JPH0664757B2 - Base for information storage medium and base manufacturing method - Google Patents
Base for information storage medium and base manufacturing methodInfo
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- JPH0664757B2 JPH0664757B2 JP60295065A JP29506585A JPH0664757B2 JP H0664757 B2 JPH0664757 B2 JP H0664757B2 JP 60295065 A JP60295065 A JP 60295065A JP 29506585 A JP29506585 A JP 29506585A JP H0664757 B2 JPH0664757 B2 JP H0664757B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、たとえばCD(コンパクトディスク)、VD(ビ
デオディスク)等の情報記憶媒体の基盤及び基盤製造方
法に関する。The present invention relates to a base of an information storage medium such as a CD (compact disc) and a VD (video disc), and a base manufacturing method.
光ディスクメモリは、再生専用のCD,VDにおいて半導体
レーザーを光源とした光関連技術が確立され、現在市販
されている。また、光メモリの最大の特徴である高密度
大容量記録性を生かし、所望の情報を記録し、かつ再生
のできるDRAW(Direct Read After Write)型の光ディ
スクメモリが、画像、文書等のファイリングシステム用
として既に市販に至っている。さらに、消去機能を持っ
た所謂イレーサブル光ディスクの開発が現在急速に進行
している。For optical disc memory, optical technology using a semiconductor laser as a light source has been established for read-only CDs and VDs, and is currently on the market. In addition, DRAW (Direct Read After Write) type optical disk memory that can record and reproduce desired information is used for filing system of images, documents, etc. Has already reached the market. Furthermore, the development of so-called eraseable optical discs having an erasing function is currently in rapid progress.
ところで、前記最大の特徴である高密度記録性を生かし
た光ディスク(情報記憶媒体)は、光学ヘッドの案内す
る案内溝(グルーブ)を付けた透明の基盤に情報媒体膜
を成膜することにより構成されており、現在実用化され
ている基盤としては、量産性、低コスト性を考慮して、
アクリル系樹脂(MMA)、ポリカーボネイト樹脂(PC)
等の透明な有機樹脂基板が用いられている。By the way, an optical disk (information storage medium) that makes use of the high-density recording property, which is the greatest feature, is formed by forming an information medium film on a transparent substrate having a guide groove (groove) for guiding an optical head. In consideration of mass productivity and low cost, the base that has been put into practical use at present is
Acrylic resin (MMA), Polycarbonate resin (PC)
Etc., a transparent organic resin substrate is used.
しかし、前記アクリル系樹脂は吸湿性が大きいことから
吸湿膨潤による変形の問題があり、一方、ポリカーボネ
イト樹脂は吸湿膨潤は小さいが、光学的異法性が大き
く、成形時の内部歪みによって複屈折率が大きくなると
いう問題がある。しかも、両者とも有機樹脂であるがた
めに基本的に熱に弱いという問題がある。However, the acrylic resin has a problem of deformation due to hygroscopic swelling due to its high hygroscopicity. On the other hand, the polycarbonate resin has a small hygroscopic swelling, but has a large optical anisotropy and a birefringence due to internal strain during molding. There is a problem that becomes large. Moreover, since both are organic resins, there is a problem that they are basically vulnerable to heat.
特に、記録媒体膜として光磁気効果を利用したイレーサ
ブル光ディスクでは、力−回転角またはファラデー回転
角が微小であるがために、再生時に出力信号S/Nが通
常のDRAW型ディスクと比べて小さいので、前記有機樹脂
系基板の問題が顕著である。In particular, in an eraseable optical disc that utilizes the magneto-optical effect as a recording medium film, the output signal S / N during reproduction is smaller than that of a normal DRAW type disc because the force-rotation angle or Faraday rotation angle is minute. The problem of the organic resin-based substrate is remarkable.
以上のような問題は光ディスクの基盤にガラス基板を用
いることによって基本的に解決するが、ガラス基板に約
1.6μmのピッチでスパイラル状の案内溝(グルーブ)
を直接形成する技術は未だ開発されていない。また、ガ
ラス基板上にフォトレジストを塗布して1枚1枚レーザ
ーカッティングする方法も考えられるが、1枚のカッテ
ィングに約3時間も要し、量産には全く不向きである。The above problems are basically solved by using a glass substrate as the base of the optical disc.
Spiral guide groove with a pitch of 1.6 μm
The technology for directly forming the has not yet been developed. In addition, a method of coating a photoresist on a glass substrate and laser cutting one by one can be considered, but it takes about 3 hours to cut one sheet, which is completely unsuitable for mass production.
そこで、近年、フォトレジストをマスクとしたガラス基
板のプラズマエッチング法が提案されている。Therefore, in recent years, a plasma etching method for a glass substrate using a photoresist as a mask has been proposed.
この方法は、先ず、ガラス基板上にフォトレジストを均
一に塗布した後、案内溝の形状に対応した紫外線露光を
行ない、これを現像することにより、ガラス基板表面の
案内溝に対応した部分にフォトレジストが存在しないよ
うに選択的にフォトレジストをパターニングする。つい
で、このガラス基板をCHF3ガスのプラズマにさらし
て、ガラス基板のフォトレジストの存在しない部分のみ
ドライエッチングを行なった後、フォトレジストを剥離
し、このようにして光ディスクの基盤を形成するもので
ある。In this method, first, a photoresist is evenly coated on a glass substrate, and then UV exposure corresponding to the shape of the guide groove is performed, and this is developed to form a photo resist on a portion of the glass substrate surface corresponding to the guide groove. The photoresist is selectively patterned so that there is no resist. Then, this glass substrate is exposed to the plasma of CHF 3 gas to dry-etch only the portion of the glass substrate where the photoresist does not exist, and then the photoresist is peeled off, thus forming the optical disk substrate. is there.
この方法によれば、レーザー光によって1枚1枚ガラス
基板に案内溝形状をカッティングしていく方法に比べれ
ば、案内溝の形成時間が短くて済み、一度に大量に処理
が行なえるという利点を有するが、一方では、CHF3ガ
スによるガラス基板の表面のエッチング速度が20Å/mi
nと遅いこと、およびCHF3のプラズマ中に生ずるHFラジ
カルの排気処理等で量産時にはなお問題がある。According to this method, compared with the method of cutting the guide groove shape on the glass substrate one by one with a laser beam, the time required for forming the guide groove is short and there is an advantage that a large amount of processing can be performed at one time. On the other hand, the etching rate of the surface of the glass substrate with CHF 3 gas is 20Å / mi.
There is still a problem in mass production due to the fact that it is as slow as n and exhaust treatment of HF radicals generated in the plasma of CHF 3 .
本発明は前記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、ガラス基板の利点を損うことなく、
量産性に優れ、かつ安全に製造できるようにした情報記
憶媒体用の基盤及び基盤製造方法を提供することにあ
る。The present invention has been made based on the above circumstances, and an object thereof is to maintain the advantages of a glass substrate,
An object is to provide a base for an information storage medium and a base manufacturing method which are excellent in mass productivity and can be manufactured safely.
本発明は、前記問題点を解決するために、ガラス基板上
にSi原子を含む透明なアモルファス部材を設け、このア
モルファス部材に光学ヘッドを案内するための案内溝を
エッチングにより形成したことを特徴とするものであ
る。In order to solve the above problems, the present invention is characterized in that a transparent amorphous member containing Si atoms is provided on a glass substrate, and a guide groove for guiding an optical head is formed on the amorphous member by etching. To do.
また、光学ヘッドを案内する案内溝が設けられる情報記
憶媒体用の基盤製造方法において、ガラス基板上にSi原
子を含む透明なアモルファス部材を設けるアモルファス
部材積層のステップと、このアモルファス部材積層のス
テップで設けられたアモルファス部材に選択的にエッチ
ングすることによって前記アモルファス部材に前記案内
溝を形成する案内溝形成のステップとを具備してなるこ
とを特徴とするものである。Further, in the method of manufacturing a substrate for an information storage medium in which a guide groove for guiding the optical head is provided, in the step of laminating an amorphous member on which a transparent amorphous member containing Si atoms is provided on a glass substrate, and the step of laminating the amorphous member. And a guide groove forming step of forming the guide groove in the amorphous member by selectively etching the provided amorphous member.
案内溝をガラス基板でなくガラス基板上に設けたアモル
ファス部材にエッチングによって形成する。The guide groove is formed by etching not on the glass substrate but on the amorphous member provided on the glass substrate.
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明す
る。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は光ディスクの基盤を示すもので、図中1は円板
状のガラス基板であり、このガラス基板1上にはSi原子
を含む透明なアモルファス部材2が設けられている。す
なわち、このアモルファス部材2は、たとえば水素化ア
モルファスシリコン窒化膜、水素化アモルファスシリコ
ン炭化膜、水素化アモルファスシリコン酸化膜のいずれ
かの材料か、または、Si原子とH原子を含み、かつN,C,
O原子のうち2つ以上の原子を含む材料で構成され、ガ
ラス基板1上に均一に設けられている。FIG. 1 shows a base of an optical disk. In FIG. 1, reference numeral 1 is a disk-shaped glass substrate, and a transparent amorphous member 2 containing Si atoms is provided on the glass substrate 1. That is, this amorphous member 2 is made of any material such as hydrogenated amorphous silicon nitride film, hydrogenated amorphous silicon carbide film or hydrogenated amorphous silicon oxide film, or contains Si atoms and H atoms, and contains N, C. ,
It is made of a material containing two or more atoms among O atoms, and is uniformly provided on the glass substrate 1.
また、このアマモルファス部材2には図示しない光学ヘ
ッドを案内するための案内溝3がたとえばスパイラル状
に形成されている。In addition, a guide groove 3 for guiding an optical head (not shown) is formed in the amamorphous member 2 in a spiral shape, for example.
次に、このような構成の基盤の製造方法を説明する。Next, a method of manufacturing a substrate having such a structure will be described.
先ず、第2図(a)に示すように、ガラス基板1上にグ
ロー放電CVD法によって透明な例えば水素化アモルファ
スシリコン炭化膜(a−SiC;H膜)、アモルファスシリ
コン窒化膜 (a−SiN;H膜)、アモルファスシリコン窒化膜(a−S
iO;H膜)のいずれかで構成されるアモルファス部材2を
約700Å〜5000Åの厚さに成膜する。First, as shown in FIG. 2 (a), a transparent hydrogenated amorphous silicon carbide film (a-SiC; H film), an amorphous silicon nitride film (a-SiN; H film), amorphous silicon nitride film (a-S
An amorphous member 2 composed of either iO; H film) is formed to a thickness of about 700Å to 5000Å.
ついで、第2図(b)に示すように、ネガ型のフォトレ
ジスト4の液をスピンナーによって前記アモルファス部
材2上に均一にコートする。Then, as shown in FIG. 2B, the liquid of the negative photoresist 4 is uniformly coated on the amorphous member 2 by a spinner.
ついで、第2図(c)に示すように、Cr等で所望の案内
溝3の形状にパターニングされたマスク5の上から紫外
線で露光した後、第2図(d)に示すように、ネガ型の
現像液(図示せず)により露光されなかった部分のフォ
トレジスト4を選択的に取除く。Then, as shown in FIG. 2 (c), the mask 5 patterned into a desired guide groove 3 with Cr or the like is exposed to ultraviolet light, and then, as shown in FIG. 2 (d), a negative film is formed. The photoresist 4 in the portions not exposed by the mold developing solution (not shown) is selectively removed.
ついで、第2図(e)に示すように、フォトレジスト4
をマスクとしてCF4ガスとO2ガスの混合ガス中で前記
アモルファス部材2のプラズマエッチングを行なった
後、第2図(f)に示すように、剥離液を用いてフォト
レジスト4の剥離を行なう。Then, as shown in FIG.
After the amorphous member 2 is plasma-etched in a mixed gas of CF 4 gas and O 2 gas using the mask as a mask, the photoresist 4 is stripped using a stripping solution as shown in FIG. 2 (f). .
以上の構成によれば、アモルファス部材2を構成する水
素化アモルファスシリコン炭化膜(a−SiC;H膜)、ア
モルファスシリコン窒化膜(a−SiN;H膜)、またはア
モルファスシリコン窒化膜(a−SiO;H膜)は、Siに対
してN,C,Oの量を変えることによって容易に光学バンド
ギャップを変化させることができ、また一般にSiに対し
N,C,Oの原子%が多くなるにつれて透明になるので、光
学バンドギャップおよび透明度の調整が容易に行なえ
る。According to the above configuration, the hydrogenated amorphous silicon carbide film (a-SiC; H film), the amorphous silicon nitride film (a-SiN; H film), or the amorphous silicon nitride film (a-SiO) forming the amorphous member 2 is formed. (H film) can easily change the optical bandgap by changing the amount of N, C, O with respect to Si.
It becomes transparent as the atomic percentage of N, C, and O increases, so that the optical band gap and transparency can be easily adjusted.
また、水素化アモルファスシリコン炭化膜 (a−SiC;H膜)、アモルファスシリコン窒化膜(a−S
iN;H膜)、アモルファスシリコン窒化膜(a−SiO;H
膜)はガラスと同様に非吸湿性で複屈折率が小さいの
で、ガラス基板1と全く同じ取扱いができる。In addition, hydrogenated amorphous silicon carbide film (a-SiC; H film), amorphous silicon nitride film (a-S
iN; H film), amorphous silicon nitride film (a-SiO; H)
Since the film) is non-hygroscopic and has a small birefringence like glass, it can be handled in exactly the same way as the glass substrate 1.
また、水素化アモルファスシリコン炭化膜 (a−SiC;H膜)、アモルファスシリコン窒化膜(a−S
iN;H膜)、アモルファスシリコン窒化膜(a−SiO;H
膜)は、CF4ガスとO2ガスの混合ガス中でのプラズマ
エッチングによって、極めて速い速度で(5000Å/mi
n)でエッチングができるので、量産性に優れる。In addition, hydrogenated amorphous silicon carbide film (a-SiC; H film), amorphous silicon nitride film (a-S
iN; H film), amorphous silicon nitride film (a-SiO; H)
The film was formed by plasma etching in a mixed gas of CF 4 gas and O 2 gas at an extremely fast rate (5000Å / mi).
Since it can be etched in n), it has excellent mass productivity.
さらに、CF4ガスおよびO2ガスのラジカルは基本的に
無害なので、排気は通常のダクトで行なっても問題はな
く、したがって安全に製造ができる。Furthermore, since the radicals of CF 4 gas and O 2 gas are basically harmless, there is no problem even if exhaust is performed in a normal duct, and therefore, it can be safely manufactured.
次に、実施例を説明する。Next, examples will be described.
先ず、コーニング性強化ガラス基板1を容量結合型グロ
ー放電CVD装置内(図示せず)にセットし、基板温度230
℃、SiH4ガス流量50SCCM、N2ガス流量500SCCM、対向
電極に投入するR.F.パワー300W、成膜時間約2分間(膜
厚1000Å)の各条件で、a−SiN;H膜(アモルファス部
材2)を成膜した。このa−SiN;H膜の光学バンドギャ
ップは3,5eVでほとんど透明である。First, the Corning tempered glass substrate 1 is set in a capacitively coupled glow discharge CVD apparatus (not shown), and the substrate temperature is set to 230.
A-SiN; H film (amorphous member 2) under the conditions of ℃, SiH 4 gas flow rate 50SCCM, N 2 gas flow rate 500SCCM, RF power applied to the counter electrode 300W, film formation time about 2 minutes (film thickness 1000Å) Was deposited. The optical bandgap of this a-SiN; H film is 3.5 eV and is almost transparent.
ついで、第2図(b)〜(d)に示したフォトレジスト
4の塗布、露光、現像の各工程を行ない、幅0.9μm、
ピッチ1.6μmの案内溝3の形状部分を除いた部分にフ
ォトレジスト4を残した。Then, the steps of coating, exposing, and developing the photoresist 4 shown in FIGS. 2B to 2D are performed to obtain a width of 0.9 μm.
The photoresist 4 was left on the portion except the shape of the guide groove 3 having a pitch of 1.6 μm.
ついで、再度同じグロー放電CVD装置内に前記ガラス基
板1をセットし、基板温度常温、CF4ガス流量100SCC
M、C2ガス流量70SCCM、R.F.パワー300W、エッチング
時間約10秒、溝深さ750Åの各条件で、プラズマエッチ
ングを行なった。Then, the glass substrate 1 was set in the same glow discharge CVD apparatus again, the substrate temperature was room temperature, and the CF 4 gas flow rate was 100 SCC.
Plasma etching was performed under the conditions of M and C 2 gas flow rates of 70 SCCM, RF power of 300 W, etching time of about 10 seconds, and groove depth of 750 Å.
ついで、このサンプル上のフォトレジスト4を剥離液を
用いて剥離した。Then, the photoresist 4 on this sample was stripped using a stripping solution.
以上の工程により製造された本発明に係る基盤と、ガラ
ス基板上にフォトレジストを塗布してレーザーカッティ
ングを行なった従来の通常の基盤とのノイズレベルの測
定を行なったところ、両者には有意差がなく、光磁気デ
ィスク用の基盤として十分実用に耐え得ることが確認さ
れた。When the noise level was measured between the substrate according to the present invention manufactured by the above steps and the conventional substrate obtained by applying a photoresist on a glass substrate and performing laser cutting, there was a significant difference between the two. Therefore, it was confirmed that it could be practically used as a base for a magneto-optical disk.
以上説明したように本発明によれば、ガラス基板上にSi
原子を含む透明なアモルファス部材を設け、このアマモ
ルファス部材に光学ヘッドを案内するための案内溝を形
成したから、ガラス基板の利点を損うことなく、量産性
に優れ、かつ安全に製造できる等の優れた効果を奏す
る。As described above, according to the present invention, Si is formed on the glass substrate.
Since a transparent amorphous member containing atoms is provided and a guide groove for guiding the optical head is formed in this amamorphous member, it is possible to mass-produce and safely manufacture without impairing the advantages of the glass substrate. Exerts the excellent effect of.
図面は本発明の一実施例を示すもので、第1図は断面
図、第2図は製造工程を示す説明図である。 1……ガラス基板、2……アモルファス部材、3……案
内溝、4……フォトレジスト。The drawings show one embodiment of the present invention. FIG. 1 is a sectional view and FIG. 2 is an explanatory view showing a manufacturing process. 1 ... glass substrate, 2 ... amorphous member, 3 ... guide groove, 4 ... photoresist.
Claims (5)
ファス部材を設け、このアモルファス部材に光学ヘッド
を案内するための案内溝をエッチングにより形成したこ
とを特徴とする情報記憶媒体用の基盤。1. A substrate for an information storage medium, characterized in that a transparent amorphous member containing Si atoms is provided on a glass substrate, and a guide groove for guiding an optical head is formed in the amorphous member by etching.
ァスシリコン窒化膜、水素化アモルファスシリコン酸化
膜、水素化アモルファスシリコン酸化膜のいずれかの材
料、または、Si原子及びH原子を含むと共にN、C、O
原子のうち2つ以上の原子を含むアモルファス材料で構
成したことを特徴ととする特許請求の範囲第1項記載の
情報記憶媒体用の基盤。2. The amorphous member contains any material of hydrogenated amorphous silicon nitride film, hydrogenated amorphous silicon oxide film, hydrogenated amorphous silicon oxide film, or Si atom and H atom, and N, C, O
The base for an information storage medium according to claim 1, characterized in that it is composed of an amorphous material containing two or more atoms among the atoms.
情報記憶媒体用の基盤製造方法において、 ガラス基板上にSi原子を含む透明なアモルファス部材を
設けるアモルファス部材積層のステップと、 このアモルファス部材積層のステップで設けられたアモ
ルファス部材に選択的にエッチングすることによって前
記アモルファス部材に前記案内溝を形成する案内溝形成
のステップと、 を具備してなることを特徴とする情報記憶媒体用の基盤
製造方法。3. A method of manufacturing a substrate for an information storage medium, wherein a guide groove for guiding an optical head is provided, and a step of laminating an amorphous member on which a transparent amorphous member containing Si atoms is provided on a glass substrate, and the amorphous member laminating. A step of forming a guide groove in the amorphous member by selectively etching the amorphous member provided in the step of forming a guide groove for an information storage medium. Method.
1のステップと、 この第1のステップによって形成されるフォトレジスト
上に案内溝の形状をパターニングしたマスクを載置する
第2のステップと、 この第2のステップによって載置された前記マスク上か
ら紫外線を照射する第3のステップと、 この第3のステップによって紫外線が照射された後、前
記マスクを除去する第4のステップと、 この第4のステップによって前記マスクが除去された後
のフォトレジストの、紫外線が露光されなかった部分を
現像液を用いて選択的に除去することでフォトレジスト
に前記案内溝の形状を形成する第5のステップと、 第5のステップによって前記案内溝の形状が形成された
フォトレジストをマスクとして前記アモルファス部材を
エッチングし、案内溝を形成する第6のステップと、 を具備してなることを特徴とする特許請求の範囲第3項
記載の情報記憶媒体用の基盤製造方法。4. The step of forming the guide groove includes a first step of forming a photoresist on the amorphous member, and a mask in which the shape of the guide groove is patterned on the photoresist formed by the first step. And a third step of irradiating ultraviolet rays from the mask placed by the second step, and a step of irradiating the mask with ultraviolet rays by the third step. A fourth step of removing, and a portion of the photoresist after the mask is removed by the fourth step, which is not exposed to ultraviolet rays, is selectively removed by using a developing solution to form the photoresist. A fifth step of forming the shape of the guide groove, and a photoresist in which the shape of the guide groove is formed by the fifth step are masked. The amorphous member is etched, the sixth step and the foundation manufacturing method for patent information storage medium range third claim of claim, characterized by comprising comprises a forming the guide groove as.
ァスシリコン窒化膜、水素化アモルファスシリコン炭化
膜、水素化アモルファスシリコン酸化膜のいずれかの材
料、または、Si原子及びH原子を含むと共にN、C、O
原子のうち2つ以上の原子を含むアモルファス材料で構
成したことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の情
報記憶媒体用の基盤製造方法。5. The amorphous member contains any material of hydrogenated amorphous silicon nitride film, hydrogenated amorphous silicon carbide film and hydrogenated amorphous silicon oxide film, or contains Si atoms and H atoms and N, C, O
The substrate manufacturing method for an information storage medium according to claim 3, wherein the substrate is made of an amorphous material containing two or more atoms.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295065A JPH0664757B2 (en) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | Base for information storage medium and base manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP60295065A JPH0664757B2 (en) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | Base for information storage medium and base manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150539A JPS62150539A (en) | 1987-07-04 |
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Family Applications (1)
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| JP60295065A Expired - Fee Related JPH0664757B2 (en) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | Base for information storage medium and base manufacturing method |
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Families Citing this family (3)
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| JPH01235044A (en) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical disk substrate and its production |
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-
1985
- 1985-12-25 JP JP60295065A patent/JPH0664757B2/en not_active Expired - Fee Related
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