JPH0663866B2 - 波長検出装置 - Google Patents
波長検出装置Info
- Publication number
- JPH0663866B2 JPH0663866B2 JP59210728A JP21072884A JPH0663866B2 JP H0663866 B2 JPH0663866 B2 JP H0663866B2 JP 59210728 A JP59210728 A JP 59210728A JP 21072884 A JP21072884 A JP 21072884A JP H0663866 B2 JPH0663866 B2 JP H0663866B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wavelength
- grating
- sin
- incident
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019504 cigarettes Nutrition 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012306 spectroscopic technique Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06837—Stabilising otherwise than by an applied electric field or current, e.g. by controlling the temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体レーザの如き、周囲温度や注入電流に
よって揺動する発振波長を安定化する装置に関する。
よって揺動する発振波長を安定化する装置に関する。
(従来技術とその問題点) 半導体レーザは小型で消費電力が小さく、比較的高い光
出力を得られ、直接に高速変調が可能であるなどの幾多
の特長を有し、光通信装置や光ディスク等の光情報処理
など広く応用が拡がりつゝある。周知のごとく半導体レ
ーザは、周囲温度や注入電流による発熱などにより結晶
の屈折率が変化し、光学的な共振器長が変わり、発振波
長が変化しやすいという特性を有する。通常、波長の変
化率は温度1度当り3〜4オングストローム程度ある。
半導体レーザ光をエネルギーとして使用する通常の光通
信装置や、光ディスク装置などでは上記の波長の温度変
動がシステム性能に与える影響は大きくない。しかしな
がら、波長に対して特性が依存する光学現象、例えば格
子による光の回折効果や光波の干渉効果等を利用する場
合には、上記の半導体レーザのもつ発振波長の温度依存
性は影響が大きすぎ使用しにくい。例えば、音波による
光の回折効果を使った装置の一例、超音波セルに印加す
る高周波信号の周波数スペクトルをセルによって回折さ
れる光の回折位置によって検出する音響光学スペクトラ
ムアナライザーのスペクトル解析の分解能は光波の波長
の安定度の影響を受けるため、半導体レーザを光源とし
て用いることは難かしい。更に光の干渉を使う光センサ
ー、例えば円形状に巻かれた光ファイバ中をこの円形ル
ープに対して右回りに透過する光波と左回りに透過する
光波とを干渉させ、ファイバループの作る面内で発生す
る回転角速度を2つの光波の位相差を干渉光強度変化と
して検出する光ファイバジャイロ装置では、左右両回り
の光の光路差は全く同一に設定するのは難しい。光源の
波長の揺動は光路差を介して干渉光強度の変化を招来す
る。即ち、検出信号にドリフトが付加され、測定精度の
低下を来たす。
出力を得られ、直接に高速変調が可能であるなどの幾多
の特長を有し、光通信装置や光ディスク等の光情報処理
など広く応用が拡がりつゝある。周知のごとく半導体レ
ーザは、周囲温度や注入電流による発熱などにより結晶
の屈折率が変化し、光学的な共振器長が変わり、発振波
長が変化しやすいという特性を有する。通常、波長の変
化率は温度1度当り3〜4オングストローム程度ある。
半導体レーザ光をエネルギーとして使用する通常の光通
信装置や、光ディスク装置などでは上記の波長の温度変
動がシステム性能に与える影響は大きくない。しかしな
がら、波長に対して特性が依存する光学現象、例えば格
子による光の回折効果や光波の干渉効果等を利用する場
合には、上記の半導体レーザのもつ発振波長の温度依存
性は影響が大きすぎ使用しにくい。例えば、音波による
光の回折効果を使った装置の一例、超音波セルに印加す
る高周波信号の周波数スペクトルをセルによって回折さ
れる光の回折位置によって検出する音響光学スペクトラ
ムアナライザーのスペクトル解析の分解能は光波の波長
の安定度の影響を受けるため、半導体レーザを光源とし
て用いることは難かしい。更に光の干渉を使う光センサ
ー、例えば円形状に巻かれた光ファイバ中をこの円形ル
ープに対して右回りに透過する光波と左回りに透過する
光波とを干渉させ、ファイバループの作る面内で発生す
る回転角速度を2つの光波の位相差を干渉光強度変化と
して検出する光ファイバジャイロ装置では、左右両回り
の光の光路差は全く同一に設定するのは難しい。光源の
波長の揺動は光路差を介して干渉光強度の変化を招来す
る。即ち、検出信号にドリフトが付加され、測定精度の
低下を来たす。
波長を検出する方法として良く知られている技術として
は、分光器の技術がある。空間周波数の稠密な鋸歯状反
射格子に被測定光を照射し反射回折させ、定められた方
向に位置するスリットを透過するように、前記反射格子
を回転させ、その回転角度から波長を知るものである。
は、分光器の技術がある。空間周波数の稠密な鋸歯状反
射格子に被測定光を照射し反射回折させ、定められた方
向に位置するスリットを透過するように、前記反射格子
を回転させ、その回転角度から波長を知るものである。
半導体レーザを光学装置の光源に用いる利点の1つは、
それが小型であり、装置全体が小型化することにある。
光ディスク装置の光ピックアップに観られるように、半
導体レーザ放射光を平行光束化し、偏光分離する等の周
辺光回路を含めても煙草箱大の大きさ程度にしか過ぎな
い。このような小型装置における半導体レーザの波長揺
動を検出するのに前述の分光器の技術を用いることは困
難である、反射格子の回折角度から波長変化を検出する
本方法では、波長弁別分解能を高めるのには反射格子か
らスリットまでの光路長を長大にとらなければならない
からである。このため装置サイズが大型化することを免
れることは出来ない。
それが小型であり、装置全体が小型化することにある。
光ディスク装置の光ピックアップに観られるように、半
導体レーザ放射光を平行光束化し、偏光分離する等の周
辺光回路を含めても煙草箱大の大きさ程度にしか過ぎな
い。このような小型装置における半導体レーザの波長揺
動を検出するのに前述の分光器の技術を用いることは困
難である、反射格子の回折角度から波長変化を検出する
本方法では、波長弁別分解能を高めるのには反射格子か
らスリットまでの光路長を長大にとらなければならない
からである。このため装置サイズが大型化することを免
れることは出来ない。
(発明の目的) 本発明の目的は、上述のような従来の欠点を除去せしめ
て、小型で量産性に優れる波長検出装置を提供すること
にある。
て、小型で量産性に優れる波長検出装置を提供すること
にある。
(発明の構成) 本発明によれば、中心波長λのレーザ光を平行光束化し
た光束の一部を光路より分離し、格子ピッチαの透過型
回折格子にほぼ sinθi+1=λ/α なる入射角θiで入射し、前記回折格子の透過回折光、
反射回折光の強度の差を測定することにより、前記レー
ザ光の波長λの変化を検出する波長検出装置が得られ
る。
た光束の一部を光路より分離し、格子ピッチαの透過型
回折格子にほぼ sinθi+1=λ/α なる入射角θiで入射し、前記回折格子の透過回折光、
反射回折光の強度の差を測定することにより、前記レー
ザ光の波長λの変化を検出する波長検出装置が得られ
る。
(本発明の作用原理) 次に図面を参照して、この発明を詳細に説明する。第2
図は、この発明の原理を説明するために回折格子に対す
る光の入射、回折の関係を示す断面図である。
図は、この発明の原理を説明するために回折格子に対す
る光の入射、回折の関係を示す断面図である。
図においては、11が格子面であることを示すために、格
子を実際よりも拡大してある。第2図では入射光12が図
に示した入射角θ1で格子の基板面13から入射する。基
板面では入射光は屈折し、基板の屈折率をnとすると屈
折角θ2は、次式の開係となる。
子を実際よりも拡大してある。第2図では入射光12が図
に示した入射角θ1で格子の基板面13から入射する。基
板面では入射光は屈折し、基板の屈折率をnとすると屈
折角θ2は、次式の開係となる。
sinθ1=nsinθ2 ……(1) 屈折光14は、格子面11で次式に従い回折して、点線で示
した回折光15となって空気中に出る。
した回折光15となって空気中に出る。
nsinθ2+sinθ3=λ/α ……(2) こゝに、λは光の波長、αは格子のピッチを表わす。
(2)式に(1)式を代入すると、次式となる。
(2)式に(1)式を代入すると、次式となる。
sinθ1+sinθ3=λ/α ……(3) (3)式で、λ/αが1よりも大きい場合について考察す
る。入射角θ1を90゜から0゜の方向へ小さくして行く
と、回折角θ3は、大きくなって行き、入射角θ1が sinθ1=λ/α−1 ……(4) の時、θ3は90゜になり、回折光は空気中に出て来なく
なる。この時、基板内では、次式が成立する。
る。入射角θ1を90゜から0゜の方向へ小さくして行く
と、回折角θ3は、大きくなって行き、入射角θ1が sinθ1=λ/α−1 ……(4) の時、θ3は90゜になり、回折光は空気中に出て来なく
なる。この時、基板内では、次式が成立する。
nsinθ2+nsinθ4=λ/α ……(5) したがってnsinθ4=1となり、16で示す反射回折光が
生じる。ところが、sinθ4=1/nであるから、回折
光16は基板面13で全反射し、反射光17となる。反射光17
は回折光16と鏡面対称であるから格子面11で反射回折光
18を生じる。反射回折光18は基板面13で屈折し、屈折光
19となり空気中に出る。以上説明したように(4)式のθ
1を境としてsinθ1+1>λ/αの時は回折光19は生
じず格子面側から回折光15を生じる。
生じる。ところが、sinθ4=1/nであるから、回折
光16は基板面13で全反射し、反射光17となる。反射光17
は回折光16と鏡面対称であるから格子面11で反射回折光
18を生じる。反射回折光18は基板面13で屈折し、屈折光
19となり空気中に出る。以上説明したように(4)式のθ
1を境としてsinθ1+1>λ/αの時は回折光19は生
じず格子面側から回折光15を生じる。
sinθ1+1<λ/αの時は、回折光19を生じ、格子面
側の回折光15は生じない。従って、回折光19と回折光15
とを差動で検出することにより、レーザ光の波長λのλ
/α=sinθ1+1を満たす値からのずれを検出するこ
とができる。また、異なる検出法として回折光15を生じ
る条件、すなわちsinθ1+1>λ/αとなるように格
子へ光ビームの入射角θ1を設定しておく。
側の回折光15は生じない。従って、回折光19と回折光15
とを差動で検出することにより、レーザ光の波長λのλ
/α=sinθ1+1を満たす値からのずれを検出するこ
とができる。また、異なる検出法として回折光15を生じ
る条件、すなわちsinθ1+1>λ/αとなるように格
子へ光ビームの入射角θ1を設定しておく。
回折光15の出射角度θ3は(3)式より θ3=sin-1(λ/α−sinθ1) ……(6) から、波長λの変化により回折光15の出射角度θ3が変
化するため、2分割光検出器によってこの角度変化、即
ち波長変化を検出することができる。
化するため、2分割光検出器によってこの角度変化、即
ち波長変化を検出することができる。
以上が本発明の原理である。
本発明に用いる回折格子の表裏を逆転しても、同様の効
果が得られる。
果が得られる。
第3図は、第2図の回折格子の表裏を逆転した場合の本
発明の原理を示す断面図である。本図においても21が格
子面であることを示すために、格子を実際よりも拡大し
てある。第3図では入射光20が図に示したθ5で格子の
格子面21から入射する。
発明の原理を示す断面図である。本図においても21が格
子面であることを示すために、格子を実際よりも拡大し
てある。第3図では入射光20が図に示したθ5で格子の
格子面21から入射する。
格子面では入射光は回折し、基板の屈折率をnとする
と、回折角θ6は次式の関係となる。
と、回折角θ6は次式の関係となる。
sinθ5+nsinθ6=λ/α ……(7) 回折光22は、基板面23で次式に従い屈折して点線で示し
た屈折光24となって空気中に出る。
た屈折光24となって空気中に出る。
nsinθ6=sinθ7 ……(8) (7)式を(6)式に代入すると、次式となる。
sinθ5+sinθ7=λ/α ……(9) こゝでも、(8)式でλ/αが1よりも大きい場合につい
て考察する。
て考察する。
入射角θ5を90゜から0゜の方向へ小さくして行くと屈
折角θ7は大きくなって行き、入射角θ5が sinθ5=λ/α−1 ……(10) の時、θ7は90゜になり、屈折光は空気中に出て来なく
なり、基板面23で全反射する。全反射した光25は格子面
21で再び回折し、回折光26となって空気中に出る。以上
説明したように(9)式のθ5を境として、sinθ5+1>
λ/αの時は回折光26は生じず、基板面側から屈折光24
を生じる。sinθ5+1<λ/αの時は、回折光26を生
じ、基板面側の屈折光24は生じない。従って、前述と同
様回折光26と屈折光24とを差動で検出、または屈折光24
の角度変化を検出することにより光源の波長変化を検出
することができる。
折角θ7は大きくなって行き、入射角θ5が sinθ5=λ/α−1 ……(10) の時、θ7は90゜になり、屈折光は空気中に出て来なく
なり、基板面23で全反射する。全反射した光25は格子面
21で再び回折し、回折光26となって空気中に出る。以上
説明したように(9)式のθ5を境として、sinθ5+1>
λ/αの時は回折光26は生じず、基板面側から屈折光24
を生じる。sinθ5+1<λ/αの時は、回折光26を生
じ、基板面側の屈折光24は生じない。従って、前述と同
様回折光26と屈折光24とを差動で検出、または屈折光24
の角度変化を検出することにより光源の波長変化を検出
することができる。
(実施例) 第1図は本発明の装置を波長安定化装置に応用した実施
例を示す構成図である。光源である半導体レーザ1の放
射光はコリメーティングレンズ2によって平行ビームに
される。平行ビームの光路中に挿入されたビームスブリ
ッタ3によって光束の一部が分離され回折格子4へ入射
される。回折格子4の格子ピッチα、半導体レーザ1の
中心波長λ0、回折格子への入射角θiはほぼ sinθi+1=λ0/α を満たすように設定させられている。周囲温度の変動等
によって半導体レーザ1の発振波長は変化する。周囲温
度が低下し、発振波長が短波長にずれたとき、前述の如
く回折格子4の光入射側とは反対側の面から出射する光
9が現われる。波長が長波長にずれたとき、光入射側の
面から出射する光10が現われる。各々を光検出器5及び
6によって受光され増幅器7によって差動増幅され、半
導体レーザ1に設置されているペルチェ素子8への注入
電流が与えられる。この帰還系により発振波長がλ0と
なるように安定化される。
例を示す構成図である。光源である半導体レーザ1の放
射光はコリメーティングレンズ2によって平行ビームに
される。平行ビームの光路中に挿入されたビームスブリ
ッタ3によって光束の一部が分離され回折格子4へ入射
される。回折格子4の格子ピッチα、半導体レーザ1の
中心波長λ0、回折格子への入射角θiはほぼ sinθi+1=λ0/α を満たすように設定させられている。周囲温度の変動等
によって半導体レーザ1の発振波長は変化する。周囲温
度が低下し、発振波長が短波長にずれたとき、前述の如
く回折格子4の光入射側とは反対側の面から出射する光
9が現われる。波長が長波長にずれたとき、光入射側の
面から出射する光10が現われる。各々を光検出器5及び
6によって受光され増幅器7によって差動増幅され、半
導体レーザ1に設置されているペルチェ素子8への注入
電流が与えられる。この帰還系により発振波長がλ0と
なるように安定化される。
回折格子の数値例としては、λ=780nmで使う場合、入
射角をほぼ45゜とすると(4)式から格子ピッチは0.4569
μmとなる。このようなピッチ格子は2光束干渉で容易
に製作できる。ホトレジストに直接記録するためには、
波長441.6μmのHe−Cdレーザを用いて、入射角28.897
゜の等入射角で2光束を干渉させれば得られる。
射角をほぼ45゜とすると(4)式から格子ピッチは0.4569
μmとなる。このようなピッチ格子は2光束干渉で容易
に製作できる。ホトレジストに直接記録するためには、
波長441.6μmのHe−Cdレーザを用いて、入射角28.897
゜の等入射角で2光束を干渉させれば得られる。
周知の如く半導体レーザは温度のみならず、注入電流に
よっても波長が変化する。2分割検出器の差動出力を注
入電流に帰還を掛けても波長安定化を実現できる。
よっても波長が変化する。2分割検出器の差動出力を注
入電流に帰還を掛けても波長安定化を実現できる。
(発明の効果) 本発明に用いる回折格子は表面レリーフ格子として上記
に述べたようにホトレジストに製作した後、ニッケル電
鋳法で金型を製作することで、圧縮成形や射出成形によ
ってプラスチックに安価に量産できる。又ホトリソグラ
フィによってガラス表面をエッチングしても製作でき
る。
に述べたようにホトレジストに製作した後、ニッケル電
鋳法で金型を製作することで、圧縮成形や射出成形によ
ってプラスチックに安価に量産できる。又ホトリソグラ
フィによってガラス表面をエッチングしても製作でき
る。
以上述べたように本発明により小型で安価で量産性にす
ぐれた波長検出装置が得られる。
ぐれた波長検出装置が得られる。
第1図は本発明の第1の実施例を示す構成図、第2図,
第3図は本発明の原理を示す回折格子の断面図である。 図において、1……半導体レーザ、2……コリメーティ
ングレンズ、3……ビームスプリッタ、4……回折格
子、5,6……光検出器、7……増幅器、8……ペルチェ
素子、11,21……格子面、13,23……基板面。
第3図は本発明の原理を示す回折格子の断面図である。 図において、1……半導体レーザ、2……コリメーティ
ングレンズ、3……ビームスプリッタ、4……回折格
子、5,6……光検出器、7……増幅器、8……ペルチェ
素子、11,21……格子面、13,23……基板面。
Claims (1)
- 【請求項1】中心波長λのレーザ光を格子ピッチαの透
過型回折格子に、ほぼ、 sinθi+1=λ/α なる入射角θiで入射し、該回折格子の透過回折光及び
反射回折光の強度の差を測定することにより、前記レー
ザ光の波長の変化を検出することを特徴とする波長検出
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210728A JPH0663866B2 (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 波長検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210728A JPH0663866B2 (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 波長検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189527A JPS6189527A (ja) | 1986-05-07 |
| JPH0663866B2 true JPH0663866B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=16594121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59210728A Expired - Lifetime JPH0663866B2 (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 波長検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0663866B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5299212A (en) * | 1993-03-10 | 1994-03-29 | At&T Bell Laboratories | Article comprising a wavelength-stabilized semiconductor laser |
| US5706301A (en) * | 1995-08-16 | 1998-01-06 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson | Laser wavelength control system |
| JP2005116063A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Tdk Corp | ホログラフィックメモリー再生装置、ホログラフィック記録再生装置、ホログラフィック記録再生方法及びホログラフィック記録媒体 |
| JP7481796B2 (ja) * | 2018-07-09 | 2024-05-13 | 大日本印刷株式会社 | 反射型回折光学素子、反射型回折光学素子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391758A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-11 | Ritsuo Hasumi | Optical digital element for light wave length meter |
| JPS59164924A (ja) * | 1983-03-03 | 1984-09-18 | コルモーゲン コーポレイション | 較正波長の自動補正システム |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP59210728A patent/JPH0663866B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6189527A (ja) | 1986-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5333144A (en) | Diode laser device having a reflecting feedback element, and apparatus using the device | |
| JP4722474B2 (ja) | 変位検出装置 | |
| US6835924B2 (en) | Optical encoder for detecting changes in diffraction interference patterns | |
| US4911512A (en) | Waveguide type optical head | |
| US20060250900A1 (en) | Displacement detection apparatus, displacement measuring apparatus and fixed point detection apparatus | |
| JPS625677A (ja) | 周波数安定化半導体レ−ザ−素子 | |
| JPH0663866B2 (ja) | 波長検出装置 | |
| CN103471527B (zh) | 一种激光外腔回馈小角度滚转角测量系统 | |
| JPH02262064A (ja) | レーザードップラー速度計 | |
| JPH06174844A (ja) | レーザ測距装置 | |
| EP0935131A2 (en) | Surface plasmon resonance sensor with wavelength-stabilized laser light source | |
| JPS6355035B2 (ja) | ||
| JPH0472163B2 (ja) | ||
| JP3044865B2 (ja) | 変位情報検出装置及び速度計 | |
| JP3454870B2 (ja) | 光学式変位センサ | |
| JP2990891B2 (ja) | 変位情報検出装置及び速度計 | |
| JP4432255B2 (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JPH04504471A (ja) | 物理量を遠隔的に検出する反射作動型検出装置 | |
| JPS58151509A (ja) | 表面あらさの光学的測定方法 | |
| JPH07169090A (ja) | 光情報並列記録再生装置 | |
| JPH0375801B2 (ja) | ||
| JP2687631B2 (ja) | アブソリュート測長器の干渉信号処理方法 | |
| JPS62163921A (ja) | ロ−タリ−エンコ−ダ− | |
| JPH0318720A (ja) | 変位測定装置 | |
| JPH05312523A (ja) | 半導体レーザ測長器 |