JPH0664869B2 - 磁気ヘツドスライダ - Google Patents
磁気ヘツドスライダInfo
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- JPH0664869B2 JPH0664869B2 JP19199386A JP19199386A JPH0664869B2 JP H0664869 B2 JPH0664869 B2 JP H0664869B2 JP 19199386 A JP19199386 A JP 19199386A JP 19199386 A JP19199386 A JP 19199386A JP H0664869 B2 JPH0664869 B2 JP H0664869B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気デイスク媒体上に塗布された潤滑剤の磁気
ヘツドスライダへの転移及び付着が起らない、長期信頼
性に優れた高性能な磁気ヘツドスライダに関する。
ヘツドスライダへの転移及び付着が起らない、長期信頼
性に優れた高性能な磁気ヘツドスライダに関する。
現在、磁気ヘツドスライダ（以下ヘツドスライダと略記
する）として広く使われている型にウインチエスタ・タ
イプとホイツトニ・タイプがある。該ヘツドスライダは
磁気デイスク媒体の停止中は、磁気デイスク媒体面上に
着陸しており、磁気デイスク媒体（以下、媒体と略記す
る）の回転開始時、又は停止時には、媒体表面に接触走
行する。また、高速度での定常回転時には媒体面上かり
離陸して飛行しているが、その浮上量は、0.1〜0.2μｍ
と非常に狭い。そのため、ヘツドスライダへの潤滑剤の
転移、付着が起ると、ヘツドスライダの媒体表面への吸
着を引起す誘因になると共に、ヘツドスライダの浮上姿
勢の変動、悪化の原因となり、媒体とヘツドスライダの
破壊を引起すヘツドクラツシユに至る。このため、磁気
デイスク装置の媒体面上の潤滑剤の塗布量は、ヘツドス
ライダへの転移、媒体へのヘツドスライダの吸着を防止
するため、最適な量にコントロールされている。
する）として広く使われている型にウインチエスタ・タ
イプとホイツトニ・タイプがある。該ヘツドスライダは
磁気デイスク媒体の停止中は、磁気デイスク媒体面上に
着陸しており、磁気デイスク媒体（以下、媒体と略記す
る）の回転開始時、又は停止時には、媒体表面に接触走
行する。また、高速度での定常回転時には媒体面上かり
離陸して飛行しているが、その浮上量は、0.1〜0.2μｍ
と非常に狭い。そのため、ヘツドスライダへの潤滑剤の
転移、付着が起ると、ヘツドスライダの媒体表面への吸
着を引起す誘因になると共に、ヘツドスライダの浮上姿
勢の変動、悪化の原因となり、媒体とヘツドスライダの
破壊を引起すヘツドクラツシユに至る。このため、磁気
デイスク装置の媒体面上の潤滑剤の塗布量は、ヘツドス
ライダへの転移、媒体へのヘツドスライダの吸着を防止
するため、最適な量にコントロールされている。
その最適量は、塗布方法や使用する潤滑剤によつて個々
に違つているが、潤滑剤の最適塗布量に制御する方法
は、媒体、ヘツドスライダ間の稼動の信頼性を左右する
媒体作製上の重要な技術となつている。
に違つているが、潤滑剤の最適塗布量に制御する方法
は、媒体、ヘツドスライダ間の稼動の信頼性を左右する
媒体作製上の重要な技術となつている。
媒体面上への潤滑剤の固定方法は、固体潤滑剤では媒体
面上に凹部を設けて、潤滑剤を物理的に該凹部に入れる
塗布方法や液体潤滑剤ではSiO２などのトツプコート無
機化合物薄膜表面に潤滑剤未満の反応性官能基を化学的
に結合させる方法が開発されてきた。
面上に凹部を設けて、潤滑剤を物理的に該凹部に入れる
塗布方法や液体潤滑剤ではSiO２などのトツプコート無
機化合物薄膜表面に潤滑剤未満の反応性官能基を化学的
に結合させる方法が開発されてきた。
しかし、これらの方法によつて媒体表面に形成された潤
滑層によつても、記録密度の増大に伴うヘツドスライダ
のスペーシングの狭小化によるヘツドスライダへの潤滑
剤の転移を防止することはできなかつた。
滑層によつても、記録密度の増大に伴うヘツドスライダ
のスペーシングの狭小化によるヘツドスライダへの潤滑
剤の転移を防止することはできなかつた。
また、ヘツドスライダの浮上特性は、厳密に設計された
形状以外、ヘツドスライダへの付加物の存在によつて容
易に変化し悪化してしまうため困難が伴い、このためヘ
ツドスライダの処理などによつて潤滑剤の転移を防止す
る技術は全く知られていなかつた。このため、ヘツドス
ライダは、Mn-Znフエライト、Al２Ｏ３・TiCセラミツク
などの材質を所定の形状に加工したままの材質で用いら
れているのが従来の方法であつた。
形状以外、ヘツドスライダへの付加物の存在によつて容
易に変化し悪化してしまうため困難が伴い、このためヘ
ツドスライダの処理などによつて潤滑剤の転移を防止す
る技術は全く知られていなかつた。このため、ヘツドス
ライダは、Mn-Znフエライト、Al２Ｏ３・TiCセラミツク
などの材質を所定の形状に加工したままの材質で用いら
れているのが従来の方法であつた。
本発明の目的は、従来の問題点を解消したヘツドスライ
ダを提供することにある。
ダを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明を概説すれば、本発明はヘツドスライダに関する
発明であつて、無機化合物によつて形成されたヘツドス
ライダにおいて、該ヘツドスライダの表面に化学結合し
た有機シリコン官能基層が設けられていることを特徴と
する。
発明であつて、無機化合物によつて形成されたヘツドス
ライダにおいて、該ヘツドスライダの表面に化学結合し
た有機シリコン官能基層が設けられていることを特徴と
する。
本発明は、ヘツドスライダの材質に用いられているMn-Z
n、その他のフエライトやAl２Ｏ３・TiCの混合セラミツ
クなどの表面に有機シリコン官能基を化学結合させるこ
とにより、媒体上の潤滑剤のヘツドスライダへの転移及
び付着を防止することも最も主要な特徴とする。
n、その他のフエライトやAl２Ｏ３・TiCの混合セラミツ
クなどの表面に有機シリコン官能基を化学結合させるこ
とにより、媒体上の潤滑剤のヘツドスライダへの転移及
び付着を防止することも最も主要な特徴とする。
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。従来の
技術によるヘツドスライダの稼動後の横断面図を第２図
に示す。ここで１はヘツドスライダ材である。
技術によるヘツドスライダの稼動後の横断面図を第２図
に示す。ここで１はヘツドスライダ材である。
従来のヘツドスライダでは、磁気デイスク装置の稼動
時、媒体の回転開始、停止、高速回転の繰返しの結果、
コンタミネーシヨンの炭化水素、吸着水と共に潤滑剤が
媒体より転移し表面に付着する。ここで２はコンタミネ
ーシヨンの炭化水素、３は吸着水、４は潤滑剤である。
この結果、ヘツドスライダの浮上特性が悪化し、ヘツド
クラツシユの原因となり、磁気デイスク装置の信頼性を
低下させる。これに対し、本発明ではヘツドスライダの
表面に均一にかつ単分子層的な極薄膜の有機シリコン官
能基を化学結合させている。第１図は有機シリコン官能
基をヘツドスライダ表面に均一につけた本発明による稼
動後のヘツドスライダの横断面図である。ここで５はヘ
ツドスライダ材に均一な厚さで化学結合している有機シ
リコン官能基層である。有機シリコン官能基をヘツドス
ライダに化学結合させるためにはシリル化反応を用いる
ことができる。該シリル化反応としては、下の（１）式
に示すようにMn-Znフエライト、Al２Ｏ３・TiCなどのヘ
ツドスライダ表面の水酸基を、ヘキサメチルジシラザン
（以下、HMDSと略記する）などのシリル化剤によつて有
機シリコン官能基に変性させる。
時、媒体の回転開始、停止、高速回転の繰返しの結果、
コンタミネーシヨンの炭化水素、吸着水と共に潤滑剤が
媒体より転移し表面に付着する。ここで２はコンタミネ
ーシヨンの炭化水素、３は吸着水、４は潤滑剤である。
この結果、ヘツドスライダの浮上特性が悪化し、ヘツド
クラツシユの原因となり、磁気デイスク装置の信頼性を
低下させる。これに対し、本発明ではヘツドスライダの
表面に均一にかつ単分子層的な極薄膜の有機シリコン官
能基を化学結合させている。第１図は有機シリコン官能
基をヘツドスライダ表面に均一につけた本発明による稼
動後のヘツドスライダの横断面図である。ここで５はヘ
ツドスライダ材に均一な厚さで化学結合している有機シ
リコン官能基層である。有機シリコン官能基をヘツドス
ライダに化学結合させるためにはシリル化反応を用いる
ことができる。該シリル化反応としては、下の（１）式
に示すようにMn-Znフエライト、Al２Ｏ３・TiCなどのヘ
ツドスライダ表面の水酸基を、ヘキサメチルジシラザン
（以下、HMDSと略記する）などのシリル化剤によつて有
機シリコン官能基に変性させる。
ここで、有機シリコン官能基としては、 で表されるものを用いることができる。ＭはSi、Alなど
の金属あるいは半金属元素である。該有機シリコン官能
基中のSi原子に結合しているアルキル基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ
３の種類の違いにより、好ましくは次の４種に分類する
ことができる。本発明の有機シリコン官能基を表面に化
学結合したヘツドスライダを作製するためには、好まし
くは分類中の１種を用いればよい。
の金属あるいは半金属元素である。該有機シリコン官能
基中のSi原子に結合しているアルキル基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ
３の種類の違いにより、好ましくは次の４種に分類する
ことができる。本発明の有機シリコン官能基を表面に化
学結合したヘツドスライダを作製するためには、好まし
くは分類中の１種を用いればよい。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３が共にメチル基 有機シリコン官能基：（CH３）３Si− Ｒ１、Ｒ２はメチル基、Ｒ３はフエニル基 有機シリコン官能基:Ph（CH３）２Si− （ここでPhはフエニル基を示す） Ｒ１、Ｒ２はメチル基、Ｒ３は第３級ブチル基 有機シリコン官能基:t-Bu（CH３）２Si− （ここでt-Buは第３級ブチル基を示す） Ｒ１、Ｒ２はメチル基、Ｒ３はペンタフルオロフエニ
ル基 有機シリコン官能基:C６Ｆ５（CH３）２Si− 該シリル化剤をヘツドスライダ表面に化学結合させる方
法として、シリル化剤中でヘツドスライダを加温反応さ
せる方法、シリル加剤蒸気中に保持する方法、スピンコ
ート法、ワイプ法などを用いることができる。
ル基 有機シリコン官能基:C６Ｆ５（CH３）２Si− 該シリル化剤をヘツドスライダ表面に化学結合させる方
法として、シリル化剤中でヘツドスライダを加温反応さ
せる方法、シリル加剤蒸気中に保持する方法、スピンコ
ート法、ワイプ法などを用いることができる。
このようなシリル化反応によつてヘツドスライダ表面に
形成される有機シリコン官能基は、ヘツドスライダ材に
化学結合している水酸化物などの水素原子が反応（１）
のように、有機シリコン官能基になつた形態としてのみ
存在し、有機シリコン官能基が単分子層的に数オングス
トロームという極薄の均一な厚さの変性層を形成する。
このような有機シリコン官能基の変性層をヘツドスライ
ダ表面に形成する過程において、変性層形成前にヘツド
スライダ表面に必ず付着しているコンタミネーシヨンの
炭化水素や吸着水を排除する。この結果、ヘツドスライ
ダ表面上に有機シリコン官能基が化学結合すると共に、
ヘツドスライダ表面は非常に清浄な表面になる。
形成される有機シリコン官能基は、ヘツドスライダ材に
化学結合している水酸化物などの水素原子が反応（１）
のように、有機シリコン官能基になつた形態としてのみ
存在し、有機シリコン官能基が単分子層的に数オングス
トロームという極薄の均一な厚さの変性層を形成する。
このような有機シリコン官能基の変性層をヘツドスライ
ダ表面に形成する過程において、変性層形成前にヘツド
スライダ表面に必ず付着しているコンタミネーシヨンの
炭化水素や吸着水を排除する。この結果、ヘツドスライ
ダ表面上に有機シリコン官能基が化学結合すると共に、
ヘツドスライダ表面は非常に清浄な表面になる。
第３図はヘツドスライダ材１の表面上に有機シリコン官
能基７が共有結合により単分子層の厚さで結合し、有機
シリコン官能基層５を形成している状態での分子の配向
形態を示す模式図である。ここで６は表面に結合してい
る有機シリコン官能基層と空気相との界面を示す。有機
シリコン官能基層はシリコン原子と官能基（ここで
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）との相乗効果により、ヘツドスライ
ダ表面にはつ水性を与える。その結果、水蒸気の表面へ
の吸着を防止する。更に、有機シリコン官能基層が低い
表面張力を持つことにより、媒体との接触あるいは潤滑
剤飛まつとヘツドスライダとの衝突によつても、ヘツド
スライダ上への潤滑剤の付着を有効に防止することがで
きる。本発明により従来、磁気デイスク装置の信頼性を
損つていたヘツドスライダの媒体への吸着によるヘツド
クラツシユ及びヘツドスライダの飛行特性の変動による
媒体との接触による摩擦、摩耗の増加、読出し／書込み
特性の低下を防止することができる。更に有機シリコン
官能基層をヘツドスライダ表面に形成すると該官能基層
は長期間空気中で変化しないため、初期に持つていた性
能を維持すると共に、ヘツドスライダへの水分の再吸
着、コンタミネーシヨンの炭化水素の付着を防止するこ
とができるため、磁気デイスク装置の高信頼度化を達成
することができる。
能基７が共有結合により単分子層の厚さで結合し、有機
シリコン官能基層５を形成している状態での分子の配向
形態を示す模式図である。ここで６は表面に結合してい
る有機シリコン官能基層と空気相との界面を示す。有機
シリコン官能基層はシリコン原子と官能基（ここで
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）との相乗効果により、ヘツドスライ
ダ表面にはつ水性を与える。その結果、水蒸気の表面へ
の吸着を防止する。更に、有機シリコン官能基層が低い
表面張力を持つことにより、媒体との接触あるいは潤滑
剤飛まつとヘツドスライダとの衝突によつても、ヘツド
スライダ上への潤滑剤の付着を有効に防止することがで
きる。本発明により従来、磁気デイスク装置の信頼性を
損つていたヘツドスライダの媒体への吸着によるヘツド
クラツシユ及びヘツドスライダの飛行特性の変動による
媒体との接触による摩擦、摩耗の増加、読出し／書込み
特性の低下を防止することができる。更に有機シリコン
官能基層をヘツドスライダ表面に形成すると該官能基層
は長期間空気中で変化しないため、初期に持つていた性
能を維持すると共に、ヘツドスライダへの水分の再吸
着、コンタミネーシヨンの炭化水素の付着を防止するこ
とができるため、磁気デイスク装置の高信頼度化を達成
することができる。
〔実施例〕 以下本発明を実施例により更に具体的に説明するが本発
明はこれら実施例に限定されない。
明はこれら実施例に限定されない。
実施例１ 第４図は本発明の１実施例を説明する模式図であつて、
分子の配向状態を示す。１はヘツドスライダ材、５は有
機シリコン官能基層、６は有機シリコン官能基層と空気
相との界面、７は有機シリコン官能基であるトリメチル
シリル基を示す。トリメチルシリル基をヘツドスライダ
材の表面に共有結合させるには、ヘツドスライダをHMDS
の液中あるいは蒸気中に100℃前後で保持すればよい。H
MDSとの反応を、ピリジンのようなHMDSと反応した溶媒
中でも行うことができる。ヘツドスライダの表面にトリ
メチルシリル基７がシリル化反応によつて化学結合を形
成する。該シリル化反応の過程において、ヘツドスライ
ダ材の表面に必ず付着しているコンタミネーシヨンの炭
化水素及び吸着水を除去してしまうため、トリメチルシ
リル基で覆われたヘツドスライダ材、表面は非常に清浄
な表面になる。このため、トリメチルシリル基の化学特
性やはつ水性などの特性がほぼ完全に発揮される。ここ
では、パーフルオロポリエーテルのような液体潤滑剤や
固体潤滑剤を塗布してある媒体を用いて本発明の効果を
調べた。その結果、Mn-Znフエライト材質のウインチエ
スタ・タイプ（荷重7gf・トラツク幅15μｍ）やホイツ
トニ・タイプ（荷重7gf・トラツク幅10μｍ）のヘツド
スライダを用いた２万回のCSS試験後、本発明によるヘ
ツドスライダでは、潤滑剤のヘツドスライダへの付着は
全く認められないのに対し、従来のままのヘツドスライ
ダ表面には、多量の潤滑剤の付着が認められた。また本
発明によるヘツドスライダでは相対湿度65％以上の高湿
度領域でも、ヘツドスライダの媒体への吸着が長時間で
も全く起らないのに対し、従来のヘツドスライダでは媒
体への強い吸着が４〜５時間で起り、ヘツドクラツシユ
に至つた。従来型のヘツドスライダでは潤滑剤の付着に
よる浮上特性の悪化に伴い、書込み／読出し特性の性能
劣化が認められたのに対し、本発明のヘツドスライダで
は書込み／読出し特性の劣化がCSS2万回後も全く認めら
れなかつた。
分子の配向状態を示す。１はヘツドスライダ材、５は有
機シリコン官能基層、６は有機シリコン官能基層と空気
相との界面、７は有機シリコン官能基であるトリメチル
シリル基を示す。トリメチルシリル基をヘツドスライダ
材の表面に共有結合させるには、ヘツドスライダをHMDS
の液中あるいは蒸気中に100℃前後で保持すればよい。H
MDSとの反応を、ピリジンのようなHMDSと反応した溶媒
中でも行うことができる。ヘツドスライダの表面にトリ
メチルシリル基７がシリル化反応によつて化学結合を形
成する。該シリル化反応の過程において、ヘツドスライ
ダ材の表面に必ず付着しているコンタミネーシヨンの炭
化水素及び吸着水を除去してしまうため、トリメチルシ
リル基で覆われたヘツドスライダ材、表面は非常に清浄
な表面になる。このため、トリメチルシリル基の化学特
性やはつ水性などの特性がほぼ完全に発揮される。ここ
では、パーフルオロポリエーテルのような液体潤滑剤や
固体潤滑剤を塗布してある媒体を用いて本発明の効果を
調べた。その結果、Mn-Znフエライト材質のウインチエ
スタ・タイプ（荷重7gf・トラツク幅15μｍ）やホイツ
トニ・タイプ（荷重7gf・トラツク幅10μｍ）のヘツド
スライダを用いた２万回のCSS試験後、本発明によるヘ
ツドスライダでは、潤滑剤のヘツドスライダへの付着は
全く認められないのに対し、従来のままのヘツドスライ
ダ表面には、多量の潤滑剤の付着が認められた。また本
発明によるヘツドスライダでは相対湿度65％以上の高湿
度領域でも、ヘツドスライダの媒体への吸着が長時間で
も全く起らないのに対し、従来のヘツドスライダでは媒
体への強い吸着が４〜５時間で起り、ヘツドクラツシユ
に至つた。従来型のヘツドスライダでは潤滑剤の付着に
よる浮上特性の悪化に伴い、書込み／読出し特性の性能
劣化が認められたのに対し、本発明のヘツドスライダで
は書込み／読出し特性の劣化がCSS2万回後も全く認めら
れなかつた。
更に0.25mmの測定長の最大高さRmax80ÅのSiO２層付ア
ルマイト変性アルミニウム・デイスクを用いて本発明の
ヘツドデイスク及び同一形状の従来品のヘツドデイスク
の接着力を測定した。このとき媒体の最上層にはパーフ
ルオロポリエーテルが塗布されている。Mn-Znフエライ
ト製のウインチエスタ・タイプのヘツドスライダについ
ては本発明の有機シリコン官能基を結合させたヘツドス
ライダでは吸着力は第１表に示すように、2gfであるの
に対し、有機シリコン官能基層の無い従来のヘツドスラ
イダでは20gfと非常に大きかつた。このような大きな吸
着力の結果、ヘツドスライダを支えているジンバルバネ
の座屈が起つた。
ルマイト変性アルミニウム・デイスクを用いて本発明の
ヘツドデイスク及び同一形状の従来品のヘツドデイスク
の接着力を測定した。このとき媒体の最上層にはパーフ
ルオロポリエーテルが塗布されている。Mn-Znフエライ
ト製のウインチエスタ・タイプのヘツドスライダについ
ては本発明の有機シリコン官能基を結合させたヘツドス
ライダでは吸着力は第１表に示すように、2gfであるの
に対し、有機シリコン官能基層の無い従来のヘツドスラ
イダでは20gfと非常に大きかつた。このような大きな吸
着力の結果、ヘツドスライダを支えているジンバルバネ
の座屈が起つた。
本実施例で用いたHMDSによつてヘツドスライダ表面に形
成されるトリメチルシリル基の代りに、有機シリコン官
能基としてPh（CH３）２Si-、t-Bu（CH３）２Si-又はＣ
６Ｆ５（CH３）２Si-を形成しても同様に優れた効果が
認められた。
成されるトリメチルシリル基の代りに、有機シリコン官
能基としてPh（CH３）２Si-、t-Bu（CH３）２Si-又はＣ
６Ｆ５（CH３）２Si-を形成しても同様に優れた効果が
認められた。
実施例２ ヘツドスライダとしてAl２Ｏ３・TiC製のホイツトニ・
タイプのものを用い、Rmax100Å（測定長ｌ＝0.25mm）
のアルマイト層付アルミニウム基板の磁気デイスク上で
の特性を調べた。トツプコート層はSiO２であり、更に
その上にパーフルオロポリエーテル・ジカルボキシレー
トをスピンコート法により塗布し、その後、加熱して潤
滑層を形成した。ヘツドスライダの形状は第１表中に示
されている。本発明のヘツドスライダの表面には有機シ
リコン官能基層として（CH３）３Si-、Ph（CH３）２Si
-、t-Bu（CH３）２Si-、Ｃ６Ｆ５（CH３）２Si-のうち
の１つが形成されている。４万回のCSS試験後、本発明
によるヘツドスライダでは、潤滑剤のヘツドスライダへ
の転移及び付着が全く認められなかつた。これ対し従来
品にはスライダ部及びその周囲に、多量の潤滑剤の付着
が認められた。また、本発明と従来品のヘツドスライダ
の媒体との吸着力は、第１表に示すように、本発明のヘ
ツドスライダでは3gfであるのに対し、従来品では25gf
と非常に大きく、そのため、ヘツドスライダは正常な浮
上ができず、ヘツドクラツシユに至つた。その他実施例
１と同様の優れた特性を示し、高性能、高信頼度化され
たヘツドスライダを作製することを可能とした。更に、
ヘツトスライダとシリル化剤の反応速度が早く、かつ、
有機シリコン官能基層は単分子層的であるため、試薬量
は少なくて済み、本発明は経済的にも大きなメリツトを
もたらすことができる。
タイプのものを用い、Rmax100Å（測定長ｌ＝0.25mm）
のアルマイト層付アルミニウム基板の磁気デイスク上で
の特性を調べた。トツプコート層はSiO２であり、更に
その上にパーフルオロポリエーテル・ジカルボキシレー
トをスピンコート法により塗布し、その後、加熱して潤
滑層を形成した。ヘツドスライダの形状は第１表中に示
されている。本発明のヘツドスライダの表面には有機シ
リコン官能基層として（CH３）３Si-、Ph（CH３）２Si
-、t-Bu（CH３）２Si-、Ｃ６Ｆ５（CH３）２Si-のうち
の１つが形成されている。４万回のCSS試験後、本発明
によるヘツドスライダでは、潤滑剤のヘツドスライダへ
の転移及び付着が全く認められなかつた。これ対し従来
品にはスライダ部及びその周囲に、多量の潤滑剤の付着
が認められた。また、本発明と従来品のヘツドスライダ
の媒体との吸着力は、第１表に示すように、本発明のヘ
ツドスライダでは3gfであるのに対し、従来品では25gf
と非常に大きく、そのため、ヘツドスライダは正常な浮
上ができず、ヘツドクラツシユに至つた。その他実施例
１と同様の優れた特性を示し、高性能、高信頼度化され
たヘツドスライダを作製することを可能とした。更に、
ヘツトスライダとシリル化剤の反応速度が早く、かつ、
有機シリコン官能基層は単分子層的であるため、試薬量
は少なくて済み、本発明は経済的にも大きなメリツトを
もたらすことができる。
以上説明したように、本発明のヘツドスライダによつ
て、長期間、ヘツドスライダへの潤滑剤の転移を防ぐこ
とができると共に、媒体への吸着力を低下させることが
できる。更に高湿度下でもヘツドスライダの媒体への吸
着を防ぐことができる。
て、長期間、ヘツドスライダへの潤滑剤の転移を防ぐこ
とができると共に、媒体への吸着力を低下させることが
できる。更に高湿度下でもヘツドスライダの媒体への吸
着を防ぐことができる。
このため、長期にわたつて、過酷な雰囲下でも、ヘツド
スライダの正常な浮上、飛行、停止を各特性を得ること
ができるので、磁気デイスク装置の高信頼度化、高性能
化を図ることができる利点がある。また本発明のヘツド
スライダは高速度で経済的に製造することができる利点
をも有している。
スライダの正常な浮上、飛行、停止を各特性を得ること
ができるので、磁気デイスク装置の高信頼度化、高性能
化を図ることができる利点がある。また本発明のヘツド
スライダは高速度で経済的に製造することができる利点
をも有している。
第１図は、本発明による有機シリコン官能基層を表面に
設けた、稼動後のヘツドスライダの横断面図、第２図は
従来のヘツドスライダの稼動後の横断面図、第３図はヘ
ツドスライダ材上に共有結合した有機シリコン官能基層
の分子の配向形態を示す模式図、第４図は本発明の１実
施例の分子の配向状態を示す模式図である。 1:ヘツドスライダ材、2:コンタミネーシヨンの炭化水
素、3:吸着水、4:潤滑剤、5:有機シリコン官能基層、6:
有機シリコン官能基層と空気層との界面、7:有機シリコ
ン官能基
設けた、稼動後のヘツドスライダの横断面図、第２図は
従来のヘツドスライダの稼動後の横断面図、第３図はヘ
ツドスライダ材上に共有結合した有機シリコン官能基層
の分子の配向形態を示す模式図、第４図は本発明の１実
施例の分子の配向状態を示す模式図である。 1:ヘツドスライダ材、2:コンタミネーシヨンの炭化水
素、3:吸着水、4:潤滑剤、5:有機シリコン官能基層、6:
有機シリコン官能基層と空気層との界面、7:有機シリコ
ン官能基
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木町 良弘 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話株式会社茨城電気通信研 究所内 (72)発明者 寺田 章 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話株式会社茨城電気通信研 究所内
Claims (4)
- 【請求項１】無機化合物によつて形成された磁気ヘツド
スライダにおいて、該磁気ヘツドスライダの表面に化学
結合した有機シリコン官能基層が設けられていることを
特徴とする磁気ヘツドスライダ。 - 【請求項２】該有機シリコン官能基層の官能基が、トリ
アルキルシリル基である特許請求の範囲第１項記載の磁
気ヘツドスライダ。 - 【請求項３】該トリアルキルシリル基が、トリメチルシ
リル基である特許請求の範囲第２項記載の磁気ヘツドス
ライダ。 - 【請求項４】該磁気ヘツドスライダは、磁気デイスクの
停止時あるいは低速回転時には磁気ヘツドスライダが磁
気デイスクと接触しており、高速の定常回転時には磁気
ヘツドスライダが磁気デイスク上に浮上するタイプの磁
気ヘツドスライダである特許請求の範囲第１項記載の磁
気ヘツドスライダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19199386A JPH0664869B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 磁気ヘツドスライダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19199386A JPH0664869B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 磁気ヘツドスライダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348674A JPS6348674A (ja) | 1988-03-01 |
| JPH0664869B2 true JPH0664869B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=16283829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19199386A Expired - Fee Related JPH0664869B2 (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 磁気ヘツドスライダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664869B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4082880B2 (ja) | 2001-06-15 | 2008-04-30 | 富士通株式会社 | 情報記憶装置 |
| WO2018081613A1 (en) | 2016-10-28 | 2018-05-03 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Coatings for increasing near-infrared detection distances |
| KR20240144457A (ko) | 2018-11-13 | 2024-10-02 | 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드 | 은닉 패턴을 검출하는 방법 |
| US11561329B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-01-24 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Near infrared control coating, articles formed therefrom, and methods of making the same |
| WO2022233411A1 (de) | 2021-05-05 | 2022-11-10 | Wacker Chemie Ag | Mischungen enthaltend eine siliran-funktionalisierte verbindung und ein polymer |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP19199386A patent/JPH0664869B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6348674A (ja) | 1988-03-01 |
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|---|---|---|---|
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