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JPH0658942B2 - 基準電圧発生回路 - Google Patents
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JPH0658942B2 - 基準電圧発生回路 - Google Patents

基準電圧発生回路

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Publication number
JPH0658942B2
JPH0658942B2 JP23824685A JP23824685A JPH0658942B2 JP H0658942 B2 JPH0658942 B2 JP H0658942B2 JP 23824685 A JP23824685 A JP 23824685A JP 23824685 A JP23824685 A JP 23824685A JP H0658942 B2 JPH0658942 B2 JP H0658942B2
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JP
Japan
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terminal
reference voltage
differential amplifier
resistor
phase input
Prior art date
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JP23824685A
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信一 小江
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は基準電圧発生回路に関し、特にP型基板を使用
するCMOSLSIにおける基準電圧発生回路に関す
る。
〔従来の技術〕
従来のこの種の基準電圧発生回路としては、MOSトラ
ンジスタのしきい値電圧差ΔVを利用するΔV法、
バイポーラトランジスタのベース・エッミタ電圧VBE
利用するバンドギャップ法、MOSトランジスタのウィ
ークインバージョン領域の特性を利用するウィークイン
バージョン法等に基づくもの等がある。
第2図はバンドギャップ法を利用した従来の基準電圧発
生回路の一例を示す回路図である。この基準電圧発生回
路は、定電流源11と、NPNバイポーラトランジスタ12
および13と、NPNバイポーラトランジスタ13のn倍の
エミッタ面積を有するNPNバイポーラトランジスタ14
と、抵抗15〜17とから構成されている。
このような従来の基準電圧発生回路においては、トラン
ジスタ12のベース・エミッタ電圧をVBE、トランジスタ
13および14のコレクタ電流をそれぞれI13およびI14
抵抗15および16の抵抗値をそれぞれR15およびR16とす
ると、出力端子18の出力電圧Vは下式のようになる。
ただし、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは単位
電荷である。
(1)式より∂V/∂T=0を満足するようにR15,R
16,I13,I14およびnを選ぶことにより、安定な基準
電圧が得られる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の基準電圧発生回路は、ΔV法を利用し
たものはしきい値電圧差ΔVを使用するためにしきい
値の違ったMOSトランジスタが必要となるので、LS
Iの製造工程が増加するという欠点がある。
また、ウィークインバージョン法を利用した従来の基準
電圧発生回路は、MOSトランジスタのウィークインバ
ージョン領域の特性を使用するので、製造上のバラツキ
等により基準電圧の安定性が悪いという欠点がある。
一方、第2図に示したバンドギャップ法を利用する従来
の基準電圧発生回路は、バイポーラトランジスタが必要
であるが、CMOSLSIで得られるバイポーラトラン
ジスタはコレクタ電位が決まってしまうので、簡単な回
路では基準電圧を発生させることができないという欠点
がある。
本発明の目的は、上述の点に鑑み、簡単な回路構成で安
定した基準電圧を得ることができる基準電圧発生回路を
提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の基準電圧発生回路は、出力端子が基準電圧発生
回路の基準電圧出力端子に接続された差動増幅器と、こ
の差動増幅器の出力端子と正相入力端子との間に接続さ
れた第1の抵抗と、エミッタ端子が前記差動増幅器の正
相入力端子に接続されコレクタ端子が接地に接続された
第1のPNPトランジスタと、前記差動増幅器の出力端
子と逆相入力端子との間に接続された第2の抵抗と、前
記差動増幅器の逆相入力端子に一端が接続された第3の
抵抗と、エミッタ端子が前記第3の抵抗の他端に接続さ
れコレクタ端子が接地に接続され前記第1のPNPトラ
ンジスタより大きなエミッタ面積を有する第2のPNP
トランジスタと、前記差動増幅器の出力端子と前記第1
および第2のPNPトランジスタのベース端子との間に
接続された第4の抵抗と、エミッタ端子が前記第1およ
び第2のPNPトランジスタのベース端子に接続されコ
レクタ端子およびベース端子が接地に接続された第3の
PNPトランジスタとを有する。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。本実施
例の基準電圧発生回路は、差動増幅器1と、PNPバイ
ポーラトランジスタ2および3と、PNPバイポーラト
ランジスタ2のn倍のエミッタ面積を有するPNPバイ
ポーラトランジスタ4と、抵抗5〜8とから構成されて
いる。
差動増幅器1は、出力端子が基準電圧発生回路の基準電
圧出力端子9に接続されており、この差動増幅器1の出
力端子と正相入力端子との間には抵抗5が接続されてい
る。差動増幅器1の正相入力端子には、PNPバイポー
ラトランジスタ2のエミッタ端子が接続され、PNPバ
イポーラトランジスタ2のコレクタ端子は接地に接続さ
れている。差動増幅器1の出力端子と逆相入力端子との
間には抵抗7が接続され、差動増幅器1の逆相入力端子
には抵抗8の一端が接続されている。抵抗8の他端に
は、PNPバイポーラトランジスタ4のエミッタ端子が
接続され、PNPバイポーラトランジスタ4のコレクタ
端子は接地に接続されている。差動増幅器1の出力端子
とPNPバイポーラトランジスタ2および4のベース端
子との間には抵抗6が接続され、PNPバイポーラトラ
ンジスタ2および4のベース端子にはPNPバイポーラ
トランジスタ3のエミッタ端子が接続されている。PN
Pバイポーラトランジスタ3のベース端子およびコレク
タ端子は接地に接続されている。
次に、このように構成された本実施例の基準電圧発生回
路の動作について説明する。
抵抗5〜8の値をそれぞれR5,R6,R7,R8、PNPバイポ
ーラトランジスタ2,3,4のベース・エミッタ電圧を
それぞれVBE2,VBE3,VBE4、差動増幅器1のゲイン
を無限大とすると、差動増幅器1の出力電圧Vは下式
のようになる。
(2)式において、VBE2,VBE3は負の温度係数を持ち、
(=kT/q)は正の温度係数を持っているので、
R5,R7,R8およびnを∂V/∂T=0を満たすように選
ぶことにより出力電圧Vの温度係数を零にすることが
できる。
また、(2)式中に電源電圧に依存する項がないことよ
り、出力電圧Vは電源電圧の変動に対して安定であ
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、P型基板を使用するCM
OSLSIにおいて得られるPNPバイポーラトランジ
スタを用い、4つの抵抗の抵抗値およびPNPバイポー
ラトランジスタのエミッタ面積比を選ぶことにより、温
度変動ならびに電源変動に安定な接地基準の電圧を発生
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す基準電圧発生回路の回
路図、 第2図は従来の基準電圧発生回路の一例を示す回路図で
ある。 図において、 1……差動増幅器、 2〜4……PNPバイポーラトランジスタ、 5〜8……抵抗、 9……基準電圧出力端子である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】出力端子が基準電圧発生回路の基準電圧出
    力端子に接続された差動増幅器と、 この差動増幅器の出力端子と正相入力端子との間に接続
    された第1の抵抗と、 エミッタ端子が前記差動増幅器の正相入力端子に接続さ
    れコレクタ端子が接地に接続された第1のPNPトラン
    ジスタと、 前記差動増幅器の出力端子と逆相入力端子との間に接続
    された第2の抵抗と、 前記差動増幅器の逆相入力端子に一端が接続された第3
    の抵抗と、 エミッタ端子が前記第3の抵抗の他端に接続されコレク
    タ端子が接地に接続され前記第1のPNPトランジスタ
    より大きなエミッタ面積を有する第2のPNPトランジ
    スタと、 前記差動増幅器の出力端子と前記第1および第2のPN
    Pトランジスタのベース端子との間に接続された第4の
    抵抗と、 エミッタ端子が前記第1および第2のPNPトランジス
    タのベース端子に接続されコレクタ端子およびベース端
    子が接地に接続された第3のPNPトランジスタと、 を有することを特徴とする基準電圧発生回路。
JP23824685A 1985-10-23 1985-10-23 基準電圧発生回路 Expired - Lifetime JPH0658942B2 (ja)

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JPS6297362A JPS6297362A (ja) 1987-05-06
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