JPH0661467B2 - イオン交換樹脂の分離移送方法 - Google Patents
イオン交換樹脂の分離移送方法Info
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- JPH0661467B2 JPH0661467B2 JP61293396A JP29339686A JPH0661467B2 JP H0661467 B2 JPH0661467 B2 JP H0661467B2 JP 61293396 A JP61293396 A JP 61293396A JP 29339686 A JP29339686 A JP 29339686A JP H0661467 B2 JPH0661467 B2 JP H0661467B2
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Landscapes
- Treatment Of Water By Ion Exchange (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は純水、超純水製造装置特に火力発電所、原子力
発電所の復水処理用の復水脱塩装置に関する。
発電所の復水処理用の復水脱塩装置に関する。
（従来の技術） ２種類のイオン交換樹脂、特に強酸性陽イオン交換樹脂
（以下ＳＡＲと記す）と強塩基性陰イオン交換樹脂（以
下ＳＢＲと記す）の混合樹脂層は純水、超純水製造装置
のポリツシヤー及び火力、原子力発電所の復水脱塩装置
に不可欠である。
（以下ＳＡＲと記す）と強塩基性陰イオン交換樹脂（以
下ＳＢＲと記す）の混合樹脂層は純水、超純水製造装置
のポリツシヤー及び火力、原子力発電所の復水脱塩装置
に不可欠である。
ＰＷＲ型原子力発電所の復水処理で要求される水質は最
もきびしく下記の如くである。
もきびしく下記の如くである。
Ｎａ（ナトリウムイオン）濃度 ０．０２ppb以下 Ｃｌ（塩素イオン）濃度 ０．０５ppb〃 これらのイオン濃度は低ければ低い程よい。
これらのイオンの混合樹脂層からのリーク量は入口水質
条件、混合樹脂層の運転条件（ＬＶ等）を除くと混合樹
脂層内の塩型樹脂の割合によつて支配されている。
条件、混合樹脂層の運転条件（ＬＶ等）を除くと混合樹
脂層内の塩型樹脂の割合によつて支配されている。
すなわちＲ−Ｃｌ（塩素型アニオン樹脂）、Ｒ−Ｎａ
（ナトリウム型カチオン樹脂）の存在割合が多い程Ｎａ
+，Ｃｌ-のリークが増大する。これらのＲ−Ｎａ、Ｒ−
Ｃｌが生成する原因は原水に由来するＮａ、Ｃｌを除く
と下記の理由が主である。
（ナトリウム型カチオン樹脂）の存在割合が多い程Ｎａ
+，Ｃｌ-のリークが増大する。これらのＲ−Ｎａ、Ｒ−
Ｃｌが生成する原因は原水に由来するＮａ、Ｃｌを除く
と下記の理由が主である。
R-Na：ＳＡＲ、ＳＢＲの分離移送が不完全でＳＢＲ層中
に混入したＳＡＲが再生剤のＮａＯＨと接触して生成す
る。
に混入したＳＡＲが再生剤のＮａＯＨと接触して生成す
る。
R-Cl：(1)再生剤ＮａＯＨ中の不純物（ＮａＣｌ）によ
つて生成する。
つて生成する。
(2)Ｒ−Ｎａと同様ＳＡＲとＳＢＲの分離が不完全でＳ
ＡＲ層中に残留したＳＢＲが再生剤ＨＣｌと接触して生
成する。
ＡＲ層中に残留したＳＢＲが再生剤ＨＣｌと接触して生
成する。
Ｒ−Ｎａの生成を少くする方法は種々研究され代表的に
は特許第１０２７７５０号が提案されている。
は特許第１０２７７５０号が提案されている。
Ｒ−Ｃｌ生成の主原因(1)はＮａＯＨの品質向上によつ
て問題は小さくなつている。(2)については従来の技術
では分離移送が不完全でＳＡＲ層に全ＳＢＲの１〜２％
程度のＳＢＲが残留し再生毎にこれが蓄積されるため平
衡状態では混合樹脂層のＲ−Ｃｌは全ＳＢＲの２０数％
から３０数％の値となつている。
て問題は小さくなつている。(2)については従来の技術
では分離移送が不完全でＳＡＲ層に全ＳＢＲの１〜２％
程度のＳＢＲが残留し再生毎にこれが蓄積されるため平
衡状態では混合樹脂層のＲ−Ｃｌは全ＳＢＲの２０数％
から３０数％の値となつている。
従来の分離移送は下記の如く行われている。即ち、第５
図に示す如く塔下部からＬＶ８〜１０ｍ／時の逆洗水を
導入し十分逆洗分離し、沈静した後塔下部からスルージ
ング水をＬＶ２５ｍ／時程度で導入しＳＡＲ層１を若干
流動させながら塔上部から加圧水、又は加圧空気を導入
してアニオン再生樹脂２をアニオン再生塔へ移送してし
まう。
図に示す如く塔下部からＬＶ８〜１０ｍ／時の逆洗水を
導入し十分逆洗分離し、沈静した後塔下部からスルージ
ング水をＬＶ２５ｍ／時程度で導入しＳＡＲ層１を若干
流動させながら塔上部から加圧水、又は加圧空気を導入
してアニオン再生樹脂２をアニオン再生塔へ移送してし
まう。
樹脂移送管４の開口部４′は第５図では塔中心軸上にあ
るが塔壁にある場合もあり、又“とい”を利用している
ものもある。又開口部４′の高さは樹脂分離界面ｄの若
干下部とするのが普通である。
るが塔壁にある場合もあり、又“とい”を利用している
ものもある。又開口部４′の高さは樹脂分離界面ｄの若
干下部とするのが普通である。
このような移送を行うと第６図に斜線部で示すＳＢＲ
２′が数mm〜２０数mm残留することは避けられない。
２′が数mm〜２０数mm残留することは避けられない。
この理由は塔壁に近いＳＢＲ程移送管の開口部に達する
のに時間がかりその間に開口部付近の樹脂が移送されか
つ塔下部からのスルージング水により樹脂面が平面とな
り、開口部４′と樹脂面との間に第６図に示す如くある
距離ｌが生じＳＢＲは開口部４′へ吸いこまれなくなり
移送されなくなつてしまうことによる。
のに時間がかりその間に開口部付近の樹脂が移送されか
つ塔下部からのスルージング水により樹脂面が平面とな
り、開口部４′と樹脂面との間に第６図に示す如くある
距離ｌが生じＳＢＲは開口部４′へ吸いこまれなくなり
移送されなくなつてしまうことによる。
この現象はスルージング水量を増しＳＡＲ層１の展開率
を大きくしても、又開口部４′の高さ、形状を変えても
同じように起こりＳＢＲの完全な分離移送は達成されな
い。
を大きくしても、又開口部４′の高さ、形状を変えても
同じように起こりＳＢＲの完全な分離移送は達成されな
い。
これら残留したＳＢＲ２′は再生剤のＨＣｌと接触して
Ｒ−Ｃｌが生成してしまう。
Ｒ−Ｃｌが生成してしまう。
第５図に示す方法ではＳＢＲがかなり残留してしまう
が、第７図、第８図に示す方法も提案され、ＳＢＲの残
留は非常に少なくなつている。
が、第７図、第８図に示す方法も提案され、ＳＢＲの残
留は非常に少なくなつている。
第７図に示す方法は従来の方法によつて大部分のＳＢＲ
を移送後、残留しているＳＢＲ２′を移送するに際して
ＳＡＲ１を弁９を開とし逆洗水を導入し、弁１０を開と
して逆洗排水を排出しながら逆洗展開させ流動状態とし
ながら塔上部に設けられた円周方向に圧力水を吹き出す
装置３，３′により、塔上部の水に旋回流を起し、分離
境界面ｅの若干上部に設けられた樹脂移送管４の開口部
４′を介し、弁１１，１１′を開とし旋回流によつて塔
内に生ずる塔中心軸に集まる流れを利用しＳＢＲ２′を
開口部４′に集め連続的にＳＢＲ２′を移送するもので
ある。本方式では樹脂移送管４の弁１２を開として水の
流れを作らなとＳＢＲが塔中心軸に集まる流れは生じな
い。
を移送後、残留しているＳＢＲ２′を移送するに際して
ＳＡＲ１を弁９を開とし逆洗水を導入し、弁１０を開と
して逆洗排水を排出しながら逆洗展開させ流動状態とし
ながら塔上部に設けられた円周方向に圧力水を吹き出す
装置３，３′により、塔上部の水に旋回流を起し、分離
境界面ｅの若干上部に設けられた樹脂移送管４の開口部
４′を介し、弁１１，１１′を開とし旋回流によつて塔
内に生ずる塔中心軸に集まる流れを利用しＳＢＲ２′を
開口部４′に集め連続的にＳＢＲ２′を移送するもので
ある。本方式では樹脂移送管４の弁１２を開として水の
流れを作らなとＳＢＲが塔中心軸に集まる流れは生じな
い。
樹脂移送管４の弁を閉とし塔上部の集水装置の弁１０を
開としても、満水状態であるといくら旋回流を起しても
ＳＢＲは塔中心軸には集まらない。
開としても、満水状態であるといくら旋回流を起しても
ＳＢＲは塔中心軸には集まらない。
本方式の特長は短時間で残留ＳＢＲ２′の移送が達成さ
れることである。
れることである。
しかし本方式の欠点は下記の如くである。
１）塔下部からの逆洗水の流速がＬＶ５〜１０ｍ／時と
大きいためＳＡＲ１の逆洗展開率が大きく、この流速に
ついて厳密なコントロールが必要である。逆洗展開率は
水温によつても異なるため水温を加味した精密なコント
ロールが必要である。
大きいためＳＡＲ１の逆洗展開率が大きく、この流速に
ついて厳密なコントロールが必要である。逆洗展開率は
水温によつても異なるため水温を加味した精密なコント
ロールが必要である。
弁９の開度コントロールが十分でなく、逆洗展開率が設
定値より大きくなりすぎるとＳＡＲ１が大量に移送され
たり、又逆洗展開率が小さいとＳＢＲ２の移送が十分で
なく残留する危険がある。
定値より大きくなりすぎるとＳＡＲ１が大量に移送され
たり、又逆洗展開率が小さいとＳＢＲ２の移送が十分で
なく残留する危険がある。
それ故に、ＳＡＲとＳＢＲの樹脂バランスがすぐれてい
く。
く。
通常復水脱塩装置では脱塩塔が２〜１０塔あり、樹脂バ
ランスがくずれることは脱塩塔の処理性能に大きく影響
してしまう。
ランスがくずれることは脱塩塔の処理性能に大きく影響
してしまう。
２）すなわち本方式では全自動で無人運転する場合、Ｓ
ＡＲ１を流動層としているため、ＳＡＲ−１の定量性に
大きな不安要素があり信頼性に欠けるのである。そのた
め再生時は逆洗展開率のチエツクのため有人運転が必要
となる。
ＡＲ１を流動層としているため、ＳＡＲ−１の定量性に
大きな不安要素があり信頼性に欠けるのである。そのた
め再生時は逆洗展開率のチエツクのため有人運転が必要
となる。
（発明が解決しようしている問題点） 本発明は前記(2)の問題を解決しつつ、更に分離移送時
にＳＡＲ中に残留するＳＢＲを少くし、かつ信頼性の高
い、ＳＡＲ１の定量性にすぐれた全自動無人運転が可能
な方法を提供するものである。
にＳＡＲ中に残留するＳＢＲを少くし、かつ信頼性の高
い、ＳＡＲ１の定量性にすぐれた全自動無人運転が可能
な方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らは、従来の分離移送方法の問題点を解決すべ
く実用規模の直径の大きい塔を用いて鋭意研究した結果
本発明に至つたものである。
く実用規模の直径の大きい塔を用いて鋭意研究した結果
本発明に至つたものである。
本発明は大部分の比重の小さいＳＢＲ２を移送したあと
ＳＡＲ層１の上に残留しているＳＢＲ２′を移送するに
際して １）第２図に示す如く塔内の水位を適宜位置（残留して
いる比重の小さいイオン交換樹脂の表層近く、またはそ
れより上方の位置）、例えば旋回流用水導入管３，３′
の若干上部６′まで下げ、かつ塔上部の排気弁８を開と
し塔内を大気開放の状態とし、この状態で逆洗水Ｑ1 を
ＬＶ８〜１５ｍ／時で導入しつつ旋回流用水導入管より
旋回流用水Ｑ2 をＬＶ２〜５ｍ／時で導入し数分後に十
分な旋回流が起きたらＱ1 ，Ｑ2 の導入を止め樹脂層を
沈静化させる。
ＳＡＲ層１の上に残留しているＳＢＲ２′を移送するに
際して １）第２図に示す如く塔内の水位を適宜位置（残留して
いる比重の小さいイオン交換樹脂の表層近く、またはそ
れより上方の位置）、例えば旋回流用水導入管３，３′
の若干上部６′まで下げ、かつ塔上部の排気弁８を開と
し塔内を大気開放の状態とし、この状態で逆洗水Ｑ1 を
ＬＶ８〜１５ｍ／時で導入しつつ旋回流用水導入管より
旋回流用水Ｑ2 をＬＶ２〜５ｍ／時で導入し数分後に十
分な旋回流が起きたらＱ1 ，Ｑ2 の導入を止め樹脂層を
沈静化させる。
２）第３図に示す如く沈静後の塔内の水位６″は第２図
に示す水位６′より数１０cm高くなる位置となる。
に示す水位６′より数１０cm高くなる位置となる。
沈静時間の間、すなわち逆洗展開時の樹脂層表層位置ｂ
が沈静後の固定層表層の位置ａになるまでの間、１〜２
分の間に旋回流とＳＡＲとＳＢＲに比重の違いがあり、
沈降速度がちがうことからＳＡＲとＳＢＲはよく分離さ
れ、そして第３図に示す如く塔中心軸付近に残留ＳＢＲ
２′が集中する。
が沈静後の固定層表層の位置ａになるまでの間、１〜２
分の間に旋回流とＳＡＲとＳＢＲに比重の違いがあり、
沈降速度がちがうことからＳＡＲとＳＢＲはよく分離さ
れ、そして第３図に示す如く塔中心軸付近に残留ＳＢＲ
２′が集中する。
３）そして塔中心軸にかつ固定層時の分離界面ｃの若干
下部に設けた樹脂移送管４の開口部４′から固定層状態
で集中しているＳＢＲ２′と、塔上部から導入される加
圧空気又は加圧水のみを用いて移送してしまう。移送後
は第４図に示す如く集中しているＳＢＲ２′の部分が移
送され、その部分はへこみが生ずる。
下部に設けた樹脂移送管４の開口部４′から固定層状態
で集中しているＳＢＲ２′と、塔上部から導入される加
圧空気又は加圧水のみを用いて移送してしまう。移送後
は第４図に示す如く集中しているＳＢＲ２′の部分が移
送され、その部分はへこみが生ずる。
このような移送を行うとＳＡＲ１が余分に移送されるこ
とはなくなり、かえつてＳＡＲ１が設定値以上に残留し
てしまう傾向となる。そしてＳＡＲ１の量を設定値に確
実に保つため第１図に示す分離界面の若干下部に設けた
移送用スルージング管７から移送水Ｑ3 をＬＶ２．５〜
５ｍ／時で導入し、塔上部から加圧水Ｑ4 又は加圧空気
を導入し前記移送口４′を介して移送を行う。
とはなくなり、かえつてＳＡＲ１が設定値以上に残留し
てしまう傾向となる。そしてＳＡＲ１の量を設定値に確
実に保つため第１図に示す分離界面の若干下部に設けた
移送用スルージング管７から移送水Ｑ3 をＬＶ２．５〜
５ｍ／時で導入し、塔上部から加圧水Ｑ4 又は加圧空気
を導入し前記移送口４′を介して移送を行う。
このように本発明は〔逆洗水＋旋回流〕で残留したＳＢ
Ｒ２′を塔中心軸に集め、固定層とし、塔中心軸に設け
た移送口４′から移送し、次いで余分のＳＡＲの移送を
大部分のＳＡＲを固定層としたまま移送用スルージング
管７からのスルージング水を用いて行うものであり、確
実な残留ＳＢＲ２′の移送及びＳＡＲの定量性が確保さ
れるものである。
Ｒ２′を塔中心軸に集め、固定層とし、塔中心軸に設け
た移送口４′から移送し、次いで余分のＳＡＲの移送を
大部分のＳＡＲを固定層としたまま移送用スルージング
管７からのスルージング水を用いて行うものであり、確
実な残留ＳＢＲ２′の移送及びＳＡＲの定量性が確保さ
れるものである。
移送後残留するＳＡＲは移送用スルージング管７の下部
の固定層の分と移送用スルージング水Ｑ3 による流動を
受ける移送用スルージング管７の上部の分の和である。
の固定層の分と移送用スルージング水Ｑ3 による流動を
受ける移送用スルージング管７の上部の分の和である。
第１図中ｆは移送後のＳＡＲ表層の位置であるが固定層
となつているＳＡＲの分が全体の大部分であり、かつ流
動を受ける移送前の分離面ｃと移送用スルージング管７
の距離を１００〜２５０mmと短かくすることにより、Ｑ
3 がかなり変動してもｆの変動はごくわずかである。
となつているＳＡＲの分が全体の大部分であり、かつ流
動を受ける移送前の分離面ｃと移送用スルージング管７
の距離を１００〜２５０mmと短かくすることにより、Ｑ
3 がかなり変動してもｆの変動はごくわずかである。
移送用スルージング管の構造は塔断面全域にある程度均
一に水のでるものであればよく塔上部集水装置１７、又
は塔下部集水装置１８の類似のものでよい。
一に水のでるものであればよく塔上部集水装置１７、又
は塔下部集水装置１８の類似のものでよい。
つぎに、本発明を第１図に基いてくわしく説明する。脱
塩塔（図示せず）から分離塔２２に樹脂を移送した後、
弁９、１０を開とし逆洗水を導入し十分逆洗分離を行
う。
塩塔（図示せず）から分離塔２２に樹脂を移送した後、
弁９、１０を開とし逆洗水を導入し十分逆洗分離を行
う。
弁９，１０を閉とし樹脂層の沈静後、弁１６を開とし、
ＬＶ２．５ｍ／時程度の移送用スルージング水を導入し
つつ、弁１３、弁１２を開とし加圧水Ｑ2 を導入し大部
分のＳＢＲをアニオン再生塔（図示せず）に移送する。
ＬＶ２．５ｍ／時程度の移送用スルージング水を導入し
つつ、弁１３、弁１２を開とし加圧水Ｑ2 を導入し大部
分のＳＢＲをアニオン再生塔（図示せず）に移送する。
次いで本発明の移送方法を行う。
弁１２，１３，１６を閉とし、弁１９を開とし加圧空気
を導入し、フリーボードドレン管２０の弁２１を開とし
水位を満水状態から旋回流を起す円周方向への水の吹き
出し管３，３″の下部に位置するブリーボードドレン管
２０の位置まで下げる。
を導入し、フリーボードドレン管２０の弁２１を開とし
水位を満水状態から旋回流を起す円周方向への水の吹き
出し管３，３″の下部に位置するブリーボードドレン管
２０の位置まで下げる。
ついで弁２１を閉、弁８，１０を開とし塔内部を大気開
放状態とし、弁９を開とし逆洗水Ｑ1 をＬＶ５〜１０ｍ
／時で導入しつつ弁１１，１１′を開としＱ2 をＬＶ２
〜５ｍ／時で１〜３分間導入して旋回流を起こさせる。
放状態とし、弁９を開とし逆洗水Ｑ1 をＬＶ５〜１０ｍ
／時で導入しつつ弁１１，１１′を開としＱ2 をＬＶ２
〜５ｍ／時で１〜３分間導入して旋回流を起こさせる。
Ｑ1 の導入数分後Ｑ2 を導入するのも効果的である。
そして１〜３分後弁８，９，１０，１１，１１′を閉と
し１〜３分開沈静させる。
し１〜３分開沈静させる。
この時の水位はフリーボードドレン管２０の位置から第
１図の水位６まで数十cm上昇するだけである。沈静期間
中に旋回流とＳＡＲ、ＳＢＲの比重の相違により残留Ｓ
ＢＲ２′が第３図の如く塔中心軸に集まつてくる。第３
図に示す残留ＳＢＲ２′の拡がりは１５０〜６００φで
あり、これは残留しているＳＢＲ２′の量及びＱ2 によ
つて支配される。
１図の水位６まで数十cm上昇するだけである。沈静期間
中に旋回流とＳＡＲ、ＳＢＲの比重の相違により残留Ｓ
ＢＲ２′が第３図の如く塔中心軸に集まつてくる。第３
図に示す残留ＳＢＲ２′の拡がりは１５０〜６００φで
あり、これは残留しているＳＢＲ２′の量及びＱ2 によ
つて支配される。
塔中心軸、すなわち樹脂移送管４の開口部４′付近に集
つた残留ＳＢＲ２′を弁１３を開とし加圧水Ｑ4 又は弁
１９を開とし加圧空気を導入し、弁１２を開として固定
層状態の残留ＳＢＲ２′をアニオン再生塔へ移送する。
つた残留ＳＢＲ２′を弁１３を開とし加圧水Ｑ4 又は弁
１９を開とし加圧空気を導入し、弁１２を開として固定
層状態の残留ＳＢＲ２′をアニオン再生塔へ移送する。
この時移送されるＳＢＲ２′の量は、前記した拡がりに
１５０〜６００φの変動があるため全量は移送されにく
い。そのため再生度逆＋旋回流、移送をくり返すのが好
ましい。
１５０〜６００φの変動があるため全量は移送されにく
い。そのため再生度逆＋旋回流、移送をくり返すのが好
ましい。
くり返す工程をまとめると次の通りである。
開状態の弁 工程(1) ドレン １９ ２１ 工程(2) 逆洗 ８ ９ １０ ２〜３分 工程(3) 逆洗＋ ８ ９ １０ １１ １１′ 旋回流 １〜３分 工程(4) 沈静 すべて閉 工程(5) 移送 １２ １３ このくり返しは３回程度で十分である。残留ＳＢＲ２′
の量が少なくなる程開口部４′近くに残留ＳＢＲ２′が
集まるためである。
の量が少なくなる程開口部４′近くに残留ＳＢＲ２′が
集まるためである。
更にＳＡＲの定量性を保つため余分のＳＡＲを移送す
る。
る。
弁１２，１３を閉とした後、弁１５を開とし移送用スル
ージング水Ｑ3 をＬＶ４〜５ｍ／時で導入し弁１２、１
３を開とし加圧水Ｑ4 を導入し余分のＳＡＲを移送す
る。
ージング水Ｑ3 をＬＶ４〜５ｍ／時で導入し弁１２、１
３を開とし加圧水Ｑ4 を導入し余分のＳＡＲを移送す
る。
この時のＱ3 は弁１６を開とするＳＡＲの大部分移送の
時の値よりは大きくしておくのがよい。
時の値よりは大きくしておくのがよい。
以上のような操作を行うことにより残留ＳＢＲ２′の確
実な移送が可能となり、かつＳＡＲの定量性が安定して
保持されるため全自動無人運転が可能となる。
実な移送が可能となり、かつＳＡＲの定量性が安定して
保持されるため全自動無人運転が可能となる。
次に本発明の実施例を示す。
比較例１ 内径１８００φ、高さ５０００mmの分離塔にＳＡＲとし
てDowex HGR-W（登録商標）４５００、ＳＢＲとしてD
owex TG 550A（登録商標）２０００の混合樹脂を充填
した。ＬＶ１０ｍ／時で３０分間逆洗分離し、沈静後塔
下部からスルージング水をＬＶ２．５ｍ／時で導入し同
時に塔上部から加圧水をＬＶ４ｍ／時で導入した。
てDowex HGR-W（登録商標）４５００、ＳＢＲとしてD
owex TG 550A（登録商標）２０００の混合樹脂を充填
した。ＬＶ１０ｍ／時で３０分間逆洗分離し、沈静後塔
下部からスルージング水をＬＶ２．５ｍ／時で導入し同
時に塔上部から加圧水をＬＶ４ｍ／時で導入した。
樹脂移送管の開口部は塔中心軸の１ケ所とし７５φのも
のを用いた。
のを用いた。
又、その位置は樹脂境界面から１００mm下部とした。
移送後残留したＳＢＲは全ＳＢＲの０．６〜１．０％で
あつた。
あつた。
残留ＳＢＲの調査は下記の如く行つた。
移送後ＬＶ１２ｍ／時で４０分間逆洗後表層にあつまつ
たＳＢＲをすべてかきとり体積を測定した。
たＳＢＲをすべてかきとり体積を測定した。
実施例１ 比較例１と同一の塔及び樹脂を用いた。
工程は下記の如くである。
〔１〕大部分ＳＢＲの移送 Ｑ3 ：ＬＶ２．５ｍ／時 Ｑ4 ：ＬＶ４ ｍ／時 〔２〕くり返し工程 工程(1) ドレン 弁２１ 開 加圧圧空気ＬＶ１０ｍ
／時 工程(2) 逆洗 Ｑ1 ：ＬＶ１２ｍ／時 ３分間 工程(3) 逆洗＋旋回流 工程(4) 沈静 ３分間 工程(5) 移送 Ｑ4 ＝ＬＶ ４ｍ／時 ５分間 以上の工程を３回くり返した。
／時 工程(2) 逆洗 Ｑ1 ：ＬＶ１２ｍ／時 ３分間 工程(3) 逆洗＋旋回流 工程(4) 沈静 ３分間 工程(5) 移送 Ｑ4 ＝ＬＶ ４ｍ／時 ５分間 以上の工程を３回くり返した。
〔３〕余分のＳＡＲの移送Q3＝ＬＶ ５ｍ／時 ５分間 Q4＝ＬＶ ４ｍ／時 次いで残留ＳＢＲの測定を行つたところ全ＳＢＲの０．
０２〜０．０３％であつた。
０２〜０．０３％であつた。
実施例２ 余分のＳＡＲを移送する際のＱ3 の許容値を実施例１と
同一条件で余分のＳＡＲ移送時のＱ3 を変えて測定し
た。
同一条件で余分のＳＡＲ移送時のＱ3 を変えて測定し
た。
この時の第１図のｆの位置変動は５mm以下と小さかつ
た。
た。
第１図は本発明のイオン交換樹脂の分離移送方法を説明
するための図面、第２図は旋回流用水を導入する際の塔
内水位を示す図面、第３図は旋回流沈静後の水位並びに
陰イオン交換樹脂の集中状態を示す図面、第４図は残存
陰イオン交換樹脂移送後の状態を示す図面、第５図は従
来のイオン交換樹脂の分離移送方法を説明するための図
面、第６図は陰イオン交換樹脂移送後なお、陽イオン交
換樹脂層上に残留する陰イオン交換樹脂層を示す図面、
第７図は第５図とは異なる従来のイオン交換樹脂の分離
移送方法を示すための図面、第８図は樹脂界面付近にお
ける水の流れを示す図面である。 １……陽イオン交換樹脂層、２……陰イオン交換樹脂
層、２′……残留陰イオン交換樹脂層、３，３′……圧
力水吹出装置、４……樹脂移送管、４′…開口部、６′
……旋回流開始時の水位、７……移送用スルージング水
導入管
するための図面、第２図は旋回流用水を導入する際の塔
内水位を示す図面、第３図は旋回流沈静後の水位並びに
陰イオン交換樹脂の集中状態を示す図面、第４図は残存
陰イオン交換樹脂移送後の状態を示す図面、第５図は従
来のイオン交換樹脂の分離移送方法を説明するための図
面、第６図は陰イオン交換樹脂移送後なお、陽イオン交
換樹脂層上に残留する陰イオン交換樹脂層を示す図面、
第７図は第５図とは異なる従来のイオン交換樹脂の分離
移送方法を示すための図面、第８図は樹脂界面付近にお
ける水の流れを示す図面である。 １……陽イオン交換樹脂層、２……陰イオン交換樹脂
層、２′……残留陰イオン交換樹脂層、３，３′……圧
力水吹出装置、４……樹脂移送管、４′…開口部、６′
……旋回流開始時の水位、７……移送用スルージング水
導入管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 克之 東京都港区港南１丁目６番27号 荏原イン フイルコ株式会社内 (72)発明者 大島 穣 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】比重の異なる２種類のイオン交換樹脂を充
填してなるイオン交換塔において、逆洗によつてイオン
交換樹脂を２層に分離し、塔上部から加圧空気又は加圧
水を導入して大部分の比重の小さいイオン交換樹脂を移
送し、該移送後も比重の大きいイオン交換樹脂層上に残
留している比重の小さいイオン交換樹脂を分離移送する
方法において、 ａ）適宜位置まで水をドレンし、かつ、塔上部を大気開
放状態とした後、塔下部から逆洗水を導入しつつ比重の
小さいイオン交換樹脂の表層の上部に位置する位置から
円周方向に圧力水を吹き出し、塔内の水に旋回流を与え
る工程 ｂ）十分な旋回流が得られた後、前記逆洗水の導入及び
円周方向への圧力水の吹出しを中止して樹脂層を沈静せ
しめ、逆洗展開している樹脂層が沈静し固定層となるま
での間に逆洗残留していた比重の小さいイオン交換樹脂
を比重のちがいによる分離作用及び旋回作用により塔中
心軸付近に集める工程 ｃ）前記塔中心軸付近に集つた比重の小さいイオン交換
樹脂を樹脂移送管を介して塔上部から加圧空気又は加圧
水のみを導入して移送する工程 から成るイオン交換樹脂の分離移送方法。 - 【請求項２】前記イオン交換樹脂の分離移送方法におい
て、ａ）、ｂ）、ｃ）の工程をくり返すことよりなる特
許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項３】樹脂移送管の開口部の位置を固定層時の分
離境界面の若干下部とする特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の方法。 - 【請求項４】大部分の比重の小さいイオン交換樹脂を移
送するに際し、樹脂移送管開口部の若干下部に設けた中
間スルージング管からスルージング水を導入する特許請
求の範囲第１項、第２項又は第３項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293396A JPH0661467B2 (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | イオン交換樹脂の分離移送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293396A JPH0661467B2 (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | イオン交換樹脂の分離移送方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63147556A JPS63147556A (ja) | 1988-06-20 |
| JPH0661467B2 true JPH0661467B2 (ja) | 1994-08-17 |
Family
ID=17794221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61293396A Expired - Lifetime JPH0661467B2 (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | イオン交換樹脂の分離移送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661467B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9941316B2 (en) | 2014-06-10 | 2018-04-10 | Invisage Technologies, Inc. | Multi-terminal optoelectronic devices for light detection |
| US9972652B2 (en) | 2010-06-08 | 2018-05-15 | Invisage Technologies, Inc. | Photodetector comprising a pinned photodiode that is formed by an optically sensitive layer and a silicon diode |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP61293396A patent/JPH0661467B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9972652B2 (en) | 2010-06-08 | 2018-05-15 | Invisage Technologies, Inc. | Photodetector comprising a pinned photodiode that is formed by an optically sensitive layer and a silicon diode |
| US9941316B2 (en) | 2014-06-10 | 2018-04-10 | Invisage Technologies, Inc. | Multi-terminal optoelectronic devices for light detection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63147556A (ja) | 1988-06-20 |
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