JPH0664971B2 - 真空遮断器用接点材料の製造法 - Google Patents
真空遮断器用接点材料の製造法Info
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- JPH0664971B2 JPH0664971B2 JP60249375A JP24937585A JPH0664971B2 JP H0664971 B2 JPH0664971 B2 JP H0664971B2 JP 60249375 A JP60249375 A JP 60249375A JP 24937585 A JP24937585 A JP 24937585A JP H0664971 B2 JPH0664971 B2 JP H0664971B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
- H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
- H01H33/66—Vacuum switches
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- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は真空遮断器用接点に係り、特に耐溶着性と遮断
性能が改良された真空遮断器用接点材料の製造法に関す
る。
性能が改良された真空遮断器用接点材料の製造法に関す
る。
〔発明の技術的背景とその問題点〕 真空遮断器用接点に要求される基本的三要件としては、
（１）溶着性が少ないこと、（２）耐電圧が高いこと、
（３）遮断特性がよいこと、が挙げられ、この他にもさ
い断電流値が小さいこと、接触抵抗が低く安定している
こと、耐消耗性がよいこと等が重要となる。
（１）溶着性が少ないこと、（２）耐電圧が高いこと、
（３）遮断特性がよいこと、が挙げられ、この他にもさ
い断電流値が小さいこと、接触抵抗が低く安定している
こと、耐消耗性がよいこと等が重要となる。
しかしながら、これら要求特性のいくつかは相反するも
のであり、このため、実用されている多くの接点におい
ては、二種以上の元素を組み合わせて特定の用途に適し
た接点材料の開発が行なわれている。
のであり、このため、実用されている多くの接点におい
ては、二種以上の元素を組み合わせて特定の用途に適し
た接点材料の開発が行なわれている。
たとえば、従来、電流の遮断ないし通電時のジュール熱
によって接点面が溶着するのを防止する成分として、B
i、Teなどの低融点金属を含有する接点材料が知られて
いる（特公昭41−12131号公報、特公昭44−23751号公
報）。しかしながら、Cu、Agなどの高導電性成分にBi、
Teなどの蒸気圧の高い元素を含む接点合金では、鋳造工
程で鋳塊に気泡やピンホールが発生しやすい。また、低
融点金属を含む接点合金は、これら成分の母相への固溶
度が低いため偏析が生じやすい。たとえば、従来一般的
に行なわれている接点材料の製造法としては、Cuを溶融
させたのちに低融点金属を添加するとともに、低融点金
属の蒸発を防止するためにArなどの不活性ガス雰囲気下
で溶融用容器内の圧力を数Torrから数百Torrに保持する
方法がある。
によって接点面が溶着するのを防止する成分として、B
i、Teなどの低融点金属を含有する接点材料が知られて
いる（特公昭41−12131号公報、特公昭44−23751号公
報）。しかしながら、Cu、Agなどの高導電性成分にBi、
Teなどの蒸気圧の高い元素を含む接点合金では、鋳造工
程で鋳塊に気泡やピンホールが発生しやすい。また、低
融点金属を含む接点合金は、これら成分の母相への固溶
度が低いため偏析が生じやすい。たとえば、従来一般的
に行なわれている接点材料の製造法としては、Cuを溶融
させたのちに低融点金属を添加するとともに、低融点金
属の蒸発を防止するためにArなどの不活性ガス雰囲気下
で溶融用容器内の圧力を数Torrから数百Torrに保持する
方法がある。
しかしながら、このような方法で製造された接点材料
は、ガスの含有、ボイドの発生あるいは低融点金属の偏
析などの欠点が生じやすい。接点材料中にガスが含有さ
れていると、電流遮断時や電流通電時のジュール熱で接
点面が溶けて含有ガスが出るため、真空容器内の真空度
が低下し真空遮断器の機能を損う。また、接点材料中に
ボイドや低融点金属の偏析があると耐電圧特性が著しく
低下する。
は、ガスの含有、ボイドの発生あるいは低融点金属の偏
析などの欠点が生じやすい。接点材料中にガスが含有さ
れていると、電流遮断時や電流通電時のジュール熱で接
点面が溶けて含有ガスが出るため、真空容器内の真空度
が低下し真空遮断器の機能を損う。また、接点材料中に
ボイドや低融点金属の偏析があると耐電圧特性が著しく
低下する。
このような欠陥の発生を防止するために、従来は、前述
した方法で一旦低融点金属を含有する銅合金を製造した
のち再度真空中で溶融して含有ガスの除去を行なうとと
もに再溶融後の徐冷操作によりボイドおよび低融点金属
の偏析が生じないようにしている。
した方法で一旦低融点金属を含有する銅合金を製造した
のち再度真空中で溶融して含有ガスの除去を行なうとと
もに再溶融後の徐冷操作によりボイドおよび低融点金属
の偏析が生じないようにしている。
しかしながら、上述したような不活性ガス雰囲気下の溶
融と真空下の再溶融との二段階の方法では、必ずしも満
足のいく性状を有する接点材料は得られないばかりか製
造設備、製造工程が複雑化する。
融と真空下の再溶融との二段階の方法では、必ずしも満
足のいく性状を有する接点材料は得られないばかりか製
造設備、製造工程が複雑化する。
本発明は、上述した問題に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、低融点金属の偏析、ボイドや
ガスが含有されることがなくて遮断特性の一層の向上が
図られ、しかも製造工程・設備の簡素化を図ることので
きる接点材料の製造方法を提供することを目的とする。
その目的とするところは、低融点金属の偏析、ボイドや
ガスが含有されることがなくて遮断特性の一層の向上が
図られ、しかも製造工程・設備の簡素化を図ることので
きる接点材料の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、溶着防止成分として低融点金属を含有す
る接点材料に関する一連の研究において、上述した問題
を解決するための具体的方法を種々検討した結果、高導
電性成分としてのAgまたは（および）Cuからなる基材中
にあらかじめ低融点金属を充填しておき、加熱溶融後こ
れを指向性凝固させることにより、真空遮断器用接点材
料として極めてすぐれた性状を有するものが得られるこ
とを見出した。
る接点材料に関する一連の研究において、上述した問題
を解決するための具体的方法を種々検討した結果、高導
電性成分としてのAgまたは（および）Cuからなる基材中
にあらかじめ低融点金属を充填しておき、加熱溶融後こ
れを指向性凝固させることにより、真空遮断器用接点材
料として極めてすぐれた性状を有するものが得られるこ
とを見出した。
本発明は上記知見に基いて成されたものである。すなわ
ち、本発明の真空遮断器用接点材料の製造法は、Cuまた
は（および）Agからなる高導電性成分により構成された
接点材料用基材の内部に低融点金属からなる溶着防止成
分を充填し、充填した低融点金属とともに接点材料用基
材を加熱溶融し、次いで一定方向に沿って前記基材を加
熱源から離しながら冷却し凝固させることを特徴とす
る。
ち、本発明の真空遮断器用接点材料の製造法は、Cuまた
は（および）Agからなる高導電性成分により構成された
接点材料用基材の内部に低融点金属からなる溶着防止成
分を充填し、充填した低融点金属とともに接点材料用基
材を加熱溶融し、次いで一定方向に沿って前記基材を加
熱源から離しながら冷却し凝固させることを特徴とす
る。
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
第５図は、本発明の方法で得られる接点材料を適用する
真空遮断器の一構成例を示す正断面図である。第５図に
示すように、一般に真空遮断器は、絶縁容器61の両端を
端板62a,62bで閉塞した真空容器内に接点63a,63bおよび
通電軸64a,64bからなる一対の電極65a,65bが設けられ、
また接点部の周囲にはアークシールド66が配設され絶縁
容器へのアーク蒸気の被着を防止している。一方、通電
軸（固定）64aおよび通電軸（可動）64bは各々端板62a,
62bを気密に貫通して電路を構成するとともに、ベロー
ズ67により真空容器内での真空を保持した状態での電極
の開閉が可能となっている。
真空遮断器の一構成例を示す正断面図である。第５図に
示すように、一般に真空遮断器は、絶縁容器61の両端を
端板62a,62bで閉塞した真空容器内に接点63a,63bおよび
通電軸64a,64bからなる一対の電極65a,65bが設けられ、
また接点部の周囲にはアークシールド66が配設され絶縁
容器へのアーク蒸気の被着を防止している。一方、通電
軸（固定）64aおよび通電軸（可動）64bは各々端板62a,
62bを気密に貫通して電路を構成するとともに、ベロー
ズ67により真空容器内での真空を保持した状態での電極
の開閉が可能となっている。
本発明で得られる接点材料は、上記したような接点63a,
63bの双方またはいずれか一方を構成するのに適したも
のである。
63bの双方またはいずれか一方を構成するのに適したも
のである。
以下、添付図面を参照して本発明の製造法を説明する。
本発明の方法においては、まず、Cuまたは（および）Ag
からなる高導電性成分により構成された接点材料用基材
内部に溶着防止成分としての低融点金属が充填される。
本発明の方法においては、まず、Cuまたは（および）Ag
からなる高導電性成分により構成された接点材料用基材
内部に溶着防止成分としての低融点金属が充填される。
接点材料用基材としては、一般に、耐溶着性および耐ア
ーク性（耐消耗性）を重視するときはCuを、また低接触
抵抗を重視するときはAgを主成分として用いる。
ーク性（耐消耗性）を重視するときはCuを、また低接触
抵抗を重視するときはAgを主成分として用いる。
一方、溶着防止成分としての低融点金属としては、温度
800℃において10-3Torr以上の蒸気圧を有する金属が用
いられ、例えば、Bi、Te、Se、Sbまたはこれらの合金が
好ましく用いられる。
800℃において10-3Torr以上の蒸気圧を有する金属が用
いられ、例えば、Bi、Te、Se、Sbまたはこれらの合金が
好ましく用いられる。
第１図は、低融点金属が充填された加熱溶融前の基材の
断面を概略的に示す。第１図に示すように、円柱形状の
接点材料用基材11のほぼ中心軸部分の一端から他端方向
に設けられた充填用孔の内部に、粒状の低融点金属12を
装入、その孔の開口部を金属栓13で塞ぐ。
断面を概略的に示す。第１図に示すように、円柱形状の
接点材料用基材11のほぼ中心軸部分の一端から他端方向
に設けられた充填用孔の内部に、粒状の低融点金属12を
装入、その孔の開口部を金属栓13で塞ぐ。
溶融前の基材の形状は、加熱装置、容器等に応じて適宜
変更でき、また、充填用の孔は必要に応じて任意の形状
で設けることができる。装入される低融点金属は、第１
図のように粒状物でも、また、必要に応じて粉状物、孔
に嵌合する形状物であってもよい。
変更でき、また、充填用の孔は必要に応じて任意の形状
で設けることができる。装入される低融点金属は、第１
図のように粒状物でも、また、必要に応じて粉状物、孔
に嵌合する形状物であってもよい。
孔の開口部を塞ぐ金属栓の材質は、この接点の性能を劣
化させない限り、種々のものを用いることができる。例
えば、基材と同種の金属からなるものである。
化させない限り、種々のものを用いることができる。例
えば、基材と同種の金属からなるものである。
低融点金属は加熱融解時の体積膨脹を考慮して充填する
ことが好ましい。充填量は、最終的に得られる接点材料
中の低融点金属の含有量が0.3〜0.8重量％となるような
量が好ましく、そのためには、高導電性成分98.5〜99.5
重量％に対して低融点金属0.5〜1.5重量％の範囲充填す
ることが望ましい。また、充填する孔の数は、第１図に
示すように１個に限る必要はなく、複数個であってもよ
い。さらに、孔の容量は、製造条件、用途に応じて適宜
変更することができる。
ことが好ましい。充填量は、最終的に得られる接点材料
中の低融点金属の含有量が0.3〜0.8重量％となるような
量が好ましく、そのためには、高導電性成分98.5〜99.5
重量％に対して低融点金属0.5〜1.5重量％の範囲充填す
ることが望ましい。また、充填する孔の数は、第１図に
示すように１個に限る必要はなく、複数個であってもよ
い。さらに、孔の容量は、製造条件、用途に応じて適宜
変更することができる。
次いで、上記のようにして接点材料用基材の低融点金属
が充填された接点材料原材を加熱溶融する。第２図は上
記原材を一例の誘導加熱装置内に装着した状態を示す概
略断面図である。この図の加熱工程で用いる誘導加熱装
置例では、加熱対象物（基材および低融点金属からなる
原材）およびその溶融物を収容する収納容器22aと、そ
の収納容器22a全体を収容する可動容器22bと、収納容器
22aおよび可動容器22bをその内部に収容する加熱室21
と、加熱室内部に配設された加熱源の誘導加熱コイル23
とからなる。
が充填された接点材料原材を加熱溶融する。第２図は上
記原材を一例の誘導加熱装置内に装着した状態を示す概
略断面図である。この図の加熱工程で用いる誘導加熱装
置例では、加熱対象物（基材および低融点金属からなる
原材）およびその溶融物を収容する収納容器22aと、そ
の収納容器22a全体を収容する可動容器22bと、収納容器
22aおよび可動容器22bをその内部に収容する加熱室21
と、加熱室内部に配設された加熱源の誘導加熱コイル23
とからなる。
さらに加熱室21内は排気管24を介して真空ポンプ25によ
り排気することによって高真空（たとえば10-5Torr以
下）に維持される。また、容器内の真空度は真空計26に
より計測される。
り排気することによって高真空（たとえば10-5Torr以
下）に維持される。また、容器内の真空度は真空計26に
より計測される。
第１図に示したように準備された接点材料原材27を収納
容器22a中に装入し、原材27を含む容器22bを可動容器22
b内部に収納して、容器22bの上部開口部に蓋28を取付
け、次いで可動容器22b全体を誘導加熱コイル23内の同
軸方向に設置する。このようにして加熱の準備を行な
う。
容器22a中に装入し、原材27を含む容器22bを可動容器22
b内部に収納して、容器22bの上部開口部に蓋28を取付
け、次いで可動容器22b全体を誘導加熱コイル23内の同
軸方向に設置する。このようにして加熱の準備を行な
う。
次いで、加熱室内を10-5Torr以下の真空度に維持しなが
らコイルに通電して収納容器中の原材を融解する。加熱
は基材11および低融点金属12が充分融解する温度で行な
われる。この加熱溶融工程は、使用する金属に種類、大
きさにもよるが、好ましくは1100〜1150℃の範囲で60〜
120分間行なわれる。充填孔内に存在するガスを溶融段
階で外部に排気するために、基材11または金属栓13に充
填孔から外部に通じる通気穴を設けておくこともでき
る。例えば、金属栓13に排気のための孔を、もしくは金
属栓の側壁に細溝を設けてもよい。
らコイルに通電して収納容器中の原材を融解する。加熱
は基材11および低融点金属12が充分融解する温度で行な
われる。この加熱溶融工程は、使用する金属に種類、大
きさにもよるが、好ましくは1100〜1150℃の範囲で60〜
120分間行なわれる。充填孔内に存在するガスを溶融段
階で外部に排気するために、基材11または金属栓13に充
填孔から外部に通じる通気穴を設けておくこともでき
る。例えば、金属栓13に排気のための孔を、もしくは金
属栓の側壁に細溝を設けてもよい。
この加熱溶融段階においては、蒸気圧の高い低融点金属
が基材11の内部に埋設された状態で溶融するので、低融
点金属の過大な蒸散が防止されるとともに基材中への低
融点金属の拡散を促進することができる。
が基材11の内部に埋設された状態で溶融するので、低融
点金属の過大な蒸散が防止されるとともに基材中への低
融点金属の拡散を促進することができる。
上記のようにして高真空中で溶融することによって接点
材料用原材（基材および低融点金属）27中のガスの除去
を行なったのち、可動容器22bを長手方向（一定方向）
に徐々に移動させて溶融原材27を加熱源23から離す。こ
の移行につれて原材27を冷却し凝固させる。この可動容
器22b、収納容器22aの移動は、その移動に伴って原材中
の残存ガス、ボイド、偏析等が進行方向に従って徐々に
除去されてゆくのに充分な速度であることが望ましく、
具体的には、原材の形状、大きさ、種類等に応じて適宜
選択されるが、通常は２〜6mm／minの移動速度が好まし
い。
材料用原材（基材および低融点金属）27中のガスの除去
を行なったのち、可動容器22bを長手方向（一定方向）
に徐々に移動させて溶融原材27を加熱源23から離す。こ
の移行につれて原材27を冷却し凝固させる。この可動容
器22b、収納容器22aの移動は、その移動に伴って原材中
の残存ガス、ボイド、偏析等が進行方向に従って徐々に
除去されてゆくのに充分な速度であることが望ましく、
具体的には、原材の形状、大きさ、種類等に応じて適宜
選択されるが、通常は２〜6mm／minの移動速度が好まし
い。
なお、この装置例において加熱源の誘導加熱コイルは固
定されているが、この発明においてはこの例に限定され
ず、加熱源も移動させて原材の冷却凝固を行なってもよ
い。
定されているが、この発明においてはこの例に限定され
ず、加熱源も移動させて原材の冷却凝固を行なってもよ
い。
このようにして得られた接点材料は切削、研磨等の必要
な後処理を施して、真空遮断器の接点として使われる。
な後処理を施して、真空遮断器の接点として使われる。
外径50mm、長さ200mmのCu基材の中心部に設けた断面積3
00mm2、長さ50〜80mmの充填孔中に30gのBi粒子を充填し
て、第１図に示したような接点材料用原材を準備した。
この原材を、前述した第２図に示す装置を用いて、下記
の条件で加熱溶融ならびに冷却・凝固を行なった。
00mm2、長さ50〜80mmの充填孔中に30gのBi粒子を充填し
て、第１図に示したような接点材料用原材を準備した。
この原材を、前述した第２図に示す装置を用いて、下記
の条件で加熱溶融ならびに冷却・凝固を行なった。
加熱温度 1100〜1140℃ 加熱時間 60〜120分 真空度 １〜３×10-6Torr 可動容器の移動速度 ２〜6mm／min 最終的に得られたCu−Bi合金中のBiの含有量は0.6重量
％であった。このようにして得られた接点材料の性状、
耐溶着性、遮断特性を評価するために以下のような試験
を行なった。
％であった。このようにして得られた接点材料の性状、
耐溶着性、遮断特性を評価するために以下のような試験
を行なった。
（１） ボイドの確認 得られた接点材料を長手方向に中心部から切断し、その
切断面を研磨して表面組織を光学顕微鏡で観察したがボ
イドは認められなかった。
切断面を研磨して表面組織を光学顕微鏡で観察したがボ
イドは認められなかった。
結晶粒子も均整のとれた良好なものであった。
（２） Biの偏析の確認 上記（１）で切断した他方の切断片を長手方向にスライ
スし、各スライスをさらに長手方向の２等分に分割した
ものを原子吸光分析法によって分析して、Biの偏析を調
べた。第３図に示す分析結果から明らかなように、Biの
分布は長手方向に対してほぼ均等であり、偏析は認めら
れなかった。
スし、各スライスをさらに長手方向の２等分に分割した
ものを原子吸光分析法によって分析して、Biの偏析を調
べた。第３図に示す分析結果から明らかなように、Biの
分布は長手方向に対してほぼ均等であり、偏析は認めら
れなかった。
（３） ガス含有の確認 上記（２）で作成したスライス片を試料として含有ガス
の量をガスクロマトグラフィー方式の酸素・窒素・水素
の２元素分析装置を用いて測定した。測定は、真空遮断
器内の残存ガスとして最も好ましくないO2について行な
った。第４図に測定結果を示すように、O2含有量は約2p
pmであった。なお、これは従来行なわれていた方法、た
とえば1150℃でCuを溶解後、Arガスで150Torrに昇圧し
て所定量のBiを投入して得られる接点材料のほぼ10分の
１の値である。
の量をガスクロマトグラフィー方式の酸素・窒素・水素
の２元素分析装置を用いて測定した。測定は、真空遮断
器内の残存ガスとして最も好ましくないO2について行な
った。第４図に測定結果を示すように、O2含有量は約2p
pmであった。なお、これは従来行なわれていた方法、た
とえば1150℃でCuを溶解後、Arガスで150Torrに昇圧し
て所定量のBiを投入して得られる接点材料のほぼ10分の
１の値である。
（４） 通電耐溶着性の確認 前記（１）で述べたと同様の方法で製造した接点材料か
ら外径25mm、厚さ5mmの円板状接点を作成し、その耐溶
着性を測定した。まず、上記円板状接点を外径25mmの通
電軸の先端に取付け、一方これと対向する接点として
は、先端半径が100mmに球面仕上げされたものを用い
た。これら一対の接点に100gの荷重をかけた状態で両接
点面を接触させ、10-6Torrの真空雰囲気中で、8KA〜25K
Aの範囲の通電を行ない、このときの接触面の引きはず
し力（kg）を測定した。引はずし力は、いずれも０〜10
kgであり良好な値を示した。
ら外径25mm、厚さ5mmの円板状接点を作成し、その耐溶
着性を測定した。まず、上記円板状接点を外径25mmの通
電軸の先端に取付け、一方これと対向する接点として
は、先端半径が100mmに球面仕上げされたものを用い
た。これら一対の接点に100gの荷重をかけた状態で両接
点面を接触させ、10-6Torrの真空雰囲気中で、8KA〜25K
Aの範囲の通電を行ない、このときの接触面の引きはず
し力（kg）を測定した。引はずし力は、いずれも０〜10
kgであり良好な値を示した。
（５） 電流遮断性の確認 前記（１）と同様の方法で外径50mm、長さ200mm、Bi含
有量0.6％の接点材料を製造し、さらにこれから外径30m
m、厚さ5mmの円板状接点を作成し、真空遮断器に取付け
て電流遮断試験を行なった。電流遮断条件を、交流12K
V、25KVに設定して行なったところ、再発弧確率はいず
れも１％以下であり、前記（３）で述べた従来法で製造
した接点の再発弧確率の約１／30の値を示した。
有量0.6％の接点材料を製造し、さらにこれから外径30m
m、厚さ5mmの円板状接点を作成し、真空遮断器に取付け
て電流遮断試験を行なった。電流遮断条件を、交流12K
V、25KVに設定して行なったところ、再発弧確率はいず
れも１％以下であり、前記（３）で述べた従来法で製造
した接点の再発弧確率の約１／30の値を示した。
上記実施例の結果からも明らかなように、本発明の方法
は、高導電性成分により構成された接点材料用基材の内
部にあらかじめ溶着防止成分として低融点金属を充填
し、さらにこれを加熱溶融したのち指向性凝固させるよ
うにしたので、比較的簡易な方法で、ボイドやガスの含
有ならびに低融点金属の偏析が防止され遮断特性にすぐ
れた接点材料を得ることができる。
は、高導電性成分により構成された接点材料用基材の内
部にあらかじめ溶着防止成分として低融点金属を充填
し、さらにこれを加熱溶融したのち指向性凝固させるよ
うにしたので、比較的簡易な方法で、ボイドやガスの含
有ならびに低融点金属の偏析が防止され遮断特性にすぐ
れた接点材料を得ることができる。
この発明によって接点材料用基材を加熱源から離しなが
ら冷却凝固するので、連続的に加熱溶融および冷却凝固
が可能となり、効率的に製造することができる。
ら冷却凝固するので、連続的に加熱溶融および冷却凝固
が可能となり、効率的に製造することができる。
第１図は接点材料用基材内に低融点金属が充填された接
点材料用原材の断面図、第２図は加熱溶融に用いること
のできる加熱装置例の断面図、第３図はBiの偏析状態を
示すグラフ、第４図はO2含有量の分析結果を示すグラ
フ、第５図は真空遮断器の断面図である。 11……基材、12……低融点金属、13……栓、21……加熱
室、22a……収納容器、22b……可動容器、23……誘導加
熱コイル、24……排気管、25……真空ポンプ、26……真
空計、27……原材、28……蓋、61……絶縁容器、62a,62
b……端板、63a,63b……接点、64a,64b……通電性、65
a,65b……電極、66……アークシールド、67……ベロー
ズ。
点材料用原材の断面図、第２図は加熱溶融に用いること
のできる加熱装置例の断面図、第３図はBiの偏析状態を
示すグラフ、第４図はO2含有量の分析結果を示すグラ
フ、第５図は真空遮断器の断面図である。 11……基材、12……低融点金属、13……栓、21……加熱
室、22a……収納容器、22b……可動容器、23……誘導加
熱コイル、24……排気管、25……真空ポンプ、26……真
空計、27……原材、28……蓋、61……絶縁容器、62a,62
b……端板、63a,63b……接点、64a,64b……通電性、65
a,65b……電極、66……アークシールド、67……ベロー
ズ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 乙部 清文 東京都府中市東芝町１ 株式会社東芝府中 工場内 (72)発明者 奥富 功 東京都府中市東芝町１ 株式会社東芝府中 工場内 (72)発明者 大川 幹夫 東京都府中市東芝町１ 株式会社東芝府中 工場内
Claims (7)
- 【請求項１】Cuまたは（および）Agからなる高導電性成
分により構成された接点材料用基材の内部に低融点金属
からなる溶着防止成分を充填し、充填した低融点金属と
ともに接点材料用基材を加熱溶融し、次いで一定方向に
沿って前記基材を加熱源から離しながら冷却し凝固させ
ることを特徴とする、真空遮断器用接点材料の製造法。 - 【請求項２】前記低融点金属が、800℃において10-3Tor
r以上の蒸気圧を有する金属である、特許請求の範囲第
１項に記載の方法。 - 【請求項３】前記低融点金属が、Bi、Te、Se、Sbおよび
これらの金属の合金から選ばれる、特許請求の範囲第１
項に記載の方法。 - 【請求項４】低融点金属の0.5〜1.5重量％充填する、特
許請求の範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項５】溶着防止成分の充填が、前記接点材料用基
材に設けられた少なくとも１個の充填用孔に溶着防止成
分を装入し、その孔の開口部を金属栓で塞ぐことにより
なる、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項６】加熱源の誘導加熱コイルを一定方向に沿っ
て移行させる、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項７】加熱溶融および冷却凝固を10-5Torr以下の
真空雰囲気下で行なう、特許請求の範囲第１〜６項のい
ずれか１項に記載の方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249375A JPH0664971B2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 真空遮断器用接点材料の製造法 |
| KR1019860009366A KR900000922B1 (ko) | 1985-11-07 | 1986-11-05 | 진공차단기용 접점재료의 제조방법 |
| ZA868430A ZA868430B (en) | 1985-11-07 | 1986-11-05 | Method for producing contact forming material |
| CN86107636A CN1003101B (zh) | 1985-11-07 | 1986-11-06 | 触头材料的生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249375A JPH0664971B2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 真空遮断器用接点材料の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62110217A JPS62110217A (ja) | 1987-05-21 |
| JPH0664971B2 true JPH0664971B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=17192083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249375A Expired - Lifetime JPH0664971B2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 真空遮断器用接点材料の製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664971B2 (ja) |
| KR (1) | KR900000922B1 (ja) |
| CN (1) | CN1003101B (ja) |
| ZA (1) | ZA868430B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1985
- 1985-11-07 JP JP60249375A patent/JPH0664971B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
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- 1986-11-05 KR KR1019860009366A patent/KR900000922B1/ko not_active Expired
- 1986-11-06 CN CN86107636A patent/CN1003101B/zh not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR870005426A (ko) | 1987-06-08 |
| KR900000922B1 (ko) | 1990-02-19 |
| ZA868430B (en) | 1987-07-29 |
| JPS62110217A (ja) | 1987-05-21 |
| CN1003101B (zh) | 1989-01-18 |
| CN86107636A (zh) | 1987-07-08 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |