JPH0672308B2 - Atmospheric pressure plasma reaction method - Google Patents
Atmospheric pressure plasma reaction methodInfo
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- JPH0672308B2 JPH0672308B2 JP63166599A JP16659988A JPH0672308B2 JP H0672308 B2 JPH0672308 B2 JP H0672308B2 JP 63166599 A JP63166599 A JP 63166599A JP 16659988 A JP16659988 A JP 16659988A JP H0672308 B2 JPH0672308 B2 JP H0672308B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、大気圧プラズマ反応方法に関するものであ
る。さらに詳しくは、この発明は、大気圧下の高安定性
グロー放電プラズマによる高効率の薄膜形成および／ま
たは表面改質のための処理方法に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an atmospheric pressure plasma reaction method. More specifically, the present invention relates to a treatment method for highly efficient thin film formation and / or surface modification by a highly stable glow discharge plasma under atmospheric pressure.
（背景技術） 従来より、低圧グロー放電プラズマによる製膜法や表面
改質法が広く知られており、産業的にも様々な分野に応
用されてもいる。この低圧グロー放電プラズマによる表
面処理法としては、有機化合物気体のプラズマ化によっ
て薄膜形成および／または表面改質する、いわゆる有機
プラズマ方法があることも知られている。(Background Art) Conventionally, a film forming method and a surface modification method using low-pressure glow discharge plasma have been widely known, and have been industrially applied to various fields. It is also known that the surface treatment method using the low-pressure glow discharge plasma includes a so-called organic plasma method in which a thin film is formed and / or the surface is modified by converting an organic compound gas into plasma.
たとえば、真空容器内において炭化水素ガスをプラズマ
励起して、シリコン基板、またはガラス基板上にアモル
ファス炭素膜を析出形成する方法や、エチレンなどの不
飽和炭化水素のプラズマ重合膜を形成する方法などがあ
る。For example, a method of plasma-exciting a hydrocarbon gas in a vacuum container to deposit an amorphous carbon film on a silicon substrate or a glass substrate, a method of forming a plasma polymerized film of an unsaturated hydrocarbon such as ethylene, and the like are available. is there.
しかしながら、これらの従来より知られている低圧グロ
ー放電プラズマによる表面処理法は、いずれも１×10-5
〜１×10-3Torr程度の真空下での反応となるため、この
低圧条件形成の装置および設置が必要であり、また大面
積基板の処理は難しく、しかも製造コストが高価なもの
とならざるを得ないという欠点があった。However, these conventional surface treatment methods using low-pressure glow discharge plasma are all 1 × 10 −5
Since the reaction takes place in a vacuum of about 1 × 10 -3 Torr, this low-pressure condition forming device and installation are required, and it is difficult to process a large area substrate, and the manufacturing cost must be high. There was a drawback of not getting.
この発明の発明者らは、このような欠点を克服するため
に、希ガスと混合して導入したモノマー気体を大気圧下
にプラズマ励起させて基体表面を処理するプラズマ反応
法をすでに提案しており、その実施例においては、優れ
た特性と機能を有する表面を実現してもいる。しかしな
がら、この方法によっても基体表面の処理には限界があ
り、特に基体が金属または合金の場合においては、大気
圧下において、アーク放電が発生して処理が困難である
という問題があった。In order to overcome such drawbacks, the inventors of the present invention have already proposed a plasma reaction method of treating a substrate surface by plasma-exciting a monomer gas introduced by mixing with a rare gas under atmospheric pressure. However, in that embodiment, a surface having excellent properties and functions is realized. However, even with this method, there is a limit to the treatment of the substrate surface, and particularly when the substrate is a metal or an alloy, there is a problem that arc discharge occurs under atmospheric pressure and the treatment is difficult.
そこで、この発明の発明者らは、すでに提案した反応方
法をさらに発展させて、基体が金属または合金の場合に
おいても、大気圧下において、反応活性が大きく、しか
も高安定性の反応ガスのプラズマを得ることのできる大
気圧下のグロー放電プラズマによる反応方法とその装置
をここに完成した。Therefore, the inventors of the present invention have further developed the reaction method already proposed so that even when the substrate is a metal or an alloy, a plasma of a reaction gas having high reaction activity and high stability under atmospheric pressure is obtained. We have completed the reaction method and apparatus by glow discharge plasma under atmospheric pressure that can obtain the above.
（発明の目的） この発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたもので
あり、上記した通りのこれまでの方法とその装置におけ
る問題点を解決し、基体が金属または合金の場合におい
てもアーク放電を生じず、大気圧下に、高活性で高安定
性のグロー放電プラズマによって表面処理する方法を提
供することを目的としている。(Object of the Invention) The present invention has been made in view of the circumstances as described above, and solves the problems in the conventional method and apparatus as described above, and even when the substrate is a metal or an alloy. It is an object of the present invention to provide a method of surface-treating by glow discharge plasma having high activity and high stability under atmospheric pressure without causing arc discharge.
（発明の開示） この発明は、上記の目的を実現するために、上部電極お
よび下部電極の表面に固体誘電体を配設してなる二重誘
電体被覆電極を有する反応容器内において、希ガスとモ
ノマー気体とを導入し、大気圧下にプラズマ励起させて
気体表面を処理することを特徴とする大気圧プラズマ反
応方法を提供するものである。DISCLOSURE OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a rare gas in a reaction vessel having a double-dielectric-coated electrode in which a solid dielectric is provided on the surfaces of an upper electrode and a lower electrode. And a monomer gas are introduced and plasma is excited under atmospheric pressure to treat the gas surface, thereby providing an atmospheric pressure plasma reaction method.
すなわち、この発明の方法においては、反応容器内の上
部電極および下部電極の表面に固体誘電体を配設して大
気圧グロー放電プラズマを発生させ、このプラズマによ
り基体表面を処理することを特徴としている。That is, the method of the present invention is characterized by disposing a solid dielectric on the surfaces of the upper electrode and the lower electrode in the reaction vessel to generate atmospheric pressure glow discharge plasma, and treating the substrate surface with this plasma. There is.
より詳しく説明すると、たとえば第１図は、この発明の
方法のための装置の一例を示したものである。パイレッ
クス製等のベルジャー（１）からなる反応容器内には高
電圧を印加する上部電極（２）と下部電極（３）とが配
設されており、この上部電極（２）および下部電極
（３）の表面には、ガラス、セラミックス、プラスチッ
ク等の耐熱性の固体誘電体（4a）（4b）が設けられてい
る。下部電極（３）上面の固体誘電体（4b）の上には板
状体等の形状の基体（５）が設置される。More specifically, for example, FIG. 1 shows an example of an apparatus for the method of the present invention. An upper electrode (2) for applying a high voltage and a lower electrode (3) are arranged in a reaction vessel composed of a bell jar (1) made of Pyrex or the like. The upper electrode (2) and the lower electrode (3) are arranged. ) Is provided with a heat-resistant solid dielectric (4a) (4b) such as glass, ceramics or plastic. On the solid dielectric (4b) on the upper surface of the lower electrode (3), a substrate (5) having a plate-like shape is installed.
He,Ne,Ar等の希ガスとモノマー気体とを混合した反応ガ
スは、反応ガス導入口（６）より複数の開孔（７）を有
する多孔管（８）に導入され、開孔（７）より基体
（５）に対して均一に反応ガスが拡散される。未反応気
体、希ガス等は、反応容器の排出口（９）より排出され
る。A reaction gas obtained by mixing a rare gas such as He, Ne, and Ar with a monomer gas is introduced into a perforated pipe (8) having a plurality of openings (7) through a reaction gas introduction port (6), and the openings (7 ), The reaction gas is uniformly diffused into the substrate (5). Unreacted gas, rare gas, etc. are discharged from the discharge port (9) of the reaction container.
そしてこの例においては、下部電極（３）には、温度セ
ンサ（10）および加熱ヒータ（11）が配設されてもい
る。また、冷却装置を備えることもできる。In this example, the lower electrode (3) is also provided with a temperature sensor (10) and a heater (11). Also, a cooling device can be provided.
ベルジャー（１）内の反応域は、大気圧に保たれてい
る。The reaction zone in the bell jar (1) is kept at atmospheric pressure.
一般的には、大気圧下のグロー放電は容易に生じず、ま
た基体（５）が金属または合金の場合には、高電圧を印
加することによりアーク放電が発生して基体（５）の表
面処理は困難となる。しかしながら、この発明において
は、たとえば第１図に示したように上部電極（２）およ
び下部電極（３）の表面に固体誘電体（4a）（4b）を配
設することにより、基体（５）が金属または合金であっ
ても、大気圧下での安定なグロー放電が可能となる。も
ちろん、基体（５）がセラミックス、ガラス、プラスチ
ック等においても、高安定性のグロー放電を得ることが
できる。Generally, glow discharge under atmospheric pressure does not easily occur, and when the substrate (5) is a metal or an alloy, arc discharge is generated by applying a high voltage to the surface of the substrate (5). Processing becomes difficult. However, in the present invention, the solid dielectrics (4a) (4b) are arranged on the surfaces of the upper electrode (2) and the lower electrode (3) as shown in FIG. Even if is a metal or an alloy, stable glow discharge can be performed under atmospheric pressure. Of course, even when the substrate (5) is ceramics, glass, plastic, or the like, highly stable glow discharge can be obtained.
反応ガスのプラズマ励起については、このグロー放電に
より反応ガスを励起し、高エネルギーのプラズマを形成
する。このプラズマの形成は、高電圧の印加により行う
が、この際に印加する電圧は、被処理表面の性状や表面
処理の時間に応じて決めることができる。反応ガスにつ
いては、特に制限はないが、使用する希ガスとしては、
He,Ne,Ar等の単体または混合物を適宜用いることができ
る。形成した薄膜に対するスパッタリングを最小とする
ためには、質量の軽いHeを用いるのが好ましい。また、
この希ガスと混合して導入するモノマー気体は、エチレ
ン、プロピレン等の不飽和炭化水素、または、CF4,C
2F6,CHF3またはSF6等のハロゲン化炭化水素や他の官機
能を有するあるいは有しない炭化水素類等の任意のもの
を用いることができる。希ガスとモノマー気体との混合
比は、これも特には限定はないが、希ガス濃度を約65％
以上、特に約90％以上とすることが好ましい。また、導
入する反応ガスは、複数種の気体を用いることもでき
る。Regarding plasma excitation of the reaction gas, the reaction gas is excited by this glow discharge to form high-energy plasma. The plasma is formed by applying a high voltage, and the voltage applied at this time can be determined according to the properties of the surface to be treated and the time of the surface treatment. The reaction gas is not particularly limited, but as the rare gas used,
A single substance or a mixture of He, Ne, Ar and the like can be appropriately used. In order to minimize the sputtering on the formed thin film, it is preferable to use He having a light mass. Also,
The monomer gas introduced by mixing with this noble gas is unsaturated hydrocarbon such as ethylene or propylene, or CF 4 , C.
Any of halogenated hydrocarbons such as 2 F 6 , CHF 3 or SF 6 and hydrocarbons with or without other official functions can be used. The mixing ratio of the rare gas and the monomer gas is also not particularly limited, but the rare gas concentration is about 65%.
The above is preferable, and especially about 90% or more is preferable. Further, as the reaction gas to be introduced, plural kinds of gases can be used.
使用するモノマー気体の種類と反応条件によって、プラ
ズマ重合膜、プラズマ改質膜、プラズマエッチング表面
等を得ることができる。Depending on the type of the monomer gas used and the reaction conditions, a plasma polymerized film, a plasma modified film, a plasma etched surface, etc. can be obtained.
大気圧下において、より安定なプラズマを得るために
は、基体（５）近傍のプラズマ域に反応ガスを均一に拡
散供給することが好ましい。このための手段として第１
図の例においては多孔管（８）を用いているが、これに
限定されることはない。In order to obtain more stable plasma under atmospheric pressure, it is preferable to uniformly diffuse and supply the reaction gas to the plasma region near the substrate (5). The first means for this
In the illustrated example, the perforated pipe (8) is used, but the present invention is not limited to this.
また、第２図に示したように、上部電極（２）の下面に
複数の溝部（12）を形成することも有効である。この溝
部（12）は、上部電極（２）の端部付近に集中しやすい
グロー放電を上部電極（２）の表面全体に均一に拡散さ
せるのに有効なものであり、この溝部（12）によって、
グロー放電の局在化を抑止し、均一に拡散した安定なグ
ロー放電が生じ、基体（５）に均一な膜厚の薄膜形成、
あるいは、均一な表面処理を行うことができる。この溝
部（12）の深さは１〜2mm程度でよい。また、基体
（５）の形状、性状等に応じて、この溝部（12）の形状
は適宜に決めることができる。たとえば第３図に示した
ように複数の穴溝（13）でもよいし、あるいは第４図に
示したように、同心円状の複数の円形溝（14）としても
よい。It is also effective to form a plurality of grooves (12) on the lower surface of the upper electrode (2) as shown in FIG. The groove portion (12) is effective for uniformly diffusing the glow discharge, which is likely to be concentrated near the end portion of the upper electrode (2), over the entire surface of the upper electrode (2). ,
Stable glow discharge, which diffuses uniformly and suppresses the localization of glow discharge, forms a thin film of uniform thickness on the substrate (5),
Alternatively, a uniform surface treatment can be performed. The groove (12) may have a depth of about 1 to 2 mm. Further, the shape of the groove (12) can be appropriately determined according to the shape and properties of the base body (5). For example, a plurality of hole grooves (13) may be provided as shown in FIG. 3, or a plurality of concentric circular grooves (14) may be provided as shown in FIG.
上部電極（２）の形状を第５図のように変えることもで
きる。このことにより、さらに表面処理の均一化を高め
ることができる。The shape of the upper electrode (2) can be changed as shown in FIG. As a result, the uniformity of the surface treatment can be further enhanced.
つまり、大気圧下においては、従来、グロー放電を発生
させることは困難であったが、このように希ガスを用
い、固体誘電体を電極に配設し、上部電極の下面に複数
の溝部を形成することにより、高安定性のグロー放電と
そのプラズマ形成をより円滑に可能とすることができ
る。もちろん、以上のいずれの場合であっても、この発
明の方法では、基体としては、金属、合金、セラミック
ス、ガラス、プラスチック等の適宜な材料を使用するこ
とができる。また、使用するモノマー気体によっては、
反応促進用のハロゲン、酸素、水素などをさらに混入し
てもよい。That is, under atmospheric pressure, it has been difficult to generate glow discharge in the past. However, using a rare gas as described above, a solid dielectric is disposed on the electrode, and a plurality of groove portions are formed on the lower surface of the upper electrode. By forming the glow discharge, highly stable glow discharge and its plasma formation can be made smoother. Of course, in any of the above cases, in the method of the present invention, a suitable material such as metal, alloy, ceramics, glass, or plastic can be used as the substrate. Also, depending on the monomer gas used,
You may further mix halogen, oxygen, hydrogen, etc. for reaction acceleration.
次に実施例を示し、さらに詳しくこの発明について説明
する。Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
実施例１ 電極直径30mm巾、電極間距離10mmの耐熱性カプトン被覆
電極を用いた第１図の装置において、次の条件によりエ
チレンモノマーからポリエチレン膜を形成した。Example 1 In the apparatus shown in FIG. 1 using a heat-resistant Kapton-coated electrode having an electrode diameter of 30 mm width and an electrode distance of 10 mm, a polyethylene film was formed from ethylene monomer under the following conditions.
（ａ）反応ガス濃度（％） エチレン/He＝95/3 （ｂ）放電 大気圧 3000Hz,1.05KV,3mA （Ｃ）基体 アルミニウム基板 アルミニウム基板の表面に、製膜速度11417A/2hrでポリ
エチレン膜を得た。透明で、付着強度はきわめて良好で
あり、膜厚も均一であった。(A) Reaction gas concentration (%) Ethylene / He = 95/3 (b) Discharge Atmospheric pressure 3000Hz, 1.05KV, 3mA (C) Substrate Aluminum substrate A polyethylene film was formed on the surface of the aluminum substrate at a film forming speed of 11417A / 2hr. Obtained. It was transparent, the adhesion strength was very good, and the film thickness was uniform.
また、この例においては、アーク放電を生ずることな
く、高安定なグロー放電が発生し、高活性、高安定性の
プラズマを得ることができた。Further, in this example, highly stable glow discharge was generated without generating arc discharge, and plasma with high activity and high stability could be obtained.
実施例２ 実施例１と同様にして、次の条件でポリエチレンテレフ
タレート膜を処理し、その表面を疎水化した。炭素−フ
ッ素改質膜の生成が確認された。Example 2 In the same manner as in Example 1, a polyethylene terephthalate film was treated under the following conditions to make its surface hydrophobic. Formation of a carbon-fluorine modified film was confirmed.
（ａ）反応ガス濃度（％） CF4/He＝91.6/8.4 CF4:20ml/分 He :216.7ml/分 （ｂ）放電 大気圧 3000Hz,3.46〜3.75KV,8mA 処理時間と接触角との関係を示したものが表１である。
また、比較のために未処理の場合の接触角を示した。(A) Reaction gas concentration (%) CF 4 /He=91.6/8.4 CF 4 : 20ml / min He: 216.7ml / min (b) Discharge atmospheric pressure 3000Hz, 3.46 to 3.75KV, 8mA Treatment time and contact angle Table 1 shows the relationship.
For comparison, the contact angle in the untreated case is also shown.
表面の疎水化が確認された。また、処理状態は均一であ
った。Hydrophobicization of the surface was confirmed. The treatment condition was uniform.
実施例３〜４ 電導体グラファイト（ラッピング済み）を基体として、
実施例２と同様にして処理した。表２に示した条件によ
り処理を行った。 Examples 3 to 4 Conductive graphite (wrapped) as a substrate
Treated as in Example 2. The treatment was performed under the conditions shown in Table 2.
この場合の接触角も測定し、著しく疎水化していること
を確認した。処理状態は均一であった。その結果を表２
に示した。The contact angle in this case was also measured, and it was confirmed that it was remarkably hydrophobicized. The treatment condition was uniform. The results are shown in Table 2.
It was shown to.
なお、固体誘導体を用いない電極からなる装置において
は、アーク放電が発生して処理できなかった。In addition, in an apparatus including an electrode that does not use a solid derivative, arc discharge occurs and the treatment cannot be performed.
実施例５〜６ 第１図および第２図の反応装置を用いて、シリコン基体
上にプラズマ重合ポリエチレン膜を形成した。 Examples 5-6 Plasma-polymerized polyethylene films were formed on silicon substrates using the reactors shown in FIGS. 1 and 2.
（ａ）反応ガス C2H5:3.6ml/分 He :4495ml/分 （ｂ）放電 3000Hz,1.5時間 大気圧、常温 シリコン基体の横断距離とプラズマ重合ポリエチレン膜
の膜厚との関係を示したものが第６図である。(A) Reaction gas C 2 H 5 : 3.6 ml / min He: 4495 ml / min (b) Discharge 3000 Hz, 1.5 hours Atmospheric pressure, normal temperature The relationship between the traverse distance of the silicon substrate and the film thickness of the plasma-polymerized polyethylene film was shown. Fig. 6 shows the thing.
この第６図から明らかなように、第１図の反応装置の場
合（ａ）に比べて、第２図（同心円溝付上部電極使用）
の場合（ｂ）には、膜厚分布はさらに均一になっている
ことがわかる。プラズマが基体表面全域に対して安定し
ていることを示している。As is apparent from FIG. 6, as compared with the case (a) of the reaction device of FIG. 1, FIG. 2 (using the concentric grooved upper electrode).
In the case of (b), it can be seen that the film thickness distribution is more uniform. It shows that the plasma is stable over the entire surface of the substrate.
もちろん、以上の例により、この発明は限定されるもの
ではない。反応容器の大きさおよび形状、電極の構造、
構成および形状、上部電極下面の溝部の形状およびその
数、反応ガス供給部の構造および構成等の細部について
は、様々な態様が可能であることはいうまでもない。Of course, the present invention is not limited to the above examples. Size and shape of reaction vessel, electrode structure,
Needless to say, various aspects are possible in details such as the configuration and shape, the shape and number of the groove portion on the lower surface of the upper electrode, and the structure and configuration of the reaction gas supply portion.
（発明の効果） 以上詳しく説明した通り、この発明により、従来からの
低圧グロー放電プラズマ反応法に比べて、真空系の形成
のための装置および設備が必要でなく、コスト低減を可
能とし、しかも大気圧下での表面処理を実現することが
できる。また装置の構造および構成が簡単であることか
ら大面積基板の処理も容易である。(Effects of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, as compared with the conventional low pressure glow discharge plasma reaction method, an apparatus and equipment for forming a vacuum system are not required, and the cost can be reduced. Surface treatment under atmospheric pressure can be realized. Further, since the structure and configuration of the device are simple, it is easy to process a large area substrate.
また、基体の材質によらず、所望の処理を行うことがで
きる。In addition, a desired treatment can be performed regardless of the material of the substrate.
第１図および第２図は、各々、この発明の反応装置の一
例を示した断面図である。 第３図および第４図は、反応装置の上部電極の下面の一
例を示した底面図である。 第５図は、反応装置の上部電極の別の例を示した要部断
面図である。 第６図は、この発明の方法による薄膜形成時の基体の横
断距離と薄膜との関係を示した相関図である。 １…ベルジャー ２…上部電極 ３…下部電極 4a、4b…固体誘電体 ５…基体 ６…反応ガス導入口 ７…開孔 ８…多孔管 ９…排出口 10…温度センサ 11…加熱ヒータ 12…溝部 13…穴溝 14…円形溝1 and 2 are cross-sectional views showing an example of the reaction apparatus of the present invention. FIG. 3 and FIG. 4 are bottom views showing an example of the lower surface of the upper electrode of the reactor. FIG. 5 is a cross-sectional view of essential parts showing another example of the upper electrode of the reactor. FIG. 6 is a correlation diagram showing the relationship between the cross-sectional distance of the substrate and the thin film when the thin film is formed by the method of the present invention. 1 ... Bell jar 2 ... Upper electrode 3 ... Lower electrode 4a, 4b ... Solid dielectric 5 ... Substrate 6 ... Reaction gas inlet 7 ... Open hole 8 ... Perforated tube 9 ... Exhaust port 10 ... Temperature sensor 11 ... Heating heater 12 ... Groove 13 ... Hole groove 14 ... Circular groove
Claims (1)
体を配設してなる二重誘電体被覆電極を有する反応容器
内において、希ガスとモノマー気体とを導入し、大気圧
下にプラズマ励起させて基体表面を処理することを特徴
とする大気圧プラズマ反応方法。1. A rare gas and a monomer gas are introduced into a reaction vessel having a double-dielectric-coated electrode in which a solid dielectric is provided on the surfaces of an upper electrode and a lower electrode, and plasma is generated under atmospheric pressure. An atmospheric pressure plasma reaction method, which comprises exciting and treating a substrate surface.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166599A JPH0672308B2 (en) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | Atmospheric pressure plasma reaction method |
| DE68922244T DE68922244T2 (en) | 1988-06-06 | 1989-06-06 | Process for performing a plasma reaction at atmospheric pressure. |
| EP89305671A EP0346055B1 (en) | 1988-06-06 | 1989-06-06 | Method for causing plasma reaction under atmospheric pressure |
| US07/522,462 US5126164A (en) | 1988-06-06 | 1990-05-14 | Method of forming a thin polymeric film by plasma reaction under atmospheric pressure |
| US07/774,143 US5275665A (en) | 1988-06-06 | 1991-10-15 | Method and apparatus for causing plasma reaction under atmospheric pressure |
| US08/401,290 US5733610A (en) | 1988-06-06 | 1995-03-09 | Atmospheric pressure plasma reaction method of forming a hydrophobic film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166599A JPH0672308B2 (en) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | Atmospheric pressure plasma reaction method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215171A JPH0215171A (en) | 1990-01-18 |
| JPH0672308B2 true JPH0672308B2 (en) | 1994-09-14 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2897055B2 (en) * | 1990-03-14 | 1999-05-31 | 株式会社ブリヂストン | Method for producing rubber-based composite material |
| JP2929651B2 (en) * | 1990-03-14 | 1999-08-03 | 株式会社ブリヂストン | Method for producing rubber-based composite material |
| JP2754907B2 (en) * | 1990-11-22 | 1998-05-20 | 日産自動車株式会社 | Current position detection device for vehicles |
| JP3206095B2 (en) * | 1991-04-12 | 2001-09-04 | 株式会社ブリヂストン | Surface treatment method and apparatus |
| US5286532A (en) * | 1991-08-20 | 1994-02-15 | Bridgestone Corporation | Method for producing golf balls |
| JP3149272B2 (en) * | 1991-12-10 | 2001-03-26 | 幸子 岡崎 | How to monitor atmospheric pressure glow discharge plasma |
| US5972435A (en) * | 1996-12-27 | 1999-10-26 | Tdk Corporation | Method for forming film by plasma polymerization and apparatus for forming film by plasma polymerization |
| US6429400B1 (en) | 1997-12-03 | 2002-08-06 | Matsushita Electric Works Ltd. | Plasma processing apparatus and method |
| DE69929271T2 (en) | 1998-10-26 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma | Apparatus and method for plasma treatment |
| JP4221847B2 (en) | 1999-10-25 | 2009-02-12 | パナソニック電工株式会社 | Plasma processing apparatus and plasma lighting method |
| KR100332314B1 (en) * | 2000-06-24 | 2002-04-12 | 서성기 | Reactor for depositing thin film on wafer |
| WO2006115242A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Youtec Co., Ltd. | Surface-treated fine particle, surface-treating apparatus, and method for surface-treating fine particle |
| CN102921675B (en) * | 2011-08-10 | 2017-01-25 | 中国科学院微电子研究所 | A new type of atmospheric pressure plasma free radical cleaning spray gun with large area discharge |
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