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JPH0664268B2 - Imaging device - Google Patents
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JPH0664268B2 - Imaging device - Google Patents

Imaging device

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Publication number
JPH0664268B2
JPH0664268B2 JP63036775A JP3677588A JPH0664268B2 JP H0664268 B2 JPH0664268 B2 JP H0664268B2 JP 63036775 A JP63036775 A JP 63036775A JP 3677588 A JP3677588 A JP 3677588A JP H0664268 B2 JPH0664268 B2 JP H0664268B2
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light
conversion element
optical
transparent electrode
erasing
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新太郎 中垣
浩彦 篠永
伝 浅倉
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Victor Company of Japan Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光−光変換素子を用いた撮像装置に関する。The present invention relates to an image pickup apparatus using a light-light conversion element.

(従来の技術) 光学像を入力し、出力としても光学像が出力できるよう
に構成されている光−光変換素子としては、例えば液晶
型光変調器、光伝導性ポッケルス効果素子、マイクロチ
ャンネル型光変調器などのような空間変調素子、あるい
はフォトクロミック材を用いて構成された素子というよ
うに各種の構成形態のものが、例えば、光書込み投影装
置、光コンピュータの光並列処理のための素子、画像の
記録用の素子などとして従来から注目されて来ており、
また、本出願人会社では光−光変換素子を用いた高解像
度の撮像装置についての提案も行っている。
(Prior Art) Examples of light-to-light conversion elements configured to input an optical image and output the optical image also include, for example, a liquid crystal type optical modulator, a photoconductive Pockels effect element, and a microchannel type. Spatial modulation elements such as optical modulators, or those of various configuration forms such as elements configured using photochromic material, for example, optical writing projection device, an element for optical parallel processing of an optical computer, It has been attracting attention as an element for recording images, etc.
The applicant company has also proposed a high-resolution image pickup device using a light-light conversion element.

第9図は従来の光−光変換素子の構成例を示す側断面図
であり、この第9図に示されている光−光変換素子にお
いて1,2はガラス板、3,4は透明電極、5,6,1
1は端子、7は光導電層、8は誘電体ミラー、9は印加
された電界の強度分布に応じて光の状態を変化させる光
学部材(例えばニオブ酸リチウム単結晶のような光変調
材層、あるいはネマチック液晶層)、WLは書込み光、
RLは読出し光、ELは消去光である。
FIG. 9 is a side sectional view showing a configuration example of a conventional light-light conversion element. In the light-light conversion element shown in FIG. 9, 1 and 2 are glass plates, and 3 and 4 are transparent electrodes. , 5, 6, 1
1 is a terminal, 7 is a photoconductive layer, 8 is a dielectric mirror, 9 is an optical member that changes the state of light according to the intensity distribution of an applied electric field (for example, a light modulation material layer such as a lithium niobate single crystal). , Or nematic liquid crystal layer), WL is writing light,
RL is a reading light and EL is an erasing light.

第9図中においては消去光ELの入射方向が読出し光R
Lの入射方向と同じであるとして示されているが、これ
は光−光変換素子で使用されている誘電体ミラー8とし
て、第10図に示されているような光の透過特性を有す
るものが使用されている場合における光−光変換素子に
対する消去光の入射方向を示したものである。なお、消
去光を書込み光と同一の方向で光−光変換素子に入射さ
せるような構成の光−光変換素子については、消去光が
書込み光と同一の方向から入射されることはいうまでも
ない。
In FIG. 9, the incident direction of the erasing light EL is the reading light R.
Although shown as being the same as the incident direction of L, this is the dielectric mirror 8 used in the light-to-light conversion element, which has the light transmission characteristics as shown in FIG. 3 shows the incident direction of the erasing light with respect to the light-light conversion element when is used. Regarding the light-to-light conversion element configured such that the erasing light enters the light-to-light converting element in the same direction as the writing light, it goes without saying that the erasing light enters in the same direction as the writing light. Absent.

さて、第9図に示す光−光変換素子に光学的な情報の書
込みを行う場合には、光−光変換素子の端子5,6に電
源10と切換スイッチSWとからなる回路を接続し、切
換スイッチSWにおける切換制御信号の入力端子11に
供給された切換制御信号により、切換スイッチSWの可
動接点を固定接点WR側に切換えた状態にし、前記した
透明電極3,4間に電源10の電圧を与えて、光導電層
7の両端間に電界が加わるようにしておいて、光−光変
換素子におけるガラス板1側から書込光WLを入射させ
ることにより光−光変換素子に対する光学的情報の書込
みが行われるのである。
When optical information is written in the light-to-light conversion element shown in FIG. 9, a circuit composed of the power supply 10 and the changeover switch SW is connected to the terminals 5 and 6 of the light-to-light conversion element. The movable contact of the changeover switch SW is changed to the fixed contact WR side by the changeover control signal supplied to the input terminal 11 of the changeover control signal in the changeover switch SW, and the voltage of the power source 10 is applied between the transparent electrodes 3 and 4 described above. Is applied so that an electric field is applied between both ends of the photoconductive layer 7, and the write light WL is made incident from the glass plate 1 side of the light-to-light conversion element to obtain optical information for the light-to-light conversion element. Is written.

すなわち、前記のように光−光変換素子に入射した書込
み光WLがガラス板1と透明電極3とを透過して光導電
層7に到達すると、光導電層7の電気抵抗値がそれに到
達した入射光による光学像と対応して変化するために、
光導電層7と誘電体ミラー8との境界面には光導電層7
に到達した入射光による光学像と対応した電荷像が生じ
る。
That is, when the writing light WL that has entered the light-to-light conversion element as described above passes through the glass plate 1 and the transparent electrode 3 and reaches the photoconductive layer 7, the electric resistance value of the photoconductive layer 7 reaches it. In order to change corresponding to the optical image by the incident light,
The photoconductive layer 7 is provided on the boundary surface between the photoconductive layer 7 and the dielectric mirror 8.
A charge image corresponding to the optical image due to the incident light that has reached is generated.

前記のようにして入射光による光学像と対応する電荷像
の形で書込みが行われた光学的情報を光−光変換素子か
ら再生するのには、切換スイッチSWの可動接点を固定
接点WR側に切換えた状態として、電源10の電圧が端
子5,6を介して透明電極3,4間に印加されている状
態にしておいて、ガラス板2側より図示されていない光
源からの一定の光強度の読出し光RLを投射することに
よって行うことができる。
In order to reproduce the optical information written in the form of the charge image corresponding to the optical image by the incident light from the light-to-light conversion element as described above, the movable contact of the changeover switch SW is fixed to the fixed contact WR side. With the voltage of the power source 10 being applied between the transparent electrodes 3 and 4 via the terminals 5 and 6, the constant light from the light source (not shown) is fed from the glass plate 2 side. This can be done by projecting an intense reading light RL.

既述のように入射光による光情報の書込みが行われた光
−光変換素子における光導電層7と誘電体ミラー8との
境界面には光導電層7に到達した入射光による光学像と
対応した電荷像が生じているから、前記した光導電層7
に対して誘電体ミラー8とともに直列的な関係に設けら
れている光学部材9(例えばニオブ酸リチウム単結晶
9)には、入射光による光学像と対応した強度分布の電
界が加わっている状態になされている。
As described above, an optical image by the incident light reaching the photoconductive layer 7 is formed on the boundary surface between the photoconductive layer 7 and the dielectric mirror 8 in the light-to-light conversion element in which the optical information is written by the incident light. Since the corresponding charge image is generated, the photoconductive layer 7 described above is formed.
On the other hand, the optical member 9 (for example, the lithium niobate single crystal 9) provided in series with the dielectric mirror 8 is in a state in which an electric field having an intensity distribution corresponding to the optical image by the incident light is applied. Has been done.

そして、前記したニオブ酸リチウム単結晶9の屈折率は
電気光学効果により電界に応じて変化するから、入射光
による光学像と対応した強度分布の電界が加わっている
状態に前記した光導電層7に対して誘電体ミラー8とと
もに直列的な関係に設けられているニオブ酸リチウムの
結晶9の屈折率は、既述した入射光による光情報の書込
みにより光−光変換素子における光導電層7と誘電体ミ
ラー8との境界面に光導電層7に到達した入射光による
光学像と対応して生じた電荷像に応じて変化しているも
のになる。
Since the refractive index of the lithium niobate single crystal 9 changes according to the electric field due to the electro-optical effect, the photoconductive layer 7 described above is in a state in which the electric field having the intensity distribution corresponding to the optical image by the incident light is applied. On the other hand, the refractive index of the crystal 9 of lithium niobate provided in series with the dielectric mirror 8 is the same as that of the photoconductive layer 7 in the light-to-light conversion element due to the writing of optical information by the incident light described above. It changes depending on the optical image generated by the incident light reaching the photoconductive layer 7 at the boundary surface with the dielectric mirror 8 and the charge image generated correspondingly.

それで、ガラス板2側に読出し光RLが投射された場合
には、前記のようにガラス板2側に投射された読出し光
RLが、透明電極4→ニオブ酸リチウム単結晶9→誘電
体ミラー8→のように進行して行き、次いで前記した読
出し光RLは誘電体ミラー8で反射してガラス板2側に
反射光として戻って行くが、ニオブ酸リチウムの結晶9
の屈折率は電気光学効果によって電界に応じて変化する
から、読出し光RLの反射光はニオブ酸リチウムの結晶
9の電気光学効果によりニオブ酸リチウムの結晶9に加
わる電界の強度分布に応じた画像情報を含むものとなっ
て、ガラス板2側に入射光による光学像に対応した再生
光学像を生じさせる。
Therefore, when the reading light RL is projected on the glass plate 2 side, the reading light RL projected on the glass plate 2 side as described above is transparent electrode 4 → lithium niobate single crystal 9 → dielectric mirror 8 The light travels as shown by →, and then the above-mentioned read light RL is reflected by the dielectric mirror 8 and returns to the glass plate 2 side as reflected light. However, the crystal 9 of lithium niobate is used.
Since the refractive index of the light changes according to the electric field due to the electro-optical effect, the reflected light of the reading light RL is an image according to the intensity distribution of the electric field applied to the crystal 9 of lithium niobate due to the electro-optical effect of the crystal 9 of lithium niobate. Information is included and a reproduced optical image corresponding to the optical image by the incident light is generated on the glass plate 2 side.

また、前記のようにして書込み光WLによって書込まれ
た情報を消去するのには、前記した切換スイッチSWに
おける切換制御信号の入力端子11に切換制御信号を供
給して切換スイッチSWの可動接点を固定接点E側に切
換え、光−光変換素子における端子5,6の電位を同じ
にして透明電極3,4間に電界が生じないようにしてか
ら、書込み光WLの入射側とされている前記したガラス
板1側から一様な強度分布の消去光ELを入射させた
り、あるいは、前記した誘電体ミラー8の光の波長に対
する光の透過率特性が、読出し光RLと消去光ELとに
対して第10図に示すようなものであった場合には、第
9図中に示されているようにガラス板2側から一様な強
度分布の消去光ELを入射させたりして行う。
Further, in order to erase the information written by the writing light WL as described above, the changeover control signal is supplied to the input terminal 11 of the changeover control signal in the changeover switch SW to move the movable contact of the changeover switch SW. To the fixed contact E side to make the potentials of the terminals 5 and 6 in the light-to-light conversion element the same so that an electric field is not generated between the transparent electrodes 3 and 4, and then the writing light WL is set to the incident side. The erasing light EL having a uniform intensity distribution is made incident from the glass plate 1 side, or the light transmittance characteristic of the dielectric mirror 8 with respect to the wavelength of the light becomes the reading light RL and the erasing light EL. On the other hand, in the case as shown in FIG. 10, the erasing light EL having a uniform intensity distribution is made incident from the glass plate 2 side as shown in FIG.

光−光変換素子において以前に書込んだ光情報の消去を
行う際に用いられる消去光の入射側が書込み光WLの入
射側と同じにされていると、書込み光WLが入射される
側に撮像光学系を設けることが必要とされているような
構成の撮像装置、その他、書込み光WLが入射される側
に消去光の入射装置を設けることが困難な事情のある構
成態様の装置に光−光変換素子が用いられる際には大き
な問題になるので、消去光の入射方向と読出し光の入射
方向とが同一になされている第9図示のような構成の光
−光変換素子は撮像装置の構成などに有効に使用され
る。
When the incident side of the erasing light used when erasing the previously written optical information in the light-to-light conversion element is set to be the same as the incident side of the writing light WL, imaging is performed on the side on which the writing light WL is incident. In addition to the image pickup device having a configuration in which it is necessary to provide an optical system, the device having a configuration in which it is difficult to provide an erasing light incident device on the side on which the writing light WL is incident is used as an optical device. Since a big problem occurs when the light conversion element is used, the light-light conversion element having the structure shown in FIG. 9 in which the incident direction of the erasing light and the incident direction of the reading light are the same is used in the image pickup apparatus. It is effectively used for configuration.

(発明が解決しようとする問題点) 前記した光−光変換素子では、書込み動作時に2つの透
明電極間に電圧を印加させた状態において、光−光変換
素子の光導電層に対して被写体の光学情報を結像させる
ことにより光導電層7と誘電体ミラー8との境界面に被
写体の光学像と対応する電荷像を形成させ、また、前記
の光−光変換素子における印加された電界の強度分布に
応じて光の状態を変化させる光学部材9側の透明電極4
の方から入射させた読出し光を、前記した被写体の光学
像と対応している電荷像による電界によって光学定数が
変化している光学部材9中を往復させることにより前記
の電荷像と対応する光学像を再生させ、さらに、前記し
た透明電極間を同電位として前記した光導電層7の電気
抵抗値を消去光の入射によって低下させて、光導電層7
と誘電体ミラー8との境界面の電荷像を消去させるよう
にして、光学情報の書込み、光学情報の読出し、光学情
報の消去の各動作が行われるようにされているが、新た
な光学情報の書込み動作を行う場合には、以前の光学情
報により書込まれた電荷像を消去してからでないと、新
しい光学情報だけの書込みを行うことはできない。
(Problems to be Solved by the Invention) In the above-described light-to-light conversion element, in the state where a voltage is applied between the two transparent electrodes at the time of writing operation, the light-to-light conversion element is exposed to the photoconductive layer. By forming optical information, a charge image corresponding to the optical image of the subject is formed on the interface between the photoconductive layer 7 and the dielectric mirror 8, and the applied electric field of the light-to-light conversion element is changed. The transparent electrode 4 on the side of the optical member 9 that changes the state of light according to the intensity distribution
The read light incident from the direction is reciprocated in the optical member 9 whose optical constant is changed by the electric field due to the electric charge image corresponding to the optical image of the subject, and thus the optical image corresponding to the electric charge image is obtained. An image is reproduced, and the electric resistance value of the photoconductive layer 7 is reduced by the incidence of the erasing light so that the transparent electrodes have the same potential.
Each of the operations of writing the optical information, reading the optical information, and erasing the optical information is performed by erasing the charge image on the boundary surface between the dielectric mirror 8 and the dielectric mirror 8. In the case of performing the writing operation of, the electric charge image written by the previous optical information must be erased before the new optical information can be written.

ところで、前記した従来構成の光−光変換素子における
消去動作は、2つの透明電極を同電位にした状態におい
て消去光を照射させるようにして行われているから、書
込まれた光学情報の読出し動作と、書込まれた光学情報
の消去動作とを同時的に行うことはできず、したがっ
て、動画像の撮像を良好に行うことが困難であるととも
に、書込み光による光学情報の書込み動作が、光−光変
換素子の全面を同時に照射している書込み光によって行
われる場合に、時系列信号を発生させるような読出しの
態様で書込まれた光学情報が読出される場合には、消去
動作が行われた時点から光−光変換素子における電荷像
の形成面に形成された電荷像の各部分に対する読出しが
行われる時点までの時間長が、それぞれ異なることによ
り、再生された画像にシェーディングが生じるなどの問
題が生じるが、この問題は光−光変換素子を用いて構成
した撮像装置で発生させる映像信号の品質を悪化させる
ので、前記の問題点の解決策が求められた。
By the way, since the erasing operation in the above-described conventional light-to-light conversion element is performed by irradiating the erasing light with the two transparent electrodes at the same potential, the read of the written optical information is performed. The operation and the operation of erasing the written optical information cannot be performed at the same time. Therefore, it is difficult to capture a moving image satisfactorily, and the writing operation of the optical information by the writing light is performed. When writing is performed by writing light that irradiates the entire surface of the light-to-light conversion element at the same time, when the optical information written in a reading manner that generates a time-series signal is read, an erasing operation is performed. Since the time length from the time when the reading is performed to the time when the reading is performed for each part of the charge image formed on the charge image forming surface of the light-to-light conversion element is different, the reproduced image While problems such as shading occurs occurs, this problem light - so worsen the quality of the video signal generated by the imaging apparatus using the optical conversion element, wherein the problems solutions was determined.

(問題点を解決するための手段) 本発明は2つの透明電極の間に、少なくとも光導電層
と、読出し光の波長域の光を反射させるとともに、消去
光の波長域の光を透過させうるような波長選択性を有す
る光学部材と、印加された電界の強度分布に応じて光の
状態を変化させる光学部材と、透明電極とを積層してな
る光−光変換素子における前記した2つの透明電極の内
の一方の透明電極として、電気的に独立した所定パター
ンを有する複数部分から構成されている分割透明電極を
用いてなる光−光変換素子の光導電層に対して被写体の
光学情報を撮像光学系によって結像させる手段と、前記
の光−光変換素子における印加された電界の強度分布に
応じて光の状態を変化させる光学部材側の透明電極の方
から読出し光と消去光とによって並列的に走査する手段
と、前記した消去光によって走査されている部分と対応
している分割透明電極だけに選択的に消去動作用電圧を
供給する手段とを備えてなる撮像装置を提供するもので
ある。
(Means for Solving the Problems) According to the present invention, at least the photoconductive layer and the light in the wavelength range of the reading light can be reflected between the two transparent electrodes, and the light in the wavelength range of the erasing light can be transmitted. The above-mentioned two transparent members in the light-to-light conversion element in which an optical member having such wavelength selectivity, an optical member that changes the state of light according to the intensity distribution of an applied electric field, and a transparent electrode are laminated. As one of the electrodes, the optical information of the subject is transmitted to the photoconductive layer of the light-to-light conversion element using a divided transparent electrode composed of a plurality of parts each having an electrically independent predetermined pattern. The means for forming an image by the image pickup optical system and the reading light and the erasing light from the transparent electrode on the side of the optical member which changes the state of the light according to the intensity distribution of the applied electric field in the light-light conversion element. In parallel (EN) An image pickup device provided with a scanning means and a means for selectively supplying an erasing operation voltage only to the divided transparent electrodes corresponding to the portion scanned by the erasing light.

(実施例) 以下、添付図面を参照して本発明の撮像装置の具体的な
内容を詳細に説明する。第1図は本発明の撮像装置の概
略構成を示すブロック図、第2図は本発明の撮像装置中
で使用される光−光変換素子における分割透明電極部分
の構成や動作を説明するための一部の斜視図、第3図乃
至第5図は本発明の撮像装置中で使用される光−光変換
素子の動作説明用の側面図、第6図及び第7図は本発明
の撮像装置中で使用される光−光変換素子の分割透明電
極部分の動作説明用の正面図、第8図は本発明の撮像装
置中で使用される光−光変換素子の動作説明用の波長図
である。
(Examples) Hereinafter, specific contents of the image pickup apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an image pickup device of the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining a configuration and operation of a divided transparent electrode portion in a light-light conversion element used in the image pickup device of the present invention. Partial perspective views, FIGS. 3 to 5 are side views for explaining the operation of the light-to-light conversion element used in the image pickup apparatus of the present invention, and FIGS. 6 and 7 are the image pickup apparatus of the present invention. FIG. 8 is a front view for explaining the operation of the divided transparent electrode portion of the light-light converting element used therein, and FIG. 8 is a wavelength diagram for explaining the operation of the light-light converting element used in the image pickup apparatus of the present invention. is there.

第1図は本発明の撮像装置の概略構成を示すブロック図
であって、この第1図においてOは被写体、14は撮像
レンズであり、また、PPCは光−光変換素子、すなわ
ち、2つの透明電極の間に、少なくとも光導電層と、印
加された電界の強度分布に応じて光の状態を変化させる
光学部材と、透明電極とを積層してなる光−光変換素子
における前記した2つの透明電極の内の一方の透明電極
として、電気的に独立した所定パターンを有する複数部
分から構成されている分割透明電極を用いてなる光−光
変換素子である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an image pickup apparatus of the present invention. In FIG. 1, O is a subject, 14 is an image pickup lens, and PPC is a light-light conversion element, that is, two elements. At least the photoconductive layer, the optical member that changes the light state according to the intensity distribution of the applied electric field, and the transparent electrode are laminated between the transparent electrodes. The light-to-light conversion element is formed by using, as one transparent electrode of the transparent electrodes, a divided transparent electrode composed of a plurality of portions each having a predetermined electrically independent pattern.

また、SRは前記した光−光変換素子PPCにおける分
割透明電極に対して時間軸上で順次に所定の電圧を与え
るように動作するシフトレジスタであり、このシフトレ
ジスタSRの端子12には信号発生回路SGからクロッ
ク信号Pc{第8図の(a)参照}が供給されており、
シフトレジスタSRの端子13には信号発生回路SGか
らリセット信号Pr{第8図の(l)参照}が供給され
ている。
SR is a shift register that operates so as to sequentially apply a predetermined voltage on the time axis to the divided transparent electrodes in the light-to-light conversion element PPC, and a signal is generated at the terminal 12 of this shift register SR. A clock signal Pc {see (a) in FIG. 8} is supplied from the circuit SG,
A reset signal Pr {see (l) in FIG. 8} is supplied to the terminal 13 of the shift register SR from the signal generating circuit SG.

前記した光−光変換素子PPCには被写体Oの光学像が
撮像レンズ14を介して書込み光として供給され、ま
た、光−光変換素子PPCにはレーザ光源23→ハーフ
ミラー22→光偏向器Pdef→fθレンズ21→ビー
ムスプリッタ15→の光路を介して読出し光RLが供給
されるようになされているとともに、前記の光−光変換
素子PPCにはレーザ光源24→ハーフミラー22→光
偏向器Pdef→fθレンズ21→ビームスプリッタ1
5→の光路を介して消去光ELが供給されるようになさ
れている。
An optical image of the subject O is supplied to the light-light conversion element PPC as writing light via the imaging lens 14, and the light-light conversion element PPC includes a laser light source 23 → half mirror 22 → light deflector Pdef. The reading light RL is supplied through the optical path of the f.theta. Lens 21.fwdarw.beam splitter 15.fwdarw.the laser light source 24.fwdarw.half mirror 22.fwdarw.light deflector Pdef is provided to the light-light conversion element PPC. → fθ lens 21 → beam splitter 1
The erase light EL is supplied through the optical path 5 →.

前述した光路の説明から明らかなように、光−光変換素
子PPCに対する消去光ELの供給は、光−光変換素子
PPCに対する読出し光RLの供給側と同じ側からなさ
れているが、前記した読出し光RLと消去光ELとは第
6図及び第7図を参照して後述されているように、読出
し光RLと消去光ELとが光−光変換素子を並列的に走
査している状態となるように、各レーザ光源23,24
から放射されたレーザ光束が光偏向器Pdefによって
偏向されているのである。25は信号発生回路SGから
光偏向器Pdefに供給される制御信号の供給端子であ
る。
As is clear from the above description of the optical path, the erase light EL is supplied to the light-light conversion element PPC from the same side as the supply side of the read light RL to the light-light conversion element PPC. As will be described later with reference to FIGS. 6 and 7, the light RL and the erasing light EL are in a state in which the reading light RL and the erasing light EL scan the light-light conversion elements in parallel. So that each laser light source 23, 24
The laser beam emitted from the laser beam is deflected by the optical deflector Pdef. Reference numeral 25 is a supply terminal of a control signal supplied from the signal generation circuit SG to the optical deflector Pdef.

第1図において光−光変換素子PPCに入射された読出
し光RLによって読出された光情報は、検光子16とレ
ンズ17とを介して光電変換器18に供給されて電気信
号に変換された後に信号処理回路19に供給され、前記
の信号処理回路19において所定の信号処理が行われた
後に出力端子20に送出される。信号処理回路19での
信号処理は前記した信号発生回路SGから供給されてい
る各種のタイミング信号に基づいて行われる。
In FIG. 1, the optical information read by the reading light RL incident on the light-light conversion element PPC is supplied to the photoelectric converter 18 via the analyzer 16 and the lens 17, and after being converted into an electric signal. The signal is supplied to the signal processing circuit 19, is subjected to predetermined signal processing in the signal processing circuit 19, and is then sent to the output terminal 20. The signal processing in the signal processing circuit 19 is performed based on various timing signals supplied from the signal generating circuit SG described above.

第1図中に示されている光−光変換素子PPCは、それ
の一実施例として2つの透明電極の間に、少なくとも光
導電層と、読出し光の波長域の光を反射させるととも
に、消去光の波長域の光を透過させうるような波長選択
性を有する光学部材と、印加された電界の強度分布に応
じて光の状態を変化させる光学部材と、透明電極とを積
層してなる光−光変換素子における前記した2つの透明
電極の内の一方の透明電極として、電気的に独立した所
定パターンを有する複数部分から構成されている分割透
明電極を用いてなる光−光変換素子であるが、前記した
第1図の撮像装置中で使用されている光−光変換素子P
PCは、2つの透明電極の内の一方の透明電極として、
電気的に独立した所定パターンを有する複数部分から構
成されている分割透明電極を用いている点で、第9図を
参照して既述した従来例の光−光変換素子と互に構成を
異にしている。
The light-to-light conversion element PPC shown in FIG. 1 reflects at least a photoconductive layer and light in the wavelength range of read light between two transparent electrodes as one example thereof, and erases the light. Light formed by laminating a transparent electrode and an optical member having wavelength selectivity capable of transmitting light in the wavelength range of light, an optical member that changes the state of light according to the intensity distribution of an applied electric field, and a transparent electrode. -A light-to-light conversion element, in which, as one of the above-mentioned two transparent electrodes in the light conversion element, a divided transparent electrode composed of a plurality of portions having a predetermined electrically independent pattern is used. Is a light-to-light conversion element P used in the image pickup apparatus shown in FIG.
PC is one of the two transparent electrodes,
The structure is different from that of the conventional light-to-light conversion element described above with reference to FIG. 9 in that a divided transparent electrode composed of a plurality of parts having electrically independent predetermined patterns is used. I have to.

第2図は本発明の撮像装置で使用される光−光変換素子
PPCにおける2つの透明電極の内の一方の透明電極と
して用いられている分割透明電極部分、すなわち、電気
的に互に独立している所定パターンを有する複数部分か
ら構成されている分割透明電極の部分と、その分割透明
電極部分に時間軸上で所定のタイミングで動作電圧を供
給するための構成部分とを例示している図であって、こ
の第2図中におけるシフトレジスタSRや入力端子1
2,13などには第1図中の該当部分と同一の図面符号
を付してある。
FIG. 2 is a divided transparent electrode portion used as one transparent electrode of the two transparent electrodes in the light-to-light conversion element PPC used in the image pickup device of the present invention, that is, electrically independent of each other. The figure which illustrates the portion of the divided transparent electrode which is composed of a plurality of portions having a predetermined pattern and the constituent portion for supplying an operating voltage to the divided transparent electrode portion at a predetermined timing on the time axis. Therefore, the shift register SR and the input terminal 1 in FIG.
2, 13 and the like are designated by the same reference numerals as the corresponding portions in FIG.

第2図において1,(2)はガラス板であり、また、3
d,(4d)は光−光変換素子PPCにおける2つの透
明電極の内の一方の透明電極として用いられている分割
透明電極部分、すなわち、電気的に互に独立している所
定パターンを有する複数部分から構成されている分割透
明電極の部分を示している。第2図中においてガラス板
1,(2)、分割透明電極3d,(4d)のような図面
符号の表示法が採用されているが、これはガラス板1の
場合には分割透明電極3dが用いられ、ガラス板2の場
合には分割透明電極4dが用いられるということを示し
ているのである。
In FIG. 2, 1 and (2) are glass plates, and 3
d and (4d) are divided transparent electrode portions used as one transparent electrode of the two transparent electrodes in the light-to-light conversion element PPC, that is, a plurality of predetermined transparent electrodes that are electrically independent of each other. The part of the division transparent electrode comprised from the part is shown. In FIG. 2, the glass plate 1, (2) and the divided transparent electrodes 3d, (4d) are used for displaying the reference numerals, but in the case of the glass plate 1, the divided transparent electrode 3d is This means that the divided transparent electrode 4d is used in the case of the glass plate 2.

第2図に示されている分割透明電極3d,(4d)は、
光−光変換素子PPCの横方向に延在させた透明導電細
条の多数のものを平行に縦方向に並設させた構成とされ
ており、各透明導電細条はそれぞれ個別に所定の電位に
設定することができるようにされている。第2図中にお
ける1H,2H…nHは前記した各透明導電細条の個別
のものを示している。
The divided transparent electrodes 3d and (4d) shown in FIG.
A large number of transparent conductive strips extending in the lateral direction of the light-to-light conversion element PPC are arranged in parallel in the vertical direction, and each transparent conductive strip is individually provided with a predetermined potential. It can be set to. 1H, 2H ... nH in FIG. 2 indicate the individual transparent conductive strips described above.

第2図において、光−光変換素子PPCの横方向に延在
させた透明導電細条の多数のものを平行に縦方向に並設
させた構成の分割透明電極3d,(4d)における各透
明導電細条1H,2H…nHには、シフトレジスタSR
から順次に出力される出力パルスP1,P2,P3…P
n{第8図の(f),(k)参照}の内の所定のものが
接続線l1,l2,lnを介して供給されるようになさ
れている。
In FIG. 2, a plurality of transparent conductive strips extending in the lateral direction of the light-to-light conversion element PPC are arranged in parallel in the vertical direction in parallel, and each transparent in the divided transparent electrodes 3d, (4d). The conductive strips 1H, 2H, ...
Output pulses P1, P2, P3, ...
A predetermined one of n {see (f) and (k) in FIG. 8} is supplied through the connection lines 11, 12, and ln.

第8図の(b)は水平同期信号Shであり、また、第8
図の(m)は垂直同期信号Svであり、前記したシフト
レジスタSRは各垂直走査期間毎に端子13に供給され
る第8図の(l)に示されているリセットパルスPrが
ローレベルの状態からハイレベルの状態に変化した時点
以後に端子12へ供給される第8図の(a)に示されて
いるクロックパルスPcにおけるハイレベルの状態から
ローレベルの状態に変化する時点毎に、接続線l1,l
2…lnの所定のものに対して1水平走査期間のパルス
巾を有する出力パルスP1,P2,P3…Pnを順次に
出力する。
FIG. 8B shows the horizontal synchronization signal Sh, and
In the figure, (m) is a vertical synchronizing signal Sv, and the above-mentioned shift register SR supplies a low level to the reset pulse Pr shown in (l) of FIG. 8 which is supplied to the terminal 13 in each vertical scanning period. Each time when the high level state changes to the low level state in the clock pulse Pc shown in (a) of FIG. 8 supplied to the terminal 12 after the time point when the state changes to the high level state, Connection lines l1, l
Output pulses P1, P2, P3 ... Pn having a pulse width of one horizontal scanning period are sequentially output with respect to a predetermined number of 2 ... In.

第8図の(d)は光−光変換素子PPCに供給される読
出し光RLの供給のタイミングを示している図であり、
また、第8図の(e)は光−光変換素子PPCに供給さ
れる消去光ELの供給のタイミングを示している図であ
り、さらに第8図の(c)は光−光変換素子PPCから
読出された光情報に基づいて光電変換素子18から出力
された映像信号を示している。
FIG. 8D is a diagram showing the timing of supply of the read light RL supplied to the light-light conversion element PPC,
Further, (e) of FIG. 8 is a diagram showing the timing of supply of the erase light EL supplied to the light-to-light conversion element PPC, and (c) of FIG. 8 is further shown at (c) of the light-to-light conversion element PPC. The video signal output from the photoelectric conversion element 18 based on the optical information read out from is shown.

第6図の(a)〜(b)は、第8図中における上向の矢
印a,b,cでそれぞれ示されている時点における読出
し光RLと消去光ELとの走査態様を図示説明している
図であり、第6図の(a)は第8図中における上向の矢
印aによって示されている時点における読出し光RLと
消去光ELとの走査態様を図示説明している図であっ
て、光−光変換素子PPCにおける分割透明電極3d,
(4d)の横方向に延在している多数の透明導電細条の
内で、シフトレジスタSRからの出力パルスP1により
1水平走査期間にわたって他方の透明電極4と同電位に
される透明導電細条1Hを消去光ELが走査していると
ともに、前記の透明導電細条1Hの隣りの透明導電細条
2Hを読出し光RLが走査している状態を示している。
FIGS. 6 (a) and 6 (b) illustrate and explain the scanning mode of the reading light RL and the erasing light EL at the time points respectively indicated by the upward arrows a, b, c in FIG. 6A is a diagram illustrating a scanning mode of the read light RL and the erase light EL at a time point indicated by an upward arrow a in FIG. Therefore, the divided transparent electrodes 3d in the light-to-light conversion element PPC,
Among a large number of transparent conductive strips extending in the lateral direction of (4d), the transparent conductive strips are made to have the same potential as the other transparent electrode 4 for one horizontal scanning period by the output pulse P1 from the shift register SR. The state where the erasing light EL is scanning the strip 1H and the reading light RL is scanning the transparent conductive strip 2H adjacent to the transparent conductive strip 1H is shown.

また、第6図の(b)は第8図中における上向の矢印b
によって示されている時点における読出し光RLと消去
光ELとの走査態様を図示説明している図であって、光
−光変換素子PPCにおける分割透明電極3d,(4
d)の横方向に延在している多数の透明導電細条の内
で、シフトレジスタSRからの出力パルスP2により1
水平走査期間にわたって他方の透明電極4と同電位にさ
れる透明導電細条2Hを消去光ELが走査しているとと
もに、前記の透明導電細条2Hの隣りの透明導電細条3
Hを読出し光RLが走査している状態を示している。
Further, FIG. 6 (b) shows an upward arrow b in FIG.
FIG. 6 is a diagram illustrating the scanning mode of the reading light RL and the erasing light EL at the time point shown by, which is divided transparent electrodes 3d, (4
1) by the output pulse P2 from the shift register SR among the many transparent conductive strips extending in the lateral direction of d).
The erasing light EL scans the transparent conductive strips 2H that are at the same potential as the other transparent electrode 4 over the horizontal scanning period, and the transparent conductive strips 3 adjacent to the transparent conductive strips 2H.
It shows a state in which the reading light RL scans H.

さらに、第6図の(c)は第8図中における上向の矢印
cによって示されている時点における読出し光RLと消
去光ELとの走査態様を図示説明している図であって、
光−光変換素子PPCにおける分割透明電極3d,(4
d)の横方向に延在している多数の透明導電細条の内
で、シフトレジスタSRからの出力パルスP3により1
水平走査期間にわたってローレベルの状態となされてい
る透明導電細条3Hを消去光ELが走査しているととも
に、前記の透明導電細条3Hの隣りの透明導電細条4H
を読出し光RLが走査している状態を示している。
Further, FIG. 6 (c) is a diagram illustrating the scanning mode of the reading light RL and the erasing light EL at the time point indicated by the upward arrow c in FIG.
The divided transparent electrodes 3d, (4
1) by the output pulse P3 from the shift register SR among the many transparent conductive strips extending in the lateral direction of d).
The erasing light EL scans the transparent conductive strips 3H which are in a low level state during the horizontal scanning period, and at the same time, the transparent conductive strips 4H adjacent to the transparent conductive strips 3H.
Indicates that the reading light RL is scanning.

このように、光−光変換素子PPCにおける分割透明電
極3d,(4d)の横方向に延在して並列に配列されて
いる透明導電細条の内でシフトレジスからローレベルの
出力電圧が供給されている透明導電細条には消去光を辿
らせ、また、前記の消去光が辿っている透明導電細条に
並列に設けられている透明導電細条には読出し光RLを
辿らせるようにしたので、どの透明導電細条の位置にお
いて読出される光情報による信号でも、消去の時点から
読出されるまでの時間が一定であるために、再生される
信号にはシェーディングが生じることがなく、また、動
画の撮像も良好に行なわれ得るのである。
As described above, in the transparent conductive strips extending in the lateral direction of the divided transparent electrodes 3d and (4d) in the light-to-light conversion element PPC and arranged in parallel, a low-level output voltage is supplied from the shift register. The erasing light is traced to the transparent conductive strips on which the reading light RL is traced to the transparent conductive strips provided in parallel with the transparent conductive strips on which the erasing light is tracing. Therefore, since the signal from the optical information read at any transparent conductive strip position has a constant time from the erasing time to the reading, shading does not occur in the reproduced signal, and Therefore, it is possible to satisfactorily capture a moving image.

第8図及び第6図に示されている動作例は、消去ELと
読出し光RLとが並列に設けられている透明導電細条に
おける隣り合うものを辿るようにされている場合の例で
あったが、実施に当っては例えば第7図のように1つの
透明導電細条が複数の水平走査期間の信号の読出しを行
うことができるような巾(第7図示の例では1つの透明
導電細条で3水平走査期間の信号の読出しを行えるよう
な巾を有するものとしている)を有するようなものにさ
れていてもよい。
The operation example shown in FIG. 8 and FIG. 6 is an example in the case where the erasing EL and the reading light RL are arranged to follow the adjacent ones in the transparent conductive strips provided in parallel. However, in the implementation, for example, as shown in FIG. 7, one transparent conductive strip has a width (in the example shown in FIG. 7, one transparent conductive strip) capable of reading out signals in a plurality of horizontal scanning periods. The width of the strip is such that the signals can be read out in three horizontal scanning periods).

第3図乃至第5図は光−光変換素子PPCにおけるガラ
ス板1の方に、横方向に延在させた透明導電細条の多数
のものを平行に縦方向に並設させた構成の分割透明電極
3dを設けるとともに、誘電体ミラー8として読出し光
RLの波長域の光を反射させるとともに、消去光ELの
波長域の光を透過させうるような波長選択性を有する光
学部材(例えば第10図に示されているような光透過特
性を有する光学部材…例えばSiO2の薄膜とTiO2の薄膜と
の多層膜によるダイクロイック・フィルタによって構成
させたものが使用できる)を使用して構成した光−光変
換素子PPCを例にして、書込み光WL、読出し光R
L、消去光ELによる動作の状態を説明している図であ
る。
FIGS. 3 to 5 show division of a configuration in which a large number of transparent conductive strips extending in the lateral direction are arranged in parallel in the longitudinal direction toward the glass plate 1 in the light-to-light conversion element PPC. In addition to providing the transparent electrode 3d, the dielectric mirror 8 reflects the light in the wavelength range of the read light RL and transmits the light in the wavelength range of the erase light EL, and has an optical member having a wavelength selectivity (for example, the tenth member). An optical member having light transmission characteristics as shown in the figure ... For example, a light-light composed of a dichroic filter composed of a multilayer film of a SiO2 thin film and a TiO2 thin film can be used. Taking the conversion element PPC as an example, the writing light WL and the reading light R
FIG. 6 is a diagram illustrating a state of operation by L and erase light EL.

なお、第3図乃至第5図において、1,2はガラス板、
3dは分割透明電極、4は透明電極、7は光導電層で8
は読出し光の波長域の光を反射させるとともに消去光の
波長域の光を透過させうるような波長選択性を有する光
学部材、また、9は印加された電界の強度分布に応じて
光の状態を変化させる光学部材(例えばニオブ酸リチウ
ム単結晶のような光変調材層、あるいはネマチック液晶
層)であるが、この第3図乃至第5図中には第9図中に
示されている端子5,6,11、切換スイッチSW、電
源10などについての図示が省略されている(第1図に
ついても同じ)。
In FIGS. 3 to 5, 1 and 2 are glass plates,
3d is a divided transparent electrode, 4 is a transparent electrode, and 7 is a photoconductive layer.
Is an optical member having a wavelength selectivity capable of reflecting the light in the wavelength range of the reading light and transmitting the light in the wavelength range of the erasing light, and 9 is the state of the light depending on the intensity distribution of the applied electric field. The optical member (for example, a light modulating material layer such as a lithium niobate single crystal, or a nematic liquid crystal layer) that changes the temperature is shown in FIGS. 3 to 5 and the terminal shown in FIG. Illustrations of the components 5, 6, 11, the changeover switch SW, the power supply 10, etc. are omitted (the same applies to FIG. 1).

第3図は光−光変換素子PPCに書込み光WLだけが入
射している状態で書込み動作が行われている場合の説明
図であり、この状態においては光−光変換素子PPCの
分割透明電極3dにおけるすべての透明導電細条1H,
2H,3Hと透明電極4との間に所定の電界が与えられ
ていて、光導電層7の両端間に電界が加わっているか
ら、光−光変換素子PPCにおけるガラス板1側から書
込光WLを入射させることにより、ガラス板1側から光
−光変換素子PPCに入射した書込み光WLに対応して
第3図に示すように分割透明電極3dにおけるすべての
透明導電細条1H,2H,3Hの位置と対応している透
光導電層7と誘電体ミラー8との境界面に電荷像が生じ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram in the case where the writing operation is performed in a state where only the writing light WL is incident on the light-light converting element PPC, and in this state, the divided transparent electrodes of the light-light converting element PPC. All transparent conductive strips 1H in 3d,
Since a predetermined electric field is applied between 2H and 3H and the transparent electrode 4 and an electric field is applied between both ends of the photoconductive layer 7, write light is applied from the glass plate 1 side in the light-light conversion element PPC. By making WL enter, all the transparent conductive strips 1H, 2H, in the divided transparent electrode 3d corresponding to the writing light WL made incident on the light-light conversion element PPC from the glass plate 1 side are shown in FIG. A charge image is generated on the boundary surface between the transparent conductive layer 7 and the dielectric mirror 8 corresponding to the position of 3H.

すなわち、前記のように光−光変換素子PPCに入射し
た書込み光WLがガラス板1と透明電極3dとを透過し
て光導電層7に到達すると、光導電層7の電気抵抗値が
それに到達した入射光による光学像と対応して変化する
ために、透明電極3dと対応している位置の透光導電層
7と誘電体ミラー8との境界面には光導電層7に到達し
た入射光による光学像と対応した電荷像が生じる。
That is, as described above, when the writing light WL that has entered the light-to-light conversion element PPC passes through the glass plate 1 and the transparent electrode 3d and reaches the photoconductive layer 7, the electric resistance value of the photoconductive layer 7 reaches it. The incident light reaching the photoconductive layer 7 is formed on the boundary surface between the transparent conductive layer 7 and the dielectric mirror 8 at a position corresponding to the transparent electrode 3d, because the incident light reaches the photoconductive layer 7 due to the change in the optical image. A charge image corresponding to the optical image is generated.

次に、前記のようにして書込まれた光学情報を読出した
り消去したりする場合について第4図及び第5図を参照
して説明する。
Next, the case of reading or erasing the optical information written as described above will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

第4図及び第5図中においては消去光ELの入射方向が
読出し光RLの入射方向と同じであるとして示されてい
るが、これは光−光変換素子で使用されている誘電体ミ
ラー8として、第10図に示されているような光の透過
特性を有するものが使用されている場合における光−光
変換素子に対する消去光の入射方向を示したものであ
る。
Although the incident direction of the erasing light EL is shown to be the same as the incident direction of the reading light RL in FIGS. 4 and 5, this is the dielectric mirror 8 used in the light-to-light conversion element. 11 shows the incident direction of the erasing light with respect to the light-to-light conversion element when the one having the light transmission characteristic as shown in FIG. 10 is used.

なお、消去光を書込み光と同一の方向で光−光変換素子
に入射させるような構成の光−光変換素子については、
消去光が書込み光と同一の方向から入射させるようにさ
れることはいうまでもない。
Regarding the light-to-light conversion element having a configuration in which the erasing light is made incident on the light-to-light conversion element in the same direction as the writing light,
It goes without saying that the erasing light is made to enter from the same direction as the writing light.

前記のようにして入射光による光学像と対応する電荷像
の形で書込みが行われた光学的情報を光−光変換素子P
PCから再生するのには、透明電極3d,4間に電圧印
加されている状態にしておいて、ガラス板2側より図示
されていない光源からの一定の光強度の読出しRLを投
射することによって行うことができ、また、前記のよう
にして入射光による光学像と対応する電荷像の形で書込
みが行われた光学的情報を消去するのには、透明電極3
d,4を同電位にし、ガラス板2側より図示されていな
い光源からの一定の光強度の消去光ELを投射すること
によって行うことができるのであるが、第4図は光−光
変換素子PPCにおける分割透明電極3dの横方向に延
在している多数の透明導電細条の内で、シフトレジスタ
SRからの出力パルスP1により1水平走査期間にわた
って他方の透明電極4と同電位にされる透明導電細条1
Hの位置を消去光ELが走査しているとともに、前記の
透明導電細条1Hの隣りの透明導電細条2Hの位置を読
出し光RLが走査している状態で消去動作と読出し動作
とが並行して行われている場合を示している。
As described above, the optical information written in the form of the charge image corresponding to the optical image by the incident light is converted into the light-light conversion element P.
To reproduce from the PC, a voltage RL is applied between the transparent electrodes 3d and 4, and a reading RL with a constant light intensity from a light source (not shown) is projected from the glass plate 2 side. In order to erase the optical information written in the form of a charge image corresponding to the optical image by the incident light as described above, the transparent electrode 3 is used.
This can be performed by setting d and 4 to the same potential and projecting the erasing light EL having a constant light intensity from a light source (not shown) from the glass plate 2 side. Among a large number of transparent conductive strips extending in the lateral direction of the divided transparent electrode 3d in the PPC, the output pulse P1 from the shift register SR makes the same potential as the other transparent electrode 4 for one horizontal scanning period. Transparent conductive strip 1
While the erasing light EL is scanning the position of H and the reading light RL is scanning the position of the transparent conductive strip 2H adjacent to the transparent conductive strip 1H, the erasing operation and the reading operation are performed in parallel. It is shown that it is being done.

第4図示の動作状態において光−光変換素子PPCにお
ける分割透明電極3dの横方向に延在している多数の透
明導電細条の内で、シフトレジスタSRからの出力パル
スP1により1水平走査期間にわたって他方の透明電極
4と同電位にされる透明導電細条1Hの位置を消去光E
Lが走査することにより、前記の透明導電細条1Hの位
置と対応している部分の透明導電層7の電気抵抗が低下
するために、透明導電層7と誘電体ミラー8との境界面
に生じていた電荷像が消去される。
In a plurality of transparent conductive strips extending in the lateral direction of the divided transparent electrode 3d in the light-to-light conversion element PPC in the operation state shown in FIG. 4, one horizontal scanning period is generated by the output pulse P1 from the shift register SR. The position of the transparent conductive strip 1H that is made to have the same potential as the other transparent electrode 4 over the erase light E
As L scans, the electrical resistance of the transparent conductive layer 7 in the portion corresponding to the position of the transparent conductive strip 1H decreases, so that the boundary surface between the transparent conductive layer 7 and the dielectric mirror 8 is reduced. The generated charge image is erased.

そして、前記の透明導電細条1Hの隣りの透明導電細条
2Hの位置では読出し光RLが走査しているが、前記し
た透明導電細条2Hの位置と対応している光−光変換素
子における光導電層7と誘電体ミラー8との境界面の電
荷像により、その透明導電細条2Hの位置と対応して部
分の光学部材9(例えばニオブ酸リチウム単結晶9)に
は、入射光による光学像と対応した強度分布の電界が加
わっている状態になされていて、前記したニオブ酸リチ
ウム単結晶9の屈折率が電気光学効果により電界に応じ
て変化しているから、透明導電細条2Hの位置を走査し
ている読出し光RLが、透明電極4→ニオブ酸リチウム
単結晶9→誘電体ミラー8→のように進行して行き、次
いで前記した読出し光RLは誘電体ミラー8で反射して
ガラス板2側に反射光として戻った読出し光RLの反射
光はニオブ酸リチウムの結晶9の電気光学効果によりニ
オブ酸リチウムの結晶9に加わる電界の強度分布に応じ
た画像情報を含むものとなって、ガラス板2側に入射光
による光学像に対応した再生光学像を生じさせる。
Then, the read light RL scans at the position of the transparent conductive strip 2H adjacent to the transparent conductive strip 1H, but in the light-light conversion element corresponding to the position of the transparent conductive strip 2H described above. Due to the charge image on the boundary surface between the photoconductive layer 7 and the dielectric mirror 8, the optical member 9 (for example, lithium niobate single crystal 9) at a portion corresponding to the position of the transparent conductive strip 2H is affected by the incident light. Since the electric field having an intensity distribution corresponding to the optical image is applied and the refractive index of the lithium niobate single crystal 9 changes according to the electric field due to the electro-optic effect, the transparent conductive strip 2H is used. The reading light RL scanning the position of # 1 progresses in the order of transparent electrode 4 → lithium niobate single crystal 9 → dielectric mirror 8 →, and then the reading light RL is reflected by the dielectric mirror 8. To the glass plate 2 side The reflected light of the read light RL returned as light contains image information corresponding to the intensity distribution of the electric field applied to the crystal 9 of lithium niobate due to the electro-optical effect of the crystal 9 of lithium niobate. To produce a reproduced optical image corresponding to the optical image of the incident light.

また、第5図は光−光変換素子PPCにおける分割透明
電極3dの横方向に延在している多数の透明導電細条の
内で、シフトレジスタSRからの出力パルスP2により
1水平走査期間にわたって他方の透明電極4と同電位に
される透明導電細条2Hの位置を消去光ELが走査して
いるとともに、前記の透明導電細条2Hの隣りの透明導
電細条3Hの位置を読出し光RLが走査している状態で
消去動作と読出し動作とが並行して行われている場合を
示している。
Further, FIG. 5 shows one of a large number of transparent conductive strips extending in the lateral direction of the divided transparent electrode 3d in the light-to-light conversion element PPC, which is output by the output pulse P2 from the shift register SR for one horizontal scanning period. The erasing light EL scans the position of the transparent conductive strip 2H that is set to the same potential as the other transparent electrode 4, and the position of the transparent conductive strip 3H adjacent to the transparent conductive strip 2H is read out by the reading light RL. 2 shows a case where an erase operation and a read operation are performed in parallel while scanning is performed.

第5図示の動作状態において光−光変換素子PPCにお
ける分割透明電極3dの横方向に延在している多数の透
明導電細条の内で、シフトレジスタSRからの出力パル
スP2により1水平走査期間にわたって他方の透明電極
4と同電位にされる透明導電細条2Hの位置を消去光E
Lが走査することにより、前記の透明導電細条2Hの位
置と対応している部分の透明導電層7の電気抵抗が低下
して、透明導電層7と誘電体ミラー8との境界面に生じ
ていた電荷像が消去される。
In a plurality of transparent conductive strips extending in the lateral direction of the divided transparent electrode 3d in the light-to-light conversion element PPC in the operation state shown in FIG. 5, one horizontal scanning period is generated by the output pulse P2 from the shift register SR. The position of the transparent conductive strip 2H that is made to have the same potential as the other transparent electrode 4 over the erase light E
As L scans, the electrical resistance of the transparent conductive layer 7 in the portion corresponding to the position of the transparent conductive strip 2H is reduced, and the electrical resistance is generated at the boundary surface between the transparent conductive layer 7 and the dielectric mirror 8. The charge image that had been erased is erased.

前記の透明導電細条2Hの隣りの透明導電細条3Hの位
置では読出し光RLが走査しているが、前記した透明導
電細条3Hの位置と対応している光−光変換素子におけ
る光導電層7と誘電体ミラー8との境界面の電荷像によ
り、その透明導電細条2Hの位置と対応して部分の光学
部材9(例えばニオブ酸リチウム単結晶9)には、入射
光による光学像と対応した強度分布の電界が加わってい
る状態になされていて、前記したニオブ酸リチウム単結
晶9の屈折率が電気光学効果により電界に応じて変化し
ているから、透明導電細条3Hの位置を走査している読
出し光RLが、透明電極4→ニオブ酸リチウム単結晶9
→誘電体ミラー8→のように進行して行き、次いで前記
した読出し光RLは誘電体ミラー8で反射してガラス板
2側に反射光として戻った読出し光RLの反射光はニオ
ブ酸リチウムの結晶9の電気光学効果によりニオブ酸リ
チウムの結晶9に加わる電界の強度分布に応じた画像情
報を含むものとなって、ガラス板2側に入射光による光
学像に対応した再生光学像を生じさせる。
The read light RL scans at the position of the transparent conductive strip 3H adjacent to the transparent conductive strip 2H, but the photoconductive in the light-to-light conversion element corresponding to the position of the transparent conductive strip 3H described above. Due to the charge image of the boundary surface between the layer 7 and the dielectric mirror 8, the optical member 9 (for example, lithium niobate single crystal 9) at a portion corresponding to the position of the transparent conductive strip 2H has an optical image by incident light. Since an electric field having an intensity distribution corresponding to is applied, and the refractive index of the lithium niobate single crystal 9 changes according to the electric field due to the electro-optic effect, the position of the transparent conductive strip 3H is changed. The read-out light RL that scans the transparent electrode 4 → lithium niobate single crystal 9
→ Dielectric mirror 8 → Proceeds as follows, and then the above-mentioned read light RL is reflected by the dielectric mirror 8 and returned to the glass plate 2 side as reflected light. The read light RL is reflected by lithium niobate. Due to the electro-optical effect of the crystal 9, image information corresponding to the intensity distribution of the electric field applied to the crystal 9 of lithium niobate is included, and a reproduced optical image corresponding to the optical image by incident light is generated on the glass plate 2 side. .

なお、第5図において光−光変換素子PPCにおける分
割透明電極3dの横方向に延在している多数の透明導電
細条の内で、第4図を参照して説明した消去動作によっ
て消去が行われた透明導電細条1Hと対応している光導
電層7と誘電体ミラー8との境界面には、書込み光WL
によって新たな電荷像が形成されていることが示されて
いる。なお、これまでに説明して来た実施例においては
光−光変換素子PPCから単波長光情報が読出されるも
のとされているが、光−光変換素子PPCから単波長情
報でない光情報が読出されるように実施されてもよいこ
とはいうまでもない。
In FIG. 5, among the many transparent conductive strips extending in the lateral direction of the divided transparent electrode 3d in the light-to-light conversion element PPC, the erase operation described with reference to FIG. The writing light WL is formed on the boundary surface between the photoconductive layer 7 and the dielectric mirror 8 corresponding to the formed transparent conductive strip 1H.
Shows that a new charge image is formed. Although the single-wavelength optical information is read from the light-to-light conversion element PPC in the embodiments described so far, the optical information other than the single-wavelength information is read from the light-to-light conversion element PPC. It goes without saying that it may also be implemented as read.

さらに、光−光変換素子PPCからの光学像情報を読出
す際に用いられる読出し光の光源としては実施例におけ
るようなレーザ光源の他に、任意の光源{電磁放射線の
発生源}が使用できる。なお、電磁放射線は広義の光、
すなわち、電磁波とよばれる放射線の全スペクトル領域
(γ線,X線等の領域からラジオ波の長波までを含む領
域)の放射線を意味していることは周知のとおりであ
る。
Further, as the light source of the reading light used when reading the optical image information from the light-light conversion element PPC, any light source {source of electromagnetic radiation} can be used in addition to the laser light source as in the embodiment. . In addition, electromagnetic radiation is light in a broad sense,
That is, it is well known that it means the radiation in the entire spectrum region of radiation called electromagnetic waves (the region including the regions such as γ-rays and X-rays to the long wave of radio waves).

(発明の効果) 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の撮像装置は2つの透明電極の間に、少なくとも光導
電層と、読出し光の波長域の光を反射させるとともに、
消去光の波長域の光を透過させるような波長選択性を有
する光学部材と、印加された電界の強度分布に応じて光
の状態を変化させる光学部材と、透明電極とを積層して
なる光−光変換素子における前記した2つの透明電極の
内の一方の透明電極として、電気的に独立した所定パタ
ーンを有する複数部分から構成されている分割透明電極
を用いてなる光−光変換素子の光導電層に対して被写体
の光学情報を撮像光学系によって結像させる手段と、前
記の光−光変換素子における印加された電界の強度分布
に応じて光の状態を変化させる光学部材側の透明電極の
方から読出し光と消去光とによって並列的に走査する手
段と、前記した消去光によつて走査されている部分と対
応している分割透明電極だけに選択的に消去動作用電圧
を供給する手段とを備えてなる撮像装置であるから、こ
の本発明の撮像装置では撮像装置の構成中で使用されて
いる光−光変換素子に書込まれた光学情報の読出し動作
と、その光−光変換素子に書込まれた光学情報の消去動
作とを隣接した部分で同時に行うことができるために、
動画像の撮像を良好に行うことができるとともに、消去
動作が行われた時点から光−光変換素子における電荷像
の形成面に形成された電荷像の各部分に対する読出しが
行われる時点までの時間長が、同一になされることによ
り再生された画像シェーディングが生じることもなく、
本発明により既述した従来の問題点はすべて良好に解決
される。
(Effects of the Invention) As is clear from the above description, the imaging device of the present invention reflects at least the photoconductive layer and the light in the wavelength range of the reading light between the two transparent electrodes, and
Light formed by stacking a transparent electrode and an optical member having a wavelength selectivity that transmits light in the wavelength range of erasing light, an optical member that changes the light state according to the intensity distribution of an applied electric field, and a transparent electrode. -Light of the light-to-light conversion element, which uses as one transparent electrode of the above-mentioned two transparent electrodes in the light-to-light conversion element, a divided transparent electrode formed of a plurality of portions having a predetermined electrically independent pattern. Means for imaging the optical information of the subject on the conductive layer by an imaging optical system, and a transparent electrode on the side of the optical member for changing the light state according to the intensity distribution of the applied electric field in the light-to-light conversion element. Means for scanning in parallel with the reading light and the erasing light, and the erasing operation voltage is selectively supplied only to the divided transparent electrodes corresponding to the portion scanned by the erasing light. Means and Since the image pickup apparatus comprises the image pickup apparatus of the present invention, in the image pickup apparatus of the present invention, the reading operation of the optical information written in the light-light conversion element used in the configuration of the image pickup apparatus and the light-light conversion element are read. In order to be able to perform the erasing operation of written optical information at the same time in the adjacent parts,
The time from the time when the erasing operation is performed to the time when the moving image can be captured satisfactorily and the time when the reading is performed on each part of the charge image formed on the charge-image forming surface of the light-to-light conversion element. Since the length is the same, reproduced image shading does not occur,
According to the present invention, all the above-mentioned conventional problems can be solved well.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の撮像装置の概略構成を示すブロック
図、第2図は本発明の撮像装置中で使用される光−光変
換素子における分割透明電極部分の構成や動作を説明す
るための一部の斜視図、第3図乃至第5図は本発明の撮
像装置中で使用される光−光変換素子の動作説明用の側
面図、第6図及び第7図は本発明の撮像装置中で使用さ
れる光−光変換素子の分割透明電極部分の動作説明用の
正面図、第8図は本発明の撮像装置中で使用される光−
光変換素子の動作説明用の波形図、第9図は従来の光−
光変換素子の構成例を示す側面図、第10図は誘電体ミ
ラーの特性例を示す図である。 1,2…ガラス板、3,4…透明電極、5,6,11…
端子、7…光導電層、8…誘電体ミラー、9…印加され
た電界の強度分布に応じて光の状態を変化させる光学部
材(例えばニオブ酸リチウム単結晶のような光変調材
層、あるいはネマチック液晶層)、WL…書込み光、R
L…読出し光、EL…消去光、O…被写体、14…撮像
レンズ、PPC…光−光変換素子、SR…シフトレジス
タ、SG…信号発生回路、23,24…レーザ光源、2
2…ハーフミラー、Pdef…光偏向器、21…fθレ
ンズ、15…ビームスプリッタ、16…検光子、17…
レンズ、18…光電変換器、19…信号処理回路、20
…出力端子、3d,(4d)…分割透明電極、1H,2
H〜nH…分割透明電極における透明導電細条、
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a schematic structure of an image pickup device of the present invention, and FIG. 2 is a structure of a divided transparent electrode portion in a light-light conversion element used in the image pickup device of the present invention. And FIGS. 3 to 5 are side views for explaining the operation of the light-to-light conversion element used in the image pickup apparatus of the present invention, FIGS. 6 and 7. FIG. 8 is a front view for explaining the operation of the divided transparent electrode portion of the light-to-light conversion element used in the image pickup device of the present invention, and FIG.
FIG. 9 is a waveform diagram for explaining the operation of the optical conversion element, and FIG.
FIG. 10 is a side view showing a configuration example of the light conversion element, and FIG. 10 is a diagram showing a characteristic example of the dielectric mirror. 1, 2 ... Glass plate, 3, 4 ... Transparent electrode, 5, 6, 11 ...
Terminal, 7 ... Photoconductive layer, 8 ... Dielectric mirror, 9 ... Optical member that changes light state according to intensity distribution of applied electric field (for example, light modulation material layer such as lithium niobate single crystal, or Nematic liquid crystal layer), WL ... writing light, R
L ... Read light, EL ... Erase light, O ... Subject, 14 ... Imaging lens, PPC ... Light-light conversion element, SR ... Shift register, SG ... Signal generating circuit, 23, 24 ... Laser light source, 2
2 ... Half mirror, Pdef ... Optical deflector, 21 ... f.theta. Lens, 15 ... Beam splitter, 16 ... Analyzer, 17 ...
Lens, 18 ... Photoelectric converter, 19 ... Signal processing circuit, 20
... Output terminals, 3d, (4d) ... Split transparent electrodes, 1H, 2
H to nH ... Transparent conductive strips in divided transparent electrodes,

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅倉 伝 神奈川県横浜市神奈川区守屋町3丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 古屋 正人 神奈川県横浜市神奈川区守屋町3丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (56)参考文献 特開 昭54−94058(JP,A) 特開 昭50−22649(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Den Asakura Den 12, 3-12 Moriya-cho, Kanagawa-ku, Yokohama, Kanagawa, Japan Victor Company of Japan, Ltd. (72) Masato Furuya 3--12 Moriya-cho, Kanagawa-ku, Yokohama, Kanagawa Address within Victor Company of Japan, Ltd. (56) References JP-A-54-94058 (JP, A) JP-A-50-22649 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】2つの透明電極の間に、少なくとも光導電
層と、読出し光の波長域の光を反射させるとともに、消
去光の波長域の光を透過させうるような波長選択性を有
する光学部材と、印加された電界の強度分布に応じて光
の状態を変化させる光学部材と、透明電極とを積層して
なる光−光変換素子における前記した2つの透明電極の
内の一方の透明電極として、電気的に独立した所定パタ
ーンを有する複数部分から構成されている分割透明電極
を用いてなる光−光変換素子の光導電層に対して被写体
の光学情報を撮像光学系によって結像させる手段と、前
記の光−光変換素子における印加された電界の強度分布
に応じて光の状態を変化させる光学部材側の透明電極の
方から読出し光と消去光とによって並列的に走査する手
段と、前記した消去光によつて走査されている部分と対
応している分割透明電極だけに選択的に消去動作用電圧
を供給する手段とを備えてなる撮像装置
1. At least a photoconductive layer between two transparent electrodes and an optical element having a wavelength selectivity capable of reflecting light in the wavelength region of read light and transmitting light in the wavelength region of erase light. One of the two transparent electrodes in the light-to-light conversion element, which is formed by laminating a member, an optical member that changes the state of light according to the intensity distribution of the applied electric field, and a transparent electrode. Means for forming optical information of a subject by an imaging optical system on a photoconductive layer of a light-to-light conversion element using divided transparent electrodes composed of a plurality of electrically independent independent portions And means for scanning in parallel with the reading light and the erasing light from the transparent electrode on the side of the optical member which changes the state of the light according to the intensity distribution of the applied electric field in the light-light conversion element, Erase Imaging device including a means for supplying selectively erase operation voltage only to the divided transparent electrode that support the parts being by connexion scanned light
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