JPH0670961B2 - How to apply photoresist - Google Patents
How to apply photoresistInfo
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- JPH0670961B2 JPH0670961B2 JP1298427A JP29842789A JPH0670961B2 JP H0670961 B2 JPH0670961 B2 JP H0670961B2 JP 1298427 A JP1298427 A JP 1298427A JP 29842789 A JP29842789 A JP 29842789A JP H0670961 B2 JPH0670961 B2 JP H0670961B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、回転塗布装置で特に半導体集積回路製造にお
けるシリコンウエハへのホトレジスト塗布、またはコン
パクトディスク,ビデオ・ディスク等のマスタリングに
使用されるガラス原盤へのホトレジスト塗布を行うホト
レジストの塗布方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a glass used in a spin coating apparatus, particularly for coating a photoresist on a silicon wafer in the manufacture of a semiconductor integrated circuit, or for mastering a compact disc, a video disc or the like. The present invention relates to a photoresist coating method for coating a master with photoresist.
半導体集積回路(LSI)の製造においては、たとえばシ
リコンウエハに感光剤であるホトレジストを塗布し、マ
スクを用いて露光,現像,エッチングを行って、パター
ニングして回路を形成する。また、コンパクト・ディス
ク,ビデオ・ディスク等のマスタリングにおいては、表
面を研磨したガラス原盤にホトレジストを塗布し、信号
で変調したレーザ光で記録し、現像して信号ピットを形
成する。In the manufacture of a semiconductor integrated circuit (LSI), for example, a silicon wafer is coated with a photoresist as a photosensitizer, exposed, developed, and etched using a mask, and patterned to form a circuit. Further, in mastering of compact discs, video discs, etc., a glass master having a polished surface is coated with photoresist, recorded with a laser beam modulated with a signal, and developed to form a signal pit.
そのため、回転塗布装置は第3図の概略構成図に示す構
成になっている。Therefore, the spin coating device has a configuration shown in the schematic configuration diagram of FIG.
図において、筺体1を仕切板2によって塗布室3と収納
室7に分け、仕切板2の略中央部に駆動モータ4の駆動
力を伝達する回転軸15を遊挿するための孔8を設けてあ
る。そして塗布室3に突出した回転軸15に回転台13を装
着し、基板16を載置している。回転台13の周囲には、回
転台13を囲うように隔壁27を配設し、塗布室3の筺体1
に排気用ダクト22を設け、排気扇5によって強制的に排
気している。また塗布室3にはホトレジストを塗布する
ための中空を有する塗布アーム23があり、先端部にノズ
ル24を設け、他端は柔軟性のある管25と接続して筺体1
の外部よりホトレジスト溶液を供給している。また仕切
板2より立設するアームベース26に塗布アーム23が回転
自在に支持され、先端のノズル24が回転台13の中心部か
ら隔壁27の外側まで基板16と間隔をもって可動する。In the figure, a housing 1 is divided into a coating chamber 3 and a storage chamber 7 by a partition plate 2, and a hole 8 for loosely inserting a rotary shaft 15 for transmitting a driving force of a drive motor 4 is provided in a substantially central portion of the partition plate 2. There is. Then, the rotary table 13 is mounted on the rotary shaft 15 protruding into the coating chamber 3, and the substrate 16 is placed thereon. A partition 27 is provided around the turntable 13 so as to surround the turntable 13, and the housing 1 of the coating chamber 3 is provided.
An exhaust duct 22 is provided in the exhaust duct 5, and the exhaust fan 5 compulsorily exhausts the air. Further, in the coating chamber 3, there is a hollow coating arm 23 for coating photoresist, a nozzle 24 is provided at the tip end, and the other end is connected to a flexible pipe 25 to make the housing 1
The photoresist solution is supplied from outside. The coating arm 23 is rotatably supported by an arm base 26 standing upright from the partition plate 2, and a nozzle 24 at the tip is movable from the center of the rotary table 13 to the outside of the partition wall 27 with a distance from the substrate 16.
このように構成された回転塗布装置においては、回転台
13に基板16を載置し、回転台13を回転させ基板16の中央
部にノズル24を移動してホトレジスト溶液を所定量だけ
滴下し、遠心力によってホトレジスト溶液を基板16を全
面にわたって塗り広げてホトレジスト膜を形成させるも
のである。In the spin coater configured as described above, the rotary table
Place the substrate 16 on 13, rotate the rotary table 13 to move the nozzle 24 to the center of the substrate 16 to drop a predetermined amount of photoresist solution, and spread the photoresist solution over the entire surface of the substrate 16 by centrifugal force. A photoresist film is formed.
このように、回転している基板16上のホトレスト溶液
は、回転数に応じた遠心力を受けて基板16の外周に向か
って塗り広げられて行く。そして回転数とホトレジスト
溶液の粘度に見合った厚さのホトレジスト膜が基板16上
に形成され、余分のホトレジスト溶液は基板16の周辺か
ら飛散していく。In this way, the photoresist solution on the rotating substrate 16 is spread toward the outer periphery of the substrate 16 by receiving the centrifugal force according to the rotation speed. Then, a photoresist film having a thickness suitable for the rotation speed and the viscosity of the photoresist solution is formed on the substrate 16, and the excess photoresist solution is scattered from the periphery of the substrate 16.
以上の如くして基板表面が清浄な場合は欠陥のないホト
レジスト膜が基板表面に形成される。As described above, when the substrate surface is clean, a defect-free photoresist film is formed on the substrate surface.
従来使用されているホトレジスト溶液は、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート(以下セロソルブ
アセテートと呼ぶ)単独、またはそれにキシレン,酢酸
ブチルを混合した混合溶剤で希釈された非親水性の溶液
のため、基板表面が疎水性の場合はホトレジストが基板
表面に良く濡れ広がり均一なホトレジスト膜を形成する
ことができる。しかしながら部分的に基板表面に吸着水
等が存在すると、その部分が親水性のためホトレジスト
との濡れが悪くなり、第4図(a),(b)に示すよう
な塗布膜に気泡の発生,塗布むら,ピンホール等の欠陥
を生じる。The conventionally used photoresist solution is a non-hydrophilic solution which is diluted with ethylene glycol monoethyl ether acetate (hereinafter referred to as cellosolve acetate) alone or a mixed solvent of xylene and butyl acetate mixed therein. When it is hydrophobic, the photoresist can spread well on the surface of the substrate to form a uniform photoresist film. However, if adsorbed water or the like is partially present on the substrate surface, the wettability with the photoresist is deteriorated because the portion is hydrophilic, and bubbles are generated in the coating film as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). Defects such as coating unevenness and pinholes occur.
そのため回転台上に着脱自在に固定されて回転する基板
表面に、ナフトキノンジアジトを感光基としノボラック
樹脂との縮合または混合したポジ型ホトレジストを、エ
チレングリコールモノエチルエーテルアセテート単独、
またはエチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
トにキシレン、酢酸ブチルを混合した混合溶剤で希釈し
たホトレジスト溶液の液流をノズルによって注ぐ手段
と、遠心力を利用して前記ホトレジスト溶液を基板上に
塗り広げて塗布膜を形成させる手段とを有するホトレジ
ストの塗布方法において、前記混合溶剤にイソプロピル
アルコールを添加したホトレジスト溶液の液流を基板表
面に連続的に流下する前記ノズルと、該ノズル内部に設
置した超音波振動子によって前記ホトレジスト溶液に付
与した超音波振動を前記基板表面に伝達しながら塗布す
ることを特徴としたものである。Therefore, on the surface of the substrate that is detachably fixed on the rotating table and rotates, a positive photoresist that is condensed or mixed with a novolac resin using naphthoquinone diazito as a photosensitive group, ethylene glycol monoethyl ether acetate alone,
Alternatively, a means for injecting a liquid flow of a photoresist solution diluted with a mixed solvent of ethylene glycol monoethyl ether acetate mixed with xylene and butyl acetate by a nozzle, and using centrifugal force to spread and spread the photoresist solution on a substrate to form a coating film. And a nozzle for continuously flowing down a liquid flow of a photoresist solution in which isopropyl alcohol is added to the mixed solvent, and an ultrasonic transducer installed inside the nozzle. The ultrasonic vibration applied to the photoresist solution is applied to the surface of the substrate while being transmitted.
したがって、超音波を重畳しながら塗布液を基板に連続
的に流下することによって、吸着水等が存在しても、超
音波のエネルギー及びイソプロピルアルコールの親水性
により基板表面の吸着水は、塗布溶液中のイソプロピル
アルコール中に溶解吸収され、基板表面と塗布液との濡
れが良くなるので全面に均一に濡れ広がり、欠陥の発生
を免れることができる。Therefore, by continuously flowing down the coating liquid onto the substrate while superimposing ultrasonic waves, even if adsorbed water or the like is present, the adsorbed water on the substrate surface is absorbed by the coating solution due to the ultrasonic energy and the hydrophilicity of isopropyl alcohol. It is dissolved and absorbed in the isopropyl alcohol therein, and the wettability between the substrate surface and the coating solution is improved, so that the entire surface can be uniformly wetted and defects can be avoided.
以下本発明の一実施例を第1図の概略構成図によって説
明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the schematic configuration diagram of FIG.
図において、ガラス原盤16を回転台13の上に固定し、モ
ータ4により回転させる。次に回転しているガラス原盤
16の表面上にセロソルブアセテート85%,イソプロピル
アルコール15%の混合溶剤で希釈したホトレジストをパ
イプ25を通し、超音波振動子を設えたノズル30から連続
的に流下する。そしてガラス原盤16の外周から内周中心
部へ移動してガラス原盤全面にホトレジストを流下す
る。このとき超音波発振器36の出力を第2図の概略構成
図に示すノズル30の超音波振動子31に印加してホトレジ
ストに超音波振動を付与する。このとき使用する超音波
の周波数は1.5MHzで出力は10Wである。In the figure, a glass master 16 is fixed on a turntable 13 and rotated by a motor 4. Next rotating glass master
A photoresist diluted with a mixed solvent of 85% cellosolve acetate and 15% isopropyl alcohol on the surface of 16 is passed through a pipe 25 and continuously flowed down from a nozzle 30 provided with an ultrasonic vibrator. Then, the photoresist moves from the outer periphery of the glass master 16 to the center of the inner periphery and the photoresist flows down on the entire surface of the glass master. At this time, the output of the ultrasonic oscillator 36 is applied to the ultrasonic vibrator 31 of the nozzle 30 shown in the schematic diagram of FIG. 2 to apply ultrasonic vibration to the photoresist. The frequency of the ultrasonic waves used at this time is 1.5 MHz and the output is 10 W.
次に全面にホトレジストが行き渡ったならば、回転数を
あげて回転させ、ガラス原盤上にレジスト膜を形成させ
る。この様にホトレジストに超音波液を重畳させなが
ら、ホトレジストをガラス原盤の表面に連続的に流下す
るように塗布すれば欠陥のない高品質のホトレジスト膜
が形成される。尚、使用する超音波の周波数は800KHzか
ら2MHzの範囲で、超音波発振器の出力は1Wから20W程度
が適当である。Next, when the photoresist is spread over the entire surface, the number of rotations is increased and the photoresist is rotated to form a resist film on the glass master. Thus, by superimposing the ultrasonic liquid on the photoresist and applying the photoresist so as to continuously flow down on the surface of the glass master, a high quality photoresist film having no defects is formed. The frequency of the ultrasonic wave used is in the range of 800 KHz to 2 MHz, and the output of the ultrasonic oscillator is appropriately 1 W to 20 W.
又超音波の付与されたホトレジストの液流は、ガラス原
盤16の表面まで連続的な流れが得られるように注出圧力
が調整されており、超音波振動を効率よくガラス原盤の
表面に伝えるようにしている。尚、混合溶剤としては上
記に限られることなく、セロソルブアセテート60〜80
%,イソプロピルアルコール10〜20%,キシレン0〜10
%,酢酸ブチル0〜10%の混合溶剤としても良い。In addition, the liquid flow of the photoresist to which ultrasonic waves are applied has its pouring pressure adjusted so that a continuous flow can be obtained up to the surface of the glass master disk 16, so that ultrasonic vibrations can be efficiently transmitted to the surface of the glass master disk. I have to. Incidentally, the mixed solvent is not limited to the above, cellosolve acetate 60-80
%, Isopropyl alcohol 10-20%, xylene 0-10
%, Butyl acetate 0 to 10% may be used as a mixed solvent.
本発明によれば、超音波の振動エネルギ及び塗布液中の
イソプロピルアルコールの親水性により塗布液が基板面
まで浸透して欠陥のない塗布膜が得られる。According to the present invention, due to the vibration energy of ultrasonic waves and the hydrophilicity of isopropyl alcohol in the coating liquid, the coating liquid penetrates to the surface of the substrate to obtain a coating film without defects.
第1図は本発明の一実施例の概略構成図、第2図は第1
図の部分拡大図、第3図は従来例を示す概略構成図、第
4図(a),(b)は問題点を説明する説明図である。 30……ノズル 31……超音波振動子 36……超音波発振器FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a partially enlarged view of the figure, FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a conventional example, and FIGS. 4 (a) and 4 (b) are explanatory diagrams for explaining the problem. 30 …… Nozzle 31 …… Ultrasonic transducer 36 …… Ultrasonic oscillator
Claims (1)
基板表面に、ナフトキノンアジトを感光基としノボラッ
ク樹脂との縮合または混合したポジ型ホトレジストを、
エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート単
独、またはエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テートにキシレン、酢酸ブチルを混合した混合溶剤で希
釈したホトレジスト溶液の液流をノズルによって注ぐ手
段と、遠心力を利用して前記ホトレジスト溶液を基板上
に塗り広げて塗布膜を形成させる手段とを有するホトレ
ジストの塗布方法において、前記混合溶剤にイソプロピ
ルアルコールを添加したホトレジスト溶液の液流を基板
表面に連続的に流下する前記ノズルと、該ノズル内部に
設置した超音波振動子によって前記ホトレジスト溶液に
付与した超音波振動を前記基板表面に伝達しながら塗布
することを特徴とするホトレジストの塗布方法。1. A positive photoresist in which naphthoquinone azide is a photosensitive group and is condensed or mixed with a novolak resin is formed on a surface of a substrate which is detachably fixed on a rotary table.
Means for injecting a liquid flow of a photoresist solution diluted with a mixed solvent of ethylene glycol monoethyl ether acetate alone or ethylene glycol monoethyl ether acetate mixed with xylene and butyl acetate by a nozzle, and the photoresist solution using centrifugal force. A method for coating a photoresist having a means for spreading and forming a coating film on a substrate, wherein the nozzle for continuously flowing down a liquid flow of a photoresist solution obtained by adding isopropyl alcohol to the mixed solvent to the substrate surface, and the nozzle. A method of coating a photoresist, characterized in that the ultrasonic vibration applied to the photoresist solution is transmitted to the surface of the substrate by an ultrasonic vibrator installed inside the substrate, and is applied.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298427A JPH0670961B2 (en) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | How to apply photoresist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298427A JPH0670961B2 (en) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | How to apply photoresist |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03157658A JPH03157658A (en) | 1991-07-05 |
| JPH0670961B2 true JPH0670961B2 (en) | 1994-09-07 |
Family
ID=17859564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1298427A Expired - Lifetime JPH0670961B2 (en) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | How to apply photoresist |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670961B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475731B1 (en) * | 1997-09-13 | 2005-07-05 | 삼성전자주식회사 | Photoresist Injection Control System |
| JP3093185B2 (en) * | 1998-10-29 | 2000-10-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Semiconductor device film forming method and film forming apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185322A (en) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Nec Corp | Applicator for photo-resist |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP1298427A patent/JPH0670961B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03157658A (en) | 1991-07-05 |
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