JPH0669079B2

JPH0669079B2 - 集積回路の製法

Info

Publication number: JPH0669079B2
Application number: JP60130674A
Authority: JP
Inventors: テイガスナージヨン; エヌハウスフレデリツク
Original assignee: ハリスコーポレーシヨン
Priority date: 1984-06-15
Filing date: 1985-06-15
Publication date: 1994-08-31
Anticipated expiration: 2009-08-31
Also published as: EP0164737A3; DE3584113D1; JPS6158265A; EP0164737A2; EP0164737B1

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は集積回路の製造方法に関する。ここにいう集
積回路は、主として自己整合接合分離型相補絶縁ゲート
電界効果トランジスターである。

（従来の技術）薄板（ウエハーまたはチップ）上のデバイス密度は年々
高いものが要求されるようになっている。薄板上のデバ
イスの数はデバイス自体の大きさと電気的相互作用の関
係とによって制約される。このことはデバイスの間隔に
制約があるということである。さらに、フォトリソグラ
フィによるプロセスや適当な大きさのドーピング領域の
大きさや不純物濃度生成能力にも限界がある。接合分離
型絶縁ゲート電界効果トランジスターの場合パラシテイ
ックバイポーラデバイスに起因するラッチングを極力抑
える必要がある。さらに、コンタクト・連結システムは
勿論デバイスのキャパシタンスも小さくすることが望ま
しい。また、熱電子と基板のカレントインジェクション
も問題である。

CMOS集積回路の製法においては、Ｎ型・Ｐ型バックグラ
ンドの両方共にドーピング濃度バックグランドがトラン
ジスターの製作には存在することが必要である。従来の
方法では、不純物の注入にはフォトリソグラフマスクは
一つだけしか使われなかった。

もう少し進んだ方法では、デバイスはウエルドーピング
やプロフイルに敏感であるから２個の注入用マスクが必
要となり、種々のタイプのトランジスターウエルが形成
される。双子ウエルの場合には第２のマスキングが行わ
れるが、この時注入が重ならないために整合トレランス
が必要となる。第１図に示すように、第２のマスクの大
きさはＰとＮの領域の重なり合いを避けるためのリソグ
ラフイトレランスによって大きく制約される。

従来の方法では、シリコン窒化物によるマスクと局部的
酸化物を用いて一つのフォトリソグラフィによって一組
のマスクが形成されていた。この場合の第１のマスクは
シリコン窒化物であり、第２のマスクは厚みのある局部
的酸化物で、これは第１のマスクとは逆像になってい
る。俗に言う「鳥の嘴（bird′s beak）」が形成され、
マスク間の整合性を欠くことになる。同様に、局部的酸
化を高温で行うために最初の注入剤の再配分がうまくい
かないという欠点があった。

フォトリソグラフィで逆像を作る方法の一つは、厚めの
フォトレジスト層に薄い金属層を重ね、選択的に感光層
を金属層と一緒に除去する。この方法によるとフォトレ
ジストパターンにアスペクトレイショ（aspect ratio）
を考慮する必要があり、また、レジスト表面に第１のマ
スクとして面処理を施す必要がある。第２のマスクとし
て金属層を前記第１の層上に蒸着させると、段部ができ
て不連続部や細かいクラックが発生する。金属層とフォ
トレジスト層の高さが違うと、縁部が食い違うという不
整合を起こす。従来は不整合に対しチャネルストップを
用いていたが、これは、貴重なスペースをとることにな
る。第２図は前記した方法による逆マスキングの方法を
略示している。

（発明が解決しようする課題）本発明の課題は、正しい逆像のマスクを形成すること、
自己整合双子型ウエルが容易に形成できるようにするこ
と、一回のフォトリソグラフイで自己整合型ウエルを形
成する逆像技術を提供すること、ラッチングを極力なく
すこと、デバイスのしきい値の調整を可能とした製法を
提供すること、熱電子や基板のカレントインジェクショ
ンを抑制すること、コンタクト部の接合抵抗を少なくす
ること、回路全体としてのキャパシタンスを低くするこ
とである。

（課題を解決するための手段）上記課題を解決するため本発明は、少なくとも１個の開
口部を有する第１の素材からなる第１のマスクを基板上
に形成し、第１の導電型の不純物を前記第１のマスクの
前記開口部から基板に注入して第１のウエル領域を形成
し、第２の素材からなる第２のマスク層で前記第１のマ
スクの前記開口部を少なくとも充填しかつ前記第１のマ
スクを被覆し、前記第１のマスクの少なくとも一部が現
われるまで前記第２のマスク層を除去し、次いで、前記
第１のマスクとその上の第２のマスク層とが一緒に選択
的に除去されて前記第１のマスクの逆像である第２のマ
スクを形成し、第２の導電型不純物を前記第２のマスク
の開口部から基板中に注入して前記第１のウエル領域と
整合した第２のウエル領域を形成することを特徴として
いる。

さらに、好ましい第２の態様として、少なくのも１個の
開口部を有する第１の素材からなる第１のマスクを基板
上に形成し、第１の導電型の不純物を前記第１のマスク
の前記開口部から基板に注入して第１のウエル領域を形
成し、第２の素材の第２のマスク層で前記開口部を塞い
で前記第１のマスクを被覆し、第３の素材の平面化層を
前記第２のマスク層に重ねて頂面を平面化し、同平面化
層と第２のマスク層を除去して前記第１のマスクを露呈
させ（reveal）、前記第１のマスクをその上の第２のマ
スク層と一緒に除去して前記第１のマスクの逆像である
第２のマスクを形成し、第２の導電型不純物を前記第２
のマスクの開口部から基板に注入して第１のウエルと整
合した第２のウエルを形成することを特徴としている。

さらに好ましい第３の態様として、レジスト素材による
第１のマスク層を形成し、同第１のマスク層をパターン
に露光して露光部分と非露光部分を形成し、前記露光部
を選択的に除去して少なくとも１個の開口部を有した第
１のマスクを形成し、第１の導電型の不純物を前記第１
のマスクの開口部から基板に注入して第１のウエルを形
成し、前記第１のマスクを露呈して露光部となし、レジ
スト素材による第２のマスク層で前記開口部を塞いで第
１のマスクを被覆し、前記第１のマスクの少なくとも一
部が現われるまで前記第２のマスク層を除去し、前記第
１のマスクをその上の第２のマスク層と一緒に選択的に
除去して第１のマスクの逆像である第２のマスクを形成
し、第２の導電型不純物を前記第２のマスクの開口部か
ら基板に注入して第１のウエルと整合した第２のウエル
を形成することを特徴としている。

（実施例）第３〜６図に基づいて第１の実施例を説明する。図示実
施例は、不純物濃度10¹⁵原子/cm³のＮ型シリコン層を示
す。基板20は原始基板でも、エピタキシアル成長層でも
よい。基板20は加工されて熱酸化層38により基板20と分
離された二酸化ケイ素等の堆積層で形成された幅方向の
誘電分離域30を有する。しかし、本発明の方法では、誘
電分離層必ずしも必要でない。

次に、ウエルが作られる。同ウエルは自己整合双子型
（self−alignment twin）で、その内部に、たとえば、
電界効果トランジスタが形成できる。本発明方法では第
１のマスクを用いて、第１のマスクと逆像の第２のマス
クが形成される。第１のマスク34は、たとえば、ポリイ
ミド等のフォトレジストで基板20上に形成される。次い
で、露光によりパターンが第１のマスク層34の上に形成
される。素材のタイプにより露光部または非露光部のい
づれかが除去されてマスク34に開口部36が形成され、そ
の部分にＰ−ウエルが形成される。Ｐ型不純物、たとえ
ば、ボロンが十分のエネルギレベルと量（dose）でイオ
ン注入されて、第３図に示すようなＰ−ウエル38を得る
ことができる。図示実施例の場合は、、10¹⁶原子/cm³以
上の不純物濃度と、メサ領域で15,000オングストロム、
酸化物充填層で5,000オングストロムの深さを有する。
フォトレジスト層（第１のマスク）34は、平均して10,0
00〜20,000オングストロムの厚みを有す。この時点で適
宜の量のボロンを適宜のエネルギーレベルで追加的に注
入してデバイスに適合したＰ−に応じた不純物濃度のド
ーピングを行うことができる。

第２のマスクは、たとえば金属からなる第２のマスク層
40を第１のマスク層34の開口部36を充填する形で形成さ
れる。第２のマスク層40は平面化層42（フォトレジス
ト）を積層することにより行われる。たとえばアルミに
よる第２のマスク層40は、厚みを10,000〜20,000オング
ストロムとし、平面化層42の厚みをそれ以上とする（第
４図）。平面化の方法は、層42とアルミ層40とを適当な
速度でエッチングしてアルミ層40と第１のマスク層34の
頂面を同一平面とする（第５図）。これは適当なガスを
使って適宜のエネルギレベルで反応性イオンエッチング
により行うことができる。平面化の方法は周知であり詳
細は省略する。第１のマスク層34は乾式または湿式の洗
浄剤で除去される。その結果第６図に示すように第１の
マスク34とは逆像のマスク40が形成される。

次いで、Ｎ型不純物（例、リン）がイオン注入されてＮ
−ウエル41が形成される。先に形成されたＰ−ウエル38
に配列されたＮ−ウエル41は10¹⁶原子/cm³以上の不純物
濃度と15,000オングストロムの深さをもっている。第２
のマスク層40は除去され、基板はアニールされる。

このようにして像がそれぞれ逆で、マスク開口縁が整合
された一組のマスクが形成さる。この方法では、ウエル
同志がほとんどオーバラップすることなく自己整合可能
のウエルとなる。冒頭に述べたように第１図に示す従来
のリソグラフィ法では、形成予定の領域がオーバーラッ
プしないようにリソグラフィ法のトレランスを考慮して
横方向へのスペースを必要とした。同様に、第２図の従
来の単一のリソグラフィ法では逆像のマスクが形成でき
ず、したがって、横方向にスペースをあけたままにして
おくか、または、ガードリングを設ける必要があった。
本発明方法によれば、自己整合ウエル38と41とによって
別体のガードリングの必要はなくなる。ウエル形成にイ
オン注入を用いることにより側方への拡散を防ぐことが
でき、デバイス間のスペースを小さくできる。同様に、
イオン注入の併用により分離領域30（ここでは相互に整
合したウエルが相隣接している）最高度のドーピングが
得られる。このようにしてガードリングは同時に形成さ
れ、ウエルと整合される。この高度のドーピングによっ
てパラシテイックな分離電界効果トランジクタのしきい
値を上げることによってラッチングをそれだけ少なくす
ることができる。さらにウエルの表面ドーピングは比較
的低い接合キャパシタンスとなる。

第２のマスク層は次の方法によっても形成できる。すな
わち、第７図に示すように第２のマスク層40を、第１の
マスク層34の開口部36を塞ぐに十分な厚みに形成する。
第１のマスク層34が10,000〜20,000オングストロムの厚
みを有するのに対し、第２のマスク層40は第１のマスク
層34の厚みに加えて10,000〜20,000オングストロムの厚
みを有する。第２のマスク層40は乾式または湿式のエチ
ャントで除去され、第１のマスク層34が現われる。除去
されるのは一層だけであるからエッチング速度は均一で
あり、開口部36のコーナーも第２のマスク層40のトポロ
ジ次第で現われる。第８図に示すように、第１のマスク
層34の縁部44も現われ、一部はエッチングされる。第１
のマスク層34は、湿式のデベロッパーを用いて除去され
る。このとき第１のマスク層34の上の第２のマスク層40
も一緒に除去される。このようにして第３図の第１のマ
スク層34と逆像となる第６図の第２のマスク層40が形成
される。

この実施例２では、エッチング前の層面の平面化を行う
ことはないので、第２のマスク層40は比較的薄くてよ
い。このことは、第２のマスク層形成に要する時間と費
用の節約となる。

第３の実施例は第９〜14図に示されている。これを前記
の二つの方法と比較すると、第１のマスク素材は、金属
（例、アルミ）であり、第２のマスク素材はフォトレジ
ストである。また、前記方法では誘電性のアイソレーシ
ョンを持たない場合についてであった。本第３の実施例
では、先ず、第１層として金属層40を基板20の上に形成
し、薄い酸化層32により基板と隔離する。次に、厚み5,
000〜15,000オングストロムの感光性物質46が金属層40
にあてられ、所定のパターンに露光されて露光部46′と
非露光部46とが形成される（第９図）。露光部46′は正
のデベロッパーにより除去される。非露光部46は金属層
40をエッチングにより除去する際のマスクとして利用さ
れる。このエッチングは、反応性イオンエッチングで
も、乾式または湿式エッチングでもよい。湿式エッチン
グによると、側壁は垂直面となり、自己整合効果を有す
る。構成は第10図に示すように、感光部46と金属部40の
２層マスクとなる。Ｐ型不純物（例、ボロン）が整合マ
スクとしてマスク層を用いて注入されＰ−ウエル38を形
成する。

第２のマスク層を当てがうに先立ち、感光層46は紫外線
等に露光されて硬質の露光感光部となる。第２のマスク
層の素材によっては硬化の必要はない。露光は第９図の
先の露光部分46を除去して第２のマスク層34を当てた後
適当な時に行われる。第２のマスク層34は第11図に示す
ように当てられる。たとえば、第２のマスク層は負のフ
ォトレジストであってもよい。第７、８図の方法を用い
て第２の感光性物質が十分深く当てらて第１のマスク層
の開口部36を充填する。この高さは少なくとも第１のマ
スク層たる金属層40の高さ、好ましくは金属層40とフォ
トレジストレベル46′を合わせた高さとする。

第２のマスク層34は、第12図に示すように、露光部46′
の縁部48が現われるまで除去される。次いで、露光部4
6′が乾式または湿式のエチャントを使って除去され、
第２の感光層34も除去される。その結果、第13図に示す
ように、第１のマスク層40は第２のマスク層34に側方を
囲まれている。第１のマスク層40は第14図に示す状態に
除去される。たとえば、Ｎ型不純物であるリンが注入さ
れてＮ−ウエル41となる。

第９〜14図に示す方法は、２個のフォトレジストマスク
が用いられて金属層40を除去して行われる。第15図に示
すように第１のフォトァレジストマスク46がかけられパ
ターン化されて、露光部46′と非露光部46とができる。
露光部46′は除去され、第17図に示すようにＰ型不純物
によってＰ−ウエル38が形成される。第２のマスク層は
エッチングされ、第18図に示すように、第１のマスク層
46′の縁部48が現われる。第１のマスク層46′は、それ
とは逆像の第２のマスク層34を残して除去される。

第９〜14図の方法は、第１のマスク層として正のフォト
レジストを、第２のマスク層として負のフォトレジスト
を用いる。正のフォトレジストは露光部が非露光部より
容易に露光パターンが除去されるので、第２のマスクの
形成前に次の露光を行うことが可能となる利点がある。
この露光方法では、正と負のフォトレジストの混同が避
けられるから、正しい逆像が得られることになる。材質
によっては硬化手段は省略できる。

第２のマスク層となるフォトレジストは、変質しないよ
うに露光する必要がある。それは、同層が不純物注入用
マスクとして用いられるからである。したがって、共通
のフォトレジストを第１のマスク層と第２のマスク層と
に用いることもできる。たとえば、第１のマスク層46は
正のフォトレジストで、その露光部がデベロッパーによ
り除去され、次いで、イオン注入が行われ、非露光部が
露光後新しい正のフォトレジストがかけられて第１のマ
スク領域34となる。他の領域46′は露光部であるから非
露光部の領域34とは異なった特性を有し、したがって、
それは選択的にデベロッパーにより除去される。

この発明の方法では、フォトレジストは第１のマスク層
がその上の第２のマスク層と一緒に除去できる特性があ
れば、種々のものを組み合わせて使用することができ
る。

相補絶縁ゲート電界効果トランジスタは、基板の表面に
ゲート酸化層49を形成して作られる。たとえば、基板を
酸化雰囲気にさらし、ゲート素材を当て、設計に従いゲ
ート50、52を形成する。好ましくは、ゲート50、52は多
結晶性シリコンで形成する。たとえば、ボロンのような
Ｐ型不純物層がゲート50、52と酸化帯域30をマスクに利
用して第19図に示すようにウエル38内に浅い帯域56、ウ
エル41に浅い帯域54を形成する。

感光層58を当て、Ｎ−ウエル41をマスクし、Ｐ−ウエル
38を露光してマスクを形成する。たとえば、砒素のよう
なＮ型不純物がマスク58とゲート50を酸化帯域30と一緒
に用いて浅いＮ＋ソースとドレイン60を形成する。イオ
ンによる不純物生成は十分の準位をもって行い、Ｐ−ウ
エル38中の元のＰ＋帯域56を埋める。Ｐ型不純物をＰ−
ウエル38に入れることでＮ＋ソースとドレイン60の形成
領域を広くとることができる。その構成は第20図に示
す。マスク層58は除去される。この状態では各相補電界
効果トランジスタウエル内に浅いソースとドレイン域を
有し、同ウエルの深さは1,000〜2,000オングストロムの
深さと10¹⁸〜10¹⁹原子/cm³の不純物濃度を有する。

次の工程は、深いソースとドレインとを形成することで
ある。この工程は、ゲート域50、52から横方向に延びた
スペーサを形成することから始まる。これらスペーサ
は、たとえば、二酸化ケイ素膜を基板表面に蒸着して絶
縁層を形成することにより行われる。酸化層は反応性イ
オン注入によりゲート50からスペーサ帯域62を、ゲート
52からスペーサ64を形成する。これらスペーサは蒸着さ
れた酸化ケイ素層の凹凸トポロジに起因するもので、こ
の点については周知であるので詳細は省略する。

スペーサが形成されると、マスク層66は基板上にかけら
れ、Ｎ−ウエル41にマスクをかけＰ−ウエル帯域38を露
光する。たとえば、リンのようなＮ型不純物層がマスク
層66、ゲート50、スペース62、挿入層30をともにマスク
として使ってイオン注入される。この結果、深いＮ＋ソ
ースとドレイン68が浅いＮ＋ソースとドレイン60から形
成される。マスク層66が除去され、新しいマスク層70が
かけられ、ウエル41を露光し、ウエル38をマスキングす
る。たとえば、ボロンのようなＰ型不純物層がマスク7
0、ゲート52、スペーサ64、挿入層30を整合マスクに用
いてイオン注入される。この結果、第22図に示すように
浅いソースとドレイン72となる。深さは、3,000〜4,000
オングストロム、不純物濃度は10¹⁸〜10²⁰原子/cm³であ
る。感光層70は除去されて全プロセスは終了する。

第22図から明らかなように多結晶ゲート50、52の抵抗値
は比較的低く、それぞれＮ＋、Ｐ＋にドーピングされ、
その不純物濃度は10¹⁸〜10²⁰原子/cm³である。

フイールド酸化物とコンタクトの形成とが最終工程とな
る。接合部抵抗を少なくし、浅い接合に対する障壁金属
を設けるためにシリコン系の金属層74を第23図に示すよ
うに基板に当てがう。素材は一例として白金を用いる。
次いで、薄板（ウエハー）を加熱して同帯域において白
金とシリコンの化合物を作って白金を多結晶ゲートまた
はシリコン基板に接触させる。これは第24図に示すよう
に深いソースとドレイン68の帯域76、ゲート50の帯域7
8、深いソースとドレイン72の帯域80、ゲート52と帯域8
2等を白金・シリコンの化合物で形成する場合に当ては
まる。酸化物挿入層30やスペーサ62、64には適用されな
い。シリコンと化合しない白金部分は加熱された高濃度
の王水などを使って除去する。

酸化物スペーサを使うことによって熱電子、基板の電流
注入（カレントインジェクション）を回避することがで
きる。同時に、ゲートの酸化物の信頼性を向上すること
ができる。金属とシリコンの化合物を併用することによ
って、マスクを使わないシリコンの金属化合物形成に対
する自己整合技術が可能となる。さらにスペーサを設け
ることによってゲート素材の鋭利な縁部を丸くして接触
をよくする。次いで、フイールド酸化物層84が蒸着法等
により薄板上に形成されてソース・ドレイン領域とゲー
ト帯域の白金・シリコン化合物へのコンタクトを形成す
るようにエッチングされる。次いで金属層が与えられ第
25図に示すようにコンタクト86となる。絶縁層が第１の
金属層86に形成され、また、第２の金属層も与えられ
る。

深浅両方のソースとドレインは、第26図に示すようにＮ
−ウエル41をブロックするマスク層58を形成し、Ｐ−ウ
エル38を露光させることによっても形成できる。Ｎ＋砒
素が注入されて浅いソース・ドレイン60を形成する。感
光層58は除去され、感光層88が当てがわれ、Ｐ−ウエル
38をブロックし、Ｎ−ウエル41を露光する。第27図に示
すようにＰ型不純物が注入されてＰ＋ソース・ドレイン
54が形成される。マスク層88は除去され、Ｐ型ボロン不
純物層が無選択的に注入されてウエル41内に、深いＰ＋
ソース・ドレイン帯域72を、ウエル38内にＰ＋ソース・
ドレイン帯域90が形成される（第28図）。次いで、第29
図に示すようにマスク層66が当てがわれ、Ｐ−ウエルを
露光し、Ｎ−ウエルをブロックするように形成される。
リン等のＮ型不純物が注入されて、深いＮ＋ソース・ド
レイン帯域68が形成される。この注入は、第29図に示す
ように、前の工程で作られたＰ＋帯域90を消すために行
う。マスク層66は除去される。その後の工程は、第23〜
25図に関連して述べた通りである。

第26〜29図の工程は、第19〜22図の場合と略同じであ
る。すなわち、３つのマスキング工程は相補絶縁ゲート
電界効果トランジスタ用の二双ソース・ドレインを形成
する４っの注入に用いることができる。これは、注入ま
たはドーピングの一つが無選別に行われるからである。
第19〜22図のプロセスとの差は、第19〜22図では無選別
注入はプロセスの最初に行われ、第26〜29図のプロセス
では、それが途中で行われる。Ｐ型およびＮ型ソース・
ドレインの注入は二つのプロセスの流れにおいて逆にな
っている。不純物導入は、低温イオン注入で行われる
が、Ｎ注入がＰ注入より先か後かは余り重要ではない。
重要なのは、浅いソース・ドレイン帯域がゲートを整合
マスクを使って形成されること、および、スペーサを整
合マスクとして用いてより深い帯域が形成されることで
ある。

（発明の効果）正しい逆像のマスクが形成され、自己整合型双子型ウエ
ルの形成が容易にできる。すなわち、一回のフォトリソ
グラフィで自己整合双子型ウエルが容易に形成できる。
また、デバイスのしきい値の調整が可能であり、熱電子
や基板の電流注入が阻止される。さらに、コンタクト部
における接合抵抗を少なくすることができ、回路全体の
キャパシタンスを低くすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図・第２図は従来技術の略示的説明図であり、第３
〜６図が本発明の第１の実施例、第７図・第８図が第２
の実施例、第９〜14図が第３の実施例、第15〜18図が第
４の実施例、第19〜25図が第５の実施例、第26〜29図が
前記第19〜22図に示す態様の変形をそれぞれ略示的に示
す説明図である。 20……基板、34……第１のマスクまたは第１のマスク
層、36……開口部、38……Ｐウエル、40……第２のマス
クまたは第２のマスク層、41……Ｎウエル、42……平面
化層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１個の開口部を有する第１の素
材からなる第１のマスクを基板上に形成し、第１の導電
型の不純物を前記第１のマスクの前記開口部から基板に
注入して第１のウエル領域を形成し、第２の素材からな
る第２のマスク層で前記第１のマスクの前記開口部を少
なくとも充填しかつ前記第１のマスクを被覆し、前記第
１のマスクの少なくとも一部が現われるまで前記第２の
マスク層を除去し、次いで、前記第１のマスクとその上
の第２のマスク層を選択的に一緒に除去して前記第１の
マスクの逆像である第２のマスクを形成し、第２の導電
型不純物を前記第２のマスクの開口部から基板中に注入
して前記第１のウエル領域と整合した第２のウエル領域
を形成することを特徴とした集積回路の製造方法。
【請求項２】少なくとも１個の開口部を有する第１の素
材からなる第１のマスクを基板上に形成し、第１の導電
型の不純物を前記第１のマスクの前記開口部から基板に
注入して第１のウエル領域を形成し、第２の素材の第２
のマスク層で前記開口部を塞いで前記第１のマスクを被
覆し、第３の素材の平面化層を前記第２のマスク層に重
ねて頂面を平面化し、同平面化層と第２のマスク層を除
去して前記第１のマスクを露呈させ（reveal）、前記第
１のマスクをその上の第２のマスク層と一緒に除去して
前記第１のマスクの逆像である第２のマスクを形成し、
第２の導電型不純物を前記第２のマスクの開口部から基
板に注入して第１のウエルと整合した第２のウエルを形
成することを特徴とした集積回路の製造方法。
【請求項３】レジスト素材による第１のマスク層を形成
し、同第１のマスク層をパターンに露光して露光部分と
非露光部分を形成し、前記露光部を選択的に除去して少
なくとも１個の開口部を有した第１のマスクを形成し、
第１の導電型の不純物を前記第１のマスクの開口部から
基板に注入して第１のウエルを形成し、前記第１のマス
クを露光して露光部となし、レジスト素材による第２の
マスク層で前記開口部を塞いで第１のマスクを被覆し、
前記第１のマスクの少なくとも一部が現われるまで前記
第２のマスク層を除去し、前記第１のマスクをその上の
第２のマスク層と一緒に選択的に除去して第１のマスク
の逆像である第２のマスクを形成し、第２の導電型不純
物を前記第２のマスクの開口部から基板に注入して第１
のウエルと整合した第２のウエルを形成することを特徴
とした集積回路の製造方法。