、結果として塩基プレカーサーの
一部が構成成分と接触した状態で導入された記録材料が
製造されてしまうことが判明した。A general method for producing a recording material comprises the steps of dissolving, emulsifying or dispersing the constituents of the recording material in an aqueous solvent to prepare a coating solution, coating the coating solution on a support, and drying. is there. According to the study of the present inventor, even if isolation means such as microcapsules is applied, if the hydrophobicity of the base precursor is insufficient, the base precursor is dissolved in the coating solution, and as a result, part of the base precursor is dissolved. It has been found that the recording material introduced is produced in contact with the constituents.
本発明の目的は、塩基プレカーサーの本来の目的である
元の塩基の塩基性を弱めたことに加えて、疎水性を高め
た塩基プレカーサーを提供することである。It is an object of the present invention to provide a base precursor having improved hydrophobicity in addition to weakening the basicity of the original base which is the original purpose of the base precursor.
さらに、本発明の目的は、加熱により迅速に塩基を生成
することができる塩基プレカーサーを提供することでも
ある。Further, an object of the present invention is to provide a base precursor which can rapidly generate a base by heating.
本発明は、下記式(I)で表わされる化合物からなるこ
とを特徴とする塩基プレカーサーを提供するものであ
る。The present invention provides a base precursor comprising a compound represented by the following formula (I).
[上記式(I)において、 R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル
基、アリールスルホニル基、および複素環残基からなる
群より選ばれる一価の基であり(各基は一個以上の置換
基を有していてもよい)、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、そして Bは、第一アミン、第二アミン、アミジン誘導体、およ
びグアニジン誘導体からなる群より選ばれる有機塩基か
ら、窒素原子に結合している水素原子を一個除いた原子
団に相当する一価の基である] なお、上記式(I)におけるBに誘導される有機塩基
は、pKa値が12以上である強塩基であることが、特
に好ましい。 [In the above formula (I), R 1 is one selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, an arylsulfonyl group, and a heterocyclic residue. A valent group (each group may have one or more substituents), X is an oxygen atom or a sulfur atom, and B is a primary amine, a secondary amine, an amidine derivative, and It is a monovalent group corresponding to an atomic group obtained by removing one hydrogen atom bonded to a nitrogen atom from an organic base selected from the group consisting of guanidine derivatives.] In addition, it is derived from B in the above formula (I). It is particularly preferable that the organic base is a strong base having a pKa value of 12 or more.
[発明の効果] 本発明の塩基プレカーサーは、有機塩基を尿素誘導体ま
たはチオ尿素誘導体に変換することによって、その塩基
性を弱めると共に、疎水性を高めたものである。[Effects of the Invention] The base precursor of the present invention has its basicity weakened and its hydrophobicity increased by converting an organic base into a urea derivative or a thiourea derivative.
本発明の塩基プレカーサーは、疎水性を高めたことによ
って、前述したような記録材料の製造時において、塩基
プレカーサーが塗布液中に溶解するために塩基プレカー
サーが記録材料の構成成分と接触することを有効に防止
することができる。従って、本発明の塩基プレカーサー
は、元の塩基の塩基性を弱めることによって記録材料の
保存安定性を高めるという通常の塩基プレカーサーの効
果に加えて、塩基プレカーサーと他の構成成分の接触を
原因とする記録材料の保存安定性の低下も回避できると
いう利点を有する。The base precursor of the present invention has improved hydrophobicity so that the base precursor may come into contact with the constituents of the recording material during the production of the recording material as described above because the base precursor is dissolved in the coating liquid. It can be effectively prevented. Therefore, the base precursor of the present invention, in addition to the effect of the usual base precursor of enhancing the storage stability of the recording material by weakening the basicity of the original base, due to the contact of the base precursor and other components This has the advantage that it is possible to avoid a decrease in storage stability of the recording material.
また、本発明の塩基プレカーサーは、加熱により容易か
つ迅速に塩基を放出するため、熱現像型の記録材料に好
ましく用いることができる。特に、上記式(I)におけ
るBに誘導される有機塩基(生成する塩基に相当する)
が、pKa値が12以上である強塩基である場合は、強
塩基を生成することができる利点に加えて、加熱による
塩基の放出が特に迅速に進行するという利点もある。Further, the base precursor of the present invention releases the base easily and quickly by heating, so that it can be preferably used for a heat-developable recording material. In particular, an organic base derived from B in the above formula (I) (corresponding to a generated base)
However, in the case of a strong base having a pKa value of 12 or more, in addition to the advantage that a strong base can be produced, there is also an advantage that the release of the base by heating proceeds particularly rapidly.
なお、本発明の塩基プレカーサーは、第一アミン、第二
アミン、アミジン誘導体、およびグアニジン誘導体から
なる群より選ばれる様々な種類の有機塩基のプレカーサ
ーとして適用することができるため、塩基を必要とする
反応系に最も適した有機塩基を任意に生成させることが
できる利点もある。The base precursor of the present invention requires a base because it can be applied as a precursor of various kinds of organic bases selected from the group consisting of primary amines, secondary amines, amidine derivatives, and guanidine derivatives. There is also an advantage that an organic base most suitable for the reaction system can be arbitrarily generated.
[発明の詳細な記述] 本発明の塩基プレカーサーは、下記式(I)で表わされ
る化合物からなるものである。Detailed Description of the Invention The base precursor of the present invention comprises a compound represented by the following formula (I).
上記式(I)におけるR1は、水素原子、アルキル基
(好ましくは炭素原子数1乃至18)、シクロアルキル
基(例、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマ
ンチル基)、アルケニル基(好ましくは炭素原子数2乃
至18)、アルキニル基(好ましくは炭素原子数2乃至
18)、アリール基(例、フェニル基、ナフチル基、ア
ントラシル基)、アラルキル基(例、ベンジル基、ジフ
ェニルメチル基、トリフェニルメチル基、9−フルオレ
ニル基、フェネチル基)、アリールスルホニル基(例、
ベンゼンスルホニル基、p−トルエンスルホニル基)、
アリールスルホニル基(例、ベンゼンスルホニル基、p
−トルエンスルホニル基)、および複素環残基(例、ピ
リジル基、ピペリジル基、ピロリル基、ピロリジル基、
キノリル基、アクリジル基、インドリル基、ベンゾチオ
フェニル基、ベンズイミダゾリル基)からなる群より選
ばれる一価の基である。 R 1 in the above formula (I) is a hydrogen atom, an alkyl group (preferably having 1 to 18 carbon atoms), a cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group), an alkenyl group (preferably having a carbon atom number). 2 to 18), alkynyl group (preferably having 2 to 18 carbon atoms), aryl group (eg, phenyl group, naphthyl group, anthracyl group), aralkyl group (eg, benzyl group, diphenylmethyl group, triphenylmethyl group, 9-fluorenyl group, phenethyl group), arylsulfonyl group (eg,
Benzenesulfonyl group, p-toluenesulfonyl group),
Arylsulfonyl group (eg, benzenesulfonyl group, p
-Toluenesulfonyl group), and a heterocyclic residue (eg, pyridyl group, piperidyl group, pyrrolyl group, pyrrolidyl group,
And a monovalent group selected from the group consisting of quinolyl group, acridyl group, indolyl group, benzothiophenyl group, and benzimidazolyl group.
上記R1を構成することができる各基のうちでは、アル
キル基、シクロアルキル基、アリール基、およびアラル
キル基が特に好ましい。また、R1の炭素原子数(置換
基を有する場合は、置換基の炭素原子数を含む)は、6
以上であることが好ましい。Among the groups that can form R 1 above, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, and an aralkyl group are particularly preferable. The number of carbon atoms of R 1 (including the number of carbon atoms of the substituent when it has a substituent) is 6
The above is preferable.
R1を構成することができる各基は、一個以上の置換基
を有していてもよい。この置換基については特に制限は
ないが、疎水性基であることが好ましい。アルキル基、
シクロアルキル基、アルケニル基、およびアルキニル基
を置換することができる置換基の例としては、ハロゲン
原子、アミノ基、アルキルアミノ基、ヒドロキシル基、
アシルアミノ基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、
ニトロ基、シアノ基、アシルオキシ基、ジアルキルカル
バモイル基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルスル
ファモイル基、アルキルカルボニル基等を挙げることが
できる。アリール基、アラルキル基、および複素環残基
を置換することができる置換基の例としては、上記各置
換基に加えて、アルキル基、シクロアルキル基、アルケ
ニル基、およびアルキニル基を挙げることができる。Each group that can form R 1 may have one or more substituents. The substituent is not particularly limited, but it is preferably a hydrophobic group. An alkyl group,
Examples of the substituent capable of substituting the cycloalkyl group, the alkenyl group, and the alkynyl group include a halogen atom, an amino group, an alkylamino group, a hydroxyl group,
Acylamino group, alkoxy group, dialkylamino group,
Examples thereof include a nitro group, a cyano group, an acyloxy group, a dialkylcarbamoyl group, an alkoxycarbonyl group, a dialkylsulfamoyl group and an alkylcarbonyl group. Examples of the substituent capable of substituting the aryl group, the aralkyl group, and the heterocyclic residue include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, and an alkynyl group in addition to the above-mentioned respective substituents. .
前述した式(I)におけるXは、酸素原子または硫黄原
子である。Xは、酸素原子である方が好ましい。X in the above formula (I) is an oxygen atom or a sulfur atom. X is preferably an oxygen atom.
前述した式(I)におけるBは、第一アミン、第二アミ
ン、アミジン誘導体、およびグアニジン誘導体からなる
群より選ばれる有機塩基から、窒素原子に結合している
水素原子を1個除いた原子団に相当する一価の基であ
る。B in the above formula (I) is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom bonded to a nitrogen atom from an organic base selected from the group consisting of primary amine, secondary amine, amidine derivative, and guanidine derivative. Is a monovalent group equivalent to.
上記有機塩基(生成する塩基に相当する)が第一アミン
または第二アミンである場合には、Bは下記式(IV)で
表わすことができる。When the organic base (corresponding to the generated base) is a primary amine or a secondary amine, B can be represented by the following formula (IV).
[下記式(IV)において、 R41およびR42は、水素原子(ただし、R41とR
42が共に水素原子であることはない)、アルキル基、
シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ
ール基、アラルキル基、および複素環残基からなる群よ
り選ばれる一価の基であるか(各基は一個以上の置換基
を有していてもよい)、あるいは、 R41とR42が隣接する窒素原子と共に、複素環残基
(複素環残基は一個以上の置換基を有していてもよい)
を形成する] 上記R41およびR42を構成することができる各基の
うちでは、アルキル基、シクロアルキル基、およびアラ
ルキル基が特に好ましい。 [In the following formula (IV), R 41 and R 42 are each a hydrogen atom (provided that R 41 and R 42 are
42 are not both hydrogen atoms), an alkyl group,
Is it a monovalent group selected from the group consisting of a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a heterocyclic residue (each group may have one or more substituents) ) Or a heterocyclic residue together with a nitrogen atom in which R 41 and R 42 are adjacent (the heterocyclic residue may have one or more substituents)
Of the respective groups that can form R 41 and R 42 , an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aralkyl group are particularly preferable.
置換基については特に制限はないが、上記式(IV)の窒
素原子に隣接しているR41またはR42の炭素原子は
イミノ基を有していることが好ましい(この場合につい
ては、式(II)を用いて後述する)。The substituent is not particularly limited, but the carbon atom of R 41 or R 42 adjacent to the nitrogen atom of the above formula (IV) preferably has an imino group (in this case, the formula (IV II) will be described later).
前述したように、有機塩基はpKa値が12以上である
強塩基であることが、特に好ましい。以上の点から、式
(I)におけるBは、アミジン誘導体またはグアニジン
誘導体から窒素原子に結合している水素原子を一個除い
た原子団に相当する一価の基であることが好ましい。上
記アミジン誘導体またはグアニジン誘導体は、下記下記
式(II)で表わされる。As mentioned above, it is particularly preferable that the organic base is a strong base having a pKa value of 12 or more. From the above points, B in the formula (I) is preferably a monovalent group corresponding to an atomic group obtained by removing one hydrogen atom bonded to a nitrogen atom from an amidine derivative or a guanidine derivative. The above-mentioned amidine derivative or guanidine derivative is represented by the following formula (II).
[上記式(II)において、 R21、R22、およびR23は、水素原子(ただし、
R21、R22、およびR23のうち少なくとも一つは
水素原子である)、アルキル基、シクロアルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル
基、および複素環残基からなる群より選ばれる一価の基
であり(各基は一個以上の置換基を有していてもよ
い)、 R24は、水素原子、アミノ基、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、
アラルキル基、および複素環残基からなる群より選ばれ
る一価の基であるか(各基は一個以上の置換基を有して
いてもよい)、あるいは R21とR22、R21とR23、R22とR24、ま
たはR23とR24が互いに結合して複素環を形成す
る] 上記R23を構成することができる各基のうちでは、ア
ミノ基(置換基を有する場合を含む)が特にに好まし
い。すなわち、上記式(II)におけるR24は、下記式
(III)で表わされる一価の基であることがさらに好ま
しい。式(II)におけるR24が、下記式(III)で表
わされる一価の基である場合、塩基として非常に強い塩
基性を示すグアニジン誘導体を生成させることができ
る。 [In the above formula (II), R 21 , R 22 , and R 23 are each a hydrogen atom (provided that
At least one of R 21 , R 22 , and R 23 is a hydrogen atom), an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a heterocyclic residue. R 24 is a hydrogen atom, an amino group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, or an aryl group, wherein each group may have one or more substituents. ,
Is a monovalent group selected from the group consisting of an aralkyl group and a heterocyclic residue (each group may have one or more substituents), or is R 21 and R 22 , R 21 and R 23 , R 22 and R 24 , or R 23 and R 24 are bonded to each other to form a heterocycle] Of the respective groups capable of forming R 23 , an amino group (including a case having a substituent is included. ) Is particularly preferable. That is, R 24 in the above formula (II) is more preferably a monovalent group represented by the following formula (III). When R 24 in the formula (II) is a monovalent group represented by the following formula (III), it is possible to produce a guanidine derivative having extremely strong basicity as a base.
[上記式(III)において、 R31およびR32は、水素原子、アルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール
基、アラルキル基、および複素環残基からなる群より選
ばれる一価の基であるか(各基は一個以上の置換基を有
していてもよい)、あるいは、 R31とR32が隣接する窒素原子と共に、複素環残基
(複素環残基は一個以上の置換基を有していてもよい)
を形成する] 上記R31およびR32を構成することができる各基の
うちでは、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、および
複素環残基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル
基、およびアラルキル基が特に好ましい。 [In the above formula (III), R 31 and R 32 are each a monovalent group selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a heterocyclic residue. Or each group may have one or more substituents, or R 31 and R 32 together with the adjacent nitrogen atom may form a heterocyclic residue (wherein the heterocyclic residue is one or more It may have a substituent)
Of the respective groups capable of forming R 31 and R 32 , an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a heterocyclic residue are preferable, and an alkyl group is preferable. Groups, cycloalkyl groups, and aralkyl groups are especially preferred.
なお、本発明の塩基プレカーサーを構成する前述した式
(I)で表わされる化合物は、下記式(V)で表わされ
るように、互いに結合して1モル当り2モル以上の塩基
を放出するプレカーサーを形成してもよい。The compound represented by the above-mentioned formula (I) which constitutes the base precursor of the present invention is a precursor which, as represented by the following formula (V), binds with each other to release 2 mol or more of a base per mol. You may form.
[上記式(V)において、 XおよびBは、それぞれ前述した式(I)におけるXお
よびBと同様の定義を有し、 R5は、前述した式(I)におけるR1を構成すること
ができる各基から誘導されるn価の基であり、そして nは、2以上の整数(好ましくは2乃至6)である] また、前述した式(I)おけるBが式(II)で表わされ
る化合物から誘導される一価の基であり、さらに、式
(II)におけるR24が式(III)で表わされる一価の
基である場合(生成する塩基がグアニジン誘導体である
場合)は、下記式(VI)で表わされるように、グアニジ
ン誘導体の二つのアミノ基(置換基を有する場合を含
む)の双方を、本発明の塩基プレカーサーに従いブロッ
クしてもよい。 [In the above formula (V), X and B have the same definitions as X and B in the above formula (I), respectively, and R 5 may constitute R 1 in the above formula (I). It is an n-valent group derived from each possible group, and n is an integer of 2 or more (preferably 2 to 6)] Further, B in the above formula (I) is represented by the formula (II). When it is a monovalent group derived from a compound and R 24 in the formula (II) is a monovalent group represented by the formula (III) (when the generated base is a guanidine derivative), As shown in formula (VI), both of the two amino groups of the guanidine derivative (including those having a substituent) may be blocked according to the base precursor of the present invention.
[上記式(VI)において、 R61およびR62は、前述した式(I)におけるR1
と同様の定義を有し、 Xは、それぞれ前述した式(I)におけるXと同様の定
義を有し、 R63、R64およびR65は、前述した式(II)にお
けるR21、R22、およびR23と同様の定義を有す
る] 前述したように、式(I)で表わされる化合物から放出
される塩基(H−Bに相当する)は、pKa値が12以
上の強塩基であることが好ましい。上記pKa値は13
以上であることが、さらに好ましい。 [In the above formula (VI), R 61 and R 62 are the same as R 1 and R 62 in the above formula (I).
X has the same definition as X in formula (I) described above, and R 63 , R 64, and R 65 represent R 21 and R 22 in formula (II) described above. , And R 23. ] As described above, the base released from the compound represented by the formula (I) (corresponding to HB) is a strong base having a pKa value of 12 or more. Is preferred. The above pKa value is 13
It is more preferable that the above is satisfied.
式(I)で表わされる化合物の融点は、50℃乃至15
0℃であることが好ましく、80℃乃至120℃である
ことがさらに好ましい。また、式(I)で表わされる化
合物の総炭素原子数は、20以上であることが好まし
く、30以上であることがさらに好ましい。The melting point of the compound represented by formula (I) is 50 ° C to 15 ° C.
The temperature is preferably 0 ° C, more preferably 80 ° C to 120 ° C. The total number of carbon atoms of the compound represented by formula (I) is preferably 20 or more, more preferably 30 or more.
以下、式(I)で表わされる化合物の代表的な具体例を
示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。Hereinafter, typical specific examples of the compound represented by the formula (I) will be shown, but the present invention is not limited thereto.
(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) 以上述べたような式(I)で表わされる化合物は、H−
Bに相当する有機塩基を任意の溶媒(例、塩化メチレ
ン、酢酸エチル等)中に溶解させ、R1−N=C=Xに
相当するイソシアナートまたはイソチオシアナートを低
温(好ましくは10℃以下)条件下で滴下、攪拌するこ
とで容易に製造することができる。(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (33) (34) (35) (36) (37) (38) (39) (40) (41) (42) (43) The compound represented by the formula (I) as described above is H-
The organic base corresponding to B is dissolved in any solvent (eg, methylene chloride, ethyl acetate, etc.), and the isocyanate or isothiocyanate corresponding to R 1 -N = C = X is dissolved at a low temperature (preferably 10 ° C or lower). ) It can be easily produced by dropping and stirring under the conditions.
以下に、塩基プレカーサー(2)、(17)、および
(19)の合成例を示す。他の塩基プレカーサーも同様
の方法で合成することができる。The synthesis examples of the base precursors (2), (17), and (19) are shown below. Other base precursors can be synthesized by the same method.
[合成例1] 塩基プレカーサー(2)の合成 1,2,3−トリシロクヘキシルグアニジン86gを3
00mlの塩化メチレンに溶かし、シクロヘキシルイソシ
アナート35.3gを10℃以下で添加した。そのまま
1時間攪拌したのち、溶媒を留去すると、結晶が得られ
た。これをヘキサンを用いて再結晶化すると、塩基プレ
カーサー(2)の白色結晶50gが得られた。融点は8
8乃至93℃であった。[Synthesis Example 1] Synthesis of Base Precursor (2) 86 g of 1,2,3-tricyclohexylguanidine was added to 3
This was dissolved in 00 ml of methylene chloride, and 35.3 g of cyclohexyl isocyanate was added at 10 ° C or lower. After stirring for 1 hour as it was, the solvent was distilled off to obtain crystals. When this was recrystallized using hexane, 50 g of white crystals of the base precursor (2) were obtained. Melting point is 8
It was 8 to 93 ° C.
[合成例2] 塩基プレカーサー(17)の合成 1,2,3−トリシクロヘキシルグアニジン80gを、
アルミナのドライカラムクロマトグラフィーを用いて精
製した塩化メチレン400mlに溶かし、キシリレンジイ
ソシアナート25gを内温10℃に保ちながら滴下し
た。これを室温にて1時間攪拌したのち、溶媒を留去
し、残渣にヘキサンを加え、不溶分を濾別した。溶媒を
減圧下で留去すると、塩基プレカーサー(17)の結晶
45gが得られた。融点は118乃至123℃であっ
た。Synthesis Example 2 Synthesis of Base Precursor (17) 80 g of 1,2,3-tricyclohexylguanidine
It was dissolved in 400 ml of methylene chloride purified by dry column chromatography of alumina, and 25 g of xylylene diisocyanate was added dropwise while keeping the internal temperature at 10 ° C. After stirring this at room temperature for 1 hour, the solvent was distilled off, hexane was added to the residue, and the insoluble matter was filtered off. The solvent was distilled off under reduced pressure to obtain 45 g of crystals of the base precursor (17). The melting point was 118 to 123 ° C.
[合成例3] 塩基プレカーサー(19)の合成 1,2,3−トリシクロヘキシルグアニジン151.5
gを酢酸エチル1000mlに溶かし、タケネートD−1
10N(武田薬品工業(株)製)182gを徐々に加え
た。これを1時間攪拌したのち、減圧下で全体が400
mlとなるまで溶媒を留去した。これを2のヘキサンに
注入すると、粘性の不溶解分が沈殿した。この上澄み液
をデカンテーションで除き、さらに1のヘキサンを加
えて強く攪拌すると、塩基プレカーサー(19)が不溶
解分として結晶化した。得られた結晶を濾過、風乾し
た。収量は221g、融点は82乃至122℃(分解)
であった。[Synthesis Example 3] Synthesis of base precursor (19) 1,2,3-tricyclohexylguanidine 151.5
g was dissolved in 1000 ml of ethyl acetate, and Takenate D-1 was added.
182 g of 10N (manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was gradually added. After stirring this for 1 hour, the whole was reduced to 400
The solvent was distilled off until the volume became ml. When this was poured into 2 hexane, a viscous insoluble matter was precipitated. The supernatant was removed by decantation, 1 hexane was further added, and the mixture was vigorously stirred, whereby the base precursor (19) was crystallized as an insoluble component. The crystals obtained were filtered and air dried. Yield 221g, melting point 82-122 ° C (decomposition)
Met.
式(I)で表わされる化合物からなる本発明の塩基プレ
カーサーは、加熱により容易にH−Bに相当する有機塩
基を放出する。上記加熱温度としては、一般に80乃至
200℃であることが好ましい。また、式(I)におけ
るBが、前述した式(II)で表される化合物から誘導さ
れる一価の基である場合(放出される塩基がアミジン誘
導体またはグアニジン誘導体である場合)は、上記加熱
温度は80乃至150℃であることが好ましい。The base precursor of the present invention composed of the compound represented by the formula (I) easily releases an organic base corresponding to H-B by heating. Generally, the heating temperature is preferably 80 to 200 ° C. Further, when B in the formula (I) is a monovalent group derived from the compound represented by the formula (II) described above (when the released base is an amidine derivative or a guanidine derivative), The heating temperature is preferably 80 to 150 ° C.
以下、本発明の塩基プレカーサーの具体的な利用方法に
ついて説明する。Hereinafter, a specific method of using the base precursor of the present invention will be described.
本発明の塩基プレカーサーは、前述したような銀塩写真
法、ジアゾ写真法等の記録材料を用いる画像形成に加え
て、アニオン重合性の接着剤、塗装の塗膜形成、シーリ
ング・コーキング剤、洗浄剤等の塩基成分を必要とする
様々な化学反応系に、有効に適用することができる。The base precursor of the present invention, in addition to image formation using a recording material such as the silver salt photographic method and the diazo photographic method as described above, an anionically polymerizable adhesive, coating film formation of a coating, sealing / caulking agent, cleaning It can be effectively applied to various chemical reaction systems that require a basic component such as an agent.
銀塩写真法においては、現像すなわちハロゲン化銀と現
像主薬との酸化還元反応はアルカリ性の条件下で行なわ
れる。銀塩写真の感光材料中に本発明の塩基プレカーサ
ーを加えておくことにより、露光後、単に加熱すること
によって現像を引き起すことができる。この場合、塩基
プレカーサーは乳化分散、固体分散、マイクロカプセル
等により感光材料中の他の成分から隔離することが望ま
しい。上記隔離手段としては、微粒子状に固体分散する
方法が最も容易であり、好ましい。本発明の塩基プレカ
ーサーが、感光材料中の他の成分から有効に隔離できる
という利点を有していることについては前述した。In the silver salt photography, development, that is, redox reaction between a silver halide and a developing agent is carried out under alkaline conditions. By adding the base precursor of the present invention to the light-sensitive material for silver salt photography, it is possible to cause development by simply heating after exposure. In this case, it is desirable that the base precursor is isolated from other components in the light-sensitive material by emulsion dispersion, solid dispersion, microcapsules and the like. As the isolation means, a method of solid-dispersing in the form of fine particles is the easiest and preferable. As described above, the base precursor of the present invention has an advantage that it can be effectively separated from other components in the light-sensitive material.
ジアゾ写真法においては、下式に示すように、末露光部
の残存ジアゾニウム塩とカプラーとを、アルカリ性の条
件下、カップリング反応させ、アゾ色素を形成させる。In the diazo photographic method, as shown in the following formula, the residual diazonium salt in the unexposed portion and the coupler are subjected to a coupling reaction under alkaline conditions to form an azo dye.
本発明を上記ジアゾ写真法に適用する場合、例えば乾式
法において、ジアゾ感光紙にジアゾニウム塩と共に塩基
プレカーサーを互いに隔離した状態(塩基プレカーサー
の固体分散等)で塗布し、露光後、熱現像することによ
ってアゾ色素画像を得ることができる。従来の熱現像法
ジアゾ写真では、炭酸アンモニウム、ヘキサメチレンテ
トラミン等の塩基プレカーサーを用いていたが、現像時
間が長く、感光紙の安定性も良好ではなかった。これに
対して、本発明の塩基プレカーサーを用いることにより
迅速な画像形成が可能になり、しかも感光紙の安定性も
改良された。 When the present invention is applied to the diazo photographic method, for example, in a dry method, a diazonium salt is coated with a base precursor together with a diazonium salt in a state in which they are isolated from each other (solid dispersion of the base precursor, etc.), and after exposure, heat development is performed. An azo dye image can be obtained by. In the conventional heat development method diazo photography, a base precursor such as ammonium carbonate or hexamethylene tetramine was used, but the development time was long and the stability of the photosensitive paper was not good. On the other hand, the use of the base precursor of the present invention enables rapid image formation and also improves the stability of the photosensitive paper.
また、本発明の塩基プレカーサーから生成した塩基を、
アニオン重合性モノマーの重合反応の塩基性触媒として
利用することができる。上記アニオン重合については特
に制限はなく、接着剤、塗装剤、シーリング・コーキン
グ剤等の様々な分野に適用することができる。In addition, the base generated from the base precursor of the present invention,
It can be used as a basic catalyst for the polymerization reaction of an anionically polymerizable monomer. The anionic polymerization is not particularly limited and can be applied to various fields such as adhesives, coating agents, sealing / caulking agents and the like.
また、洗浄剤、かびとり剤等のような塩基成分を必要と
する商品にも本発明を適用することができる。以上のよ
うな商品に本発明を適用する場合、塩基プレカーサーを
含む製品を使用時において、加熱することにより、塩基
を生成させることができる。従って、本発明を適用する
ことにより、これらの製品を中性の安全かつ安定なもの
とすることができる。The present invention can also be applied to products that require a basic component such as detergents and fungicides. When the present invention is applied to the products as described above, the base can be generated by heating the product containing the base precursor during use. Therefore, by applying the present invention, these products can be made neutral, safe and stable.
以下の実施例により本発明をさらに具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto.
[実施例1] 下記式で表わされる塩基プレカーサー(a)24.0g
をダイノミルを用いて4%のポリビニルアルコール水溶
液176.0gに分散させた固体分散物を、♯40のワ
イヤーバーを用いて、ポリエチレンテレフタレート・フ
ィルム上に塗布し、40℃で30分間乾燥して、塩基プ
レカーサー(a)の塗布試料を作成した。これをホット
プレート上で125に加熱し、一定時間後に試料を取り
出し、膜面pHを測定した。測定結果を第1図に示す。第
1図は、上記測定結果について、時間を横軸に、pHを縦
軸にプロットした図である。[Example 1] 24.0 g of a base precursor (a) represented by the following formula
Was dispersed in 176.0 g of a 4% aqueous polyvinyl alcohol solution using Dynomill, and was applied onto a polyethylene terephthalate film using a # 40 wire bar and dried at 40 ° C. for 30 minutes. A coated sample of the base precursor (a) was prepared. This was heated to 125 on a hot plate, the sample was taken out after a fixed time, and the film surface pH was measured. The measurement results are shown in FIG. FIG. 1 is a diagram in which time is plotted on the horizontal axis and pH is plotted on the vertical axis with respect to the above measurement results.
(塩基プレカーサーa) [実施例2] 実施例1において作成した塩基プレカーサー(a)の塗
布試料を、金属製の箱の中に入れて密閉し、50℃の温
度条件下で3日間保存したのち、実施例1と同様に加熱
時の膜面pHの変化を測定した。測定結果は、実施例1と
同様に第1図に示す。(Base precursor a) [Example 2] The coated sample of the base precursor (a) prepared in Example 1 was placed in a metal box, sealed, and stored under a temperature condition of 50 ° C for 3 days. Similarly, changes in the pH of the membrane surface during heating were measured. The measurement results are shown in FIG. 1 as in Example 1.
[比較例1] グアニジントリクロロ酢酸塩(塩基プレカーサーx)2
4.0gを50%エタノール水溶液176.0gに溶解
させたのち、4%のポリビニルアルコール水溶液17
6.0gを加えて析出させ、ダイノミルを用いて分散さ
せた。これを実施例1と同様にポリエチレンテレフタレ
ート・フィルム上に塗布、乾燥して、塩基プレカーサー
(x)の塗布試料を作成した。[Comparative Example 1] Guanidine trichloroacetate (base precursor x) 2
After dissolving 4.0 g in 50% ethanol aqueous solution 176.0 g, 4% polyvinyl alcohol aqueous solution 17
6.0 g was added and precipitated, and dispersed using Dynomill. This was coated on a polyethylene terephthalate film in the same manner as in Example 1 and dried to prepare a coated sample of the base precursor (x).
実施例1と同様に加熱時の膜面pHの変化を測定した結果
を、第1図に示す。The result of measuring the change in the pH of the film surface during heating in the same manner as in Example 1 is shown in FIG.
[比較例2] 比較例1において作成した塩基プレカーサー(x)の塗
布試料を、金属製の箱の中に入れて密閉し、50℃の温
度条件下で3日間保存したのち、実施例1と同様に加熱
時の膜面pHの変化を測定した。測定結果は、実施例1と
同様に第1図に示す。[Comparative Example 2] The coated sample of the base precursor (x) prepared in Comparative Example 1 was placed in a metal box, hermetically sealed, and stored under a temperature condition of 50 ° C for 3 days. Similarly, changes in the pH of the membrane surface during heating were measured. The measurement results are shown in FIG. 1 as in Example 1.
[実施例3] 実施例1の塩基プレカーサー(a)の塗布試料の作成に
おいて用いた塩基プレカーサー(a)24.0gに代え
て、下記式で表わされる塩基プレカーサー(b)を同量
用いた以外は、実施例1と同様にして塩基プレカーサー
(b)の塗布試料を作成した。[Example 3] In place of 24.0 g of the base precursor (a) used in the preparation of the coated sample of the base precursor (a) of Example 1, the same amount of the base precursor (b) represented by the following formula was used. In the same manner as in Example 1, a coated sample of the base precursor (b) was prepared.
実施例1と同様に加熱時の膜面pHの変化を測定した結果
を、第1図に示す。The result of measuring the change in the pH of the film surface during heating in the same manner as in Example 1 is shown in FIG.
(塩基プレカーサーb) [実施例4] 実施例3において作成した塩基プレカーサー(a)の塗
布試料を、金属製の箱の中に入れて密閉し、50℃の温
度条件下で3日間保存したのち、実施例1と同様に加熱
時の膜面pHの変化を測定した。測定結果は、実施例1と
同様に第1図に示す。(Base precursor b) [Example 4] The coated sample of the base precursor (a) prepared in Example 3 was placed in a metal box, sealed, and stored under a temperature condition of 50 ° C for 3 days. Similarly, changes in the pH of the membrane surface during heating were measured. The measurement results are shown in FIG. 1 as in Example 1.
第1図に示される以上の結果より明らかなように、本発
明の塩基プレカーサーは、加熱により速やかに塩基を放
出することがわかる。また、50℃で3日間保存する
と、比較例の塩基プレカーサーは保存中に塩基を放出し
てしまうのに対して、本発明の塩基プレカーサーは、保
存による劣化がほとんどみられないことも明らかであ
る。As is clear from the above results shown in FIG. 1, it is understood that the base precursor of the present invention rapidly releases the base upon heating. It is also apparent that when stored at 50 ° C. for 3 days, the base precursor of Comparative Example releases the base during storage, whereas the base precursor of the present invention shows almost no deterioration due to storage. .
第1図は、実施例1〜4、比較例1、2において、加熱
時の膜面pHの変化の測定結果を、時間を横軸に、pHを縦
軸にプロットした図である。FIG. 1 is a plot of the measurement results of changes in the pH of the membrane surface during heating in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2, in which time is plotted on the horizontal axis and pH is plotted on the vertical axis.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 239/06 239/10 295/20 G03C 1/498 502 8910−2H 1/61 501 8910−2H ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI Technical display location C07D 239/06 239/10 295/20 G03C 1/498 502 8910-2H 1/61 501 8910-2H
Claims (9)
ことを特徴とする塩基プレカーサー; [上記式(I)において、 R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル
基、アリールスルホニル基、および複素環残基からなる
群より選ばれる一価の基であり(各基は一個以上の置換
基を有していてもよい)、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、そして Bは、第一アミン、第二アミン、アミジン誘導体、およ
びグアニジン誘導体からなる群より選ばれる有機塩基か
ら、窒素原子に結合している水素原子を一個除いた原子
団に相当する一価の基である]。1. A base precursor comprising a compound represented by the following formula (I): [In the above formula (I), R 1 is one selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, an arylsulfonyl group, and a heterocyclic residue. A valent group (each group may have one or more substituents), X is an oxygen atom or a sulfur atom, and B is a primary amine, a secondary amine, an amidine derivative, and It is a monovalent group corresponding to an atomic group obtained by removing one hydrogen atom bonded to a nitrogen atom from an organic base selected from the group consisting of guanidine derivatives].
(置換基を有する場合は、置換基の炭素原子数を含む)
が、6以上であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の塩基プレカーサー。2. The number of carbon atoms of R 1 in the above formula (I) (in the case of having a substituent, the number of carbon atoms of the substituent is included).
Is 6 or more, Claim 1
A base precursor according to the item.
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の塩基プ
レカーサー。3. The base precursor according to claim 1, wherein X in the above formula (I) is an oxygen atom.
塩基のpKa値が、12以上であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の塩基プレカーサー。4. The base precursor according to claim 1, wherein the organic base derived from B in the formula (I) has a pKa value of 12 or more.
塩基が、下記式(II)で表わされる化合物であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の塩基プレカーサ
ー; [上記式(II)において、 R21、R22、およびR23は、水素原子(ただし、
R21、R22、およびR23のうち少なくとも一つは
水素原子である)、アルキル基、シクロアルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル
基、および複素環残基からなる群より選ばれる一価の基
であり(各基は一個以上の置換基を有していてもよ
い)、 R24は、水素原子、アミノ基、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、
アラルキル基、および複素環残基からなる群より選ばれ
る一価の基であるか(各基は一個以上の置換基を有して
いてもよい)、あるいは R21とR22、R21とR23、R22とR24、ま
たはR23とR24が互いに結合して複素環を形成す
る]。5. The base precursor according to claim 1, wherein the organic base derived from B in the above formula (I) is a compound represented by the following formula (II): [In the above formula (II), R 21 , R 22 , and R 23 are each a hydrogen atom (provided that
At least one of R 21 , R 22 , and R 23 is a hydrogen atom), an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a heterocyclic residue. R 24 is a hydrogen atom, an amino group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, or an aryl group, wherein each group may have one or more substituents. ,
Is a monovalent group selected from the group consisting of an aralkyl group and a heterocyclic residue (each group may have one or more substituents), or is R 21 and R 22 , R 21 and R 23 , R 22 and R 24 , or R 23 and R 24 are bonded to each other to form a heterocycle].
(III)で表わされる一価の基であることを特徴とする
特許請求の範囲第5項記載の塩基プレカーサー; [上記式(III)において、 R31およびR32は、水素原子、アルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール
基、アラルキル基、および複素環残基からなる群より選
ばれる一価の基であるか(各基は一個以上の置換基を有
していてもよい)、あるいは、 R31とR32が隣接する窒素原子と共に、複素環残基
(複素環残基は一個以上の置換基を有していてもよい)
を形成する]。6. The base precursor according to claim 5, wherein R 24 in the above formula (II) is a monovalent group represented by the following formula (III); [In the above formula (III), R 31 and R 32 are each a monovalent group selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a heterocyclic residue. Or each group may have one or more substituents, or R 31 and R 32 together with the adjacent nitrogen atom may form a heterocyclic residue (wherein the heterocyclic residue is one or more It may have a substituent)
Are formed].
50℃乃至150℃であることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の塩基プレカーサー。7. The base precursor according to claim 1, wherein the compound represented by the formula (I) has a melting point of 50 ° C. to 150 ° C.
原子数が20以上であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の塩基プレカーサー。8. The base precursor according to claim 1, wherein the compound represented by the formula (I) has a total number of carbon atoms of 20 or more.
る特許請求の範囲第1項記載の塩基プレカーサー。9. The base precursor according to claim 1, which is used for a heat-developable recording material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61242798A JPH0645579B2 (en) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | Base precursor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61242798A JPH0645579B2 (en) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | Base precursor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396159A JPS6396159A (en) | 1988-04-27 |
| JPH0645579B2 true JPH0645579B2 (en) | 1994-06-15 |
Family
ID=17094444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61242798A Expired - Lifetime JPH0645579B2 (en) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | Base precursor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645579B2 (en) |
-
1986
- 1986-10-13 JP JP61242798A patent/JPH0645579B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6396159A (en) | 1988-04-27 |
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